CN111621226A - 一种导电银浆、制备方法及其在导电薄膜上的应用 - Google Patents
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Abstract
本发明属于电子浆料技术领域,具体涉及一种导电银浆、制备方法及其在导电薄膜上的应用。该导电银浆采用质量分数为30%—75%改性导电介质,所述导电介质为金属银或银包铜或金属银和银包铜混合物、5%—20%预处理硅胶树脂、1.0%—10%硅烷偶联剂、10%—50%溶剂组成,所述金属银由银粉和银线组成;所述银粉为片状、树枝状、颗粒状、球状的一种或多种;其制备方法包括导电介质改性、硅胶树脂预处理、硅胶树脂溶液制备、硅烷偶联剂添加和导电银浆制备,制得的导电银浆涂覆在硅橡胶薄膜一面或两面。该导电银浆制备的导电薄膜上导电介质不易脱落,耐弯折性能好,导电性能好,抗拉伸性能好;还具有高柔弹性、耐高低温,生产成本低等优点。
Description
技术领域
本发明属于电子浆料技术领域,具体涉及一种导电银浆、制备方 法及其在导电薄膜上的应用。
背景技术
导电浆料作为一种功能性印料,由于其良好的物理性能在电子信 息产品中得到广泛应用,其中导电银浆因其良好的抗氧化性能、导电 性、导热性而得到广泛应用。为了满足产品的高强度、高机械性能的 要求,需导电银浆固化后的导电膜层具有抗拉伸性能、硬度要求、膜 层与基材附着连接强度高。但现有技术的导电金属银作为金属粉体, 与常用的聚氨酯树脂等高聚物混合,其粘结性不高,少量树脂不能充 分、有效的包覆金属银,导致表面金属银吸附不牢出现脱落现象,导 电薄膜抗拉伸性能差,耐弯折性能低;树脂用量过高,导电性能降低; 聚氨酯树脂耐温温度在-20℃到120℃之间,聚合物在220℃发生分解 变化,耐高温性能差,影响在电子设备上的使用。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:针对上述缺陷,本发明提供一种导 电银浆、制备方法及其在导电薄膜上的应用,该导电银浆制备的导电 薄膜上导电介质不易脱落,耐弯折性能好,导电性能好,抗拉伸性能 好;还具有高柔弹性、耐高低温,生产成本低的优点。
本发明解决其技术问题采用的技术方案如下:包括质量分数为 30%—75%改性导电介质,所述导电介质为金属银或银包铜或金属银 和银包铜混合物、5%—20%预处理硅胶树脂、1.0%—10%硅烷偶联剂、 10%—50%溶剂;
所述金属银由银粉和银线组成;所述银粉为片状、树枝状、颗粒 状、球状的一种或多种;
所述改性导电介质为采用阴离子表面活性剂对金属银或银包铜 或金属银和银包铜混合物改性制得;所述阴离子表面活性剂为硬脂酸、 油酸、月桂酸、十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠中的一种或多种;
所述硅烷偶联剂为硅烷偶联剂KH-560、KH-570、KH-580、 KH-590;所述溶剂为甲苯、正庚烷、乙酸丁酯、环己酮、丁醇中的 一种或多种。
