CN111501088B - 吹扫管、单晶提拉装置及硅单晶的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种吹扫管。吹扫管（5）具备：圆筒部（51），形成为圆筒状，将从腔室（21）的外部导入的非活性气体向硅熔液（M）侧导引；以及凸缘部（52），从圆筒部（51）的外周面朝向外侧以凸缘状突出；在凸缘部（52）的至少一部分，设置有能够由设置在腔室（21）的外部的光学观察机构（3）进行硅单结晶（SM）的培养状况的观察的透过部（522）。

Description

吹扫管、单晶提拉装置及硅单晶的制造方法

技术领域

本发明涉及吹扫管、单晶提拉装置及硅单晶的制造方法。

背景技术

以往，在硅单晶的制造中，使用腔室外部的摄像机构将内部摄像，基于硅单晶的培养状况对硅单晶的培养条件进行控制（例如，参照文献1：日本特开2011－246341号公报）。

文献1所记载的单晶提拉装置具备石英制的吹扫管。吹扫管具备透明的窥视窗。经由该窥视窗，CCD照相机能够将硅单晶的培养状况摄像。

但是，在文献1的结构中，由于窥视窗的表面与铅直线（沿重力的方向延伸的直线）平行，所以CCD照相机的光轴相对于窥视窗的表面的入射角变大。因此，有可能导致窥视窗的表面处的反射像被CCD照相机摄像而不能将硅单晶的培养状况适当地摄像。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够从腔室的外部适当地掌握硅单晶的培养状况的吹扫管、单晶提拉装置及硅单晶的制造方法。

本发明的吹扫管，是设置在单晶提拉装置的腔室内的吹扫管，其特征在于，具备：圆筒部，形成为圆筒状，将从前述腔室的外部导入的非活性气体向硅熔液侧导引；以及凸缘部，从前述圆筒部的外周面朝向外侧以凸缘状突出；在前述凸缘部的至少一部分，设置有能够由设置在前述腔室的外部的光学观察机构进行硅单晶的培养状况的观察的透过部。

作为由光学观察机构观察的硅单晶的培养状况，可以例示存在于硅单晶和硅熔液的液面的边界的圆环状的弯液面的发生状况、及从硅熔液的液面到热遮蔽体下端的距离（以下有称作“间隙”的情况）等。

根据本发明，通过以圆筒部的中心轴与铅直线成为平行的方式将吹扫管设置于单晶提拉装置，能够使光学观察机构的光轴相对于透过部的上表面的入射角与上述文献1那样的结构（以下称作“以往的结构”）相比变小。因而，能够抑制透过部上表面处的反射成分被光学观察机构观察到，能够由光学观察机构适当地掌握硅单晶的培养状况。

在不能适当地掌握硅单晶的培养状况的情况下，有不能精密地控制硅单晶制造中的间隙这样的问题、及不能精密地控制制造中的硅单晶的直径这样的问题，进而也可能不能精密地进行与硅单晶的直径控制密切关联的提拉速度控制。

本发明由于能够适当地掌握硅单晶的培养状况，所以适合于被要求精密的间隙控制、精密的硅单晶的直径控制或精密的提拉速度控制、或者被同时要求这些的半导体用的硅单晶的制造。

在本发明的吹扫管中，优选的是，前述透过部形成为，使前述光学观察机构的光轴相对于该透过部的上表面的入射角成为45°以下。

上述入射角为45°以下的情况，包括侧视中的圆筒部的外周面与透过部的上表面所成的角度成为锐角的情况和成为钝角的情况的两者。

根据本发明，能够进一步抑制透过部上表面处的反射成分被光学观察机构观察到。另外，上述入射角更优选的是形成为22.5°以下。

在本发明的吹扫管中，优选的是，前述透过部形成为，使前述入射角成为0°。

入射角为0°的情况，除了0°以外，还包括－5°至5°的范围。

根据本发明，能够防止透过部上表面处的反射成分被光学观察机构观察到。

在本发明的吹扫管中，优选的是，前述透过部由厚度均匀的平板状的石英形成。

根据本发明，能够抑制二维观察时的观察结果的失真，能够由光学观察机构更适当地掌握硅单晶的培养状况。

在本发明的吹扫管中，优选的是，前述凸缘部形成为在与前述圆筒部的中心轴正交的方向上延伸的圆环板状。特别优选的是，前述凸缘部其厚度形成得均匀。

根据本发明，通过将凸缘部做成简单的形状，能够容易地制造该凸缘部。

在本发明的吹扫管中，优选的是，前述凸缘部的外径比设置在前述腔室内的圆筒状或圆锥台筒状的热遮蔽体的下端的内径大。

根据本发明，仅借助凸缘部与热遮蔽体的抵接，就能够容易地设置吹扫管。

在本发明的吹扫管中，优选的是，前述圆筒部由石墨形成。

根据本发明，能够实现吹扫管的轻量化和成本降低。

本发明的单晶提拉装置的特征在于，具备：坩埚，收容硅熔液；提拉部，通过在使晶种与前述硅熔液接触后进行提拉，培养硅单晶；圆筒状或圆锥台筒状的热遮蔽体，在前述坩埚的上方以将前述硅单晶包围的方式设置；上述的吹扫管；腔室，收容前述坩埚、前述热遮蔽体及前述吹扫管；气体导入部，从前述腔室的外部向该腔室的内部导入非活性气体；以及光学观察机构，设置在前述腔室的外部，经由前述吹扫管的前述透过部观察前述硅单晶的培养状况。

在本发明的单晶提拉装置中，优选的是，在前述热遮蔽体的内周面，设置有将前述吹扫管从下方支承的吹扫管支承部。特别优选的是，将前述吹扫管的凸缘部从下方支承。

根据本发明，能够容易地将吹扫管定位。特别是，如果将凸缘部从下方支承，则吹扫管不倾斜而稳定。

本发明的硅单晶的制造方法，是使用上述单晶提拉装置的硅单晶的制造方法，其特征在于，基于前述光学观察机构的观察结果，对前述硅单晶的培养条件进行控制。

附图说明

图1是有关本发明的第1实施方式的单晶提拉装置的示意图。

图2是前述第1实施方式的单晶提拉装置的主要部的放大图。

图3A是表示前述第1实施方式的吹扫管的俯视图。

图3B是表示前述第1实施方式的吹扫管的剖视图。

图3C表示前述第1实施方式的吹扫管，是沿着图3B的IIIC－IIIC线的剖视图。

图4A是表示有关本发明的第2实施方式的吹扫管的俯视图。

图4B表示有关前述第2实施方式的吹扫管，是沿着图4A的IVB－IVB线的剖视图。

图5是前述第2实施方式的单晶提拉装置的示意图。

图6是前述第2实施方式的单晶提拉装置的主要部的放大图。

图7A表示本发明的实施例，是表示实验例的硅熔液表面附近的状态的剖视图。

图7B是前述实施例中的吹扫管的立体图。

具体实施方式

［第1实施方式］

以下，参照附图对本发明的第1实施方式进行说明。

〔关联技术〕

首先，对单晶提拉装置的一般的结构进行说明。

如图1所示，单晶提拉装置1是用于CZ法（Czochralski法；切克劳斯基法）的装置，具备提拉装置主体2、光学观察机构3和控制部4。

提拉装置主体2具备腔室21、配置在该腔室21内的坩埚22、将该坩埚22加热的加热器23、提拉部24、热遮蔽体25、设置在腔室21的内壁的隔热件26和坩埚驱动部27。

另外，单晶提拉装置1也可以如用双点划线表示那样，是在MCZ（Magnetic fieldapplied Czochralski；施加磁场的切克劳斯基法）法中使用的装置，具有在腔室21的外侧夹着坩埚22而配置的一对电磁线圈28。

腔室21具备主腔室211、以及经由闸阀212与该主腔室211的上部连接的副腔室（pull chamber）213。

主腔室211形成为上表面与副腔室213连接的形状，具备：主体部211A，配置有坩埚22、加热器23、热遮蔽体25等；以及盖部211B，将主体部211A的上表面封闭。在盖部211B，设置有用来将Ar气体等非活性气体向主腔室211导入的开口部211C、和用于光学观察机构3观察腔室21内部的石英制的窗部211D。在主体部211A与盖部211B之间，设置有向内侧延伸的支承部211E。

在副腔室213，设置有将Ar气体等非活性气体向主腔室211内导入的气体导入口21A。在主腔室211的主体部211A的下部，设置有将该主腔室211内的气体排出的气体排气口21B。

坩埚22具备石英坩埚221和收容该石英坩埚221的石墨坩埚222。

加热器23配置在坩埚22的周围，将坩埚22内的硅熔化。

提拉部24具备在一端安装晶种SC的线缆241和使该线缆241升降及旋转的提拉驱动部242。

热遮蔽体25以将硅单晶SM包围的方式设置，将从加热器23朝向上方放射的辐射热遮断。热遮蔽体25具备形成为随着朝向下方而直径变小的圆锥台筒状的热遮蔽体主体部251、以及从热遮蔽体主体部251的上端朝向外侧以凸缘状延伸的被支承部252。如图2所示，在热遮蔽体主体部251，设置有从其内周面沿圆周方向连续突出的吹扫管支承部251A。

热遮蔽体25通过被支承部252被固定于支承部211E上而被配置在坩埚22的上方。

坩埚驱动部27具备将石墨坩埚222从下方支承的支承轴271，使坩埚22以规定的速度旋转及升降。

光学观察机构3观察存在于硅熔液M的液面的弯液面的发生状况及间隙G等作为硅单晶SM的培养状况。光学观察机构3具备摄像机构31和运算机构32。摄像机构31例如是二维CCD照相机，从腔室21的外部经由窗部211D将硅熔液M的液面摄像。运算机构32基于摄像机构31的摄像结果，运算并求出硅单晶SM的培养状况。

控制部4基于存储于存储器41的各种信息及作业者的操作，制造硅单晶SM。作为存储于存储器41的信息，可以例示腔室21内的气体流量及炉内压、向加热器23投入的电力、坩埚22及硅单晶SM的转速等。

〔吹扫管的结构〕

接着，对设置于单晶提拉装置1的吹扫管的结构进行说明。

如图3A～图3C所示，吹扫管5具备圆筒状的圆筒部51、以及从该圆筒部51的下端朝向外侧以凸缘状突出的凸缘部52。

凸缘部52形成为随着朝向下方而直径变大的圆锥台筒状。凸缘部52具备凸缘主体部521和透过部522。

凸缘主体部521在俯视中形成为厚度均匀的圆锥台筒形状的一部分被切掉的大致C字状。即，凸缘主体部521的上表面521A成为曲面。

透过部522形成为厚度均匀的平板状。即，透过部522的上表面522A成为平面。透过部522设置为，将凸缘主体部521的被切掉的部分填埋。透过部522设置为，在侧视中，上表面522A和圆筒部51的外周面51A所成的角度θ₁成为钝角。透过部522如图2所示那样设置为，摄像机构31的光轴P相对于其上表面522A的入射角（光轴P相对于上表面522A的法线N的角度）成为45°以下。在本第1实施方式中，设置为，入射角成为0°，即上表面522A与光轴P所成的角度θ₂成为90°。

圆筒部51、凸缘主体部521及透过部522分别由透明的石英形成，它们借助焊接被一体化，以使圆筒部51的中心轴与凸缘主体部521的中心轴一致。在俯视中，凸缘部52的外形成为圆形，其外径比热遮蔽体25的下端开口的内径大。硅单晶SM经过该圆筒部51的内部而被向上方提拉。

〔具备吹扫管的单晶提拉装置的结构〕

如图1和图2所示，吹扫管5通过凸缘部52被从热遮蔽体主体部251的内周面突出的吹扫管支承部251A从下方支承而被定位，以使从硅熔液M的液面到透过部522的距离成为L₁。通过将该距离设为L₁，透过部522的下端的位置变得比后述的实施例中的吹扫管9的变色区域A的上端位置高。此外，吹扫管5被定位，以使圆筒部51的中心轴与热遮蔽体25的中心轴一致、并且圆筒部51的中心轴与铅直线V成为平行。

也可以在提拉装置主体2内设置拉管（draw tube）29。拉管29例如由金属形成为内径比吹扫管5的圆筒部51的外径大的圆筒状。拉管29通过其外周面被固定于盖部211B的开口部211C的内周面，能够设置为，使其下端位于热遮蔽体25的内部、并且凸缘部52的上端部位于其内部。另外，在本实施方式中，吹扫管5与拉管29不接触，但两者也可以接触。

〔硅单晶的制造方法〕

接着，对使用单晶提拉装置1的硅单晶SM的制造方法进行说明。

另外，也可以通过本制造方法来制造能够取得200mm、300mm、450mm等的硅晶片的硅单晶SM。

首先，单晶提拉装置1的控制部4设定作为用来满足对硅单晶SM要求的品质例如电阻率、氧浓度的提拉条件的非活性气体的流量、腔室21内部的压力、坩埚22及硅单晶SM的转速、加热器23的加热条件等。另外，该设定条件既可以是作业者输入的，也可以是基于作业者输入的目标的氧浓度等而控制部4运算求出的。

接着，控制部4通过将坩埚22加热，使该坩埚22内的聚硅原材料（硅原料）熔化，生成硅熔液M。另外，硅熔液M也可以含有硅单晶SM的电阻率调整用的掺杂剂。

然后，控制部4将非活性气体以规定的流量从气体导入口21A向腔室21内导入，并将腔室21内的压力减压，将腔室21内维持为减压下的非活性气体环境。

然后，控制部4将晶种SC浸渍到硅熔液M，通过一边使坩埚22及线缆241向规定的方向旋转一边将该线缆241提拉，来培养硅单晶SM。

在该硅单晶SM的培养中，有硅熔液M的硅蒸发并与氧反应而生成SiO的情况。如果该SiO附着凝集于主腔室211的盖部211B的内壁，则该凝集物经过热遮蔽体25的内部而掉落于硅熔液M，硅单晶SM有可能多结晶化。但是，在本实施方式中，由于圆锥台筒状的凸缘部52的外缘整周与热遮蔽体25的内周面接触，所以即使凝集物掉落到热遮蔽体25的内部，也能够由凸缘部52防止凝集物到达硅熔液M。

此外，在硅单晶SM的培养中，光学观察机构3将透过透过部522的硅熔液M及硅单晶SM的像用摄像机构31摄像，基于该摄像结果，用运算机构32求出硅单晶SM的培养状况。并且，控制部4基于由光学观察机构3得到的培养状况，对硅单晶SM的直径及间隙G等培养条件进行控制，以制造出希望的硅单晶SM。

〔第1实施方式的作用效果〕

根据第1实施方式，能够起到以下这样的作用效果。

（1）将由圆筒部51和凸缘部52构成的吹扫管5在腔室21内定位，以使圆筒部51的中心轴与铅直线V成为平行。

因此，能够使摄像机构31的光轴P相对于透过部522的上表面522A的入射角相比以往的结构变小。结果，能够抑制透过部522的上表面522A处的反射成分被摄像机构31摄像，能够从腔室21的外部适当地掌握硅单晶SM的培养状况。

（2）特别是，由于将透过部522构成为，光轴P相对于上表面522A的入射角成为0°，所以能够防止上表面522A处的反射成分被摄像机构31摄像。

（3）此外，由于使平板状的透过部522的厚度均匀，所以能够抑制二维观察时的观察结果的失真。

借助这些（2）、（3）的效果，摄像机构31能够将大致准确且清晰地映照着硅熔液M及硅单晶SM的实际的状况的像摄像。特别是，能够将硅熔液M和硅单晶SM的边界部及其周边的像清晰地摄像。

结果，能够从腔室21的外部大致准确地掌握硅单晶SM的培养状况。并且，能够基于所掌握的培养状况，对硅单晶SM的直径及间隙G精密地进行控制。即，根据清晰的像，能够准确地掌握相对于目标的直径的背离量或相对于目标的间隙G的背离量，进行控制以消除该背离量。

（4）由于能够使凸缘部52的外径比热遮蔽体25的下端开口的内径大，所以仅通过凸缘部52与热遮蔽体25的抵接，就能够容易地设置吹扫管5。

（5）由于将吹扫管5定位以使从硅熔液M的液面到透过部522的距离成为L₁，所以能够抑制透过部522因硅熔液M的辐射热而变色。

该变色通过氧化硅（SiOx）附着、结合于透过部522而发生，所以可以通过氟酸等的酸清洗来除去，但由于发生除去费用，所以带来制造的成本增加。

在上述实施方式中，由于能够抑制透过部522的变色，所以能够抑制成本增加。

［第2实施方式］

接着，参照附图对本发明的第2实施方式进行说明。

另外，对与第1实施方式同样的结构赋予相同的附图标记，将说明省略或简略。

〔吹扫管的结构〕

首先，对吹扫管的结构进行说明。

如图4A和图4B所示，吹扫管7具备圆筒状的圆筒部71、以及从该圆筒部71的下端朝向外侧以凸缘状突出的凸缘部72。如图5所示，其特征在于，凸缘部72的外径比热遮蔽体25的下端开口的内径大，进而比热遮蔽体25的上端开口的内径大。

圆筒部71由石墨形成。

凸缘部72由透明的石英形成。凸缘部72形成为在与圆筒部71的中心轴正交的方向上延伸并且厚度均匀的圆环板状。凸缘部72的外径比热遮蔽体25的下端开口的内径大，进而比热遮蔽体25的上端开口的内径大。当吹扫管7设置在腔室21内时，凸缘部72的包含与摄像机构31的光轴P重叠的部分的一部分的区域作为透过部721发挥功能。例如，在图4A中，由双点划线包围的区域作为透过部721发挥功能，但根据吹扫管7的设置状态，其他的区域能够作为透过部721。借助这样的结构，透过部721的上表面721A成为平面。

在凸缘部72的上表面72A，设置有沿着圆环板状的内缘的圆形的定位槽部72B。通过圆筒部71的下端嵌入到该定位槽部72B，将两者定位，以使圆筒部71的中心轴与凸缘部72的中心轴一致。透过部721设置为，在侧视中其上表面721A与圆筒部71的外周面71A所成的角度θ₃成为直角。

〔具备吹扫管的单晶提拉装置的结构〕

如图5及图6所示，吹扫管7设置在单晶提拉装置1A的腔室21内。吹扫管7比热遮蔽体25的上端开口的内径大，所以能够载置在热遮蔽体25的被支承部252的上表面。通过凸缘部72被载置在热遮蔽体25的被支承部252的上表面，能够使从硅熔液M的液面到透过部721的距离L₂比第1实施方式的距离L₁长，能够可靠地使透过部721的下端的位置比吹扫管9的变色区域A的上端位置高。进而，由于吹扫管7与第1实施方式相比能够避免暴露于高温，所以能够进行更多的反复使用。

此外，吹扫管7被定位，以使圆筒部71的中心轴与热遮蔽体25的中心轴一致、并且圆筒部71的中心轴与铅直线V成为平行。进而，吹扫管7被定位，以使其上端侧的一部分位于盖部211B的开口部211C内。吹扫管7与开口部211C不接触，但两者也可以接触。

如以上这样，通过吹扫管7在腔室21内被支承，摄像机构31的光轴P相对于透过部721的上表面721A的入射角θ₄（光轴P相对于上表面721A的法线N的入射角θ4）成为45°以下。

〔硅单晶的制造方法〕

接着，对使用单晶提拉装置1A的硅单晶SM的制造方法进行说明。

另外，由于硅单晶SM的制造工序与第1实施方式相同，所以仅说明因代替吹扫管5而设置吹扫管7带来的差异点。

在硅单晶SM的培养中，有可能随着硅熔液M的蒸发而SiO的凝集物掉落到热遮蔽体25的内部，但在本实施方式中，由于圆环板状的凸缘部72的外缘整周位于比热遮蔽体主体部251的上端开口靠外侧，所以能够由凸缘部72防止凝集物到达硅熔液M。

此外，在硅单晶SM的培养中，光学观察机构3的摄像机构31将透过透过部721的像摄像。并且，控制部4基于由光学观察机构3得到的培养状况对培养条件进行控制，以制造希望的硅单晶SM。

〔第2实施方式的作用效果〕

根据第2实施方式，除了与第1实施方式的（4）、（5）同样的作用效果以外，还能够起到以下这样的作用效果。

（6）将由圆筒部71和凸缘部72构成的吹扫管7在腔室21内定位，以使圆筒部71的中心轴与铅直线V成为平行。

因此，能够使摄像机构31的光轴P相对于透过部721的上表面721A的入射角θ₄与以往的结构相比变小，能够从腔室21的外部适当地掌握硅单晶SM的培养状况。

（7）由于将凸缘部72形成为在与圆筒部71的中心轴正交的方向上延伸并且厚度均匀的圆环板状，所以能够容易地制造该凸缘部72。

（8）由于将圆筒部71用石墨形成，所以能实现吹扫管7的轻量化和成本降低。

［变形例］

另外，本发明并不仅限定于上述实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内能够进行各种改良及设计的变更等。

例如，透过部522也可以设计为，上表面522A与圆筒部51的外周面51A所成的角度θ₁成为锐角，并且光轴P相对于上表面522A的入射角成为45°以上。

透过部522只要上表面522A与圆筒部51的外周面51A所成的角度θ₁不到180°，即只要不是如以往的结构那样为180°，则也可以设置为使得光轴P相对于上表面522A的入射角超过45°。在这样的结构中，也能够使光轴P相对于上表面522A的入射角与以往的结构相比变小，能够抑制透过部522处的反射成分被摄像机构31摄像。

透过部522、721也可以是厚度不均匀的板状。

也可以使曲面状的凸缘主体部521的上表面521A作为透过部发挥功能，在此情况下，也可以将凸缘部52整体形成为圆锥台筒状。

也可以将圆筒部71用不锈钢等金属或石英形成，也可以将圆筒部51、凸缘主体部521或作为凸缘部72的透过部721发挥功能的区域以外用石墨或金属形成。

热遮蔽体25的热遮蔽体主体部251也可以是圆筒状，也可以不在热遮蔽体主体部251设置吹扫管支承部251A。

实施例

接着，借助实施例更详细地说明本发明，但本发明完全不受这些例子限定。

首先，将图7A所示那样的吹扫管9配置到热遮蔽体25的内部。吹扫管9如上述现有技术文献（日本特开2011－246341号公报）的图1所示，由石英形成为圆筒状。吹扫管9其下端91被从热遮蔽体25的下端向内侧突出的突出部259支承。

使用具有图7A的结构的单晶提拉装置，用单提拉法（使用1个石英坩埚制造1根硅单晶的方法）制造多个硅单晶SM，每当制造各硅单晶SM，就观察吹扫管9的变色。此时，一边经由吹扫管9的下端侧的侧面部分用光学观察机构3观察培养状况，一边调整间隙G。

能够确认，从第1根硅单晶SM的制造后，如图7B所示，开始发生变色，随着制造根数变多而变色的颜色变浓。在经过了加热器23的通电开始后50小时左右的制造了硅单晶的时点，吹扫管9变色到了用光学观察机构3的观察较困难的状态。

并且，确认了从吹扫管9的下端91到变色区域A的上端的高度H和热遮蔽体25的内侧表面的变色了的位置。

基于该确认结果可以确认，通过以透过部522、721的下端的位置比吹扫管9的变色区域A的上端位置及热遮蔽体25内侧的变色区域的上端位置高的方式设置吹扫管5、7，有可能能够抑制变色。

实际上，在第1、第2实施方式的结构中，将吹扫管5、7设置在基于上述确认结果的位置而制造硅单晶SM后，即使超过加热器23的通电开始后50小时也不会看到变色。

Claims (9)

1.一种单晶提拉装置，其特征在于，

具备：

坩埚，收容硅熔液；

提拉部，通过在使晶种与前述硅熔液接触后进行提拉，培养硅单晶；

圆筒状或圆锥台筒状的热遮蔽体，在前述坩埚的上方以将前述硅单晶包围的方式设置；

吹扫管；

腔室，收容前述坩埚、前述热遮蔽体及前述吹扫管；

气体导入部，从前述腔室的外部向该腔室的内部导入非活性气体；以及

光学观察机构，设置在前述腔室的外部，经由前述吹扫管的透过部观察前述硅单晶的培养状况，

前述吹扫管为，

具备：

圆筒部，形成为圆筒状，将从前述腔室的外部导入的非活性气体向硅熔液侧导引；以及

凸缘部，从前述圆筒部的外周面朝向外侧以凸缘状突出，由前述热遮蔽体支承，；

前述凸缘部的外径比设置在前述腔室内前述热遮蔽体的下端的内径大，

在前述凸缘部的至少一部分，设置有能够由前述光学观察机构进行前述硅单晶的培养状况的观察的透过部。

2.如权利要求1所述的单晶提拉装置，其特征在于，

前述透过部形成为，使前述光学观察机构的光轴相对于该透过部的上表面的入射角成为45°以下。

3.如权利要求2所述的单晶提拉装置，其特征在于，

前述透过部形成为，使前述入射角成为0°。

4.如权利要求1所述的单晶提拉装置，其特征在于，

前述透过部由厚度均匀的平板状的石英形成。

5.如权利要求1所述的单晶提拉装置，其特征在于，

前述凸缘部形成为在与前述圆筒部的中心轴正交的方向上延伸的圆环板状。

6.如权利要求5所述的单晶提拉装置，其特征在于，

前述凸缘部其厚度形成得均匀。

7.如权利要求1所述的单晶提拉装置，其特征在于，

前述圆筒部由石墨形成。

8.如权利要求1所述的单晶提拉装置，其特征在于，

在前述热遮蔽体的内周面，设置有将前述吹扫管从下方支承的吹扫管支承部。

9.一种硅单晶的制造方法，使用权利要求1所述的单晶提拉装置，其特征在于，

基于前述光学观察机构的观察结果，对前述硅单晶的培养条件进行控制。

Images