CN115567027A - 换能装置、声表面波谐振装置及其形成方法、滤波装置 - Google Patents
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Abstract
一种换能装置、声表面波谐振装置及其形成方法、滤波装置,其中声表面波谐振装置包括:压电基底;位于压电基底上的换能装置,所述换能装置包括:多个电极条,多个所述电极条沿第一方向平行放置,所述电极条包括第一层及位于所述第一层上方的第二层,所述第一层中的第一晶粒的平均直径小于所述第二层中的第二晶粒的平均直径。所述声表面波谐振装置的性能得到提升。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域,尤其涉及一种换能装置、声表面波谐振装置及其形成方法、滤波装置。
背景技术
随着通信技术的发展,滤波器已广泛应用于各种通信电子设备之中。
目前商用滤波器主要有声表面波(Surface Acoustic Wave,简称SAW)滤波器、体声波(Bulk Acoustic Wave,简称BAW)滤波器、低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-firedCeramics,简称LTCC)滤波器等。声表面波滤波器拥有良好的插入损耗及面积小等优点,因此广泛应用于手机等消费电子终端。
然而,所述声表面波滤波器在高功率下的可靠性还有待改善。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种换能装置、声表面波谐振装置及其形成方法、滤波装置,以改善声表面波滤波器在高功率下的可靠性。
为解决上述技术问题,本发明技术方案提供一种换能装置,包括:多个电极条,多个所述电极条沿第一方向平行放置,所述电极条包括第一层及位于所述第一层上方的第二层,所述第一层中的第一晶粒的平均直径小于所述第二层中的第二晶粒的平均直径。
可选的,所述第一层材料的屈服强度大于所述第二层材料的屈服强度。
可选的,所述第一层材料的电阻率大于所述第二层材料的电阻率。
可选的,所述第一层的材料包括铝钕合金,其中,钕原子在所述铝钕合金中的原子百分比含量为1%~8%。
可选的,所述第二层的材料包括铝铜合金或铝,其中,铜原子在所述铝铜合金中的原子百分比含量为0.5%~4%。
可选的,所述电极条还包括:第三层,所述第三层位于所述第二层上,用于抑制电迁移,所述第三层材料的密度大于所述第二层材料的密度。
可选的,所述第三层的材料包括金属或金属氮化物;其中,所述金属包括钛、镍、钼、铜或铂;所述金属氮化物包括氮化钛。
可选的,所述第一层的厚度小于或等于所述电极条厚度的50%。
可选的,所述电极条还包括:第一接合层,位于所述第一层与所述第二层之间。
可选的,所述第一接合层的材料包括金属或金属氮化物;其中,所述金属包括钛、钛钨合金或镍铬合金;所述金属氮化物包括氮化钛。
相应地,本发明技术方案还提供一种声表面波谐振装置,包括:压电基底;位于所述压电基底上的换能装置。
可选的,所述电极条还包括:第二接合层,所述第二接合层位于所述压电基底与所述第一层之间。
可选的,所述第二接合层的材料包括金属或金属氮化物;其中,所述金属包括钛、钛钨合金或镍铬合金;所述金属氮化物包括氮化钛。
相应地,本发明技术方案还提供一种滤波装置,包括:若干声表面波谐振装置。
相应地,本发明技术方案还提供一种声表面波谐振装置的形成方法,包括:提供压电基底;
可选的,在所述压电基底上形成换能装置,所述换能装置包括:多个电极条,多个所述电极条沿平行于压电基底表面的第一方向平行放置,其中,所述电极条包括:第一层及位于所述第一层上方的第二层,所述第一层中的第一晶粒的平均直径小于所述第二层中的第二晶粒的平均直径。
可选的,所述第一层材料的屈服强度大于所述第二层材料的第二屈服强度。
可选的,所述第一层材料的电阻率大于所述第二层材料的电阻率。
可选的,形成多个所述电极条包括:在压电基底上方形成第一材料层;在所述第一材料层上方形成第二材料层;图形化所述第二材料层和所述第一材料层,形成多个所述电极条。
可选的,形成多个所述电极条还包括:形成所述第二材料层之前,形成第一接合材料层,所述第一接合材料层位于所述第一材料层上,所述第二材料层位于所述第一接合材料层上;图形化所述第一接合材料层,形成位于第一层和第二层之间的第一接合层。
可选的,形成多个所述电极条还包括:形成所述第一材料层之前,形成第二接合材料层,所述接合材料层位于所述压电基底上,所述第一材料层位于所述第二接合材料层上;图形化所述第二接合材料层,形成位于第一层和压电基底之间的第二接合层。
可选的,形成多个电极条还包括:形成第三层,所述第三层位于所述第二层上,用于抑制电迁移,所述第三层材料的密度大于所述第二层材料的密度。
可选的,形成第三层包括:图形化所述第二材料层和所述第一材料层之前,形成第三材料层,所述第三材料层位于所述第二材料层上;图形化所述第三材料层,形成位于所述第二层上的第三层。
与现有技术相比,本发明的技术方案具有以下有益效果:
本发明的技术方案,形成换能装置,所述换能装置包括多个电极条,其中,所述电极条包括第一层和位于所述第一层上的第二层,所述第一层中第一晶粒的平均直径小于所述第二层中第二晶粒的平均直径,从而所述第一层材料的屈服强度大于所述第二层材料的屈服强度。由于声表面波谐振装置在振动的时候,最大应力出现在其换能装置与压电基底的交界处,即所述第一层,因此所述第一层材料的屈服强度较大,能够提升所述换能装置整体的屈服强度,从而减少由振动产生的应力挤压造成的空洞和突起的情况,增强换能装置对振动迁移的抑制性能,提升换能装置的可靠性及声表面波谐振装置的功率耐受性。
进一步,减小所述第一层中第一晶粒的平均直径会增大所述第一层材料的电阻率,因此所述第二层材料采用电阻率较低的材料以平衡所述换能器的整体电阻率,即对所述换能装置的整体电阻率的影响较小。
进一步,所述电极条还包括:位于第二层表面的第三层,所述第三层能够抑制第二层材料中的铝原子在表面电迁移。
附图说明
图1和图2是一实施例中谐振装置的结构示意图;
图3至图5是本发明一实施例中谐振装置形成过程的结构示意图;
图6是本发明另一实施例中谐振装置的结构示意图;
图7为本发明实施例中谐振装置应力分布示意图。
具体实施方式
如背景技术所述,所述声表面波滤波器的性能还有待改善。现结合具体的实施例中进行分析说明。
图1和图2是一实施例中谐振装置的结构示意图。
请参考图1和图2,图1为图2的俯视图,图2为图1沿剖面线AA1方向的剖面结构示意图,所述谐振装置包括:衬底100;位于衬底100上的换能装置,所述换能装置包括:沿平行于衬底100表面第一方向X延伸的第一汇流条107和第二汇流条108,所述第一汇流条107和第二汇流条108相互平行;与所述第一汇流条107相连接的若干第一电极条102,若干所述第一电极条102沿第一方向X平行排列;与所述第二汇流条108相连接的若干第二电极条103,若干所述第二电极条103沿第一方向X平行排列,所述第一电极条102与第二电极条103沿第一方向X交替排列,且所述第一电极条102与第二电极条103在第一方向X上的投影部分重合;与所述第一汇流条107相连接的若干第三电极条105,所述第三电极条105位于相邻的第一电极条102之间,且所述第三电极条105在平行于衬底100表面的第二方向Y上的中轴线与第二电极条103在第二方向Y上的中轴线重合,所述第三电极条105与所述第二电极条103之间具有间隙;与所述第二汇流条108相连接的若干第四电极条106,所述第四电极条106位于相邻的第二电极条103之间,且所述第四电极条106在第二方向Y上的中轴线与第一电极条102在第二方向Y上的中轴线重合,所述第四电极条106与所述第一电极条102之间具有间隙;位于第一电极条102与衬底100之间、以及第二电极条103与衬底100之间的粘附层101。
所述换能装置为声表面波滤波器的叉指换能器结构,声表面波滤波器的叉指换能器在高功率下容易失效,失效方式主要有电迁移和振动迁移两种。叉指换能器的材料通常为铝,所述电迁移是在高电流情况下,铝原子在晶粒中发生迁移,形成突起104(如图1所示)和空洞,所述突起104导致叉指换能器的叉指电极短路从而引起失效。所述振动迁移是叉指换能器在声表面波滤波器工作时,叉指电极高频率振动对叉指换能器的叉指电极金属产生挤压,挤压在表面形成突起104和空洞,所述突起104导致叉指换能器的手指短路从而引起失效。
为了解决上述问题,本发明技术方案提供一种换能装置、声表面波谐振装置及其形成方法、滤波装置,形成换能装置,所述换能装置包括多个电极条,其中,所述电极条包括第一层和位于所述第一层上的第二层,所述第一层中晶粒的平均直径小于所述第二层中晶粒的平均直径,从而所述第一层材料的屈服强度大于所述第二层材料的屈服强度。由于声表面波谐振装置在振动的时候,最大应力出现在其换能装置与压电基底的交界处,即所述第一层,因此所述第一层材料的屈服强度较大,能够提升所述换能装置整体的屈服强度,从而减少由振动产生的应力挤压造成的空洞和突起的情况,增强换能装置对振动迁移的抑制性能,提升换能装置的可靠性及声表面谐振装置的功率耐受性。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图3至图5是本发明一实施例中谐振装置形成过程的结构示意图。
请参考图3,提供压电基底200。
所述压电基底200的材料包括压电材料,所述压电材料包括钽酸锂(LT)、铌酸锂(LN)、石英、氮化铝、氧化锌、氮化镓或锆钛酸铅压电陶瓷(PZT)。
接下来,在压电基底200上形成换能装置,所述换能装置包括:多个电极条,多个所述电极条沿第一方向平行放置,所述电极条包括第一层及位于所述第一层上方的第二层,所述第一层中的第一晶粒的平均直径小于所述第二层中的第二晶粒的平均直径。所述换能装置的形成过程请参考图3至图5。
请继续参考图3,在压电基底200上形成第二接合材料层201;在第二接合材料层201上形成第一材料层202;在第一材料层202上形成第一接合材料层203;在第一接合材料层203上形成第二材料层204。
所述第一接合材料层203的材料包括金属或金属氮化物,所述金属包括钛、钛钨合金或镍铬合金;所述金属氮化物包括氮化钛。所述第一接合材料层203用于增加第一材料层202和第二材料层204之间的结合稳定性。所述第一接合材料层203用于后续形成第一接合层207。
在其他实施例中,能够不形成所述第一接合材料层。
所述第二接合材料层201的材料包括金属或金属氮化物,所述金属包括钛、钛钨合金或镍铬合金;所述金属氮化物包括氮化钛。所述第二接合材料层201用于增加第一材料层202和压电基底200之间的结合稳定性。第二接合材料层201用于后续形成第二接合层205。
在其他实施例中,能够不形成所述第二接合材料层。
所述第一材料层202用于后续形成第一层206,所述第二材料层204用于后续形成第二层208,所述第一材料层202材料的屈服强度大于所述第二材料层204材料的屈服强度。
在本实施例中,所述第一材料层202晶粒的平均直径小于所述第二材料层204的晶粒的平均直径。
在本实施例中,由于晶粒平均尺寸越小,电阻率越大,所述第一材料层202的电阻率大于所述第二材料层204的电阻率。减小所述第一材料层202中晶粒的平均直径会增大所述第一层材料的电阻率,因此所述第二层材料采用电阻率较低的材料以平衡所述换能装置的整体电阻率,即对所述换能器的整体电阻率的影响较小。
在本实施例中,所述第一材料层202的材料包括铝钕合金。
在本实施例中,所述第一材料层202的材料包括铝钕合金,钕原子在所述铝钕合金材料中的原子百分比含量为1%~8%。所述含量的钕原子使得所述铝钕合金晶粒的平均直径减小。
所述第二材料层204的材料包括铝铜合金或铝。
在本实施例中,所述第二材料层204的材料包括铝铜合金,铜原子在所述铝铜合金材料中的原子百分比含量为0.5%~4%。所述铝铜合金的铜原子会析出在后续形成的第二层材料晶粒的边界中,阻止第二层材料的原子在晶粒间扩散,减少突起和孔洞的形成,能有效抑制电迁移带来的失效性。从而提升换能装置的可靠性。
请参考图4和图5,图4为图5的俯视图,图5为图4沿剖面线BB1方向的剖面结构示意图,图形化所述第二材料层204、第一接合材料层203、第二接合材料层201和第一材料层202,在压电基底200上形成换能装置。
图形化所述第二材料层204、第一接合材料层203、第二接合材料层201和第一材料层202的方法包括:在第二材料层204上形成图形化的光刻胶层(未图示);以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述第二材料层204、第一接合材料层203、第二接合材料层201和第一材料层202,形成所述换能装置,所述换能装置包括:多个电极条,多个所述电极条沿平行于压电基底200表面的第一方向平行放置,所述电极条包括第一层206及位于所述第一层206上方的第二层208,所述第一层206中的第一晶粒的平均直径小于所述第二层208中的第二晶粒的平均直径。
刻蚀所述第二材料层204、第一接合材料层203、第二接合材料层201和第一材料层202的工艺包括干法刻蚀工艺,所述干法刻蚀工艺的刻蚀精度较好,能够形成满足要求的换能装置。
请继续参考图4,所述换能装置的结构包括:沿平行于压电基底200表面第一方向X延伸的第一汇流条212和第二汇流条213,所述第一汇流条212和第二汇流条213相互平行;与所述第一汇流条212相连接的若干第一电极条221,若干所述第一电极条221沿第一方向X平行排列;与所述第二汇流条213相连接的若干第二电极条220,若干所述第二电极条220沿第一方向X平行排列,所述第一电极条221与第二电极条220沿第一方向X交替排列,且所述第一电极条221与第二电极条220在第一方向X上的投影部分重合。
在本实施例中,所述换能装置的结构还包括:与所述第一汇流条212相连接的若干第三电极条210,所述第三电极条210位于相邻的第一电极条221之间,且所述第三电极条210在平行于压电基底200表面的第二方向Y上的中轴线与第二电极条220在第二方向Y上的中轴线重合,所述第三电极条210与所述第二电极条220之间具有间隙;与所述第二汇流条213相连接的若干第四电极条211,所述第四电极条211位于相邻的第二电极条220之间,且所述第四电极条211在第二方向Y上的中轴线与第一电极条221在第二方向Y上的中轴线重合,所述第四电极条211与所述第一电极条221之间具有间隙。
在其他实施例中,能够不形成所述第三电极条和第四电极条。
请继续参考图5和图7,图7为滤波器的应力分布示意图,所述换能装置的材料包括:位于压电基底200上的第一层206,以及位于第一层206上的第二层208,所述第一层206和第二层208的材料包括金属,所述第一层206材料的屈服强度大于所述第二层208材料的屈服强度。
由于声表面波谐振装置在振动的时候,最大应力出现在换能装置与压电基底200的交界处(如图7所示区域A),即最大应力出现在所述第一层206处,所述第一层206材料的屈服强度较大,能够提升所述换能装置整体的屈服强度,从而减少由振动产生的应力挤压造成的空洞和突起的情况,增强换能装置对振动迁移的抑制性,提升换能装置的可靠性及声表面波谐振装置的功率耐受性。
在本实施例中,所述第一层206材料的第一晶粒平均直径小于所述第二层208材料的第二晶粒平均直径。所述第一层206材料的第一晶粒平均直径较小,从而能够降低晶粒间界面的连续性,同时减小第一层206材料的晶粒大小,可以提升第一层206材料的屈服强度,进而提升所述换能装置整体的屈服强度,使所述换能装置的材料减少被振动时产生的应力挤压造成空洞和突起的情况,增强换能装置对振动迁移的抑制性。从而提升换能装置的可靠性,以及声表面波谐振装置的功率耐受性。
在本实施例中,所述第一层206和压电基底200之间具有第二接合层205,所述第一层206和第二层208之间具有第一接合层207。
在其他实施例中,所述第一层和衬底之间能够不具有第二接合层,所述第一层和第二层之间能够不具有第一接合层。
在本实施例中,所述第一层206的厚度小于或等于所述电极条厚度的50%。从而所述换能装置在增强对振动迁移的抑制性时,不会因为第一层206太厚而增加换能装置的电阻率,进而影响换能装置的性能。
相应地,本发明实施例中还提供一种换能装置,请继续参考图4和图5,包括:
多个电极条,多个所述电极条沿第一方向X平行放置,所述电极条包括第一层206及位于所述第一层206上方的第二层208,所述第一层206中的第一晶粒的平均直径小于所述第二层208中的第二晶粒的平均直径。
在本实施例中,所述第一层206材料的屈服强度大于所述第二层208材料的屈服强度。
在本实施例中,所述第一层206材料的电阻率大于所述第二层208材料的电阻率。
在本实施例中,所述第一层206的材料包括铝钕合金,其中,钕原子在所述铝钕合金中的原子百分比含量为1%~8%。
在本实施例中,所述第二层208的材料包括铝铜合金或铝,其中,铜原子在所述铝铜合金中的原子百分比含量为0.5%~4%。
在本实施例中,所述第一层206的厚度小于或等于所述电极条厚度的50%。
在本实施例中,所述电极条还包括:第一接合层207,位于所述第一层206与所述第二层208之间。
在本实施例中,所述第一接合层207的材料包括金属或金属氮化物;其中,所述金属包括钛、钛钨合金或镍铬合金;所述金属氮化物包括氮化钛。
相应地,本发明实施例中还提供一种声表面波谐振装置,请继续参考图4和图5,包括:
压电基底200;
位于压电基底200上的换能装置,所述换能装置包括:多个电极条,多个所述电极条沿第一方向X平行放置,所述电极条包括第一层206及位于所述第一层206上方的第二层208,所述第一层206中的第一晶粒的平均直径小于所述第二层208中的第二晶粒的平均直径。
在本实施例中,所述第一层206材料的屈服强度大于所述第二层208材料的屈服强度。
在本实施例中,所述第一层206材料的电阻率大于所述第二层208材料的电阻率。
在本实施例中,所述第一层206的材料包括铝钕合金,其中,钕原子在所述铝钕合金材料中的原子百分比含量为1%~8%。
在本实施例中,所述第二层208的材料包括铝铜合金或铝,其中,铜原子在所述铝铜合金材料中的原子百分比含量为0.5%~4%。
在本实施例中,还包括:位于压电基底200和第一层206之间的第二接合层205。
在本实施例中,所述第二接合层205的材料包括金属或金属氮化物,所述金属包括钛、钛钨合金或镍铬合金;所述金属氮化物包括氮化钛。
在本实施例中,还包括:位于第一层206和第二层208之间的第一接合层207。
在本实施例中,所述第一接合层的材料包括金属或金属氮化物,所述金属包括钛、钛钨合金或镍铬合金;所述金属氮化物包括氮化钛。
在本实施例中,所述换能装置的结构包括:沿平行于压电基底200表面第一方向X延伸的第一汇流条212和第二汇流条213,所述第一汇流条212和第二汇流条213相互平行;与所述第一汇流条212相连接的若干第一电极条221,若干所述第一电极条221沿第一方向X平行排列;与所述第二汇流条213相连接的若干第二电极条220,若干所述第二电极条220沿第一方向X平行排列,所述第一电极条221与第二电极条220沿第一方向X交替排列,且所述第一电极条221与第二电极条220在第一方向X上的投影部分重合。
在本实施例中,所述第一层206的厚度小于或等于所述第一电极条221与第二电极条220厚度的50%。
在本实施例中,所述换能装置的结构还包括:与所述第一汇流条212相连接的若干第三电极条210,所述第三电极条210位于相邻的第一电极条221之间,且所述第三电极条210在平行于压电基底200表面的第二方向Y上的中轴线与第二电极条220在第二方向Y上的中轴线重合,所述第三电极条210与所述第二电极条220之间具有间隙;与所述第二汇流条213相连接的若干第四电极条211,所述第四电极条211位于相邻的第二电极条220之间,且所述第四电极条211在第二方向Y上的中轴线与第一电极条208在第二方向Y上的中轴线重合,所述第四电极条211与所述第一电极条221之间具有间隙。
在其他实施例中,所述换能结构能够不包括所述第三电极条和第四电极条。
在本实施例中,所述压电基底200的材料包括压电材料,所述压电材料包括钽酸锂、铌酸锂、石英、氮化铝、氧化锌、氮化镓或锆钛酸铅压电陶瓷。
相应地,本发明实施例中还提供一种由图4和图5所述的若干声表面波谐振装置构成的滤波器。
图6是本发明另一实施例中谐振装置的结构示意图。
请参考图6,图6为在图5基础上的结构示意图,图6中谐振装置的结构与图5中谐振装置的差别在于:所述电极条还包括:位于第二层208上方的第三层301,用于抑制电迁移,所述第三层301材料的密度大于所述第二层208材料的密度。
所述第三层301的形成方法包括:在所述第二材料层204表面形成第三材料层(未图示);刻蚀所述第三材料层、第二材料层204、第一接合材料层203、第二接合材料层201和第一材料层202,形成所述换能装置。
所述第三层301的材料包括金属或金属氮化物,所述金属包括钛、镍、钼、铜或铂等;所述金属氮化物包括氮化钛。
在本实施例中,所述第三层301材料的密度大于所述第二层208材料的密度。所述防扩散层301的材料能够阻止第二层208的材料的铝原子在表面电迁移。
虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (22)
1.一种换能装置,其特征在于,包括:
多个电极条,多个所述电极条沿第一方向平行放置,所述电极条包括第一层及位于所述第一层上方的第二层,所述第一层中的第一晶粒的平均直径小于所述第二层中的第二晶粒的平均直径。
2.如权利要求1所述的换能装置,其特征在于,所述第一层材料的屈服强度大于所述第二层材料的屈服强度。
3.如权利要求1所述的换能装置,其特征在于,所述第一层材料的电阻率大于所述第二层材料的电阻率。
4.如权利要求1所述的换能装置,其特征在于,所述第一层的材料包括铝钕合金,其中,钕原子在所述铝钕合金中的原子百分比含量为1%~8%。
5.如权利要求1所述的换能装置,其特征在于,所述第二层的材料包括铝铜合金或铝,其中,铜原子在所述铝铜合金中的原子百分比含量为0.5%~4%。
6.如权利要求1所述的换能装置,其特征在于,所述电极条还包括:第三层,所述第三层位于所述第二层上,用于抑制电迁移,所述第三层材料的密度大于所述第二层材料的密度。
7.如权利要求6所述的换能装置,其特征在于,所述第三层的材料包括金属或金属氮化物;其中,所述金属包括钛、镍、钼、铜或铂;所述金属氮化物包括氮化钛。
8.如权利要求1所述的换能装置,其特征在于,所述第一层的厚度小于或等于所述电极条厚度的50%。
9.如权利要求1所述的换能装置,其特征在于,所述电极条还包括:第一接合层,位于所述第一层与所述第二层之间。
10.如权利要求9所述的换能装置,其特征在于,所述第一接合层的材料包括金属或金属氮化物;其中,所述金属包括钛、钛钨合金或镍铬合金;所述金属氮化物包括氮化钛。
11.一种声表面波谐振装置,其特征在于,包括:
压电基底;
如权利要求1至10任一项所述的换能装置,所述换能装置位于所述压电基底上。
12.如权利要求11所述的声表面波谐振装置,其特征在于,所述电极条还包括:第二接合层,所述第二接合层位于所述压电基底与所述第一层之间。
13.如权利要求12所述的声表面波谐振装置,其特征在于,所述第二接合层的材料包括金属或金属氮化物;其中,所述金属包括钛、钛钨合金或镍铬合金;所述金属氮化物包括氮化钛。
14.一种滤波装置,其特征在于,包括:
若干个如权利要求11至13任一项所述的声表面波谐振装置。
15.一种声表面波谐振装置的形成方法,其特征在于,包括:
提供压电基底;
在所述压电基底上形成换能装置,所述换能装置包括:多个电极条,多个所述电极条沿平行于压电基底表面的第一方向平行放置,其中,所述电极条包括:第一层及位于所述第一层上方的第二层,所述第一层中的第一晶粒的平均直径小于所述第二层中的第二晶粒的平均直径。
16.如权利要求15所述的声表面波谐振装置的形成方法,其特征在于,所述第一层材料的屈服强度大于所述第二层材料的屈服强度。
17.如权利要求15所述的声表面波谐振装置的形成方法,其特征在于,所述第一层材料的电阻率大于所述第二层材料的电阻率。
18.如权利要求15所述的声表面波谐振装置的形成方法,其特征在于,形成多个所述电极条包括:在压电基底上方形成第一材料层;在所述第一材料层上方形成第二材料层;图形化所述第二材料层和所述第一材料层,形成多个所述电极条。
19.如权利要求18所述的声表面波谐振装置的形成方法,其特征在于,形成多个所述电极条还包括:形成所述第二材料层之前,形成第一接合材料层,所述第一接合材料层位于所述第一材料层上,所述第二材料层位于所述第一接合材料层上;图形化所述第一接合材料层,形成位于第一层和第二层之间的第一接合层。
20.如权利要求18所述的声表面波谐振装置的形成方法,其特征在于,形成多个所述电极条还包括:形成所述第一材料层之前,形成第二接合材料层,所述接合材料层位于所述压电基底上,所述第一材料层位于所述第二接合材料层上;图形化所述第二接合材料层,形成位于第一层和压电基底之间的第二接合层。
21.如权利要求18所述的声表面波谐振装置的形成方法,其特征在于,形成多个电极条还包括:形成第三层,所述第三层位于所述第二层上,用于抑制电迁移,所述第三层材料的密度大于所述第二层材料的密度。
22.如权利要求21所述的声表面波谐振装置的形成方法,其特征在于,形成第三层包括:图形化所述第二材料层和所述第一材料层之前,形成第三材料层,所述第三材料层位于所述第二材料层上;图形化所述第三材料层,形成位于所述第二层上的第三层。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211366349.8A CN115567027B (zh) | 2022-11-03 | 2022-11-03 | 换能装置、声表面波谐振装置及其形成方法、滤波装置 |
PCT/CN2023/129040 WO2024094057A1 (zh) | 2022-11-03 | 2023-11-01 | 换能装置、声表面波谐振装置及其形成方法、滤波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN202211366349.8A CN115567027B (zh) | 2022-11-03 | 2022-11-03 | 换能装置、声表面波谐振装置及其形成方法、滤波装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115567027A true CN115567027A (zh) | 2023-01-03 |
CN115567027B CN115567027B (zh) | 2023-07-07 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211366349.8A Active CN115567027B (zh) | 2022-11-03 | 2022-11-03 | 换能装置、声表面波谐振装置及其形成方法、滤波装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
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CN (1) | CN115567027B (zh) |
WO (1) | WO2024094057A1 (zh) |
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- 2023-11-01 WO PCT/CN2023/129040 patent/WO2024094057A1/zh unknown
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PB01 | Publication | ||
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