CN113314571B - 电子设备、显示面板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种电子设备、显示面板及其制作方法，该显示面板具有显示区以及围绕显示区设置的非显示区，且显示面板还包括：阵列基板、像素层以及挡墙；阵列基板与像素层层叠设置；像素层背离阵列基板的一侧设置有阴极，且阴极位于非显示区的部分区域与阵列基板相搭接；挡墙与像素层同层设置，且挡墙位于非显示区，并围绕像素层设置；其中，阴极与挡墙之间的附着力低于阴极与阵列基板之间的附着力。通过上述方式，可以减小非显示区在远离显示区的方向上的宽度，提高显示面板的屏占比。

Description

电子设备、显示面板及其制作方法

技术领域

本申请涉及电子设备的技术领域，具体是涉及一种电子设备、显示面板及其制作方法。

背景技术

随着电子设备的不断发展和普及，电子设备已经成为了人们日常生活中不可或缺的社交工具和娱乐工具，人们对于电子设备的要求也越来越高。以手机为例，多数手机会搭载具有高屏占比的显示面板，从而为用户带来更好的观看体验。然而，随着显示面板的硬件设计和制作工艺已经达到瓶颈，如何能够进一步提高手机屏幕的屏占比，已经成为了业内人员的主要关注方向。

发明内容

本申请实施例一方面提供了一种显示面板，显示面板具有显示区以及围绕显示区设置的非显示区，且显示面板还包括：阵列基板、像素层以及挡墙；阵列基板与像素层层叠设置；像素层背离阵列基板的一侧设置有阴极，且阴极位于非显示区的部分区域与阵列基板相搭接；挡墙与像素层同层设置，且挡墙位于非显示区，并围绕像素层设置；其中，阴极与挡墙之间的附着力低于阴极与阵列基板之间的附着力。

本申请实施例另一方面提供了一种显示面板的制作方法，制作方法包括：提供一阵列基板，且阵列基板具有显示区以及围绕显示区设置的非显示区；在阵列基板上形成挡墙，且挡墙位于非显示区；在阵列基板上形成像素层，且挡墙围绕像素层设置；其中，像素层背离阵列基板的一侧设置有阴极，且阴极位于非显示区的部分区域与阵列基板相搭接；阴极与挡墙之间的附着力低于阴极与阵列基板之间的附着力。

本申请实施例还提供一种电子设备，电子设备包括：壳体以及上述的显示面板；壳体与显示面板连接，且两者共同围设形成容置空间，以容纳电子设备的功能器件。

本申请实施例提供的显示面板，通过在阵列基板上同层设置挡墙和像素层，且挡墙围绕像素层设置，使得后续对像素层进行封装时，挡墙可以对封装材料的溢流进行阻挡。通过将位于非显示区的阴极与阵列基板搭接，使得阵列基板能够为像素层提供驱动信号，以实现像素层的发光功能。通过设置阴极和挡墙的附着力低于阴极与阵列基板的附着力，使得像素层在形成阴极的过程中，阴极位于非显示区的部分区域不易附着在挡墙上，从而降低阴极附着在挡墙上的概率。通过上述方式，可以取消在非显示区中，为了避免阴极在形成后与挡墙发生搭接，而在阴极与挡墙之间预留的避让空间，达到缩减非显示区宽度的目的，提高显示面板的屏占比。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是一些OLED柔性屏2的截面结构示意图；

图2是图1中采用真空镀膜工艺形成阴极3的结构示意图；

图3是本申请实施例提供的电子设备10的结构示意图；

图4是图3中电子设备10的分解结构示意图；

图5是图4中显示面板200的正视图；

图6是图5中显示面板200沿Ⅴ-Ⅴ的部分截面结构示意图；

图7是图6中C处的局部放大图；

图8是图6中D处的局部放大图；

图9是图8中阴极225和第二隔离层2302的分布示意图；

图10是本申请实施例提供的显示面板制作方法的流程示意图；

图11是图10中在所述阵列基板上形成像素层的流程示意图。

具体实施方式

作为在此使用的“电子设备”(或简称为“终端”)包括，但不限于被设置成经由有线线路连接(如经由公共交换电话网络(PSTN)、数字用户线路(DSL)、数字电缆、直接电缆连接，以及/或另一数据连接/网络)和/或经由(例如，针对蜂窝网络、无线局域网(WLAN)、诸如DVB-H网络的数字电视网络、卫星网络、AM-FM广播发送器，以及/或另一通信终端的)无线接口接收/发送通信信号的装置。被设置成通过无线接口通信的通信终端可以被称为“无线通信终端”、“无线终端”或“移动终端”。移动终端的示例包括，但不限于卫星或蜂窝电话；可以组合蜂窝无线电电话与数据处理、传真以及数据通信能力的个人通信系统(PCS)终端；可以包括无线电电话、寻呼机、因特网/内联网接入、Web浏览器、记事簿、日历以及/或全球定位系统(GPS)接收器的PDA；以及常规膝上型和/或掌上型接收器或包括无线电电话收发器的其它电子装置。手机即为配置有蜂窝通信模块的电子设备。

请参阅图1至图2，图1是一些OLED柔性屏2的截面结构示意图，图2是图1中采用真空镀膜工艺形成阴极3的结构示意图。

经发明人长期研究发现，一些技术方案会采用真空蒸镀的工艺来形成OLED(Organic Light-Emitting Diode有机发光二极管)柔性屏2中的阴极3。如图1至图2所示，由于蒸镀工艺的特点，部分阴极材料在蒸镀过程中，会沉积到基板4上被掩膜层5遮盖的区域形成阴影区A。而阴极3又需要沉积在OLED柔性屏2的非显示区NA与基板4进行搭接，以传递电信号实现OLED柔性屏2的发光功能。因此在采用蒸镀沉积形成阴极3后，阴影区A就容易搭接至挡墙6上。又由于挡墙6一般设置于OLED柔性屏2的非显示区NA，也即是边框区域，因此在对OLED柔性屏2边框区域做曲面设计进行弯折时，挡墙6所在的区域就会受到较大的应力，使得阴极3受力后与挡墙6相剥离，增大了阴极3断裂的风险。为了避免此种情况的发生，上述方案在蒸镀沉积形成阴极3时，往往会在阴极3与挡墙6之间预留一定的避让空间B，且避让空间B的宽度一般在0.1mm以上，从而利用该避让空间B吸收阴影区A，避免沉积后阴极3搭接至挡墙6上，以便于对OLED柔性屏2的边框区域做曲面设计。然而，上述方案由于在非显示区NA设计了宽度大于0.1mm的避让空间B，因此非显示区NA的宽度也会随之增加，导致OLED柔性屏2的屏占比降低。为了解决上述问题，本申请实施例提供了一种电子设备、显示面板及其制作方法，能够在取消避让空间B的同时，避免沉积后的阴极3搭接至挡墙6上，从降低非显示区NA的占用宽度，提高屏占比。

下面结合附图和实施例，对本申请作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例仅用于说明本申请，但不对本申请的范围进行限定。同样的，以下实施例仅为本申请的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

请参阅图3至图4，图3是本申请实施例提供的电子设备10的结构示意图，图4是图3中电子设备10的分解结构示意图。

本申请实施例提供的电子设备10具体可以是手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备等，下面以电子设备10为手机进行如下说明。如图3至图4所示，电子设备10可以包括：壳体100和显示面板200。其中，壳体100可以与显示面板200连接，且两者还可以共同围设形成容置空间，用于容纳电子设备10的功能器件。在本实施例中，显示面板200可以具有显示区AA以及围绕显示区AA设置的非显示区NA，且非显示区NA在背离显示区AA的方向上的宽度较窄，使得显示面板200可以具有更高的屏占比，从而为用户提供更多的画面显示。

壳体100除了可以用于安装显示面板200外，还可以用于安装电子设备10的功能器件，如摄像头、电池以及传感器等，使得上述功能器件可以通过壳体100固定在容置空间内。如图4所示，壳体100可以包括中框110和后盖120。其中，显示面板200可以盖设于中框110的一侧，后盖120可以盖设于中框110的另一相对侧。中框110可以用于承载和固定电子设备10的功能器件，且中框110可以具有相应的敞口结构，以使显示面板200和后盖120能够与中框110共同围设形成上述容置空间。后盖120可以用于封闭容置空间，以保护安装在中框110上的功能器件。在本实施例中，中框110和后盖120的材质可以是玻璃、金属和硬质塑料等，使得中框110和后盖120具有一定的结构强度。同时，由于中框110和后盖120一般会直接暴露于外界环境，因此中框110和后盖120可以具有一定的耐磨耐蚀防刮等性能，或者在中框110和后盖120的外表面(也即是电子设备10的外表面)涂布一层用于耐磨耐蚀防刮的功能材料。此外，在一些实施例中，中框110和后盖120还可以设置有相应的品牌标识(LOGO)，以美化电子设备10的外观，提高辨识度。

请参阅图5至图7，图5是图4中显示面板200的正视图，图6是图5中显示面板200沿Ⅴ-Ⅴ的部分截面结构示意图，图7是图6中C处的局部放大图。

显示面板200可以采用OLED屏幕为电子设备10提供图像显示功能，且显示面板200可以是柔性曲面屏，以便于对显示面板200做曲面设计。如图4至图5所示，显示面板200可以具有显示区AA以及围绕显示区AA设置的非显示区NA，且显示面板200还可以包括：阵列基板210、像素层220以及挡墙230。其中，阵列基板210可以与像素层220层叠设置，用于为像素层220传递电信号。像素层220可以接收阵列基板210传递的电信号，并根据对应的电信号进行发光。挡墙230可以与像素层220同层设置，且位于非显示区NA围绕像素层220设置，用于对封装像素层220的封装材料进行阻拦，避免封装材料在形成过程中发生溢流。在本实施例中，像素层220与挡墙230之间的附着力可以低于像素层220与阵列基板210之间的附着力，使得像素层220在形成过程中不易附着在挡墙230上，降低形成后的像素层220搭接至挡墙230上的概率，从而去除像素层220和挡墙230之间，因避免形成后的像素层220与挡墙230相搭接而预留的避让空间B，缩减非显示区NA在背离显示区AA方向上的宽度，提升显示面板200的屏占比。

阵列基板210除了可以用于承载像素层220，其还可以用于为像素层220传递电信号，以实现像素层220的发光功能。如图5所示，阵列基板210可以包括：衬底211、驱动线路层212以及平坦层213。其中，衬底211可以具有柔性，用于承载显示面板200的各个膜层。驱动线路层212可以与衬底211层叠设置，用于传递显示面板200中驱动芯片的电信号至像素层220。平坦层213可以与驱动线路层212同层设置，并覆盖驱动线路层212，以保证后续形成的像素层220的平整性。像素层220可以与平坦层213层叠设置，且位于平坦层213背离衬底211的一侧。在本实施例中，像素层220可以与驱动线路层212相搭接，以接收驱动线路层212传递的电信号进行发光。同时，像素层220与挡墙230之间的附着力低于像素层220与驱动线路层212之间的附着力，使得像素层220在形成过程中不易附着至挡墙230上，从而去除像素层220与挡墙230之间所需预留的避让空间B，缩减非显示区NA的宽度，提升显示面板200的屏占比。

衬底211在可以承载显示面板200各个膜层的同时，还可以保持优良的柔软度，以便于对显示面板200做曲面设计。例如，衬底211的材质可以是PI(Polyimide Film，聚酰亚胺)，以使柔性衬底211可以具有优良的绝缘性、耐热性、稳定性以及形变性，从而保证显示面板200的可靠性。驱动线路层212可以用于传递驱动芯片的电信号，使得显示面板200可以显示出与电信号相对应的图像。例如，驱动线路层212可以包括同层设置的VSS电路层2121、GOA电路层2122以及像素电路层2123。其中，VSS电路层2121和GOA电路层2122可以位于非显示区NA。VSS电路层2121可以与像素层220相搭接，从而为像素层220提供电信号以实现像素层220的发光功能。GOA电路层220可以用于将驱动芯片输出的电信号进行逐行移动，以选中需要进行发光的子像素。像素电路层2123可以位于显示区AA，且像素电路层2123可以设置有源极漏极，用于为像素层220传递电信号，以实现像素层220的发光功能。

进一步地，由于驱动线路层212与像素层220之间设置有平坦层213，因此平坦层213可以开设有过孔，用于布线连接驱动线路层212与像素层220，以实现两者的电性连接。如图6所示，VSS电路层2121可以设置有金属走线层21211，且该金属走线层21211可以通过上述过孔延伸至平坦层213背离衬底211的一侧。同时，金属走线层21211可以位于非显示区NA，用于与像素层220进行搭接，使得VSS电路层2121可以与像素层220的电性连接，从而为像素层220提供驱动信号。相应地，像素电路层220的源极或漏极也可以通过过孔与像素层220电性连接，以为像素层220提供驱动信号，从而实现像素层220的发光功能。VSS电路层2121、GOA电路层2122以及像素电路层2123的具体结构和原理可参现有技术，本实施例在此不予赘述。

像素层220可以具有发光功能，以实现显示面板200的图像显示。如图6所示，像素层220可以包括：像素定义层221、发光层222、阳极223、有机层224以及阴极225。其中，像素定义层221可以设置于平坦层213背离衬底211的一侧，且位于显示区AA的像素定义层221可以具有多个发光区L，以限定出显示面板200中子像素的发光区域。发光层222可以设置于像素定义层221背离平坦层213的一侧，且位于像素定义层221限定出的发光区L内。阳极223可以位于显示区AA，且阳极223可以设置于像素定义层221和平坦层213之间，并分别与发光层222和像素电路层2123中的源极或漏极相搭接，使得像素电路层2123可以为发光层222提供电信号。有机层224可以设置于像素定义层221背离平坦层213的一侧，并覆盖发光层222。阴极225可以设置于有机层224背离像素定义层221的一侧，且阴极225可以分别与发光层222和金属走线层21211相搭接，使得VSS电路层2121可以为发光层222提供电信号。相应地，阳极223、阴极225和发光层222之间还可以设置有空穴注入层、空穴传输层、电子注入层以及电子传输层，使得发光层222可以根据对应的电信号进行发光。其中，发光层222具体的发光原理可参现有技术，本实施例在此不予赘述。

挡墙230可以设置于平坦层213背离衬底211的一侧，且挡墙230可以围绕像素层220设置，对封装像素层220的封装材料进行阻拦，避免封装材料在形成过程中发生溢流。例如，挡墙230可以设置于非显示区NA，并围绕像素层220设置。当对像素层220进行封装时，挡墙230就可以对形成过程中的封装材料进行阻拦，避免封装材料发生溢流。如图6和图7所示，为了提高挡墙230的阻拦效果，挡墙230可以包括：第一挡墙231和第二挡墙232。其中，第一挡墙231可以设置于非显示区NA，并围绕像素层220设置，第二挡墙232可以设置于第一挡墙231背离像素层220的一侧，并围绕第一挡墙231设置。且第一挡墙231和第二挡墙232在外形上可以是梯形结构，也可以是矩形结构。通过设置第一挡墙231和第二挡墙232不仅可以提高阻拦封装材料溢流的效果，还可以将溢流的封装材料留存在第一挡墙231和第二挡墙232形成的环形区域内，利用封装材料缓解显示面板200在非显示区NA做曲面设计带来的弯折应力。在本实施例中，第一挡墙231和第二挡墙232的高度可以大于2μm，如3μm、3.5μm或4μm。第一挡墙231和第二挡墙232的间距可以大于3μm，如4μm、4.5μm或5μm。相应地，第一挡墙231和第二挡墙232的高度以及间距，也可以根据本领域技术人员的实际需求进行设置，本实施例在此不作限定。

进一步地，由于工艺的限制，阴极225在形成过程中，会存在与挡墙230相搭接的情况。当显示面板200在非显示区NA做曲面设计时，挡墙230与阴极225之间会受到较大的应力，导致阴极225与挡墙230相剥离，增大了阴极225断裂的风险。为了避免上述情况的发生，阴极225与挡墙230之间会留有上述的避让空间B，以吸收阴极225搭接至挡墙230的部分区域，从而避免阴极225与挡墙230相搭接。然而，避让空间B的存在会增大非显示区NA在背离显示区AA的方向上的宽度，降低了显示面板200的屏占比。

基于此，如图7所示，本实施例通过在第一挡墙231和第二挡墙232的外表面设置有第一隔离层2301，且阴极225与第一隔离层2301之间的附着力低于阴极225与金属走线层21211之间的附着力，使得阴极225在形成过程中，不易附着至挡墙230上，从而降低阴极225在形成后与挡墙230相搭接的概率，去除避让空间B的设计，减小非显示区NA在远离显示区AA的方向上的宽度，提高显示面板200的屏占比。在本实施例中，第一隔离层2301的材质可以是氟化有机物，而阴极225的材质可以是镁银合金。由于氟化有机物富含氟，与镁银合金的粘附力极弱，因此阴极225在形成过程中就不易附着至挡墙230上，从而避免阴极225在形成后搭接至挡墙230上。在一些实施例中，第一隔离层2301也可以仅设置于挡墙230的顶表面，也即是挡墙230背离平坦层213的一面，或者是，挡墙230的材质也可以是氟化有机物，从而降低挡墙230本身与阴极225之间的附着力，避免阴极225形成后搭接至挡墙230上。

参阅图8至图9，图8是图6中D处的局部放大图，图9是图8中阴极225和第二隔离层2302的分布示意图。

由于镁银合金的透光率在百分之50左右，因此在显示区AA形成整层的阴极225会使得光线在阴极225这一层的透过率较低。为了提高显示面板200的透光率，为屏下摄像的方案提供便利，阴极225还可以做图案化设计，提高光线在阴极225这一层的光线透过率。如图8至图9所示，有机层224背离像素定义层221的一侧可以设置有与第一隔离层2301材质相同的第二隔离层2302，且第二隔离层2302可以与阴极225同层设置。其中，位于显示区AA的阴极225在像素定义层221上的正投影位于发光区L内，而位于显示区AA的第二隔离层2302在像素定义层221上的正投影可以围绕发光区L设置。由此，可以利用氟化有机物和镁银合金粘附力弱的特点，降低第二隔离层2302与阴极225之间附着力，使得阴极225在形成过程中，仅会形成在第二隔离层2302围设形成的区域内，也即是与发光区L相对设置的区域，而不易附着至发光区L以外的区域，从而实现对阴极225的图案化设计。相较于整层阴极225的设计，可以利用第二隔离层2302将阴极225限定在像素定义层221的发光区L内，与发光层222相对设置，从而在不影响像素层220发光功能的同时，利用阴极225在多个发光区L之间的间隙，将光线在阴极225这一层的透过率提高到百分之80以上，为屏下摄像的方案提供便利。

此外，显示面板200还可以包括封装层240，用于对像素层220进行封装。封装层240可以设置于像素层220背离平坦层213的一侧，且封装层240可以覆盖像素层220以及挡墙230，用于对像素层220做封装处理，防止像素层220受水汽侵蚀。其中，封装层240可以包括依次层叠设置的第一膜层241、第二膜层242以及第三膜层243。第一膜层241的材质可以是SIN，SIO，Al2O3，SION等致密的无机材料。第二膜层242的材质可以为环氧树脂或聚氨酯，硅基等有机材料。第三膜层243的材质可以与第一膜层相类似。通过将无机材料和有机材料进行交叠设置，可以提高封装层240的防水性能。在一些实施例中，封装层240的膜层结构和数量也可以根据本领域技术人员的实际需求进行设置，本实施例在此不予赘述。

本申请实施例提供的显示面板200，通过在平坦层213上同层设置挡墙230和像素层220，且挡墙230围绕像素层220设置，使得后续对像素层220进行封装时，挡墙230可以对封装材料的溢流进行阻挡。通过将位于非显示区NA的阴极225与金属走线层21211搭接，使得VSS电路层2121能够为像素层220提供驱动信号，以实现像素层220的发光功能。通过设置阴极225和挡墙230之间的附着力低于阴极225与金属走线层21211之间的附着力，使得像素层220在形成阴极225的过程中，阴极225位于非显示区NA的部分区域不易附着在挡墙230上，从而降低阴极225附着在挡墙230上的概率。通过上述方式，可以取消在非显示区NA中，为了避免阴极225在形成后与挡墙230发生搭接，而在阴极225与挡墙230之间预留的避让空间B，达到缩减非显示区NA宽度的目的，提高显示面板200的屏占比。

参阅图10至图11，图10是本申请实施例提供的显示面板制作方法的流程示意图，图11是图10中在所述阵列基板上形成像素层的流程示意图。

本申请实施例提供的显示面板制作方法可以用于制作上述实施例中的显示面板200。如图10所示，该制作方法可以包括如下步骤：

S20，提供一阵列基板，且所述阵列基板具有显示区以及围绕所述显示区设置的非显示区。

由于显示面板200为柔性屏，因此在形成阵列基板210之前需要提供一玻璃基板进行支撑，以便于形成显示面板200的各个膜层结构。当显示面板200封装完毕之后，可以通过激光剥离的方式分离玻璃基板与显示面板200，实现显示面板200的制备。在本实施例中，阵列基板210可以包括：衬底211、驱动电路层212以及平坦层213。其中，衬底211可以是涂布在玻璃基板上的PI材料而形成的。驱动电路层212可以通过在衬底211上沉积金属层后，对金属层进行光刻而形成的。平坦层213则可以采用涂布机涂布形成，且平坦层213可以与驱动电路层212同层设置，并覆盖驱动电路层212。

S30，在所述阵列基板上形成挡墙，且所述挡墙位于所述非显示区。

S40，在所述阵列基板上形成像素层，且所述挡墙围绕所述像素层设置。

挡墙230可以通过在平坦层213上涂布一层PI膜层，然后对PI膜层进行光刻而形成的。其中，挡墙230可以设置于显示面板200的非显示区NA，且挡墙230可以围绕显示面板200的显示区AA设置。像素层220可以形成于挡墙230在平坦层230上围设形成的区域内，且像素层220可以包括：像素定义层221、发光层222、阳极224、有机层224以及阴极225。如图11所示，形成像素层220可以包括如下步骤：

S41，在所述阵列基板上形成阳极，且所述阳极位于所述显示区。

S42，在所述阵列基板上形成覆盖所述阳极的像素定义层，且所述像素定义层具有发光区。

S43，在所述发光区内形成发光层，且所述阳极分别与所述发光层和所述阵列基板相搭接。

S44，在所述挡墙上形成第一隔离层，在所述有机层上形成第二隔离层，且所述第一隔离层和所述第二隔离层的材质相同。

S45，在所述有机层上形成所述阴极，且所述阴极位于所述显示区的部分区域在所述像素定义层上的正投影位于所述发光区的覆盖范围内。

通过PVD(Physical Vapour Deposition，物理气相沉积)在平坦层213位于显示区AA的区域内，沉积金属层并对该金属层进行光刻形成金属阳极223，且阳极223可以与位于显示区AA的驱动线路212相搭接。在平坦层213上涂布形成像素定义层221，且像素定义层221可以具有多个发光区L。通过真空沉积在像素定义层221的发光区L内形成发光层222，且发光层222可以与阳极223相搭接。通过CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)在像素定义层221上继续沉积一层有机层224，且有机层224可以覆盖发光层222设置。

进一步地，为了实现阴极225的图案化设计，以及避免阴极225在形成过程中附着在挡墙230上，还可以通过真空镀膜工艺在挡墙230上沉积形成第一隔离层2301，以及在有机层224上沉积形成图案化的第二隔离层2302。其中，第一隔离层2301和第二隔离层2302可以通过一次真空镀膜工艺形成，而无需增加相应的工艺步骤。同时，第一隔离层2301和第二隔离层2302的材质可以是氟化有机物，且第二隔离层2302在像素定义层221上的正投影可以围绕发光区L设置。在真空镀膜形成第一隔离层2301和第二隔离层2302之后，可以通过真空镀膜工艺继续在有机层224上沉积形成阴极225，且阴极225在像素定义层221上的正投影可以位于发光区L内。其中，阴极225的材质可以是镁银合金。

由于氟化有机物和镁银合金的粘附力极弱，因此可以降低阴极225与挡墙230之间的附着力。在沉积形成阴极225的过程中，阴极225就不会因真空镀膜的工艺限制附着在挡墙230上，从而可以去除阴极225与挡墙230之间所需预留的避让空间B，减小非显示区NA的宽度，提高显示面板200的屏占比。同时，位于显示区AA的阴极225还可以利用与第二隔离层2302附着力低的特点形成图案化设计，提高光线在阴极225这一层的透过率，为屏下摄像的方案提供便利。

在一些实施例中，当显示面板200不需要进行屏下摄像的设计时，在步骤S30也可以直接通过真空镀膜的方式在平坦层213上沉积形成材质为氟化有机物的挡墙230，以避免阴极225在后续的形成工艺中与挡墙230发生搭接。此外，在一些实施例中，在完成上述工艺步骤后，还可以通过CVD和喷墨打印继续在阴极225背离像素定义层221的一侧形成封装层240，且封装层240可以覆盖像素层220和挡墙230设置，以实现显示面板200的封装，避免像素层220受水汽侵蚀。

本申请实施例提供的显示面板200，通过在阵列基板210上同层设置挡墙230和像素层220，且挡墙230围绕像素层220设置，使得后续对像素层220进行封装时，挡墙230可以对封装材料的溢流进行阻挡。通过将位于非显示区NA的阴极225与阵列基板210搭接，使得阵列基板210能够为像素层220提供驱动信号，以实现像素层220的发光功能。通过设置阴极225和挡墙230之间的附着力低于阴极225与阵列基板210之间的附着力，使得像素层220在形成阴极225的过程中，阴极225位于非显示区NA的部分区域不易附着在挡墙230上，从而降低阴极225附着在挡墙230上的概率。通过上述方式，可以取消在非显示区NA中，为了避免阴极225在形成后与挡墙230发生搭接，而在阴极225与挡墙230之间预留的避让空间B，达到缩减非显示区NA宽度的目的，提高显示面板200的屏占比。

以上所述仅为本申请的部分实施例，并非因此限制本申请的保护范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效装置或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (13)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板具有显示区以及围绕所述显示区设置的非显示区，且所述显示面板还包括：

阵列基板、像素层以及挡墙；

所述阵列基板与所述像素层层叠设置；

所述像素层背离所述阵列基板的一侧设置有阴极，且所述阴极位于所述非显示区的部分区域与所述阵列基板相搭接；

所述挡墙与所述像素层同层设置，且所述挡墙位于所述非显示区，并围绕所述像素层设置；

其中，所述阴极与所述挡墙之间的附着力低于所述阴极与所述阵列基板之间的附着力。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述挡墙的外表面设置有第一隔离层；

其中，所述阴极与所述第一隔离层之间的附着力低于所述阴极与所述阵列基板之间的附着力。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述阴极的材质为镁银合金，所述第一隔离层的材质为氟化有机物。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阴极的材质为镁银合金，所述挡墙的材质为氟化有机物。

5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述像素层还设置有像素定义层以及与所述阴极同层设置的第二隔离层；

所述像素定义层与所述挡墙同层设置，且所述像素定义层位于所述显示区的部分区域具有发光区；所述阴极设置于所述像素定义层背离所述阵列基板的一侧，且所述阴极位于所述显示区的部分区域在所述像素定义层上的正投影位于所述发光区内；所述第二隔离层位于所述显示区的部分区域在所述像素定义层上的正投影围绕所述发光区设置；其中，所述第一隔离层和所述第二隔离层的材质相同。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述像素层还设置有：发光层、阳极以及有机层；

所述发光层设置于所述像素定义层背离所述阵列基板的一侧，且所述发光层还位于所述发光区内；所述阳极位于所述显示区，且所述阳极设置于所述像素定义层与所述阵列基板之间，并分别与所述发光层和所述阵列基板相搭接；所述有机层设置于所述阴极与所述像素定义层之间，并覆盖所述发光层。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底、驱动线路层以及平坦层；

所述衬底与所述驱动线路层层叠设置，所述平坦层与所述驱动线路层同层设置，并覆盖所述驱动线路层；所述像素定义层设置于所述平坦层背离所述衬底的一侧；其中，所述阴极位于所述非显示区的部分区域与所述驱动线路层位于所述非显示区的部分区域相搭接，所述阳极与所述驱动线路层位于所述显示区的部分区域相搭接。

8.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一阵列基板，且所述阵列基板具有显示区以及围绕所述显示区设置的非显示区；

在所述阵列基板上形成挡墙，且所述挡墙位于所述非显示区；

在所述阵列基板上形成像素层，且所述挡墙围绕所述像素层设置；

其中，所述像素层背离所述阵列基板的一侧设置有阴极，且所述阴极位于所述非显示区的部分区域与所述阵列基板相搭接；所述阴极与所述挡墙之间的附着力低于所述阴极与所述阵列基板之间的附着力。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，在所述阵列基板上形成所述像素层的步骤包括：

在所述阵列基板上形成阳极，且所述阳极位于所述显示区；

在所述阵列基板上形成覆盖所述阳极的像素定义层，且所述像素定义层具有发光区；

在所述发光区内形成发光层，且所述阳极分别与所述发光层和所述阵列基板相搭接；

在所述像素定义层上形成覆盖所述发光层的有机层；

在所述有机层上形成所述阴极，且所述阴极位于所述显示区的部分区域在所述像素定义层上的正投影位于所述发光区的覆盖范围内。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在所述有机层上形成所述阴极的步骤之前包括：

在所述挡墙上形成第一隔离层，在所述有机层上形成第二隔离层，且所述第一隔离层和所述第二隔离层的材质相同；

其中，所述阴极与所述第一隔离层之间的附着力低于所述阴极与所述阵列基板之间的附着力；所述第二隔离层与所述阴极同层设置，且所述第二隔离层位于所述显示区的部分区域在所述像素定义层上的正投影围绕所述发光区设置。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述阴极的材质为镁银合金，所述第一隔离层和所述第二隔离层的材质为氟化有机物。

12.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述阴极的材质为镁银合金，所述挡墙的材质为氟化有机物。

13.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：壳体以及权利要求1-7任意一项所述的显示面板；

所述壳体与所述显示面板连接，且两者共同围设形成容置空间，以容纳所述电子设备的功能器件。

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