TWI788497B - 靜電吸盤裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種靜電吸盤裝置，包括：靜電吸盤部，具有載置板狀試樣的載置面作為一主面，具備靜電吸附用電極；基底部，相對於靜電吸盤部而配置於與載置面相反側，將靜電吸盤部冷卻；加熱器，層狀地配置於靜電吸盤部與基底部之間、或靜電吸盤部的內部；及接著層，將靜電吸盤部與基底部接著一體化，於靜電吸盤部中設有第一貫通孔，於基底部中設有與第一貫通孔連通的第二貫通孔，於接著層中設有與第一貫通孔及第二貫通孔連通的第三貫通孔，於第二貫通孔中固定有筒狀的絕緣礙子，絕緣礙子的靜電吸盤部側的頂端隔開空間而與靜電吸盤部分離。

Description

靜電吸盤裝置
本發明是有關於一種靜電吸盤裝置。
本申請案主張基於2017年12月28日於日本提出申請的日本專利申請案2017-253791號的優先權，將其內容援用於此。
先前，於半導體製造裝置中，使用有將晶圓(wafer)或玻璃基板等板狀試樣固定於吸盤(chuck)面(載置面)的靜電吸盤裝置。靜電吸盤裝置包含具有靜電吸附機構的靜電吸盤部、將靜電吸盤部冷卻的溫度調節用的基底部、及將靜電吸盤部與基底部接著的接著層。
作為此種靜電吸盤裝置，已知有具有與靜電吸盤部及基底部連通而設置的貫通孔的構成。此種貫通孔例如收容用以使經靜電吸盤裝置保持的板狀試樣自載置面脫離的銷。另外，貫通孔用於將用以冷卻板狀試樣的冷卻氣體排出至載置面。
該些貫通孔中，為了提高靜電吸盤裝置的耐電壓而配置有絕緣套管(絕緣礙子)(例如專利文獻1)。
[現有技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2004-31665號公報
如上所述之靜電吸盤裝置為了抑制保持於載置面的板狀試樣的加工不均，要求於電漿加工等加工時將板狀試樣的溫度於面內控制得均勻。然而，關於具有貫通孔的靜電吸盤裝置，已知靜電吸盤部的形成有貫通孔的位置較未形成有貫通孔的位置更容易冷卻，其結果，所保持的板狀試樣於面內容易產生溫度差。因此，謀求可降低板狀試樣的面內溫度差的靜電吸盤裝置。
本發明是鑒於此種情況而成，其目的在於提供一種可降低板狀試樣的面內溫度差的新穎結構的靜電吸盤裝置。
為了解決所述課題，作為本發明的第一態樣，提供一種靜電吸盤裝置，其包括：靜電吸盤部，具有載置板狀試樣的載置面作為一主面，具備靜電吸附用電極；基底部，相對於所述靜電吸盤部而配置於與所述載置面相反側，將所述靜電吸盤部冷卻；加熱器，層狀地配置於所述靜電吸盤部與所述基底部之間、或靜電吸盤部的內部；及接著層，將所述靜電吸盤部與所述基底部接著一體化，於所述靜電吸盤部中設有第一貫通孔，於所述基底部中設有與所述第一貫通孔連通的第二貫通孔，於所述接著層中設 有與所述第一貫通孔及第二貫通孔連通的第三貫通孔，於所述第二貫通孔中固定有筒狀的絕緣礙子，所述絕緣礙子的所述靜電吸盤部側的頂端隔開空間而與所述靜電吸盤部分離。
本發明的第一態樣較佳為具有以下特徵。將以下特徵彼此組合亦較佳。
本發明的第一態樣中，亦可設為下述構成：所述基底部於所述靜電吸盤部側的面，設有與所述第二貫通孔連通且直徑較所述第二貫通孔更大的埋頭孔。
本發明的第一態樣中，亦可設為下述構成：所述第三貫通孔的直徑大於所述第一貫通孔。
本發明的第一態樣中，亦可設為下述構成：所述加熱器具有俯視時包圍所述第一貫通孔的周圍而形成的帶狀的第一部位、及較所述第一部位更遠離所述第一貫通孔而形成的帶狀的第二部位，所述第一部位與所述第二部位連續，所述第一部位的寬度較所述第二部位的寬度更細。
本發明的第一態樣中，亦可設為下述構成：所述基底部具有使冷卻介質流動的流路，所述加熱器具有俯視時包圍所述第一貫通孔的周圍而形成的帶狀的第一部位，俯視時的所述第一部位與所述第一貫通孔的距離的最小值小於俯視時的所述流路與所述第一貫通孔的距離的最小值。
本發明的第一態樣中，亦可設為下述構成：所述絕緣礙子的與所述靜電吸盤部為相反側的端部具有可裝卸地固定於所述 基底部的固定部。
本發明的第一態樣中，亦可使所述第一貫通孔、所述第三貫通孔、所述埋頭孔及所述第二貫通孔於俯視時為同心的圓形狀，且依序連通，所述第二貫通孔內的所述絕緣礙子的頂端的高度位於與埋頭孔的底面相同的高度。
本發明的第一態樣中，所述第一貫通孔的內徑與所述筒狀的絕緣礙子的內徑亦可相等。
本發明的第一態樣中，所述筒狀的絕緣礙子的內徑亦可大於所述第一貫通孔的內徑。
根據本發明，可提供一種可降低晶圓的面內溫度差的新穎結構的靜電吸盤裝置。
1:靜電吸盤裝置
1X:比較例的靜電吸盤裝置
2:靜電吸盤部
2a:載置面
2b:靜電吸盤部的下表面
3:基底部
3a:基底部的上表面
4、49:接著層
9:加熱器
11:載置板
11b:突起部
12:支持板
13:靜電吸附用電極
14:絕緣材層
15:供電用端子
16、30、42b:貫通孔
21:流路
22:頂起銷
30A:冷卻氣體導入孔
30B:銷穿插孔
31:第一貫通孔
32:第二貫通孔
32a:第二貫通孔的內周面
33:埋頭孔(第一埋頭孔)
33a:埋頭孔的側面
33b:埋頭孔的底面
34:大徑的埋頭孔(埋頭孔)(第二埋頭孔)
34a:大徑的埋頭孔的固定面(固定面)
34b:螺孔
39:第三貫通孔
40:絕緣礙子
40a:絕緣礙子的外周面
41:絕緣礙子的第一端部(第一端部)
41a:絕緣礙子的頂端(頂面)
42:絕緣礙子的第二端部(第二端部)
42a:凸緣部
46:螺桿
48:固定部
50:支持板的底面
91:第一部位
92:第二部位
A1、A2、A3:空心箭頭(熱)
G:冷卻氣體
L1:第一部位與貫通孔的最小距離(距離的最小值)
L2:流路與貫通孔的最小距離(距離的最小值)
W:板狀試樣
W1:第一部位的寬度(寬度)
W2:第二部位的寬度(寬度)
α、II:區域
圖1為表示本實施形態的靜電吸盤裝置1的較佳例的概略剖面圖。
圖2為靜電吸盤裝置1的局部放大圖。
圖3為說明比較例的靜電吸盤裝置1X的狀況的圖。
圖4為說明靜電吸盤裝置1的較佳效果的圖。
圖5為表示貫通孔30的周邊結構的較佳例的概略平面圖。
[第一實施形態]
以下，一方面參照圖1~圖5，一方面對本發明的實施形態的靜電吸盤裝置進行說明。此外，以下的所有圖式中，為了容易觀看圖式，有時使各構成要素的尺寸或比率等適當不同。另外，以下的例子是為了更良好地理解發明的主旨而具體說明較佳例的例子，只要未特別指定，則不限定本發明。可於不偏離本發明的主旨的範圍內，對數量、位置、尺寸、比例或構件等進行省略、追加、替換、其他變更。
圖1為本實施形態的靜電吸盤裝置1的概略剖面圖。另外，圖2為靜電吸盤裝置1的局部放大圖，為圖1所示的區域II的放大圖。
