CN111508866A - 反转单元及包括反转单元的基板处理设备 - Google Patents
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Abstract
本发明构思提供了一种用于支撑基板的设备。一种用于处理基板的设备包括:处理室,所述处理室对基板执行预定工艺;以及反转单元,所述反转单元使基板反转。所述反转单元包括:夹持单元,所述夹持单元夹持基板;以及驱动单元,所述驱动单元使夹持单元旋转以使由夹持单元夹持的基板反转。所述夹持单元包括第一主体,所述第一主体支撑基板的上表面和下表面中的一者;以及第二主体,所述第二主体支撑基板的另一表面。所述第一主体和所述第二主体中的每一个包括支撑突起,当夹持单元夹持所述基板时,所述支撑突起与基板接触。
Description
技术领域
本文中描述的发明构思的实施例涉及一种用于支撑基板的设备,并且更具体地说,涉及一种用于使基板反转的设备。
背景技术
光掩模是石英或玻璃基板,其覆盖有对应于微小半导体电路的图案。例如,施加在透明石英基板的上层上的铬薄层被蚀刻,以形成对应于半导体集成电路或液晶显示器(LCD)电路的图案。图案的尺寸是半导体集成电路或LCD电路的尺寸的一至五倍。通过光刻工艺在基板上形成光掩模的微小图案。在光刻工艺中,将光刻胶均匀地施加到基板上,使用光掩模的图案和诸如步进机的曝光装置来执行按比例缩小的投影/曝光工艺,并且随后执行显影工艺以形成二维光刻胶图案。
如果异物附着到光掩模上,则异物在曝光工艺期间散射或吸收光,从而降低光学分辨率,从而在基板上形成图案中产生明显的缺陷。因此,在曝光工艺期间,将作为保护构件的薄膜安装在光掩模上方,从而保护光掩模免受异物的影响。薄膜被布置在光掩模的图案上方的一定高度处,使得即使异物附着到薄膜上,异物也不会影响在曝光工艺期间在基板上形成的图像。
可以使用诸如过氧化硫混合物(SPM)的化学品在湿式清洁设备中清洁光掩模。当在曝光工艺中再次使用其上残留有诸如粘合剂的异物的光掩模时,在执行曝光工艺时,异物可能通过于光的催化能而逐渐发展成雾度缺陷。由于这种增长的雾度缺陷会导致不期望的图案转印,因此必须从光掩模中有效地去除诸如粘合剂的异物。
在光掩模的清洁目标表面(其图案化表面)指向下(反转)的状态下,将光掩模装载到光掩模清洁设备中。因此,光掩模清洁设备包括用于使光掩模反转的反转单元。反转单元通过与光掩模的相对侧进行面对面的接触而在夹持光掩模的状态下使光掩模反转。
然而,在由夹持部分夹持的过程中,光掩模可能被反转单元的夹持部分上的污染物所污染。此外,当夹持部分在光掩模或夹持部分未维持在水平状态的状态下通过与光掩模形成面对面接触而夹持光掩模时,可能产生诸如划痕的损坏从而产生颗粒。
发明内容
本发明构思的实施例提供了一种用于在支撑或夹持基板的过程中使对基板的损坏最小化的设备。
本发明构思的实施例提供了一种用于在支撑和夹持基板的过程中使基板的污染最小化的设备。
根据示例性实施例,提供了一种用于支撑基板的设备。
根据示例性实施例,一种用于处理基板的设备包括:处理室,该处理室对基板执行预定工艺;以及反转单元,该反转单元使基板反转。反转单元包括:夹持单元,该夹持单元夹持基板;以及驱动单元,该驱动单元使夹持单元旋转以使由夹持单元夹持的基板反转。夹持单元包括:第一主体,该第一主体支撑基板的上表面和下表面中的一者;以及第二主体,该第二主体支撑基板的另一表面。第一主体和第二主体中的每一个包括支撑突起,当夹持单元夹持基板时,该支撑突起与基板接触。支撑突起包括:第一倾斜表面,其支撑基板;以及第二倾斜表面,其从第一倾斜表面延伸并且引导基板的位置。当夹持单元夹持基板时,第二倾斜表面比第一倾斜表面更远离基板的中心而定位。第二倾斜表面具有比第一倾斜表面更大的斜度。
第一倾斜表面可以具有小于45度的斜度,并且第二倾斜表面可以具有大于45度的斜度。第二倾斜表面的斜度可以是第一倾斜表面的斜度的三倍或更多倍。第一倾斜表面的斜度可以是15度,并且第二倾斜表面的斜度可以是75度。
第一倾斜表面可以具有当基板由夹持单元夹持时与基板线接触的形状。基板可以具有矩形形状。第一主体和第二主体中的每一个可以包括四个支撑突起,并且这些支撑突起被设置在与基板的角部对应的位置。支撑突起中的每一个还可以包括与第一倾斜表面和第二倾斜表面相邻定位的外表面,并且角部中的每一个可以位于由第一倾斜表面、第二倾斜表面和外表面围绕的区域中。
驱动单元可以包括:间隙调节构件,该间隙调节构件调节第一主体与第二主体之间的距离,使得第一主体与第二主体之间的距离在夹持间隙与释放间隙之间改变;以及旋转构件,该旋转构件使夹持单元旋转以使由夹持单元夹持的基板反转。在基板被夹持单元所夹持的位置,第一主体的第二倾斜表面与第二主体的第二倾斜表面之间的高度差可以小于基板的厚度。
该设备还可以包括传送单元,该传送单元将基板传送到处理室中。传送单元可以包括:手部;以及安装突起,其联接到手部并支撑基板。该安装突起可以包括:第一安装表面,其倾斜并支撑基板;以及第二安装表面,其从第一安装表面延伸并且倾斜以引导基板的位置。当传送单元支撑基板时,第二安装表面可以比第一安装表面更远离基板的中心而定位。第二安装表面可以具有比第一安装表面更大的斜度。安装突起的第一安装表面的斜度可以大于反转单元的支撑突起的第一倾斜表面的斜度。
该设备还可以包括存储基板的缓存单元。缓存单元可以包括支撑基板的保持突起,并且缓存单元的保持突起可以包括:第一保持表面,其倾斜并支撑基板;以及第二保持表面,其从第一保持表面延伸并且倾斜以引导基板的位置。当缓存单元支撑基板时,第二保持表面可以比第一保持表面更远离基板的中心而定位。第二保持表面可以具有比第一保持表面更大的斜度。缓存单元和反转单元可以被布置成彼此上下堆叠。
该设备还可以包括:处理模块,该处理模块包括多个处理室;以及转位模块,该转位模块将基板传送到处理模块中或者从处理模块中传送出来。反转单元和缓存单元可以布置在转位模块与处理模块之间。
根据示例性实施例,一种用于使基板反转的反转单元包括:夹持单元,该夹持单元夹持基板;以及驱动单元,该驱动单元使夹持单元旋转以使由夹持单元夹持的基板反转。夹持单元包括:第一主体,该第一主体支撑基板的上表面和下表面中的一者;以及第二主体,该第二主体支撑基板的另一表面。第一主体和第二主体中的每一个包括支撑突起,当夹持单元夹持基板时,该支撑突起与基板接触。支撑突起包括:第一倾斜表面,其支撑基板;以及第二倾斜表面,其从第一倾斜表面延伸并且引导基板的位置。当夹持单元夹持基板时,第二倾斜表面比第一倾斜表面更远离基板的中心而定位。第二倾斜表面具有比第一倾斜表面更大的斜度。
第一倾斜表面可以具有小于45度的斜度,并且第二倾斜表面可以具有大于45度的斜度。第一倾斜表面可以具有当基板由夹持单元夹持时与基板线接触的形状。基板可以具有矩形形状,并且第一主体和第二主体中的每一个可以包括四个支撑突起,其支撑基板的角部。支撑突起中的每一个还可以包括与第一倾斜表面和第二倾斜表面相邻定位的外表面,并且角部中的每一个可以位于由第一倾斜表面、第二倾斜表面和外表面围绕的区域中。
附图说明
根据以下参考附图的描述,上述和其它目的和特征将变得显而易见,其中,除非另有说明,否则相同附图标记在各个附图中指代相同部分,并且其中:
图1图示出根据本发明构思的实施例的基板处理设备;
图2图示出图1所示的基板处理设备的第一层的布局;
图3图示出图1所示的基板处理设备的第二层的布局;
图4是缓存模块的立体图;
图5是缓存模块的前视图;
图6是缓存模块的平面图;
图7是缓存模块的截面图;
图8是图7的支撑突起的放大立体图;
图9是图8的支撑突起的截面图;
图10和图11图示出支撑突起之间的夹持间隙和释放间隙;
图12是示出图2的传送机械手的安装突起的截面图;并且
图13是示出图12的传送机械手的安装突起的立体图。
具体实施方式
在下文中,将参考附图对根据本发明构思的示例性实施例的基板处理设备进行详细描述。在将附图标记添加到每个附图的部件时,应当注意,即使相同或等同的部件在其他附图上显示时,它们也由相同的数字来表示。此外,在描述本发明构思时,将排除对公知特征或功能的详细描述,从而不会不必要地模糊本发明构思的主旨。
(实施例)
图1是示出根据本发明构思的实施例的基板处理设备的配置的示意图。图2和图3图示出图1所示的基板处理设备的第一层和第二层的布局。
在该实施例中,呈矩形板形状的光掩模将被描述为基板的示例。然而,除了光掩模之外,基板可以是各种类型的基板,诸如半导体晶片、平板显示面板等。此外,在该实施例中,将以基板处理设备作为用于清洁光掩模的设备为例。然而,基板处理设备可以是用于对诸如晶片的不同类型的基板执行清洁工艺的设备。可替选地,基板处理设备可以是用于执行不同类型的工艺的设备,该工艺除了对诸如光掩模或晶片的基板的清洁过程之外还要求使基板反转。
参考图1至图3,基板处理设备1包括转位模块1000、处理模块200和缓存模块4000。
转位模块1000包括:四个端口1100,在这些端口上放置有载体,每个载体具有容纳在其中的光掩模M;和转位机械手1200,其用于传送光掩模M。将光掩模M以反转的状态接收在每个载体中,使得光掩模M的图案化表面朝向下。因此,可以最小化光掩模M的图案化表面的污染。在光掩模M被传送到第一处理单元2000或第二处理单元3000中之前,使光掩模M在缓存模块4000中反转,使得图案化表面朝向上。
处理模块200包括第一处理单元2000和第二处理单元3000。在第一处理单元2000中,对光掩模M执行湿式清洁。第一处理单元2000与缓存模块4000连接,并且包括:第一传送通道2100,在其中设置有用于传送光掩模M的第一传送机械手2200;用于去除胶的处理室2300和2400;以及光掩模冷却处理室2500。处理室2300和2400以及光掩模冷却处理室2500沿着第一传送通道2100布置。
可以提供三个用于去除胶的处理室以及两个光掩模冷却处理室。
用于去除胶的处理室可以包括前表面处理室2300,该前表面处理室将SPM溶液施加到光掩模M的前表面以去除胶;以及部分处理室2400,该部分处理室将SPM溶液部分地施加到光掩模M的边缘以去除胶。此外,光掩模冷却处理室2500将在加热处理室3300中进行了热处理的光掩模M的温度降低至室温。
第二处理单元3000被布置在不同的层上,从而与第一处理单元2000分开。在第二处理单元3000中,对光掩模M执行干洗和功能性水洗。第二处理单元3000包括:第二传送通道3100,在其中设置用于传送光掩模M的第二传送机械手3200;加热处理室3300和功能性水处理室3400。加热处理室3300和功能性水处理室3400沿着第二传送通道3100布置。加热处理室3300可以使用UV光来加热光掩模M。可以设置两个加热处理室3300和两个功能性水处理室3400。
缓存模块4000布置在处理模块200与转位模块1000之间。根据一个实施例,缓存模块4000布置在第一处理单元2000与转位模块1000之间。可替选地,缓存模块4000可以布置在第二处理单元3000与转位模块1000之间。缓存模块4000使光掩模M反转。
在基板处理设备1中,用于湿式清洁的模块被设置在第一层上,并且用于干洗的模块被设置在第二层上。也就是说,用于使用化学品进行湿式清洁的模块被布置在第一层上,以防止由向下流动所引起的离子污染影响进行了干燥处理的光掩模M。例如,本发明构思的基板处理设备1可以被配置为使得用于湿式清洁的模块和用于干洗的模块两者被设置在单个层上。
在该实施例中,已经描述了处理单元包括用于去除胶的处理室、光掩模冷却处理室、加热处理室、以及功能性水处理室。然而,在处理单元中提供的处理模块的类型可以根据将要处理的基板的类型和处理过程而变化。
基板处理设备1可以同时处理多达五个光掩模M,从而实现高生产率。
因为光掩模M的图案化表面包含铬(Cr)成分,所以光掩模M非常容易受到静电的影响。因此,为了使由静电引起的损害最小化,本发明构思的基板处理设备1可以包括设置在移动路径上(例如,设置在第一传送通道2100中、第二传送通道3100中以及处理模块中)的离子发生器。
图4是缓存模块的立体图。图5是缓存模块的前视图。图6是缓存模块的平面图。图7是缓存模块的截面图。参考图4至图7,缓存模块4000包括框架4100、具有反转功能的反转单元4200、以及具有简单缓存功能的缓存单元4300。可以设置两个反转单元4200和两个缓存单元4300。
框架4100包括底板4110、第一竖直板4120、第二竖直板4130以及两个空间限定型盖子4140。
第一竖直板4120和第二竖直板4130竖直地安装在底板4110上。第一竖直板4120和第二竖直板4130被布置成彼此间隔开。第一竖直板4120与第二竖直板4130之间的空间被定义为中心空间CA(其中存储并反转光掩模M的空间),并且第一竖直板4120的右侧上的空间和第二竖直板4130的左侧上的空间被定义为驱动部分空间DA。中心空间CA在前侧和后侧敞开,使得光掩模M能够被放置在中心空间CA中或者从中心空间中取出,并且反转单元4200和缓存单元4300在中心空间CA中彼此上下堆叠。反转单元4200的驱动单元4400安装在驱动部分空间DA中。驱动部分空间DA通过空间限定型盖子4140与外部环境隔离。框架4100的底板4110包括用于在驱动部分空间DA中形成排气压力(负压)的进气端口4112。也就是说,通过空间限定型盖子4140将驱动部分空间DA与外部环境隔离,并且通过进气端口4112在驱动部分空间DA中形成负压(排气压力)。因此,抑制流入中心空间DA中的气流。
反转单元4200通过第一竖直板4120和第二竖直板4130被安装成从而是可旋转的。每个反转单元4200包括夹持单元5000和驱动单元4400。夹持单元5000包括支撑光掩模M的上表面和下表面中的一个的第一主体5200以及支撑光掩模M的另一表面的第二主体5400。第一主体5200和第二主体5400被定位为面向彼此,在其间具有光掩模M。第一主体5200沿竖直方向被升高或降低,以保持放置在第二主体5400上的光掩模M的边缘。第一主体5200和第二主体5400中的每一个包括支撑部5410和支撑突起5420。当俯视时,第一主体5200和第二主体5400的支撑部5410具有矩形框架形状。第一主体5200和第二主体5400中的每一个包括支撑光掩模M的角部的多个支撑突起5420。支撑突起5420可以通过其组合而布置成具有矩形环形形状。根据一个实施例,第一主体5200和第二主体5400中的每一个可以具有与光掩模M的角部数量相同的支撑突起5420。第一主体5200和第二主体5400中的每一个可以包括四个支撑突起5420。
驱动单元4400包括旋转构件4410和间隙调节构件4420。驱动单元4400位于驱动部分空间DA中,以防止由从驱动单元4400产生的颗粒对光掩模M造成背部污染。
旋转构件4410包括两个旋转主体4412和一个旋转驱动部分4414。
旋转主体4412被设置为分别对应于第一竖直板4120和第二竖直板4130。旋转驱动部分4414设置在第一竖直板4120上。旋转驱动部分4414包括电机4416、皮带4417和滑轮4418,以使旋转主体4412反转180度。旋转主体4412具有在内部具有通道的中空形状。第二主体5400的相对端部被固定到旋转主体4412。
每个间隙调节构件4420包括气缸4422、连接块4424、以及LM引导部4426。气缸4422固定地安装在位于驱动部分空间DA中的旋转主体4412的外侧上。连接块4424通过气缸4422被升高和降低。LM引导部4426被固定地附接到旋转主体4412。LM引导部4426引导通过气缸4422被升高或降低的连接块4424。连接块4424通过旋转主体4412的内部通道与位于中心空间CA中的第一主体5200连接。间隙调节构件4420使第一主体5200上升和下降,使得第一主体5200与第二主体5400之间的距离对应于夹持间隙和释放间隙。在此,夹持间隙是由第一主体5200和第二主体5400夹持光掩模M的位置,并且释放间隙是第一主体5200和第二主体5400中的一个与光掩模M分离的位置。
缓存单元4300位于反转单元4200的下方。缓存单元4300具有临时存储光掩模M的简单缓存功能。每个缓存单元4300包括支撑主体。支撑主体包括支撑光掩模M的角部的多个保持突起。每个保持突起具有第一保持表面和第二保持表面。缓存单元4300的保持突起与反转单元4200的支撑突起5420具有相同的形状。例如,第一保持表面可以具有与第一倾斜表面5422相同的形状,并且第二保持表面可以具有与第二倾斜表面5424相同的形状。因此,将省略对缓存单元4300的支撑突起的具体描述。
接下来,将更详细地描述第一主体5200和第二主体5400的支撑突起5420。图8是图7的支撑突起的放大立体图。图9是图8的支撑突起的截面图。
参考图8和图9,支撑突起5420是当光掩模M被夹持时与光掩模M直接接触的部分。支撑突起5420与光掩模M线接触并且支撑光掩模M。支撑突起5420具有第一倾斜表面5422、第二倾斜表面5424、以及外表面5426。第一倾斜表面5422、第二倾斜表面5424、以及外表面5426被设置为从彼此延伸的表面。由第一倾斜表面5422、第二倾斜表面5424、以及外表面5426形成的区域用作支撑光掩模M的角部的支撑区域。也就是说,当光掩模M由支撑突起5420支撑时,光掩模M的角部由第一倾斜表面5422、第二倾斜表面5424、以及外表面5426包围。当光掩模M由支撑突起5420支撑时,第一倾斜表面5422用作与光掩模M接触的表面,并且第二倾斜表面5424用作引导光掩模M以允许光掩模M与第一倾斜表面5422接触并被支撑在第一倾斜表面上的表面。第二倾斜表面5424从第一倾斜表面5422延伸。第二倾斜表面5424比第一倾斜表面5422更远离光掩模M的中心而定位。第一倾斜表面5422和第二倾斜表面5424相对于水平面倾斜。第一倾斜表面5422的斜度A2和第二倾斜表面5424的斜度A1彼此不同。在此,斜度被定义为水平面与倾斜表面之间的角度。第二倾斜表面5424具有比第一倾斜表面5422更大的斜度。因此,即使光掩模M被放置在某一位置而不是正确的位置,光掩模M也由第二倾斜表面5424被朝向第一倾斜表面5422引导,并且在被放置在第一倾斜面5422上的状态下被调整为水平状态。光掩模M与第一倾斜表面5422线接触。根据一个实施例,第一倾斜表面5422的斜度A2可以小于45度,并且第二倾斜表面5424的斜度A1可以为45度或更大。第二倾斜表面5424的斜度A1可以是第一倾斜表面5422的斜度A2的三倍或更多倍。例如,第一倾斜表面5422的斜度A2可以是15度,并且第二倾斜表面5424的斜度A1可以是75度。
图10和图11图示出支撑突起之间的夹持间隙和释放间隙。参考图10和图11,第一主体5200和第二主体5400被定位成使得第二倾斜表面5424彼此间隔开。第一主体5200和第二主体5400被定位成在夹持光掩模M时以夹持间隙彼此间隔开。也就是说,第一主体5200的第二倾斜表面5424与第二主体5400的第二倾斜表面5424之间的高度差D1小于光掩模M的厚度D2。以夹持间隙彼此间隔开的第一主体5200和第二主体5400可以被旋转以使光掩模M反转。
每个外表面5426从第一倾斜表面5422和第二倾斜表面5424延伸。光掩模M可以具有由第一侧和第二侧形成的角部。第一倾斜表面5422和第二倾斜表面5424可以面向第一侧,并且外表面5426可以面向第二侧。外表面5426可以用作用于防止光掩模M偏离预定范围的止动部。
在上述实施例中,已经描述了支撑突起5420和在缓存模块4000中支撑光掩模M的缓存单元4300的保持突起具有第一倾斜表面5422和第二倾斜表面5424。
然而,用于传送光掩模M的第一传送机械手2200和第二传送机械手3200可以各自包括手部6410和安装突起6420。图12是示出图2的传送机械手的安装突起的截面图。图13是示出图12的传送机械手的安装突起的立体图。参考图12和图13,安装突起6420联接到手部6410并且支撑光掩模M的不同区域。每个安装突起6420具有第一安装表面6422和第二安装表面6424,并且安装表面6422和6424是倾斜的。第二安装表面6424从第一安装表面6422延伸,并且倾斜以将光掩模M朝向第一安装表面6422引导。当光掩模M由传送机械手2200和3200支撑时,第二安装表面6424比第一安装表面6422更远离光掩模M的中心而定位。第二安装表面6424具有比第一安装表面6422更大的斜度。根据一个实施例,第一安装表面6422可以具有比第一倾斜表面5422更大的斜度。不同于反转单元4200和缓存单元4300,传送机械手2200和3200在支撑光掩模M的状态下移动。正由于此,如果第一安装表面6422和第一倾斜表面5422具有相同的斜度,则与当光掩模M被支撑在反转单元4200和缓存单元4300上时相比,当光掩模M被支撑在传送机械手2200和3200上时,光掩模M的位置的变化可更大。因此,第一安装表面6422可以具有比第一倾斜表面5422更大的斜度,从而最小化在光掩模M的传送期间的位置变化。例如,第一安装表面6422可以具有22.5度的斜度B2。第二安装表面6424可以具有45度或更大的斜度B1。
如上所述,根据本发明构思的实施例,支撑突起包括具有不同斜度的两个倾斜表面。因此,通过与基板线接触,支撑突起可以在夹持基板的同时最小化基板的污染。
此外,根据本发明构思的实施例,第二倾斜表面具有大于45度的斜度,从而将基板引导至水平状态。
此外,根据本发明构思的实施例,传送单元的第一倾斜表面具有比缓存单元的第一倾斜表面更大的斜度。因此,可以防止在基板的传送期间基板的位置变化。
在上文中,尽管已经参考示例性实施例和附图描述了本发明构思,但是本发明构思不限于此,而是可以由本发明构思所属领域的技术人员在不背离在所附权利要求中要求保护的本发明构思的精神和范围的情况下进行各种修改和改变。因此,提供本发明构思的示例性实施例用于解释本发明构思的精神和范围,但是不限制它们,使得本发明构思的精神和范围不受实施例的限制。应当基于所附权利要求来解释本发明构思的范围,并且在与权利要求等同的范围内的所有技术思想都应当包括在本发明构思的范围内。
虽然已经参考示例性实施方式描述了本发明构思,但是对于本领域技术人员将显而易见的是,在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下,可以进行各种改变和修改。因此,应当理解,上述实施例不是限制性的而是说明性的。
Claims (19)
1.一种用于处理基板的设备,所述设备包括:
处理室,所述处理室被配置为对所述基板执行预定工艺;以及
反转单元,所述反转单元被配置为使所述基板反转,
其中所述反转单元包括:
夹持单元,所述夹持单元被配置为夹持所述基板;以及
驱动单元,所述驱动单元被配置为使所述夹持单元旋转以使由所述夹持单元夹持的所述基板反转,
其中所述夹持单元包括:
第一主体,所述第一主体被配置为支撑所述基板的上表面和下表面中的一者;以及
第二主体,所述第二主体被配置为支撑所述基板的另一表面,
其中所述第一主体和所述第二主体中的每一个包括支撑突起,当所述夹持单元夹持所述基板时,所述支撑突起与所述基板接触。
其中所述支撑突起包括:
第一倾斜表面,所述第一倾斜表面被配置为支撑所述基板;以及
第二倾斜表面,所述第二倾斜表面从所述第一倾斜表面延伸并且被配置为引导所述基板的位置,
其中当所述夹持单元夹持所述基板时,所述第二倾斜表面比所述第一倾斜表面更远离所述基板的中心而定位,并且
其中所述第二倾斜表面具有比所述第一倾斜表面更大的斜度。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一倾斜表面具有小于45度的斜度,并且所述第二倾斜表面具有大于45度的斜度。
3.根据权利要求2所述的设备,其中所述第二倾斜表面的所述斜度是所述第一倾斜表面的所述斜度的三倍或更多倍。
4.根据权利要求3所述的设备,其中所述第一倾斜表面的所述斜度是15度,并且所述第二倾斜表面的所述斜度是75度。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的设备,其中所述第一倾斜表面具有当所述基板由所述夹持单元夹持时与所述基板线接触的形状。
6.根据权利要求5所述的设备,其中所述基板具有矩形形状,
其中所述第一主体和所述第二主体中的每一个包括四个支撑突起,并且
其中所述支撑突起被设置在与所述基板的角部对应的位置。
7.根据权利要求6所述的设备,其中所述支撑突起中的每一个还包括与所述第一倾斜表面和所述第二倾斜表面相邻定位的外表面,并且
其中所述角部中的每一个位于由所述第一倾斜表面、所述第二倾斜表面和所述外表面围绕的区域中。
8.根据权利要求5所述的设备,其中所述驱动单元包括:
间隙调节构件,所述间隙调节构件被配置为调节所述第一主体与所述第二主体之间的距离,使得所述第一主体与所述第二主体之间的所述距离在夹持间隙与释放间隙之间改变;以及
旋转构件,所述旋转构件被配置为使所述夹持单元旋转以使由所述夹持单元夹持的所述基板反转。
9.根据权利要求8所述的设备,其中,在所述基板被所述夹持单元所夹持的位置,所述第一主体的所述第二倾斜表面与所述第二主体的所述第二倾斜表面之间的高度差小于所述基板的厚度。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的设备,其中所述设备还包括传送单元,所述传送单元被配置为将所述基板传送到所述处理室中,
其中所述传送单元包括:
手部;以及
安装突起,所述安装突起联接到所述手部并且被配置为支撑所述基板,
其中所述安装突起包括:
第一安装表面,所述第一安装表面倾斜并且被配置为支撑所述基板;以及
第二安装表面,所述第二安装表面从所述第一安装表面延伸并且倾斜以引导所述基板的位置,
其中当所述传送单元支撑所述基板时,所述第二安装表面比所述第一安装表面更远离所述基板的所述中心而定位,并且
其中所述第二安装表面具有比所述第一安装表面更大的斜度。
11.根据权利要求10所述的设备,其中所述安装突起的所述第一安装表面的所述斜度大于所述反转单元的所述支撑突起的所述第一倾斜表面的所述斜度。
12.根据权利要求1至4中的任一项所述的设备,其中所述设备还包括缓存单元,所述缓存单元被配置为存储所述基板,
其中所述缓存单元包括保持突起,所述保持突起被配置为支撑所述基板,
其中所述缓存单元的所述保持突起包括:
第一保持表面,所述第一保持表面倾斜并且被配置为支撑所述基板;以及
第二保持表面,所述第二保持表面从所述第一保持表面延伸并且倾斜以引导所述基板的位置,
其中当所述缓存单元支撑所述基板时,所述第二保持表面比所述第一保持表面更远离所述基板的所述中心而定位,并且
其中所述第二保持表面具有比所述第一保持表面更大的斜度。
13.根据权利要求12所述的设备,其中所述缓存单元和所述反转单元被布置成彼此上下堆叠。
14.根据权利要求1至4中任一项所述的设备,其中所述设备还包括:
处理模块,所述处理模块包括多个处理室;以及
转位模块,所述转位模块被配置为将所述基板传送到所述处理模块中或者从所述处理模块中传送出来,并且
其中所述反转单元和所述缓存单元布置在所述转位模块与所述处理模块之间。
15.一种用于使基板反转的反转单元,所述反转单元包括:
夹持单元,所述夹持单元被配置为夹持所述基板;以及
驱动单元,所述驱动单元被配置为使所述夹持单元旋转以使由所述夹持单元夹持的所述基板反转,
其中所述夹持单元包括:
第一主体,所述第一主体被配置为支撑所述基板的上表面和下表面中的一者;以及
第二主体,所述第二主体被配置为支撑所述基板的另一表面,
其中所述第一主体和所述第二主体中的每一个包括支撑突起,当所述夹持单元夹持所述基板时,所述支撑突起与所述基板接触。
其中所述支撑突起包括:
第一倾斜表面,所述第一倾斜表面被配置为支撑所述基板;以及
第二倾斜表面,所述第二倾斜表面从所述第一倾斜表面延伸并且被配置为引导所述基板的位置,
其中当所述夹持单元夹持所述基板时,所述第二倾斜表面比所述第一倾斜表面更远离所述基板的中心而定位,并且
其中所述第二倾斜表面具有比所述第一倾斜表面更大的斜度。
16.根据权利要求15所述的反转单元,其中所述第一倾斜表面具有小于45度的斜度,并且所述第二倾斜表面具有大于45度的斜度。
17.根据权利要求15或16所述的反转单元,其中所述第一倾斜表面具有当所述基板由所述夹持单元夹持时与所述基板线接触的形状。
18.根据权利要求17所述的反转单元,其中所述基板具有矩形形状,并且
其中所述第一主体和所述第二主体中的每一个包括四个支撑突起,所述支撑突起被配置为支撑所述基板的角部。
19.根据权利要求18所述的反转单元,其中所述支撑突起中的每一个还包括与所述第一倾斜表面和所述第二倾斜表面相邻定位的外表面,并且
其中所述角部中的每一个位于由所述第一倾斜表面、所述第二倾斜表面和所述外表面围绕的区域中。
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