本发明采用金属银或银包铜或金属银和银包铜混合物作为导电 介质,通过阴离子表面活性剂对其改性,既可以提高金属银的疏水性 能,增加在树脂中的分散性,提高导电银浆与硅橡胶薄膜基材的结合 性能,又可以避免导电介质因粒径问题发生团聚现象,影响导电银浆 制成导电薄膜后导电性能,还可以防止在固化过程中出现金属银氧化 的现象;金属银采用银粉和银线组成,银粉的存在增加导电介质的分 散性能,银线的使用可以保证导电薄膜在拉伸状态下,形成可靠的导 电回路,在拉伸不大于300%时,导电薄膜均具有导电性能;采用硅 胶树脂与金属银或银包铜或金属银和银包铜混合物制备导电银浆,将导电银浆涂覆在以硅橡胶薄膜为基材上时,由于硅胶树脂与硅橡胶薄 膜主链结构相同,导电银浆烘干、固化时与硅橡胶薄膜的结合力增加, 导电银浆与硅橡胶薄膜的附着力高,降低导电介质脱落的可能性;该 导电银浆固化成薄膜后,具有高柔弹性,回弹性能好,耐弯折性能好、 耐高低温;溶剂作为调节导电银浆黏度溶剂,选用合适的溶剂,可以 确保改性金属银或银包铜或金属银和银包铜混合物和硅胶树脂之间 混合的均匀性,确保导电银浆的流平性能;该导电银浆不需要使用流 平剂、消泡剂等助剂,降低生产成本。
进一步的,所述硅胶树脂包括组分A和组分B,所述组分A为 二甲基硅油、乙烯基硅油、乙烯基MQ硅树脂和铂系催化剂混合,所 述乙烯基硅油为单端乙烯基硅油、双端乙烯基硅油、侧链乙烯基硅油 的一种或多种;
所述组分B为抑制剂和交联剂的混合物,所述抑制剂为乙炔基 环乙醇,所述交联剂为低含氢硅油、高含氢硅油、含氢MQ硅树脂混 合而成。
硅胶树脂通过控制固化后导电薄膜柔弹性的组分A和控制固化 后导电薄膜硬度的组分B配合调节成型导电薄膜的高柔弹性和耐拉 伸性能;通过组分A和组分B配比之间的调节能快速实现,现配现 用,避免因储存造成原料分布不均匀而影响成型导电薄膜的导电性能; 该硅胶树脂生产使用方便,操作便捷,安全环保无污染。
进一步的,所述铂系催化剂为铂金催化剂、铂铑催化剂、铂钯催 化剂、铂钌催化剂中的一种或多种。
进一步的,所述银粉粒径为0.50μm—5.00μm;所述银线直径为 40nm—200nm,银线长度为10μm—50μm;所述银粉质量含量不低于 金属银总量的80%,所述银线质量含量不高于金属银总量的20%。 选用合适的银粉粒径,可以将不同粒径的银粉进行级配,可以保证导 电通路的可靠性和重复性;在拉伸不大于200%时,可以通过不同粒 径的银粉级配,保证导电通路的可靠、稳定;对于大拉伸需求时,可 以通过银粉混合银线,增加拉伸状态下的导电性能;选用适当银粉与 银线之间的配比,可以提高导电银浆形成导电薄膜的导电性能。
一种导电银浆的制备方法,导电银浆组分如前述,包括以下步骤:
S1,导电介质改性:将金属银或银包铜或金属银和银包铜混合物 置于高速分散机中,向其中加入阴离子表面活性剂,高速分散机转速 为2000—10000r/min,高速分散机处理时间为45s—120s,得到改性 导电介质;
S2,硅胶树脂预处理:取二甲基硅油、乙烯基硅油、乙烯基MQ 硅树脂和铂系催化剂加入分散罐中混合,混合时间为45s—90s,形成 组分A;
取乙炔基环乙醇、低含氢硅油、高含氢硅油、含氢MQ硅树脂混 合而成超声混合,超声时间为60s—150s,形成组分B;
将组分B加入组分A中,在分散罐中再次混合,处理时间为3min —5min,形成组分C;
S3,硅胶树脂溶液制备:向S2硅胶树脂预处理得到的组分C中 加入溶剂,混合搅拌;
S4,硅烷偶联剂添加:向S3硅胶树脂溶液制备得到的混合溶液 中加入硅烷偶联剂,混合搅拌60s—120s;
S5,导电银浆制备:将改性金属银或银包铜或金属银和银包铜混 合物添加至S4得到的已加入硅烷偶联剂的混合液中,混合搅拌;搅 拌后的导电银浆粗品转移至消泡机中消泡和三辊机研磨,形成均一的 浆料,制得导电银浆。
该导电银浆的制备方法中,采用高速分散机对导电介质改性,控 制合适的转速和处理时间,可以保证金属银或银包铜或金属银和银包 铜混合物与阴离子表面活性剂充分接触,提高改性导电介质的性能; 硅胶树脂预处理时组分A和组分B现配现用,充分混合,确保硅胶 树脂包覆改性导电介质的均匀度;并通过消泡剂消泡和三辊机研磨, 得到的导电银浆均一性好,流平性好。
进一步的,所述组分A和组分B质量分数为1:(0.4—1.2)。控 制组分A与组分B之间的比例,可以确保导电银浆形成的薄膜的高 柔弹性、硬度、扩散性能。
一种导电银浆在导电薄膜上的应用,导电银浆组分如前述,将导 电银浆涂覆在基材一面或两面,所述基材为硅橡胶薄膜,所述硅橡胶 薄膜厚度为0.05mm—1.0mm,所述导电银浆厚度为0.005mm—0.1mm; 涂覆导电银浆后烘干、固化;
所述导电银浆采用烘箱烘干、梯度升温后保温固化;或导电银浆 采用烘道一次性烘干固化。
选用合适厚度的硅橡胶薄膜和导电银浆的厚度,既满足导电需求, 又使得制成的产品具有高柔弹性,耐高低温、耐拉伸,产品品质高, 该导电薄膜耐温温度为-40℃至220℃。梯度升温烘干固化或采用烘道 烘干固化,既避免导电银浆中树脂和阴离子表面活性剂挥发不完全影 响导电性能,又能提高导电银浆与硅橡胶薄膜的附着力,降低导电介 质脱落的可能性。
进一步的,所述烘箱烘干温度为120℃—150℃,烘干时间为5min —30min;所述烘箱从120℃—150℃梯度升温至160℃—220℃,梯度 为5℃,在160℃—220℃下保温固化时间为5min—40min。
进一步的,所述导电银浆涂覆在硅橡胶薄膜一面,形成导电薄膜 或屏蔽薄膜;所述导电银浆涂覆在硅橡胶薄膜两面,形成薄膜可变电 容。该导电银浆通过涂覆在硅橡胶薄膜一面,根据涂覆导电银浆的厚 度调节形成薄膜的电阻,可作为导电薄膜或屏蔽薄膜使用,可在薄膜 开关上广泛使用,适用范围广;硅橡胶薄膜两面分别涂覆导电银浆, 一面作为屏蔽端面,另一面作为电容电极,制得的电容器具有高柔弹 性,避免使用其他电极,减少电容回收利用时的环境污染。
进一步的,所述导电银浆涂覆包括刮涂法、高速旋涂法、丝网印 刷法、喷墨打印法、流延法的一种。导电银浆的涂覆方法多种,适用 范围广,根据实际生产规模选用,生产成本可控。
本发明的有益效果是:
1、本发明采用金属银或银包铜或金属银和银包铜混合物作为导 电介质,通过阴离子表面活性剂对其改性,既可以提高金属银的疏水 性能,增加在树脂中的分散性,提高导电银浆与硅橡胶薄膜基材的结 合性能,又可以避免导电介质因粒径问题发生团聚现象,影响导电银 浆制成导电薄膜后导电性能,还可以防止在固化过程中出现金属银氧 化的现象;金属银采用银粉和银线组成,银粉的存在增加导电介质的 分散性能,银线的使用可以保证导电薄膜在拉伸状态下,形成可靠的 导电回路,在拉伸不大于300%时,导电薄膜均具有导电性能;采用 硅胶树脂与金属银或银包铜或金属银和银包铜混合物制备导电银浆,将导电银浆涂覆在以硅橡胶薄膜为基材上时,由于硅胶树脂与硅橡胶 薄膜主链结构相同,导电银浆烘干、固化时与硅橡胶薄膜的结合力增 加,导电银浆与硅橡胶薄膜的附着力高,降低导电介质脱落的可能性; 该导电银浆固化成薄膜后,具有高柔弹性,回弹性能好,耐高低温; 溶剂作为调节导电银浆黏度溶剂,选用合适的溶剂,可以确保改性金 属银或银包铜或金属银和银包铜混合物和硅胶树脂之间混合的均匀 性,确保导电银浆的流平性能;该导电银浆不需要使用流平剂、消泡 剂等助剂,降低生产成本。
2、该导电银浆的制备方法中,采用高速分散机对导电介质改性, 控制合适的转速和处理时间,可以保证金属银或银包铜或金属银和银 包铜混合物与阴离子表面活性剂充分接触,提高改性导电介质的性能; 硅胶树脂预处理时组分A和组分B现配现用,充分混合,确保硅胶 树脂包覆改性导电介质的均匀度;并通过消泡剂消泡和三辊机研磨, 得到的导电银浆均一性好,流平性好。
3、选用合适厚度的硅橡胶薄膜和导电银浆的厚度,既满足导电 需求,又使得制成的产品具有高柔弹性,耐拉伸,该导电薄膜耐温温 度为-40℃至220℃,耐高低温性能好,产品品质高。梯度升温烘干固 化或采用烘道烘干固化,既避免导电银浆中树脂和阴离子表面活性剂 挥发不完全影响导电性能,又能提高导电银浆与硅橡胶薄膜的附着力, 降低导电介质脱落的可能性;该导电银浆通过涂覆在硅橡胶薄膜一面, 形成导电薄膜或屏蔽薄膜,可在薄膜开关上广泛使用,适用范围广; 硅橡胶薄膜两面分别涂覆导电银浆,一面作为屏蔽端面,一面作为电 容电极,制得的电容器具有高柔弹性,避免使用其他电极,减少电容回收利用时的环境污染。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合 实例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体 实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
实施例1
一种导电银浆,包括以下质量百分比的各组分:
69.0%改性金属银,所述金属银为100%的银粉,所述银粉为颗 粒状粉体,其中银粉粒径为0.50μm—5.00μm;金属银采用硬脂酸为 阴离子表面活性剂对银改性;
10.3%硅胶树脂,其中硅胶树脂包括组分A和组分B,所述组分 A与组分B的质量比为2:1,所述组分A为二甲基硅油、乙烯基硅油、 乙烯基MQ硅树脂和铂金催化剂混合,所述乙烯基硅油为单端乙烯基 硅油、双端乙烯基硅油、侧链乙烯基硅油按质量比为1:1:1混合;所述组分B为乙炔基环乙醇和交联剂的混合物,所述交联剂为低含氢 硅油、高含氢硅油、含氢MQ硅树脂混合而成;
4.1%硅烷偶联剂,所述硅烷偶联剂采用硅烷偶联剂KH-570;
16.6%溶剂,选用正庚烷为溶剂。
上述导电银浆的制备方法如下:
S1,金属银改性:将银粉置于高速分散机中,向其中加入阴离子 表面活性剂,高速分散机转速为5000r/min,高速分散机处理时间为 60s,得到改性金属银,选用改性金属银200g;
S2,硅胶树脂预处理:取二甲基硅油、乙烯基硅油、乙烯基MQ 硅树脂和铂金催化剂加入分散罐中混合,混合时间为45s—90s,形成 组分A,取20g待用;
取乙炔基环乙醇、低含氢硅油、高含氢硅油、含氢MQ硅树脂混 合而成超声混合,超声时间为60s,形成组分B,取10g待用;
将组分B加入组分A中,在分散罐中再次混合,处理时间为3min —5min,形成组分C;
S3,硅胶树脂溶液制备:向S2硅胶树脂预处理得到的组分C中 加入48g溶剂,混合搅拌;
S4,硅烷偶联剂添加:向S3硅胶树脂溶液制备得到的混合溶液 中加入12g硅烷偶联剂KH-570,混合搅拌90s;
S5,导电银浆制备:将改性金属银添加至S4得到的已加入硅烷 偶联剂的混合液中,混合搅拌;搅拌后的导电银浆粗品转移至消泡机 中消泡和三辊机研磨,形成均一的浆料,制得导电银浆。
