CN111244327A - 一种显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 243
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 87
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 53
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 46
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 41
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 27
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 6
- NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C=C NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000006136 alcoholysis reaction Methods 0.000 claims description 6
- ZDOBWJOCPDIBRZ-UHFFFAOYSA-N chloromethyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](CCl)(OCC)OCC ZDOBWJOCPDIBRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 6
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 6
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 6
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 6
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 6
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 6
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 157
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 12
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 9
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 9
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 206010027146 Melanoderma Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/851—Division of substrate
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，提出一种新的制备具有一定图案的无机绝缘层的方法，在封装上有利于窄边框设计。一种显示基板，包括显示区和位于显示区外围的非显示区；显示基板包括衬底、设置于衬底上的阻隔坝、第一挡墙和设置于阻隔坝和第一挡墙背离所述衬底一侧的无机绝缘层；阻隔坝和第一挡墙均位于非显示区、且呈封闭状围绕显示区；第一挡墙位于阻隔坝背离显示区一侧；第一挡墙包括封闭的第一子挡墙和环绕第一子挡墙的第二子挡墙，第一子挡墙与第二子挡墙之间的区域为间隔区；间隔区填充有有机的惰性材料，无机绝缘层在衬底上的正投影与间隔区无交叠。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
显示装置由多个经过图案化处理的无机绝缘层构成。
目前，现有技术制备图案化的无机绝缘层的方法包括：光刻工艺；或者，在事先备好的模板中形成无机绝缘层，再将无机绝缘层与模板分离开来，以得到具有一定图案的无机绝缘层。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，提出一种新的制备具有一定图案的无机绝缘层的方法，在封装上有利于窄边框设计。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种显示基板，其特征在于，包括显示区和位于所述显示区外围的非显示区；所述显示基板包括衬底、设置于所述衬底上的阻隔坝、第一挡墙和设置于所述阻隔坝和所述第一挡墙背离所述衬底一侧的无机绝缘层；所述阻隔坝和所述第一挡墙均位于所述非显示区、且呈封闭状围绕所述显示区；所述第一挡墙位于所述阻隔坝背离所述显示区一侧；所述第一挡墙包括封闭的第一子挡墙和环绕所述第一子挡墙的第二子挡墙，所述第一子挡墙与所述第二子挡墙之间的区域为间隔区；所述间隔区填充有有机的惰性材料，所述无机绝缘层在所述衬底上的正投影与所述间隔区无交叠。
可选的，所述显示基板用作显示基板母板；所述显示基板母板包括封装层，所述封装层包括依次层叠设置的第一无机封装层、有机封装层、以及第二无机封装层；所述无机绝缘层为所述第一无机封装层和所述第二无机封装层。
可选的，所述显示基板还包括位于所述间隔区的第二挡墙；所述第二挡墙位于所述衬底与所述惰性材料之间，所述惰性材料覆盖所述第二挡墙。
可选的，所述衬底靠近所述第一挡墙的表面具有凹槽，所述凹槽位于所述间隔区，所述惰性材料覆盖所述凹糟。
可选的，所述阻隔坝包括第一子阻隔坝和环绕所述第一子阻隔坝的第二子阻隔坝；所述第二子阻隔坝背离所述衬底的表面到所述衬底的最小垂直距离，大于所述第一子阻隔坝背离所述衬底的表面到所述衬底的最小垂直距离。
可选的，所述衬底靠近所述第一挡墙的一侧表面附着有-OH；所述惰性材料由有机材料与-OH反应得到；其中，所述有机材料包括乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、氯甲基三乙氧基硅烷中的一种。
可选的，所述惰性材料包括聚苯乙烯类、聚环氧乙烷类、聚甲基丙烯酸甲酯类、聚乙烯吡咯烷酮中的一种。
第二方面，提供一种显示装置，包括第一方面所述的显示基板。
第三方面，提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括显示区和位于所述显示区外围的非显示区；所述显示基板的制备方法，包括：在衬底上形成第一挡墙和阻隔坝；所述阻隔坝和所述第一挡墙均位于所述非显示区、且呈封闭状围绕所述显示区，所述第一挡墙位于所述阻隔坝背离所述显示区一侧；所述第一挡墙包括封闭的第一子挡墙和环绕所述第一子挡墙的第二子挡墙，所述第一子挡墙与所述第二子挡墙之间的区域为间隔区；向所述间隔区填充有机的惰性材料；在所述第一挡墙和所述阻隔坝背离所述衬底一侧沉积无机绝缘层，所述无机绝缘层在所述衬底上的正投影与所述间隔区无交叠。
可选的，向所述间隔区填充有机的惰性材料，包括：向所述间隔区填充有机材料，所述有机材料可与羟基发生水解或醇解反应生成惰性基团，以得到所述惰性材料。
可选的，所述有机材料包括乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、氯甲基三乙氧基硅烷中的一种。
可选的，所述惰性材料包括聚苯乙烯类、聚环氧乙烷类、聚甲基丙烯酸甲酯类、聚乙烯吡咯烷酮中的一种。
可选的，在所述第一挡墙和阻隔坝背离所述衬底一侧沉积无机绝缘层，包括：采用ALD工艺在所述第一挡墙背离所述衬底一侧沉积无机绝缘层。
可选的，所述显示基板用作显示基板母板；所述显示基板母板包括封装层，所述封装层包括依次层叠设置的第一无机封装层、有机封装层、以及第二无机封装层；所述无机绝缘层为所述第一无机封装层和所述第二无机封装层。
可选的，所述无机绝缘层靠近所述衬底一侧和背离所述衬底一侧均形成有导电层；在沉积所述无机绝缘层后，所述显示基板的制备方法还包括：去除所述惰性材料，在所述间隔区形成过孔，以使得位于所述无机绝缘层相对两侧的所述导电层通过所述过孔电连接。
本发明实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，该显示基板包括第一挡墙和位于间隔区的惰性材料。通过向由第一挡墙的第一子挡墙和第二子挡墙之间的间隔区填充有机的惰性材料，可在第一挡墙背离衬底一侧沉积无机绝缘薄膜时，因无机绝缘薄膜不与惰性材料发生化学反应，从而无法附着于惰性材料上，进而可直接通过沉积工艺得到具有一定图案的无机绝缘层。与现有技术相比，制备无机绝缘层的过程可省去后续曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺。同时，若采用掩模板(mask)形成无机绝缘层，无机绝缘薄膜的成膜区域远远大于无机绝缘层的设计尺寸，导致无机绝缘层中边缘阴影(shadow)过大，当所述显示基板应用于显示装置时，不利于显示装置的窄边框设计，而本发明实施例的方案可省去mask，进而也不会存在边缘shadow，在封装上有利于显示装置的窄边框设计。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种基板的俯视示意图；
图2为本发明实施例提供的一种基板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种基板的结构示意图；
图4a为本发明实施例提供的一种惰性材料的制备过程图；
图4b为本发明实施例提供的一种惰性材料的制备过程图；
图4c为本发明实施例提供的一种惰性材料改性后形成无机绝缘层的过程图；
图5为本发明实施例提供的一种基板的俯视示意图；
图6为图5中B-B1向的剖视示意图；
图7为本发明实施例提供的一种基板的制备过程图；
图8为本发明实施例提供的一种基板的制备过程图；
图9为本发明实施例提供的一种基板的制备过程图；
图10为本发明实施例提供的一种基板的制备过程图；
图11为本发明实施例提供的一种基板的制备流程图；
图12为本发明实施例提供的一种基板的制备过程图；
图13a为本发明实施例提供的一种基板的制备过程图；
图13b为本发明实施例提供的一种基板的制备过程图；
图14为本发明实施例提供的一种基板的结构示意图。
附图标记：
10-衬底；01-基底；02-缓冲层；11-第一挡墙；111-第一子挡墙；112-第二子挡墙；12-惰性材料；13-无机绝缘层；14-第二挡墙；21-像素电路层；22-平坦层；23-发光器件；231-第一电极；232-发光功能层；233-第二电极；24-像素界定层；25-封装层；251-无机封装层；252-有机封装层；31-导电层；32-阻隔坝。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种显示基板，如图1和图2所示，包括显示区和位于显示区外围的非显示区；所述显示基板包括衬底10、依次层叠设置于衬底10上的阻隔坝32、第一挡墙11和设置于所述阻隔坝32和第一挡墙11背离衬底10一侧的无机绝缘层13；阻隔坝32和第一挡墙均位于非显示区、且呈封闭状围绕显示区；第一挡墙11位于阻隔坝32背离显示区一侧；第一挡墙11包括封闭的第一子挡墙111和环绕第一子挡墙111的第二子挡墙112，第一子挡墙111与第二子挡墙112之间的区域为间隔区；间隔区填充有有机的惰性材料，无机绝缘层12在衬底10上的正投影与间隔区无交叠。
在一些实施例中，由于第一子挡墙111呈封闭状，因此，环绕第一子挡墙111的第二子挡墙112也呈封闭状。
在一些实施例中，由于第一子挡墙111与第二子挡墙112之间具有间隔区，因此，第一子挡墙111与第二子挡墙112之间间隔设置。
在一些实施例中，不对第一子挡墙111在衬底10上的正投影的形状和第二子挡墙112在衬底10上的正投影的形状进行限定，只要其呈封闭状即可。
示例的，第一子挡墙111在衬底10上的正投影的形状和第二子挡墙112在衬底10上的正投影的形状可以为矩形、圆形等。
其中，第一子挡墙111在衬底10上的正投影的形状与第二子挡墙112在衬底10上的正投影的形状可以相同，也可以不相同。
在一些实施例中，不对第一挡墙11的尺寸进行限定，第一挡墙11的尺寸与所述显示基板的用途、以及第一挡墙11的制备工艺有关。
示例的，第一挡墙11的高度范围为0.5～5μm，第一挡墙11的宽度范围为5～30μm，第一子挡墙111与第二子挡墙112之间的间距为20～300μm。
在一些实施例中，阻隔坝32用于防止封装层中的有机封装层溢流。阻隔坝32包括至少一个子阻隔坝。
示例的，若靠近显示区的第一子阻隔坝不足以阻挡封装层25中的有机封装层252，则还可以在第一子阻隔坝背离显示区一侧增设第二子阻隔坝，溢流的有机材料可以流入相邻的第一子阻隔坝与第二子阻隔坝之间形成的凹槽中。
此处，如图3所示，第二子阻隔坝背离衬底10的表面到衬底10的最小垂直距离，大于第一子阻隔坝背离衬底10的表面到衬底10的最小距离。这样一来，可进一步防止有机封装层溢流出第二子阻隔坝。
在一些实施例中，不对阻隔坝32的材料进行限定，阻隔坝32的材料例如可以是绝缘材料，绝缘材料可以包括无机绝缘材料和有机绝缘材料。
在一些实施例中，所述显示基板可以是有机电致发光二极管(organic lightemitting diode，简称OLED)显示基板，或量子点电致(Quantum Dot Light EmittingDiodes，简称QLED)显示基板等。
在一些实施例中，如图3所示，所述显示基板还包括发光器件23和设置于相邻发光器件23之间的像素界定层24。发光器件23包括层叠设置的第一电极231、发光功能层232、以及第二电极233。
第一电极231为阳极，第二电极233为阴极；或者，第一电极231为阴极，第二电极233为阳极。
若所述显示基板为OLED显示基板，则发光功能层232为有机发光功能层；若所述显示基板为QLED显示基板，则发光功能层232为量子点发光功能层。
此外，显示基板还可以包括设置于衬底10与发光器件23之间的像素电路层21和平坦层22，像素电路层21用于驱动发光器件23发光。像素电路层21至少包括开关晶体管、驱动晶体管、存储电容。
在一些实施例中，第一挡墙11和/或阻隔坝32还可以与平坦层22或像素界定层24中的一个，通过同一次构图工艺形成。这样一来，不但可以简化显示基板的制备工艺，还可以节省一道mask，大大节省制备成本。
在一些实施例中，如图2所示，惰性材料12背离衬底10的表面可以不超出第一挡墙11背离衬底10的表面。
此外，在工艺允许的情况下，惰性材料12背离衬底10的表面还可以超出第一挡墙11背离衬底10的表面。
在一些实施例中，向间隔区填充的惰性材料的基团均为惰性基团，首尾两端的惰性基团不与任何基团发生反应。
示例的，惰性材料包括聚苯乙烯类、聚环氧乙烷类、聚甲基丙烯酸甲酯类、聚乙烯吡咯烷酮中的一种。
或者，也可以向间隔区填充有机材料，有机材料可以与衬底10上既有的基团在常温、常压下发生水解或醇解反应生成惰性基团，从而形成惰性材料12。
示例的，有机材料包括乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、氯甲基三乙氧基硅烷中的一种。
在一些实施例中，有机材料可以与羟基(-OH)发生水解或醇解反应生成惰性基团，从而得到惰性材料12。以有机材料为RSi-(OEt)3为例，其过程例如可以包括：
如图4a和图4b所示，向间隔区填充有机材料，有机材料的分子式中的一端可以与衬底10既有的-OH反应，生成惰性基团
反应过程为：RSi-(OEt)3-+-OH＝R-Si-O-+EtOH。与-OH反应的是-OEt与Si相连的烷氧基。
其中，Et表示乙基。
此处，在制备显示基板的过程中，显示基板上残留的水分中包括-OH，恰好可利用这部分-OH与有机材料发生水解或醇解反应。
本发明实施例提供一种显示基板，该显示基板包括第一挡墙11和位于间隔区的惰性材料12。通过向由第一挡墙11的第一子挡墙111和第二子挡墙112之间的间隔区填充有机的惰性材料12，可在第一挡墙11背离衬底10一侧沉积无机绝缘薄膜时，因无机绝缘薄膜不与惰性材料12发生化学反应，从而无法附着于惰性材料12上，进而可直接通过沉积工艺得到具有一定图案的无机绝缘层13。与现有技术相比，制备无机绝缘层13的过程可省去后续曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺。同时，若采用掩模板(mask)形成无机绝缘层13，无机绝缘薄膜的成膜区域远远大于无机绝缘层13的设计尺寸，导致无机绝缘层13中边缘阴影(shadow)过大，当所述显示基板应用于显示装置时，不利于显示装置的窄边框设计，而本发明实施例的方案可省去mask，进而也不会存在边缘shadow，在封装上有利于显示装置的窄边框设计。
可选的，如图3、图5-图7所示，所述显示基板用作显示基板母板；所述显示基板母板包括封装层25，封装层25包括依次层叠设置的第一无机封装层251、有机封装层252、第二无机封装层253；无机绝缘层13为第一无机封装层251和第二无机封装层253。
此处，通过对显示基板母板进行切割，可以得到多个显示基板。
在一些实施例中，有机封装层252可以仅位于显示区101。
在一些实施例中，第一子挡墙111靠近显示区101的侧壁与显示区101之间具有间距，该间距内将形成第一无机封装层251、第二无机封装层253和阻隔坝32。
基于此，不对第一子挡墙111靠近显示区101的侧壁与显示区101之间的间距范围进行限定，只要预留的间距可以使第一无机封装层251和第二无机封装层253对发光器件23起到保护作用即可。
示例的，第一子挡墙111靠近显示区101的侧壁与显示区101之间的间距范围为15～300μm。
由于无机绝缘材料的柔韧性差，因此，在对显示基板母板进行切割，形成多个显示基板时，切割区域的无机绝缘材料越多，切割时越容易导致无机绝缘材料crack。
基于此，本发明实施例中，通过在非显示区102中的间隔区填充有机的惰性材料12，将间隔区作为切割区，在对显示基板母板进行切割，形成多个显示基板时，实际切割的是有机的惰性材料12。由于有机材料的柔韧性大于无机材料的柔韧性，因此，可以改善切割时无机绝缘材料crack的问题。
可选的，如图8和图9所示，所述显示基板还包括位于间隔区的第二挡墙14；第二挡墙14位于衬底10与惰性材料12之间，惰性材料12覆盖第二挡墙14。
在一些实施例中，第二挡墙14的个数可以是一个，也可以是多个。
在一些实施例中，不对第二挡墙14的尺寸进行限定，第二挡墙14的尺寸与所述显示基板的用途和第二挡墙14的制备工艺有关。
其中，第二挡墙14的高度、第二挡墙14的宽度、相邻第二挡墙14之间的间距，均与第一挡墙11无绝对关系。
可选的，第二挡墙14的厚度小于或等于第一挡墙11的厚度，避免第二挡墙14影响所述显示基板的整体厚度。
示例的，第二挡墙14的高度范围为0.5～2.5μm，第二挡墙14的宽度范围为5～15μm，相邻第二挡墙14之间的间距为5～15μm。
本发明实施例中，通过在间隔区形成第二挡墙14，可以进一步起到避免惰性材料12溢流的作用，同时还可以增加惰性材料12在显示基板上的稳定性。
可选的，如图10所示，衬底10靠近第一挡墙11的表面具有凹槽，凹槽位于间隔区，惰性材料12覆盖凹槽。
在一些实施例中，如图10所示，衬底10包括基底01和设置于基底01与第一挡墙11之间的缓冲层02。
在此情况下，凹槽可以位于缓冲层02中；或者，凹槽也可以位于缓冲层02和基底01中。
此处，基底01的材料例如可以是玻璃或聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)。缓冲层02的材料例如可以是氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、三氧化二铝(Al2O3)。
在一些实施例中，凹槽的个数可以是一个，也可以是多个。
在一些实施例中，不对凹槽的尺寸进行限定，以实际设计为准。
示例的，凹槽的深度范围为0.5～2.5μm，凹槽的宽度范围为5～15μm，相邻凹槽之间的间距为5～15μm。
本发明实施例中，通过在衬底10上形成凹槽，可以进一步起到避免惰性材料12溢流的作用，同时还可以增加惰性材料12在显示基板上的稳定性。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括前述任一实施例所述的显示基板。
所述显示装置具有与前述基板相同的说明和技术效果，在此不再赘述。
本发明实施例提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括显示区101和位于显示区外围的非显示区102；如图11所示，所述显示基板的制备方法，可通过如下步骤实现：
S11、如图12所示，在衬底10上形成第一挡墙11和阻隔坝32；阻隔坝32和第一挡墙11均位于非显示区102、且呈封闭状围绕显示区101，第一挡墙11位于阻隔坝32背离显示区101一侧；第一挡墙11包括封闭的第一子挡墙111和环绕第一子挡墙111的第二子挡墙112，第一子挡墙111与第二子挡墙112之间的区域为间隔区。
在一些实施例中，由于第一子挡墙111呈封闭状，因此，环绕第一子挡墙111的第二子挡墙112也呈封闭状。
在一些实施例中，由于第一子挡墙111与第二子挡墙112之间具有间隔区，因此，第一子挡墙111与第二子挡墙112之间间隔设置。
在一些实施例中，不对第一子挡墙111在衬底10上的正投影的形状和第二子挡墙112在衬底10上的正投影的形状进行限定，只要其呈封闭状即可。
示例的，第一子挡墙111在衬底10上的正投影的形状和第二子挡墙112在衬底10上的正投影的形状可以为矩形、圆形等。
其中，第一子挡墙111在衬底10上的正投影的形状与第二子挡墙112在衬底10上的正投影的形状可以相同，也可以不相同。
在一些实施例中，不对第一挡墙11的尺寸进行限定，第一挡墙11的尺寸与所述显示基板的用途、以及第一挡墙11的制备工艺有关。
示例的，第一挡墙11的高度范围为0.5～5μm，第一挡墙11的宽度范围为5～30μm，第一子挡墙111与第二子挡墙112之间的间距为20～300μm。
S12、如图13a和图13b所示，向间隔区填充有机的惰性材料12。
在一些实施例中，不对向间隔区填充惰性材料的工艺进行限定，只要惰性材料仅形成于间隔区即可。
示例的，可以采用喷墨打印工艺向间隔区填充惰性材料，并经过烘烤固化处理。
在一些实施例中，如图13a和图13b所示，惰性材料12背离衬底10的表面可以不超出第一挡墙11背离衬底10的表面。
此外，在工艺允许的情况下，惰性材料12背离衬底10的表面还可以超出第一挡墙11背离衬底10的表面。
在一些实施例中，向间隔区填充的惰性材料的基团均为惰性基团，首尾两端的惰性基团不与任何基团发生反应。
示例的，惰性材料包括聚苯乙烯类、聚环氧乙烷类、聚甲基丙烯酸甲酯类、聚乙烯吡咯烷酮中的一种。
或者，也可以向间隔区填充有机材料，有机材料可以与衬底10上既有的基团在常温、常压下发生水解或醇解反应生成惰性基团，从而形成惰性材料12。
示例的，有机材料包括乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、氯甲基三乙氧基硅烷中的一种。
在一些实施例中，有机材料可以与-OH发生水解或醇解反应生成惰性基团，从而得到惰性材料12。以有机材料为RSi-(OEt)3为例，其过程例如可以包括：
如图4a和图4b所示，向间隔区填充有机材料，有机材料的分子式中的一端可以与衬底10既有的-OH反应，生成惰性基团
反应过程为：RSi-(OEt)3-+-OH＝R-Si-O-+EtOH。与-OH反应的是-OEt与Si相连的烷氧基。
其中，Et表示乙基。
此处，在制备显示基板的过程中，显示基板上残留的水分中包括-OH，恰好可利用这部分-OH与有机材料发生水解或醇解反应。
S13、如图2所示，在第一挡墙11和阻隔坝32背离衬底10一侧沉积无机绝缘层13，无机绝缘层13在衬底10上的正投影与间隔区无交叠。
在一些实施例中，不对沉积无机绝缘层13的方式进行限定。
示例的，可以采用化学气相沉积(chemical vapor deposition，简称CVD)工艺沉积无机绝缘层13；或者，采用原子层沉积(Atomic layer deposition，简称ALD)沉积无机绝缘层13。
如图4c所示，以无机绝缘层13的材料包括Al2O3为例，在第一挡墙11背离衬底10一侧沉积无机绝缘层13，其过程例如可以包括：
将基板放置于真空装置中，并向真空装置中输入Al2O3的前驱体，Al2O3的前驱体沉积于整个基板上；其中，间隔区中的惰性材料12不与前驱体发生化学反应，因此，前驱体无法附着在显示基板上。
之后，将真空装置中的气体抽走，并向真空装置中通入惰性气体吹走未反应的前驱体分子，再将真空装置中的气氛恢复为真空，如此往复，直到前驱体的厚度达到Al2O3的设计需求为止。
此处，惰性材料12的厚度与显示基板的用途有关。惰性材料12的厚度范围可以为1～10μm。
在一些实施例中，为了不影响显示基板的整体厚度，惰性材料12背离衬底10的表面，可不超出封装层25背离衬底10的表面。
本发明实施例提供一种显示基板的制备方法，通过在衬底10上形成第一挡墙11，再向由第一挡墙11的第一子挡墙111和第二子挡墙112之间的间隔区填充有机的惰性材料12。这样一来，当在第一挡墙11背离衬底10一侧沉积无机绝缘薄膜时，由于无机绝缘薄膜不与惰性材料12发生化学反应，因此，无法附着于惰性材料12上，从而可直接通过沉积工艺得到具有一定图案的无机绝缘层13，与现有技术相比，制备无机绝缘层13的过程可省去后续曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺。同时，若采用mask形成无机绝缘层13，无机绝缘薄膜的成膜区域远远大于无机绝缘层13的设计尺寸，导致无机绝缘层13中边缘shadow过大，当所述显示基板应用于显示装置时，不利于显示装置的窄边框设计，而本发明实施例的方案可省去mask，进而也不会存在边缘shadow，在封装上有利于显示装置的窄边框设计。
可选的，在第一挡墙11和阻隔坝32背离衬底10一侧沉积无机绝缘层13，包括：采用ALD工艺在第一挡墙11背离衬底10一侧沉积无机绝缘层13。
现有技术中，常采用CVD工艺沉积无机绝缘薄膜，以得到无机绝缘层13。然而，采用CVD工艺为分子层成膜，无机绝缘层13不可避免地会产生裂痕或具有微孔等缺陷，从而影响膜质。
若利用有上述缺陷的无机绝缘层13作为显示面板内的介质层，则会导致分设于介质层(无机绝缘层)两侧的导电层漏电，从而影响导电层的性能。若利用有上述缺陷的无机绝缘层13作为自发光显示装置的封装层，则会导致水汽、氧气通过裂痕和微孔进入到自发光显示装置的发光器件中，一方面，影响发光器件23的使用寿命；另一方面，显示面板在显示时，还会产生黑斑或边缘收缩等异常，影响产品的显示效果。
基于此，本发明实施例可利用ALD工艺沉积无机绝缘层13。由于ALD工艺为原子层的薄膜沉积，膜层更加致密、膜质更好，因此，可以有效避免无机绝缘层13产生裂痕或微孔等缺陷，进而当显示基板应用于显示面板时，避免影响显示面板的显示效果，避免影响分设于无机绝缘层13两侧的导电层的性能。
可选的，如图3、图5-图7所示，所述显示基板用作显示基板母板；所述显示基板母板包括封装层25，封装层25包括依次层叠设置的第一无机封装层251、有机封装层252、第二无机封装层253；无机绝缘层13为第一无机封装层251和第二无机绝缘层253。
此处，通过对显示基板母板进行切割，可以得到多个显示基板。
在一些实施例中，显示基板可以是OLED显示基板，或QLED显示基板等。
在一些实施例中，显示基板还包括发光器件23和设置于相邻发光器件23之间的像素界定层24。发光器件23包括层叠设置的第一电极231、发光功能层232、以及第二电极233。
第一电极231为阳极，第二电极233为阴极；或者，第一电极231为阴极，第二电极233为阳极。
若显示基板为OLED显示基板，则发光功能层232为有机发光功能层；若显示基板为QLED显示基板，则发光功能层232为量子点发光功能层。
此外，显示基板还可以包括设置于衬底10与发光器件23之间的像素电路层21和平坦层22，像素电路层21用于驱动发光器件23发光。像素电路层21至少包括开关晶体管、驱动晶体管、存储电容。
在一些实施例中，第一挡墙11可以与平坦层22、像素界定层24中的一个，通过同一次构图工艺形成。这样一来，不但可以简化显示基板的制备工艺，还可以节省一道mask，大大节省制备成本。
在一些实施例中，为了不影响显示基板的整体厚度，惰性材料12背离衬底10的表面，可不超出封装层25背离衬底10的表面。
在一些实施例中，有机封装层252可以仅位于显示区101。
在一些实施例中，第一子挡墙111靠近显示区101的侧壁与显示区101之间具有间距，该间距内将形成第一无机封装层251、第二无机封装层253和阻隔坝32。
基于此，不对第一子挡墙111靠近显示区101的侧壁与显示区101之间的间距范围进行限定，只要预留的间距可以使第一无机封装层251和第二无机封装层253对发光器件23起到保护作用即可。
示例的，第一子挡墙111靠近显示区101的侧壁与显示区101之间的间距范围为15～300μm。
由于无机绝缘材料的柔韧性差，因此，在对显示基板母板进行切割，形成多个显示基板时，切割区域的无机绝缘材料越多，切割时越容易导致无机绝缘材料裂缝crack。
基于此，本发明实施例中，通过在非显示区102中的间隔区填充有机的惰性材料12，将间隔区作为切割区，在对显示基板母板进行切割，形成多个显示基板时，实际切割的是有机的惰性材料12。由于有机材料的柔韧性大于无机材料的柔韧性，因此，可以改善切割时无机绝缘材料crack的问题。
可选的，如图14所示，无机绝缘层13靠近衬底10一侧和背离衬底10一侧均形成有导电层31；在沉积无机绝缘层13后，所述显示基板的制备方法还包括：去除惰性材料12，在间隔区形成过孔，以使得位于无机绝缘层13相对两侧的导电层31通过过孔电连接。
在一些实施例中，不对过孔的设置位置进行限定，其可以位于显示基板的显示区101，也可以位于显示基板的非显示区102。
示例的，位于无机绝缘层13相对两侧的导电层31分别为驱动晶体管的漏极和发光器件23的第一电极231。
或者，位于无机绝缘层13相对两侧的导电层31分别为像素电路层21的源漏金属层和辅助引线。
在一些实施例中，例如可以采用灰化工艺去除惰性材料12。
本发明实施例中，还可以利用所述显示基板的制备方法形成过孔，以便位于无机绝缘层13相对两侧的导电层31通过过孔电连接。
可选的，如图8和图9所示，在填充惰性材料12之前，所述显示基板的制备方法还包括：在间隔区形成第二挡墙14。
在一些实施例中，第二挡墙14的个数可以是一个，也可以是多个。
在一些实施例中，不对第二挡墙14的尺寸进行限定，第二挡墙14的尺寸与所述显示基板的用途和第二挡墙14的制备工艺有关。
其中，第二挡墙14的高度、第二挡墙14的宽度、相邻第二挡墙14之间的间距，均与第一挡墙11无绝对关系。
可选的，第二挡墙14的厚度小于或等于第一挡墙11的厚度，避免第二挡墙14影响所述显示基板的整体厚度。
示例的，第二挡墙14的高度范围为0.5～2.5μm，第二挡墙14的宽度范围为5～15μm，相邻第二挡墙14之间的间距为5～15μm。
本发明实施例中，通过在间隔区形成第二挡墙14，可以进一步起到避免惰性材料12溢流的作用，同时还可以增加惰性材料12在基板上的稳定性。
可选的，如图10所示，在填充惰性材料12之前，所述显示基板的制备方法还包括：在衬底10靠近第一挡墙11的表面形成凹槽，凹槽位于间隔区。
在一些实施例中，如图10所示，衬底10包括基底01和设置于基底01与第一挡墙11之间的缓冲层02。
在此情况下，凹槽可以位于缓冲层02中；或者，凹槽也可以位于缓冲层02和基底01中。
此处，基底01的材料例如可以是玻璃或聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)。缓冲层02的材料例如可以是SiNx、SiOx、Al2O3。
在一些实施例中，凹槽的个数可以是一个，也可以是多个。
在一些实施例中，不对凹槽的尺寸进行限定，以实际设计为准。
示例的，凹槽的深度范围为0.5～2.5μm，凹槽的宽度范围为5～15μm，相邻凹槽之间的间距为5～15μm。
本发明实施例中，通过在衬底10上形成凹槽，可以进一步起到避免惰性材料12溢流的作用，同时还可以增加惰性材料12在基板上的稳定性。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (15)
1.一种显示基板，其特征在于，包括显示区和位于所述显示区外围的非显示区；
所述显示基板包括衬底、设置于所述衬底上的阻隔坝、第一挡墙和设置于所述阻隔坝和所述第一挡墙背离所述衬底一侧的无机绝缘层；
所述阻隔坝和所述第一挡墙均位于所述非显示区、且呈封闭状围绕所述显示区；所述第一挡墙位于所述阻隔坝背离所述显示区一侧；
所述第一挡墙包括封闭的第一子挡墙和环绕所述第一子挡墙的第二子挡墙，所述第一子挡墙与所述第二子挡墙之间的区域为间隔区；
所述间隔区填充有有机的惰性材料，所述无机绝缘层在所述衬底上的正投影与所述间隔区无交叠。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板用作显示基板母板；
所述显示基板母板包括封装层，所述封装层包括依次层叠设置的第一无机封装层、有机封装层、以及第二无机封装层；
所述无机绝缘层为所述第一无机封装层和所述第二无机封装层。
3.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括位于所述间隔区的第二挡墙；
所述第二挡墙位于所述衬底与所述惰性材料之间，所述惰性材料覆盖所述第二挡墙。
4.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述衬底靠近所述第一挡墙的表面具有凹槽，所述凹槽位于所述间隔区，所述惰性材料覆盖所述凹糟。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述阻隔坝包括第一子阻隔坝和环绕所述第一子阻隔坝的第二子阻隔坝；
所述第二子阻隔坝背离所述衬底的表面到所述衬底的最小垂直距离，大于所述第一子阻隔坝背离所述衬底的表面到所述衬底的最小垂直距离。
6.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述衬底靠近所述第一挡墙的一侧表面附着有-OH；所述惰性材料由有机材料与-OH反应得到；
其中，所述有机材料包括乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、氯甲基三乙氧基硅烷中的一种。
7.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述惰性材料包括聚苯乙烯类、聚环氧乙烷类、聚甲基丙烯酸甲酯类、聚乙烯吡咯烷酮中的一种。
8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的显示基板。
9.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板包括显示区和位于所述显示区外围的非显示区；
所述显示基板的制备方法，包括：
在衬底上形成第一挡墙和阻隔坝；所述阻隔坝和所述第一挡墙均位于所述非显示区、且呈封闭状围绕所述显示区，所述第一挡墙位于所述阻隔坝背离所述显示区一侧；所述第一挡墙包括封闭的第一子挡墙和环绕所述第一子挡墙的第二子挡墙，所述第一子挡墙与所述第二子挡墙之间的区域为间隔区；
向所述间隔区填充有机的惰性材料；
在所述第一挡墙和所述阻隔坝背离所述衬底一侧沉积无机绝缘层，所述无机绝缘层在所述衬底上的正投影与所述间隔区无交叠。
10.根据权利要求9所述的显示基板的制备方法，其特征在于，向所述间隔区填充有机的惰性材料，包括：
向所述间隔区填充有机材料，所述有机材料可与羟基发生水解或醇解反应生成惰性基团，以得到所述惰性材料。
11.根据权利要求10所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述有机材料包括乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、氯甲基三乙氧基硅烷中的一种。
12.根据权利要求9所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述惰性材料包括聚苯乙烯类、聚环氧乙烷类、聚甲基丙烯酸甲酯类、聚乙烯吡咯烷酮中的一种。
13.根据权利要求9所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在所述第一挡墙和阻隔坝背离所述衬底一侧沉积无机绝缘层，包括：
采用ALD工艺在所述第一挡墙背离所述衬底一侧沉积无机绝缘层。
14.根据权利要求9-13任一项所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板用作显示基板母板；
所述显示基板母板包括封装层，所述封装层包括依次层叠设置的第一无机封装层、有机封装层、以及第二无机封装层；
所述无机绝缘层为所述第一无机封装层和所述第二无机封装层。
15.根据权利要求9-13任一项所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述无机绝缘层靠近所述衬底一侧和背离所述衬底一侧均形成有导电层；
在沉积所述无机绝缘层后，所述显示基板的制备方法还包括：
去除所述惰性材料，在所述间隔区形成过孔，以使得位于所述无机绝缘层相对两侧的所述导电层通过所述过孔电连接。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010076888.2A CN111244327B (zh) | 2020-01-23 | 2020-01-23 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
| US17/625,980 US12063810B2 (en) | 2020-01-23 | 2021-01-22 | Display substrate motherboard, display substrate and manufacturing method therefor, and display apparatus |
| PCT/CN2021/073370 WO2021148007A1 (zh) | 2020-01-23 | 2021-01-22 | 显示基板母板、显示基板及其制备方法、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010076888.2A CN111244327B (zh) | 2020-01-23 | 2020-01-23 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111244327A true CN111244327A (zh) | 2020-06-05 |
| CN111244327B CN111244327B (zh) | 2023-01-24 |
Family
ID=70874949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010076888.2A Active CN111244327B (zh) | 2020-01-23 | 2020-01-23 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US12063810B2 (zh) |
| CN (1) | CN111244327B (zh) |
| WO (1) | WO2021148007A1 (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN112271196A (zh) * | 2020-10-22 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220384761A1 (en) | 2022-12-01 |
| US12063810B2 (en) | 2024-08-13 |
| CN111244327B (zh) | 2023-01-24 |
| WO2021148007A1 (zh) | 2021-07-29 |
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |