CN111146112B - 衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。其技术问题在于，提高每个衬底的处理均匀性。为此，所提供的技术具有：处理执行部，其基于程序处理衬底；第1控制部，其对程序进行处理；和第2控制部，其基于从第1控制部接收到的数据控制处理执行部，第1控制部进行设于其他衬底处理装置的第1控制部的运转数据的判定，当判定出在其他衬底处理装置的第1控制部中发生了不良情况时，能够执行设于其他衬底处理装置的第1控制部的替代控制。

Description

衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质
技术领域
本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。
背景技术
作为半导体器件的制造工序中使用的衬底处理装置的一个方式，有例如具备具有反应室的模块的装置。在这样的衬底处理装置中，将装置运转信息等显示到由显示器等构成的输入输出装置上，从而装置管理者能够进行确认。(例如，参照专利文献1)
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-103356号公报
发明内容
本发明提供对衬底处理装置实现高效管理的技术。
根据一个方式，提供以如下方式构成的技术，具有：处理执行部，其基于程序处理衬底；第1控制部，其对程序进行处理；和第2控制部，其基于从第1控制部接收到的数据控制处理执行部，第1控制部进行设于其他衬底处理装置的第1控制部的运转数据的判定，在判定为设于其他衬底处理装置的第1控制部中发生了不良情况时，能够执行设于其他衬底处理装置的第1控制部的替代控制。
发明效果
根据本发明的技术，能够对衬底处理装置进行高效管理。
附图说明
图1是衬底处理系统的概略构成图。
图2是衬底处理装置的概略构成图。
图3是说明气体供给部的图。
图4是控制器的概略构成图。
图5是装置连接数据的例子。
图6是衬底处理的流程图。
图7是包括控制部的切换工序在内的流程图。
图8是控制部的替代控制中的衬底处理系统的概略构成图。
图9是替代控制请求的画面的例子。
附图标记说明
100 衬底处理装置
200 晶片(衬底)
260 第1控制部
280 第2控制部
具体实施方式
以下对本发明的实施方式进行说明。
＜一实施方式＞
以下，参照附图对本发明的一实施方式进行说明。
首先，记述本发明所要解决的几个问题。在运用多个衬底处理装置时，存在至少产生如下(a)～(c)中的某个问题的情况。将在后文叙述各编号的构成。
(a)在运用多个衬底处理装置100的情况下，当设于某个衬底处理装置100并作为操作部(对设于衬底处理装置100的各部进行操作)的第1控制部260宕机时，第1控制部260宕掉的衬底处理装置100无法操作。
(b)为了应对故障，设于衬底处理装置100的第1控制部260有时会被冗余化。该情况下，在冗余化了的一方发生了故障时，进行切换为另一方的控制。但是，存在一方发生了故障的状态下仍继续使用的情况，还存在另一方第1控制部260也发生故障而衬底处理装置100无法操作的情况。
(c)在多个衬底处理装置100中进行同样的处理的情况下，有时会对某个衬底处理装置100进行维护。存在在维护后对执行了维护的衬底处理装置100应用最新的设定数据的情况。该情况下，从上位装置500发送最新的设定数据，但存在至维护结束之前无法设定的情况。
针对这样的问题，本发明的衬底处理系统以如下所述的方式构成。
(1)衬底处理系统的构成
使用图1、图2、图3、图4对一实施方式的衬底处理系统的概略构成进行说明。图1示出本实施方式的衬底处理系统的构成例。图2是表示本实施方式的衬底处理装置的概略构成的横剖视图。图3是本实施方式的衬底处理装置的气体供给系统的概略构成图。图4是表示设于衬底处理装置的各部与第1控制部260的连接关系的概略构成图。
图1中，衬底处理系统1000具有多个衬底处理装置100(100a、100b、100c、100d)。衬底处理装置100分别具有第1控制部260(260a、260b、260c、260d)、第2控制部280(280a、280b、280c、280d)和收发部285(285a、285b、285c、285d)。第1控制部260构成为，能够经由第2控制部280执行对衬底处理装置100的各部的操作。还构成为，能够经由收发部285和与收发部285连接的网络268而与其他衬底处理装置100的第1控制部260和/或第2控制部260等收发信息。第2控制部280构成为，能够控制设于衬底处理装置100的各部的动作。第1控制部260、第2控制部280和收发部285以能够相互通信的方式构成。此外，第1控制部260和第2控制部280与网络268连接。此处，示出了第1控制部260与第2控制部280经由收发部285连接的例子，但也可以构成为分别与网络268直接连接。通过像这样构成，能够通过设于一个衬底处理装置100的第1控制部260来操作设于其他衬底处理装置100的第2控制部280。例如，能够通过设于衬底处理装置100a的第1控制部260a来操作衬底处理装置100b的第2控制部280b。
接下来，使用图2对衬底处理装置100的概略构成进行说明。
(2)衬底处理装置的构成
衬底处理装置100为例如在衬底200上形成绝缘膜的单元，如图2所示，构成为单片式衬底处理装置。在此，对衬底处理装置100a(100)进行说明。其他衬底处理装置100b、100c、100d因采用了相同的构成所以省略说明。设于衬底处理装置100的各部构成为处理衬底200的一个处理执行部。
如图2所示，衬底处理装置100具备处理容器202。处理容器202作为例如水平截面为圆形且扁平的密闭容器而构成。此外，处理容器202由例如铝(Al)、不锈钢(SUS)等金属材料或石英构成。在处理容器202内形成有处理室201和移载室203，其中，处理室201处理作为衬底的硅晶片等衬底200。处理容器202由上部容器202a和下部容器202b构成。在上部容器202a与下部容器202b之间设有分隔部204。将由上部容器202a围成的、与分隔部204相比位于上方的空间称为处理室201。此外，将由下部容器202b围成的、闸阀149附近的空间称为移载室203。
在下部容器202b的侧面设有与闸阀149相邻的衬底搬入搬出口1480，衬底200经由衬底搬入搬出口1480在未图示的搬送室与移载室203之间移动。在下部容器202b的底部设有多个提升销207。并且，下部容器202b接地。
在处理室201内设有支承衬底200的衬底支承部210。衬底支承部210主要具有载置衬底200的载置面211、在表面具有载置面211的载置台212、和作为加热部的加热器213。在衬底载置台212，在与提升销207对应的位置分别设置有供提升销207贯通的贯通孔214。此外，也可以在衬底载置台212设置对衬底200、处理室201施加偏压的偏压电极256。此处，加热器213与温度控制部400连接，由温度控制部400控制加热器213的温度。需要说明的是，构成为，加热器213的温度信息能够从温度控制部400向第2控制部280发送。此外，构成为，偏压电极256与偏压调整部257连接而能够由偏压调整部257调整偏压。此外，偏压调整部257构成为能够在与第2控制部280之间收发偏压数据。
衬底载置台212由轴217支承。轴217贯通处理容器202的底部，并且在处理容器202的外部与升降部218连接。通过使升降部218动作而使轴217及支承台212升降，能够使载置于衬底载置面211上的衬底200升降。另外，轴217下端部的周围由波纹管219覆盖，处理室201内被保持为气密。另外，也可以构成为，升降部218能够在与第2控制部280之间收发衬底载置台212的高度数据(位置数据)。另外，衬底载置台212的位置构成为能够至少设定两个以上。例如，第1处理位置和第2处理位置。需要说明的是，第1处理位置、第2处理位置以能够分别调整的方式构成。
衬底载置台212在衬底200搬送时移动至晶片移载位置，在衬底200进行第1处理时移动至图2的实线所示的第1处理位置(衬底处理位置)。此外，在第2处理时，移动至图2的虚线所示的第2处理位置。需要说明的是，晶片移载位置是提升销207的上端从衬底载置面211的上表面突出的位置。
具体而言，在使衬底载置台212下降至晶片移载位置时，提升销207的上端部从衬底载置面211的上表面突出，从而使提升销207从下方支承衬底200。此外，在使衬底载置台212上升至衬底处理位置时，提升销207从衬底载置面211的上表面没入，从而使衬底载置面211从下方支承衬底200。另外，提升销207与衬底200直接接触，因此优选由例如石英、氧化铝等材质形成。
(排气系统)
在处理室201(上部容器202a)的侧面侧设有作为对处理室201的气氛进行排气的第1排气部的第1排气口221。第1排气口221与排气管224a连接，在排气管224a依次串联连接有将处理室201内控制为规定压力的APC(Auto Pressure Controller，自动压力控制器)等的压力调整器227和真空泵223。主要由第1排气口221、排气管224a、压力调整器227构成第一排气系统(排气线路)。需要说明的是，也可以将真空泵223作为第一排气系统的构成。此外，在移载室203的侧面侧设有对移载室203的气氛进行排气的第2排气口1481。此外，第2排气口1481与排气管148连接。构成为，在排气管148设有压力调整器228，能够将移载室203内的压力排气而成为规定压力。此外，还能够经由移载室203对处理室201内的气氛进行排气。此外，压力调整器227构成为能够与第2控制部280进行压力数据、阀开度数据的收发。此外，真空泵223构成为能够向第2控制部280发送泵打开/关闭数据、负载数据等。
(气体导入口)
在设于处理室201的上部的簇射头234的上表面(顶壁)设有盖231。在盖231设有气体导入口241，其用于向处理室201内供给各种气体。对与作为气体供给部的气体导入口241连接的各气体供给单元的构成将于后文叙述。
(气体分散单元)
作为气体分散单元的簇射头234具有缓冲室232、分散板244a。另外，分散板244a也可以作为第1电极244b(其作为活化部)而构成。在分散板244a设有多个向衬底200分散供给气体的孔234a。簇射头234设于气体导入口241与处理室201之间。从气体导入口241导入的气体向簇射头234的缓冲室232(也称为分散部)供给，经由孔234a供给到处理室201。
需要说明的是，在分散板244a作为第1电极244b而构成的情况下，第1电极244b由导电性的金属构成，作为用于将处理室201内的气体激发的活化部(激发部)的一部分而构成。构成为能够向第1电极244b供给电磁波(高频电力、微波)。另外，在由导电性部件构成盖231时，在盖231与第1电极244b之间设有绝缘块233，成为将盖231与第1电极部244b之间绝缘的构成。
(活化部(等离子体生成部))
对设有作为活化部的第1电极244b的情况下的构成进行说明。构成为，作为活化部的第1电极244b连接有匹配器251和高频电源部252，能够对第1电极244b供给电磁波(高频电力、微波)。由此，能够使供给到处理室201内的气体活化。此外，第1电极244b构成为能够生成容量耦合型的等离子体。具体而言，第1电极244b形成为导电性的板状，以支承于上部容器202a的方式构成。活化部至少由第1电极244b、匹配器251、高频电源部252构成。另外，可以在第1电极244b与高频电源部252之间设置阻抗计254。通过设置阻抗计254，能够基于测定出的阻抗对匹配器251、高频电源部252进行反馈控制。此外，高频电源部252构成为能够与第2控制部280收发电力数据，匹配器251构成为能够与第2控制部280收发匹配数据(行波数据、反射波数据)，阻抗计254构成为能够与第2控制部280收发阻抗数据。
(供给系统)
气体导入口241与共通气体供给管242连接。共通气体供给管242在管的内部连通，从共通气体供给管242供给的气体经由气体导入口241供给到簇射头234内。
共通气体供给管242与图3所示的气体供给部连接。气体供给部与第1气体供给管113a、第2气体供给管123a、第3气体供给管133a连接。
从包含第1气体供给管113a在内的第1气体供给部主要供给含有第1元素的气体(第1处理气体)。此外，从包含第2气体供给管123a在内的第2气体供给部主要供给含有第2元素的气体(第2处理气体)。此外，从包含第3气体供给管133a在内的第3气体供给部主要供给含有第3元素的气体。
(第1气体供给部)
在第1气体供给管113a，从上游方向起依次设有第1气体供给源113、作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)115、及作为开闭阀的阀116。
含有第1元素的气体从第1气体供给管113a经由MFC115、阀116、共通气体供给管242供给到簇射头234。
含有第1元素的气体为处理气体之一。含有第1元素的气体为含硅(Si)气体，例如为六氯乙硅烷(Si2Cl6，简称：HCDS)等气体。
第1气体供给部主要由第1气体供给管113a、MFC115、阀116构成。
而且，也可以考虑将第1气体供给源113、使第1气体活化的远程等离子体单元(RPU)180a的某个或双方包含于第1气体供给部。
(第2气体供给部)
在第2气体供给管123a，从上游方向起依次设有第2气体供给源123、MFC125、阀126。
含有第2元素的气体从第2气体供给管123a经由MFC125、阀126、共通气体供给管242供给至簇射头234内。
含有第2元素的气体为处理气体之一。含有第2元素的气体为含氮(N)气体，例如为氨(NH3)气、氮(N2)气等气体。
第2气体供给部主要由第2气体供给管123a、MFC125、阀126构成。
而且，也可以考虑将第2气体供给源123、使第2气体活化的远程等离子体单元(RPU)180b的某个或双方包含于第2气体供给部。
(第3气体供给部)
在第3气体供给管133a，从上游方向起依次设有第3气体供给源133、MFC135、阀136。
非活性气体从第3气体供给管133a经由MFC135、阀136、共通气体供给管242供给到簇射头234。
非活性气体是难以与第1气体反应的气体。非活性气体为例如氮(N2)气、氩(Ar)气体、氦(He)气等气体。
第3气体供给部主要由第3气体供给管133a、MFC135、阀136构成。
此处，分别构成第1气体供给部、第2气体供给部、第3气体供给部的MFC、阀以能够与第2控制部280收发数据的方式构成，分别收发如下数据。MFC：流量数据，阀：开度数据。需要说明的是，也可以在第1气体供给部、第2气体供给部含有气化器、RPU而构成。气化器、RPU也以能够与第2控制部280收发数据的方式构成，分别收发如下数据。气化器：气化量数据，RPU：电力数据。
(第1控制部、第2控制部)
接下来，对控制部进行说明。如图4所示，衬底处理装置100具有作为控制衬底处理装置100的各部的动作的控制部的第1控制部260和第2控制部280。
第1控制部260和第2控制部280的概略构成图和管理装置274、网络268、上位装置500等的连接构成图于图4中示出。此处，对衬底处理装置100a所具有的第1控制部260a和第2控制部280a进行记述。其他衬底处理装置100b、100c、100d采用了相同的构成，因此省略说明。
(第1控制部)
第1控制部260a作为具备CPU(Central Processing Unit，中央处理单元)261、RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)262a、存储装置263a、I/O端口264a的计算机而构成。RAM262a、存储装置263a、I/O端口264a以能够经由内部总线265a与CPU261a进行数据交换的方式构成。需要说明的是，内部总线265a与收发部285(285a、285b、285c、285d)、外部存储装置267a、输入输出装置269a等连接。也可以将上述收发部285、外部存储装置267a、输入输出装置269a的至少某个包含于第1控制部260a的构成。
存储装置263a由例如闪存、HDD(Hard Disk Drive，硬盘驱动器)等构成。在存储装置263a内，以可读取的方式保存有装置数据。
装置数据包含如下的至少某个。例如，控制衬底处理装置的动作的控制程序、记载了后文所述的衬底处理的步骤和/或条件等的工艺制程、在至设定对衬底200的处理所使用的工艺制程为止的过程中所产生的运算数据、处理数据、调度数据、运转数据、装置连接数据、内部连接设定数据、衬底200数据等。
此处，运转数据是设于第1控制部260a的CPU261a、RAM262a、存储装置263a的至少某个的负载状态、故障发生次数、运转时间、温度等的至少某个的数据。
此外，装置连接数据是衬底处理装置100与网络的连接关系数据。是例如表示衬底处理装置100所具有的第1控制部260和第2控制部280与能够连接的其他衬底处理装置100所具有的第1控制部260和第2控制部280的关系的数据。例如由表示图5所示那样的连接关系的数据而构成。各第1控制部260a、260b、260c、260d…260x能够连接的连接目的地1、2、3、4…N以保存于数据表a1、a2、a3、a4…aX、b1、b2、b3、b4…bX、…n1、n2、n3、n4…nX的方式而构成。此处，对x输入衬底处理装置的符号，对n、N输入整数。X、n、N能够适当增加。例如，能够增加设于衬底处理系统1000的衬底处理装置100的个数。此外，也可以不由衬底处理系统1000构成而设定多台衬底处理装置100。
此处，图5所示的第1连接目的地设定有设于同一衬底处理装置100内的第2控制部280，在第2连接目的地以后设定有能够替代控制的连接目的地。具体而言，以如下方式设定。第1控制部260a与第2控制部280a连接，设定为能够替代控制第2控制部280b、第2控制部280d。第1控制部260b与第2控制部280b连接，设定为能够替代控制第2控制部280a。第1控制部260c与第2控制部280c连接，设定为能够替代控制第2控制部280a、第2控制部280b、第2控制部280d。另外，构成为在没有设定连接目的地的数据表(没有记录数据的数据表)中能够在后文所述的连接目的地搜索工序S206中随时追加连接目的地。此外，在网络268连接有其他的衬底处理装置100、第1控制部260时，也可以搜索网络268内而追加能够连接的设备作为连接目的地。此处，设备是指第1控制部260和/或能够替代第1控制部260的控制装置。第1控制部作为具体的信息还包含IP地址、连接协议的数据的至少某个。
内部连接设定数据是表示设于衬底处理装置100内的各部(处理执行部)的连接关系的数据。作为具体的信息，包含IP地址、连接协议的数据的至少某个。
衬底200数据是搬送到衬底处理装置100的衬底200所附随的数据。
调度数据是表示衬底200的处理调度的数据。
另外，工艺制程是使第1控制部260执行后文所述的衬底处理工序中的各步骤并以能够得到规定结果的方式而组合得到的，作为程序发挥作用。以下，将该工艺制程、控制程序、上述数据等统括地简称为程序。需要说明的是，在本说明书中使用程序这一措辞时，有时仅包含工艺制程本身，有时仅包含控制程序本身，或有时包含这两者。
作为运算部的CPU261a以如下方式构成：读取并执行来自存储装置263a的控制程序，并且根据来自输入输出装置269a的操作命令的输入等而从存储装置263a读取工艺制程。此外，构成为，能够将从收发部285a输入的设定值与存储于存储装置263a的工艺制程和/或控制数据进行比较及运算，计算出运算数据。此外，构成为，能够根据运算数据来执行对应的处理数据(工艺制程)的决定处理等。经由内部总线265a、I/O端口264a、收发部285a的至少某个对后文所述的第2控制部280a收发运算数据。在进行各部的控制时，CPU261a内的收发部通过发送/接收与工艺制程的内容相应的控制信息来进行控制。
RAM262a作为暂时保持由CPU261a读取出的程序、运算数据、处理数据等数据的存储区域(工作区)而构成。
I/O端口264a与后文所述的第2控制部280a连接。
输入输出装置269a具有作为显示器、触摸面板而构成的显示部。
收发部285a构成为，能够经由网络268与上位装置500、管理装置274、第1控制部260a和第2控制部280a的某个或两个通信。
(第2控制部)
第2控制部280a与衬底处理装置的各部(处理执行部)连接。例如，与闸阀149、升降部218、温度控制部400、压力调整器227、228、真空泵223、匹配器251、高频电源部252、MFC115、125、135、阀116、126、136、偏压控制部257等连接。此外，也可以与阻抗计254、RPU180、真空搬送机械装置(未图示)、大气搬送机械装置(未图示)等连接。此外，也可以与收发部285a和网络268的某个或双方连接。
第2控制部280a构成为，以按照由第1控制部260a运算(处理)得到的工艺制程(程序)的数据的方式，控制闸阀149的开闭动作、升降部218的升降动作、对温度控制部400的电力供给动作、由温度控制部400进行的衬底载置台212的温度调整动作、压力调整器227、228的压力调整动作、真空泵223的打开关闭控制、MFC115、125、135处的气体流量控制动作、RPU180a、180b的气体的活化动作、阀116、126、136处的气体的接通断开控制、匹配器251的电力的匹配动作、高频电源部252的电力控制、偏压控制部257的控制动作、基于阻抗计254测定出的测定数据的匹配器251的匹配动作、和高频电源部252的电力控制动作等。
需要说明的是，第1控制部260a、第2控制部280a不限定于作为专用的计算机而构成的情况，也可以作为通用的计算机而构成。例如，能够准备保存有上述程序(数据)的外部存储装置(例如磁带、软盘和/或硬盘等磁盘、CD和/或DVD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器和/或存储卡等半导体存储器)267a，使用该外部存储装置267a在通用的计算机安装程序等，由此来构成本实施方式的第1控制部260a。另外，用于向计算机供给(保存)程序的方式不限于借助外部存储装置267a提供的情况。例如，也可以使用收发部285a、网络268(互联网、专用线路)等通信方式，不经由外部存储装置267a地提供程序(数据)。另外，存储装置263和/或外部存储装置267a作为能够由计算机读取的记录介质而构成。以下，也将它们统括地简称为记录介质。另外，在本说明书中，在使用记录介质这一措辞时，有时仅包含存储装置263a本身，有时仅包含外部存储装置267a本身，或有时包含它们两者。
另外，本发明中的连接既包含各部使用物理线缆相连之意，也包含各部的信号(电子数据)可直接或间接地发送/接收之意。
(2)衬底处理工序
接下来，作为半导体器件(半导体装置)的制造工序的一个工序，参照图6对在衬底上进行绝缘膜成膜的工序例、上述衬底处理装置100的处理流程进行说明。需要说明的是，此处，作为绝缘膜，成膜出例如作为氮化膜的氮化硅(SiN)膜。此外，关于该制造工序的一个工序，在以下的说明中，各部的动作由第1控制部260和第2控制部280控制。
以下对衬底处理工序进行说明。
(衬底搬入及加热工序：S102)
首先，对衬底搬入及加热工序(S102)进行说明。
在衬底搬入及加热工序(S102)中，将衬底200搬入容器202内。然后，在将衬底200搬入到容器202内之后，使真空搬送机械装置(未图示)退避到容器202外，关闭闸阀149而将容器202内密闭。之后，通过使衬底载置台212上升而将衬底200载置于衬底载置面211(其设于衬底载置台212)上，并通过使衬底载置台212上升而使衬底200上升至上述处理空间205内的处理位置(衬底处理位置)。
在衬底200被搬入到移载室203后上升至处理室201内的处理位置时，将阀228设为关闭状态。由此，从排气管148向移载室203的排气结束。另一方面，打开APC227，使处理室201与真空泵223之间连通。APC227通过调整排气管224a的传导率来控制由真空泵223进行的处理室201的排气流量，将处理空间201维持为规定压力(例如10－5～10－1Pa的高真空)。
像这样，在衬底搬入及加热工序(S102)中，以处理室201内成为规定压力的方式进行控制，并以衬底200的表面温度成为规定温度的方式进行控制。将温度设置为例如室温以上500℃以下，优选为室温以上400℃以下。可以考虑将压力设为例如50～5000Pa。
(成膜工序：S104)
接下来，对成膜工序(S104)进行说明。
在使衬底200位于处理室201内的处理位置后，在衬底处理装置100进行成膜工序(S104)。成膜工序(S104)是根据工艺制程向处理室201供给不同的处理气体即第一处理气体(含有第一元素的气体)和第二处理气体(含有第二元素的气体)，由此在衬底200上形成薄膜的工序。在成膜工序(S104)中，可以使第一处理气体和第二处理气体同时存在于处理室201内来进行CVD(chemical vapor deposition，化学气相沉积)处理，或者反复进行交替地供给第一处理气体和第二处理气体的工序的循环(交替供给)处理。此外，在使第二处理气体以等离子体状态进行处理的情况下，也可以启动RPU180b。此外，也可以进行供给第一处理气体和第二处理气体的某个的热处理、改性处理等衬底处理。
(衬底搬入搬出工序：S106)
接下来，对衬底搬入搬出工序(S106)进行说明。
成膜工序(S104)结束后，在衬底处理装置100进行衬底搬入搬出工序(S106)。在衬底搬入搬出工序(S106)中，采用与上述衬底搬入及加热工序(S102)相反的步骤，将处理完成的衬底200向容器202外搬出。之后，采用与衬底搬入及加热工序(S102)同样的步骤，将等待的下一个未处理的衬底200搬入到容器202内。然后，对搬入的衬底200执行成膜工序(S104)。
(判定工序：S108)
接下来，对判定工序(S108)进行说明。
在衬底搬入搬出工序(S106)结束后，判定在将上述一系列的处理(S102～S106)作为一个循环的情况下，在衬底处理装置100是否将上述一个循环实施了规定次数。并且，如果没有实施规定次数，则重复进行从衬底搬入及加热工序(S102)至衬底搬入搬出工序(S106)的一个循环。另一方面，当实施了规定次数时，结束衬底处理工序。
在该衬底处理工序之前和之后的任一个，进行图7所记载的如下的工序。图7是包含控制部的切换工序的流程图。需要说明的是，以下的工序既可以在衬底处理工序之间进行，也可以在规定期间内与衬底处理工序并行地进行。在多个衬底处理装置100之间进行如下工序。另外，以下的说明中，作为代表，对衬底处理装置100a的第1控制部260a、第2控制部280a和衬底处理装置100b的第1控制部260b、第2控制部280b进行了记述，但也能够对其他衬底处理装置100的组合执行相同的工序。
(装置数据共享工序S201)
在各衬底处理装置100之间进行第1控制部260所存储的最新的装置数据的共享处理。
装置数据的共享处理具体而言是将衬底处理装置100a的第1控制部260a的存储装置263a和/或RAM262a所存储的数据复制(备份)到其他衬底处理装置100(例如100b)的第1控制部260(例如260b)的存储装置263b和/或RAM262b中的处理。在装置数据所具有的数据种类较多的情况下、或装置数据的容量较大的情况下等，也可以不通过一次通信收发所有的数据，而是分批进行收发。此外，也可以根据数据类别使收发时刻不同。例如，定期地收发运转数据，而工艺制程数据仅在该数据有更新或追加时收发即可。
另外，该装置数据共享工序也称为监视工序。
(判定工序S202)
接下来，进行获取的运转数据是否成为了规定的内容的判定工序。判定条件有例如以下A～D的至少某个。
(判定条件的例子)
(A)判定运转数据是否超过了规定的第1值；
(B)判定是否低于规定的第2值；
(C)判定运转数据是否成为了规定的内容；
(D)判定是否获取了运转数据。
在没有满足上述至少某个判定条件时，判定获取了运转数据的对象的第1控制部260发生了动作不良(“否”判定)。此处，动作不良包括硬件上的故障(破损)的情况和/或因数据的漏洞等而导致无法进行错误处理的情况等的至少某个。动作不良也简称为不良、问题。在作出了“否”判定的情况下，进行后文所述的连接切换工序S203。在满足了判定条件的情况下，判定为正常(“是”判定)，继续正常控制。例如，当第1控制部260a的运转数据之中，驱动第1控制部260的电压低于规定的第2值的情况下，第1控制部260b判定第1控制部260a发生了动作不良(发生了故障)。此外，在第1控制部260a所具有的RAM262a和/或存储装置263a的错误率超过了规定的第1值的情况下，第1控制部260b判定第1控制部260a发生了动作不良。
另外，也可以设为在第1控制部260a故障前，第1控制部260a进行自检。也可以在预计运转数据超过规定的值的情况下，做出“否”判定，进行连接切换工序S203。
(连接切换工序S203)
在判定为故障的情况下，进行将发生了故障的第1控制部260与正常的第2控制部280的连接切换为与其他衬底处理装置100的正常的第1控制部260的连接的工序。连接切换工序S203如图7所示，具有切换请求工序S204、连接认证工序S205。对各个工序进行说明。
(切换请求工序S204)
在切换请求工序S204中，从其他衬底处理装置100所具有的第1控制部260对连接有发生了故障的第1控制部260的第2控制部280进行连接请求。例如，从第1控制部260b对第2控制部280a进行连接请求。该情况下，可以显示(报知)图9所示的、确认是否进行连接请求的画面(窗口)275。此外，反过来，也可以从第2控制部280a对第1控制部260b进行连接请求。该情况下，也可以显示图9所示的、确认是否进行连接请求的画面(窗口)275。以下，也将本发明中的连接请求称为替代控制请求。
此处，对图9所示的连接请求(控制请求确认)的画面275的构成进行说明。控制请求确认的画面275具有同意请求的“是”按钮275a和拒绝请求的“否”按钮275b。另外，如图9的虚线所示，也可以设置负责人呼叫按钮275c，其对上位装置500和/或管理部274发送负责人的呼叫请求。
(连接认证工序S205)
在连接认证工序S205中，收到了连接请求的第2控制部280a或第1控制部260b进行能否与连接请求的发送源连接的确认，在能够连接的情况下，作出“是”判定，开始第2控制部280的控制。在不能连接的情况下，作出“否”判定，进行连接目的地搜索工序S206。此处的确认也可以通过显示在图9所示的确认画面上的“是”按钮来进行认证确定。此外，也可以根据收到连接请求那一侧的运转状态、负载状态，进行认证判定。例如，在收到连接请求那一侧的负载状态较高时，作出“否”判定。此外，也可以还在从发送或接收到连接请求起经过了规定时间而超时的情况下，作出“否”判定。
进行了认证后，在进行控制的第1控制部260与被控制侧的第2控制部280之间进行IP地址的登记等。例如，在第1控制部260b与第2控制部280a之间的认证成立的情况下，进行接下来的替代控制工序S207。
(连接目的地搜索工序S206)
接下来，对在连接认证工序S205中作出了“否”判定的情况下进行的连接目的地搜索工序S206进行说明。在连接目的地搜索工序S206中，从第1控制部260b和第2控制部280a的某个对其他第1控制部260(例如，第1控制部260c)进行连接请求。在第1控制部260c进行与上述同样的认证处理。在第1控制部260c中连接认证不成立的情况下，对下一个第1控制部260(例如，260d)进行连接请求。在与网络268连接的所有第1控制部260中均没有进行连接认证的情况下，在第1控制部260的某个进行连接等待。此外，也可以对与网络268连接的其他设备发送连接请求。此处，其他设备例如为管理部274、上位装置500。
(替代控制工序S207)
在替代控制工序S207中，从其他衬底处理装置100执行一个衬底处理装置100的控制(操作)。例如，如图8的点划线所示，在第1控制部260b和第2控制部280a进行了连接认证的情况下，能够从第1控制部260b控制(操作)第2控制部280a。即，成为能够从第1控制部260b操作衬底处理装置100a的状态。此处，第1控制部260b能够执行的操作为例如设于衬底处理装置100a的各部的操作、衬底处理工序的执行、衬底处理装置100a的维护处理等。
此外，在连接切换后，进行发生了故障的第1控制部260a的维护工序。在维护工序中，例如进行第1控制部260a的再启动处理、对构成第1控制部260a的部件进行更换和对第1控制部260a自身进行更换等的至少某个。
在该维护工序中，有时从上位装置500对第1控制部260a发送最新的衬底处理装置100的各部的设定数据、控制程序、工艺制程等中的至少任一个。此时，第1控制部260a处于故障中或正在维护，因此处于无法下载这些最新数据的状态。该情况下，可以由第1控制部260b进行替代下载，在检测到第1控制部260a恢复到了正常状态之后，向第1控制部260a发送最新数据。此处，恢复到正常状态也称为回归到正常状态。此外，正常状态是指在上述判定工序S202中为“是”判定的状态。此外，也可以使第1控制部260b预先保持有无最新数据的数据，在检测到第1控制部260a恢复到正常状态之后，从第1控制部260a对上位装置500发送指示下载最新数据(最新信息数据)的请求的数据。
以上，对本发明的一实施方式进行了具体说明，但本发明不限定于上述实施方式，能够在不脱离其宗旨的范围内进行各种变更。
此外，在上文中，对半导体器件的制造工序进行了记述，但实施方式的发明也能够应用于半导体器件的制造工序之外的工序。例如有液晶器件的制造工序、太阳能电池的制造工序、发光器件的制造工序、玻璃衬底的处理工序、陶瓷衬底的处理工序、导电性衬底的处理工序等衬底处理。
此外，在上文中，示出了使用含硅气体作为原料气体(第1气体、第1处理气体)、使用含氮气体作为反应气体(第2气体、第2处理气体)来形成氮化硅膜的例子，但也能够应用于使用其他气体的成膜。例如有含氧膜、含氮膜、含碳膜、含硼膜、含金属膜和含上述元素中的多个元素的膜等。需要说明的是，作为这些膜，例如有AlO膜、ZrO膜、HfO膜、HfAlO膜、ZrAlO膜、SiC膜、SiCN膜、SiBN膜、TiN膜、TiC膜、TiAlC膜等。
此外，在上文中，示出了在一个处理室处理一个衬底的装置构成，但不限定于此，也可以是将多个衬底在水平方向上或垂直方向上排列的装置。

Claims (17)

1.一种衬底处理装置，具有：
处理执行部，其基于程序处理衬底；
第1控制部，其处理所述程序；和
第2控制部，其基于从所述第1控制部接收到的数据，控制所述处理执行部，
所述第1控制部进行设于其他衬底处理装置的第1控制部的运转数据的判定，
构成为在判定为所述其他衬底处理装置的第1控制部中发生了不良情况时，所述第1控制部对设于其他衬底处理装置的第2控制部进行与设于所述其他衬底处理装置的第2控制部的替代控制相关的连接请求，在能够执行所述替代控制的情景下，经由设于所述其他衬底处理装置的第2控制部进行设于所述其他衬底处理装置的处理执行部的控制。
2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
所述第1控制部具有输入输出装置，
所述第1控制部构成为，在判定为设于所述其他衬底处理装置的第1控制部中发生了不良情况时，向所述输入输出装置报知所述其他衬底处理装置的控制请求。
3.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
所述第1控制部具有存储部，
所述第1控制部构成为，将所述其他衬底处理装置的第1控制部所具有的装置数据定期地记录到所述存储部中。
4.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，
所述第1控制部具有存储部，
所述第1控制部构成为，将所述其他衬底处理装置的第1控制部所具有的装置数据定期地记录到所述存储部中。
5.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
所述第1控制部构成为，在设于所述其他衬底处理装置的第1控制部的替代控制的执行过程中，接收与所述其他衬底处理装置相关的最新信息数据。
6.如权利要求5所述的衬底处理装置，其中，
所述第1控制部构成为，在设于所述其他衬底处理装置的第1控制部回归至正常状态时，向设于所述其他衬底处理装置的第1控制部发送所述最新信息数据。
7.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
所述处理执行部具有加热部、流量控制部、排气部以及阀中的至少一个以上，
所述第1控制部构成为，能够经由设于所述其他衬底处理装置的第2控制部来控制设于所述其他衬底处理装置的加热部、流量控制部、排气部以及阀中的至少一个以上。
8.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
所述第1控制部构成为，在无法进行所述其他衬底处理装置的所述第1控制部的替代控制时，进一步向不同的衬底处理装置的第1控制部和上位装置中的某个或双方发送替代控制请求。
9.如权利要求7所述的衬底处理装置，其中，
所述第1控制部构成为，在无法进行所述其他衬底处理装置的所述第1控制部的替代控制时，进一步向不同的衬底处理装置的第1控制部和上位装置中的某个或双方发送替代控制请求。
10.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
所述第2控制部构成为，能够向所述其他衬底处理装置的第1控制部发送替代控制请求。
11.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，
所述第2控制部构成为，能够向所述其他衬底处理装置的第1控制部发送替代控制请求。
12.一种半导体器件的制造方法，具有：
设于衬底处理装置的第1控制部对程序进行处理的工序；
设于所述衬底处理装置的第2控制部基于经处理后的所述程序，控制处理执行部来处理衬底的工序；
所述第1控制部判定设于其他衬底处理装置的第1控制部的运转数据的工序；和
在判定为所述其他衬底处理装置的第1控制部中发生了不良情况时，所述第1控制部对设于其他衬底处理装置的第2控制部进行与设于所述其他衬底处理装置的第2控制部的替代控制相关的连接请求，在能够执行所述替代控制的情景下，经由设于所述其他衬底处理装置的第2控制部进行设于所述其他衬底处理装置的处理执行部的控制的工序。
13.如权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其中，
还具有如下工序：所述第1控制部在判定为设于所述其他衬底处理装置的第1控制部中发生了不良情况时，向设于所述第1控制部的输入输出装置报知所述其他衬底处理装置的控制请求。
14.如权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其中，
还具有如下工序：所述第1控制部将所述其他衬底处理装置的第1控制部所具有的装置数据定期地记录到存储部中。
15.一种记录介质，记录有通过计算机使衬底处理装置执行下述步骤的程序，步骤包括：
使设于衬底处理装置的第1控制部对程序进行处理的步骤；
使设于所述衬底处理装置的第2控制部基于经处理后的所述程序，控制处理执行部来处理衬底的步骤；
使所述第1控制部判定设于其他衬底处理装置的第1控制部的运转数据的步骤；和
在判定为所述其他衬底处理装置的第1控制部中发生了不良情况时，所述第1控制部对设于其他衬底处理装置的第2控制部进行与设于所述其他衬底处理装置的第2控制部的替代控制相关的连接请求，在能够执行所述替代控制的情景下，经由设于所述其他衬底处理装置的第2控制部进行设于所述其他衬底处理装置的处理执行部的控制的步骤。
16.如权利要求15所述的记录介质，其中，
还具有如下步骤：所述第1控制部在判定为设于所述其他衬底处理装置的第1控制部中发生了不良情况时，向设于所述第1控制部的输入输出装置报知所述其他衬底处理装置的控制请求。
17.如权利要求15所述的记录介质，其中，
还具有如下步骤：所述第1控制部将所述其他衬底处理装置的第1控制部所具有的装置数据定期地记录到存储部中。
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