对于上述导电银浆作为导电薄膜的制备过程如下:
应用例1:将导电银浆涂覆在硅橡胶薄膜侧面,所述硅橡胶薄膜 厚度为0.4mm,所述导电银浆厚度为0.085mm;采用高速旋涂法将导 电银浆涂覆在硅橡胶薄膜上,涂覆后采用烘箱烘干,烘干温度为120℃, 烘干时间为10min;再将干燥箱从120℃—梯度升温至160℃,梯度 为5℃,在该温度下固化时间为20min。
应用例2:本应用例与应用例1区别在于,将导电银浆涂覆在硅 橡胶薄膜侧面,所述硅橡胶薄膜厚度为0.1mm,所述导电银浆涂覆厚 度为0.03mm。
应用例3:
将导电银浆涂覆在硅橡胶薄膜两面,所述硅橡胶薄膜厚度为 0.8mm,两面导电银浆厚度为0.025mm;采用喷墨打印法将导电银浆 涂覆在硅橡胶薄膜上,涂覆后采用烘箱烘干,烘干温度为130℃,烘 干时间为20min;再将干燥箱从130℃—梯度升温至180℃,梯度为5℃, 在该温度下固化时间为20min;制得的薄膜可变电容在测试频率为 100KHz时电容量为75PF—187PF。
实施例2
一种导电银浆,包括以下质量百分比的各组分:
66.7%改性金属银,所述金属银为80%的银粉和20%的银线组成, 所述银粉为颗粒状粉体,其中银粉粒径为0.5μm—5.00μm,银线直径 为40nm—200nm,银线长度为10μm—200μm;金属银采用十二烷基 苯磺酸钠为阴离子表面活性剂对金属银改性;
11.1%硅胶树脂,其中硅胶树脂包括组分A和组分B,所述组分A与组分B的质量比为1:1,所述组分A为二甲基硅油、乙烯基硅油、 乙烯基MQ硅树脂和铂钯催化剂混合,所述乙烯基硅油为单端乙烯基 硅油、双端乙烯基硅油、侧链乙烯基硅油按质量比为1:1:1混合;所述组分B为乙炔基环乙醇和交联剂的混合物,所述交联剂为低含氢 硅油、高含氢硅油、含氢MQ硅树脂混合而成;
3.7%硅烷偶联剂,所述硅烷偶联剂采用硅烷偶联剂KH-560;
18.5%溶剂,选用甲苯和正庚烷体积比为1:1混合液为溶剂。
上述导电银浆的制备方法如下:
S1,金属银改性:将银粉和银线质量分数为4:1混合的金属银置 于高速分散机中,向其中加入阴离子表面活性剂十二烷基苯磺酸钠, 高速分散机转速为7000r/min,高速分散机处理时间为60s,得到改性 金属银,选用改性金属银360g;
S2,硅胶树脂预处理:取二甲基硅油、乙烯基硅油、乙烯基MQ 硅树脂和铂钯催化剂加入分散罐中混合,混合时间为45s—90s,形成 组分A,取30g待用;
取乙炔基环乙醇、低含氢硅油、高含氢硅油、含氢MQ硅树脂混 合而成超声混合,超声时间为60s,形成组分B,取30g待用;
将组分B加入组分A中,在分散罐中再次混合,处理时间为4min, 形成组分C;
S3,硅胶树脂溶液制备:向S2硅胶树脂预处理得到的组分C中 加入100g溶剂,混合搅拌;
S4,硅烷偶联剂添加:向S3硅胶树脂溶液制备得到的混合溶液 中加入20g硅烷偶联剂KH-560,混合搅拌90s;
S5,导电银浆制备:将改性金属银添加至S4得到的已加入硅烷 偶联剂的混合液中,混合搅拌;搅拌后的导电银浆粗品转移至消泡机 中消泡和三辊机研磨,形成均一的浆料,制得导电银浆。
对于上述导电银浆作为导电薄膜的制备过程如下:
将导电银浆涂覆在硅橡胶薄膜侧面,所述硅橡胶薄膜厚度为 0.4mm,所述导电银浆厚度为0.018mm;采用丝网印刷法将导电银浆 涂覆在硅橡胶薄膜上,涂覆后采用烘箱烘干,烘干温度为125℃,烘 干时间为20min;再将干燥箱从125℃—梯度升温至180℃,梯度为5℃, 在该温度下固化时间为20min。
实施例3
一种导电银浆,包括以下质量百分比的各组分:
51.9%改性金属银,所述金属银为95%的银粉和5%的银线组成, 所述银粉为颗粒状粉体,其中银粉粒径为0.5μm—5.00μm,银线直径 为40nm—200nm,银线长度为10μm—200μm;金属银采用硬脂酸为 阴离子表面活性剂对银改性;
13.0%硅胶树脂,其中硅胶树脂包括组分A和组分B,所述组分 A与组分B的质量比为1:1,所述组分A为二甲基硅油、乙烯基硅油、 乙烯基MQ硅树脂和铂金催化剂混合,所述乙烯基硅油为单端乙烯基 硅油、双端乙烯基硅油、侧链乙烯基硅油按质量比为1:1:1混合;所述组分B为乙炔基环乙醇和交联剂的混合物,所述交联剂为低含氢 硅油、高含氢硅油、含氢MQ硅树脂混合而成;
4.8%硅烷偶联剂,所述硅烷偶联剂采用硅烷偶联剂KH-580;
30.3%溶剂,选用乙酸丁酯为溶剂。
上述导电银浆的制备方法如下:
S1,金属银改性:将银粉和银线按质量比为19:1混合的金属银 置于高速分散机中,向其中加入阴离子表面活性剂,高速分散机转速 为5000r/min,高速分散机处理时间为60s,得到改性金属银,选用改 性金属银120g;
S2,硅胶树脂预处理:取二甲基硅油、乙烯基硅油、乙烯基MQ 硅树脂和铂金催化剂加入分散罐中混合,混合时间为45s—90s,形成 组分A,取15g待用;
取乙炔基环乙醇、低含氢硅油、高含氢硅油、含氢MQ硅树脂混 合而成超声混合,超声时间为60s,形成组分B,取15g待用;
将组分B加入组分A中,在分散罐中再次混合,处理时间为5min, 形成组分C;
S3,硅胶树脂溶液制备:向S2硅胶树脂预处理得到的组分C中 加入70g溶剂,混合搅拌;
S4,硅烷偶联剂添加:向S3硅胶树脂溶液制备得到的混合溶液 中加入11g硅烷偶联剂KH-580,混合搅拌90s;
S5,导电银浆制备:将改性金属银添加至S4得到的已加入硅烷 偶联剂的混合液中,混合搅拌;搅拌后的导电银浆粗品转移至消泡机 中消泡和三辊机研磨,形成均一的浆料,制得导电银浆。
对于上述导电银浆作为导电薄膜的制备过程如下:
将导电银浆涂覆在硅橡胶薄膜侧面,所述硅橡胶薄膜厚度为 0.4mm,所述导电银浆厚度为0.02mm;采用刮涂法将导电银浆涂覆 在硅橡胶薄膜上,涂覆后采用烘道一次性烘干固化,温度为220℃, 在烘道内总时间为5min。
实施例4
一种导电银浆,包括以下质量百分比的各组分:
62.6%改性银包铜,所述银包铜为颗粒状粉体,其粒径为0.5μm —5.00μm;银包铜采用油酸为阴离子表面活性剂对银改性;
12.6%硅胶树脂,其中硅胶树脂包括组分A和组分B,所述组分 A与组分B的质量比为2:1,所述组分A为二甲基硅油、乙烯基硅油、 乙烯基MQ硅树脂和铂金催化剂混合,所述乙烯基硅油为单端乙烯基 硅油、双端乙烯基硅油、侧链乙烯基硅油按质量比为1:1:1混合;所述组分B为乙炔基环乙醇和交联剂的混合物,所述交联剂为低含氢 硅油、高含氢硅油、含氢MQ硅树脂混合而成;
2.9%硅烷偶联剂,所述硅烷偶联剂采用硅烷偶联剂KH-570;
21.9%溶剂,选用正庚烷为溶剂。
上述导电银浆的制备方法如下:
S1,银包铜改性:将银包铜置于高速分散机中,向其中加入阴离 子表面活性剂,高速分散机转速为5000r/min,高速分散机处理时间 为60s,得到改性银包铜,选用改性银包铜300g;
S2,硅胶树脂预处理:取二甲基硅油、乙烯基硅油、乙烯基MQ 硅树脂和铂金催化剂加入分散罐中混合,混合时间为45s—90s,形成 组分A,取40g待用;
取乙炔基环乙醇、低含氢硅油、高含氢硅油、含氢MQ硅树脂混 合而成超声混合,超声时间为60s,形成组分B,取20g待用;
将组分B加入组分A中,在分散罐中再次混合,处理时间为3min —5min,形成组分C;
S3,硅胶树脂溶液制备:向S2硅胶树脂预处理得到的组分C中 加入105g溶剂,混合搅拌;
S4,硅烷偶联剂添加:向S3硅胶树脂溶液制备得到的混合溶液 中加入14g硅烷偶联剂KH-570,混合搅拌90s;
S5,导电银浆制备:将改性银包铜添加至S4得到的已加入硅烷 偶联剂的混合液中,混合搅拌;搅拌后的导电银浆粗品转移至消泡机 中消泡和三辊机研磨,形成均一的浆料,制得导电银浆。
对于上述导电银浆作为导电薄膜的制备过程如下:
将导电银浆涂覆在硅橡胶薄膜侧面,所述硅橡胶薄膜厚度为 0.5mm,所述导电银浆厚度为0.098mm;采用丝网印刷法将导电银浆 涂覆在硅橡胶薄膜上,涂覆后采用烘箱烘干,烘干温度为125℃,烘 干时间为20min;再将干燥箱从120℃—梯度升温至180℃,梯度为5℃, 在该温度下固化时间为20min。
上述实施例中导电银浆形成的导电薄膜,根据GB6146、 GB/T13022、GB232、GB/T8809分别对制成导电薄膜初始状态时的 表面电阻、拉伸后导电通路路断时最大拉伸率、弯曲性能、抗冲击性 能进行测定,试验结果如下表1所示:
表1:导电薄膜性能测试
上述实施例中制成的导电薄膜在对折180°时导电介质层均没有 龟裂、脱皮,表面无缺陷;在曲率半径20mm时,弯折可靠性均不小 于100万次。
综上,本申请提供的导电银浆制备的导电薄膜上金属银不易脱落, 耐弯折性能好,导电性能好,抗拉伸性能好;还具有高柔弹性、耐高 低温、生产成本低等优点。
以上述依据本发明的理想实施例为启示,通过上述的说明内容, 相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内,进行多 样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内 容,必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
Claims (10)
1.一种导电银浆,其特征在于:包括质量分数为30%—75%改性导电介质,所述导电介质为金属银或银包铜或金属银和银包铜混合物、5%—20%预处理硅胶树脂、1.0%—10%硅烷偶联剂、10%—50%溶剂;
所述金属银由银粉和银线组成;所述银粉为片状、树枝状、颗粒状、球状的一种或多种;
所述改性导电介质为采用阴离子表面活性剂对金属银或银包铜或金属银和银包铜混合物改性制得;所述阴离子表面活性剂为硬脂酸、油酸、月桂酸、十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠中的一种或多种;
所述硅烷偶联剂为硅烷偶联剂KH-560、KH-570、KH-580、KH-590,所述溶剂为甲苯、正庚烷、乙酸丁酯、环己酮、丁醇中的一种或多种。
2.如权利要求1所述的一种导电银浆,其特征在于:所述硅胶树脂包括组分A和组分B,所述组分A为二甲基硅油、乙烯基硅油、乙烯基MQ硅树脂和铂系催化剂混合,所述乙烯基硅油为单端乙烯基硅油、双端乙烯基硅油、侧链乙烯基硅油的一种或多种;
所述组分B为抑制剂和交联剂的混合物,所述抑制剂为乙炔基环乙醇,所述交联剂为低含氢硅油、高含氢硅油、含氢MQ硅树脂混合而成。
3.如权利要求1所述的一种导电银浆,其特征在于:所述铂系催化剂为铂金催化剂、铂铑催化剂、铂钯催化剂、铂钌催化剂中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的一种导电银浆,其特征在于:所述银粉粒径为0.50μm—5.00μm;所述银线直径为40nm—200nm,银线长度为10μm—200μm;
所述银粉质量含量不低于金属银总量的80%,所述银线质量含量不高于金属银总量的20%。
5.一种导电银浆的制备方法,导电银浆组分为上述权利要求1所示,其特征在于,包括以下步骤:
S1,导电介质改性:将金属银或银包铜或金属银和银包铜混合物置于高速分散机中,向其中加入阴离子表面活性剂,高速分散机转速为2000—10000r/min,高速分散机处理时间为45s—120s,得到改性导电介质;
S2,硅胶树脂预处理:取二甲基硅油、乙烯基硅油、乙烯基MQ硅树脂和铂系催化剂加入分散罐中混合,混合时间为45s—90s,形成组分A;
取乙炔基环乙醇、低含氢硅油、高含氢硅油、含氢MQ硅树脂混合而成超声混合,超声时间为60s—150s,形成组分B;
将组分B加入组分A中,在分散罐中再次混合,处理时间为3min—5min,形成组分C;
S3,硅胶树脂溶液制备:向S2硅胶树脂预处理得到的组分C中加入溶剂,混合搅拌;
S4,硅烷偶联剂添加:向S3硅胶树脂溶液制备得到的混合溶液中加入硅烷偶联剂,混合搅拌60s—120s;
S5,导电银浆制备:将改性金属银或银包铜或金属银和银包铜混合物添加至S4得到的已加入硅烷偶联剂的混合液中,混合搅拌;搅拌后的导电银浆粗品转移至消泡机中消泡和三辊机研磨,形成均一的浆料,制得导电银浆。
6.如权利要求5所述的一种导电银浆的制备方法,其特征在于,所述组分A和组分B质量分数为1:(0.4—1.2)。
7.一种导电银浆在导电薄膜上的应用,导电银浆组分为上述权利要求1所示,其特征在于:将导电银浆涂覆在基材一面或两面,所述基材为硅橡胶薄膜,所述硅橡胶薄膜厚度为0.05mm—1.0mm,所述导电银浆厚度为0.005mm—0.1mm;涂覆导电银浆后烘干、固化;
所述导电银浆采用烘箱烘干、梯度升温后保温固化;或导电银浆采用烘道一次性烘干固化。
8.如权利要求7所述的一种导电银浆在导电薄膜上的应用,其特征在于:所述烘箱烘干温度为120℃—150℃,烘干时间为5min—30min;所述烘箱从120℃—150℃梯度升温至160℃—220℃,梯度为5℃,在160℃—220℃下保温固化时间为5min—40min。
9.如权利要求7所述的一种导电银浆在导电薄膜上的应用,其特征在于:所述导电银浆涂覆在硅橡胶薄膜一面,形成导电薄膜或屏蔽薄膜;所述导电银浆涂覆在硅橡胶薄膜两面,形成薄膜可变电容。
10.如权利要求9所述的一种导电银浆在导电薄膜上的应用,其特征在于:所述导电银浆涂覆包括刮涂法、高速旋涂法、丝网印刷法、喷墨打印法、流延法的一种。
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