CN111566788A - 基板检查设备和基板检查方法 - Google Patents

基板检查设备和基板检查方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111566788A
CN111566788A CN201880082146.1A CN201880082146A CN111566788A CN 111566788 A CN111566788 A CN 111566788A CN 201880082146 A CN201880082146 A CN 201880082146A CN 111566788 A CN111566788 A CN 111566788A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
monitoring
substrates
measuring
regions
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201880082146.1A
Other languages
English (en)
Inventor
郑求贤
金映绿
吴世龙
黄喆周
郑镇安
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jusung Engineering Co Ltd
Original Assignee
Jusung Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jusung Engineering Co Ltd filed Critical Jusung Engineering Co Ltd
Priority claimed from PCT/KR2018/016696 external-priority patent/WO2019132528A1/ko
Publication of CN111566788A publication Critical patent/CN111566788A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/265—Contactless testing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)

Abstract

提供了一种用于监控基板以确定处理过的基板的状态并检查处理过的基板中是否存在异常的设备和方法。用于检查基板的设备包括相对于基板移动并用于安装基板的基板安装部、用于监控基板的测量部、被配置为控制测量部的移动路径使得相对于多个基板至少一些区域从彼此不同的位置被监控的控制部，以及分析部，其被配置为从关于所述多个基板的监控信息来确定异常的存在。

Description

基板检查设备和基板检查方法
技术领域
本发明涉及一种用于检查基板的设备和方法，更具体地说，涉及一种用于监控基板以确定基板的处理状态和检查处理过的基板中是否存在异常的设备和方法。
背景技术
半导体装置是通过在如芯片的基板上形成各种形状的图案层来制造的，并且为了形成这样的图案层，通常，通过使用化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)来层迭预定的图案层。
此外，即使在层迭图案层的过程之后，为了将层迭图案层图案化成所需形状，会接着进行使用光阻作为光罩来蚀刻图案层的处理和剥离光阻的处理。
同时，根据设计规则的减少，半导体制造处理可能被要求更接近于处理性能的限制。此外，在一些较小的设计规则的情况下，导致失败的过程往往是系统的。也就是说，导致失败的过程倾向于导致在上述设计中多次重复的预定设计图案的失败。检测和去除空间系统和电气相关的缺陷是很重要的，这是因为去除这些缺陷会非常全面地影响良率。
因此，由于快速发展的半导体装置的生产技术以及对高密度集成和半导体装置的需求的增加，迫切需要加快基板检查以确定对应于技术进步的处理过的基板的状态。
[相关技术文献]
韩国专利申请公开号10-2017-0068419。
发明内容
技术问题
本发明提供能够监控基板并高速地检查处理状态和异常的存在与否的基板检查设备和基板检查方法。
技术方案
根据一个示例性实施例，一种用于检查基板的设备包括：基板安装部，用于安装基板；测量部，相对于所述基板移动并用于监控所述基板；控制部，用于控制所述测量部的移动路径，使得在彼此不同位置上监控多个基板的至少一些区域；以及分析部，用于从与所述多个基板相关的监控信息中确定异常的存在。
所述多个基板选自已执行过相同的预定处理的基板。
用于检查基板的设备可以还包括：支撑部，安装在所述基板安装部上，其中所述测量部可以安装在所述支撑部下而能够在一个方向上移动。
所述基板安装部和所述支撑部中的至少一者可以安装成能够围绕所述基板的中心轴旋转。
所述控制部可以执行控制，使得所述测量部具有线性移动路径。
所述控制部可以执行控制，使得所述测量部具有通过所述基板的中心部分的移动路径。
所述控制部可以执行控制，使得所述测量部具有在所述基板的所述中心部分弯折的移动路径。
所述控制部可以执行控制，使得所述测量部的所述移动路径的长度不大于所述基板的直径。
所述基板安装部可以安装在：承载腔室(Loadlock chamber)中，所述承载腔室用于存储从处理腔室输送过来的所述多个基板，且所述多个基板在所述处理腔室中已执行过预定处理；或前端模块(EFEM)中，所述前端模块与所述承载腔室连接并配置为卸除所述多个基板。
根据另一示例性实施例，一种用于检查基板的方法包括：从多个基板中选择第一基板和第二基板；监控所述第一基板的一些区域；监控所述第二基板的一些区域；以及从关于所述第一基板和所述第二基板的监控信息中确定异常的存在。
