CN111294009A - 声波装置、滤波器和多路复用器 - Google Patents
声波装置、滤波器和多路复用器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111294009A CN111294009A CN201911179336.8A CN201911179336A CN111294009A CN 111294009 A CN111294009 A CN 111294009A CN 201911179336 A CN201911179336 A CN 201911179336A CN 111294009 A CN111294009 A CN 111294009A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode fingers
- acoustic wave
- convex
- arrangement direction
- concave portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 78
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 78
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 14
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 27
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 27
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 15
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 14
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 4
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14538—Formation
- H03H9/14541—Multilayer finger or busbar electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/0004—Impedance-matching networks
- H03H9/0009—Impedance-matching networks using surface acoustic wave devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02897—Means for compensation or elimination of undesirable effects of strain or mechanical damage, e.g. strain due to bending influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
- H03H9/1457—Transducers having different finger widths
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6489—Compensation of undesirable effects
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
- H03H9/725—Duplexers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6483—Ladder SAW filters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
本发明涉及声波装置、滤波器和多路复用器。该声波装置包括：压电基板；以及位于所述压电基板上的一对梳状电极，所述一对梳状电极中的每个梳状电极均包括多个电极指，所述多个电极指的彼此面对的侧表面具有在所述多个电极指的延伸方向上布置的多个凸部和多个凹部，所述多个凸部和所述多个凹部的端部变窄。
Description
技术领域
本发明的特定方面涉及声波装置、滤波器和多路复用器(multiplexer)。
背景技术
在以移动电话为代表的高频通信系统中，高频滤波器已被用于去除除了用于通信的频带中的信号之外的不必要信号。在高频滤波器中使用包括表面声波(SAW)元件的声波装置。SAW元件是例如在日本特开2016-136712号公报(下文中，被称为专利文献1)公开的其中在压电基板上形成包括一对梳状电极的叉指换能器(IDT)的元件。
发明内容
根据本发明的第一方面，提供了一种声波装置，该声波装置包括：压电基板；以及位于所述压电基板上的一对梳状电极，所述一对梳状电极中的每个梳状电极均包括多个电极指，所述多个电极指的彼此面对的侧表面具有在所述多个电极指的延伸方向上布置的多个凸部和多个凹部，所述多个凸部和所述多个凹部的端部变窄。
根据本公开的第二方面，提供了一种包括以上声波装置的滤波器。
根据本公开的第三方面，提供了一种包括以上滤波器的多路复用器。
附图说明
图1A是第一实施方式中的声波谐振器的平面图，并且图1B是沿着图1A中的线A-A截取的剖视图；
图2是第一实施方式中的声波谐振器的放大平面图；
图3A和图3B是第一实施方式中的声波谐振器的放大剖视图；
图4是第一实施方式的第一变型例中的声波谐振器的放大平面图；
图5是按照第一实施方式的第二变型例的声波谐振器的放大平面图；
图6是按照第二实施方式的声波谐振器的放大平面图；
图7A和图7B是第二实施方式中的声波谐振器的放大剖视图；
图8A至图8D是例示了第二实施方式中的声波谐振器的制造方法的剖视图(第一)；
图9A至图9C是例示了第二实施方式中的声波谐振器的制造方法的剖视图(第二)；
图10是第二实施方式的第一变型例中的声波谐振器的放大剖视图；
图11A和图11B分别是按照第二实施方式的第二变型例和第三变型例的声波谐振器的放大剖视图；以及
图12A是按照第三实施方式的滤波器的平面图，并且图12B是按照第三实施方式的第一变型例的双工器(duplexer)的电路图。
具体实施方式
期望减小声波装置的尺寸。
下文中，参照附图，将描述本公开的实施方式。
第一实施方式
将描述声波谐振器作为声波装置的示例。图1A是第一实施方式中的声波谐振器的平面图，并且图1B是沿着图1A中的线A-A截取的剖视图。电极指沿着其布置的方向(电极指的布置方向)被定义为X方向，电极指沿着其延伸的方向(电极指的延伸方向)被定义为Y方向，并且与压电基板正交的方向(压电基板的法线方向)被定义为Z方向。X、Y和Z方向不一定对应于压电基板10的晶体取向。
如图1A和图1B中例示的，声波谐振器24包括IDT 20和反射器22。IDT 20和反射器22位于压电基板10上。压电基板10是例如钽酸锂基板、铌酸锂基板或晶体基板。当压电基板10是旋转的Y切割X传播的钽酸锂基板或旋转的Y切割X传播的铌酸锂基板时，X方向对应于压电基板10的晶体取向的X轴取向。IDT 20和反射器22由金属膜12形成。金属膜12主要由例如铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、铱(Ir)、铂(Pt)、铼(Re)、铑(Rh)、钌(Ru)、钽(Ta)和钨(W)中的至少一种构成。
IDT 20包括一对梳状电极18。梳状电极18中的每个均包括多个电极指14和联接到电极指14的汇流条16。梳状电极18中的一个的电极指14和梳状电极18中的另一个的电极指14交替地布置在IDT 20的至少部分中。梳状电极18中的一个的电极指14在X方向上面对梳状电极18中的另一个的电极指14的区域是交叠区域25。反射器22形成在X方向上的IDT 20的两侧。反射器22反射声波。用λ表示梳状电极18中的一个的电极指14的节距。λ对应于由IDT 20激发的表面声波的波长。
压电基板10可被结合到诸如但不限于硅基板、蓝宝石基板、氧化铝基板、尖晶石基板、玻璃基板或晶体基板的支撑基板上。诸如但不限于氧化硅膜或氮化铝膜这样的绝缘膜可位于支撑基板和压电基板10之间。诸如但不限于氧化硅膜或氮化硅膜这样的绝缘膜可被设置为覆盖金属膜12。绝缘膜的膜厚度可大于金属膜12的膜厚度，或者可小于金属膜12的膜厚度。
图2是第一实施方式中的声波谐振器的放大平面图。例示了交叠区域中的一些电极指。如图2中例示的，在交叠区域25中的电极指14的X方向上的侧表面具有Y方向上的凸部30和凹部32。凸部30在Y方向上以随机间隔定位。在X方向上彼此靠近的凸部30和凹部32之间的距离是随机的。电极指14的Y方向上的侧表面和汇流条16的Y方向上的侧表面在X方向上大体是平坦的。在图2中，用直线例示凸部30和凹部32的外周边，但是凸部30和凹部32的外周边可以是弯曲的。
电极指14的节距(电极指14的中心之间的距离)为λ/2。用Dmin表示在Y方向上相邻的凸部30之间的最小间隔(即，凸部30当中的以最窄间隔彼此相邻定位的凸部30之间的间隔)，并且用Dmax表示在Y方向上相邻的凸部30之间的最大间隔(即，凸部30当中的以最宽间隔彼此相邻定位的凸部30之间的间隔)。用2D表示Dmin与Dmax之和(2D＝Dmax+Dmin)。用Lmin表示彼此靠近定位的凸部30和凹部32之间的X方向上的最小距离(即，第一凸部30的顶部和第一凹部32的底部之间的距离，其中，第一凸部30和第一凹部32彼此靠近定位，并且在彼此靠近定位的凸部30和凹部32之间的X方向上的距离当中，第一凸部30的顶部和第一凹部32的底部之间的X方向上的距离最小)。用Lmax表示彼此靠近定位的凸部30和凹部32之间的X方向上的最大距离(即，第二凸部30的顶部和第二凹部32的底部之间的距离，其中，第二凸部30和第二凹部32彼此靠近定位，并且在彼此靠近定位的凸部30和凹部32之间的X方向上的距离当中，第二凸部30的顶部和第二凹部32的底部之间的X方向上的距离最大)。用2L表示Lmin与Lmax之和(2L＝Lmax+Lmin)。
这里，当通过显微镜观察在Y方向上连续定位的10个(更优选地，20个，进一步优选地，50个)凸部30和在Y方向上连续定位的10个凹部32的Dmin、Dmax、Lmin和Lmax并且计算2D和2L时，计算出的2D和2L与针对一个电极指14计算出的2D和2L相差不大。因此，测量在Y方向上连续定位的10个凸部30和在Y方向上连续定位的10个凹部32的Dmin、Dmax、Lmin和Lmax对于计算2D和2L是足够的。
图3A和图3B是第一实施方式中的声波谐振器的放大剖视图。如图3A中例示的，电极指14的X方向上的侧表面在Z方向上是大体平坦的。如图3B中例示的，电极指14的X方向上的侧表面在Z方向上具有凸部30a和凹部32a。在这种情况下，当通过光学显微镜或电子显微镜从Z方向观察电极指14时，显微镜在Z方向上的聚焦位置位于同一XY平面中。在显微镜在Z方向上的聚焦位置测量Dmin、Dmax、Lmin和Lmax就足够了。如图3A中例示的，电极指14的侧表面在Z方向上可以是大体平坦的(例如，X方向上的不平坦度等于或小于由凸部30和凹部32形成的Y方向上的不平坦度的十分之一)。如图3B中例示的，电极指14的侧表面可在Z方向上具有凸部30a和凹部32a。
如图3A中例示的，在假定电极指14的侧表面在Z方向上是平坦的情况下，计算彼此面对的一对电极指14之间的静电电容。假定Dmin＝Dmax＝D并且Lmin＝Lmax＝L。假定凸部30和凹部32的外周边是线性的。假定D＝λ/20。计算在L＝0、L＝0.01λ和L＝0.02λ的各情况下的电极指14之间的静电电容。基于计算出的静电电容，计算具有与计算出的静电电容相同的静电电容的声波谐振器24的面积。用于计算声波谐振器24的面积的尺寸如下。在IDT20中，假定节距λ为4μm，电极指14的对数为50对，开口长度(Y方向上的交叠区域25的长度)为20λ，并且电极指14的占空比为50％。在反射器22中，假定对数为10对，并且开口长度和占空比与IDT20的开口长度和占空比相同。
表1列出了静电电容、谐振器的尺寸以及谐振器尺寸的减小率。“静电电容”被归一化，使得在L＝0的情况下的声波谐振器的静电电容为1。“谐振器尺寸”指示具有与在L＝0的情况下的声波谐振器相同的静电电容的声波谐振器的面积，并且被归一化，使得在L＝0的情况下的声波谐振器的尺寸为1。“谐振器尺寸的减小率”指示声波谐振器的尺寸相对于在L＝0的情况下的声波谐振器的尺寸的减小率(单位：％)。
表1
如表1中表示的，当L为0.01λ时，静电电容为在L＝0的情况下的声波谐振器的静电电容的1.0072倍。当制造具有与在L＝0的情况下的声波谐振器相同的静电电容的声波谐振器时，声波谐振器的尺寸比在L＝0的情况下的声波谐振器的尺寸小0.72％。当L为0.02λ时，静电电容为在L＝0的情况下的声波谐振器的静电电容的1.0145倍。当制造具有与在L＝0的情况下的声波谐振器相同的静电电容的声波谐振器时，声波谐振器的尺寸比在L＝0的情况下的声波谐振器小1.43％。
在第一实施方式中，在交叠区域25中的一对梳状电极18的电极指14的彼此面对的侧表面具有在Y方向(延伸方向)上布置的多个凸部30和多个凹部32。凸部30和凹部32中的端部窄。该结构使电极指14之间的静电电容(即，一对梳状电极18之间的静电电容)增大。当声波谐振器24被设计为具有相同的静电电容(即，阻抗)时，在电极指14之间具有较大静电电容的声波谐振器24具有较小的尺寸。因此，声波谐振器24的尺寸可减小。
大的2D(＝Dmax+Dmin)影响声波谐振器24的特性。当D等于或小于λ/8时，电极指14的侧表面的不平坦几乎不会影响声波谐振器24的特性。因此，2D优选地等于或小于λ(一对梳状电极中的一个的电极指的节距)的十六分之一(1/16)，更优选地等于或小于λ的三十二分之一(1/32)。当D太小时，电极指14之间的静电电容难以增加。因此，2D优选地等于或大于λ的千分之一(1/1000)，更优选地等于或大于λ的两百分之一(1/200)，进一步优选地等于或大于λ的百分之一(1/100)。
大的2L(＝Lmax+Lmin)影响声波谐振器24的特性。当L等于或小于λ/8时，电极指14的侧表面的不平坦几乎不会影响声波谐振器24的特性。因此，2L优选地等于或小于λ的十六分之一(1/16)，更优选地等于或小于λ的三十二分之一(1/32)，进一步优选地等于或小于λ的百分之一(1/100)。当L太小时，电极指14之间的静电电容难以增加。因此，2L优选地等于或大于λ的千分之一(1/1000)，更优选地等于或大于λ的两百分之一(1/200)，进一步优选地等于或大于λ的百分之一(1/100)。
当凸部30和凹部32在Y方向上规则地布置时，可能产生不必要的响应。因此，凸部30和凹部32优选地在Y方向上随机(即，不规则地)设置。
第一实施方式的第一变型例
图4是第一实施方式的第一变型例中的声波谐振器的放大平面图。如图4中例示的，凸部30和凹部32位于电极指14的Y方向上的侧表面50上。凸部30和凹部32位于汇流条16的Y方向上的侧表面52上。其他结构与第一实施方式的结构相同，因此省略对其的描述。
在第一实施方式的第一变型例中，电极指14的端部的侧表面50和汇流条16的面对侧表面50的侧表面52具有在X方向上布置的凸部30和凹部32。该结构增加了电极指14与汇流条16之间的静电电容。因此，声波谐振器24的尺寸进一步减小。
第一实施方式的第二变型例
图5是第一实施方式的第二变型例中的声波谐振器的放大平面图。如图5中例示的，在交叠区域25内的电极指14的彼此面对的侧表面之外的表面上，没有设置凸部30和凹部32。电极指14的侧表面具有在Y方向上规则布置的凸部30和凹部32。其他结构与第一实施方式的结构相同，因此省略对其的描述。
如在第一实施方式的第二变型例中，在梳状电极18的交叠区域25中的除了电极指14的侧表面之外的侧表面可以是平坦的。凸部30和凹部32可以被规则地设置。
第二实施方式
图6是第二实施方式中的声波谐振器的放大平面图。如图6中例示的，绝缘膜26位于电极指14的侧表面上。图7A和图7B是第二实施方式中的声波谐振器的放大剖视图。如图7A中例示的，绝缘膜26位于电极指14的X方向上的侧表面上，而不位于电极指14的上表面上。如图7B中例示的，绝缘膜26位于电极指14的侧表面和上表面上。绝缘膜26可位于电极指14的上表面上，或者可不一定设置在电极指14的上表面上。绝缘膜26由形成电极指14的金属膜12的氧化物制成。绝缘膜26的厚度为T。
第二实施方式的制造方法
图8A至图9C是例示了第二实施方式中的声波谐振器的制造方法的剖视图。如图8A中例示的，通过真空蒸发、离子辅助蒸发或溅射，在压电基板10上形成金属膜12。如图8B中例示的，将光致抗蚀剂43施用到金属膜12上。此后，执行烘烤。例如，光致抗蚀剂43是正型光致抗蚀剂。
如图8C中例示的，通过光掩模44利用曝光用光45照射光致抗蚀剂43。光致抗蚀剂43中的未被曝光用光45照射的区域43a不被曝光，并且光致抗蚀剂43中的被曝光用光45照射的区域43b被曝光。将成为凸部30和凹部32的图案被设置成用于形成梳状电极18的光掩模44的图案。如图8D中例示的，将光致抗蚀剂43显影以去除区域43b，由此形成开口43c。
如图9A中例示的，使用光致抗蚀剂43作为掩模，如箭头46所指示地对金属膜12进行湿法蚀刻或干法蚀刻。通过该处理对金属膜12进行图案化。如图9B中例示的，如箭头47所指示地去除光致抗蚀剂43。该处理由金属膜12形成IDT 20和反射器22。因此，形成了第一实施方式及其变型例的声波谐振器。
如图9C中例示的，使金属膜12的表面氧化，以形成绝缘膜26。例如，通过在氧气氛中进行热处理来形成绝缘膜26。当金属膜12是钼膜时，例如，在空气气氛中在200℃的温度下对金属膜12进行热处理达30分钟。该处理使金属膜12的表面氧化，由此形成由氧化钼形成的厚度为10nm至20nm的绝缘膜26。可通过使金属膜12的表面暴露于氧等离子体来形成绝缘膜26。
已描述了其中针对光掩模44设置将成为凸部30和凹部32的图案的示例，但是可通过酌情设定图9A中的蚀刻条件来形成凸部30和凹部32。可在图9A的步骤和图9C的步骤之间提供使电极指14的侧表面不平坦的步骤。使电极指14的侧表面不平坦的步骤的一个示例是用离子或等离子体照射电极指14的侧表面的步骤。
当向IDT 20施加大的电功率时，振动和/或应力被施加到电极指14。在如第一实施方式及其变型例中一样凸部30和凹部32位于电极指14的侧表面上的情况下，当振动和/或应力被施加到电极指14时，电极指14可能从凸部30和凹部32开始断裂。
在第二实施方式中，提供绝缘膜26以便覆盖电极指14的侧表面。即使在振动和/或应力被施加到电极指14时，该结构也允许绝缘膜26抑制电极指14断裂。绝缘膜26主要由作为电极指14的主要成分的金属元素的氧化物构成。如上所述，当绝缘膜26由电极指14的氧化物制成时，绝缘膜26与电极指14紧密接触。此外，当如图9C中例示地通过氧化金属膜12来形成绝缘膜26时，金属膜12与绝缘膜26之间的粘附性增加。因此，即使在振动和/或应力被施加到电极指14的情况下，绝缘膜26也进一步阻碍电极指14断裂。
作为电极指14的主要成分的金属元素是除了有意添加的杂质和不期望的杂质之外的成分，并且是电极指14中含50原子％以上(或80原子％以上)的金属元素。作为绝缘膜26的主要成分的金属元素的氧化物是除了有意添加的杂质和不期望的杂质之外的成分。“绝缘膜26主要由作为电极指14的主要成分的金属元素的氧化物构成”意指绝缘膜26包含作为电极指14的主要成分的50原子％以上(或80原子％以上)的金属元素。
当绝缘膜26厚时，减小了通过在电极指14的侧表面上设置凸部30和凹部32以增大电极指14之间的静电电容而实现的效果。因此，绝缘膜26的厚度T优选地等于或小于2L的1倍，更优选地等于或小于2L的一半(1/2)，并且进一步优选地等于或小于2L的四分之一(1/4)。当绝缘膜26薄时，阻碍电极指14断裂的效果降低。因此，绝缘膜26的厚度T等于或大于2L的百分之一(1/100)，更优选地等于或大于2L的五十分之一(1/50)，并且进一步优选地等于或大于2L的二十分之一(1/20)。
第二实施方式的第一变型例
图10是按照第二实施方式的第一变型例的声波谐振器的放大剖视图。如图10中例示的，在金属膜12中，晶粒54具有在Z方向上延伸的柱状形状，并且晶界56在Z方向上延伸。用Rmax表示在X方向上具有最大宽度的晶粒54的宽度，并且用Rmin表示在X方向上具有最小宽度的晶粒54的宽度。用2R＝Rmax+Rmin表示Rmin与Rmax之和。R为例如10nm至100nm。当金属膜12由钼制成时，R为40nm至50nm。
当通过TEM观察在X方向和/或Y方向上连续定位的10个(更优选地20个，进一步优选地50个)晶粒54的Rmin和Rmax并且计算2R时，计算出的2R与针对一个电极指14计算出的2R相差不大。因此，测量在X方向和/或Y方向上连续定位的10个晶粒54的Rmin和Rmax来计算2R是足够的。
在柱状结构中，晶界56是鲜明的。这是因为，晶粒54之间的结合弱和/或在晶粒54之间存在间隙。晶粒54的尺寸基本上均匀，并且晶粒54在Z方向上连续定位。因此，当向IDT20施加大的电功率时，金属膜12有可能从设置在凸部30和凹部32中的晶界56开始断裂。
为了使绝缘膜26阻碍金属膜12从晶界56开始断裂，绝缘膜26的厚度T优选地等于或大于2R的八分之一(1/8)，更优选地等于或大于2R的四分之一(1/4)。即使当绝缘膜26的厚度T大于R时，阻碍金属膜12从晶界56开始断裂的效果没有增强那么多。因此，绝缘膜26的厚度T优选地等于或小于2R的1倍，更优选地等于或小于2R的一半(1/2)。
难以将电极指14的侧表面上的凸部30和凹部32中的D和L配置成等于或小于R。因此，D优选地大于R，更优选地等于或大于R的2倍，进一步优选地等于或大于R的3倍。L优选地大于R，更优选地等于或大于R的2倍，进一步优选地等于或大于R的3倍。
当由IDT 20激发的表面声波的声速大于传播通过压电基板10的体波(例如，最慢的横向体波)的声速时，在发射体波的同时，表面声波传播通过压电基板10的表面。因此，出现损失。特别地，作为一种表面声波的水平剪切(shear horizontal，SH)波的声速大于体波的声速。因此，在SH波为主要模式的声波谐振器中，损失大。例如，在切割角为20°以上且48°以下的Y切割X传播钽酸锂基板的情况下，SH波为主要模式。
为了降低表面声波的声速，将具有大声阻抗的金属用于金属膜12。声阻抗Z随着密度和杨氏模量的增加而增加。原子序数较高的金属具有较大的密度，而较硬的金属具有较大的杨氏模量。这种金属是熔点高的高熔点金属。如上所述，当将高熔点金属用于金属膜12时，表面声波的声速减小，并且损失减小。另外，当表面声波的声速减小时，电极指14的节距减小。因此，声波谐振器的尺寸减小。
由于高熔点金属具有大量的电子和较小的原子半径，因此其金属键牢固。电迁移是金属原子由于电场而迁移的现象，并且应力迁移是金属原子由于应力而迁移的现象。因此在具有牢固金属键的高熔点金属中不太可能发生这些迁移。因此，当将高熔点金属用于金属膜12时，不太可能发生迁移。
例如，铝的熔点为660℃，密度为2.7g/cm3，杨氏模量为68GPa并且声阻抗为8.3GPa·s/m。作为高熔点金属的钼的熔点为2622℃，密度为10.2g/cm3，杨氏模量为329GPa并且声阻抗为35.9GPa·s/m。如上所示，钼的熔点比铝的熔点高2000℃，密度为铝的密度的大致4倍，杨氏模量为铝的杨氏模量的大致5倍，声阻抗为铝的声阻抗的大致4倍。
例如，铱、钼、铼、铑、钌和钨的熔点等于或大于铂的熔点(1774℃)。密度等于或大于Al的密度的4倍。
如上所述，熔点等于或大于铂熔点的高熔点金属具有高密度和高声阻抗。因此，当将这些金属用于金属膜12时，表面声波的声速减小，由此损失减小。另外，尺寸有可能减小。此外，由于熔点高，因此不太可能发生迁移。
然而，当在压电基板10上形成熔点等于或大于铂熔点的高熔点金属作为电极指14时，晶粒有可能具有柱状结构，而不管使用了真空蒸发或溅射中的哪种。因此，优选地设置绝缘膜26。
第二实施方式的第二变型例
图11A是按照第二实施方式的第二变型例的声波谐振器的放大剖视图。如图11A中例示的，金属膜13位于压电基板10和金属膜12之间。金属膜13是主要由例如钛、铬和/或镍构成的金属膜。金属膜13用作粘合膜或屏障膜。其他结构与第二实施方式的结构相同，因此省略对其的描述。
在第二实施方式的第二变型例中，绝缘膜26不位于金属膜13的侧表面上。然而，主要由作为金属膜13的主要成分的金属元素的氧化物构成的绝缘膜可位于金属膜13的侧表面上。
第二实施方式的第三变型例
图11B是按照第二实施方式的第三变型例的声波谐振器的放大剖视图。如图11B中例示的，电极指14可包括金属膜12上的金属膜15。金属膜15用作例如粘合层或屏障层，并且主要由钛、铬和/或镍构成。金属膜15可用作电阻率比金属膜12低的低电阻膜，并且可主要由金、铜或铝构成。其他结构与第二实施方式的结构相同，因此省略对其的描述。
在第二实施方式的第三变型例中，绝缘膜26不位于金属膜15的侧表面上也不位于其上表面上。然而，主要由作为金属膜15的主要成分的金属元素的氧化物构成的绝缘膜可位于金属膜15的侧表面和上表面上。
在第一实施方式和第二实施方式及其变型例中，电极指14可包括如第二实施方式的第二变型例和第三变型例中地叠堆的多个金属膜。绝缘膜26优选地位于金属膜当中的最厚金属膜的侧表面上。金属膜12主要用作电极指14。因此，金属膜13和15的厚度优选地等于或小于金属膜12的厚度，更优选地等于或小于金属膜12的厚度的一半(1/2)，进一步优选地等于或小于金属膜12的厚度的十分之一(1/10)。
第三实施方式
第三实施方式是包括根据第一实施方式和第二实施方式及其变型例中的任一个的声波谐振器的示例性滤波器。图12A是按照第三实施方式的滤波器的平面图。如图12A中例示的，声波谐振器24、布线28和焊盘27位于压电基板10上。凸块29位于焊盘27上。声波谐振器24包括IDT 20和反射器22。
声波谐振器24包括串联谐振器S1至S3和并联谐振器P1和P2。凸块29包括端子T1、T2和Tg。端子T1对应于被输入高频信号的输入端子。端子T2对应于从其输出高频信息号的输出端子。端子Tg对应于被供应地电势的接地端子。串联谐振器S1至S3在端子T1和T2之间串联连接，并且并联谐振器P1和P2在端子T1和T2之间并联连接。
如在第三实施方式中一样，根据第一实施方式和第二实施方式及其变型例中的任一个的声波谐振器24可被用作滤波器的谐振器中的至少一个。可按期望选择梯型滤波器的串联谐振器的数量和并联谐振器的数量。可在多模式滤波器中使用第一实施方式和第二实施方式及其变型例的声波谐振器。
图12B是按照第三实施方式的第一变型例的双工器的电路图。如图12B中例示的，发送滤波器40连接在公共端子Ant和发送端子Tx之间。接收滤波器42连接在公共端子Ant和接收端子Rx之间。发送滤波器40将从发送端子Tx输入的高频信号当中的发送频带中的信号发送到公共端子Ant，而抑制其他信号。接收滤波器42允许输入到公共端子Ant的高频信号当中的接收频带中的信号从中穿过，而抑制其他信号。
第二实施方式的滤波器可被用于发送滤波器40和接收滤波器42中的至少一个。描述作为多路复用器示例的双工器，但是多路复用器可以是三工器或四工器。
虽然已经详细描述了本发明的实施方式，但是要理解，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可对其进行各种改变、替换和更改。
Claims (10)
1.一种声波装置，该声波装置包括：
压电基板；以及
位于所述压电基板上的一对梳状电极，所述一对梳状电极中的每个梳状电极均包括多个电极指，所述多个电极指的彼此面对的侧表面具有在所述多个电极指的延伸方向上布置的多个凸部和多个凹部，所述多个凸部和所述多个凹部的端部变窄。
2.根据权利要求1所述的声波装置，其中，
所述多个凸部当中的以最小间隔彼此相邻定位的凸部的间隔与所述多个凸部当中的以最大间隔彼此相邻定位的凸部的间隔之和等于或小于所述一对梳状电极中的一个梳状电极的所述多个电极指的节距的1/16且等于或大于所述节距的1/1000。
3.根据权利要求2所述的声波装置，其中，
第一凸部的顶部和第一凹部的底部之间的所述多个电极指的布置方向上的距离与第二凸部的顶部和第二凹部的底部之间的所述布置方向上的距离之和等于或小于所述节距的1/16且等于或大于所述节距的1/1000，所述第一凸部和所述第一凹部彼此靠近定位，在所述多个凸部和所述多个凹部中的彼此靠近定位的凸部和凹部之间的所述布置方向上的距离当中，所述第一凸部的顶部和所述第一凹部的底部之间的所述布置方向上的距离最小，所述第二凸部和所述第二凹部彼此靠近定位，彼此靠近定位的所述凸部和所述凹部之间的所述布置方向上的距离当中，所述第二凸部的顶部和所述第二凹部的底部之间的所述布置方向上的距离最大。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的声波装置，其中，
所述多个凸部和所述多个凹部在所述延伸方向上不规则地定位。
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的声波装置，其中，
所述一对梳状电极中的每个梳状电极均包括汇流条，所述多个电极指连接到所述汇流条，
所述多个电极指的端部的侧表面和所述汇流条的面对所述端部的侧表面具有在所述多个电极指的布置方向上布置的凸部和凹部。
6.根据权利要求1至3中的任一项所述的声波装置，所述声波装置还包括：
绝缘膜，所述绝缘膜被设置成覆盖所述侧表面并且主要由作为所述多个电极指的主要成分的金属元素的氧化物构成。
7.根据权利要求6所述的声波装置，其中，
所述绝缘膜的厚度等于或小于第一凸部的顶部和第一凹部的底部之间的所述多个电极指的布置方向上的距离与第二凸部的顶部和第二凹部的底部之间的所述布置方向上的距离之和的1倍且等于或大于所述和的1/100，所述第一凸部和所述第一凹部彼此靠近定位，在所述多个凸部和所述多个凹部中的彼此靠近定位的凸部和凹部之间的所述布置方向上的距离当中，所述第一凸部的顶部和所述第一凹部的底部之间的所述布置方向上的距离最小，所述第二凸部和所述第二凹部彼此靠近定位，彼此靠近定位的所述凸部和所述凹部之间的所述布置方向上的距离当中，所述第二凸部的顶部和所述第二凹部的底部之间的所述布置方向上的距离最大。
8.根据权利要求6所述的声波装置，其中，
主要形成所述多个电极指的金属膜包括具有柱状形状的晶粒，并且
所述绝缘膜的厚度等于或小于所述晶粒当中的在所述多个电极指的布置方向上具有最大宽度的晶粒的宽度与所述晶粒当中的在所述布置方向上具有最小宽度的晶粒的宽度之和的1倍且等于或大于所述和的1/8。
9.一种滤波器，该滤波器包括：
根据权利要求1至3中的任一项所述的声波装置。
10.一种多路复用器，该多路复用器包括：
根据权利要求9所述的滤波器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018230909A JP2020096226A (ja) | 2018-12-10 | 2018-12-10 | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ |
| JP2018-230909 | 2018-12-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111294009A true CN111294009A (zh) | 2020-06-16 |
Family
ID=70971212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911179336.8A Pending CN111294009A (zh) | 2018-12-10 | 2019-11-27 | 声波装置、滤波器和多路复用器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11177790B2 (zh) |
| JP (1) | JP2020096226A (zh) |
| CN (1) | CN111294009A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115567027A (zh) * | 2022-11-03 | 2023-01-03 | 常州承芯半导体有限公司 | 换能装置、声表面波谐振装置及其形成方法、滤波装置 |
| WO2023045732A1 (zh) * | 2021-09-27 | 2023-03-30 | 江苏卓胜微电子股份有限公司 | 一种声表面波谐振器和射频滤波器 |
| WO2023045733A1 (zh) * | 2021-09-27 | 2023-03-30 | 江苏卓胜微电子股份有限公司 | 一种声表面波谐振器和射频滤波器 |
| WO2023116172A1 (zh) * | 2021-12-23 | 2023-06-29 | Tcl科技集团股份有限公司 | 发光二极管及其制备方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7429612B2 (ja) | 2020-06-26 | 2024-02-08 | ＮＤＫ ＳＡＷ ｄｅｖｉｃｅｓ株式会社 | 弾性表面波フィルタ及び弾性表面波デバイス |
| CN112953454B (zh) * | 2021-03-16 | 2022-10-11 | 电子科技大学 | 一种高频、低损耗的声表面波谐振器及其制备方法 |
| WO2023189334A1 (ja) * | 2022-03-30 | 2023-10-05 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波センサおよびその製造方法 |
Citations (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56153817A (en) * | 1980-04-30 | 1981-11-28 | Toshiba Corp | Surface wave filter element |
| WO1996012344A1 (en) * | 1994-10-13 | 1996-04-25 | Kobe Steel Usa, Inc. | Diamond surface acoustic wave devices and associated method |
| JPH09205339A (ja) * | 1996-01-25 | 1997-08-05 | Japan Radio Co Ltd | 弾性表面波素子 |
| US5929723A (en) * | 1995-09-21 | 1999-07-27 | Tdk Corporation | Surface acoustic wave apparatus having an electrode that is a doped alloy film |
| CN1236505A (zh) * | 1997-07-28 | 1999-11-24 | 东芝株式会社 | 表面声波滤波器及其制造方法 |
| JP2001085969A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-03-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波デバイス |
| JP2002368568A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波素子 |
| US20040201306A1 (en) * | 2003-04-08 | 2004-10-14 | Kazuhiko Yamanouchi | Surface acoustic wave transducer |
| CN1705225A (zh) * | 2004-05-31 | 2005-12-07 | 富士通媒体部品株式会社 | 表面声波器件 |
| US20070103038A1 (en) * | 2005-11-10 | 2007-05-10 | Atsushi Kamijo | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same |
| US20090243430A1 (en) * | 2004-10-26 | 2009-10-01 | Kyocera Corporation | Surface Acoustic Wave Element and Communication Device |
| US8134278B2 (en) * | 2009-09-25 | 2012-03-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and surface acoustic wave biosensor |
| CN102931942A (zh) * | 2011-08-09 | 2013-02-13 | 太阳诱电株式会社 | 声波器件 |
| CN103973258A (zh) * | 2013-01-28 | 2014-08-06 | 太阳诱电株式会社 | 压电薄膜谐振器、滤波器和双工器 |
| CN104617911A (zh) * | 2013-11-01 | 2015-05-13 | 太阳诱电株式会社 | 表面声波器件和滤波器 |
| CN105281701A (zh) * | 2014-07-25 | 2016-01-27 | 太阳诱电株式会社 | 滤波器和双工器 |
| CN105530000A (zh) * | 2014-10-16 | 2016-04-27 | 太阳诱电株式会社 | 声波器件、滤波器和分波器 |
| CN105720941A (zh) * | 2014-12-19 | 2016-06-29 | 太阳诱电株式会社 | 声波器件 |
| CN106301277A (zh) * | 2015-06-24 | 2017-01-04 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
| US20170170808A1 (en) * | 2015-12-14 | 2017-06-15 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave resonator, filter, and duplexer |
| CN107070431A (zh) * | 2016-01-13 | 2017-08-18 | 太阳诱电株式会社 | 声波谐振器、滤波器和双工器 |
| CN107528564A (zh) * | 2016-06-22 | 2017-12-29 | 太阳诱电株式会社 | 声波谐振器、滤波器和多工器 |
| US10009009B2 (en) * | 2013-05-29 | 2018-06-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device including electrode fingers with elongated sections |
| CN108696266A (zh) * | 2017-04-07 | 2018-10-23 | 太阳诱电株式会社 | 声波谐振器、滤波器和复用器 |
| JP2018191115A (ja) * | 2017-05-01 | 2018-11-29 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7227293B2 (en) * | 2005-05-11 | 2007-06-05 | Tai-Saw Technology Co., Ltd. | Surface acoustic wave device with electro-static discharge protection |
| US7545237B2 (en) * | 2006-12-20 | 2009-06-09 | Sitime Inc. | Serrated MEMS resonators |
| EP3022841A1 (en) * | 2013-07-18 | 2016-05-25 | Epcos AG | Electroacoustic transducer with improved suppression of unwanted modes |
| JP6494447B2 (ja) | 2015-01-20 | 2019-04-03 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| US10355668B2 (en) | 2015-01-20 | 2019-07-16 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device |
-
2018
- 2018-12-10 JP JP2018230909A patent/JP2020096226A/ja active Pending
-
2019
- 2019-10-10 US US16/598,612 patent/US11177790B2/en active Active
- 2019-11-27 CN CN201911179336.8A patent/CN111294009A/zh active Pending
Patent Citations (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56153817A (en) * | 1980-04-30 | 1981-11-28 | Toshiba Corp | Surface wave filter element |
| WO1996012344A1 (en) * | 1994-10-13 | 1996-04-25 | Kobe Steel Usa, Inc. | Diamond surface acoustic wave devices and associated method |
| US5929723A (en) * | 1995-09-21 | 1999-07-27 | Tdk Corporation | Surface acoustic wave apparatus having an electrode that is a doped alloy film |
| JPH09205339A (ja) * | 1996-01-25 | 1997-08-05 | Japan Radio Co Ltd | 弾性表面波素子 |
| CN1236505A (zh) * | 1997-07-28 | 1999-11-24 | 东芝株式会社 | 表面声波滤波器及其制造方法 |
| JP2001085969A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-03-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波デバイス |
| JP2002368568A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波素子 |
| US20040201306A1 (en) * | 2003-04-08 | 2004-10-14 | Kazuhiko Yamanouchi | Surface acoustic wave transducer |
| CN1705225A (zh) * | 2004-05-31 | 2005-12-07 | 富士通媒体部品株式会社 | 表面声波器件 |
| US20090243430A1 (en) * | 2004-10-26 | 2009-10-01 | Kyocera Corporation | Surface Acoustic Wave Element and Communication Device |
| US20070103038A1 (en) * | 2005-11-10 | 2007-05-10 | Atsushi Kamijo | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same |
| US8134278B2 (en) * | 2009-09-25 | 2012-03-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and surface acoustic wave biosensor |
| CN102931942A (zh) * | 2011-08-09 | 2013-02-13 | 太阳诱电株式会社 | 声波器件 |
| CN103973258A (zh) * | 2013-01-28 | 2014-08-06 | 太阳诱电株式会社 | 压电薄膜谐振器、滤波器和双工器 |
| US10009009B2 (en) * | 2013-05-29 | 2018-06-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device including electrode fingers with elongated sections |
| CN104617911A (zh) * | 2013-11-01 | 2015-05-13 | 太阳诱电株式会社 | 表面声波器件和滤波器 |
| CN105281701A (zh) * | 2014-07-25 | 2016-01-27 | 太阳诱电株式会社 | 滤波器和双工器 |
| CN105530000A (zh) * | 2014-10-16 | 2016-04-27 | 太阳诱电株式会社 | 声波器件、滤波器和分波器 |
| CN105720941A (zh) * | 2014-12-19 | 2016-06-29 | 太阳诱电株式会社 | 声波器件 |
| CN106301277A (zh) * | 2015-06-24 | 2017-01-04 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
| US20170170808A1 (en) * | 2015-12-14 | 2017-06-15 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave resonator, filter, and duplexer |
| CN107070431A (zh) * | 2016-01-13 | 2017-08-18 | 太阳诱电株式会社 | 声波谐振器、滤波器和双工器 |
| CN107528564A (zh) * | 2016-06-22 | 2017-12-29 | 太阳诱电株式会社 | 声波谐振器、滤波器和多工器 |
| CN108696266A (zh) * | 2017-04-07 | 2018-10-23 | 太阳诱电株式会社 | 声波谐振器、滤波器和复用器 |
| JP2018191115A (ja) * | 2017-05-01 | 2018-11-29 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023045732A1 (zh) * | 2021-09-27 | 2023-03-30 | 江苏卓胜微电子股份有限公司 | 一种声表面波谐振器和射频滤波器 |
| WO2023045733A1 (zh) * | 2021-09-27 | 2023-03-30 | 江苏卓胜微电子股份有限公司 | 一种声表面波谐振器和射频滤波器 |
| WO2023116172A1 (zh) * | 2021-12-23 | 2023-06-29 | Tcl科技集团股份有限公司 | 发光二极管及其制备方法 |
| CN115567027A (zh) * | 2022-11-03 | 2023-01-03 | 常州承芯半导体有限公司 | 换能装置、声表面波谐振装置及其形成方法、滤波装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2020096226A (ja) | 2020-06-18 |
| US20200186123A1 (en) | 2020-06-11 |
| US11177790B2 (en) | 2021-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11177790B2 (en) | Acoustic wave device, filter, and multiplexer | |
| US10700662B2 (en) | Acoustic wave device, filter, and multiplexer | |
| JP7169083B2 (ja) | 弾性波デバイスおよびマルチプレクサ | |
| JP5663744B2 (ja) | 弾性波素子と、これを用いた電子機器 | |
| KR102140089B1 (ko) | 탄성파 공진기, 필터 및 멀티플렉서 | |
| US20220216846A1 (en) | Acoustic wave device | |
| JP7278305B2 (ja) | 弾性波装置、分波器および通信装置 | |
| KR102441867B1 (ko) | 탄성파 장치 | |
| US20210384885A1 (en) | Surface acoustic wave device | |
| JP6756722B2 (ja) | 弾性波素子および弾性波装置 | |
| JP7403239B2 (ja) | 弾性波デバイス、フィルタ、及びマルチプレクサ | |
| JP2018050135A (ja) | 弾性波デバイス及び弾性波デバイスの製造方法 | |
| JP6681380B2 (ja) | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ | |
| US11108375B2 (en) | Acoustic wave device, method of fabricating the same, filter, and multiplexer | |
| JP7406305B2 (ja) | 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ | |
| JP7397573B2 (ja) | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ | |
| WO2021157714A1 (ja) | 弾性波装置 | |
| JP7068974B2 (ja) | ラダー型フィルタ及びマルチプレクサ | |
| JP7033010B2 (ja) | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ | |
| CN115699574A (zh) | 弹性波装置 | |
| JP2021027401A (ja) | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ | |
| WO2018100840A1 (ja) | 弾性波装置及びその製造方法、高周波フロントエンド回路、並びに通信装置 | |
| WO2024106120A1 (ja) | 弾性波装置 | |
| JP2021150921A (ja) | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ | |
| CN115104256A (zh) | 弹性波装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20200616 |