JP6693600B2 - 複合焼結体、静電チャック部材および静電チャック装置 - Google Patents
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Description
本願は、2017年6月29日に、日本に出願された特願2017−127095号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
上記で述べた特徴は、互いに組み合わせることも好ましい。組み合わせは任意に選択してよく、任意に選択される2つの特徴を組み合わせてもよく、3つ以上の特徴を組み合わせても良い。
図1は、本実施形態の静電チャック装置を示す断面図である。本実施形態の静電チャック装置1は、一主面(上面)側を載置面とした平面視円板状の静電チャック部2と、この静電チャック部2の下方に設けられて静電チャック部2を所望の温度に調整する、厚みのある平面視円板状の温度調節用ベース部3と、を好ましく備えている。また、静電チャック部2と温度調節用ベース部3とは、静電チャック部2と温度調節用ベース部3の間に設けられた接着剤層8を介して接着されている。
以下、順に説明する。
静電チャック部2は、上面を半導体ウエハ等の板状試料Wを載置する載置面11aとした載置板11と、この載置板11と一体化され該載置板11の底部側を支持する支持板12と、これら載置板11と支持板12との間に設けられた静電吸着用電極13および静電吸着用電極13の周囲を絶縁する絶縁材層14と、を有している。載置板11および支持板12は、本発明における「基体」に該当する。
温度調節用ベース部3は、静電チャック部2を所望の温度に調整するためのもので、厚みのある円板状の部材である。この温度調節用ベース部3としては、例えば、その内部に冷媒を循環させる流路3Aが形成された液冷ベース等が好適に使用できる。
フォーカスリング10は、温度調節用ベース部3の周縁部に載置される、平面視で円環状の部材である。フォーカスリング10は、任意に選択される材料で形成できるが、例えば、載置面に載置されるウエハと同等の電気伝導性を有する材料を形成材料とすることが好ましい。このようなフォーカスリング10を配置することにより、ウエハの周縁部においては、プラズマに対する電気的な環境をウエハと略一致させることができ、ウエハの中央部と周縁部とでプラズマ処理の差や偏りを生じにくくすることができる。
静電吸着用電極13には、静電吸着用電極13に直流電圧を印加するための、給電用端子15が接続されている。給電用端子15は、温度調節用ベース部3、接着剤層8、及び、支持板12を厚み方向に貫通する貫通孔16の内部に挿入されている。給電用端子15の外周側には、絶縁性を有する碍子15aが設けられている。この碍子15aにより、金属製の温度調節用ベース部3に対して給電用端子15が絶縁されている。
静電チャック装置1は、以上のような構成となっている。
次に、本実施形態の基体(載置板11および支持板12)について詳述する。図2は、基体の好ましい形成材料である、本発明に係る複合焼結体の例を示す模式図である。
以下に、前記基体に好ましく使用できる、本発明に係る複合焼結体の好ましい例について説明する。
第2結晶粒120と、結晶粒界110aにあるムライトを含む結晶粒との面積比は、任意に選択できる。第2結晶粒120と、結晶粒界110aにあるムライトを含む結晶粒との面積比は、例えば、100〜90:0〜10などの面積比であっても良く、100〜95:0〜5などの面積比であってもよく、100〜99:0〜1などの面積比であっても良い。
なお第3結晶粒130と第4結晶粒140との面積比は、任意に選択できる。
本実施形態に係る複合焼結体は、酸化アルミニウム粒子と炭化ケイ素粒子とを混合し、焼結させることにより好ましく製造できる。その際、複数の酸化アルミニウム粒子に取り込まれて焼結する炭化ケイ素粒子については、以下に述べる(i)炭化ケイ素粒子の量を多くする、(ii)炭化ケイ素粒子の粒子径を小さくする、という制御により、上述した複合焼結体を好ましく製造することができる。本製造方法により、本発明の複合焼結体を得ることができる。
本実施形態の複合焼結体の製造方法は、
(a)酸化アルミニウム粒子と炭化ケイ素粒子とを、それぞれ高速で噴射してお互いに衝突させながら混合する工程と、
(b)混合する工程で得られたスラリーについて、スラリー中の酸化アルミニウム粒子の表面電荷が正となり、スラリー中の前記炭化ケイ素粒子の表面電荷が負となる範囲に、スラリーのpHを調整する工程と、
(c)pHを調整し上記スラリーから分散媒を除去した後、成形する工程と、
(d)得られる成形体を、非酸化性雰囲気下、25MPa以上の圧力で押し固めながら1600℃以上に加熱して加圧焼結する工程と、を有する。
((a)混合する工程)
上記混合する工程においては、分散媒に分散させた酸化アルミニウム粒子と炭化ケイ素粒子(分散液)を用意する。2流粒子衝突型の粉砕混合装置を用い、分散液をそれぞれ加圧することで高速で噴射して、前記粒子をお互いに衝突させながら、混合することが好ましい。これにより、酸化アルミニウム粒子と炭化ケイ素粒子とが粉砕され、これらの粉砕粒子を含む分散液が得られる。本工程では、高速で別々に噴射されたスラリーが互いに衝突すればよい。スラリーが衝突する速さも任意に選択してよい。
分散媒の種類は任意に選択できるが、例を挙げると、蒸留水などを好ましく使用することができる。
混合に使用する酸化アルミニウム粒子と炭化ケイ素粒子の割合は任意に選択できるが、体積比において、85〜96/4〜15が好ましく、87〜95/5〜13がより好まい。
分散媒に分散させた酸化アルミニウム粒子の粒子径は任意に選択できるが、0.1〜0.3μmであることが好ましく、0.15〜0.25μmであることがより好ましい。
噴射前の分散媒中の炭化ケイ素粒子の粒子径は任意に選択できるが、10〜150nmであることが好ましく、30〜100nmとがより好ましい。
噴射前の分散媒中の粒子中の、酸化アルミニウム粒子の割合は任意に選択できるが、例を挙げれば、85〜96体積%であることが好ましく、87〜95体積%であることが好ましい。
噴射前の分散媒中の粒子中の、炭化ケイ素粒子の割合は任意に選択できるが、例を挙げれば、4〜15体積%であることが好ましく、5〜13体積%であることが好ましい。
噴射前の分散媒中の、分散媒の量に対する、炭化ケイ素粒子と酸化アルミニウム粒子の合計量の割合は任意に選択できる。例を挙げれば、下限値の例として、10質量%以上や、20質量%以上や、30質量%以上や40質量%以上を挙げることができる。上限値の例として、90質量%以下や、80質量%以下や、70質量%以下などを好ましく挙げることができる。
粉砕混合に使用する、分散媒に分散させた酸化アルミニウム粒子と炭化ケイ素粒子を用意する方法は、任意に選択できる。例えば、分散媒に酸化アルミニウム粒子と炭化ケイ素粒子を連続あるいは同時に加えても良い。あるいは、分散媒に酸化アルミニウム粒子を分散させ、別に用意した同じ分散媒に炭化ケイ素粒子を分散させても良い。これら2つの分散液を混合して使用しても良いし、別々のまま噴射させても良い。
また分散剤を予め任意の量の分散媒に加えておき、これを用いてもよい。分散剤は任意に選択できる。
得られた混合溶液(スラリー)のpHを調整する。この工程においては、スラリー中に含まれる酸化アルミニウム粒子と炭化ケイ素粒子との表面電荷を考慮してpH調整を行う。上記混合する工程で得られるスラリー(pH調整前のスラリー)は、通常、pH11程度の塩基性を示す。
成形する工程においては、まず、pH調整後の分散液(スラリー)をスプレードライする。このことにより、酸化アルミニウム粒子と炭化ケイ素粒子との混合粒子からなる乾燥顆粒を得る。
加圧焼成する工程においては、まず、上記工程で得られた上述の成形体を、真空雰囲気(第1の非酸化性雰囲気)において、1600℃よりも低い温度且つ常圧で(プレスすることなく)、加熱(予備加熱)する。このような操作によれば、予備加熱時の温度を適宜設定することにより、混合粒子に含まれるアルカリ金属等の金属不純物が蒸発し、金属不純物を容易に除去できる。そのため、このような操作によれば、混合粒子の純度を向上しやすくなり、基体の体積抵抗値を制御しやすくなる。1600℃よりも低い温度としては、必要に応じて選択できる。