在选择所述第一基板和所述第二基板的步骤中，所述第一基板和所述第二基板可以选自属于一个批次(Lot)的多个基板。
在选择所述第一基板和所述第二基板的步骤中，所述第一基板和所述第二基板可以选自在同一腔室中已执行过预定处理的多个基板。
在监控所述第二基板的所述一些区域的步骤中，所述第二基板的监控区域的至少一些区域和所述第一基板的监控区域的至少一些区域彼此不同。
监控所述第一基板的所述一些区域的步骤可以通过使用于监控所述第一基板的测量部在所述第一方向上相对于所述第一基板移动并且通过所述基板的中心部分来执行。
监控所述第二基板的所述一些区域的步骤可以通过使用于监控所述第二基板的测量部在与所述第一方向不同的第二方向上相对于所述第二基板移动并通过所述基板的中心部分来执行。
在确定异常的存在在确定异常的存在的步骤中，当关于所述第一基板的所述监控信息和关于所述第二基板的所述监控信息均落入误差范围内时，可以确定处理过的状态为良好。
在确定异常的存在在确定异常的存在的步骤中，当所述第一基板的监控区域和所述第二基板的监控区域部分重叠时，利用关于重叠区域的监控信息中的偏差来校正所述误差范围。
有益效果
根据示例性实施例的用于检查基板的设备和方法，在彼此不同的位置上监控多个基板的至少一些区域，并且因此可以在短时间内确定基板的处理过的状态，并且可以减少用于检查所消耗的时间。
因此，可以响应于处理过的状态提供瞬时反馈，并且由于设备异常而采取如操作停止、改进或维护的预执行，因此，在制造基板期间使缺陷率最小化，并且可以提高设备的产能利用率。
附图说明
图1是说明根据示例性实施例的用于检查基板的设备的示意图。
图2至图5是示出根据示例性实施例的监控基板的状态的视图。
图6是用于描述根据示例性实施例确定存在异常的状态的视图。
图7是示出根据示例性实施例安装了用于检查基板的设备的状态的视图。
图8是示出根据示例性实施例的用于检查基板的方法的示意图。
具体实施方式
将参考附图详细描述本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以不同的形式实施，并且不应该被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使本发明彻底而完整，并且将本发明的范围完全传达给本领域技术人员。在附图中，相同的标号始终表示相同的组件。
图1是示出根据示例性实施例的用于检查基板的设备的示意图，图2至图5是示出根据示例性实施例的监控基板的状态的视图。另外，图6是用于描述根据示例性实施例确定存在异常的状态的视图。
参见图1至图6，根据示例性实施例的用于检查基板的设备10包括：基板安装部100，用于安装基板S；测量部200，其可相对于基板S移动以监控基板S；控制部300，其控制测量部200的移动路径，使得相对于多个基板在不同位置上的至少一些区域被监控；以及分析部400，从这些基板的监控信息确定异常的存在。
基板安装部100安装基板S以进行监控。这里，根据示例性实施例的用于检查基板的设备10监控已执行预定处理(例如层压处理)的基板S，并确定处理过的状态以检查异常的存在。基板S可以包括不是为实际使用而制造的虚拟基板，而是仅用于监控，并且可以在虚拟基板上沉积没有形成图案的薄膜。当然，在监控完成之后，可以在稍后的监控过程中重复使用这种虚拟基板。
此外，根据示例性实施例的用于检查基板的设备10还可以监控基板S，该基板S已经执行了如蚀刻处理和剥离处理的处理，此时，通过上述处理形成图案的基板S可以安装在基板安装部100上。
基板安装部100可以提供至承载腔室以存储从处理腔室输送过来的多个基板，其中处理腔室执行上述的预定处理。或者，基板安装部100可以提供至连接到承载腔室的设备前端模块(EFEM)，以便释放出存储在承载腔室中的基板。这里，当基板安装部100提供至承载腔室，基板安装部100可以包括安装在承载腔室中的多个槽中的至少一个槽。另外，当基板安装部100提供至前端模块时，基板安装部100可以被提供到前端模块内部的空间的一部分。将参考图7描述示例性实施例，其中基板安装部100被提供给承载腔室或前端模块。
测量部200安装在基板安装部100上并监控基板S。这里，测量部200相对于基板S移动。也就是说，测量部200可移动地安装于基板安装部100，并且基板安装部100的位置是固定的，不仅测量部200可以相对于基板S移动，而且测量部200的位置也可以固定。在部分实施例中，基板安装部100可移动地安装，并且测量部200的位置可以固定，此时测量部200也可以相对于基板S移动。在下文中，将描述测量部200可移动地安装在基板安装部100上的情况作为示例，也描述测量部200透过基板安装部100的移动而可相对于基板S移动的情况，当然，示例性实施例可以同样适用。
这里，测量部200监控基板S的厚度、反射率以及颗粒的存在和分布范围等。为此，测量部200可以由用于测量与基板S的距离、基板S的图像、光谱和电阻值的各种单元组成，用于测量基板S的厚度、反射率和颗粒的存在、分布范围等的单元之具体态样是众所周知的，并且将省略其详细描述。
测量部200可以安装在支撑部500下面，以便可以在一个方向上移动。也就是说，根据示例性实施例的用于检查基板的设备10还可包括支撑部500，该支撑部500安装在基板安装部100上方预定距离处的位置处，测量部200可移动地安装在支撑部500下面，例如，在下表面上，以便可以在一个方向上移动。稍后将参考图2至图5描述其中由在支撑部500下方沿一个方向移动的测量部200形成各种移动路径的配置。
控制部300控制测量部200的移动路径，使得相对于多个基板在在不同位置上的至少一些区域被监控，其中多个基板已经执行了预定的处理，例如层压处理、蚀刻处理和剥离处理。
这里，根据示例性实施例的用于检查基板的设备10监控各个基板，并且这些基板从已经执行了相同的预定处理的多个基板中选择出来。在选择出来的多个基板中的第一基板获得的监控信息可以直接应用于这些基板中的第二基板，反之，在选择出来的多个基板中的第二基板获得的监控信息可以应用于这些基板中的第一基板。这里，这些基板选自已经执行了相同的预定处理的基板，选择出来的这些基板可以是所有已执行预定处理的基板，并且也可以是所有已执行预定处理的基板中的一部分。
