CN111512428A - 静电卡盘装置 - Google Patents
静电卡盘装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111512428A CN111512428A CN201880083446.1A CN201880083446A CN111512428A CN 111512428 A CN111512428 A CN 111512428A CN 201880083446 A CN201880083446 A CN 201880083446A CN 111512428 A CN111512428 A CN 111512428A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- hole
- electrostatic chuck
- electrostatic
- section
- insulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 12
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 7
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBOUWLBQUVHNJT-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Y+3].[Mo+4] Chemical compound [O-2].[Y+3].[Mo+4] OBOUWLBQUVHNJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- HIGRAKVNKLCVCA-UHFFFAOYSA-N alumine Chemical compound C1=CC=[Al]C=C1 HIGRAKVNKLCVCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQLOCUKZAJRPAO-UHFFFAOYSA-N aluminum oxygen(2-) tantalum(5+) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Ta+5] VQLOCUKZAJRPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
- B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明提供一种静电卡盘装置,其具备:静电卡盘部,具有载置板状试样的载置面作为一主面,且具备静电吸附用电极;基底部,相对于静电卡盘部,配置于与载置面相反的一侧,且冷却静电卡盘部;加热器,层状地配置于静电卡盘部与基底部之间、或静电卡盘部的内部;及粘接层,将静电卡盘部与基底部粘接使其一体化,在静电卡盘部中设有第1贯穿孔,在基底部中设有与第1贯穿孔连通的第2贯穿孔,在粘接层中设有与第1贯穿孔及第2贯穿孔连通的第3贯穿孔,在第2贯穿孔中固定有筒状的绝缘子,绝缘子的静电卡盘部侧的顶端隔开空间而与静电卡盘部分离。
Description
技术领域
本发明涉及一种静电卡盘装置。
本申请主张基于2017年12月28日于日本提出申请的日本专利申请2017-253791号的优先权,将其内容援用于此。
背景技术
以往,在半导体制造装置中,使用有将晶片或玻璃基板等板状试样固定于卡盘面(载置面)的静电卡盘装置。静电卡盘装置具备具有静电吸附机构的静电卡盘部、冷却静电卡盘部的温度调节用基底部及将静电卡盘部与基底部粘接的粘接层。
作为这种静电卡盘装置,已知有具有与静电卡盘部及基底部连通而设置的贯穿孔的结构。这种贯穿孔例如容纳用于使经静电卡盘装置保持的板状试样自载置面脱离的销。并且,贯穿孔用于将用于冷却板状试样的冷却气体排出至载置面。
这些贯穿孔中,为了提高静电卡盘装置的耐电压而配置有绝缘套管(绝缘子)(例如专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2004-31665号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
如上所述的静电卡盘装置为了抑制保持于载置面的板状试样的加工不均,要求在等离子体加工等加工时将板状试样的温度在面内控制得均匀。然而,关于具有贯穿孔的静电卡盘装置,已知静电卡盘部的形成有贯穿孔的位置比未形成有贯穿孔的位置更容易冷却,其结果,所保持的板状试样在面内容易产生温度差。因此,要求能够降低板状试样的面内温度差的静电卡盘装置。
本发明是鉴于这种情况而完成的,其目的在于提供一种能够降低板状试样的面内温度差的新颖结构的静电卡盘装置。
用于解决技术课题的手段
为了解决上述课题,作为本发明的第一方式,提供一种静电卡盘装置,其具备:静电卡盘部,具有载置板状试样的载置面作为一主面,且具备静电吸附用电极;基底部,相对于所述静电卡盘部,配置于与所述载置面相反的一侧,且冷却所述静电卡盘部;加热器,层状地配置于所述静电卡盘部与所述基底部之间、或静电卡盘部的内部;及粘接层,将所述静电卡盘部与所述基底部粘接使其一体化,在所述静电卡盘部中设有第1贯穿孔,在所述基底部中设有与所述第1贯穿孔连通的第2贯穿孔,在所述粘接层中设有与所述第1贯穿孔及第2贯穿孔连通的第3贯穿孔,在所述第2贯穿孔中固定有筒状的绝缘子,所述绝缘子的所述静电卡盘部侧的顶端隔开空间而与所述静电卡盘部分离。
本发明的第一方式优选具有以下特征。也优选将以下特征彼此组合。
本发明的第一方式中,也可设为下述结构:所述基底部在所述静电卡盘部侧的面设有与所述第2贯穿孔连通且直径大于所述第2贯穿孔的沉孔。
本发明的第一方式中,也可设为下述结构:所述第3贯穿孔的直径大于所述第1贯穿孔的直径。
本发明的第一方式中,也可设为下述结构:所述加热器具有俯视观察时包围所述第1贯穿孔的周围而形成的带状的第1部位、及比所述第1部位更远离所述第1贯穿孔而形成的带状的第2部位,所述第1部位与所述第2部位连续,所述第1部位的宽度比所述第2部位的宽度更窄。
本发明的第一方式中,也可设为下述结构:所述基底部具有使冷却介质流动的流路,所述加热器具有俯视观察时包围所述第1贯穿孔的周围而形成的带状的第1部位,俯视观察时的所述第1部位与所述第1贯穿孔的距离的最小值小于俯视观察时的所述流路与所述第1贯穿孔的距离的最小值。
本发明的第一方式中,也可设为下述结构:所述绝缘子的与所述静电卡盘部相反的一侧的端部具有可装卸地固定于所述基底部的固定部。
本发明的第一方式中,也可使所述第1贯穿孔、所述第3贯穿孔、所述沉孔及所述第2贯穿孔在俯视观察时为同心的圆形,且依次连通,所述第2贯穿孔内的所述绝缘子的顶端的高度位于与沉孔的底面相同的高度。
本发明的第一方式中,所述第1贯穿孔的内径与所述筒状的绝缘子的内径也可相等。
本发明的第一方式中,所述筒状的绝缘子的内径也可大于所述第1贯穿孔的内径。
发明效果
根据本发明,可提供一种能够降低晶片的面内温度差的新颖结构的静电卡盘装置。
附图说明
图1是表示本实施方式的静电卡盘装置1的优选例的概略剖视图。
图2是静电卡盘装置1的局部放大图。
图3是说明比较例的静电卡盘装置1X的状况的图。
图4是说明静电卡盘装置1的优选效果的图。
图5是表示贯穿孔30的周边结构的优选例的概略俯视图。
具体实施方式
[第1实施方式]
以下,一方面参考图1~图5,一方面对本发明的实施方式所涉及的静电卡盘装置进行说明。另外,以下的所有附图中,为了容易观看附图,有时使各构成要素的尺寸或比率等适当不同。并且,以下的例子是为了更好地理解发明的主旨而具体说明优选例的例子,只要没有特别指定,则不限定本发明。可在不偏离本发明的主旨的范围内,对数量、位置、尺寸、比例或部件等进行省略、追加、替换、其他变更。
图1是本实施方式的静电卡盘装置1的概略剖视图。并且,图2是静电卡盘装置1的局部放大图,且为图1所示的区域II的放大图。
如图1、2所示,静电卡盘装置1具备将一主面(上表面)侧设为载置面2a的圆板状的静电卡盘部2、设置在该静电卡盘部2的下方且将静电卡盘部2调整至所需的温度的基底部3、配置于静电卡盘部2与基底部3之间的加热器9、及将静电卡盘部2与基底部3粘接使其一体化的粘接层4。
另外,本说明书中,以载置面2a侧为静电卡盘装置1的上侧,以基底部3侧为静电卡盘装置1的下侧来说明各结构的相对位置,但使用时的静电卡盘装置1的姿势不限定于该朝向。
(静电卡盘部)
静电卡盘部2具有将上表面设为载置半导体晶片等板状试样W的载置面2a的载置板11、与该载置板11一体化且支撑所述载置板11的底部侧的支撑板12、设置在这些载置板11与支撑板12之间的静电吸附用电极13、及使静电吸附用电极13的周围绝缘的绝缘材料层14。
载置板11及支撑板12为重叠面的形状相同的圆板状的部件。载置板11及支撑板12优选由具有在加工静电卡盘部2时和使用静电卡盘装置1时不破损的程度的机械强度且对腐蚀性气体及其等离子体具有耐久性的绝缘性的陶瓷烧结体构成。
作为上述陶瓷烧结体的例子,能够优选地列举:氧化铝-碳化硅(Al2O3-SiC)复合烧结体、氧化铝(Al2O3)烧结体、氮化铝(AlN)烧结体、氧化钇(Y2O3)烧结体等。
在载置板11的载置面2a,以规定的间隔优选地形成有直径小于板状试样的厚度的多个突起部11b。将这些多个突起部11b的顶面连结的假想平面相当于载置面2a。多个突起部11b支撑板状试样W。
包含载置板11、支撑板12、静电吸附用电极13及绝缘材料层14的整体的厚度,即静电卡盘部2的厚度能够任意选择,作为优选的一例,能够形成为0.7mm以上且5.0mm以下。
例如,若静电卡盘部2的厚度不小于0.7mm,则容易确保静电卡盘部2的机械强度。若静电卡盘部2的厚度不超过5.0mm,则静电卡盘部2的热容量不会变得过大,在通过后述的加热器9或基底部3对静电卡盘部2进行温度控制时容易响应。并且,若静电卡盘部2的厚度不超过5.0mm,则静电卡盘部2的横向的热传递不易增加,容易将板状试样W的面内温度维持在所需的温度模式(pattern)。另外,在此说明的各部的厚度为一例,且不限于所述范围。
静电吸附用电极13用作用于使载置面2a产生电荷并利用所产生的静电吸附力来固定板状试样W的静电卡盘用电极。静电吸附用电极13根据用途而适当调整形状或大小。
静电吸附用电极13优选由导电性陶瓷或高熔点金属形成。
导电性陶瓷能够任意选择,能够优选地列举:氧化铝-碳化钽(Al2O3-Ta4C5)导电性复合烧结体、氧化铝-钨(Al2O3-W)导电性复合烧结体、氧化铝-碳化硅(Al2O3-SiC)导电性复合烧结体、氮化铝-钨(AlN-W)导电性复合烧结体、氮化铝-钽(AlN-Ta)导电性复合烧结体、氧化钇-钼(Y2O3-Mo)导电性复合烧结体等。
作为高熔点金属,能够列举钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)等。
静电吸附用电极13的厚度并无特别限定,例如能够选择0.1μm以上且100μm以下的厚度,更优选为5μm以上且20μm以下的厚度。
若静电吸附用电极13的厚度不小于0.1μm,则容易确保充分的导电性。若静电吸附用电极13的厚度不超过100μm,则不易因静电吸附用电极13与载置板11及支撑板12之间的热膨胀系数差而引起静电吸附用电极13与载置板11及支撑板12的接合界面产生裂缝。
这种厚度的静电吸附用电极13能够通过任意选择的制造方法,例如溅镀法或蒸镀法等成膜法或者丝网印刷法等涂布法而容易地形成。
绝缘材料层14包围静电吸附用电极13的周围而配置。绝缘材料层14保护静电吸附用电极13不受腐蚀性气体及其等离子体的影响,并且将载置板11与支撑板12的分界部,即静电吸附用电极13以外的外周部区域接合一体化。绝缘材料层14由与构成载置板11及支撑板12的材料为相同组成或主成分相同的绝缘材料而优选地构成。
在静电吸附用电极13连接有用于对静电吸附用电极13施加直流电压的供电用端子15。供电用端子15插入至在厚度方向上贯穿基底部3、粘接剂层8、支撑板12的贯穿孔16的内部。在供电用端子15的外周侧设有具有绝缘性的未图示的绝缘子,使金属制的基底部3与供电用端子15绝缘。
(基底部)
基底部3用于将静电卡盘部2调整至所需的温度,且为具有厚度的圆板状的部件。并且,基底部3也可兼具高频产生用电极的功能。
在基底部3的内部优选地形成有使水或有机溶剂等冷却用介质循环的流路21。作为基底部3,能够优选地使用使水作为冷却介质在流路21中循环的水冷基座(base)。流路21的俯视观察形状能够任意选择。例如可列举涡旋形、蜿蜒的形状、直线形、或将这些形状的两个或三个以上任意组合而成的形状等作为例子。
作为构成该基底部3的材料,只要为导热性、导电性、加工性优异的金属或包含这些金属的复合材料,则并无特别限制。例如可优选地使用铝(Al)、铝合金、铜(Cu)、铜合金、不锈钢(SUS)等。
该基底部3的至少曝露于等离子体的面优选实施了耐酸铝(alumite)处理、或成膜有氧化铝(alumina)等的绝缘膜。由此,除了提高耐等离子体性以外,还抑制了异常放电并提高了耐等离子体稳定性。并且,表面经耐酸铝处理的基底部3的表面不易受到损伤。
(加热器)
加热器9经由省略图示的粘接剂而固定于静电卡盘部2的下表面2b。
并且,加热器9在静电卡盘部2的下表面2b与基底部3的上表面3a之间埋入粘接层4中。
加热器9由具有使宽度窄的带状金属材料蜿蜒而成的形状的导电部件构成。加热器9具有连续的带形状,其形状、长度或粗细度能够任意选择。视需要也可设有多个加热器9。加热器9也可在其两端连接供电用端子,通过流通电流而放热,控制静电卡盘部2的温度。
作为一例,加热器9通过利用光微影法或激光加工将厚度为0.2mm以下、优选为具有0.1mm左右的一定厚度的非磁性金属薄板加工成所需的加热器形状而获得。作为非磁性金属薄板,例如可列举钛(Ti)薄板、钨(W)薄板、钼(Mo)薄板等。作为加热器形状,例如可列举:制成使带状的导电薄板蜿蜒的形状,且将加热器的整体轮廓制成圆环状。
这种加热器9例如通过将非磁性金属薄板粘接于静电卡盘部2之后,在静电卡盘部2的表面进行加工成型而获得。并且,也可在与静电卡盘部2不同的位置加工成型有加热器9,并将其转印印刷至静电卡盘部2的表面。并且,加热器9也可内置于静电卡盘部2的内部。
(粘接层)
粘接层4介于静电卡盘部2的下表面2b与基底部3的上表面3a之间,将静电卡盘部2与基底部3粘接一体化。安装于静电卡盘部2的下表面2b的加热器9埋设于粘接层4中。
粘接层4优选为在-20℃~150℃的温度范围内具有耐热性的粘接剂。作为粘接层4的形成材料,例如优选为丙烯酸系树脂、硅系树脂、环氧系树脂等。
粘接层4的形成材料只要根据使用静电卡盘装置1的环境,选择并利用对使用环境具有高耐性的材料即可。例如,在氧系等离子体的环境下使用静电卡盘装置1时,作为粘接层4的形成材料,优选为对氧系等离子体的耐等离子体性优异的硅系树脂。
该粘接层4也可为将液态的热固化性粘接剂的涂膜进行热压接而获得的固化膜。
(冷却气体导入孔及销插穿孔)
在静电卡盘部2、基底部3及粘接层4中,分别设有多个将这些上下贯穿的冷却气体导入孔30A及销插穿孔30B。
冷却气体导入孔30A是为了向载置于静电卡盘部2的板状试样W供给氦(He)等冷却气体G而设置的。
并且,在销插穿孔30B中插穿有顶起销(lift pin)22,所述顶起销22辅助被吸附于载置面2a的板状试样W的脱离。在顶起销22的下端连接有省略图示的驱动部,沿着销插穿孔30B的贯穿方向上下驱动顶起销22。
冷却气体导入孔30A与销插穿孔30B能够具有相同的结构。以下的说明中,包含冷却气体导入孔30A及销插穿孔30B而简称为贯穿孔30。
贯穿孔30具有作为贯穿静电卡盘部2的部分的第1贯穿孔31、作为贯穿基底部3的部分的第2贯穿孔32、及作为贯穿粘接层4的部分的第3贯穿孔39。
第1贯穿孔31、第2贯穿孔32及第3贯穿孔39彼此中心轴一致。在第2贯穿孔32的内周面32a固定有筒状的绝缘子40。
如图所示,在第2贯穿孔32的静电卡盘部2侧(上侧)的开口,也可设有直径大于第2贯穿孔32的沉孔33(第1沉孔)。沉孔33为与第2贯穿孔32同心的圆形,与第2贯穿孔32连通。
如图所示,在第2贯穿孔32的与静电卡盘部2相反的一侧(下侧)的开口,也可设有直径大于第2贯穿孔32的第2沉孔34。沉孔34为与第2贯穿孔32同心的圆形,与第2贯穿孔32连通。沉孔34中设有朝向下侧的固定面34a。在固定面34a中形成有多个螺孔34b。
(绝缘子)
绝缘子40是以任意选择的材料,例如陶瓷作为形成材料。绝缘子40具有相对于等离子体的耐久性。作为构成绝缘子40的陶瓷,可优选地采用:包含选自氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、氧化锆(ZrO2)、塞隆(Sialon)、氮化硼(BN)、碳化硅(SiC)中的一种或两种以上的陶瓷。
绝缘子40具有位于静电卡盘部2侧的第1端部41、及位于其相反的一侧的第2端部42。图中所示的绝缘子40的内径与第1贯穿孔31的内径大致相等。在贯穿孔30为冷却气体导入孔30A的情况下,绝缘子40的内径也可大于第1贯穿孔31。
粘接层49介于绝缘子40的外周面40a与第2贯穿孔32的内周面32a之间,将绝缘子40与静电卡盘部2粘接固定。粘接层49的形成材料能够任意选择,可优选地使用对等离子体显示耐久性且具有挠性的有机系树脂。
在绝缘子40的第2端部42,优选地设有圆环状的凸缘部42a。在凸缘部42a中形成有在凸缘部的厚度方向(上下方向)上贯穿的贯穿孔42b。
凸缘部42a容纳于沉孔34内。操作人员通过将螺杆46插穿至凸缘部42a的贯穿孔42b中,并且紧固于基底部3的螺孔34b,而能够将绝缘子40固定于基底部3。凸缘部42a与螺杆46构成绝缘子40的固定部48。
图中所示的绝缘子40通过固定部48及粘接层49而固定于基底部3。
绝缘子40的固定方式并不限于此,也可不使用固定部48而仅使用粘接层49固定于基底部3。在该情况下,不需要构成固定部48的凸缘部42a及螺杆46。
并且,绝缘子40也可不使用粘接层49而仅使用固定部48固定于基底部3。在仅使用固定部将绝缘子40固定于基底部3的情况下,绝缘子40对于基底部3可装卸。
并且,本实施方式中,绝缘子40在凸缘部42a中通过螺杆46而固定于基底部3。然而,绝缘子40的固定方法并不限于此。例如也可在凸缘部42a的外周面形成外螺纹,在基底部3的沉孔34的内周面形成内螺纹,并将这些螺合,由此固定绝缘子40。在该情况下,凸缘部42a与绝缘子40也可分别独立。
本实施方式的静电卡盘装置1中,绝缘子40的静电卡盘部2侧的顶端41a隔开空间而与静电卡盘部2分离。即,在顶端41a与静电卡盘部2之间具有不存在其他部件的空间(间隙)。
对于图中所示的绝缘子40而言,顶端41a的高度位置成为与沉孔33的底面33b相同的位置,绝缘子40整体埋设于第2贯穿孔32中。
如上所述的静电卡盘装置1具有如下的效果。
图3是对作为比较例的静电卡盘装置1X说明使用时的状况的图。
图4是说明静电卡盘装置1的效果的图。图3、图4均为与图2相同视场的剖视图。
图中,以空心箭头表示自加热器9散发的热的流动。图3、图4中,空心箭头的朝向表示热的朝向方向。以下的说明中,对静电卡盘部2的贯穿孔30的周边的热移动的状况进行说明。图3、图4中,将“贯穿孔30的周边”表示为区域α,对区域α中的热移动进行说明。
首先,具有贯穿孔30的静电卡盘装置1、静电卡盘装置1X共同地无法在平面上与贯穿孔30重叠的位置设置加热器9。因此,如空心箭头A1所示,区域α从设置在最接近区域α的位置的加热器9传热并被加热。
图3所示的静电卡盘装置1X中,绝缘子40的顶端41a与静电卡盘部2接触。绝缘子40与静电卡盘部2和基底部3这两者接触。
此时,绝缘子40形成有第1端部41侧从静电卡盘部2受到加热而成为高温、第2端部42侧从基底部3受到冷却而成为低温的温度梯度。因此,传递至区域α的热如空心箭头A2所示,通过沿着温度梯度的移动经由绝缘子40而容易地传递至基底部3,释放到冷却介质流动的流路21中。并且,陶瓷制的绝缘子40的导热率高于树脂制的粘接层4。因此,区域α因绝缘子40的存在而容易冷却。
相对于此,图4所示的静电卡盘装置1中,绝缘子40的顶端41a不与静电卡盘部2接触。因此,传递至区域α的热如空心箭头A3所示,经由静电卡盘部2、粘接层4而传递至基底部3,释放到冷却介质流动的流路21中。
此时,静电卡盘部2因来自加热器9的加热而形成有接近加热器9的一侧成为高温、区域α侧成为低温的温度梯度。因此,传递至区域α的热如空心箭头A3般传递时,与温度梯度相反。因此热不易传递,不易释放到流路21中。并且,配置于静电卡盘部2与基底部3之间的粘接层4的导热率比陶瓷制的绝缘子40更低。因此,静电卡盘装置1的区域α与静电卡盘装置1X相比更难冷却。
上述说明中,设为通过加热器9进行加热而进行了说明,但即便考虑到装置使用时的来自等离子体的输入热作为热源,也同样地,静电卡盘装置1中热不会经由绝缘子40自区域α释放。因此,与静电卡盘装置1X相比更难冷却。
由此,静电卡盘装置1中区域α难以冷却,从而能够降低载置于载置面2a的板状试样W的面内温度差。
如上所述,静电卡盘装置1中采用绝缘子40的顶端41a不与静电卡盘部2接触的结构,由此能够抑制热从贯穿孔30的周边(区域α)释放,且设为区域α难以冷却的结构。这种静电卡盘装置1也能够与以下所示的容易将贯穿孔30的周边加热的结构并用。
图5是表示贯穿孔30的周边结构的优选例的概略俯视图。
图中所示的加热器9具有俯视观察时包围贯穿孔30的周围而形成的带状的第1部位91、及比第1部位91更远离贯穿孔30而形成的带状的第2部位92。第1部位91与第2部位92连续。并且,第1部位91的宽度设置得比第2部位92的宽度更窄。带状的第1部位91具有字母C字型的形状、即不封闭的环形状。所示的流路21的形状为优选例,但并不仅限定于此。
加热器利用对带状的导电薄板进行通电时的电阻放热而进行加热。通过第1部位91的宽度W1比第2部位92的宽度W2更窄,能够期待第1部位91中放热量比第2部位92增加。因此,若使用这种结构的加热器9,则与在远离贯穿孔30的位置具有加热器的情况相比,供给于贯穿孔30的周围的热量增加,容易将贯穿孔30的周边升温。
并且,图中所示的加热器9成为如下结构:俯视观察时的第1部位91与贯穿孔30的距离的最小值L1小于俯视观察时的冷却介质流动的流路21与贯穿孔30的距离的最小值L2。即,加热器9在俯视观察时比流路21更接近贯穿孔30而设置。因此,若加热器9与流路21的位置处于这种关系,则容易将贯穿孔30的周边加热,且容易将贯穿孔30的周边升温。
由此,静电卡盘装置1能够使区域α容易升温,而降低载置于载置面2a的板状试样W的面内温度差。
根据如上的结构的静电卡盘装置1,能够降低载置于载置面2a的板状试样W的面内温度差。
并且,俯视观察时的加热器9与第2贯穿孔的内周面的最小距离能够根据条件而任意选择。例如所述距离优选为相对于第1部位与贯穿孔的最小距离L1为0.3~0.7。通过处于这种距离,可获得耐电压与均热性并存的效果。
并且,俯视观察时的加热器9与沉孔的侧面的最小距离也能够根据条件而任意选择。例如所述距离优选为相对于第1部位与贯穿孔的最小距离L1为0.2~0.8,更优选为0.3~0.6。通过处于这种距离,可获得耐电压与均热性并存的效果。
以上,一方面参考附图一方面对本发明所涉及的优选实施方式例进行了说明,但本发明当然不限定于该例。上述例中所示的各构成部件的各种形状或组合等为一例,能够在不偏离本发明主旨的范围内根据设计要求等进行各种变更。
产业上的可利用性
根据本发明,可提供一种能够降低板状试样的面内温度差的新颖结构的静电卡盘装置。
标号说明
1-静电卡盘装置
1X-比较例的静电卡盘装置
2-静电卡盘部
2a-载置面
2b-静电卡盘部的下表面
3-基底部
3a-基底部的上表面
4-粘接层
9-加热器
11-载置板
12-支撑板
13-静电吸附用电极
14-绝缘材料层
15-供电用端子
16-贯穿孔
21-流路
22-顶起销
30-贯穿孔
30A-冷却气体导入孔
30B-销插穿孔
31-第1贯穿孔
32-第2贯穿孔
32a-第2贯穿孔的内周面
33-沉孔
33a-沉孔的侧面
33b-沉孔的底面
34-大直径的沉孔
34a-大直径的沉孔的固定面
34b-螺孔
39-第3贯穿孔
40-绝缘子
40a-绝缘子的外周面
41-绝缘子的第1端部
41a-绝缘子的顶端(顶面)
42-绝缘子的第2端部
42a-凸缘部
42b-贯穿孔
46-螺杆
48-固定部
49-粘接层
50-支撑板的底面
91-第1部位
92-第2部位
A1、A2、A3-空心箭头(热)
G-冷却气体
L1-第1部位与贯穿孔的最小距离
L2-流路与贯穿孔的最小距离
W-板状试样
W1-第1部位的宽度
W2-第2部位的宽度
α-区域
II-区域
Claims (9)
1.一种静电卡盘装置,其具备:
静电卡盘部,具有载置板状试样的载置面作为一主面,且具备静电吸附用电极;
基底部,相对于所述静电卡盘部,配置于与所述载置面相反的一侧,且冷却所述静电卡盘部;
加热器,层状地配置于所述静电卡盘部与所述基底部之间、或静电卡盘部的内部;及
粘接层,将所述静电卡盘部与所述基底部粘接使其一体化,
在所述静电卡盘部中设有第1贯穿孔,
在所述基底部中设有与所述第1贯穿孔连通的第2贯穿孔,
在所述粘接层中设有与所述第1贯穿孔及第2贯穿孔连通的第3贯穿孔,
在所述第2贯穿孔中固定有筒状的绝缘子,
所述绝缘子的所述静电卡盘部侧的顶端隔开空间而与所述静电卡盘部分离。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘装置,其中,
所述基底部在所述静电卡盘部侧的面设有与所述第2贯穿孔连通且直径大于所述第2贯穿孔的沉孔。
3.根据权利要求1所述的静电卡盘装置,其中,
所述第3贯穿孔的直径大于所述第1贯穿孔的直径。
4.根据权利要求1所述的静电卡盘装置,其中,
所述加热器具有俯视观察时包围所述第1贯穿孔的周围而形成的带状的第1部位、及比所述第1部位更远离所述第1贯穿孔而形成的带状的第2部位,
所述第1部位与所述第2部位连续,
所述第1部位的宽度比所述第2部位的宽度更窄。
5.根据权利要求1所述的静电卡盘装置,其中,
所述基底部具有使冷却介质流动的流路,
所述加热器具有俯视观察时包围所述第1贯穿孔的周围而形成的带状的第1部位,
俯视观察时的所述第1部位与所述第1贯穿孔的距离的最小值小于俯视观察时的所述流路与所述第1贯穿孔的距离的最小值。
6.根据权利要求1所述的静电卡盘装置,其中,
所述绝缘子的与所述静电卡盘部相反的一侧的端部具有可装卸地固定于所述基底部的固定部。
7.根据权利要求2所述的静电卡盘装置,其中,
所述第1贯穿孔、所述第3贯穿孔、所述沉孔及所述第2贯穿孔在俯视观察时为同心的圆形,且依次连通,
所述第2贯穿孔内的所述绝缘子的顶端的高度位于与沉孔的底面相同的高度。
8.根据权利要求1所述的静电卡盘装置,其中,
所述第1贯穿孔的内径与所述筒状的绝缘子的内径相等。
9.根据权利要求1所述的静电卡盘装置,其中,
所述筒状的绝缘子的内径大于所述第1贯穿孔的内径。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017253791 | 2017-12-28 | ||
JP2017-253791 | 2017-12-28 | ||
PCT/JP2018/045504 WO2019131115A1 (ja) | 2017-12-28 | 2018-12-11 | 静電チャック装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111512428A true CN111512428A (zh) | 2020-08-07 |
Family
ID=67063461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201880083446.1A Pending CN111512428A (zh) | 2017-12-28 | 2018-12-11 | 静电卡盘装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11348819B2 (zh) |
JP (1) | JP7259765B2 (zh) |
KR (1) | KR102667316B1 (zh) |
CN (1) | CN111512428A (zh) |
TW (1) | TWI788497B (zh) |
WO (1) | WO2019131115A1 (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6489195B1 (ja) * | 2017-11-15 | 2019-03-27 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
JP7090481B2 (ja) * | 2018-06-15 | 2022-06-24 | 新光電気工業株式会社 | 静電チャック及びその製造方法 |
JP7441403B2 (ja) * | 2019-03-05 | 2024-03-01 | Toto株式会社 | 静電チャック、および処理装置 |
KR102615216B1 (ko) * | 2020-05-15 | 2023-12-15 | 세메스 주식회사 | 정전 척, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP7382536B1 (ja) * | 2022-07-26 | 2023-11-16 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用部材 |
US12125734B2 (en) | 2022-08-10 | 2024-10-22 | Applied Materials, Inc. | Vacuum seal for electrostatic chuck |
JP2024152219A (ja) * | 2023-04-14 | 2024-10-25 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
CN117665338B (zh) * | 2024-01-31 | 2024-04-16 | 深圳市森美协尔科技有限公司 | 卡盘组件及探针台 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101533798A (zh) * | 2008-03-11 | 2009-09-16 | 日本碍子株式会社 | 静电吸盘 |
CN102741996A (zh) * | 2009-12-10 | 2012-10-17 | 东京毅力科创株式会社 | 静电卡盘装置 |
CN104952779A (zh) * | 2014-03-27 | 2015-09-30 | Toto株式会社 | 静电吸盘 |
WO2016093297A1 (ja) * | 2014-12-10 | 2016-06-16 | Toto株式会社 | 静電チャックおよびウェーハ処理装置 |
TW201643991A (zh) * | 2015-03-31 | 2016-12-16 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 靜電夾盤裝置 |
CN106663653A (zh) * | 2014-09-30 | 2017-05-10 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 静电卡盘装置 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3249765B2 (ja) * | 1997-05-07 | 2002-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JPS5886947A (ja) | 1981-11-17 | 1983-05-24 | Tokai Rika Co Ltd | せん断加工方法 |
US6544379B2 (en) * | 1993-09-16 | 2003-04-08 | Hitachi, Ltd. | Method of holding substrate and substrate holding system |
JP2001118664A (ja) * | 1999-08-09 | 2001-04-27 | Ibiden Co Ltd | セラミックヒータ |
EP1296360A1 (en) * | 2000-05-26 | 2003-03-26 | Ibiden Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing and inspecting device |
JP4095842B2 (ja) | 2002-06-26 | 2008-06-04 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャック |
JP5160112B2 (ja) | 2007-03-19 | 2013-03-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置内構造体、プラズマ処理装置内構造体及びプラズマ処理装置 |
JP5584517B2 (ja) * | 2010-05-12 | 2014-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP5829509B2 (ja) * | 2011-12-20 | 2015-12-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
WO2013118781A1 (ja) * | 2012-02-08 | 2013-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電チャック装置 |
US9202727B2 (en) * | 2012-03-02 | 2015-12-01 | ASM IP Holding | Susceptor heater shim |
JP6432474B2 (ja) | 2014-03-27 | 2018-12-05 | Toto株式会社 | 静電チャック |
JP6380177B2 (ja) * | 2015-03-12 | 2018-08-29 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
JP6769439B2 (ja) * | 2015-09-03 | 2020-10-14 | 住友大阪セメント株式会社 | フォーカスリング、フォーカスリングの製造方法 |
JP6108051B1 (ja) * | 2015-09-25 | 2017-04-05 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
JP6026620B2 (ja) * | 2015-10-22 | 2016-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台、プラズマ処理装置及び載置台の製造方法 |
CN108475657B (zh) * | 2016-01-12 | 2023-12-22 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 静电卡盘装置及静电卡盘装置的制造方法 |
US10923381B2 (en) * | 2016-01-19 | 2021-02-16 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrostatic chuck device |
JP6237954B1 (ja) * | 2016-01-27 | 2017-11-29 | 住友大阪セメント株式会社 | セラミックス材料、静電チャック装置 |
JP6496675B2 (ja) * | 2016-02-23 | 2019-04-03 | 日本碍子株式会社 | 静電チャックヒータ |
CN110248910B (zh) * | 2017-02-23 | 2022-09-09 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 复合烧结体、静电卡盘部件及静电卡盘装置 |
WO2018181130A1 (ja) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | 住友大阪セメント株式会社 | 複合焼結体、静電チャック部材、静電チャック装置および複合焼結体の製造方法 |
JP6420937B1 (ja) | 2017-05-25 | 2018-11-07 | 日本碍子株式会社 | ウエハ用サセプタ |
WO2018216797A1 (ja) * | 2017-05-25 | 2018-11-29 | 日本碍子株式会社 | ウエハ用サセプタ |
CN110770877B (zh) * | 2017-06-13 | 2024-06-18 | 日本碍子株式会社 | 半导体制造装置用部件 |
JP6693600B2 (ja) * | 2017-06-29 | 2020-05-13 | 住友大阪セメント株式会社 | 複合焼結体、静電チャック部材および静電チャック装置 |
JP6489195B1 (ja) * | 2017-11-15 | 2019-03-27 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
JP7064895B2 (ja) * | 2018-02-05 | 2022-05-11 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置 |
WO2019182107A1 (ja) * | 2018-03-22 | 2019-09-26 | 住友大阪セメント株式会社 | 複合焼結体、静電チャック部材、静電チャック装置および複合焼結体の製造方法 |
WO2019182104A1 (ja) * | 2018-03-23 | 2019-09-26 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置および静電チャック装置の製造方法 |
US11551962B2 (en) * | 2018-03-30 | 2023-01-10 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Ceramic substrate and susceptor |
-
2018
- 2018-12-11 KR KR1020207017113A patent/KR102667316B1/ko active IP Right Grant
- 2018-12-11 JP JP2019562943A patent/JP7259765B2/ja active Active
- 2018-12-11 CN CN201880083446.1A patent/CN111512428A/zh active Pending
- 2018-12-11 WO PCT/JP2018/045504 patent/WO2019131115A1/ja active Application Filing
- 2018-12-11 US US16/958,094 patent/US11348819B2/en active Active
- 2018-12-27 TW TW107147508A patent/TWI788497B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101533798A (zh) * | 2008-03-11 | 2009-09-16 | 日本碍子株式会社 | 静电吸盘 |
CN102741996A (zh) * | 2009-12-10 | 2012-10-17 | 东京毅力科创株式会社 | 静电卡盘装置 |
CN104952779A (zh) * | 2014-03-27 | 2015-09-30 | Toto株式会社 | 静电吸盘 |
CN106663653A (zh) * | 2014-09-30 | 2017-05-10 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 静电卡盘装置 |
WO2016093297A1 (ja) * | 2014-12-10 | 2016-06-16 | Toto株式会社 | 静電チャックおよびウェーハ処理装置 |
TW201643991A (zh) * | 2015-03-31 | 2016-12-16 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 靜電夾盤裝置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2019131115A1 (ja) | 2021-01-07 |
US11348819B2 (en) | 2022-05-31 |
WO2019131115A1 (ja) | 2019-07-04 |
TW201931515A (zh) | 2019-08-01 |
US20200343125A1 (en) | 2020-10-29 |
KR20200099529A (ko) | 2020-08-24 |
KR102667316B1 (ko) | 2024-05-21 |
JP7259765B2 (ja) | 2023-04-18 |
TWI788497B (zh) | 2023-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111512428A (zh) | 静电卡盘装置 | |
US10153192B2 (en) | Electrostatic chuck device | |
US11024528B2 (en) | Electrostatic chuck device having focus ring | |
KR101465849B1 (ko) | 정전 척 장치 | |
KR101769062B1 (ko) | 정전 척 장치 | |
KR101677922B1 (ko) | 정전척 장치 | |
US10079167B2 (en) | Electrostatic chucking device | |
CN111316419B (zh) | 静电卡盘装置 | |
JP6278277B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
KR102335646B1 (ko) | 온도 조정 장치 | |
CN114944348A (zh) | 基片加热装置、基片加热方法和基片加热部的制造方法 | |
TWI858874B (zh) | 靜電吸盤 | |
JP2022094466A (ja) | 静電チャック装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |