JP2000138161A - 露光装置 - Google Patents
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- JP2000138161A JP2000138161A JP10324457A JP32445798A JP2000138161A JP 2000138161 A JP2000138161 A JP 2000138161A JP 10324457 A JP10324457 A JP 10324457A JP 32445798 A JP32445798 A JP 32445798A JP 2000138161 A JP2000138161 A JP 2000138161A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
Abstract
(57)【要約】
【課題】 装置の動作状況に関わらず一様な位置精度を
保証する。 【解決手段】 原版上に描画されたパターンを光学的に
被露光体上に転写する露光装置において、被露光体また
は原版を搭載して移動可能なステージの位置決めを行な
う際に、基準となる座標原点を装置の動作状態に応じて
適宜切り替え、該座標原点基準における座標情報を参照
して前記ステージの位置決めを行なう。
保証する。 【解決手段】 原版上に描画されたパターンを光学的に
被露光体上に転写する露光装置において、被露光体また
は原版を搭載して移動可能なステージの位置決めを行な
う際に、基準となる座標原点を装置の動作状態に応じて
適宜切り替え、該座標原点基準における座標情報を参照
して前記ステージの位置決めを行なう。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や液晶
素子等のデバイスを製造するための露光装置に関するも
のである。
素子等のデバイスを製造するための露光装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】半導体露光装置の概念図を図２に示す。
図２において、１０は露光光源を含む照明光学系であ
り、光源としては水銀ランプあるいはＫｒＦエキシマレ
ーザ等が用いられる。１１は露光すべき回路パターンが
ガラス上に描かれているレチクル（原版）、１２はレチ
クルを搭載するレチクルステージ、１３は投影光学系で
ある。１４はレチクル１１のパターンを転写すべきウエ
ハ（被露光体）、１５はウエハを搭載して駆動できるウ
エハステージである。
図２において、１０は露光光源を含む照明光学系であ
り、光源としては水銀ランプあるいはＫｒＦエキシマレ
ーザ等が用いられる。１１は露光すべき回路パターンが
ガラス上に描かれているレチクル（原版）、１２はレチ
クルを搭載するレチクルステージ、１３は投影光学系で
ある。１４はレチクル１１のパターンを転写すべきウエ
ハ（被露光体）、１５はウエハを搭載して駆動できるウ
エハステージである。
【０００３】露光装置の動作についてさらに説明する。
照明光学系１０からの光はレチクルステージ１２により
位置決めされたレチクル１１に導かれ、さらに投影光学
系１３を通った後にウエハ１４に転写（露光）される。
ウエハステージ１５は平面内を所望の位置に位置決め動
作を行ない、上記露光を繰り返すことによって、ウエハ
１４上にレチクル１１のパターンを複数露光する。
照明光学系１０からの光はレチクルステージ１２により
位置決めされたレチクル１１に導かれ、さらに投影光学
系１３を通った後にウエハ１４に転写（露光）される。
ウエハステージ１５は平面内を所望の位置に位置決め動
作を行ない、上記露光を繰り返すことによって、ウエハ
１４上にレチクル１１のパターンを複数露光する。
【０００４】半導体素子は、上記露光動作１回のみで作
成されるのではなく、レチクル１１を交換して同じウエ
ハに複数回重ねて露光することによって作成されるのが
普通である。この時、１度露光したウエハを再度ウエハ
ステージ１５上に搭載し、レチクル１１と精密に位置合
わせする必要がある。半導体露光装置はこのための位置
合わせ機能を具備しており、代表的には位置合わせに用
いる位置合わせマークを予め露光しておき、顕微鏡１６
にてこの位置合わせマークを観察することによって行な
う方法がある。
成されるのではなく、レチクル１１を交換して同じウエ
ハに複数回重ねて露光することによって作成されるのが
普通である。この時、１度露光したウエハを再度ウエハ
ステージ１５上に搭載し、レチクル１１と精密に位置合
わせする必要がある。半導体露光装置はこのための位置
合わせ機能を具備しており、代表的には位置合わせに用
いる位置合わせマークを予め露光しておき、顕微鏡１６
にてこの位置合わせマークを観察することによって行な
う方法がある。
【０００５】上記露光動作および位置合わせ動作いずれ
においても、レチクルステージ１２とウエハステージ１
５は、その位置を精密に保持しておく必要がある。位置
決め誤差が大きいと、回路パターンがレチクル上のパタ
ーンからずれて転写されてしまい、所望の回路特性が得
られなくなる。また、位置合わせ動作中に位置決め誤差
が生じた場合でも、同様の不具合が生ずる。従って２つ
のステージの位置決め性能は、露光装置としての性能に
直結した重要な性能指標となる。
においても、レチクルステージ１２とウエハステージ１
５は、その位置を精密に保持しておく必要がある。位置
決め誤差が大きいと、回路パターンがレチクル上のパタ
ーンからずれて転写されてしまい、所望の回路特性が得
られなくなる。また、位置合わせ動作中に位置決め誤差
が生じた場合でも、同様の不具合が生ずる。従って２つ
のステージの位置決め性能は、露光装置としての性能に
直結した重要な性能指標となる。
【０００６】各ステージの平面内の位置決め動作は、レ
ーザ干渉計等を用いた位置測定器１７を使用した位置決
め制御により行なわれる。位置決め制御系の概念図を図
３に示す。この位置決め制御系は、位置測定器１７によ
り得られた位置情報ｘと目標位置ｒとの差分を求め、さ
らに補償器１８によって適切な補償演算を施した結果を
もって、ウエハステージ１５への駆動指令値とする、所
謂フィードバックループにより構成されている。近年の
マイクロプロセッサの発達に伴って、こうしたフィード
バックループはディジタルフィルタを主体としたソフト
ウエアサーボによって構成されることが多い。
ーザ干渉計等を用いた位置測定器１７を使用した位置決
め制御により行なわれる。位置決め制御系の概念図を図
３に示す。この位置決め制御系は、位置測定器１７によ
り得られた位置情報ｘと目標位置ｒとの差分を求め、さ
らに補償器１８によって適切な補償演算を施した結果を
もって、ウエハステージ１５への駆動指令値とする、所
謂フィードバックループにより構成されている。近年の
マイクロプロセッサの発達に伴って、こうしたフィード
バックループはディジタルフィルタを主体としたソフト
ウエアサーボによって構成されることが多い。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】位置測定器１７の測定
軸は、通常、投影光学系１３が構成する光学的中心位
置、すなわち露光中心と一致するように配置されるのが
普通である。本来的に、露光している位置を精密に保持
する必要があるためである。換言すれば、例えばウエハ
ステージ１５については、露光中心基準の座標系におい
て制御されているということになる。
軸は、通常、投影光学系１３が構成する光学的中心位
置、すなわち露光中心と一致するように配置されるのが
普通である。本来的に、露光している位置を精密に保持
する必要があるためである。換言すれば、例えばウエハ
ステージ１５については、露光中心基準の座標系におい
て制御されているということになる。
【０００８】ここで、ウエハステージ１５に外乱が印加
された場合について考える。例えば、露光装置が設置さ
れる建物の振動や、ウエハステージ１５自身が移動した
時の反力によって、ウエハステージが搭載される本体構
造体（したがって位置測定器１７）が揺らされるような
場合が想定される。こうした外乱は単一方向性のもので
はなく、従って並進成分と回転成分を同時に持つことが
ほとんどである。あるいは、仮に並進成分のみが外乱と
して印加された場合であっても、回転方向の外乱を他成
分として励起することになると言っても良い。
された場合について考える。例えば、露光装置が設置さ
れる建物の振動や、ウエハステージ１５自身が移動した
時の反力によって、ウエハステージが搭載される本体構
造体（したがって位置測定器１７）が揺らされるような
場合が想定される。こうした外乱は単一方向性のもので
はなく、従って並進成分と回転成分を同時に持つことが
ほとんどである。あるいは、仮に並進成分のみが外乱と
して印加された場合であっても、回転方向の外乱を他成
分として励起することになると言っても良い。
【０００９】こうした外乱成分に対して、ウエハステー
ジ１５はフィードバックループによってそれらを抑圧す
るよう動作する。露光装置の基本性能として、ある程度
の外乱が印加された場合であっても十分な位置決め性能
が補償されねばならない。とはいえ、前述のように、あ
くまで露光中心基準で制御されているのであり、従って
露光中心位置に着目した場合にのみ十分な位置決め性能
が補償されているのである。
ジ１５はフィードバックループによってそれらを抑圧す
るよう動作する。露光装置の基本性能として、ある程度
の外乱が印加された場合であっても十分な位置決め性能
が補償されねばならない。とはいえ、前述のように、あ
くまで露光中心基準で制御されているのであり、従って
露光中心位置に着目した場合にのみ十分な位置決め性能
が補償されているのである。
【００１０】一方、位置合わせ動作においては、従来例
で示した通り、露光中心と一致していない軸上での位置
合わせマーク観察による位置合わせ動作がしばしば行な
われる。この場合の位置合わせ精度は、位置合わせマー
ク観察位置に着目した位置決め性能で規定されることに
なる。
で示した通り、露光中心と一致していない軸上での位置
合わせマーク観察による位置合わせ動作がしばしば行な
われる。この場合の位置合わせ精度は、位置合わせマー
ク観察位置に着目した位置決め性能で規定されることに
なる。
【００１１】そこで、位置合わせ動作中に回転方向の外
乱が印加した場合について考えると、たとえ露光中心位
置基準では十分な位置決め精度が得られていたとして
も、マーク観察位置において十分とは言い切れない。例
えば、露光中心位置における回転方向の位置決め精度が
目標値±０．１ｐｐｍ以内まで補償されている場合であ
っても、露光中心位置とマーク観察位置との距離が仮に
５０ｍｍあれば、回転角度は微少であるので近似的に計
算すると、５０×０．１×１０-6＝５ｎｍの位置合わせ
ずれ、あるいは観測結果への誤差が生ずることになる。
このように、露光中心基準座標系で十分な位置決め精度
を保証することが、そのまま位置合わせ精度として全く
同じ精度を保証することにはならないのである。
乱が印加した場合について考えると、たとえ露光中心位
置基準では十分な位置決め精度が得られていたとして
も、マーク観察位置において十分とは言い切れない。例
えば、露光中心位置における回転方向の位置決め精度が
目標値±０．１ｐｐｍ以内まで補償されている場合であ
っても、露光中心位置とマーク観察位置との距離が仮に
５０ｍｍあれば、回転角度は微少であるので近似的に計
算すると、５０×０．１×１０-6＝５ｎｍの位置合わせ
ずれ、あるいは観測結果への誤差が生ずることになる。
このように、露光中心基準座標系で十分な位置決め精度
を保証することが、そのまま位置合わせ精度として全く
同じ精度を保証することにはならないのである。
【００１２】本発明は上述の従来例における問題点に鑑
みてなされたもので、装置の動作状況に関わらず一様な
位置精度を保証することができる露光装置を提供するこ
とを目的とする。
みてなされたもので、装置の動作状況に関わらず一様な
位置精度を保証することができる露光装置を提供するこ
とを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段および作用】上記の目的を
達成するため、本発明では、原版上に描画されたパター
ンを光学的に被露光体上に転写する露光装置において、
被露光体または原版を搭載して移動可能なステージの位
置決めを行なう際に、基準となる座標原点を装置の動作
状態に応じて適宜切り替え、該座標原点基準における座
標情報を参照して前記ステージの位置決めを行なうこと
を特徴とする。
達成するため、本発明では、原版上に描画されたパター
ンを光学的に被露光体上に転写する露光装置において、
被露光体または原版を搭載して移動可能なステージの位
置決めを行なう際に、基準となる座標原点を装置の動作
状態に応じて適宜切り替え、該座標原点基準における座
標情報を参照して前記ステージの位置決めを行なうこと
を特徴とする。
【００１４】本発明によれば、例えば露光動作中あるい
は位置合わせ動作中等、装置がいずれの動作状態にあっ
ても、原版ステージおよび被露光体ステージを外乱に対
して頑健とすることが可能であり、従って各ステージに
て動作状況に関わらず全く一様な位置精度を保証するこ
とができ、露光装置としての性能を著しく向上させるこ
とができる。
は位置合わせ動作中等、装置がいずれの動作状態にあっ
ても、原版ステージおよび被露光体ステージを外乱に対
して頑健とすることが可能であり、従って各ステージに
て動作状況に関わらず全く一様な位置精度を保証するこ
とができ、露光装置としての性能を著しく向上させるこ
とができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の一形態で
は、レチクル上に描画されたパターンを光学的にウエハ
上に転写することによって半導体素子を形成する半導体
露光装置において、ウエハを搭載して移動できるウエハ
ステージの位置決めを行なう際に参照する当該ウエハス
テージの座標情報を、基準となる座標原点を装置の動作
状態に応じて適宜切り替え、該座標原点基準における座
標情報とすることを特徴とする。
は、レチクル上に描画されたパターンを光学的にウエハ
上に転写することによって半導体素子を形成する半導体
露光装置において、ウエハを搭載して移動できるウエハ
ステージの位置決めを行なう際に参照する当該ウエハス
テージの座標情報を、基準となる座標原点を装置の動作
状態に応じて適宜切り替え、該座標原点基準における座
標情報とすることを特徴とする。
【００１６】また、本発明の他の実施形態では、レチク
ル上に描画されたパターンを光学的にウエハ上に転写す
ることによって半導体素子を形成する半導体露光装置に
おいて、レチクルを搭載して移動できるレチクルステー
ジの位置決めを行なう際に参照する当該レチクルステー
ジの座標情報を、基準となる座標原点を装置の動作状態
に応じて適宜切り替え、該座標原点基準における座標情
報とすることを特徴とする。
ル上に描画されたパターンを光学的にウエハ上に転写す
ることによって半導体素子を形成する半導体露光装置に
おいて、レチクルを搭載して移動できるレチクルステー
ジの位置決めを行なう際に参照する当該レチクルステー
ジの座標情報を、基準となる座標原点を装置の動作状態
に応じて適宜切り替え、該座標原点基準における座標情
報とすることを特徴とする。
【００１７】より具体的には、露光動作中であるか位置
合わせ動作中であるかを判別する手段と、これによって
座標系の基準原点を切り替える手段とを具備し、切り替
えられた座標基準に従って、ステージの位置決め制御ア
ルゴリズムを変更する。
合わせ動作中であるかを判別する手段と、これによって
座標系の基準原点を切り替える手段とを具備し、切り替
えられた座標基準に従って、ステージの位置決め制御ア
ルゴリズムを変更する。
【００１８】これによって、露光動作および位置合わせ
動作のいずれにおいても一様な位置精度を保証し、もっ
て露光装置としての性能向上を達成することができる。
動作のいずれにおいても一様な位置精度を保証し、もっ
て露光装置としての性能向上を達成することができる。
【００１９】
【実施例】（第１の実施例）本発明の第１の実施例につ
いて、図１を用いて説明する。図１において、１はシス
テムコントローラであり、露光装置内において実現され
る全ての情報を保持している。２はステージの位置決め
制御系であり、さらに補償器３と、座標変換部４、およ
び制御対象であるウエハステージ５から構成されてい
る。６はレーザ干渉計等の位置測定器であり、図２に示
したものと同様露光中心位置におけるステージの位置を
測定するものである。なお簡単のため、本実施例ではレ
チクルステージ側は所望の位置に十分な精度で位置決め
されているものとし、ウエハステージ側に限って説明を
行なう。
いて、図１を用いて説明する。図１において、１はシス
テムコントローラであり、露光装置内において実現され
る全ての情報を保持している。２はステージの位置決め
制御系であり、さらに補償器３と、座標変換部４、およ
び制御対象であるウエハステージ５から構成されてい
る。６はレーザ干渉計等の位置測定器であり、図２に示
したものと同様露光中心位置におけるステージの位置を
測定するものである。なお簡単のため、本実施例ではレ
チクルステージ側は所望の位置に十分な精度で位置決め
されているものとし、ウエハステージ側に限って説明を
行なう。
【００２０】本発明では、システムコントローラ１が持
つステージ動作情報に基づき、座標変換部４内のアルゴ
リズムを適宜切り替える。以下、これについて詳細に説
明する。
つステージ動作情報に基づき、座標変換部４内のアルゴ
リズムを適宜切り替える。以下、これについて詳細に説
明する。
【００２１】まず、システムが露光動作中である場合に
ついて述べる。この時、ウエハステージ５は露光中心に
おける位置決め精度を補償しなければならない。位置測
定器６は、従来例でも述べたように、予め露光中心位置
と測定軸が一致するように配置されているので、位置測
定器６にて得られる平面内の座標情報ｘ、ｙ、θは、そ
のまま露光中心基準でのウエハステージ座標ｘw 、ｙ
w 、θw を表わしている。したがってこの場合、露光中
心位置基準でのウエハステージ座標と、位置測定器６で
得られる座標情報とは、変換行列Ｒを用いて式（１）に
示す関係を持つことになる。なお式（１）においてＴは
転置を表わす。
ついて述べる。この時、ウエハステージ５は露光中心に
おける位置決め精度を補償しなければならない。位置測
定器６は、従来例でも述べたように、予め露光中心位置
と測定軸が一致するように配置されているので、位置測
定器６にて得られる平面内の座標情報ｘ、ｙ、θは、そ
のまま露光中心基準でのウエハステージ座標ｘw 、ｙ
w 、θw を表わしている。したがってこの場合、露光中
心位置基準でのウエハステージ座標と、位置測定器６で
得られる座標情報とは、変換行列Ｒを用いて式（１）に
示す関係を持つことになる。なお式（１）においてＴは
転置を表わす。
【００２２】
【数１】
【００２３】次に、システムが位置合わせ動作中である
場合について述べる。この時ウエハステージ５は、位置
合わせに用いる顕微鏡（不図示、図２の１６に相当）に
てウエハステージ上の位置合わせマークを観察できる場
所に、位置決めを行なう必要がある。ここで、当該顕微
鏡と露光中心位置とのｘｙ方向相対座標（べクトル）を
［Ｌx Ｌy ］とすると、当該位置におけるウエハステー
ジ座標ｘw 、ｙw 、θw は、式（１）と同様の書式に従
って変換行列Ｒを用いて式（２）のように表現できる。
場合について述べる。この時ウエハステージ５は、位置
合わせに用いる顕微鏡（不図示、図２の１６に相当）に
てウエハステージ上の位置合わせマークを観察できる場
所に、位置決めを行なう必要がある。ここで、当該顕微
鏡と露光中心位置とのｘｙ方向相対座標（べクトル）を
［Ｌx Ｌy ］とすると、当該位置におけるウエハステー
ジ座標ｘw 、ｙw 、θw は、式（１）と同様の書式に従
って変換行列Ｒを用いて式（２）のように表現できる。
【００２４】
【数２】
【００２５】さて、露光装置が露光動作中であるか位置
合わせ動作中であるかは、システムコントローラ１によ
って与えられるため、この情報に応じて座標変換部４の
アルゴリズムとしては、式（１）あるいは式（２）のい
ずれかを選択的に用いることができる。ステージ位置決
め制御系２は、座標変換部にて変換された、動作モード
に依存したステージ位置を基に制御演算を実行する。
合わせ動作中であるかは、システムコントローラ１によ
って与えられるため、この情報に応じて座標変換部４の
アルゴリズムとしては、式（１）あるいは式（２）のい
ずれかを選択的に用いることができる。ステージ位置決
め制御系２は、座標変換部にて変換された、動作モード
に依存したステージ位置を基に制御演算を実行する。
【００２６】これらの動作によってウエハステージ５
は、露光動作中は露光中心基準の座標系で、位置合わせ
動作中は位置合わせマーク観察位置基準の座標系で動作
できることになる。従って、露光動作および位置合わせ
動作のいずれにおいても一様な位置精度を保証し、もっ
て露光装置としての性能向上を達成することができる。
は、露光動作中は露光中心基準の座標系で、位置合わせ
動作中は位置合わせマーク観察位置基準の座標系で動作
できることになる。従って、露光動作および位置合わせ
動作のいずれにおいても一様な位置精度を保証し、もっ
て露光装置としての性能向上を達成することができる。
【００２７】（第２の実施例）第１の実施例では位置測
定器６の測定軸と露光中心位置とが一致しているものと
して説明したが、必ずしも一致している必要はない。こ
の場合、露光中心基準でのステージ座標値を算出する式
（１）において、式（２）に示したのと同様に、位置測
定器６と露光中心位置との相対座標値を基に、露光中心
基準でのステージ座標値が算出できるよう、変換行列Ｒ
を修正すれば良い。
定器６の測定軸と露光中心位置とが一致しているものと
して説明したが、必ずしも一致している必要はない。こ
の場合、露光中心基準でのステージ座標値を算出する式
（１）において、式（２）に示したのと同様に、位置測
定器６と露光中心位置との相対座標値を基に、露光中心
基準でのステージ座標値が算出できるよう、変換行列Ｒ
を修正すれば良い。
【００２８】（第３の実施例）第１の実施例においては
ウエハステージの動作を中心に説明したが、レチクルス
テージの場合も同様である。レチクルの位置合わせを行
なう場合と、露光動作を行なう場合とでレチクルステー
ジの位置が異なるような場合には、前記実施例と同様の
手法を適用することが可能である。
ウエハステージの動作を中心に説明したが、レチクルス
テージの場合も同様である。レチクルの位置合わせを行
なう場合と、露光動作を行なう場合とでレチクルステー
ジの位置が異なるような場合には、前記実施例と同様の
手法を適用することが可能である。
【００２９】（デバイス生産方法の実施例）次に、上記
説明した露光装置を利用したデバイスの生産方法の実施
例を説明する。図４は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ス
テップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）
ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
説明した露光装置を利用したデバイスの生産方法の実施
例を説明する。図４は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ス
テップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）
ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
【００３０】図５は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。
【００３１】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
露光動作中あるいは位置合わせ動作中等のいずれの状態
にあっても、原版ステージおよび被露光体ステージを外
乱に対して頑健とすることが可能であり、従って各ステ
ージにて動作状況に関わらず全く一様な位置精度を保証
することができ、露光装置としての性能を著しく向上さ
せることができる。
露光動作中あるいは位置合わせ動作中等のいずれの状態
にあっても、原版ステージおよび被露光体ステージを外
乱に対して頑健とすることが可能であり、従って各ステ
ージにて動作状況に関わらず全く一様な位置精度を保証
することができ、露光装置としての性能を著しく向上さ
せることができる。
【図１】 本発明の一実施例に係る位置決め制御系のブ
ロック図である。
ロック図である。
【図２】 従来例であり、本発明の適用対象の一例であ
る半導体露光装置の概略構成図である。
る半導体露光装置の概略構成図である。
【図３】 従来の位置決め制御系のブロック図である。
【図４】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。
【図５】 図４におけるウエハプロセスの詳細な流れを
示す図である。
示す図である。
１：システムコントローラ、２：ステージ制御系、３：
補償器、４：座標変換部、５：ステージ、６：位置測定
器、７：切替器。
補償器、４：座標変換部、５：ステージ、６：位置測定
器、７：切替器。
Claims (5)
- 【請求項１】 原版上に描画されたパターンを光学的に
被露光体上に転写する露光装置において、被露光体を搭
載して移動可能な被露光体ステージの位置決めを行なう
際に、基準となる座標原点を装置の動作状態に応じて適
宜切り替え、該座標原点基準における座標情報を参照し
て前記被露光体ステージの位置決めを行なうことを特徴
とする露光装置。 - 【請求項２】 前記装置の動作が前記原版と前記被露光
体とを相対位置合わせする位置合わせ動作および前記原
版のパターンを前記被露光体上に露光する露光動作を含
むことを特徴とする請求項１記載の露光装置。 - 【請求項３】 原版上に描画されたパターンを光学的に
被露光体上に転写する露光装置において、原版を搭載し
て移動可能な原版ステージの位置決めを行なう際に、基
準となる座標原点を装置の動作状態に応じて適宜切り替
え、該座標原点基準における座標情報を参照して前記原
版ステージの位置決めを行なうことを特徴とする露光装
置。 - 【請求項４】 前記装置の動作が前記原版を装置上の所
定の位置に位置合わせする位置合わせ動作および前記原
版のパターンを前記被露光体上に露光する露光動作を含
むことを特徴とする請求項３記載の露光装置。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の露光装
置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイ
ス製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP32445798A JP3595708B2 (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 露光装置、デバイス製造方法および制御方法 |
| US09/427,744 US6256085B1 (en) | 1998-10-30 | 1999-10-27 | Exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32445798A JP3595708B2 (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 露光装置、デバイス製造方法および制御方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000138161A true JP2000138161A (ja) | 2000-05-16 |
| JP3595708B2 JP3595708B2 (ja) | 2004-12-02 |
| JP2000138161A5 JP2000138161A5 (ja) | 2004-12-09 |
Family
ID=18166034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32445798A Expired - Fee Related JP3595708B2 (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 露光装置、デバイス製造方法および制御方法 |
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| JP (1) | JP3595708B2 (ja) |
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| US5272501A (en) * | 1991-08-28 | 1993-12-21 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| US5737063A (en) * | 1995-07-11 | 1998-04-07 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| KR100226599B1 (ko) * | 1995-09-04 | 1999-10-15 | 미따라이 하지메 | 구동제어장치 및 방법 |
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-
1998
- 1998-10-30 JP JP32445798A patent/JP3595708B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-10-27 US US09/427,744 patent/US6256085B1/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6256085B1 (en) | 2001-07-03 |
| JP3595708B2 (ja) | 2004-12-02 |
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