CN114420869B - 一种显示基板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示基板及显示装置，涉及显示技术领域，显示基板包括显示区和设于显示区外围的边框区；显示区包括依次叠设于基底上的驱动结构层、发光结构层和封装层；封装层延伸至边框区；边框区还包括设于基底上的电路结构层和至少一个隔离坝，隔离坝设于电路结构层远离基底的一侧或设于基底上，隔离坝包括沿远离基底方向依次叠设的第一隔离部和第二隔离部；第二隔离部在基底上的正投影大于第一隔离部与第二隔离部的界面在基底上的正投影；在边框区，封装层位于电路结构层和隔离坝的远离基底一侧，在垂直于基底的方向上，封装层的厚度小于第一隔离部的厚度。本公开实施例的显示基板可提高边框区的封装效果，提高显示基板的良率。

Description

一种显示基板及显示装置
技术领域
本公开实施例涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，CRT(Cathode Ray Tube，阴极射线管)显示技术及LCD(liquid crystal display，液晶显示)技术后，OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示已经迎来了极大的发展，目前OLED屏幕凭借响应速度快、高对比度、可实现柔性等优点，已经占据了较大市场份额。与此同时，在VR(虚拟现实)眼镜方面，尤其是超高PPI(像素密度)的近眼显示屏幕，硅基OLED显示展示出了巨大的优势。
如图1所示，图1为一些硅基OLED显示母板在切割工艺中产生裂纹的结构示意图，一些硅基OLED显示基板在制备过程中，薄膜封装层303在整个显示基板母板300上均有沉积，在后续切割工艺中，显示基板边框区200的无机封装层受到刀轮的力后会在切割线301处产生裂纹302，这些裂纹302会形成水汽和氧气侵入显示区100内OLED器件的通道，造成显示区100的OLED器件失效。
发明内容
本公开实施例提供一种显示基板，包括显示区和设于所述显示区外围的边框区；所述显示区包括依次叠设于基底上的驱动结构层、发光结构层和封装层；所述封装层延伸至所述边框区；所述边框区还包括设于基底上的电路结构层和至少一个隔离坝，所述隔离坝设于所述电路结构层远离所述基底的一侧或设于所述基底上，所述隔离坝包括沿远离所述基底方向依次叠设的第一隔离部和第二隔离部；所述第二隔离部在所述基底上的正投影大于所述第一隔离部与所述第二隔离部的界面在所述基底上的正投影；在所述边框区，所述封装层位于所述电路结构层和所述隔离坝的远离所述基底一侧，在垂直于所述基底的方向上，所述封装层的厚度小于所述第一隔离部的厚度。
本公开实施例还提供一种显示装置，包括所述的显示基板。
本公开实施例的显示基板，在边框区设置隔离坝，且所述隔离坝包括沿远离基底方向依次叠设的第一隔离部和第二隔离部，第二隔离部在基底上的正投影大于第一隔离部与第二隔离部的界面在基底上的正投影，在边框区，在垂直于基底的方向上，所述封装层的厚度小于第一隔离部的厚度。如此，通过设置隔离坝可以将封装层隔断，即所述封装层在所述隔离坝的位置处不连续，这样，在本公开实施例的显示基板的制备过程中，在对显示基板母板进行切割过程中，由于所述封装层在所述隔离坝的位置处不连续，因此封装层产生的裂纹在扩展过程中会在所述隔离坝处停止向显示区扩展，从而不会因切割过程中产生的所述裂纹造成显示区内发光器件失效，大幅提高了边框区的封装效果，提高了显示基板的良率。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。附图中部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
图1为一些硅基OLED显示母板在切割工艺中产生裂纹的结构示意图；
图2为一些技术的显示基板的剖面结构示意图；
图3为一些示例性实施例的显示基板的剖面结构示意图；
图4为图3的局部结构示意图；
图5为另一些示例性实施例的显示基板的局部剖面结构示意图；
图6为又一些示例性实施例的显示基板的局部剖面结构示意图；
图7为又一些示例性实施例的显示基板的局部剖面结构示意图；
图8为又一些示例性实施例的显示基板的局部剖面结构示意图；
图9为一些示例性实施例的显示基板的母板在切割工艺中产生裂纹的结构示意图。
附图标记为：10、基底，11、驱动结构层，12、发光结构层，13、封装层，14、彩色滤光层，15、粘合层，16、盖板，20’、凸环，20、隔离坝，21、第一隔离部，22、第二隔离部，40、电路结构层；
120、发光器件，121、第一电极，122、像素界定层，123、发光功能层，124、第二电极层，131、第一无机材料层，132、第二无机材料层，211、第一子隔离部，212、第二子隔离部，221、第三子隔离部，222、第四子隔离部；
100、显示区，200、边框区，300、显示基板母板，301、切割线，302、裂纹，303、薄膜封装层。
具体实施方式
本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开实施例的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开实施例技术方案的精神和范围，均应涵盖在本公开的权利要求范围当中。本公开中的附图比例可以作为实际工艺中的参考，但不限于此。
在本说明书中，所采用的“同层设置”是指两种(或两种以上)结构通过同一次图案化工艺得以图案化而形成的结构，它们的材料可以相同或不同。例如，形成同层设置的多种结构的前驱体的材料是相同的，最终形成的材料可以相同或不同。
本说明书中，半圆形、矩形、梯形或六边形等并非严格意义上的定义，可以是近似半圆形、矩形、梯形或六边形等，可以存在公差导致的一些小变形，可以存在倒角、弧边以及变形等。
如图2所示，图2为一些技术的显示基板的剖面结构示意图，一些硅基OLED显示基板，为了减少显示基板母板在切割工艺中由于产生的裂纹造成显示区100的OLED发光器件120失效的问题，在显示基板的边框区200设置多个围绕显示区100的凸环20’，凸环20’以及相邻两个凸环20’之间的凹陷区会形成一定的高度差，当切割过程中显示基板边框区200的封装层13产生的裂纹延伸到所述凸环20’以及相邻两个凸环20’之间的凹陷区时，所述裂纹会延缓向显示区100扩展或者部分小裂纹可能被隔断，以提升硅基OLED显示基板的良率。但是，凸环20’结构只能起到延长裂纹路径的作用，不能完全阻止裂纹的扩展，较大的裂纹仍可以沿着封装层13扩展到显示区100，造成显示区100内OLED发光器件120失效不良。
本公开实施例提供一种显示基板，在一些示例性实施例中，如图3所示，图3为一些示例性实施例的显示基板的剖面结构示意图，所述显示基板包括显示区100和设于所述显示区100外围的边框区200；所述显示区100包括依次叠设于基底10上的驱动结构层11、发光结构层12和封装层13；所述封装层13延伸至所述边框区200；所述边框区200还包括设于基底10上的电路结构层40和至少一个隔离坝20，所述隔离坝20设于所述电路结构层40远离所述基底10的一侧或设于所述基底10上，所述隔离坝20包括沿远离所述基底10方向依次叠设的第一隔离部21和第二隔离部22；所述第二隔离部22在所述基底10上的正投影大于所述第一隔离部21与所述第二隔离部22的界面在所述基底10上的正投影；在所述边框区200，所述封装层13位于所述电路结构层40和所述隔离坝20的远离所述基底10一侧，在垂直于所述基底10的方向上，所述封装层13的厚度小于所述第一隔离部21的厚度。
本公开实施例的显示基板，在边框区200设置隔离坝20，且所述隔离坝20包括沿远离所述基底10方向依次叠设的第一隔离部21和第二隔离部22，所述第二隔离部22在所述基底10上的正投影大于所述第一隔离部21与所述第二隔离部22的界面在所述基底10上的正投影，在边框区200，在垂直于基底10的方向上，所述封装层13的厚度小于第一隔离部21的厚度。如此，通过设置隔离坝20可以将封装层13隔断，即所述封装层13在所述隔离坝20的位置处不连续，这样，在本公开实施例的显示基板的制备过程中，在对显示基板母板进行切割过程中，由于所述封装层13在所述隔离坝20位置处不连续，因此封装层13产生的裂纹在扩展过程中会在所述隔离坝20处停止向显示区100扩展，从而不会因切割过程中产生的所述裂纹造成显示区100内发光器件120失效，大幅提高了边框区200的封装效果，提高了显示基板的良率。
在一些示例性实施例中，如图3所示，所述驱动结构层11包括像素驱动电路和设于所述像素驱动电路远离所述基底一侧的平坦层；所述发光结构层12包括多个发光器件120以及像素界定层122，所述发光器件120包括沿远离所述基底10方向依次叠设的第一电极121、发光功能层123和第二电极层124，所述第一电极121可以包括一个或多个膜层。
示例性地，如图3所示，所述显示基板可以为微型有机发光二极管(micro OLED)显示基板。所述基底10可以为硅基底，所述显示区100的所述驱动结构层11包括多个像素驱动电路，所述像素驱动电路可以采用CMOS(互补金属氧化物半导体)集成电路工艺制备。所述边框区200的所述电路结构层40包括行驱动电路、列驱动电路，以及其他功能电路等。
所述发光结构层12可以包括第一电极层、像素界定层122、发光功能层123和第二电极层124，所述第一电极层包括设置在所述驱动结构层11上的多个第一电极121，每个第一电极121与一个所述像素驱动电路连接，所述像素界定层122设于所述多个第一电极121的远离所述基底10一侧并设有多个像素开口，每个像素开口将对应的一个第一电极121的远离所述基底10的表面暴露出，所述发光功能层123和所述第二电极层124依次叠设于所述多个第一电极121和所述像素界定层122的远离所述基底10一侧，每个所述第一电极121、所述发光功能层123和所述第二电极层124依次叠设并形成一个OLED发光器件120。每个发光器件120可以为串联式发光器件120，示例性地，可以设置为发射白光。
所述封装层13可以包括叠设的多层无机材料层，比如可以包括沿远离所述基底10的方向依次叠设的第一无机材料层131和第二无机材料层132。第一无机材料层131和第二无机材料层132的材料可以包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的任一种或多种。封装层13的膜层和厚度在显示区100和边框区200可以相同。在其他实施方式中，所述显示基板可以为OLED显示基板，所述基底可以为玻璃基底或柔性基底等，所述显示区的封装层可以包括依次叠设的第一无机材料层、有机材料层和第二无机材料层，所述边框区的封装层可以包括依次叠设的第一无机材料层和第二无机材料层。在垂直于所述基底的方向上，所述边框区的封装层的厚度小于所述第一隔离部的厚度。
所述显示区100还可以包括设于所述封装层13的远离所述基底10一侧的彩色滤光层14，所述彩色滤光层14包括多个可以透射设定颜色光的滤光单元，比如，包括透射红光的红色滤光单元、透射绿光的绿色滤光单元和透射蓝光的蓝色滤光单元。每个发光器件120发射的白光透过对应的一个滤光单元后出射相应颜色的光。
所述显示基板上的所有膜层制备完后，可以在所述显示基板的显示侧通过粘合层15(比如光学透明胶，OCA)粘接盖板16，以保护显示基板的膜层。
示例性地，所述隔离坝20可以设置在所述电路结构层40远离所述基底10的一侧或设于所述基底10上。所述隔离坝20的材料可以包括所述平坦层的材料、所述第一电极121的至少一个膜层的材料、所述像素界定层122的材料中的至少一种，这样可以简化隔离坝20的制备工艺。
示例性地，所述第一隔离部21的材料可以为有机材料(比如有机树脂)或无机材料，所述第一隔离部21可以为单层结构或多层结构，所述第一隔离部21为多层结构(即包括两个或两个以上膜层)时，一些膜层的材料可以是有机材料，一些膜层的材料可以是无机材料。示例性地，当所述第一隔离部21的材料为无机材料时，第一隔离部21可以与所述像素界定层122同层设置，或者与所述第一电极121的其中一个膜层或多个膜层(比如钛-铝-钛的叠层结构)同层设置。所述第二隔离部22的材料可以为有机材料或无机材料，所述第二隔离部22的材料与所述第一隔离部21的材料不同。所述第二隔离部22可以为单层结构或多层结构，所述第二隔离部22为多层结构(即包括两个或两个以上膜层)时，一些膜层的材料可以是有机材料，一些膜层的材料可以是无机材料。可选地，所述第二隔离部22为无机材料时，可以与所述第一电极121的其他膜层(比如氧化铟锡)同层设置。
示例性地，当所述封装层13为无机材料时，所述第二隔离部22可以为有机材料，如此可以减小所述封装层13和所述第二隔离部22之间的粘结性，提高所述封装层13的隔断效果。
在一些示例性实施例中，如图3所示，所述第一隔离部21包括背离所述显示区100的第一表面和朝向所述显示区100的第二表面，所述第二隔离部22凸出于所述第一隔离部21的第一表面或/和第二表面设置。图3的示例中，所述第二隔离部22凸出于所述第一隔离部21的第一表面和第二表面设置。
在一些示例性实施例中，所述隔离坝20的个数可以根据实际需要进行调整，示例性地，可以设置为1至8个，图3的示例中，示意了两个隔离坝20。每个隔离坝20为环状并围绕所述显示区100设置。
在一些示例性实施例中，如图3所示，所述隔离坝20在垂直于所述基底10的截面上，所述第二隔离部22的截面宽度可以大于或等于所述第一隔离部21的截面宽度。这样，有利于隔离坝20更好地隔断封装层13。
在一些示例性实施例中，在垂直于所述基底的方向上，所述第一隔离部的截面形状可以包括六边形、正梯形、倒梯形和矩形中的至少一种。
示例性地，如图3所示，在垂直于所述基底10的方向上，所述第一隔离部21的截面形状为六边形。在其他实施方式中，在垂直于所述基底10的方向上，所述第一隔离部21的截面形状可以为正梯形、倒梯形或矩形。
本文中，所述倒梯形的靠近所述基底10的底边长度小于远离所述基底10的底边长度，所述正梯形的靠近所述基底10的底边长度大于远离所述基底10的底边长度。
在一些示例性实施例中，如图3所示，所述第一隔离部21在垂直于所述基底10方向上的厚度可以大于所述第一隔离部21在平行于所述基底10方向上的宽度。这样，确保在垂直于所述基底10方向上，所述第一隔离部21的厚度大于所述封装层13的厚度，有利于隔离坝20隔断所述封装层13，同时可以合理控制所述第一隔离部21的宽度，为制备多圈(即多个)隔离坝20提供可能，进一步提高隔断效果。
在一些示例性实施例中，所述第一隔离部21的材料可以为有机材料(比如有机树脂)，或无机材料(比如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、铝、钛、铝铌合金、氧化铟锡、氧化铟锌中的任一种或多种)，示例性地，当所述第一隔离部21的材料为无机材料时，第一隔离部21可以与所述像素界定层122同层设置，或者与所述第一电极121的其中一个膜层或多个膜层(比如钛-铝-钛的叠层结构)同层设置。所述第一隔离部21可以为单层结构或者多层结构。
在一些示例性实施例中，在垂直于所述基底的方向上，所述第二隔离部的截面形状可以包括矩形、半圆形、正梯形和倒梯形中的至少一种。
本文中，所述半圆形为沿着一个圆的任意一条弦切成两部分后的任意一部分的形状。
示例性地，如图3所示，所述第二隔离部22的截面形状为矩形。在其他实施方式中，所述第二隔离部的截面形状可以为半圆形、正梯形或倒梯形。
示例性地，当所述第二隔离部22的截面形状为半圆形时，所述第二隔离部22的远离所述基底10的表面为凸起的曲面，如此，在形成所述封装层13过程中，形成所述封装层13的材料可从所述第二隔离部22的表面上滑落，提高所述封装层13的隔断效果。
在一些示例性实施例中，如图4所示，图4为图3的局部结构示意图，所述隔离坝20包括依次叠设在所述电路结构层40上的第一隔离部21和第二隔离部22。在垂直于所述基底10的方向上，所述第一隔离部21的截面形状为六边形，所述第一隔离部21可以为单层结构；所述第二隔离部22的截面形状可以为矩形。
示例性地，所述第一隔离部21的截面形状为六边形，所述六边形的远离所述显示区100的侧边的夹角为θ1，所述六边形的靠近所述显示区100的侧边的夹角为θ2，其中，可以设置为180°＞θ1＞90°，180°＞θ2＞90°。本示例中，θ1和θ2的值越小，封装层13越难以在所述第一隔离部21的侧壁上成膜，所以隔断封装层13的效果会越好。
示例性地，所述隔离坝20在垂直于所述基底10的截面上，所述隔离坝20的远离所述显示区100一侧，所述第二隔离部22的边沿距所述第一隔离部21与所述第二隔离部22的界面的边沿的距离为K1；所述隔离坝20的靠近所述显示区100一侧，所述第二隔离部22的边沿距所述第一隔离部21与所述第二隔离部22的界面的边沿的距离为K2，其中，可以设置为K1≥0.3um，K2≥0.3um，K1与K2相等或不相等，比如可以设置为K1与K2相等或近似相等，其中，K1与K2近似相等，即允许K1与K2存在一定的误差范围，示例性地，K1：K2的范围可以是0.95至1.05。这样，使得隔离坝20可以有效地将封装层13隔断。比如，K1、K2可以为0.3um至1um。
示例性地，所述隔离坝20在垂直于所述基底10的截面上，所述第一隔离部21与所述第二隔离部22的界面的宽度(即截面宽度)为w1，所述第二隔离部22的宽度(即截面宽度)为w2，所述第一隔离部21的最大宽度(即最大截面宽度)为b1，其中，w2>w1，b1<w2或者b1≥w2。
示例性地，所述边框区200可以包括多个所述隔离坝20，图4的示例中，示意了两个隔离坝20。在平行于所述基底10的方向上，相邻所述隔离坝20之间的间距(即相邻所述隔离坝20的第二隔离部22之间的间距)可以小于所述第一隔离部21在所述基底10上的正投影的宽度(图4的示例中为b1)。
示例性地，所述封装层13包括叠设的多层无机材料层，在垂直于所述基底10的方向上，所述第一隔离部21的厚度大于所述第二隔离部22的厚度，且所述第一隔离部21与所述第二隔离部22的厚度差大于或等于任意一层所述无机材料层的厚度。在垂直于所述基底10的方向上，所述封装层13的厚度为t1，所述第一隔离部21的厚度为h1，所述第二隔离部22的厚度为h2，其中，h1＞t1，即所述封装层13的厚度小于所述第一隔离部21的厚度，这样可使隔离坝20有效地将封装层13隔断。h1：h2的范围可以是2：1至20：1，当h1：h2的范围是2：1至10：1时，可以设置为h1≥1.05×t1+0.95×h2；当h1：h2的范围是10：1至20：1时，可以设置为h1≥1.05×t1+0.92×h2。此外，可以根据第二隔离部22的材料选择第二隔离部22的厚度。
本实施例的一个示例中，所述第一隔离部21的材料可以为有机树脂，所述第二隔离部22的材料可以为无机材料，比如可以为氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)中的任一种。以封装层13的厚度t1＝1um为例，所述第一隔离部21的厚度h1需要大于1um，比如h1可以为1.2um至2um；当所述第二隔离部22为化学气相沉积(CVD)形成的SiNx、SiOx或SiOxNy膜层时，所述第二隔离部22的厚度h2可以为0.1um至0.3um；当所述第二隔离部22为原子层沉积(ALD)形成的Al2O3膜层时，所述第二隔离部22的厚度h2可以为0.03um至0.15um。
本实施例的另一个示例中，所述第一隔离部21的材料可以为无机材料，比如为SiNx、SiOx或SiOxNy；所述第二隔离部22的材料可以为无机材料，比如可以为SiOx或者Al2O3。其中，所述第一隔离部21的材料与所述第二隔离部22的材料可以有较大的刻蚀选择比，所述第一隔离部21材料的刻蚀速率大于所述第二隔离部22材料的刻蚀速率，这样，可通过同一次刻蚀工艺形成所述第一隔离部21和所述第二隔离部22。比如，所述第一隔离部21的材料为SiNx，所述第二隔离部22的材料为SiOx；或者，所述第一隔离部21的材料为SiNx，所述第二隔离部22的材料为Al2O3；或者，所述第一隔离部21的材料为SiOx，所述第二隔离部22的材料为Al2O3。以封装层13的厚度t1＝1um为例，所述第一隔离部21的厚度h1需要大于1um，比如h1可以为1.2um至2um；当所述第一隔离部21为化学气相沉积形成的SiNx膜层，所述第二隔离部22为化学气相沉积形成的SiOx膜层时，所述第二隔离部22的厚度h2可以为0.2um至0.6um；当所述第一隔离部21为化学气相沉积形成的SiNx或SiOx膜层，所述第二隔离部22为原子层沉积形成的Al2O3膜层时，所述第二隔离部22的厚度h2可以为0.03um至0.15um。
本实施例的又一个示例中，所述第一隔离部21的材料可以为金属材料，比如可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铝铌合金(AlNb)中的任一种或多种；所述第二隔离部22的材料可以为金属材料或金属氧化物材料，比如，可以包括钛(Ti)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)中的任一种或多种。其中，所述第一隔离部21的材料与所述第二隔离部22的材料可以有较大的刻蚀选择比，所述第一隔离部21材料的刻蚀速率大于所述第二隔离部22材料的刻蚀速率，这样，可通过同一次刻蚀工艺形成所述第一隔离部21和所述第二隔离部22。比如，所述第一隔离部21的材料为Al，所述第二隔离部22的材料为Ti；或者，所述第一隔离部21的材料为AlNb，所述第二隔离部22的材料为ITO或IZO；或者，所述第一隔离部21为Ti-Al-Ti的三叠层结构，所述第二隔离部22的材料为ITO或IZO。以封装层13的厚度t1＝1um为例，所述第一隔离部21的厚度h1需要大于1um，比如h1可以为1.2um至2um；当所述第一隔离部21为溅射工艺沉积的Al膜层，所述第二隔离部22为溅射工艺沉积的Ti膜层时，所述第二隔离部22的厚度h2可以为0.05um至0.2um；当所述第一隔离部21为溅射工艺沉积的AlNb或Ti-Al-Ti叠层膜层，所述第二隔离部22为溅射工艺沉积的ITO或IZO膜层时，所述第二隔离部22的厚度h2可以为0.1um至0.3um。
在一些示例性实施例中，如图5所示，图5为另一些示例性实施例的显示基板的局部剖面结构示意图，所述隔离坝20包括依次叠设在所述电路结构层40上的第一隔离部21和第二隔离部22。在垂直于所述基底10的方向上，所述第一隔离部21的截面形状为六边形，所述第一隔离部21包括沿远离所述基底10的方向叠设的第一子隔离部211和第二子隔离部212，所述第一子隔离部211的截面形状为倒梯形，所述第二子隔离部212的截面形状为正梯形。所述第二隔离部22的截面形状可以为矩形。其中，所述倒梯形的高度与所述正梯形的高度可以相同或不同，所述倒梯形的较短底边的长度与所述正梯形的较短底边的长度可以相同或不同。所述第一隔离部21可以为两层结构，第一子隔离部211和第二子隔离部212的材料可以不同。
本实施例的一个示例中，第一子隔离部211和第二子隔离部212的材料可以不同，第一子隔离部211的材料可以为有机树脂，第二子隔离部212的材料可以为无机材料，比如为SiNx、SiOx或SiOxNy。所述第二隔离部22的材料可以为无机材料，比如为SiOx或者Al2O3。其中，第二子隔离部212的材料与所述第二隔离部22的材料可以有较大的刻蚀选择比，第二子隔离部212的材料的刻蚀速率大于所述第二隔离部22材料的刻蚀速率，这样，可通过同一次刻蚀工艺形成第二子隔离部212和所述第二隔离部22。比如，第二子隔离部212的材料为SiNx，所述第二隔离部22的材料为SiOx；或者，第二子隔离部212的材料为SiNx，所述第二隔离部22的材料为Al2O3；或者，第二子隔离部212的材料为SiOx，所述第二隔离部22的材料为Al2O3。
本实施例的另一个示例中，第一子隔离部211和第二子隔离部212的材料可以不同，第一子隔离部211的材料可以为有机树脂，第二子隔离部212的材料可以为金属材料，比如可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铝铌合金(AlNb)中的任一种或多种。所述第二隔离部22的材料可以为金属材料或金属氧化物材料，比如，可以包括钛(Ti)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)中的任一种或多种。其中，第二子隔离部212的材料与所述第二隔离部22的材料可以有较大的刻蚀选择比，第二子隔离部212的材料的刻蚀速率大于所述第二隔离部22材料的刻蚀速率，这样，可通过同一次刻蚀工艺形成第二子隔离部212和所述第二隔离部22。比如，第二子隔离部212的材料为Al，所述第二隔离部22的材料为Ti；或者，第二子隔离部212的材料为AlNb，所述第二隔离部22的材料为ITO或IZO；或者，第二子隔离部212为Ti-Al-Ti的三叠层结构，所述第二隔离部22的材料为ITO或IZO。
示例性地，所述第一隔离部21的截面形状为六边形，所述六边形的远离所述显示区100的侧边的夹角为θ1，所述六边形的靠近所述显示区100的侧边的夹角为θ2，即，所述倒梯形的远离所述显示区100的腰与所述正梯形的远离所述显示区100的腰的夹角为θ1，所述倒梯形的靠近所述显示区100的腰与所述正梯形的靠近所述显示区100的腰的夹角为θ2，其中，可以设置为180°＞θ1＞90°，180°＞θ2＞90°。本示例中，θ1和θ2的值越小，封装层13越难以在所述第一隔离部21的侧壁上成膜，所以隔断封装层13的效果会越好。
示例性地，所述隔离坝20在垂直于所述基底10的截面上，所述第一隔离部21与所述第二隔离部22的界面的宽度为w1，所述第二隔离部22的宽度为w2，所述第一子隔离部211与所述第二子隔离部212的界面的宽度为b1，其中，w2>w1，b1<w2或者b1≥w2。比如，在一些实施方式中，可以设置为b1>w2，所述第一子隔离部211与所述第二子隔离部212的界面在所述基底10上的正投影可以大于所述第二隔离部22在所述基底10上的正投影，这样，封装层13更加难以在所述第一隔离部21的侧壁上成膜，隔断封装层13的效果更好。
在一些示例性实施例中，如图6所示，图6为又一些示例性实施例的显示基板的局部剖面结构示意图，所述隔离坝20包括依次叠设在所述电路结构层40上的第一隔离部21和第二隔离部22。在垂直于所述基底10的方向上，所述第一隔离部21的截面形状为六边形，所述第二隔离部22的截面形状可以为半圆形。
示例性地，所述第一隔离部21的材料和所述第二隔离部22的材料可以均为有机树脂。以封装层13的厚度t1＝1um为例，所述第一隔离部21的厚度h1需要大于1um，比如h1可以为1.2um至2um；所述第二隔离部22的厚度h2为所述第二隔离部22的拱高位置的厚度，比如h2可以为1um至2um。
示例性地，所述隔离坝20在垂直于所述基底10的截面上，所述隔离坝20的远离所述显示区100一侧，所述第二隔离部22的边沿距所述第一隔离部21与所述第二隔离部22的界面的边沿的距离为K1；所述隔离坝20的靠近所述显示区100一侧，所述第二隔离部22的边沿距所述第一隔离部21与所述第二隔离部22的界面的边沿的距离为K2，其中，可以设置为K1≥0.3um，K2≥0.3um，K1与K2相等或不相等，比如可以设置为K1与K2相等或近似相等，其中，K1与K2近似相等，即允许K1与K2存在一定的误差范围，示例性地，K1：K2的范围可以是0.95至1.05。这样，使得隔离坝20可以有效地将封装层13隔断。比如，K1、K2可以为0.3um至1um。
示例性地，所述隔离坝20在垂直于所述基底10的截面上，所述第一隔离部21与所述第二隔离部22的界面的宽度为w1，所述第二隔离部22的宽度为w2，第一隔离部21的最大宽度为b1，其中，w2>w1，b1<w2或者b1≥w2。
示例性地，所述第一隔离部21的截面形状为六边形，所述六边形的远离所述显示区100的侧边的夹角为θ1，所述六边形的靠近所述显示区100的侧边的夹角为θ2，其中，可以设置为180°＞θ1＞90°，180°＞θ2＞90°。本示例中，θ1和θ2的值越小，封装层13越难以在所述第一隔离部21的侧壁上成膜，所以隔断封装层13的效果会越好。
在一些示例性实施例中，如图7所示，图7为又一些示例性实施例的显示基板的局部剖面结构示意图，所述隔离坝20包括依次叠设在所述电路结构层40上的第一隔离部21和第二隔离部22。所述第一隔离部21的截面形状可以为正梯形，所述第二隔离部22的截面形状可以为半圆形。
示例性地，所述第一隔离部21的材料可以为无机材料，比如SiNx、SiOx、SiOxNy或Al2O3；所述第二隔离部22的材料可以为有机树脂。以封装层13的厚度t1＝1um为例，所述第一隔离部21的厚度h1需要大于1um，比如h1可以为1.2um至2um；所述第二隔离部22的厚度h2为所述第二隔离部22的拱高位置的厚度，比如h2可以为1um至2um。
示例性地，所述隔离坝20在垂直于所述基底10的截面上，所述隔离坝20的远离所述显示区100一侧，所述第二隔离部22的边沿距所述第一隔离部21与所述第二隔离部22的界面的边沿的距离为K1；所述隔离坝20的靠近所述显示区100一侧，所述第二隔离部22的边沿距所述第一隔离部21与所述第二隔离部22的界面的边沿的距离为K2，其中，可以设置为K1≥0.3um，K2≥0.3um，K1与K2相等或不相等，比如可以设置为K1与K2相等或近似相等，其中，K1与K2近似相等，即允许K1与K2存在一定的误差范围，示例性地，K1：K2的范围可以是0.95至1.05。这样，使得隔离坝20可以有效地将封装层13隔断。比如，K1、K2可以为0.3um至1um。
在一些示例性实施例中，如图8所示，图8为又一些示例性实施例的显示基板的局部剖面结构示意图，所述隔离坝20包括依次叠设在所述电路结构层40上的第一隔离部21和第二隔离部22。所述第一隔离部21的截面形状可以为正梯形，所述正梯形的较短底边(即远离所述基底10的底边)的长度为w1；所述第二隔离部22可以包括沿远离所述基底10的方向叠设的第三子隔离部221和第四子隔离部222，所述第三子隔离部221的截面形状为矩形，所述第四子隔离部222的截面形状为半圆形。在垂直于所述基底10的方向上，所述第四子隔离部222的厚度可以大于所述第三子隔离部221的厚度。第三子隔离部221的宽度可以等于或近似等于第四子隔离部222的宽度，示例性地，均为w2，也即所述第二隔离部22的宽度为w2。其中，w2>w1。
示例性地，所述第三子隔离部221的材料为无机材料，可以很好的支撑第四子隔离部222，使第二隔离部22结构更加稳定；所述第四子隔离部222的材料可以包括有机材料或无机材料，所述有机材料可以包括有机树脂，所述无机材料可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、铝、钛、铝铌合金、氧化铟锡、氧化铟锌中的任一种或多种。
示例性地，所述第一隔离部21的材料可以为无机材料，比如SiNx、SiOx或SiOxNy；第三子隔离部221的材料可以为无机材料，比如SiOx或Al2O3；第四子隔离部222的材料可以为有机树脂。其中，所述第一隔离部21的材料与第三子隔离部221的材料可以有较大的刻蚀选择比，所述第一隔离部21材料的刻蚀速率大于第三子隔离部221的材料的刻蚀速率，这样，可通过同一次刻蚀工艺形成所述第一隔离部21和第三子隔离部221。比如，所述第一隔离部21的材料为SiNx，第三子隔离部221的材料为SiOx；或者，所述第一隔离部21的材料为SiNx，第三子隔离部221的材料为Al2O3；或者，所述第一隔离部21的材料为SiOx，第三子隔离部221的材料为Al2O3。本示例中，第三子隔离部221采用无机材料，可以较好地支撑第四子隔离部222，使第二隔离部22的结构更加稳定。第四子隔离部222采用有机树脂材料且截面形状为半圆形，这样在形成封装层13的无机材料层时，封装层13的无机材料层更加不易在第四子隔离部222上附着，可以更好地隔断封装层13。
示例性地，以封装层13的厚度t1＝1um为例，所述第一隔离部21的厚度为h1，第三子隔离部221的厚度为h2，第四子隔离部222的厚度为h3。所述第一隔离部21的厚度h1需要大于1um，比如h1可以为1.2um至2um。当所述第一隔离部21为化学气相沉积(CVD)形成的SiNx或SiOx膜层时，第三子隔离部221可以为原子层沉积(ALD)形成的Al2O3膜层，第三子隔离部221的厚度h2可以为0.03um至0.06um；第四子隔离部222的厚度h3可以大于等于1um。
示例性地，所述隔离坝20在垂直于所述基底10的截面上，所述隔离坝20的远离所述显示区100一侧，所述第二隔离部22的边沿距所述第一隔离部21与所述第二隔离部22的界面的边沿的距离为K1；所述隔离坝20的靠近所述显示区100一侧，所述第二隔离部22的边沿距所述第一隔离部21与所述第二隔离部22的界面的边沿的距离为K2，其中，可以设置为K1≥0.3um，K2≥0.3um，K1与K2相等或不相等，比如可以设置为K1与K2相等或近似相等，其中，K1与K2近似相等，即允许K1与K2存在一定的误差范围，示例性地，K1：K2的范围可以是0.95至1.05。这样，使得隔离坝20可以有效地将封装层13隔断。比如，K1、K2可以为0.3um至1um。
如图9所示，图9为一些示例性实施例的显示基板的母板在切割工艺中产生裂纹的结构示意图，在对显示基板母板300进行切割(沿切割线301切割)过程中，由于显示基板的边框区200的薄膜封装层303(即所述封装层13)被所述隔离坝20隔断，因此，母板300上薄膜封装层303产生的裂纹302在扩展过程中会在所述隔离坝20处停止向显示区100扩展，从而不会因切割过程中产生的所述裂纹302造成显示区100内发光器件120失效，大幅提高了边框区200的封装效果，提高了显示基板的良率。
本公开实施例还提供一种显示装置，包括前文任一实施例所述的显示基板。显示装置可以为近眼显示装置，比如VR眼镜、头盔显示器等；或者，显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的实施方式并不一定限定于该尺寸，附图中每个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了一些例子，本公开的实施方式不局限于附图所示的形状或数值。
在本文描述中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本文描述中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“内”、“外”、“轴向”、“四角”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开实施例的简化描述，而不是指示或暗示所指的结构具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。
在本文描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定连接”、“安装”、“装配”应做广义理解，例如，可以是固定连接，或是可拆卸连接，或一体地连接；术语“安装”、“连接”、“固定连接”可以是直接相连，或通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可根据情况理解上述术语在本公开实施例中的含义。

Claims (12)

1.一种显示基板，其特征在于，包括显示区和设于所述显示区外围的边框区；所述显示区包括依次叠设于基底上的驱动结构层、发光结构层和封装层；所述封装层延伸至所述边框区；
所述边框区还包括设于基底上的电路结构层和至少一个隔离坝，所述隔离坝设于所述电路结构层远离所述基底的一侧或设于所述基底上，所述隔离坝包括沿远离所述基底方向依次叠设的第一隔离部和第二隔离部；所述第二隔离部在所述基底上的正投影大于所述第一隔离部与所述第二隔离部的界面在所述基底上的正投影；
在所述边框区，所述封装层位于所述电路结构层和所述隔离坝的远离所述基底一侧，在垂直于所述基底的方向上，所述封装层的厚度小于所述第一隔离部的厚度；
所述隔离坝在垂直于所述基底的截面上，所述第二隔离部的截面宽度大于或等于所述第一隔离部的截面宽度；
所述隔离坝在垂直于所述基底的截面上，所述隔离坝的远离所述显示区一侧，所述第二隔离部的边沿距所述第一隔离部与所述第二隔离部的界面的边沿的距离为K1；所述隔离坝的靠近所述显示区一侧，所述第二隔离部的边沿距所述第一隔离部与所述第二隔离部的界面的边沿的距离为K2，K1与K2相等或近似相等；
所述封装层包括叠设的多层无机材料层，在垂直于所述基底的方向上，所述第一隔离部的厚度大于所述第二隔离部的厚度，且所述第一隔离部与所述第二隔离部的厚度差大于或等于任意一层所述无机材料层的厚度。
2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述基底的方向上，所述第一隔离部的截面形状包括六边形、正梯形、倒梯形和矩形中的至少一种；
所述第一隔离部在垂直于所述基底方向上的厚度大于所述第一隔离部在平行于所述基底方向上的宽度。
3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述基底的方向上，所述第一隔离部的截面形状为六边形，所述第一隔离部包括沿远离所述基底的方向叠设的第一子隔离部和第二子隔离部，所述第一子隔离部的截面形状为倒梯形，所述第二子隔离部的截面形状为正梯形。
4.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述基底的方向上，所述第二隔离部的截面形状包括矩形、半圆形、正梯形和倒梯形中的至少一种。
5.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第二隔离部包括沿远离所述基底方向叠设的第三子隔离部和第四子隔离部，所述第三子隔离部的截面形状为矩形，所述第四子隔离部的截面形状为半圆形；
在垂直于所述基底的方向上，所述第四子隔离部的厚度大于所述第三子隔离部的厚度。
6.如权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第一隔离部以及所述第四子隔离部的材料为有机材料或无机材料，所述第三子隔离部的材料为无机材料。
7.如权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述有机材料包括有机树脂，所述无机材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、铝、钛、铝铌合金、氧化铟锡、氧化铟锌中的任一种或多种。
8.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述驱动结构层包括像素驱动电路和设于所述像素驱动电路远离所述基底一侧的平坦层；所述发光结构层包括多个发光器件以及像素界定层，所述发光器件包括沿远离所述基底方向依次叠设的第一电极、发光功能层和第二电极层，所述第一电极包括一个或多个膜层；
所述隔离坝的材料包括所述平坦层的材料、所述第一电极的至少一个膜层的材料、所述像素界定层的材料中的至少一种。
9.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一隔离部的截面形状为六边形；
所述六边形的远离所述显示区的侧边的夹角为θ1，所述六边形的靠近所述显示区的侧边的夹角为θ2，其中，180°＞θ1＞90°，180°＞θ2＞90°。
10.如权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一子隔离部与所述第二子隔离部的界面在所述基底上的正投影大于所述第二隔离部在所述基底上的正投影。
11.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述边框区包括多个所述隔离坝，在平行于所述基底的方向上，相邻所述隔离坝之间的间距小于所述第一隔离部在所述基底上的正投影的宽度。
12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至11任一项所述的显示基板。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115224223A (zh) * 2022-08-02 2022-10-21 维信诺科技股份有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108461525A (zh) * 2018-03-14 2018-08-28 京东方科技集团股份有限公司 显示母板、显示基板及显示装置
CN110416434A (zh) * 2019-08-06 2019-11-05 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN111146211A (zh) * 2020-01-02 2020-05-12 京东方科技集团股份有限公司 待切割基板、显示面板及微显示芯片
CN111180497A (zh) * 2020-01-06 2020-05-19 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、其制作方法及显示面板、显示装置
CN111244327A (zh) * 2020-01-23 2020-06-05 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN112885879A (zh) * 2021-01-20 2021-06-01 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
CN113287198A (zh) * 2019-12-20 2021-08-20 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法和对位方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11889715B2 (en) * 2019-10-16 2024-01-30 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate and manufacturing method thereof, and display device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108461525A (zh) * 2018-03-14 2018-08-28 京东方科技集团股份有限公司 显示母板、显示基板及显示装置
CN110416434A (zh) * 2019-08-06 2019-11-05 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN113287198A (zh) * 2019-12-20 2021-08-20 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法和对位方法
CN111146211A (zh) * 2020-01-02 2020-05-12 京东方科技集团股份有限公司 待切割基板、显示面板及微显示芯片
CN111180497A (zh) * 2020-01-06 2020-05-19 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、其制作方法及显示面板、显示装置
CN111244327A (zh) * 2020-01-23 2020-06-05 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN112885879A (zh) * 2021-01-20 2021-06-01 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

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