因此，控制部300控制测量部200的移动路径，使得相对于多个这种基板在不同位置上的至少一些区域被监控。这里，控制部300可以控制测量部200的移动路径，使得相对于形成在每一这些基板边缘上的凹口在不同位置上的的至少一些区域被监控。这里，凹口N通常用于区分基板的上表面和下表面，以确定基板是否已旋转，并确定旋转的角度或方向。如图6所示，前述多个基板中不同位置，系指意味着当每个凹口N位于相同位置并且相对于这些基板重叠时，位置彼此不同。
此外，控制部300还可以控制测量部200的移动路径，以便在彼此不同的位置监控基板，但是可以在重叠位置监控一些区域，可以监控在彼此不同的位置的其他区域。这样，当被监控的区域相对于这些基板部分重叠时，可以通过使用重叠区域的监控信息来比较每个基板的处理过的状态，并且如后所述，可以通过使用重叠区域的监控信息中的偏差来校正误差范围等以确定异常的存在。
在下文中参考图2至图5，将详细描述示例性实施例，在每个示例性实施例中，控制部300控制测量部200的移动路径并监控每个基板。在图2至5中，虚线箭头表示测量部200的移动路径。
如图2所示，控制部300相对于包括在多个基板中的第一基板和第二基板在不同方向上移动测量部200，从而允许在彼此不同的位置的至少一些区域被监控。这里，不同方向意味着，例如，当设置每个基板使得凹口N位于上部时，测量部200的移动方向彼此不同。
也就是说，控制部300可以将测量部200相对于第一基板S1而从第一基板S1的上边缘移动到第一基板S1的下边缘，而形成第一监控区域M1。另外，控制部300可以将测量部200相对于第二基板S2从第二基板S2的左边缘移动到第二基板S2的右边缘，以形成第二监控区域M2。这样，为了使测量部200在彼此不同的方向上移动，基板安装部100和支撑部500中的至少其中一个可以安装成可绕基板的中心轴旋转。也就是说，控制部300将测量部200从第一基板的上边缘沿一个方向移动到下边缘，以形成第一监控区域M1。随后，基板安装部100和支撑部500中的至少一个旋转90°，并且测量部200再从第二基板的左边缘到右边缘的一个方向上移动以形成第二监控区域M2。在这种情况下，相对于第一基板和第二基板的测量部200的移动路径的长度可以与第一基板和第二基板的直径相同。
另外，如图3所示，控制部300可以将测量部200相对于第一基板S1从第一基板S1的上边缘移动到第一基板S1的中心部分，以形成第一监控区域M1。另外，控制部300可以将测量部200相对于第二基板S2从第二基板S2的中心部分移动到第二基板S2的下边缘，并形成第二监控区域M2。在这种情况下，基板安装部100和支撑部500不需要能够旋转，控制部300仅需要调整测量部200的移动路径的长度，且相对于第一基板和第二基板的测量部200的移动路径与第一基板和第二基板的半径具有相同的长度，并且移动路径小于第一基板和第二基板的直径。
另外，如图4所示，控制部300可以将测量部200相对于第一基板S1从第一基板S1的上边缘移动到第一基板的中心部分，并且将测量部200从第一基板S1的中心部分再次移动到第一基板S1的右边缘，以形成第一监控区域M1。另外，控制部300可以将测量部200相对于第二基板S2从第二基板S2上部和右部之间的边缘移动到基板S2的中心部分，并且将测量部200从第二基板S2的中心部分再次移动到第二基板S2的下部，以形成第二监控区域M2。也就是说，测量部200可以具有在基板的中心部分处弯折的移动路径。为此，控制部300可以将测量部200从第一基板S1的上边缘移动到第一基板S1的中心部分，部分地旋转基板安装部100和支撑部500中的至少一个，然后将测量部200从第一基板S1的中心部分移动到第一基板S1的右边缘。随后，控制部300可以部分地旋转基板安装部100，以使测量部200从上部和右部之间的边缘移动到第二基板S2的中心部分，然后再次旋转基板安装部100，以将测量部200从第二基板S2的中心部分移动到第二基板S2的下部。在这种情况下，相对于第一基板和第二基板的测量部200的移动路径的长度可以与第一基板和第二基板的直径相同。
此外，测量部200可以被配置为沿着移动路径移动时不对整个区域执行监控，而是仅在特定位置执行监控。也就是说，测量部200可以监控第一基板S1和第二基板S2内的特定位置，在这种情况下，特定位置可以是位于中心部分外侧的基板的中心部分的一个或多个位置。
如图5所示，当测量部200监控多个位置时，测量部200例如沿着图2中的第一基板S1和第二基板S2上的移动路径移动，并且在移动路径上指定位置或间隔位置，因此，可以仅在第一监控区域M1和第二监控区域M2之特定位置处执行监控。也就是说，测量部200可以间歇地监控第一基板S1和第二基板S2的移动路径上的每个基板。这里，图5示出了在每个基板各包括具有五个特定位置的第一监控区域M1和具有五个特定位置的第二监控区域M2监控，但是监控位置的数量不限于此。但是，也可以配置成在第一基板S1上监控包括中心部分在内的三个特定位置，并且测量部200的不同移动路径被设置为监控包括第二基板S2上的中心位置的三个特定位置，并且在这种情况下，当第一基板S1和第二基板S2重叠时，总计可以沿着中心部分的十字形交叉监控五个特定位置。
第一基板S1的第一监控区域M1和第二基板的第二监控区域M2在图2至图5中示例性地示出，并且每个监控区域当然可以进行各种配置，使得在彼此不同的位置的至少一些区域可以被监控。然而，为了最小化监控所消耗的时间，控制部300可以控制测量部200具有线性移动路径，其长度不大于基板的直径，如图2至图5所示，并且每个基板具有关于其中心部分对称的特征，因此，控制部可以控制测量部200具有通过基板的中心部分的移动路径。