まず、pH調整なしの工程を説明する。
図4は、例えばpH11程度のスラリーにおける粒子の状態を示す模式図である。図5は、図4で示したスラリーから分散媒を除去した時の粒子の状態を示す模式図である。図6は、図5で示した粒子を用いて作製した、複合焼結体を示す模式図である。
その結果、(d)焼結する工程において、炭化ケイ素粒子を排除した形で、酸化アルミニウム粒子同士が焼結しやすくなる。
一方、図7は、例えば図4のスラリーをpH11からpH6.5程度に調整した後の状態を示す模式図である。図7〜9はそれぞれ、図4〜6に対応する図である。
そのため、スラリー系中ではヘテロ凝集し、相対的に大きい粒子である酸化アルミニウム粒子の表面に、相対的に小さい粒子である炭化ケイ素粒子が付着する。
(焼結体の組成の確認)
得られた複合焼結体の表面を、機械研磨とイオンミリングにより処理して、試料を作製した。得られた試料の上記処理の処理面について、原子分解能分析電子顕微鏡(型番:JEM-ARM200FDual-X、日本電子株式会社製)を用い、EDX検出器(型番:JED-2300、日本電子株式会社製)にて確認を行った。結果を表1に示す。
上記試料の処理面について、原子分解能分析電子顕微鏡(型番:JEM-ARM200F Dual-X、日本電子株式会社製)を用いて観察し、得られた明視野STEM像のFFT分析を行うことで、ムライトの格子間距離を確認した。それによりムライトの形成を確認した。
本実施例においては、複合酸化物(焼結体)の表面を3μmのダイヤモンドペーストで鏡面研磨した後、アルゴン雰囲気下、1400℃で、30分サーマルエッチングを施した。
得られた焼結体の表面を、走査型電子顕微鏡(日立ハイテクノロジー株式会社製、型番:S−4000)を用いて、拡大倍率10000倍で組織観察を行った。
上記電子顕微鏡写真を、画像解析式粒度分布測定ソフトウェア(Mac-View Version4)に取り込み、200個以上の第1結晶粒の結晶粒の長軸径を算出させた。得られた各結晶粒の長軸径の算術平均値を、求める「平均結晶粒径」とした。
熱伝導率は、レーザーフラッシュ法による熱拡散率の測定結果と、DSC法による比熱の測定結果とから算出した。
均熱性を評価するための試験体として、直径350mm×1mm厚の焼結体を作製し、試験体とした。詳しくは、直径350mmで厚さが1mmより厚い焼結体を作製した後に、表面を平面研削加工することで厚さを調節し、1mm厚の焼結体(試験体)を得た。
出発原料として、平均粒子径が0.03μmであり熱プラズマCVDで合成されたβ−SiC型の炭化ケイ素(β−SiC)粒子と、平均粒子径が0.1μmであり金属不純物含有量が95ppmの酸化アルミニウム(Al2O3)粒子とを用いた。
また、蒸留水に対するβ−SiC粒子とAl2O3粒子の合計の割合は60質量%とした。β−SiC粒子とAl2O3粒子とを投入した分散液について、超音波分散装置にて分散処理の後、2流粒子衝突型の粉砕混合装置を用いて粉砕混合した。
また、SiCの結晶粒(第3結晶粒130)の平均結晶粒径を求めたところ、0.37μmであった。第2結晶粒120は、第3結晶粒130よりも小さかった。
得られた複合焼結体の熱伝導率は、21.1W/m・Kであった。
β−SiC粒子とAl2O3粒子との全体量に対し、β−SiC粒子を4質量%としたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例2の複合焼結体を得た。
また、ムライトを含む結晶粒(第2結晶粒120)の平均結晶粒径を求めたところ、0.08μmであった。
また、SiCの結晶粒(第3結晶粒130)の平均結晶粒径を求めたところ、0.35μmであった。第2結晶粒120は、第3結晶粒130よりも小さかった。
得られた複合焼結体の熱伝導率は、24.0W/m・Kであった。
出発原料として、平均粒子径が0.03μmであり熱プラズマCVDで合成されたβ−SiC型のβ−SiC粒子と、平均粒子径が0.1μmであり金属不純物含有量が95ppmのAl2O3粒子とを用いた。
また、第1結晶粒110の結晶粒内にムライトは確認できなかった。
また、SiCの結晶粒(第3結晶粒130)の平均結晶粒径を求めたところ、0.31μmであった。
得られた複合焼結体の熱伝導率は、28.8W/m・Kであった。
また、均熱性評価の結果、実施例の複合焼結体は、比較例の複合焼結体よりも良好な均熱性を示した。
2 静電チャック部
3 温度調節用ベース部
3A 流路
3b 貫通孔
4 接着層
5 ヒータエレメント
6 接着層
7 絶縁板
8 接着剤層
10 フォーカスリング
11…載置板(基体)
11a…載置面
11b 突起部
12…支持板(基体)
13…静電吸着用電極
14 絶縁材層
15 給電用端子
15a 碍子
16 貫通孔
17 給電用端子
18 筒状の碍子
19 溝
20 温度センサー
21 設置孔
22 温度計測部
23 励起部
24 蛍光検出器
25 制御部
28 ガス穴
29 筒状の碍子
A 酸化アルミニウム粒子
B 炭化ケイ素粒子
W…板状試料
100…複合焼結体
110…第1結晶粒
110a…結晶粒界
120…第2結晶粒
130…第3結晶粒
140 第4結晶粒
Claims (7)
- 主相である酸化アルミニウムと、副相である炭化ケイ素と、を含むセラミックスの複合焼結体であり、
前記酸化アルミニウムの結晶粒内にムライトを有し、
前記酸化アルミニウムの結晶粒界にムライトがない複合焼結体。 - 前記酸化アルミニウムの結晶粒を第1結晶粒とし、
前記ムライトを含み前記第1結晶粒の結晶粒内に分散する結晶粒を第2結晶粒とし、
前記第1結晶粒の結晶粒界に存在する前記炭化ケイ素の結晶粒を第3結晶粒としたとき、
前記第1結晶粒の平均結晶粒径は、0.5μm以上10μm以下であり、
前記第2結晶粒の平均結晶粒径は、第3結晶粒の平均結晶粒径よりも小さい請求項1に記載の複合焼結体。 - 前記酸化アルミニウムの結晶粒を第1結晶粒とし、
前記ムライトを含み前記第1結晶粒の結晶粒内に分散する結晶粒を第2結晶粒とし、
前記第1結晶粒の結晶粒界に存在する前記炭化ケイ素の結晶粒を第3結晶粒としたとき、
前記第3結晶粒全体に対する前記第2結晶粒全体の割合は、任意の断面における面積比で20%以上40%以下である請求項1または2に記載の複合焼結体。 - 前記複合焼結体における前記ムライトの含有率は、任意の断面における面積比で1.2%以上3.5%以下である請求項1から3のいずれか1項に記載の複合焼結体。
- 請求項1から4のいずれか1項に記載の複合焼結体を形成材料とし、一主面が板状試料を載置する載置面である板状の基体と、
前記基体の前記載置面とは反対側、または前記基体の内部に設けられた静電吸着用電極と、を有する静電チャック部材。 - 請求項5に記載の静電チャック部材を備える静電チャック装置。
- 第1結晶粒としての前記酸化アルミニウムの結晶粒と、前記炭化ケイ素の結晶粒を含み、
前記炭化ケイ素がβ−SiCであり、
前記炭化ケイ素の結晶粒はムライトを含まず、
前記炭化ケイ素の結晶粒の少なくとも一部は、第3結晶粒として前記酸化アルミニウムの結晶粒の結晶粒界にあり、残りの炭化ケイ素の結晶粒は第4結晶粒として前記酸化アルミニウムの結晶粒内にあり、
前記酸化アルミニウムの結晶粒は、その内部に、前記ムライトのみからなる結晶粒、及び、前記ムライトとβ−SiCである炭化ケイ素を含む結晶粒の少なくとも1つを、第2結晶粒として含み、
前記複合焼結体中の前記β−SiCの量は、4体積%以上15体積%以下であり、
前記複合焼結体における前記ムライトの含有率は、断面における面積比で1.2%以上3.5%以下である、
請求項1に記載の複合焼結体。
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