CN111373077A - Sn或Sn合金电镀液以及Sn或Sn合金镀覆物的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的目的是提供一种能够降低Pb浓度的Sn或Sn合金镀液。一种Sn或Sn合金电镀液，其特征在于，所述Sn或Sn合金电镀液用于形成供于焊接的镀覆物，其至少含有硫系化合物、Sn盐、选自无机酸、有机酸或其水溶性盐中的1种以上的酸或其水溶性盐、以及表面活性剂，所述硫系化合物为下述通式所示的硫醇化合物(式A)、硫醇化合物(式A)的盐、或二硫化物(式B)。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于形成供于焊接的镀覆物的Sn或Sn合金电镀液，以及一种制造供于焊接的镀覆物的Sn或Sn合金镀覆物的制造方法。本申请要求基于2017年9月15日在日本提交的日本专利申请号特愿2017-178077的优先权，并且通过引用将其结合在本申请中。
背景技术
随着设备的高密度化和高容量化，从用于与半导体芯片接合的焊料材料产生的α射线带来的设备操作不良的影响已成为不可忽视的问题。众所周知，α射线主要产自焊料材料中(更确切地说是Sn金属中)作为杂质包含的Pb金属。因此，一直以来需要降低Pb浓度。
例如，专利文献1记载了在半导体芯片的主表面上设置多个由Sn-Ag-Cu镀层形成的Pb浓度降低的焊料凸块，以与安装基板连接。另外，专利文献2记载了在接合结构中使用无铅焊料进行接合。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-040606
专利文献2：日本特开2016-103530
发明内容
发明要解决的问题
然而，考虑到半导体行业的发展，认为设备小型化、高密度化和高容量化进一步发展，需要进一步的低α射线的对策，希望能够进一步降低Pb浓度的镀Sn。
因此，本发明的目的在于提供一种能够降低Pb浓度的Sn或Sn合金镀液。
用于解决问题的方案
本发明的一个实施方式的Sn或Sn合金电镀液的特征在于，所述Sn或Sn合金电镀液用于形成供于焊接的镀敷物，其至少含有硫系化合物、Sn盐、选自无机酸、有机酸或其水溶性盐中的1种以上的酸或其水溶性盐、以及表面活性剂，所述硫系化合物为下述通式所示的硫醇化合物(式A)、硫醇化合物(式A)的盐、或二硫化物(式B)。
式A：
HS-R1
式B：
R2-S-S-R2
其中，R1为
中的任一种，
R2为
中的任一种。
若如此，则能够提供一种通过各成分的作用来抑制Pb的共析，可以降低Pb浓度的Sn镀覆物。
此时，本发明的一个实施方式中，可以将所述硫系化合物、所述Sn盐的Sn、所述酸或其水溶性盐、以及所述表面活性剂之间的浓度比以重量比计设为1：0.2～700：1～3000：0.01～1000。
若如此，则各成分的浓度比变得最佳，能够进一步降低Pb浓度。
另外，本发明的一个实施方式中，所述R1为所述通式(I)～(III)中的任一种，所述R2为所述通式(IV)或(V)，所述式A或所述式B可以与所述R1或所述R2的2位或6位键合。
若如此，则能够抑制Pb的共析，进一步降低Pb浓度。
另外，本发明的一个实施方式中，可以使所述酸或其水溶性盐为选自硫酸、盐酸、硝酸、磷酸、氨基磺酸、有机磺酸、羧酸或其盐中的1种以上的酸或其盐，且所述表面活性剂为选自阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂中的1种以上。
若如此，则可以使成分的选择最佳，抑制Pb的共析，进一步降低Pb浓度。
可以进一步含有选自Ag盐、Cu盐、Bi盐、In盐、Au盐、Sb盐、Zn盐、Ni盐中的1种以上的除Sn盐以外的金属盐。
若如此，则SnAg、SnCu、SnBi、SnIn、SnAu、SnSb、SnZn、SnNi也成为可应用的Sn合金镀液，能够提供可以降低Pb浓度的Sn合金镀液。
另外，本发明的一个实施方式为制造供于焊接的镀覆物的Sn或Sn合金镀覆物的制造方法，其特征在于，其具备：制备Sn或Sn合金电镀液的镀液制备工序；以及使用所述镀液制造所述Sn或Sn合金镀覆物的镀覆工序，在所述镀液制备工序中，使所述Sn或Sn合金电镀液至少含有硫系化合物、Sn盐、选自无机酸、有机酸或其水溶性盐中的1种以上的酸或其水溶性盐、以及表面活性剂来制备，所述硫系化合物为下述通式所示的硫醇化合物(式A)、硫醇化合物(式A)的盐、或二硫化物(式B)。
式A：
HS-R1
式B：
R2-S-S-R2
其中，R1为
中的任一种，
R2为
中任一种。
若如此，则能够提供一种通过各成分的作用来抑制Pb的共析，可以降低Pb浓度的Sn镀覆物。
另外，本发明的一个实施方式中，所述Sn或Sn合金镀覆物的覆膜可以是低α级Sn或Sn合金镀覆膜(小于0.01计数/小时/cm2)。
若如此，则能够降低Pb浓度，防止带来设备操作不良的影响。
发明的效果
如上所述，根据本发明能够提供一种通过各成分的作用来抑制Pb的共析，可以降低Pb浓度的Sn或Sn合金电镀液。
附图说明
图1是示出本发明的一实施方式的Sn或Sn合金镀覆物的制造方法的概要的工序图。
图2是示出Sn中的Pb含量与α射线量的关系的图。
具体实施方式
以下，对本发明的优选实施方式进行详细说明。需要说明的是，以下说明的本实施方式并不构成对权利要求书所述的本发明内容的限定，本实施方式中说明的技术特征并不一定都是本发明的必须解决方式。
1.Sn或Sn合金电镀液
1-1.硫系化合物
1-2.Sn盐、除Sn以外的盐
1-3.酸或其水溶性盐
1-4.表面活性剂
1-5.晶体调节剂
1-6.有机溶剂
1-7.抗氧化剂
1-8.螯合剂
2.Sn或Sn合金镀覆物的制造方法
2-1.镀液制备工序
2-2.镀覆工序
[1.Sn或Sn合金电镀液]
本发明的一实施方式的Sn或Sn合金电镀液是用于形成供于焊接的镀覆物的Sn或Sn合金电镀液，至少含有硫系化合物、Sn盐、选自无机酸、有机酸或其水溶性盐中的1种以上的酸或其水溶性盐、以及表面活性剂。并且，至少所添加的硫系化合物、Sn盐、酸或其水溶性盐以及表面活性剂具有下述特征。以下进行详细说明。
在此，镀液是指用于进行镀覆的液体，是将各种金属和成分在一个容器中浓缩的物质，将各种金属和成分分在多个容器中并且各种金属和成分在各容器中浓缩的物质，将上述浓缩的物质等用水调节并建浴的液体；以及添加各种金属和成分并调节建浴的液体。
[1-1.硫系化合物]
本发明的一实施方式的Sn或Sn合金电镀液中所含有的硫系化合物，其特征在于，其为下述通式所示的硫醇化合物(式A)、硫醇化合物(式A)的盐、或二硫化物(式B)。
式A：
HS-R1
式B：
R2-S-S-R2
其中，R1为
中的任一种，
R2为
中的任一种。
本发明的一实施方式的Sn或Sn合金电镀液所含有的硫系化合物是作为Pb共析防止剂含有的，如上所述，是式A所示的硫醇化合物、硫醇化合物的盐、或式B所示的二硫化物。此外，R1是苯胺(I)、吡啶(II)或吡啶N氧化物(III)中的任一种。另外，R2是苯胺(IV)、吡啶(V)、苯(VI)、丁烷(VII)、甲苯(VIII)中的任一种。另外，如式B中所示，在左右键合有结构相同的R2。
如后面所述，通过制备至少含有Sn盐、酸或其盐、表面活性剂的镀液，能够提供通过各成分的作用来抑制Pb的共析，可以降低Pb浓度的Sn或Sn合金电镀液。
另外，本发明的一实施方式的Sn或Sn合金电镀液所含有的硫系化合物、Sn盐的Sn、酸或其水溶性盐、以及表面活性剂之间的浓度(g/L)的比存在最合适的浓度比，以重量比计为1：0.05～10000：0.5～50000：0.0005～10000。优选以重量比计为1：0.2～700：1～3000：0.01～1000，更优选为1：0.2～140：2～400：0.01～200。优选的是，进一步优选为1：4～16：15～62：0.5～2。例如，在进一步优选的比的范围内，将硫系化合物设为1时，以重量比计Sn盐的Sn为4～16、酸或其水溶性盐为15～62、表面活性剂为0.5～2的比例。
这是因为，相对于硫系化合物的重量的浓度，Sn盐、酸或其水溶性盐、表面活性剂的重量的浓度比超出上述范围的情况下，防止Pb能力有下降的可能性。通过在该范围，上述各成分的浓度比最宜，防止共析能力提高，可以进一步降低Pb浓度。
进一步，本发明的一实施方式的Sn或Sn合金电镀液所含有的硫系化合物的浓度优选设为0.01～100g/L。上述浓度小于0.01g/L时，防止共析能力有下降的可能性。另一方面，大于100g/L时，不利于成本。更优选为0.1～50g/L，进一步优选为0.5～50g/L。
如上所述，本发明的一实施方式的Sn或Sn合金电镀液所含有的硫系化合物作为Pb共析防止剂发挥作用。这是因为，添加到镀液中的上述硫系化合物使Sn、Pb的析出电位向高或低移动。(根据硫化合物的种类，使其向低侧移动或向高侧移动。)使Sn的析出电位向低侧移动的化合物也有使Pb的析出电位向低侧移动的倾向，使Sn的析出电位向高侧移动的化合物也有使Pb的析出电位向高侧移动的倾向。此时，认为是由于Sn的析出电位比Pb的析出电位高，并且电位差扩大到0.06V以上。
在此，如上所述，在Sn或Sn合金镀覆膜中Pb是作为杂质含有的。这是因为，在制备Sn镀液时，添加到镀液中的Sn盐中含有Pb。该Pb在镀覆时被带入Sn或Sn合金镀层中。因此，以往，为了减少Sn或Sn合金镀覆膜中的Pb量，使用在Sn盐的纯化阶段降低了Pb浓度的低浓度Pb的Sn盐。然而，如上所述，随着设备的进一步小型化、高密度化和高容量化，预期需要进一步降低Pb的浓度。在这种情况下，为了实现更高程度的低浓度Pb化，需要进一步的Sn纯化技术，而且成本也增加，因此难以实现。
为此，本发明人等为了实现上述本发明的目的进行了深入研究，结果发现，本发明的一实施方式中使用的硫系化合物防止Pb共析，其他成分能够辅助防止Pb共析。即，如本发明的一实施方式的Sn或Sn合金电镀液那样，通过至少含有硫系化合物、Sn盐、酸或其水溶性盐以及表面活性剂，硫系化合物防止Pb的共析，上述的Sn盐、酸或其水溶性盐以及表面活性剂辅助防止Pb的共析，抑制Pb的共析，从而能够提供可降低Pb浓度的Sn或Sn合金镀液。因此，通过组合上述硫系化合物、上述的Sn盐、酸或其水溶性盐以及表面活性剂，能够综合实现上述目的。以下进行详细说明。
优选的是，上述硫系化合物中的上述R1为上述通式(I)～(III)中的任一种，上述R2为上述通式(IV)或(V)，上述式A或上述式B与上述R1或上述R2的2位或6位键合。通过形成这种分子结构，水溶液中的上述分子结构中的硫原子、氮原子比其他的1、3、4、5位能够更牢固地保持Sn、Pb离子。因此对电位也能够发挥更大的效果，能够进一步防止Pb的共析。
作为上述硫系化合物的硫醇，不限于下述物质，具体而言可列举出：苯硫醇、1,4-苯二硫醇、1,3-苯二硫醇、1,2-苯二硫醇、1,3,5-苯三硫醇、2-萘硫醇、1,5-萘二硫醇、4-甲基苯硫醇、2-甲基苯硫醇、3-甲基苯硫醇、3,5-二甲基苯硫醇、4-氨基苯硫醇、2,4-二甲基苯硫醇、3,4-二甲基苯硫醇、4-羟基苯硫醇、3-氨基苯硫醇、4-叔丁基苯硫醇、2,5-二甲基苯硫醇、4-乙基苯硫醇、3-羟基苯硫醇、4-异丙基苯硫醇、4-甲氧基苯硫醇、2-氨基苯硫醇、4-(二甲氨基)苯硫醇、3-甲氧基苯硫醇、甲苯-3,4-二硫醇、2-羟基苯硫醇、2-乙基苯硫醇、2-异丙基苯硫醇、2-甲氧基苯硫醇、3,4-二甲氧基苯硫醇、5-叔丁基-2-甲基苯硫醇、2,5-二氨基-1,4-苯二硫醇、3-乙氧基苯硫醇、4-硝基苯硫醇、4,4'-联苯二硫醇、硫代二甲酚、3-巯基苯甲酸、硫代水杨酸钠、4-乙酰氨基苯硫醇、2-巯基吡啶、2-巯基吡啶N-氧化物、2-巯基吡啶N-氧化钠、2-巯基-5-硝基吡啶、2-巯基烟酸，以及上述化合物的盐等。
另外，作为上述硫系化合物的二硫化物，不限于下述物质，具体而言，可列举出：二甲基二硫化物、二甲基三硫化物、二叔丁基二硫化物、二乙基二硫化物、二异丙基二硫化物、烯丙基甲基二硫化物、二烯丙基二硫化物、二异丁基二硫化物、二丙基二硫化物、甲基丙基二硫化物、双(2,2-二乙氧基乙基)二硫化物、二丁基二硫化物、二异戊基二硫化物、双(2-二甲氨基乙基)二硫化物、双(2-羟乙基)二硫化物、胱胺、二戊基二硫化物、二叔辛基二硫化物、二癸基二硫化物、烯丙基丙基二硫化物、四甲基秋兰姆二硫化物、二叔十二烷基二硫化物、二环己基二硫化物、二硫代二乙醇酸、四乙基秋兰姆二硫化物、2,2'-二硫代二丙酸、3,3'-二硫代二丙酸、4,4'-二硫代二丁酸、3,3-二硫代二丙酸二甲酯、二硫化甲脒、四异丙基秋兰姆二硫化物、二苄基二硫化物、2-甲基-3-呋喃基二硫化物甲酯、四丁基秋兰姆二硫化物、双(2-甲基-3-呋喃基)二硫化物、双(苯基乙酰基)二硫化物、L-(-)-胱氨酸、2,2'-二噻吩基二硫化物、DL-高半胱氨酸、2-甲基-3-呋喃基丙基二硫化物、4,4'-二硫代二吗啉、二糠基二硫化物、3,3'-二硫代二丙酸二(N-琥珀酰亚胺基)、糠基甲基二硫化物、双(2-苯甲酰氨基苯基)二硫化物、N,N'-二(苄氧羰基)-L-胱氨酸、2,2'-二硫代双(5-硝基吡啶)、6,6'-二硫代二烟酸、4,4'-二(1,2,3-三唑基)二硫化物水合物、谷胱甘肽、3-(2-吡啶基二硫代)N-琥珀酰亚胺基丙酸酯、4-(2-苯并噻唑基二硫代)吗啉、2,2'-二苯并噻唑二硫化物、O-异丁酰硫胺二硫化物(舒布硫胺)、二硫化硫胺、二苯基二硫化物、二对甲苯基二硫化物、双(4-羟基苯基)二硫化物、3,3-二硫代双(1-丙磺酸)、4,4'-二硫代二苯胺、2,2'-二硫代二苯胺、双(3-羟基苯基)二硫化物、双(6-羟基-2-萘基)二硫化物、双(4-硝基苯基)二硫化物、双(3-硝基苯基)二硫化物、双(2-硝基苯基)二硫化物、双(2,4-二硝基苯基)二硫化物、2,2'-二硫代二苯甲酸、5,5'-二硫代双(2-硝基苯甲酸)、2,2'-二吡啶基二硫化物、4,4'-二吡啶基二硫化物、2,2′-二硫代双(5-硝基吡啶)、6,6′-二硫代二烟酸、以及上述化合物的盐等。另外，作为三硫化物，可列举出二异丙基三硫化物等。
另外，具体而言，上述硫系化合物进一步优选为2,2-二硫代二苯胺、2-氨基苯硫醇、2,2-二吡啶基二硫化物、2-巯基吡啶、2-巯基吡啶N-氧化物。若如此，则可以抑制Pb的共析，进一步降低Pb的浓度。
[1-2.Sn盐、除Sn以外的盐]
本发明的一实施方式的Sn或Sn合金电镀液所含有的Sn盐优选使用第1Sn盐(Sn盐(II))、第2Sn盐(Sn盐(IV))。
作为第1Sn盐(Sn盐(II))，不限于下述物质，具体而言可列举出：甲磺酸Sn(II)等链烷磺酸Sn(II)、羟乙磺酸Sn(II)等链烷醇磺酸Sn(II)等有机磺酸Sn(II)、硫酸Sn(II)、氟硼酸Sn(II)、氯化Sn(II)、溴化Sn(II)、碘化Sn(II)、氧化Sn(II)、磷酸Sn(II)、焦磷酸Sn(II)、乙酸Sn(II)、柠檬酸Sn(II)、葡萄糖酸Sn(II)、酒石酸Sn(II)、乳酸Sn(II)、琥珀酸Sn(II)、氨基磺酸Sn(II)、甲酸Sn(II)、氟硅酸Sn(II)等。
作为第2Sn盐(Sn盐(IV))，不限于下述物质，具体而言可列举出：Sn酸钠、Sn酸钾等。
特别地，优选甲磺酸Sn(II)等链烷磺酸Sn(II)、羟乙磺酸Sn(II)等链烷醇磺酸Sn(II)等有机磺酸Sn(II)。
另外，对于Sn盐的浓度，优选以Sn计为5～100g/L。小于5g/L时，Sn浓度过低，因此可能会成为发生镀层灰暗并有斑点和烧焦的原因。另一方面，大于100g/L时，可能会出现成本增加的问题、浴的稳定性变得不稳定，产生沉淀。进一步优选为10～70g/L。
另外，也可以进一步使用Pb浓度低、例如Pb浓度为1.0ppm以下的低浓度Pb的Sn盐。特别地，成为用于获得Pb浓度低的Sn镀覆物的镀液，可以进一步降低Pb浓度。代表性的Sn盐和浓度是上面列举的物质和浓度。
另外，不仅可以应用于镀Sn，也可以应用于镀Sn合金。即，本发明的另一实施方式的Sn或Sn合金电镀液优选进一步含有选自Ag盐、Cu盐、Bi盐、In盐、Au盐、Sb盐、Zn盐、Ni盐等中的1种以上的除Sn盐以外的金属盐。若如此，则成为不仅适用于镀Sn、还可以适用于镀Sn合金(SnAg、SnCu、SnBi、SnIn、SnAu、SnSb、SnZn、SnNi等)的Sn合金镀液，能够提供可以降低Pb浓度的Sn合金镀液。
[1-3.酸或其水溶性盐]
本发明的一实施方式的Sn或Sn合金电镀液所含有的酸或其水溶性盐为选自无机酸、有机酸或其水溶性盐中的1种以上。含有上述酸或其水溶性盐有助于防止Pb共析。这是因为，通过上述酸或其水溶性盐，被镀覆物表面、Sn表面的pH保持恒定，表面电位均匀。
上述酸或其水溶性盐不限于下述物质，具体而言可列举出：硫酸、盐酸、硝酸、磷酸、氨基磺酸、有机磺酸(甲磺酸等链烷磺酸、羟乙磺酸等链烷醇磺酸)、羧酸(芳族族羧酸、脂肪族饱和羧酸、氨基羧酸)等。根据需要，也可以使用上述水溶性盐的中和盐。
另外，上述酸或其水溶性盐的浓度优选设为50～500g/L。小于50g/L时，镀液的稳定性变差，变得容易生成沉淀物。可能会影响Pb析出电位。另一方面，大于500g/L时成本会增加。更优选为50～300g/L，进一步优选为100～200g/L。
[1-4.表面活性剂]
本发明的一实施方式的Sn或Sn合金电镀液所含有的表面活性剂可以使用选自阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂中的1种以上。其中优选非离子表面活性剂，氧化烯烃系表面活性剂是合适的。含有上述表面活性剂有助于防止Pb的共析。这是因为，表面活性剂使得被镀覆物、Sn或Sn合金晶体表面的电流密度均匀，在表面保持均匀的析出电位。
作为氧化烯烃系表面活性剂，不限于下述物质，具体而言可列举出：聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基苯基醚、聚氧乙烯烷基胺、聚氧乙烯烷基酰胺、聚氧乙烯脂肪酸酯、聚氧乙烯多元醇醚、氧化乙烯氧化丙烯嵌段聚合型、氧化乙烯氧化丙烯无规聚合型、氧化丙烯聚合型等。其中，特别优选聚氧乙烯烷基苯基醚。
另外，进一步优选的是，上述酸或其水溶性盐是选自硫酸、盐酸、硝酸、磷酸、氨基磺酸、有机磺酸、羧酸或其盐中的1种以上的酸或其盐，且上述表面活性剂为选自阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂中的1种以上。
另外，上述表面活性剂的浓度优选设为0.05～100g/L。小于0.05g/L时，为了减少镀覆时间而用高电流密度镀覆的情况下，在高电流密度的部分可能会发生镀层灰暗并有斑点、烧焦。另一方面，大于100g/L时，可能会发生Sn镀覆膜变黑，颜色不均匀等缺陷。因此，可能会对Sn或Sn合金镀覆膜本身带来影响。更优选为0.5～100g/L。
如上所述，本发明的一实施方式的Sn或Sn合金电镀液至少含有硫系化合物、Sn盐、选自无机酸、有机酸或其水溶性盐中的1种以上的酸或其水溶性盐以及表面活性剂。如果在镀液中含有上述成分，则通过各成分从而镀覆表面的析出电位均匀，因此最适合防止Pb共析。另外，如果缺少一个构成、成分，则难以达到上述目的。
至少对上述构成、成分进行了说明，本发明的一实施方式的Sn或Sn合金电镀液中含有的Sn或Sn合金电镀液也优选进一步含有下述构成、成分。以下进行说明。
[1-5.晶体调节剂]
本发明的一实施方式的Sn或Sn合金电镀液优选进一步含有晶体调节剂。晶体调节剂具有使析出的覆膜平滑化的效果。因此，Sn或Sn合金晶体生长时，通过使Sn或Sn合金晶体更平滑，来减少晶体表面的局部电位偏差，有助于防止Pb共析。另外，上述晶体调节剂可以使用醛类、酮类、苯并噻唑类等。
[1-6.有机溶剂]
本发明的一实施方式的Sn或Sn合金电镀液优选进一步添加有机溶剂。另外，上述有机溶剂不限于下述物质，具体而言可列举出：甲醇、2-丙醇等一元醇类；乙二醇、二乙二醇、三乙二醇等二元醇类等。
[1-7.抗氧化剂]
本发明的一实施方式的Sn或Sn合金电镀液优选进一步含有抗氧化剂。抗氧化剂具有防止浴中的2价Sn离子的氧化和防止其他镀液成分的氧化，并使镀液稳定的效果。因此，通过含有抗氧化剂，有助于使Sn的氧化还原电位更恒定，由此结果有助于防止Pb共析。作为上述抗氧化剂，不限于下述物质，具体而言可列举出：儿茶酚、氢醌、4-甲氧基苯酚、抗坏血酸等。
另外，上述抗氧化剂的浓度优选设为0.1～100g/L。浓度小于0.1g/L时，抗氧化的效果可能下降。另一方面，大于100g/L时，有成本增加的倾向。进一步优选的范围是0.1～10g/L。
[1-8.螯合剂]
本发明的一实施方式的Sn或Sn合金电镀液可进一步包含螯合剂。上述螯合剂不限于下述物质，具体而言可列举出：草酸、琥珀酸、丙二酸、乙醇酸、葡萄糖酸、葡萄糖酸内酯、甘氨酸、乙二胺乙酸、焦磷酸、三聚磷酸等。
另外，上述螯合剂的浓度优选设为0.1～200g/L。小于0.1g/L时，螯合效果可能会下降，另一方面，大于200g/L时，有成本增加的倾向。进一步优选的范围是0.1～100g/L。
[2.Sn或Sn合金镀覆物的制造方法]
如图1所示，本发明的一实施方式的Sn或Sn合金镀覆物的制造方法是制造供于焊接的镀覆物的Sn或Sn合金镀覆物的制造方法，其具备：制备Sn或Sn合金电镀液的镀液制备工序S1；以及使用上述镀液制造所述Sn或Sn合金镀覆物的镀覆工序S2。以下，依次对工序进行说明。
[2-1.镀液制备工序]
如图1所示，本发明的一实施方式的Sn或Sn合金镀覆物的制造方法具有镀液制备工序S1。在上述镀液制备工序S1中，使上述Sn或Sn合金电镀液至少含有硫系化合物、Sn盐、选自无机酸、有机酸或其水溶性盐中的1种以上的酸或其水溶性盐、以及表面活性剂来制备。并且，上述硫系化合物使用下述通式所示的硫醇化合物(式A)、硫醇化合物(式A)的盐、或二硫化物(式B)。
式A：
HS-R1
式B：
R2-S-S-R2
R1为
中的任一种，
R2为
中的任一种。
本发明的一实施方式的Sn或Sn合金镀覆物的制造方法中使用的镀液所含有的硫系化合物是作为Pb共析防止剂含有的，其为如上述式A所示的硫醇化合物、硫醇化合物的盐，或为式B所示的二硫化物。此外，R1为苯胺、吡啶或吡啶N-氧化物中的任一种。另外，R2为苯胺(IV)、吡啶(V)、苯(VI)、丁烷(VII)、甲苯(VIII)中的任一种。
如上所述，通过制备至少含有Sn盐、酸或其盐、以及表面活性剂的镀液，能够提供通过各成分的作用来抑制Pb的共析，可以降低Pb浓度的Sn或Sn合金镀覆物。
另外，上述硫系化合物、Sn盐、酸或其盐、表面活性剂的浓度比、浓度、优选的化合物如上所述。另外，作为Sn盐，也可以使用上述Pb浓度为1.0ppm以下的上述Sn盐。除硫系化合物、Sn盐、酸或其盐、表面活性剂以外，优选进一步含有上述晶体调节剂、有机溶剂、抗氧化剂、螯合剂。为了制备Sn合金镀液，如上所述，优选进一步含有选自Ag盐、Cu盐、Bi盐、In盐、Au盐、Sb盐、Zn盐、Ni盐等中的1种以上的除Sn以外的金属盐。
[2-2.镀覆工序]
如图1所示，本发明的一实施方式的Sn或Sn合金镀覆物的制造方法具备镀覆工序S2。使用上述镀液制备工序S1中制备的镀液，制造Sn或Sn合金镀覆物。对于电流密度并不特别限定，优选在1～20A/dm2的范围内进行镀覆。更优选的范围是2～6A/dm2。另外，进行必要的预处理、后处理，得到Sn或Sn合金镀覆物。
另外，根据Sn或Sn合金镀覆物的制造方法，其特征在于，上述镀覆物的覆膜是低α级Sn或Sn合金镀覆膜(小于0.01计数/小时/cm2)。在此，图2中示出Sn中的Pb含量与α射线量(计数/小时/cm2)的关系。这样Sn中的Pb含量与α射线量呈现比例关系，Pb含量增加时α射线量也增加。根据这些数据算出近似式为α射线量(计数/小时/cm2)＝0.0048×Pb含量(ppm)+0.0005。根据该近似式，相当于0.01计数/小时/cm2的Pb含量为2.0ppm。即，特征在于上述低α级Sn镀覆膜的Pb浓度小于2.0ppm。若如此，则能够降低Pb浓度，能够防止带来设备操作不良的影响。
实施例
接着，通过实施例对本发明的一实施方式的Sn或Sn合金电镀液以及Sn或Sn合金镀覆物的制造方法进行详细说明。需要说明的是，本发明不限于这些实施例。
[实施例1]
实施例1中，作为Sn电镀液，加入硫系化合物、Sn盐、有机酸、表面活性剂。作为硫系化合物，加入5g/L二苄基二硫化物。作为Sn盐，加入以Sn(Sn2+)计40g/L链烷磺酸Sn(II)，作为有机酸加入155.3g/L有机磺酸，作为表面活性剂加入5g/L聚氧乙烯烷基苯基醚。此外，作为晶体调节剂加入0.15g/L 2-巯基苯并噻唑。镀液的液温为30℃，电流密度为4A/dm2。并且，在实施例1中，还制备了使用Pb浓度为1.0ppm以下的低浓度Pb的Sn盐的镀液。
此时的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为15.454ppm，低浓度Pb的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为0.407ppm。
然后使用上述2种镀液，分别进行Sn电镀，测定Pb的共析率(％)、Pb共析量、析出电位。需要说明的是，使用日立高新技术公司制ZA3300来测定使用以下Sn盐时的Pb析出量，使用安捷伦公司制Agilent 7700系列的ICP-MS来测定低浓度Pb的Sn盐。另外，对于析出电位，使用BAS公司制的型号2325双恒电位仪。
[实施例2]
实施例2中，作为硫系化合物，加入5g/L 4,4'-二吡啶基二硫化物。另外，Sn盐、有机酸、表面活性剂、晶体调节剂、液温、电流密度的条件与实施例1相同。
此时的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为15.454ppm，低浓度Pb的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为0.407ppm。
然后使用上述2种镀液，分别进行Sn电镀，测定Pb的共析率(％)、Pb共析量、析出电位。
[实施例3]
实施例3中，作为硫系化合物，加入5g/L二苯基二硫化物。另外，Sn盐、有机酸、表面活性剂、晶体调节剂、液温、电流密度的条件与实施例1相同。
此时的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为15.454ppm，低浓度Pb的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为0.407ppm。
然后使用上述2种镀液，分别进行Sn电镀，测定Pb的共析率(％)、Pb共析量、析出电位。
[实施例4]
实施例4中，作为硫系化合物，加入5g/L 2,2-二硫代二苯胺。另外，Sn盐、有机酸、表面活性剂、晶体调节剂、液温、电流密度的条件与实施例1相同。
此时的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为25.885ppm，低浓度Pb的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为0.407ppm。
然后使用上述2种镀液，分别进行Sn电镀，测定Pb的共析率(％)、Pb共析量、析出电位。
[实施例5]
实施例5中，作为硫系化合物，加入5g/L 2-氨基苯硫醇。另外，Sn盐、有机酸、表面活性剂、晶体调节剂、液温、电流密度的条件与实施例1相同。
此时的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为15.454ppm，低浓度Pb的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为0.407ppm。
然后使用上述2种镀液，分别进行Sn电镀，测定Pb的共析率(％)、Pb共析量、析出电位。
[实施例6]
实施例6中，作为硫系化合物，加入5g/L 2,2-二吡啶基二硫化物。另外，Sn盐、有机酸、表面活性剂、晶体调节剂、液温、电流密度的条件与实施例1相同。
此时的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为26.236ppm，低浓度Pb的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为0.407ppm。
然后使用上述2种镀液，分别进行Sn电镀，测定Pb的共析率(％)、Pb共析量、析出电位。
[实施例7]
实施例7中，作为硫系化合物，加入5g/L 2-巯基吡啶。另外，Sn盐、有机酸、表面活性剂、晶体调节剂、液温、电流密度的条件与实施例1相同。
此时的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为15.454ppm，低浓度Pb的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为0.407ppm。
然后使用上述2种镀液，分别进行Sn电镀，测定Pb的共析率(％)、Pb共析量、析出电位。
[实施例8]
实施例8中，作为硫系化合物，加入5g/L 2-巯基吡啶N-氧化物Na盐。另外，Sn盐、有机酸、表面活性剂、晶体调节剂、液温、电流密度的条件与实施例1相同。
此时的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为15.454ppm，低浓度Pb的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为0.407ppm。
然后使用上述2种镀液，分别进行Sn电镀，测定Pb的共析率(％)、Pb共析量、析出电位。
[实施例9]
实施例9中，作为硫系化合物，加入5g/L 2,2-二硫代二苯胺。进一步，为了进行Sn-Ag合金镀覆，加入0.5g/L Ag盐。Sn盐、有机酸、表面活性剂、晶体调节剂、液温、电流密度的条件与实施例1相同。
此时的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为40.301ppm，低浓度Pb的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为0.826ppm。
然后使用上述2种镀液，分别进行Sn电镀，测定Pb的共析率(％)、Pb共析量、析出电位。
[实施例10]
实施例10中，作为硫系化合物，加入5g/L 2,2-二吡啶基二硫化物。进而，为了进行Sn-Ag合金镀覆，加入0.5g/L Ag盐。Sn盐、有机酸、表面活性剂、晶体调节剂、液温、电流密度的条件与实施例1相同。
此时的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为65.431ppm，低浓度Pb的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为0.407ppm。
然后使用上述2种镀液，分别进行Sn电镀，测定Pb的共析率(％)、Pb共析量、析出电位。
[比较例1]
比较例1中，未加入硫系化合物。另外，Sn盐、有机酸、表面活性剂、晶体调节剂、液温、电流密度的条件与实施例1相同。
此时的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为25.807ppm，低浓度Pb的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为0.407ppm。
然后使用上述2种镀液，分别进行Sn电镀，测定Pb的共析率(％)、Pb共析量、析出电位。
[比较例2]
比较例2中，作为硫系化合物，加入5g/L 3,6-二硫-1,8-辛二醇。另外，Sn盐、有机酸、表面活性剂、晶体调节剂、液温、电流密度的条件与实施例1相同。
此时的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为21.584ppm，低浓度Pb的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为0.407ppm。
然后使用上述2种镀液，分别进行Sn电镀，测定Pb的共析率(％)、Pb共析量、析出电位。
[比较例3]
比较例3中，作为硫系化合物，加入5g/L硫脲。另外，Sn盐、有机酸、表面活性剂、晶体调节剂、液温、电流密度的条件与实施例1相同。
此时的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为16.794ppm，低浓度Pb的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为0.407ppm。
然后使用上述2种镀液，分别进行Sn电镀，测定Pb的共析率(％)、Pb共析量、析出电位。
[比较例4]
比较例4中，作为硫系化合物，加入5g/L双(2-氨基苯基)硫醚。另外，Sn盐、有机酸、表面活性剂、晶体调节剂、液温、电流密度的条件与实施例1相同。
此时的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为15.065ppm，低浓度Pb的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为0.407ppm。
然后使用上述2种镀液，分别进行Sn电镀，测定Pb的共析率(％)、Pb共析量、析出电位。
[比较例5]
比较例5中，作为硫系化合物，加入5g/L 3-氨基吡啶。另外，Sn盐、有机酸、表面活性剂、晶体调节剂、液温、电流密度的条件与实施例1相同。需要说明的是，比较例5中，未制备使用低浓度Pb的Sn盐的镀液。
此时的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为16.068ppm。
然后使用上述镀液，分别进行Sn电镀，测定Pb的共析率(％)、Pb共析量。
[比较例6]
比较例6中，作为硫系化合物，与实施例4同样地加入5g/L 2,2-二硫代二苯胺，但是未加入有机酸、表面活性剂。其他Sn盐、晶体调节剂、液温、电流密度的条件与实施例1相同。
[比较例7]
比较例7中，作为硫系化合物，与实施例4同样地加入5g/L 2,2-二硫代二苯胺，但是未加入表面活性剂。其他Sn盐、有机酸、晶体调节剂、液温、电流密度的条件与实施例1相同。
[比较例8]
比较例8中，作为硫系化合物，加入5g/L 3,6-二硫-1,8-辛二醇。进而，为了进行Sn-Ag合金镀覆，加入0.5g/L Ag盐。Sn盐、有机酸、表面活性剂、晶体调节剂、液温、电流密度的条件与实施例1相同。
此时的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为26.734ppm，低浓度Pb的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为0.407ppm。
然后使用上述2种镀液，分别进行Sn电镀，测定Pb的共析率(％)、Pb共析量、析出电位。
[比较例9]
比较例9中，作为硫系化合物，加入5g/L硫脲。进而，为了进行Sn-Ag合金镀覆，加入0.5g/L Ag盐。另外，Sn盐、有机酸、表面活性剂、晶体调节剂、液温、电流密度的条件与实施例1相同。需要说明的是，比较例9中，未制备使用低浓度Pb的Sn盐的镀液。
此时的Sn盐的原料金属Sn中的Pb浓度为25.807ppm。
然后使用上述镀液，分别进行Sn电镀，测定Pb的共析率(％)、Pb共析量、析出电位。
需要说明的是，以镀覆膜中Pb含量(ppm)/Sn原材料中的Pb含量(ppm)×100算出Pb共析率(％)。将其结果示于表1。
[表1]
所有的实施例中，共析率的值小于所有比较例，Pb共析量的值也低。进一步，使用低浓度Pb的Sn盐的全部实施例的镀液中，值也小于所有比较例，Pb共析量的值也极低。另外，添加了用于本发明的一实施方式的Sn电镀液中的硫系化合物的实施例与比较例相比，Pb、Sn的析出电位向高或低移动，Pb、Sn的析出电位差扩大到0.06V以上。因此可知上述硫系化合物作为共析防止剂发挥作用。
另外，添加了上述式A或上述式B与上述R1或上述R2的2位或6位键合的硫系化合物即2,2-二硫代二苯胺、2-氨基苯硫醇、2,2-二吡啶基二硫化物、2-巯基吡啶、2-巯基吡啶N-氧化物的实施例4～7相比于与2位或6位以外键合的实施例1～3相比，在Sn盐的镀液和使用了低浓度Pb的Sn盐的镀液中，共析率的值低。
未添加有机酸和表面活性剂的比较例6与未添加表面活性剂的比较例7中，未形成覆膜，因此未能测定共析率、Pb浓度。作为没有形成覆膜的原因，认为是由于被镀覆物表面、Sn表面的pH没有保持恒定，表面电位不均匀，以及未能使被镀覆物、Sn晶体表面的电流密度均匀，不能在表面保持均匀的析出电位。因此，除上述硫系化合物、Sn盐以外，添加无机酸、有机酸或其水溶性盐、表面活性剂是重要的，与上述化合物组合是重要的。
另外，Sn-Ag合金镀液也一样，在实施例9和10中，与比较例8和9相比，共析率的值低，Pb共析量的值也低。进一步，使用低浓度Pb的Sn盐的所有实施例的镀液中，值低于所有比较例，Pb共析量的值也极低。另外，添加了用于本发明的一实施方式的Sn电镀液的硫系化合物的实施例中，与比较例相比，Pb、Sn的析出电位向高或低移动，Pb、Sn的析出电位差扩大到0.06V以上。因此可知上述硫系化合物作为共析防止剂发挥作用。
通过应用本发明的一实施方式的Sn或Sn合金电镀液以及Sn或Sn合金镀覆物的制造方法，能够提供通过各成分的作用来抑制Pb的共析，可以降低Pb浓度的Sn或Sn合金镀液。
需要说明的是，如上所述对本发明的各实施方式和各实施例进行了详细说明，对本领域技术人员而言显而易见的是，可以在实质上不超出本发明的新颖性和效果的范围内进行多种变形。因此，这些变形例全部包含在本发明的范围内。
例如，在说明书或附图中，与更广义或者同义的不同词语一起记载的至少出现一次的词语，可以在说明书或附图中的任意地方替换为该不同词语。另外，Sn或Sn合金电镀液以及Sn或Sn合金镀覆物的制造方法的构成、操作也不限于本发明的各实施方式和各实施例的说明，可以进行各种变形来实施。
附图标记说明
S1 镀液制备工序
S2 镀覆工序
Claims (7)
1.一种Sn或Sn合金电镀液，其特征在于，所述Sn或Sn合金电镀液用于形成供于焊接的镀覆物，其至少含有：
硫系化合物；
Sn盐；
选自无机酸、有机酸或其水溶性盐中的1种以上的酸或其水溶性盐；以及，
表面活性剂，
所述硫系化合物为下述通式所示的硫醇化合物(式A)、硫醇化合物(式A)的盐、或二硫化物(式B)，
式A：
HS-R1
式B：
R2-S-S-R2
其中，R1为
中的任一种，
R2为
中的任一种。
2.根据权利要求1所述的Sn或Sn合金电镀液，其特征在于，所述硫系化合物、所述Sn盐的Sn、所述酸或其水溶性盐、以及所述表面活性剂之间的浓度比以重量比计为1：0.2～700：1～3000：0.01～1000。
3.根据权利要求1或2所述的Sn或Sn合金电镀液，其特征在于，所述R1为所述通式(I)～(III)中的任一种，所述R2为所述通式(IV)或(V)，所述式A或所述式B与所述R1或所述R2的2位或6位键合。
4.根据权利要求1或2所述的Sn或Sn合金电镀液，其特征在于，所述酸或其水溶性盐为选自硫酸、盐酸、硝酸、磷酸、氨基磺酸、有机磺酸、羧酸或其盐中的1种以上的酸或其盐，
且所述表面活性剂为选自阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂中的1种以上。
5.根据权利要求1或2所述的Sn或Sn合金电镀液，其特征在于，其进一步含有选自Ag盐、Cu盐、Bi盐、In盐、Au盐、Sb盐、Zn盐、Ni盐中的1种以上的除Sn盐以外的金属盐。
6.一种Sn或Sn合金镀覆物的制造方法，其特征在于，所述Sn或Sn合金镀覆物的制造方法制造供于焊接的镀覆物，其具备：
制备Sn或Sn合金电镀液的镀液制备工序；以及，
使用所述镀液制造所述Sn或Sn合金镀覆物的镀覆工序，
在所述镀液制备工序中，使所述Sn或Sn合金电镀液至少含有硫系化合物、Sn盐、选自无机酸、有机酸或其水溶性盐中的1种以上的酸或其水溶性盐、以及表面活性剂来制备，
所述硫系化合物为下述通式所示的硫醇化合物(式A)、硫醇化合物(式A)的盐、或二硫化物(式B)，
式A：
HS-R1
式B：
R2-S-S-R2
其中，R1为
中的任一种，
R2为
中的任一种。
7.根据权利要求6所述的Sn或Sn合金镀覆物的制造方法，其特征在于，所述Sn或Sn合金镀覆物的覆膜是低α级Sn或Sn合金镀覆膜(小于0.01计数/小时/cm2)。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7275706B2 (ja) | 2019-03-20 | 2023-05-18 | セイコーエプソン株式会社 | 液体吐出ユニットおよび液体吐出装置 |
| JP7455675B2 (ja) | 2020-06-04 | 2024-03-26 | 上村工業株式会社 | 錫または錫合金めっき浴 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1432074A (zh) * | 2000-05-30 | 2003-07-23 | 马克斯·施洛特尔股份有限两合公司 | 用于电镀锡－银合金镀层的电解液和方法 |
| TW589411B (en) * | 1999-09-27 | 2004-06-01 | Ishihara Chemical Co Ltd | Alloy plating bath containing tin and copper, plating method for depositing alloy containing and copper, and article having a plated coating of alloy containing tin and copper formed thereon |
| JP2006265573A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Ishihara Chem Co Ltd | 非シアン系のスズ−銀合金電気メッキ浴 |
| TWI301516B (en) * | 2001-09-20 | 2008-10-01 | Daiwa Fine Chemicals Co Ltd | Tin of tin alloy plating bath,tin salt solution and acid or complexing agent solution for preparing or controlling and making up the plating bath,and electrical and electric components prepared by the use of the plating bath |
| CN101421439A (zh) * | 2006-04-14 | 2009-04-29 | 上村工业株式会社 | 锡电镀浴、镀锡膜、锡电镀方法及电子器件元件 |
| CN106661752A (zh) * | 2014-08-08 | 2017-05-10 | 奥野制药工业株式会社 | 铜－锡合金镀敷浴 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3301707B2 (ja) * | 1997-01-20 | 2002-07-15 | ディップソール株式会社 | 錫−銀合金酸性電気めっき浴 |
| JP5649805B2 (ja) | 2009-08-12 | 2015-01-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW589411B (en) * | 1999-09-27 | 2004-06-01 | Ishihara Chemical Co Ltd | Alloy plating bath containing tin and copper, plating method for depositing alloy containing and copper, and article having a plated coating of alloy containing tin and copper formed thereon |
| CN1432074A (zh) * | 2000-05-30 | 2003-07-23 | 马克斯·施洛特尔股份有限两合公司 | 用于电镀锡－银合金镀层的电解液和方法 |
| TWI301516B (en) * | 2001-09-20 | 2008-10-01 | Daiwa Fine Chemicals Co Ltd | Tin of tin alloy plating bath,tin salt solution and acid or complexing agent solution for preparing or controlling and making up the plating bath,and electrical and electric components prepared by the use of the plating bath |
| JP2006265573A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Ishihara Chem Co Ltd | 非シアン系のスズ−銀合金電気メッキ浴 |
| CN101421439A (zh) * | 2006-04-14 | 2009-04-29 | 上村工业株式会社 | 锡电镀浴、镀锡膜、锡电镀方法及电子器件元件 |
| CN106661752A (zh) * | 2014-08-08 | 2017-05-10 | 奥野制药工业株式会社 | 铜－锡合金镀敷浴 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114214677A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-03-22 | 佛山亚特表面技术材料有限公司 | 一种酸性镀铜深孔剂及其制备方法与电镀方法 |
Also Published As
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