另外，在图2至图5中，示例性地描述了测量部200顺序地监控第一基板S1和第二基板S2的配置，但是可以提供根据示例性实施例的多个测量部200。当然，配置成多个测量部200，其中的一个测量部200对第一基板S1进行监控，另一个测量部200对第二基板S2进行监控。
分析部400通过关于多个基板的监控信息来确定异常的存在。也就是说，当关于第一基板的监控信息和关于第二基板的监控信息都落入误差范围时，分析部400将处理过的处理状态确定为良好状态，并且当关于第一基板的监控信息和关于第二基板的监控信息当中至少有一个不属于在误差范围内时，分析部将处理过的处理状态确定为缺陷状态。
图6示出了图2中的第一基板S1和第二基板S2相对于相同位置处的凹口N重叠的情况。如图6所示，在第一基板S1和第二基板S2重叠的虚拟基板S0上，从虚拟基板S0的上边缘到下边缘形成第一监控区域M1，并且由左边缘到右边缘形成第二监控区域M2。如上所述，根据示例性实施例的用于检查基板的设备10监控从已经执行了相同的预定处理的基板中选择的每个基板，使得第一基板获得的监控信息可以直接应用于这些基板中的第二基板，反之，这些基板中第二基板获得的监控信息也可以直接应用于这些基板中的第一基板。因此，已经执行了相同的预定处理的基板可以被识别为具有与图6中所示的虚拟基板S0相同的处理过的状态，并且分析部400确定图6中所示的虚拟基板S0的处理过的处理状态的异常的存在。
即，在不包含第一监控区域M1和第二监控区域M2重叠的区域MC之外的第一监控区域M1中，分析部400确定通过第一监控测量的第一监控信息是否落入预定处理的结果值的误差范围内。另外，在不包含第一监控区域M1和第二监控区域M2重叠的区域MC之外的第二监控区域M2中，分析部400确定通过第二监控测量的第二监控信息是否落入预定处理的结果值的误差范围内。这里，对于第一监控区域M1和第二监控区域M2重叠的区域MC，分析部400在第一监控信息和第二监控信息都属于良好状态时将处理过的状态确定为良好状态。当第一监控信息和第二监控信息中的至少一个都落在误差范围之外时，确定为缺陷状态。
另外，分析部400可以通过使用区域MC中的第一监控信息和第二监控信息中的偏差来调整预定处理的结果值的误差范围，其中第一监控区域M1和第二监控区域M2重叠。这里，第一监控区域M1和第二监控区域M2重叠的区域MC可以包括基板的中心部分。预定处理大部分在基板的中心部分中很好地执行，但是越靠近基板的边缘，被确定为缺陷的概率越高。因此，对于已执行第一监控的第一基板的中心部分的监控信息设置第一监控区域M1的误差范围，对于已执行第二监控的第二基板的中心部分的监控信息设定第二监控区域M2的误差范围。此时，关于第一基板和第二基板的中心部分的监控信息可以彼此不同，因此，在这种情况下，可以通过在关于第一基板和第二基板的中心部分的监控信息或者从任何一个基板测量的监控信息中加上或减去偏差来校正结果值的误差范围。
图7是示出安装了根据示例性实施例的用于检查基板的设备的状态的视图。图7示出了作为示例的情况，其中根据示例性实施例的用于检查基板的设备10安装在承载腔室中，但是在用于检查基板的设备10安装在前端模块中的情况下，整个过程也可以以相同的方式应用。
如上所述，根据示例性实施例的基板安装部100可以从处理腔室P1和处理腔室P2运输，其中已执行预定的处理，并且被提供给存储多个基板的承载腔室L或连接到承载腔室L的前端模块E(EFEM)，以放出存放在承载腔室L中的基板。这里，当基板安装部100提供至承载腔室L时，基板安装部100可以包括安装在承载腔室L中的多个槽中的至少一个槽。这里，测量部200也可以安装在承载腔室L的内部，但是，当然可以配置成安装在承载腔室L的外面，并且通过安装在承载腔室中的视口，相对于安装在承载腔室L中的多个槽中的最上层槽上的基板进行监控。反之，当基板安装部100被提供给前端模块E时，基板安装部100可以被提供到前端模块E内部的空间的一部分或者前端模块E的一侧。
在用于检查基板的设备中，基板装载在相应的盒C1和盒C2上并提供给前端模块E。通常，在用于检查基板的设备中，每个处理处理收集一定数量的基板并以批量单位执行相应的处理。此外，在馈纸式处理(sheet-fed process)的情况下，以一个基板为单位执行实际处理，但是以批量单位执行其管理。因此，例如，批次单元中的基板的数量可以是大约25，并且可以在一个盒上装载25个基板。
基板从前端模块E提供到承载腔室L并存储在其中。承载腔室L存储装载在每个盒C1和盒C2中的基板的一部分，当用于检查基板的设备10的基板安装部100安装在承载腔室L中时，可以执行用于测量相对于提供给承载腔室L的基板的初始状态的监控。在这种情况下，分析部400当然可以比较在处理腔室P1和处理腔室P2中执行预定的处理之前的初始状态的监控信息和执行预定的处理之后的监控信息，并设置用于确定处理过的状态为良好或有缺陷的状态的一个误差范围。
存储在承载腔室L中的基板从运输室T运输到相应的处理腔室P1和处理腔室P2。这里，处理腔室可以设置为多个，并且可以在处理腔室P1和处理腔室P2内同时处理多个基板。已执行预定的处理的基板再次存储到承载腔室L。此时，测量部200监控基板，控制部300控制测量部200的移动路径，使得相对于这些基板在不同位置上的至少一些区域被监控，这些基板被顺序地或同时地存储在承载腔室L中。这里，这些基板可以是存储在承载腔室L中的基板的整体，但也可以是从上述一个批次中包含的基板中选择的这些基板。另外，这些基板可以从在同一处理腔室中已执行预定的处理的基板中选择。当从包含一个批次的基板中选择这些基板时，可以在用于检查基板的设备的整体中确定是否存在异常，特别地，当从在同一处理腔室内已执行预定的处理的基板中选择这些基板时，可以容易地确定相应处理腔室的异常的存在。
这里，作为一个示例，图7示出了一种配置，其中具有一个测量部200的用于检查基板的设备10安装在承载腔室L中，但是多个用于检查基板的设备10当然可以安装在承载腔室L中，以便有多个测量部200同时检查多个基板。
另外，分析部400从关于这些基板的监控信息确定处理腔室P1和处理腔室P2中的处理过的状态中的异常的存在，这些基板被顺序地或同时地存储在承载腔室L中。也就是说，当从关于这些基板的监控信息确定处理过的状态是好的时，处理腔室P1和处理腔室P2中的处理被连续地执行，当处理过的状态被确定为这些基板的监控信息有缺陷时，确定基板处理设备出现问题，从而使基板处理设备的过程可能会暂时停止，并且可以通过警报等发出警告，以便可以修理和维修相应的腔室。
这样，当基板安装部100包括安装在承载腔室L中的多个槽中的至少一个槽时，可以在不改变基板的运输路径的情况下执行检查基板的过程，并且不需要调整包含在运输室T中的运输机器人的顺序。另外，当基板安装部100提供给在前端模块E内部的空间的一部分或前端模块的一侧时，从完成预定的处理的基板中没有限制的选择任意基板，并且可以容易地确保用于安装用于检查基板的设备10的空间。这样，当基板安装部100被提供给承载腔室L或前端模块E时，在由连接到多个处理腔室P1和处理腔室P2的输送室T和用于输入或输出基板的承载腔室L组成的基板处理设备中，可以在处理腔室P1和处理腔室P2中的基板的预定处理的同时执行对基板的处理过的状态的监控，且最小化对基板的运动的影响。另外，根据监控结果，可以停止整个基板处理设备的特定处理腔室或处理的处理，或者处理过程的改变可以容易地执行。
在下文中，将详细描述根据示例性实施例的用于检查基板的方法。这里，在根据示例性实施例的用于检查基板的方法中，将省略关于与用于检查基板的设备的内容重叠的内容的描述。
图8是示出根据示例性实施例的用于检查基板的方法的示意图。
参照图8，根据示例性实施例的用于检查基板的方法包括：从多个基板中选择第一基板和第二基板(S100)；监控第一基板的一些区域(S200)；监控第二基板的一些区域(S300)；并且从关于第一基板和第二基板的监控信息确定异常的存在(S400)。
在从多个基板中选择第一基板和第二基板(S100)时，首先，从已执行预定的处理的多个基板中选择要监控的第一基板和第二基板。这里，第一基板和第二基板可以从装载有多个基板的一个盒中选择，并且在这种情况下，第一基板和第二基板可以从包含在一个批次中的这些基板中选择，因此，作为基板处理设备的整体可以确定异常的存在。另外，第一基板和第二基板也可以从在同一处理腔室中已执行预定的处理的多个基板中选择。也就是说，当在同一个处理腔室中同时处理三到六个基板时，可以从三到六个基板的全部或一部分中选择第一基板和第二基板，因此，可以容易地确定相应的处理腔室中异常的存在。
在监控第一基板的一些区域(S200)时，从测量部200相对于第一基板的区域部分监控颗粒的厚度、反射率、异常存在和分布范围等。此外，在监控第二基板的一些区域(S300)时，从测量部200相对于第二基板的多个区域的部分监控颗粒的厚度、反射率、异常存在和分布范围等。
这里，控制部300可以控制测量部200的移动路径，使得相对于第一基板和第二基板在不同位置上的至少部分区域被监控，因此，在监控第二基板的一部分(S300)时，第一基板的监控区域和第二基板被监控的至少一些区域彼此不同。
此外，第一基板的监控可以通过移动测量部200来进行，以通过第一基板的中心部分在第一方向监控第一基板，并且还可以执行使得当测量部200经由第一基板的中心部分在第一方向中移动时，在测量部200的移动路径上间歇地监控第一基板。另外，第二基板的一些区域的监控可以通过移动测量部200来执行，以通过第二基板的中心部分在与第一方向不同的第二方向监控第二基板，并且还可以执行使得当测量部200经由第二基板的中心部分在第二方向移动时，在测量部200的移动路径上间歇地监控第二基板。为此，如上所述，基板安装部100和支撑部500中的至少一个为可旋转地安装在基板的中心轴周围。也就是说，控制部300可以通过在第一方向上移动测量部200来形成包括第一基板上的中心部分的第一监控区域，并且控制部300可以通过旋转基板安装部100和支撑部500中的至少一个以在与第一方向不同的第二方向上移动测量部200，进而形成包括第二基板上的中心部分的第二监控区域。
以上参照图2至图5的描述可以以相同的方式应用于监控第一基板的一些区域(S200)和监控第二基板的一些区域(S300)。第一基板的监控区域和第二基板的监控区域被示例性地示出，并且如上所述，每个监控区域可以不同地配置，使得至少一些区域可以从彼此不同的位置被监控。
由分析部400执行从第一基板和第二基板的监控信息确定异常的存在(S400)。也就是说，分析部400确定关于第一基板的一些区域的监控信息是否落入相对于预定处理处理的结果值的误差范围内。另外，分析部400确定关于第二基板的一些区域的监控信息是否落入相对于预定处理处理的结果值的误差范围内。因此，在进行从第一基板和第二基板的监控信息确定异常的存在时(S400)，当关于第一基板的监控信息和关于第二基板的监控信息中的任何一个落在误差范围之外时，处理过的状态被确定为有缺陷，并通知基板处理设备发生异常，当第一基板的监控信息和第二基板的监控信息都属于在误差范围内时，处理过的状态被确定为好，并且处理被连续执行。
另外，在进行从第一基板和第二基板的监控信息确定异常的存在时(S400)，当第一基板的监控区域与第二基板的监控区域部分重叠时，可以通过在关于重叠区域的监控信息中使用偏差来校正误差范围。也就是说，分析部400可以通过使用第一监控信息和第二监控信息中与第一监控区域重叠的区域(例如基板的中心部分)的偏差校正预定处理处理的结果值的误差范围。这是因为预定的处理处理大部分在基板的中心部分很好地执行，但是越靠近基板的边缘，被确定为缺陷的概率越高，并且由于预定处理处理的结果值是相对于关于基板的中心部分的监控信息而设定，在这种情况下，如上所述，可以通过添加第一监控信息和第二信息中的偏差的值来调整结果值的误差范围。
这样，根据示例性实施例的用于检查基板的设备和方法，相对于多个基板，监控互相不同的位置的至少一些区域，并且因此可以在短时间内确定基板的处理过的状态，并且可以减少用于检查所消耗的时间。
因此，可以响应于处理过的状态提供瞬时反馈，并且由于设备异常而采取如操作停止、改进或维护的预执行，因此，在制造基板期间使缺陷率最小化，并且可以提高设备的容量利用率。
虽然已经通过使用特定术语描述和说明了优选的示例性实施例，但是这些术语仅用于清楚地解释本发明，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对所使用的实施例和术语进行各种修改。这些修改的实施方案不应从本发明的精神和范围单独理解，并且将解释为包括在本发明的申请专利范围中。

Claims (19)

1.一种用于检查基板的设备，所述设备包括：
基板安装部，用于安装基板；
测量部，相对于所述基板移动并用于监控所述基板；
控制部，用于控制所述测量部的移动路径，使得在彼此不同的位置上监控多个基板的至少一些区域；以及
分析部，用于从与所述多个基板相关的监控信息中确定异常的存在。
2.如权利要求1所述的设备，其中所述多个基板选自已执行过相同的预定处理的基板。
3.如权利要求1所述的设备，还包括：支撑部，安装在所述基板安装部上，其中所述测量部安装在所述支撑部下而能够在一个方向上移动。
4.如权利要求3所述的设备，其中所述基板安装部和所述支撑部中的至少一者安装成能够围绕所述基板的中心轴旋转。
5.如权利要求1所述的设备，其中所述控制部控制所述测量部，使得所述测量部具有线性移动路径。
6.如权利要求1所述的设备，其中所述控制部执行控制，使得所述测量部具有通过所述基板的中心部分的移动路径。
7.如权利要求1所述的设备，其中所述控制部执行控制，使得所述测量部具有在所述基板的所述中心部分弯折的移动路径。
8.如权利要求1所述的设备，其中所述控制部执行控制，使得所述测量部的所述移动路径的长度不大于所述基板的直径。
9.如权利要求1所述的设备，其中所述测量部间歇地监控所述移动路径上的所述基板。
10.如权利要求1所述的设备，其中所述基板安装部安装在：承载腔室中，所述承载腔室用于存储从处理腔室输送过来的所述多个基板，且所述多个基板在所述处理腔室中已执行过预定处理；或前端模块(EFEM)中，所述前端模块与所述承载腔室连接并配置为卸除所述多个基板。
11.一种用于检查基板的方法，包括：
从多个基板中选择第一基板和第二基板；
监控所述第一基板的一些区域；
监控所述第二基板的一些区域；以及
从关于所述第一基板和所述第二基板的监控信息中确定异常的存在。
12.如权利要求11所述的方法，其中在选择所述第一基板和所述第二基板的步骤中，所述第一基板和所述第二基板选自属于一个批次的多个基板。
13.如权利要求11所述的方法，其中在选择所述第一基板和所述第二基板的步骤中，所述第一基板和所述第二基板选自在同一腔室中已执行过预定处理的多个基板。
14.如权利要求11所述的方法，其中在监控所述第二基板的所述一些区域的步骤中，所述第二基板的监控区域中的至少一些区域和所述第一基板的监控区域中的至少一些区域彼此不同。
15.如权利要求11所述的方法，其中监控所述第一基板的所述一些区域的步骤通过使用于监控所述第一基板的测量部沿着第一方向相对于所述第一基板移动并且通过所述第一基板的中心部分来执行。
16.如权利要求15所述的方法，其中监控所述第二基板的所述一些区域的步骤通过使用于监控所述第二基板的测量部沿着与所述第一方向不同的第二方向相对于所述第二基板移动并且通过所述第二基板的中心部分来执行。
17.如权利要求15所述的方法，其中监控所述第一基板的所述一些区域的步骤通过在用于监控所述第一基板的所述测量部移动的同时间歇地监控所述第一基板来执行，且监控所述第二基板的所述一些区域的步骤通过在用于监控所述第二基板的所述测量部移动的同时间歇地监控所述第二基板来执行。
18.如权利要求11所述的方法，其中在确定异常的存在的步骤中，当关于所述第一基板的监控信息和关于所述第二基板的监控信息均落入误差范围内时，确定处理状态为良好。
19.如权利要求18所述的方法，其中在确定异常的存在的步骤中，当所述第一基板的监控区域和所述第二基板的监控区域部分重叠时，利用关于重叠区域的监控信息中的偏差来校正所述误差范围。
CN201880082146.1A 2017-12-27 2018-12-27 基板检查设备和基板检查方法 Pending CN111566788A (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20170181351 2017-12-27
KR10-2017-0181351 2017-12-27
KR1020180169241A KR20190079560A (ko) 2017-12-27 2018-12-26 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법
KR10-2018-0169241 2018-12-26
PCT/KR2018/016696 WO2019132528A1 (ko) 2017-12-27 2018-12-27 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111566788A true CN111566788A (zh) 2020-08-21

Family

ID=67225171

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880082146.1A Pending CN111566788A (zh) 2017-12-27 2018-12-27 基板检查设备和基板检查方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11726134B2 (zh)
