CN111146211A - 待切割基板、显示面板及微显示芯片 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供一种待切割基板、显示面板及微显示芯片，涉及显示技术领域，可以改善在切割待切割基板的过程中封装层产生裂纹，导致的水氧入侵到显示区，影响发光器件性能和寿命的问题。该待切割基板包括多个显示区和位于所述显示区外围的周边区，所述周边区包括切割区；所述待切割基板包括显示用基板以及用于封装所述显示用基板的封装层；所述显示用基板包括底板以及设置在所述底板上，且位于所述显示区和所述切割区之间的挡墙。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种待切割基板、显示面板及微显示芯片。
背景技术
电致发光二极管显示器由于具有自发光、低功耗、宽视角、响应速度快以及高对比度等优点，因而成为目前显示器的主流发展趋势。
电致发光二极管显示器包括显示用基板和用于封装显示用基板的封装层。显示用基板包括设置在底板上的多个发光器件。
发明内容
本发明的实施例提供一种待切割基板、显示面板及微显示芯片，可以改善在切割待切割基板的过程中封装层产生裂纹，导致的水氧入侵到显示区，影响发光器件性能和寿命的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种待切割基板，包括多个显示区和位于所述显示区外围的周边区，所述周边区包括切割区；所述待切割基板包括显示用基板以及用于封装所述显示用基板的封装层；所述显示用基板包括底板以及设置在所述底板上，且位于所述显示区和所述切割区之间的挡墙。
在一些实施例中，所述挡墙包括至少一个第一子挡墙；所述封装层完全覆盖所述第一子挡墙。
在一些实施例中，所述挡墙包括位于所述显示区的至少一个边与所述切割区之间的多个所述第一子挡墙，多个所述第一子挡墙的高度均相同。
在一些实施例中，所述挡墙包括位于所述显示区的至少一个边与所述切割区之间的多个所述第一子挡墙，多个所述第一子挡墙的高度不完全相同。
在一些实施例中，至少一个所述第一子挡墙围绕所述显示区首尾相接设置一圈。
在一些实施例中，所述挡墙包括至少一个第二子挡墙；所述封装层覆盖所述第二子挡墙远离所述底板的表面，且所述封装层在所述第二子挡墙的边界处断开。
在一些实施例中，至少一个所述第二子挡墙围绕所述显示区首尾相接设置一圈。
在一些实施例中，在所述挡墙包括所述第一子挡墙和所述第二子挡墙的情况下，所述第二子挡墙的高度大于所述第一子挡墙的高度，所述第一子挡墙相对于所述第二子挡墙靠近所述显示区。
在一些实施例中，所述显示用基板还包括：设置在所述底板上，且位于所述显示区的像素界定层以及多个发光器件；所述像素界定层包括多个开口区，一个所述发光器件位于一个所述开口区内；所述挡墙与所述像素界定层同层同材料。
在一些实施例中，所述底板包括硅基衬底以及设置在所述硅基衬底上的驱动电路。
第二方面，提供一种显示面板，所述显示面板通过切割上述的待切割基板得到；其中，所述待切割基板为显示面板母板。
第三方面，提供一种微显示芯片，所述微显示芯片通过切割上述的待切割基板得到；其中，所述待切割基板为晶圆芯片。
本发明实施例提供一种待切割基板、显示面板及微显示芯片，待切割基板包括多个显示区和位于显示区外围的周边区，周边区包括切割区和非切割区，待切割基板包括显示用基板以及用于封装显示用基板的封装层；显示用基板包括底板以及设置在底板上，且位于显示区和切割区之间的挡墙。由于本发明实施例，在显示区和切割区之间设置有挡墙，而沿切割区对待切割基板进行切割时，挡墙会阻挡微裂纹的扩散，因而可以减缓水氧入侵到显示区，确保发光器件的性能和寿命，增强发光器件的封装性，提高发光器件在高温高湿环境中的信赖性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种待切割基板的结构示意图一；
图2为图1中AA向的剖面结构示意图一；
图3为图1中AA向的剖面结构示意图二；
图4为本发明实施例提供的一种电致发光二极管显示基板的结构示意图；
图5为图1中AA向的剖面结构示意图三；
图6为相关技术提供的一种待切割基板的结构示意图；
图7为图1中AA向的剖面结构示意图四；
图8为本发明实施例提供的一种待切割基板的结构示意图二；
图9a为本发明实施例提供的一种待切割基板的结构示意图三；
图9b为图9a中BB向的剖面结构示意图；
图10为本发明实施例提供的一种待切割基板的结构示意图四；
图11为本发明实施例提供的一种待切割基板的结构示意图五；
图12为本发明实施例提供的一种待切割基板的结构示意图六；
图13为图11或图12中CC向的剖面结构示意图。
附图标记：
01-显示区；02-周边区；021-切割区；022-非切割区；10-显示用基板；20-封装层；30-挡墙；40-发光器件；50-像素界定层；60-平坦层；100-底板；101-衬底基板；102-驱动电路；201-封装薄膜；301-第一子挡墙；302-第二子挡墙；401-第一电极；402-发光功能层；403-第二电极；1021-薄膜晶体管。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种待切割基板，如图1所示，包括多个显示区(Active Area，简称AA区)01和位于显示区01外围的周边区02，周边区02包括切割区(Cutting)021和非切割区022。
应当理解到，在待切割基板的切割过程中，沿切割区021的切割道(Scribe lane)对待切割基板进行切割。
需要说明的是，本发明实施例提供的待切割基板可以显示面板母板；也可以是晶圆芯片。在待切割基板为显示面板母板的情况下，显示面板母板包括多个显示面板，沿切割区021对显示面板母板进行切割可以得到多个显示面板，每个显示面板都包括显示区01和位于显示区01外围的周边区02。在待切割基板为晶圆芯片的情况下，晶圆芯片包括多个微显示芯片(Chip)，沿切割区021对晶圆芯片进行切割可以得到多个微显示芯片，每个微显示芯片都包括显示区01和位于显示区01外围的周边区02。
基于上述，显示面板可以应用于大尺寸显示器中，大尺寸显示器例如可以为手机、电视以及电脑等显示器。微显示芯片可以应用于微显示器中，微显示器例如可以头戴式虚拟现实显示器(Virtual Reality，简称VR)或头戴式增强现实显示器(Augmented Reality，简称AR)等。
本发明实施例提供的待切割基板为电致发光二极管显示基板。对于电致发光二极管显示基板的类型不进行限定，可以是有机电致发光二极管显示基板(Organic Light-Emitting Diode Display，简称OLED)；也可以是量子点电致发光二极管显示基板(QuantumDot Light Emitting Diodes，简称QLED)。
如图2和图3所示，待切割基板包括显示用基板10以及用于封装显示用基板10的封装层(Thin Film Encapsulation，简称TFE)20；显示用基板10包括底板100以及设置在底板100上，且位于显示区01和切割区021之间的挡墙(Dam)30。
在一些实施例中，底板100为不设置任何元器件及驱动电路的衬底基板。在此情况下，衬底基板例如可以为玻璃基板(Glass)。在另一些实施例中，如图3所示，底板100包括衬底基板101以及设置在衬底基板101上的驱动电路102。在此情况下，衬底基板101可以是玻璃基板，也可以是硅基衬底(wafer)。驱动电路102包括多个薄膜晶体管，薄膜晶体管包括源极、漏极、有源层、栅极以及栅绝缘层。在衬底基板101为硅基衬底的情况下，可以利用CMOS工艺在硅基衬底上形成驱动电路102，有利于简化底板100的制作工艺，且体积小，分辨率高，提高了集成度。
在一些实施例中，底板100包括硅基衬底以及设置在硅基衬底上的驱动电路102。
如图4所示，显示用基板10还包括：设置在底板100上，且位于显示区01的像素界定层(Pixel Definition Layer，简称PDL)50以及多个发光器件(Electroluminescent，简称EL器件)40；像素界定层50包括多个开口区，一个发光器件40位于一个开口区内。
附图2和附图3中仅示意出显示区01的发光器件40，未示意出像素界定层50。
此处，如图4所示，发光器件40包括依次层叠设置在底板100上的第一电极401、发光功能层402以及第二电极403。在一些实施例中，发光功能层402包括发光层。在另一些实施例中，发光功能层402除包括发光层外，还包括电子传输层(election transportinglayer，简称ETL)、电子注入层(election injection layer，简称EIL)、空穴传输层(holetransporting layer，简称HTL)以及空穴注入层(hole injection layer，简称HIL)中的一层或多层。在底板100包括驱动电路102的情况下，第一电极401与驱动电路102中用于作为驱动晶体管的薄膜晶体管1021的漏极电连接。
在一些实施例中，第一电极401为阳极，第二电极403为阴极。在另一些实施例中，第一电极401为阴极，第二电极403为阳极。
本发明实施例提供的发光器件40可以为顶发射型，在此情况下，靠近底板100的第一电极401呈不透光态，远离底板100的第二电极403呈透光态。发光器件40也可以为底发射型，在此情况下，靠近底板100的第一电极401呈透光态，远离底板100的第二电极403呈不透光态。发光器件40当然还可以为双面发光型，在此情况下，靠近底板100的第一电极401和远离底板100的第二电极403均呈透光态。
如图4所示，底板100还包括设置在驱动电路102和第一电极401之间的平坦层60。
在此基础上，对于封装层20的结构不进行限定，封装层20可以包括一层封装薄膜；也可以包括两层或两层以上封装薄膜。附图5以封装层20包括三层封装薄膜201为例进行示意。此外，封装薄膜201的材料可以为无机材料，也可以为有机材料。在一些实施例中，如图5所示，封装层20包括三层封装薄膜201，位于中间层的封装薄膜201的材料为有机材料，位于两侧的封装薄膜的材料为无机材料。在另一些实施例中，如图5所示，封装层20包括三层封装薄膜201，沿远离底板100的方向，三层封装薄膜201的材料分别为氮化硅(SiNx)、氧化铝(Al2O3)和聚对二甲苯(Parylene)。
本发明实施例，可以在一个显示区01和切割区021之间设置挡墙30；也可以在两个或两个以上显示区01与切割区021之间设置挡墙30。在本发明的一些实施例中，在每个显示区01和切割区021之间均设置挡墙30。
相关技术中，待切割基板的结构如图6所示，包括显示用基板10和用于封装显示用基板10的封装层20。待切割基板包括多个显示区01和位于显示区01外围的周边区02，周边区02包括切割区021和非切割区022。当沿待切割基板的切割区021对待切割基板进行切割时，由于切割应力的存在会导致封装层20产生微裂纹，而微裂纹的产生会缩短水氧的扩散路径，从而导致水氧更容易进入显示区01，进而影响显示区01中发光器件40的性能和寿命，尤其是会影响靠近切割区021的发光器件40的性能和寿命，靠近切割区021的发光器件40容易产生黑边，进而降低了发光器件40在高温高湿环境中的信赖性。
本发明实施例提供一种待切割基板，包括多个显示区01和位于显示区01外围的周边区02，周边区02包括切割区021和非切割区022，待切割基板包括显示用基板10以及用于封装显示用基板10的封装层20；显示用基板10包括底板100以及设置在底板100上，且位于显示区01和切割区021之间的挡墙30。由于本发明实施例，在显示区01和切割区021之间设置有挡墙30，而沿切割区021对待切割基板进行切割时，挡墙30会阻挡微裂纹的扩散，因而可以减缓水氧入侵到显示区01，确保发光器件40的性能和寿命，增强发光器件40的封装性，提高发光器件40在高温高湿环境中的信赖性。
在一些实施例中，挡墙30和显示用基板10上已有的膜层同时制作。在另一实施例中，挡墙30单独制作，不与显示用基板10上已有的膜层同时制作。
在挡墙30和显示用基板10上已有的膜层同时制作的情况下，可选的，挡墙30和像素界定层50同层同材料。
此处，“同层”指的是采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩膜板(Mask)通过一次构图工艺形成的层结构。根据特定图形的不同，同一构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的，这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。
本发明实施例，由于挡墙30和像素界定层50同层同材料，因而可以在制作像素界定层50的同时制作挡墙30，无需额外制作膜层，也无需增加掩膜板，因而增加挡墙30不会导致显示用基板10的制作工艺增加，简化了显示用基板10的制作过程。
可选的，如图1、图2、图3以及图5所示，挡墙30包括至少一个第一子挡墙301；封装层20完全覆盖第一子挡墙301。
此处，对于挡墙30包括的第一子挡墙301的个数不进行限定，挡墙30可以包括一个第一子挡墙301；也可以包括多个第一子挡墙301。
此外，对于第一子挡墙301的高度不进行限定，可以根据需要进行设置。
本发明实施例，由于挡墙30包括第一子挡墙301，封装层20完全覆盖第一子挡墙301，因而在形成封装层20时，封装层20的表面会凹凸不平。在切割待切割基板的过程中，即使封装层20产生微裂纹，由于第一子挡墙301使得封装层20的表面凹凸不平，从而可以阻挡微裂纹的扩散，且增加了水氧扩散路径，减缓水氧入侵到显示区01，确保发光器件40的性能和寿命，提高发光器件40在高温高湿环境中的信赖性。
可选的，如图1所示，挡墙30包括位于显示区01的至少一个边与切割区021之间的多个第一子挡墙301。
对于设置在显示区01的至少一个边与切割区021之间的第一子挡墙301的个数不进行限定，可以根据显示区01与切割区021之间的间距与第一子挡墙301的宽度进行相应设置。
此处，可以在一个显示区01的至少一个边与切割区021之间设置多个第一子挡墙301；也可以在多个显示区01与切割区021之间设置第一子挡墙301，且多个显示区01中的每个显示区01的至少一个边与切割区021之间设置多个第一子挡墙301。在一些实施例中，每个显示区01的至少一个边与切割区021之间均设置多个第一子挡墙301。
此外，对于任一显示区01，可以是显示区01的一个边与切割区021之间设置有多个第一子挡墙301；也可以是显示区01的两个边或两个以上边与切割区021之间设置有多个第一子挡墙301。
在此基础上，在挡墙30包括位于显示区01的至少一个边与切割区021之间的多个第一子挡墙301的情况下，可以是如图2、图3以及图5所示，位于显示区01的至少一个边与切割区021之间的多个第一子挡墙301的高度均相同；也可以是如图7所示，位于显示区01的至少一个边与切割区021之间的多个第一子挡墙301的高度不完全相同。
此处，多个第一子挡墙301的高度不完全相同，可以是多个第一子挡墙301的高度均不相同；也可以是多个第一子挡墙301中，部分第一子挡墙301的高度相同，部分第一子挡墙301的高度不相同。
在多个第一子挡墙301的高度不完全相同的情况下，可以通过一次构图工艺同时形成多个第一子挡墙301，在此情况下，构图工艺中掩膜曝光使用的掩膜板为半色调掩膜板；也可以通过多次构图工艺分别形成多个第一子挡墙301，其中高度相同的第一子挡墙301可以采用同一构图工艺形成。示例的，挡墙30包括两种高度的第一子挡墙301，可以先采用第一次构图工艺形成第一种高度的第一子挡墙301，再采用第二次构图工艺形成第二种高度的第一子挡墙301。构图工艺包括掩膜曝光以及显影等工艺。
本发明实施例，位于显示区01的至少一个边与切割区021之间的多个第一子挡墙301的高度不完全相同，可以更有效地增加水氧扩散路径，减缓水氧入侵到显示区01，确保发光器件40的性能和寿命，提高发光器件40在高温高湿环境中的信赖性。
对于第一子挡墙301的形状不进行限定，在一些实施例中，如图1所示，第一子挡墙301的形状为条状。在此情况下，第一子挡墙301沿其靠近的显示区01的边的延伸方向进行延伸。在另一些实施例中，如图8所示，至少一个第一子挡墙301围绕显示区01首尾相接设置一圈，即第一子挡墙301的形状为环状。
此处，可以是一个第一子挡墙301围绕显示区01首尾相接设置一圈，也可以是多个第一子挡墙301围绕显示区01首尾相接设置一圈。
考虑到对于周围都设置有切割区021的显示区01，沿切割区021对待切割基板进行切割时，显示区01周围的封装层20有可能都会产生裂纹，从而导致水氧可能会从显示区01周围任一位置进入显示区01。基于此，可选的，在周围都设置有切割区021的显示区01的外围，围绕该显示区01首尾相接设置一圈第一子挡墙301。进一步可选的，如图8所示，在每个显示区01外围，都围绕显示区01首尾相接设置一圈第一子挡墙301。
本发明实施例，由于第一子挡墙301围绕显示区01首尾相接设置一圈，因而第一子挡墙301可以从显示区01外围的任一位置阻挡封装层20中微裂纹的扩散，延长水氧扩散路径，从各个位置对显示区01进行保护。
可选的，如图9a以及图9b所示，挡墙30包括至少一个第二子挡墙302；封装层20覆盖第二子挡墙302远离底板100的表面，封装层20在第二子挡墙302的边界处断开。
此处，挡墙30可以包括一个第二子挡墙302；也可以包括多个第二子挡墙302，对此不进行限定，可以根据需要进行设置。在一些实施例中，在显示区01的至少一个边与切割区021之间设置至少一个第二子挡墙302。
此外，第一子挡墙301的材料和第二子挡墙302的材料可以相同，也可以不相同。在第一子挡墙301的材料和第二子挡墙302的材料相同的情况下，在一些实施例中，第一子挡墙301和第二子挡墙302均与像素界定层50同层同材料。
应当理解到，由于封装层20完全覆盖第一子挡墙301，封装层20覆盖第二子挡墙302远离底板100的表面，封装层20在第二子挡墙302的边界处断开，因此第二子挡墙302的高度应大于第一子挡墙301的高度。
本发明实施例，挡墙30包括第二子挡墙302，封装层20在第二子挡墙302的边界处断开，由于封装层20在第二子挡墙302的边界处被隔断，因而沿切割区021切割待显示基板时，可以阻止裂纹沿封装层20扩散，进而阻止裂纹扩散到显示区01，从而可以减缓水氧入侵到显示区01，确保发光器件40的性能和寿命，增强发光器件40的封装性，提高发光器件40在高温高湿环境中的信赖性。
对于第二子挡墙的302的形状不进行限定，在一些实施例中，如图9a所示，第二子挡墙302的形状为条状。在此情况下，第二子挡墙302沿其靠近的显示区01的边的延伸方向进行延伸。在另一些实施例中，如图10所示，至少一个第二子挡墙302围绕显示区01首尾相接设置一圈，即第二子挡墙302的形状为环状。
此处，可以是一个第二子挡墙302围绕显示区01首尾相接设置一圈；也可以是多个第二子挡墙302围绕显示区01首尾相接设置一圈。
考虑到对于周围都设置有切割区021的显示区01，沿切割区021对待切割基板进行切割时，显示区01周围的封装层20有可能都会产生裂纹，从而导致水氧可能会从显示区01周围任一位置进入显示区01。基于此，可选的，在周围都设置有切割区021的显示区01的外围，围绕该显示区01首尾相接设置一圈第二子挡墙302。进一步可选的，如图10所示，在每个显示区01外围，都围绕显示区01首尾相接设置一圈第二子挡墙302。
本发明实施例，由于第二子挡墙302围绕显示区01首尾相接设置一圈，因而第二子挡墙302可以从显示区01外围的任一位置阻止裂纹扩散到位于显示区01的封装层20中，从各个位置对显示区01进行保护，防止水氧进入到显示区01。
本发明实施例，可以是如图1和图8所示，挡墙30仅包括第一子挡墙301；也可以是如图9a和图10所示，挡墙30仅包括第二子挡墙302；当然还可以是如图11、图12以及图13所示，挡墙30包括第一子挡墙301和第二子挡墙302。
可选的，在挡墙30包括第一子挡墙301和第二子挡墙302的情况下，第二子挡墙302的高度大于第一子挡墙301的高度，第一子挡墙301相对于第二子挡墙302靠近显示区01。
本发明实施例，挡墙30包括第一子挡墙301和第二子挡墙302，在切割待切割基板时，第二子挡墙302可以使封装层20被隔断，以阻断微裂纹的扩散，防止微裂纹扩散到位于显示区01的封装层20中，第一子挡墙301可以延长水氧扩散的路径，将阻挡裂纹扩散和延长水氧扩散路径相结合，从而可以更有效地阻止水氧进入显示区01，确保发光器件40的性能和寿命，增强发光器件40的封装性，提高发光器件40在高温高湿环境中的信赖性。
基于此，本发明实施例还提供一种显示面板，显示面板通过切割上述的待切割基板得到，其中，待切割基板为显示面板母板。
本发明实施例还提供一种微显示芯片，微显示芯片通过切割上述的待切割基板得到；其中，待切割基板为晶圆芯片。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (12)
1.一种待切割基板，包括多个显示区和位于所述显示区外围的周边区，所述周边区包括切割区；其特征在于，
所述待切割基板包括显示用基板以及用于封装所述显示用基板的封装层；
所述显示用基板包括底板以及设置在所述底板上，且位于所述显示区和所述切割区之间的挡墙。
2.根据权利要求1所述的待切割基板，其特征在于，所述挡墙包括至少一个第一子挡墙；
所述封装层完全覆盖所述第一子挡墙。
3.根据权利要求2所述的待切割基板，其特征在于，所述挡墙包括位于所述显示区的至少一个边与所述切割区之间的多个所述第一子挡墙，多个所述第一子挡墙的高度均相同。
4.根据权利要求2所述的待切割基板，其特征在于，所述挡墙包括位于所述显示区的至少一个边与所述切割区之间的多个所述第一子挡墙，多个所述第一子挡墙的高度不完全相同。
5.根据权利要求2所述的待切割基板，其特征在于，至少一个所述第一子挡墙围绕所述显示区首尾相接设置一圈。
6.根据权利要求1-5任一项所述的待切割基板，其特征在于，所述挡墙包括至少一个第二子挡墙；
所述封装层覆盖所述第二子挡墙远离所述底板的表面，且所述封装层在所述第二子挡墙的边界处断开。
7.根据权利要求6所述的待切割基板，其特征在于，至少一个所述第二子挡墙围绕所述显示区首尾相接设置一圈。
8.根据权利要求6所述的待切割基板，其特征在于，在所述挡墙包括所述第一子挡墙和所述第二子挡墙的情况下，
所述第二子挡墙的高度大于所述第一子挡墙的高度，所述第一子挡墙相对于所述第二子挡墙靠近所述显示区。
9.根据权利要求1所述的待切割基板，其特征在于，所述显示用基板还包括：设置在所述底板上，且位于所述显示区的像素界定层以及多个发光器件；所述像素界定层包括多个开口区，一个所述发光器件位于一个所述开口区内；
所述挡墙与所述像素界定层同层同材料。
10.根据权利要求1所述的待切割基板，其特征在于，所述底板包括硅基衬底以及设置在所述硅基衬底上的驱动电路。
11.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板通过切割如权利要求1-10任一项所述的待切割基板得到；
其中，所述待切割基板为显示面板母板。
12.一种微显示芯片，其特征在于，所述微显示芯片通过切割如权利要求1-10任一项所述的待切割基板得到；
其中，所述待切割基板为晶圆芯片。
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