如圖1、2所示，靜電吸盤裝置1包括：將一主面(上表面)側設為載置面2a的圓板狀的靜電吸盤部2、設於該靜電吸盤部2的下方且將靜電吸盤部2調整至所需的溫度的基底部3、配置於靜電吸盤部2與基底部3之間的加熱器9、及將靜電吸盤部2與基底部3接著一體化的接著層4。
此外，本說明書中，以載置面2a側為靜電吸盤裝置1的上側，以基底部3側為靜電吸盤裝置1的下側來說明各構成的相對位置，但使用時的靜電吸盤裝置1的姿勢不限定於該朝向。
(靜電吸盤部)
靜電吸盤部2具有將上表面設為載置半導體晶圓等板狀試樣 W的載置面2a的載置板11、與該載置板11一體化且支持所述載置板11的底部側的支持板12、設於該些載置板11與支持板12之間的靜電吸附用電極13、及將靜電吸附用電極13的周圍絕緣的絕緣材層14。
載置板11及支持板12為使重合面的形狀相同的圓板狀的構件。載置板11及支持板12較佳為由具有於靜電吸盤部2的加工時及靜電吸盤裝置1的使用時不破損的程度的機械強度，且對腐蝕性氣體及其電漿具有耐久性的絕緣性的陶瓷燒結體所構成。
所述陶瓷燒結體的例子可較佳地列舉：氧化鋁-碳化矽(Al2O3-SiC)複合燒結體、氧化鋁(Al2O3)燒結體、氮化鋁(AlN)燒結體、氧化釔(Y2O3)燒結體等。
於載置板11的載置面2a，以既定的間隔較佳地形成有直徑小於板狀試樣的厚度的多個突起部11b。將該些多個突起部11b的頂面連結的假想平面相當於載置面2a。多個突起部11b支撐板狀試樣W。
包含載置板11、支持板12、靜電吸附用電極13及絕緣材層14的整體的厚度，即靜電吸盤部2的厚度可任意選擇，作為較佳一例，可形成為0.7mm以上且5.0mm以下。
例如，若靜電吸盤部2的厚度不小於0.7mm，則容易確保靜電吸盤部2的機械強度。若靜電吸盤部2的厚度不超過5.0mm，則靜電吸盤部2的熱容量不會變得過大，於藉由後述的加熱 器9或基底部3對靜電吸盤部2進行溫度控制時容易響應。另外，若靜電吸盤部2的厚度不超過5.0mm，則靜電吸盤部2的橫向的熱傳遞不易增加，容易將板狀試樣W的面內溫度維持於所需的溫度模式(pattern)。此外，此處說明的各部的厚度為一例，且不限於所述範圍。
靜電吸附用電極13是用作用以使載置面2a產生電荷，並利用所產生的靜電吸附力來固定板狀試樣W的靜電吸盤用電極。靜電吸附用電極13是根據用途而適當調整形狀或大小。
靜電吸附用電極13較佳為由導電性陶瓷或高熔點金屬所形成。
導電性陶瓷可任意選擇，可較佳地列舉：氧化鋁-碳化鉭(Al2O3-Ta4C5)導電性複合燒結體、氧化鋁-鎢(Al2O3-W)導電性複合燒結體、氧化鋁-碳化矽(Al2O3-SiC)導電性複合燒結體、氮化鋁-鎢(AlN-W)導電性複合燒結體、氮化鋁-鉭(AlN-Ta)導電性複合燒結體、氧化釔-鉬(Y2O3-Mo)導電性複合燒結體等。
高熔點金屬可列舉鎢(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)等。
靜電吸附用電極13的厚度並無特別限定，例如可選擇0.1μm以上且100μm以下的厚度，更佳為5μm以上且20μm以下的厚度。
若靜電吸附用電極13的厚度不小於0.1μm，則容易確保充分的導電性。若靜電吸附用電極13的厚度不超過100μm，則不易因靜電吸附用電極13與載置板11及支持板12之間的熱膨脹 率差而引起靜電吸附用電極13與載置板11及支持板12的接合界面產生裂縫。
此種厚度的靜電吸附用電極13可藉由任意選擇的製造方法，例如濺鍍法或蒸鍍法等成膜法或者網版印刷法等塗敷法而容易地形成。
絕緣材層14是包圍靜電吸附用電極13的周圍而配置。絕緣材層14保護靜電吸附用電極13不受腐蝕性氣體及其電漿的影響，並且將載置板11與支持板12的分界部，即靜電吸附用電極13以外的外周部區域接合一體化。絕緣材層14是由與構成載置板11及支持板12的材料為相同組成或主成分相同的絕緣材料而較佳地構成。
對靜電吸附用電極13連接有用以對靜電吸附用電極13施加直流電壓的供電用端子15。供電用端子15插入至在厚度方向上貫通基底部3、接著層4、支持板12的貫通孔16的內部。於供電用端子15的外周側設有具有絕緣性的未圖示的礙子，將金屬製的基底部3與供電用端子15絕緣。
(基底部)
基底部3將靜電吸盤部2調整至所需的溫度，為具有厚度的圓板狀的構件。另外，基底部3也可兼具高頻產生用電極的功能。
於基底部3的內部，較佳地形成有使水或有機溶劑等冷卻用介質循環的流路21。基底部3可較佳地使用使水作為冷卻介質於流路21中循環的水冷基座(base)。流路21的俯視形狀可任意 選擇。例如可列舉渦旋形、經蜿蜒的形狀、直線形、或將該些形狀的兩個或三個以上任意組合而成的形狀等作為例子。
構成該基底部3的材料只要為傳熱性、導電性、加工性優異的金屬或包含該些金屬的複合材料，則並無特別限制。例如可較佳地使用鋁(Al)、鋁合金、銅(Cu)、銅合金、不鏽鋼(SUS)等。
該基底部3的至少曝露於電漿下的面較佳為經實施防蝕鋁(alumite)處理，或成膜有氧化鋁(alumina)等的絕緣膜。藉此，耐電漿性提高，而且抑制異常放電而耐電漿穩定性提高。另外，表面經防蝕鋁處理的基底部3的表面不易受到損傷。
(加熱器)
加熱器9經由省略圖示的接著劑而固定於靜電吸盤部2的下表面2b。
另外，加熱器9於靜電吸盤部2的下表面2b與基底部3的上表面3a之間嵌埋於接著層4中。
加熱器9是由具有使寬度窄的帶狀金屬材料蜿蜒而成的形狀的導電構件所構成。加熱器9具有連續的帶形狀，其形狀、長度或粗細度可任意選擇。視需要亦可設有多個加熱器9。加熱器9亦可於其兩端連接有供電用端子，藉由流通電流而放熱，控制靜電吸盤部2的溫度。
作為一例，加熱器9是藉由利用光微影法或雷射加工將厚度為0.2mm以下、較佳為具有0.1mm左右的固定厚度的非磁 性金屬薄板加工成所需的加熱器形狀而獲得。非磁性金屬薄板例如可列舉鈦(Ti)薄板、鎢(W)薄板、鉬(Mo)薄板等。加熱器形狀例如可列舉：製成使帶狀的導電薄板蜿蜒的形狀，且將加熱器的整體輪廓製成圓環狀。
此種加熱器9例如是藉由將非磁性金屬薄板接著於靜電吸盤部2後，於靜電吸盤部2的表面進行加工成型而獲得。另外，亦可將於與靜電吸盤部2不同的位置加工成型有加熱器9者轉印印刷至靜電吸盤部2的表面。另外，加熱器9亦可內置於靜電吸盤部2的內部。
(接著層)
接著層4介於靜電吸盤部2的下表面2b與基底部3的上表面3a之間，將靜電吸盤部2與基底部3接著一體化。安裝於靜電吸盤部2的下表面2b的加熱器9埋沒於接著層4中。
接著層4較佳為於-20℃~150℃之溫度範圍內具有耐熱性的接著劑。接著層4的形成材料例如較佳為丙烯酸(acrylic)系樹脂、矽(silicone)系樹脂、環氧(epoxy)系樹脂等。
接著層4的形成材料只要根據使用靜電吸盤裝置1的環境，選擇並利用對使用環境具有高耐性的材料即可。例如，於在氧系電漿的環境下使用靜電吸盤裝置1的情形時，接著層4的形成材料較佳為對氧系電漿的耐電漿性優異的矽系樹脂。
該接著層4亦可為將液狀的熱硬化性接著劑的塗膜進行熱壓接而獲得的硬化膜。
(冷卻氣體導入孔及銷穿插孔)
於靜電吸盤部2、基底部3及接著層4中，分別設有多個將該些上下貫通的冷卻氣體導入孔30A及銷穿插孔30B。
設置冷卻氣體導入孔30A是為了向載置於靜電吸盤部2的板狀試樣W供給氦(He)等冷卻氣體G。
另外，於銷穿插孔30B中穿插有頂起銷22，所述頂起銷22輔助被吸附於載置面2a的板狀試樣W的脫離。於頂起銷22的下端連接有省略圖示的驅動部，沿著銷穿插孔30B的貫通方向將頂起銷22上下驅動。
冷卻氣體導入孔30A與銷穿插孔30B可具有相同的構成。以下的說明中，包含冷卻氣體導入孔30A及銷穿插孔30B而簡稱為貫通孔30。
貫通孔30具有作為貫通靜電吸盤部2的部分的第一貫通孔31、作為貫通基底部3的部分的第二貫通孔32、及作為貫通接著層4的部分的第三貫通孔39。
第一貫通孔31、第二貫通孔32及第三貫通孔39彼此中心軸一致。於第二貫通孔32的內周面32a固定有筒狀的絕緣礙子40。
如圖所示，於第二貫通孔32的靜電吸盤部2側(上側)的開口，亦可設有直徑較第二貫通孔32更大的埋頭孔33(第一埋頭孔)。埋頭孔33為與第二貫通孔32同心的圓形狀，與第二貫通孔32連通。
如圖所示，於第二貫通孔32的與靜電吸盤部2相反側(下側)的開口，亦可設有較第二貫通孔32更為大徑的第二埋頭孔34。埋頭孔34為與第二貫通孔32同心的圓形狀，與第二貫通孔32連通。埋頭孔34中設有朝向下側的固定面34a。於固定面34a中形成有多個螺孔34b。
(絕緣礙子)
絕緣礙子40是以任意選擇的材料，例如陶瓷作為形成材料。絕緣礙子40具有對電漿的耐久性。構成絕緣礙子40的陶瓷可較佳地採用：包含選自氮化鋁(AlN)、氧化鋁(Al2O3)、氮化矽(Si3N4)、氧化鋯(ZrO2)、矽鋁氮氧化物(Sialon)、氮化硼(BN)、碳化矽(SiC)中的一種或兩種以上的陶瓷。
絕緣礙子40具有位於靜電吸盤部2側的第一端部41、及位於其相反側的第二端部42。圖中所示的絕緣礙子40的內徑與第一貫通孔31的內徑大致相等。於貫通孔30為冷卻氣體導入孔30A的情形時，絕緣礙子40的內徑亦可大於第一貫通孔31。
接著層49介於絕緣礙子40的外周面40a與第二貫通孔32的內周面32a之間，將絕緣礙子40與基底部3接著固定。接著層49的形成材料可任意選擇，較佳地使用對電漿顯示耐久性且具有可撓性的有機系樹脂。
於絕緣礙子40的第二端部42，較佳地設有圓環狀的凸緣部42a。於凸緣部42a中形成有在凸緣部的厚度方向(上下方向)上貫通的貫通孔42b。
凸緣部42a收容於埋頭孔34內。作業者藉由將螺桿46穿插至凸緣部42a的貫通孔42b中，並且緊固於基底部3的螺孔34b，而可將絕緣礙子40固定於基底部3。凸緣部42a與螺桿46構成絕緣礙子40的固定部48。
圖中所示的絕緣礙子40藉由固定部48及接著層49而固定於基底部3。
絕緣礙子40的固定態樣不限於此，亦可不使用固定部48而僅使用接著層49固定於基底部3。於該情形時，不需要構成固定部48的凸緣部42a及螺桿46。
另外，絕緣礙子40亦可不使用接著層49而僅使用固定部48固定於基底部3。於僅使用固定部將絕緣礙子40固定於基底部3的情形時，絕緣礙子40對於基底部3可裝卸。
另外，本實施形態中，絕緣礙子40於凸緣部42a中藉由螺桿46而固定於基底部3。然而，絕緣礙子40的固定方法不限於此。例如亦可於凸緣部42a的外周面形成外螺紋，於基底部3的埋頭孔34的內周面形成內螺紋，並將該些螺合，藉此固定絕緣礙子40。於該情形時，凸緣部42a與絕緣礙子40亦可分別獨立。
本實施形態的靜電吸盤裝置1中，絕緣礙子40的靜電吸盤部2的一側的頂端41a隔開空間而與靜電吸盤部2分離。即，於頂端41a與靜電吸盤部2之間具有不存在其他構件的空間(間隙)。
對於圖中所示的絕緣礙子40而言，頂端41a的高度位 置成為與埋頭孔33的底面33b相同的位置，絕緣礙子40整體埋設於第二貫通孔32中。
如上所述的靜電吸盤裝置1具有以下般的效果。
圖3為對作為比較例的靜電吸盤裝置1X說明使用時的狀況的圖。
圖4為說明靜電吸盤裝置1的效果的圖。圖3、4均為與圖2相同視場的剖面圖。
圖中，以空心箭頭表示自加熱器9散發的熱的流動。圖3、圖4中，空心箭頭的朝向表示熱的朝向方向。以下的說明中，對靜電吸盤部2的貫通孔30的周邊的熱移動的狀況進行說明。圖3、圖4中，將「貫通孔30的周邊」表示為區域α，對區域α中的熱移動進行說明。
首先，具有貫通孔30的靜電吸盤裝置1、靜電吸盤裝置1X共同地無法於平面上與貫通孔30重疊的位置設置加熱器9。因此，如空心箭頭A1所示，區域α是從設於最接近區域α的位置的加熱器9傳熱並被加熱。
圖3所示的靜電吸盤裝置1X中，絕緣礙子40的頂端41a與靜電吸盤部2接觸。絕緣礙子40與靜電吸盤部2和基底部3的兩者接觸。
此時，絕緣礙子40形成有第一端部41側從靜電吸盤部2受到加熱而成為高溫，第二端部42側從基底部3受到冷卻而成為低溫的溫度梯度。因此，傳至區域α的熱如空心箭頭A2所示， 藉由沿著溫度梯度的移動經由絕緣礙子40而容易地傳至基底部3，釋出至冷卻介質流動的流路21中。另外，陶瓷製的絕緣礙子40的傳熱率高於樹脂製的接著層4。因此，區域α因絕緣礙子40的存在而容易冷卻。
相對於此，圖4所示的靜電吸盤裝置1中，絕緣礙子40的頂端41a不與靜電吸盤部2接觸。因此，傳至區域α的熱如空心箭頭A3所示，經由靜電吸盤部2、接著層4而傳至基底部3，釋出至冷卻介質流動的流路21中。
此時，靜電吸盤部2因來自加熱器9的加熱而形成有接近加熱器9的一側成為高溫，區域α側成為低溫的溫度梯度。因此，傳至區域α的熱如空心箭頭A3般傳遞時，與溫度梯度相反。因此熱不易傳遞，不易釋出至流路21中。另外，配置於靜電吸盤部2與基底部3之間的接著層4的傳熱率較陶瓷製的絕緣礙子40更低。因此，靜電吸盤裝置1的區域α與靜電吸盤裝置1X相比可謂更難冷卻。
所述說明中，設為藉由加熱器9進行加熱而進行了說明，但即便考慮到裝置使用時的來自電漿的輸入熱作為熱源，亦同樣地，靜電吸盤裝置1中熱不會經由絕緣礙子40自區域α釋出。因此，與靜電吸盤裝置1X相比更難冷卻。
藉此，靜電吸盤裝置1中區域α難以冷卻，從而可降低載置於載置面2a的板狀試樣W的面內溫度差。
如上文所述，靜電吸盤裝置1中採用絕緣礙子40的頂 端41a不與靜電吸盤部2接觸的構成，藉此可抑制熱從貫通孔30的周邊(區域α)的釋出，設為區域α難以冷卻的構成。此種靜電吸盤裝置1亦可與以下所示般的容易將貫通孔30的周邊加熱的構成並用。
圖5為表示貫通孔30的周邊結構的較佳例的概略平面圖。
圖中所示的加熱器9具有俯視時包圍貫通孔30的周圍而形成的帶狀的第一部位91、及較第一部位91更遠離貫通孔30而形成的帶狀的第二部位92。第一部位91與第二部位92連續。另外，第一部位91的寬度設置得較第二部位92的寬度更細。帶狀的第一部位91具有字母C型的形狀、即不封閉的環形狀。所示的流路21的形狀為較佳例，但並非僅限定於此。
加熱器利用對帶狀的導電薄板進行通電時的電阻放熱而進行加熱。藉由第一部位91的寬度W1較第二部位92的寬度W2更細，可期待第一部位91中放熱量較第二部位92增加。因此，若使用此種構成的加熱器9，則與於遠離貫通孔30的位置具有加熱器的情形相比，供給於貫通孔30的周圍的熱量增加，容易將貫通孔30的周邊升溫。
另外，圖中所示的加熱器9成為如下構成：俯視時的第一部位91與貫通孔30的距離的最小值L1小於俯視時的冷卻介質流動的流路21與貫通孔30的距離的最小值L2。即，加熱器9是於俯視時較流路21更接近貫通孔30而設置。因此，若加熱器9 與流路21的位置為此種關係，則容易將貫通孔30的周邊加熱，容易將貫通孔30的周邊升溫。
藉此，靜電吸盤裝置1可使區域α容易升溫，而降低載置於載置面2a的板狀試樣W的面內溫度差。
根據以上般的構成的靜電吸盤裝置1，可降低載置於載置面2a的板狀試樣W的面內溫度差。
另外，俯視時的加熱器9與第二貫通孔32的內周面32a的最小距離可根據條件而任意選擇。例如所述距離較佳為相對於第一部位91與貫通孔30的最小距離L1而為0.3~0.7。藉由處於此種距離，可獲得耐電壓與均熱性並存的效果。
另外，俯視時的加熱器9與埋頭孔33的側面33a的最小距離亦可根據條件而任意選擇。例如所述距離較佳為相對於第一部位91與貫通孔30的最小距離L1而為0.2~0.8，更佳為0.3~0.6。藉由處於此種距離，可獲得耐電壓與均熱性並存的效果。
以上，一方面參照隨附圖式一方面對本發明的較佳實施形態例進行了說明，但本發明當然不限定於該例。所述例中所示的各構成構件的各種形狀或組合等為一例，可於不偏離本發明主旨的範圍內根據設計要求等進行各種變更。
[產業上的可利用性]
根據本發明，可提供一種可降低板狀試樣的面內溫度差的新穎結構的靜電吸盤裝置。
1‧‧‧靜電吸盤裝置
2‧‧‧靜電吸盤部
2a‧‧‧載置面
2b‧‧‧靜電吸盤部的下表面
3‧‧‧基底部
3a‧‧‧基底部的上表面
4、49‧‧‧接著層
9‧‧‧加熱器
11‧‧‧載置板
11b‧‧‧突起部
12‧‧‧支持板
13‧‧‧靜電吸附用電極
14‧‧‧絕緣材層
21‧‧‧流路
30‧‧‧貫通孔
31‧‧‧第一貫通孔
32‧‧‧第二貫通孔
32a‧‧‧第二貫通孔的內周面
33‧‧‧埋頭孔(第一埋頭孔)
33a‧‧‧埋頭孔的側面
33b‧‧‧埋頭孔的底面
34‧‧‧大徑的埋頭孔(埋頭孔)(第二埋頭孔)
34a‧‧‧大徑的埋頭孔的固定面(固定面)
34b‧‧‧螺孔
39‧‧‧第三貫通孔
40‧‧‧絕緣礙子
40a‧‧‧絕緣礙子的外周面
41‧‧‧絕緣礙子的第一端部(第一端部)
41a‧‧‧絕緣礙子的頂端(頂面)
42‧‧‧絕緣礙子的第二端部(第二端部)
42a‧‧‧凸緣部
42b‧‧‧貫通孔
46‧‧‧螺桿
48‧‧‧固定部
W‧‧‧板狀試樣

Claims (9)

  1. 一種靜電吸盤裝置，包括：靜電吸盤部，具有載置板狀試樣的載置面作為一主面，具備靜電吸附用電極；基底部，相對於所述靜電吸盤部而配置於與所述載置面相反側，將所述靜電吸盤部冷卻；加熱器，層狀地配置於所述靜電吸盤部與所述基底部之間、或所述靜電吸盤部的內部；及接著層，將所述靜電吸盤部與所述基底部接著一體化，於所述靜電吸盤部中設有第一貫通孔，於所述基底部中設有與所述第一貫通孔連通的第二貫通孔，於所述接著層中設有與所述第一貫通孔及所述第二貫通孔連通的第三貫通孔，於所述第二貫通孔中固定有筒狀的絕緣礙子，所述絕緣礙子的所述靜電吸盤部側的頂端隔開不存在其他構件的空間而與所述靜電吸盤部分離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的靜電吸盤裝置，其中所述基底部於所述靜電吸盤部側的面，設有與所述第二貫通孔連通且直徑較所述第二貫通孔更大的埋頭孔。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的靜電吸盤裝置，其中所述第三貫通孔的直徑大於所述第一貫通孔。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的靜電吸盤裝置，其中所述 加熱器具有：俯視時包圍所述第一貫通孔的周圍而形成的帶狀的第一部位、及較所述第一部位更遠離所述第一貫通孔而形成的帶狀的第二部位，所述第一部位與所述第二部位連續，所述第一部位的寬度較所述第二部位的寬度更細。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的靜電吸盤裝置，其中所述基底部具有使冷卻介質流動的流路，所述加熱器具有俯視時包圍所述第一貫通孔的周圍而形成的帶狀的第一部位，俯視時的所述第一部位與所述第一貫通孔的距離的最小值小於俯視時的所述流路與所述第一貫通孔的距離的最小值。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的靜電吸盤裝置，其中所述絕緣礙子的與所述靜電吸盤部為相反側的端部具有可裝卸地固定於所述基底部的固定部。
  7. 如申請專利範圍第2項所述的靜電吸盤裝置，其中所述第一貫通孔、所述第三貫通孔、所述埋頭孔及所述第二貫通孔於俯視時為同心的圓形狀，且依序連通，所述第二貫通孔內的所述絕緣礙子的頂端的高度位於與所述埋頭孔的底面相同的高度。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的靜電吸盤裝置，其中所述第一貫通孔的內徑與所述筒狀的絕緣礙子的內徑相等。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的靜電吸盤裝置，其中所述筒狀的絕緣礙子的內徑大於所述第一貫通孔的內徑。
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