JP (1) JP7295861B2 (zh)
KR (1) KR20190079560A (zh)
CN (1) CN111566788A (zh)
TW (2) TWI820074B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005069864A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Nidec-Read Corp 基板検査装置、基板検査システム、基板検査方法、基板検査プログラム、及び基板検査補助装置
US20050200841A1 (en) * 1999-01-08 2005-09-15 Applied Materials, Inc. Detection of defects in patterned substrates
US20110052040A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-03 Hermes Microvision, Inc. Substrate inspection method
KR20120133589A (ko) * 2011-05-31 2012-12-11 (주)루멘시스 패턴 사파이어 기판의 검사장치 및 검사방법
KR20150139212A (ko) * 2014-06-03 2015-12-11 에이피시스템 주식회사 기판 처리 장치 및 그 작동 방법
CN107342243A (zh) * 2016-05-03 2017-11-10 系统科技公司 基板处理装置及基板处理方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2913747B2 (ja) * 1990-04-17 1999-06-28 富士通株式会社 ウェーハ検査装置
JP3587777B2 (ja) 1999-11-02 2004-11-10 東京エレクトロン株式会社 加熱処理方法及び加熱処理装置
JP3858571B2 (ja) * 2000-07-27 2006-12-13 株式会社日立製作所 パターン欠陥検査方法及びその装置
US6927847B2 (en) * 2001-09-13 2005-08-09 Hitachi High-Technologies Corporation Method and apparatus for inspecting pattern defects
JP3849547B2 (ja) 2002-02-28 2006-11-22 信越半導体株式会社 半導体エピタキシャルウェーハの測定方法、半導体エピタキシャルウェーハの測定装置、半導体エピタキシャルウェーハの製造方法及びコンピュータプログラム
JP3966189B2 (ja) * 2003-02-27 2007-08-29 オムロン株式会社 基板検査方法およびこの方法を用いた基板検査装置
JP4996856B2 (ja) * 2006-01-23 2012-08-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査装置およびその方法
US7625680B2 (en) 2006-09-29 2009-12-01 Tokyo Electron Limited Method of real time dynamic CD control
US7847927B2 (en) * 2007-02-28 2010-12-07 Hitachi High-Technologies Corporation Defect inspection method and defect inspection apparatus
JP2009188175A (ja) 2008-02-06 2009-08-20 Tokyo Seimitsu Co Ltd 外観検査装置及び外観検査方法
US8094924B2 (en) 2008-12-15 2012-01-10 Hermes-Microvision, Inc. E-beam defect review system
JP5332632B2 (ja) * 2009-01-16 2013-11-06 株式会社日立製作所 分光検出方法及びその装置並びにそれを用いた欠陥検査方法及びその装置
CN101819165B (zh) * 2009-02-27 2013-08-07 圣戈本玻璃法国公司 用于检测图案化基板的缺陷的方法及系统
JP2011232204A (ja) * 2010-04-28 2011-11-17 Rigaku Corp カラーフィルタ基板検査方法及び検査装置
JP6273162B2 (ja) * 2014-03-25 2018-01-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及びその装置
JP6294131B2 (ja) * 2014-04-08 2018-03-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥レビュー装置、欠陥レビュー方法
JP6293023B2 (ja) 2014-09-04 2018-03-14 株式会社ニューフレアテクノロジー 検査方法
JP6423678B2 (ja) 2014-10-07 2018-11-14 東京エレクトロン株式会社 基板検査装置及びその制御方法
KR20160107006A (ko) * 2015-03-03 2016-09-13 삼성전자주식회사 3차원 영상을 이용한 웨이퍼 검사장치
KR20160116534A (ko) 2015-03-30 2016-10-10 삼성전자주식회사 전자빔을 이용한 웨이퍼의 검사 방법
KR102554867B1 (ko) * 2015-09-09 2023-07-14 삼성전자주식회사 기판 검사 장치
WO2017195300A1 (ja) * 2016-05-11 2017-11-16 Ｗｉｔ株式会社 多機能型基板検査装置および多機能型基板検査方法
KR102078603B1 (ko) 2017-06-01 2020-02-20 세메스 주식회사 검사 방법 및 기판 처리 장치
KR20190048562A (ko) * 2017-10-31 2019-05-09 삼성전자주식회사 기판 이송 장치 및 이를 포함하는 기판 검사 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050200841A1 (en) * 1999-01-08 2005-09-15 Applied Materials, Inc. Detection of defects in patterned substrates
JP2005069864A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Nidec-Read Corp 基板検査装置、基板検査システム、基板検査方法、基板検査プログラム、及び基板検査補助装置
US20110052040A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-03 Hermes Microvision, Inc. Substrate inspection method
KR20120133589A (ko) * 2011-05-31 2012-12-11 (주)루멘시스 패턴 사파이어 기판의 검사장치 및 검사방법
KR20150139212A (ko) * 2014-06-03 2015-12-11 에이피시스템 주식회사 기판 처리 장치 및 그 작동 방법
CN107342243A (zh) * 2016-05-03 2017-11-10 系统科技公司 基板处理装置及基板处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP7295861B2 (ja) 2023-06-21
KR20190079560A (ko) 2019-07-05
US11726134B2 (en) 2023-08-15
US20230341454A1 (en) 2023-10-26
JP2021509535A (ja) 2021-03-25
US20200341049A1 (en) 2020-10-29
TW201928515A (zh) 2019-07-16
TW202403442A (zh) 2024-01-16
TWI820074B (zh) 2023-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8408158B2 (en) Coating/developing device and method
US8888387B2 (en) Coating and developing apparatus and method
JP4985728B2 (ja) 塗布、現像装置及びその方法
JP4357861B2 (ja) 基板処理装置
KR20220018014A (ko) 회전 정렬이 필요한 에지 링의 자동화된 이송
JP4216263B2 (ja) 製造検査解析システム、および製造検査解析方法
KR20090092799A (ko) 기판 반송 처리 장치
US20160307784A1 (en) Substrate processing system
TWI820074B (zh) 用於檢查基板的設備和方法
US20200340094A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US8341819B2 (en) Thermal processing system and method of using
JP2019028377A (ja) 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
JP2006019622A (ja) 基板処理装置
WO2019132528A1 (ko) 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법
KR102154239B1 (ko) 기판 처리 장치의 이상 예측 장치 및 이상 예측 방법
KR102037905B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101412398B1 (ko) 분리 및 이산화된 프로세스 시퀀스 통합을 위한 방법 및 시스템
US6620636B2 (en) Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus
KR101570160B1 (ko) 기판 처리 설비
KR20240060443A (ko) 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법 및 기판 처리 장치
KR20060068966A (ko) 단차 측정 설비
KR20030033414A (ko) 반도체 박막 형성장치
KR20100021032A (ko) 기판 처리 시스템 및 방법
JP2010171136A (ja) ウェハ検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination