CN113178398A - 基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质 - Google Patents

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Abstract

提供能够谋求提高基板处理的处理能力的涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质的技术。所提供的技术具备：处理部，其对基板进行处理；存储部，其存储用于对基板进行处理的处理程序和用于使处理程序的执行中断的中断程序；以及控制部，其通过读出并执行处理程序而控制处理部，控制部构成为，针对处理程序检查有无感染计算机病毒，在判定成感染了计算机病毒的情况下，读出并执行中断程序。

Description

基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质
技术领域
本发明涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。
背景技术
关于在半导体器件的制造工序中所使用的基板处理装置，具有通过网络与其他装置连接而构成的基板处理装置(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006-060132号公报
发明内容
在与网络连接的基板处理装置中，例如当具有来自网络的病毒感染时，会由此损害装置运转，其结果为有给基板处理的处理能力(through-put)造成坏影响的隐患。
本发明提供能够谋求提高基板处理的处理能力的技术。
根据一个方案，提供一种技术，具备：
处理部，其对基板进行处理；
存储部，其存储用于对上述基板进行处理的处理程序、和用于使上述处理程序的执行中断的中断程序；以及
控制部，其通过读出并执行上述处理程序而控制上述处理部，
上述控制部构成为，针对上述处理程序检查有无感染计算机病毒，在判定成感染了计算机病毒的情况下，读出并执行上述中断程序。
发明效果
根据本发明，能够提高基板处理的处理能力。
附图说明
图1是表示一个实施方式的基板处理装置的横截面的概略图。
图2是表示构成一个实施方式的基板处理装置的基板处理模块的概略结构图。
图3是表示构成一个实施方式的基板处理装置的控制器的框图。
图4是一个实施方式的基板处理工序的概要的流程图。
图5是至执行一个实施方式的中断程序为止的流程图。
图6是表示一个实施方式的中断程序的种类和处理工序的一个例子的说明图。
图7是表示判定成一个实施方式的处理程序感染了计算机病毒时的基板的处理状况、和相对应的中断程序的一个例子的说明图。
图8是表示判定成一个实施方式的处理程序感染了计算机病毒时的基板的处理状况、和有无向基板数据追记履历数据的一个例子的说明图。
附图标记说明
280…基板处理装置、260…控制器、270…基板处理单元、3200…处理程序、3300…中断程序、2603…存储部。
具体实施方式
＜一个实施方式＞
以下一边参照附图一边说明本发明的一个实施方式。
在以下的实施方式中举例的基板处理装置是在半导体器件的制造工序中所使用的基板处理装置，构成为对成为处理对象的基板进行规定处理。
作为成为处理对象的基板，例如能够列举组入了半导体集成电路器件(半导体器件)的半导体晶片基板(以下简称为“晶片”)。此外，在本说明书中，在使用“晶片”这一术语的情况下，存在表示“晶片其自身”的情况、和表示“晶片与形成在其表面上的规定的层和/或膜等的层叠体(集合体)”的情况(即包含形成于表面的规定的层和/或膜等在内而称为晶片的情况)。另外，在本说明书中，在使用“晶片的表面”这一术语的情况下，存在表示“晶片其自身的表面(露出面)”的情况、和表示“形成在晶片上的规定的层或膜等的表面、即作为层叠体的晶片的最外表面”的情况。在本说明书中使用“基板”这一术语的情况也是，与使用“晶片”这一术语的情况是同义的。
另外，作为对晶片进行的处理，具有例如搬送处理、加压(减压)处理、加热处理、成膜处理、氧化处理、扩散处理、用于离子注入后的载体活化和平坦化的回流(reflow)、退火等。
(1)基板处理装置的结构
首先，说明基板处理装置的结构例。
图1是表示本实施方式的基板处理装置的横截面的概略图。
基板处理装置280由对作为基板的晶片200进行处理的作为处理部的基板处理单元270、和对基板处理单元270进行控制的作为控制部的控制器260构成。
如图1所示，适用了本发明的基板处理装置280中的基板处理单元270对作为基板的晶片200进行处理，是具有多台基板处理模块2000a、2000b、2000c、2000d而构成的、所谓群集式的基板处理单元。更详细地说，群集式的基板处理单元270构成为具备IO载台2100、大气搬送室2200、加载互锁(L/L)室2300、真空搬送室2400、及多台基板处理模块2000a、2000b、2000c、2000d。由于各基板处理模块2000a、2000b、2000c、2000d为相同结构，所以在以下的说明中，将这些模块总称为基板处理模块2000。此外，在图中，关于前后左右，将X1方向设为右，将X2方向设为左，将Y1方向设为前，将Y2方向设为后。
在基板处理单元270的近前侧，设置有IO载台(装载口)2100。在IO载台2100上，搭载有多个被称为前开式晶片传送盒(FOUP：Front Open Unified Pod)的保存容器(以下简称为“晶片盒”)2001。晶片盒2001用作搬送晶片200的搬运器，构成为在其内部分别以水平姿势保存多枚未处理的晶片200或处理完毕的晶片200。
IO载台2100与大气搬送室2200相邻。在大气搬送室2200内，设置有移载晶片200的作为第1搬送机械手的大气搬送机械手2220。在大气搬送室2200中，在与IO载台2100不同的一侧，连结有加载互锁室2300。
加载互锁室2300的内部的压力与大气搬送室2200的压力和后述的真空搬送室2400的压力相匹配地变动，因而构成为可耐负压的构造。在加载互锁室2300中，在与大气搬送室2200不同的一侧，连结有真空搬送室(搬送模块：TM)2400。
TM2400作为成为在负压下搬送晶片200的搬送空间的搬送室而发挥功能。构成TM2400的壳体2410在俯视观察时形成为五边形，在五边形的各边中的、除去连结有加载互锁室2300的一边的各边上，连结有多台(例如4台)对晶片200进行处理的基板处理模块2000。在TM2400的大致中央部，设置有在负压下移载(搬送)晶片200的作为第2搬送机械手的真空搬送机械手2700。此外，在此，虽然对于真空搬送室2400示出了五边形的例子，但也可以为四边形或六边形等多边形。
设置在TM2400内的真空搬送机械手2700具有能够独立动作的两个臂2800、2900。真空搬送机械手2700由后述的控制器260控制。
在TM2400与各基板处理模块2000之间，设有闸阀(GV)1490。具体地说，在基板处理模块2000a与TM2400之间设有闸阀1490a，在基板处理模块2000b与TM2400之间设有GV1490b。在基板处理模块2000c与TM2400之间设有GV1490c，在基板处理模块2000d与TM2400之间设有GV1490d。通过各GV1490的打开，而TM2400内的真空搬送机械手2700能够经由设于各基板处理模块2000的基板搬入搬出口1480进行晶片200的取出搬入。
(2)基板处理模块的结构
接下来，说明基板处理单元270中的基板处理模块2000的结构例。
基板处理模块2000执行作为半导体器件的制造工序中的一道工序的基板处理工序，更详细地说作为针对晶片的处理而进行例如成膜处理。在此，作为进行成膜处理的基板处理模块2000，列举构成为枚叶式基板处理装置的基板处理模块为例。
图2是表示本实施方式的基板处理模块的概略结构图。
(处理容器)
如图2所示，基板处理模块2000具备处理容器202。处理容器202例如由铝(Al)、不锈钢(SUS)等金属材料或石英构成为横截面为圆形且扁平的密闭容器。另外，处理容器202具备上部容器202a和下部容器202b，在它们之间设有分隔部204。被比分隔部204靠上方的上部容器202a包围的空间作为对成为成膜处理的处理对象的晶片200进行处理的处理空间(也称为“处理室”)201而发挥功能。另一方面，被比分隔部204靠下方的空间的下部容器202b包围的空间作为用于移载晶片200的搬送空间(也称为“移载室”)203而发挥功能。为了作为移载室203而发挥功能，在下部容器202b的侧面，设有与闸阀1490相邻的基板搬入搬出口1480，经由该基板搬入搬出口1480而使晶片200在与外部(例如与移载室203相邻的TM2400)之间移动。在下部容器202b的底部，设有多个顶升销207。而且，下部容器202b接地。
(基板支承部)
在处理室201内，设有支承晶片200的基板支承部(承托器)210。承托器210具备具有载置晶片200的基板载置面211的基板载置台212。基板载置台212至少内置对基板载置面211上的晶片200的温度进行调整(加热或冷却)的加热器213a、213b。在加热器213a、213b上，单独连接有调整向各自供给的供给电力的温度调整部213c、213d。各温度调整部213c、213d遵照来自后述的控制器260的指示，各自被独立控制。由此，加热器213a、213b构成为，对于基板载置面211上的晶片200，能够实现按各区域不同地进行独立的温度调整的区域控制。另外，在基板载置台212上，供顶升销207贯穿的贯穿孔214分别设于与顶升销207相对应的位置。
基板载置台212通过轴217而被支承。轴217贯穿处理容器202的底部，而且在处理容器202的外部与升降机构218连接。并且，构成为通过使升降机构218工作，而能够使基板载置台212升降。轴217下端部的周围被波纹管219覆盖，将处理室201内保持为气密。
基板载置台212在搬送晶片200时，以基板载置面211成为基板搬入搬出口1480的位置(晶片搬送位置)的方式下降，在处理晶片200时，晶片200上升至处理室201内的处理位置(晶片处理位置)。具体地说，在使基板载置台212下降至晶片搬送位置时，顶升销207的上端部从基板载置面211的上表面突出，顶升销207从下方支承晶片200。另外，在使基板载置台212上升至晶片处理位置时，顶升销207从基板载置面211的上表面收回，基板载置面211从下方支承晶片200。此外，顶升销207由于与晶片200直接接触，所以期望由例如石英、氧化铝等材质形成。
(气体导入口)
在处理室201的上部，设有用于向处理室201内供给各种气体的气体导入口241。关于与气体导入口241连接的气体供给单元的结构将在后叙述。
在与气体导入口241连通的处理室201内，为了使从气体导入口241供给的气体分散而向处理室201内均等地扩散，期望配置具有分散板234b的喷头(缓冲室)234。
在分散板234b的支承部件231b上，连接有匹配器251和高频电源252，构成为能够供给电磁波(高频电力、微波)。由此，能够通过分散板234b，激发向处理室201内供给的气体而将其等离子体化。也就是说，分散板234b、支承部件231b、匹配器251及高频电源252将后述的第1处理气体及第2处理气体等离子体化，作为供给等离子体化后的气体的第1气体供给部(详情将在后叙述)的一部分及第2气体供给部(详情将在后叙述)的一部分而发挥功能。
(气体供给部)
在气体导入口241中，连接有共通气体供给管242。在共通气体供给管242上，连接有第1气体供给管243a、第2气体供给管244a、第3气体供给管245a。从包含第1气体供给管243a的第1气体供给部243主要供给第1处理气体(详情将在后叙述)，从包含第2气体供给管244a的第2气体供给部244主要供给第2处理气体(详情将在后叙述)。从包含第3气体供给管245a的第3气体供给部245主要供给吹扫气体。
(第1气体供给部)
在第1气体供给管243a上，从上游方向按顺序设有第1气体供给源243b、作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)243c、及作为开闭阀的阀243d。并且，从第1气体供给源243b，将含有第1元素的气体(第1处理气体)经由MFC243c、阀243d、第1气体供给管243a、共通气体供给管242向处理室201供给。
第1处理气体例如是含硅(Si)元素的气体。具体地说，使用二氯硅烷(SiH2CL2，dichlorosilane：DCS)气体、四乙氧基硅烷(Si(OC2H5)4，Tetraethoxysilane：TEOS)气体等。在以下的说明中，说明使用了DCS气体的例子。
在第1气体供给管243a的比阀243d靠下游侧的位置，连接有第1非活性气体供给管246a的下游端。在第1非活性气体供给管246a上，从上游方向按顺序，设有非活性气体供给源246b、MFC246c及阀246d。并且，从非活性气体供给源246b，经由MFC246c及阀246d，向第1气体供给管243a供给非活性气体。
非活性气体例如是氮气(N2)。此外，作为非活性气体，除了N2气体以外，还能够使用例如氩气(Ar)、氦气(He)、氖气(Ne)、氙气(Xe)等稀有气体。
主要通过第1气体供给管243a、MFC243c及阀243d，构成作为处理气体供给部之一的第1气体供给部(也称为含Si气体供给部)243。此外，也可以将第1气体供给源243b包含于第1气体供给部243来考虑。
另外，主要通过第1非活性气体供给管246a、MFC246c及阀246d，构成第1非活性气体供给部。此外，也可以将非活性气体供给源246b、第1气体供给管243a包含于第1非活性气体供给部来考虑。而且，还可以将第1非活性气体供给部包含于第1气体供给部243来考虑。
(第2气体供给部)
在第2气体供给管244a上，从上游方向按顺序，设有第2气体供给源244b、MFC244c及阀244d。并且，从第2气体供给源244b，经由MFC244c、阀244d、第2气体供给管244a、共通气体供给管242，向处理室201供给含有第2元素的气体(第2处理气体)。
第2处理气体含有与第1处理气体所含有的第1元素(例如Si)不同的第2元素(例如氮)，例如是含氮(N)气体。作为含N气体，例如使用氨气(NH3)。
在第2气体供给管244a的比阀244d靠下游侧的位置，连接有第2非活性气体供给管247a的下游端。在第2非活性气体供给管247a上，从上游方向按顺序，设有非活性气体供给源247b、MFC247c及阀247d。并且，从非活性气体供给源247b，经由MFC247c及阀247d向第2气体供给管244a供给非活性气体。
关于非活性气体，与第1非活性气体供给部的情况是同样的。
主要通过第2气体供给管244a、MFC244c及阀244d，构成作为处理气体供给部的另一个的第2气体供给部(也称为含氧气体供给部)244。此外，也可以将第2气体供给源244b包含于第2气体供给部244来考虑。
另外，主要通过第2非活性气体供给管247a、MFC247c及阀247d，构成第2非活性气体供给部。此外，也可以将非活性气体供给源247b、第2气体供给管244a包含于第2非活性气体供给部来考虑。而且，还可以将第2非活性气体供给部包含于第2气体供给部244来考虑。
(第3气体供给部)
在第3气体供给管245a上，从上游方向按顺序，设有第3气体供给源245b、MFC245c及阀245d。并且，从第3气体供给源245b，经由MFC245c、阀245d、第3气体供给管245a、共通气体供给管242向处理室201供给作为吹扫气体的非活性气体。
在此，非活性气体是例如N2气体。此外，作为非活性气体，除了N2气体以外，还能够使用例如Ar气体、He气体、Ne气体、Xe气体等稀有气体。
主要通过第3气体供给管245a、MFC245c及阀245d，构成作为非活性气体供给部的第3气体供给部(也称为吹扫气体供给部)245。此外，也可以将第3气体供给源245b包含于第3气体供给部245来考虑。
(排气部)
在处理室201(上部容器202a)的内壁上表面上，设有用于对处理室201内的气体环境进行排气的排气口221。在排气口221中，连接有作为第1排气管的排气管224。在排气管224上，串联连接有将处理室201内控制成规定压力的APC(Auto Pressure Controller，自动压力控制器)等压力调整器227、设于其前段或后段的作为排气调整部的排气调整阀228、和真空泵223。
压力调整器227及排气调整阀228构成为，在进行后述的基板处理工序时，同样地一边遵照基于后述的控制器260的控制，一边调整处理室201内的压力。更详细地说，构成为根据记载有基板处理的步骤、条件等的工艺配方(process recipe)，使压力调整器227及排气调整阀228中的阀(valve)的开度可变，而调整处理室201内的压力。
另外，在排气管224上，例如在压力调整器227的前段(即接近处理室201的一侧)，设有测定该排气管224内的压力的作为压力测定部的压力传感器229。此外，在此，虽然列举压力传感器229测定排气管224内的压力的情况为例，但压力传感器229也可以测定处理室201内的压力。也就是说，压力传感器229只要是测定处理室201和构成排气部的排气管224中的某一个内的压力的传感器即可。
主要通过排气口221、排气管224、压力调整器227、排气调整阀228构成排气部(排气管路)。此外，也可以将真空泵223、压力传感器229包含于排气部来考虑。
(3)控制器的结构
接下来说明基板处理装置280中的控制器260的结构例。
控制器260控制包含上述基板处理模块2000的基板处理单元270的处理动作。
图3是表示本实施方式的控制器的框图。
(硬件结构)
控制器260作为控制基板处理单元270的动作的控制部(控制机构)而发挥功能。为此，如图3所示，控制器260构成为具备CPU(Central Processing Unit，中央处理器)2601、RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)2602、存储装置2603、I/O端口2604的计算机。RAM2602、存储装置2603、I/O端口2604构成为能够经由内部总线2605与CPU2601进行数据交换。
存储装置2603由例如闪存、HDD(Hard Disk Drive，硬盘)等构成。在存储装置2603内，能够读出地保存有控制基板处理单元270的动作的控制程序、记载有基板处理的步骤和条件等的工艺配方、在各种处理的过程中生成的运算数据和处理数据等。工艺配方是以能够使控制器260执行基板处理的各步骤并得到规定结果的方式组合而成的，作为程序而发挥功能。也就是说，存储装置2603具有作为存储程序的程序存储部的功能。在以下的说明中，将控制程序和工艺配方等总称为“处理程序3200”。另外，在存储装置2603内，也能够读出地保存有详情将在后叙述的、用于使处理程序3200的执行中断的中断程序3300。另外，存储装置2603也具有作为存储后述的表数据的表存储部的功能。
RAM2602构成为暂时保持由CPU2601读出的程序、运算数据、处理数据等的存储区域(工作区域)。
I/O端口2604与闸阀1490、升降机构218、压力调整器227、排气调整阀228、真空泵223、压力传感器229、MFC243c、244c、245c、246c、247c、阀243d、244d、245d、246d、247d、温度调整部213c、213d、匹配器251、高频电源252、真空搬送机械手2700、大气搬送机械手2220等连接。
另外，控制器260构成为能够连接例如构成为触摸面板等的输入输出装置261和外部存储装置262。另外，控制器260构成为能够经由发送接收部285及网络269与主机装置500连接。而且，控制器260构成为能够经由发送接收部285及网络269与其他基板处理装置和/或外部记录介质等连接。此外，本发明中的连接既包含各部分以物理线缆(信号线)相连这一意思，也包含各部分的信号(电子数据)能够直接或间接发送/接收这一意思。
(程序)
保存在存储装置2603内的处理程序3200和中断程序3300等作为被作为运算部的CPU2601执行的程序而发挥功能。
作为运算部的CPU2601构成为从存储装置2603读出并执行程序。并且，CPU2601以遵照在所读出的程序中规定的内容的方式，进行闸阀1490的开闭动作、升降机构218的升降动作、温度调整部213c、213d的电力供给、匹配器251的电力匹配动作、高频电源252的接通断开控制、MFC243c、244c、245c、246c、247c的动作控制、阀243d、244d、245d、246d、247d对气体的开关控制、压力调整器227的阀开度调整、排气调整阀228的阀开度调整、真空泵的开关控制、真空搬送机械手2700的动作控制、大气搬送机械手2220的动作控制等。
此外，如上述那样，控制器260构成为能够经由发送接收部285及网络269与其他基板处理装置和/或外部记录介质等连接。因此，保存于存储装置2603的处理程序3200有可能从其他基板处理装置或外部记录介质等经由网络269而感染计算机病毒(以下存在简称为“病毒”的情况)。因此，使用防病毒软件，使CPU2601作为病毒检查及判定部3100而发挥功能，检查并判定处理程序3200是否感染了病毒。
此外，控制器260并不限于构成为专用计算机的情况，也可以构成为通用计算机。例如，准备保存有上述程序的外部存储装置(例如磁带、软盘、硬盘等磁盘、CD、DVD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器、存储卡等半导体存储器)262，并使用所述外部存储装置262将程序安装于通用计算机，能够借助此等构成本实施方式的控制器260。但是，用于向计算机供给程序的手段并不限于经由外部存储装置262供给的情况。例如，也可以使用其他通信手段而不经由外部存储装置262地供给程序。此外，存储装置2603和外部存储装置262构成为计算机可读的记录介质。以下，也将其总括地简称为记录介质。此外，在本说明书中，在使用记录介质这一术语的情况下，存在仅包含存储装置2603单方的情况、仅包含外部存储装置262单方的情况、或包含这两方的情况。
(4)基板处理工序的基本步骤
接下来，作为半导体器件(semiconductor device)的制造工序的一个工序，列举在晶片200上形成规定膜的基板处理工序为例，说明其概要。此外，在此作为规定膜，列举对例如作为氮化膜的氮化硅膜(SiN膜)进行成膜的情况为例。以下说明的基板处理工序在上述基板处理装置100中的基板处理单元270中进行。另外，在以下的说明中，各部分的动作由控制器260控制。
图4是本实施方式的基板处理工序的概要的流程图。
(基板搬入及加热工序：S101)
在基板处理时，首先，在基板搬入及加热工序(S101)中，从IO载台2100上的晶片盒2001取出未处理的晶片200，并且将该晶片200向基板处理模块2000搬入。在存在多个基板处理模块2000的情况下，以规定顺序进行向各个基板处理模块2000的搬入。晶片200的取出使用大气搬送室2200内的大气搬送机械手2220来进行。另外，晶片200的搬入使用TM2400内的真空搬送机械手2700来进行。并且，在搬入晶片200后，使真空搬送机械手2700退避，关闭闸阀1490而将基板处理模块2000的处理容器202内密闭。然后，使基板载置台212上升，使基板载置面211上的晶片200位于晶片处理位置。在该状态下，以处理室201内成为规定压力的方式控制排气部(排气系统)，并且以晶片200的表面温度成为规定温度的方式控制加热器213a、213b。
(基板处理工序：S102)
在位于晶片处理位置的晶片200成为规定温度后，接着进行基板处理工序(S102)。在基板处理工序(S102)中，在将晶片200加热到规定温度的状态下，控制第1气体供给部243将第1处理气体向处理室201供给，并且控制排气部对处理室201进行排气，对晶片200进行处理。此外，此时，也可以控制第2气体供给部244，使第2处理气体与第1处理气体同时存在于处理空间而进行CVD处理，或交替地供给第1处理气体和第2处理气体而进行循环处理。另外，在使第2处理气体成为等离子体状态进行处理的情况下，也可以通过向分散板234b供给高频电力，而在处理室201内生成等离子体。
作为膜处理方法的一个具体例即循环处理，可以想到如下方法。例如，能够列举作为第1处理气体而使用DCS气体、作为第2处理气体而使用NH3气体的情况。在该情况下，在第1工序中将DCS气体向晶片200供给，在第2工序中将NH3气体向晶片200供给。在第1工序与第2工序之间，作为吹扫工序而供给N2气体，并且对处理室201的气体环境进行排气。通过进行循环处理，即多次进行该第1工序、吹扫工序、第2工序，而在晶片200上形成氮化硅(SiN)膜。
(基板搬入搬出工序：S103)
在对晶片200实施了规定处理后，在基板搬入搬出工序(S103)中，从基板处理模块2000的处理容器202内搬出处理完毕的晶片200。处理完毕的晶片200的搬出使用例如TM2400内的真空搬送机械手2700的臂2900来进行。
此时，例如在真空搬送机械手2700的臂2800上保持有未处理的晶片200的情况下，由真空搬送机械手2700进行该未处理的晶片200向处理容器202内的搬入。并且，对处理容器202内的晶片200进行基板处理工序(S102)。此外，在臂2800上没有保持未处理的晶片200的情况下，仅进行处理完毕的晶片200的搬出。
当真空搬送机械手2700进行晶片200的搬出后，然后再将所搬出的处理完毕的晶片200收纳于IO载台2100上的晶片盒2001内。晶片200向晶片盒2001的收纳使用大气搬送室2200内的大气搬送机械手2220来进行。
(判定工序：S104)
在基板处理装置100中，反复进行基板处理工序(S102)及基板搬入搬出工序(S103)直至不再有未处理的晶片200。并且，当不再有未处理的晶片200时，结束上述一系列的处理(S101～S104)。
(5)至执行中断程序为止的步骤
上述一系列的处理由控制器260控制。但是，保存于存储装置2603的处理程序3200有可能从其他基板处理装置、外部记录介质等经由网络269感染病毒。继续执行感染了病毒的处理程序3200会使基板处理装置280在异常状态下运转，而浪费晶片200等。其结果为，会招致基板处理的处理能力降低。因此，在处理程序3200感染了病毒的情况下，通过使中断程序3300的执行开始，使处理程序3200的执行中断，而使晶片200等的浪费减少。其结果为，能够实现提高基板处理的处理能力。此外，“异常状态”是指非正常的状态。具体地说，例如是指处理室201内成为超过设想温度的高温的情况。另外，例如是指处理室201内的压力成为大气压以上的情况。
图5是至执行本实施方式的中断程序3300为止的流程图。
(处理程序的病毒检查工序：S310)
在处理程序的病毒检查工序(S310)中，针对保存于存储装置2603的处理程序3200检查有无病毒感染。在此，“针对处理程序3200检查有无病毒感染”是指检查处理程序3200是否被带有恶意的第三者重写成了不正当信息。具体地说，CPU2601按规定时间(例如1秒)执行安装于存储装置2603的未图示的病毒检测软件。由此，CPU2601作为病毒检查及判定部3100而发挥功能，检查是否从处理程序3200检测出了病毒。此外，在存储装置2603中，保存有多个处理程序3200，在本病毒检查工序(S310)中，对所有的处理程序3200进行病毒检查。另外，病毒检测软件能够使用普通的公知的病毒检测软件。
(病毒感染判定工序：S320)
在病毒感染判定工序(S320)中，判定处理程序3200是否感染了病毒。具体地说，在处理程序的病毒检查工序(S310)中检测出病毒的情况下，病毒检查及判定部3100判定成处理程序3200感染了病毒。另外，在没有检测出病毒的情况下，判定成处理程序3200没有感染病毒。在判定成感染了病毒的情况下，进入基板的处理状况读出工序(S330)。另外，在判定成没有感染病毒的情况下，返回到处理程序的病毒检查工序(S310)，再次进行病毒检查工序(S310)。
(基板的处理状况读出工序：S330)
在基板的处理状况读出工序(S330)中，识别判定成处理程序3200感染了病毒时的晶片200的处理状况。在此，“晶片200的处理状况”是指处理晶片200的工序的情况，也包含上述的基板处理工序的执行前、执行中、执行后的某一个工序。具体地说，在病毒感染判定工序(S320)中判定成处理程序3200感染了病毒的情况下，CPU2601通过读出写入到RAM2602中的与晶片200的处理状况相关的信息(例如对基板处理装置280的运转状态进行确定的标志信息)，而识别判定时的晶片200的处理状况。而且，在基板处理工序的执行中，通过读出是否在基板搬入及加热工序(S101)、基板处理工序(S102)、基板搬入搬出工序(S103)等的某一个工序中进行了针对晶片200的处理，而更细致地识别晶片200的处理状况。
(中断程序读出工序：S340)
在中断程序读出工序(S340)中，从存储装置2603读出与所读出的晶片200的处理状况相对应的中断程序3300。在此，“与晶片200的处理状况相对应的中断程序”是指预先按晶片200的每个处理状况相对应地规定的中断程序。具体地说，在读出晶片200的处理状况后，CPU2601参照存储于存储装置2603的、晶片200的处理状况与中断程序3300的对应表(未图示)，读出相对应的中断程序3300。在此，在存储装置2603中，保存有多种中断程序3300，读出多种中断程序3300中的、与晶片200的处理状况相对应的中断程序3300。针对与晶片200的处理状况相对应的中断程序3300的读出的详情将在后叙述。
(中断程序的改变检查工序：S350)
在中断程序的改变检查工序(S350)中，检查所读出的中断程序3300是否被改变。在此，中断程序的“改变”是指所读出的中断程序3300的大小容量(文件大小)被变更。具体地说，通过对所读出的中断程序3300的文件大小、和预先存储于存储装置2603的与所读出的中断程序3300相对应的文件大小进行对比，检查中断程序是否被改变。作为步骤，首先CPU2601检查所读出的中断程序3300的文件大小。接着，参照预先存储于存储装置2603的、中断程序3300的种类与对应中断程序3300的种类的文件大小的对应表(未图示)，读出与所读出的中断程序3300相对应的文件大小。并且，对于所读出的中断程序3300，对文件大小的检查结果和存储于对应表的文件大小进行对比，检查它们是否一致。
(改变判定工序：S360)
在改变判定工序(S360)中，判定所读出的中断程序是否被改变。具体地说，在中断程序的改变检查工序(S350)中中断程序3300的文件大小的检查结果与存储于对应表的文件大小一致的情况下，判定成中断程序3300没有被改变。另外，在两者不一致的情况下，判定成中断程序3300被改变。在判定成中断程序3300没有被改变的情况下，进入中断程序执行工序(S370)。关于中断程序3300的详情将在后叙述。在判定成中断程序3300被改变的情况下，进入其他程序执行工序(S380)。关于其他程序的详情将在后叙述。
进行上述一系列的处理(S310～S360)，结束至执行中断程序为止的步骤。
(6)中断程序执行工序(S370)
接下来，使用图6、7来说明在改变判定工序(S360)中判定成中断程序3300没有被改变的情况下所执行的中断程序执行工序(S370)。
若继续执行感染了病毒的处理程序3200，则例如处理室201内会成为超过了设想温度的高温状态，而有可能成为使处理室201内损伤、另外使基板处理装置280发生故障的原因。其结果为，有可能给基板处理装置280的安全性造成坏影响。另外，若继续执行感染了病毒的处理程序3200，则例如会无法正常地进行针对晶片200的处理，进行了这样的处理的晶片200有时会被废弃。其结果为，有可能会对基板处理的处理能力造成坏影响。
为了避免这些问题，需要通过执行中断程序3300而使感染了病毒的处理程序3200的执行停止。而且，需要通过代替处理程序3200而执行中断程序3300，使基板处理装置280的运转正常停止。
此时，对于使基板处理装置280的运转正常停止，不是使基板处理装置280的运转紧急停止，而是需要执行与判定成处理程序3200感染了病毒时的晶片200的处理状况相应的步骤。例如，若判定成处理程序3200感染了病毒时的晶片200的处理状况为基板搬入工序前，则例如在使加热器213a、213b停止并回收了晶片200后，使基板处理装置280的运转停止。与此相对，在判定成处理程序3200感染了病毒时的晶片200的处理状况为基板搬入工序后的情况下，至少需要在进一步执行将处理室201内的晶片200向处理室201外搬出的步骤后，使基板处理装置280的运转停止。这是因为若在使晶片200残存于处理室201内的状态下使基板处理装置280的运转停止，则可能成为使基板处理装置280重新运转时的阻碍。
像这样，中断程序3300通过使感染了病毒的处理程序3200的执行停止、且在执行了与晶片200的处理状况相应的步骤后再使基板处理装置280的运转停止，而能够使基板处理装置280正常地重新运转。
考虑以上情况，在存储装置2603中，例如如图6所示那样保存有六种中断程序3300。例如程序No.1～程序No.6这六种。这些中断程序3300由各自不同的步骤构成，能够根据晶片200的处理状况而恰当地应对。即，遵照中断程序3300决定处理程序3200的执行停止后的动作(步骤)。另外，在存储装置2603中，保存有将判定成处理程序3200感染了病毒时的晶片200的处理状况与根据处理状况执行的中断程序3300建立对应而成的对应表(未图示)。CPU2601在判定成处理程序3200感染了病毒后，参照该对应表，选择相对应的中断程序3300，读出并执行。
以下，具体地说明与判定成处理程序3200感染了病毒时的晶片200的处理状况相应地执行的中断程序3300。
在判定成处理程序3200感染了病毒时的晶片200的处理状况为上述的基板处理工序的执行前时，执行程序No.1的中断程序。程序No.1的中断程序3300由HOLD(Step1)、基板回收(Step2)这两个步骤构成(参照图6、7)。在此，“HOLD”是指至少停止加热器213a、213b的运转。以下，只要不重新定义，则“HOLD”为该意思。像这样，在判定成处理程序3200感染了病毒后，立即使加热器213a、213b的运转停止，并回收晶片200，由此能够将对晶片200执行感染了病毒的处理程序3200的情况防止于未然。由此，能够使施加于基板处理装置280和晶片200的损害为最小限度。另外，能够使基板处理装置280正常地重新运转。
在判定成处理程序3200感染了病毒时的晶片200的处理状况为基板处理工序的基板搬入及加热工序(S101)的前半工序、即基板搬入工序的执行中时，执行程序No.2的中断程序。程序No.2的中断程序3300由基板搬出(Step1)、HOLD(Step2)、基板回收(Step3)这三个步骤构成(参照图6、7)。像这样，在判定成处理程序3200感染了病毒后，立即将晶片200向处理室201外搬出，由此能够将对晶片200执行感染了病毒的处理程序3200的情况防止于未然。然后，使加热器213a、213b的运转停止(Step2)，回收晶片200(Step3)。由此，能够使施加于基板处理装置280和晶片200的损害为最小限度。另外，能够使基板处理装置280正常地重新运转。
在判定成处理程序3200感染了病毒时的晶片200的处理状况为基板处理工序的基板搬入及加热工序(S101)的后半工序、即加热工序的执行中时，执行程序No.3的中断程序3300。程序No.3的中断程序3300由吹扫(Step1)、基板搬出(Step2)、HOLD(Step3)、基板回收(Step4)这四个步骤构成(参照图6、7)。在加热工序中，处理室201内成为高温状态。因此，在判定成处理程序3200感染了病毒后，首先执行吹扫工序，由此对处理室201进行真空排气，降低处理室201内的压力、温度(Step1)。并且，在晶片200成为可搬出的温度后，将其向处理室201外搬出(Step2)。由此，能够防止因急剧的温度变化导致的晶片200的变形等。然后，使加热器213a、213b的运转停止(Step3)，回收晶片200(Step4)。由此，能够使施加于基板处理装置280和晶片200的损害为最小限度。另外，能够使基板处理装置280正常地重新运转。
在判定成处理程序3200感染了病毒时的晶片200的处理状况为基板处理工序(S102)的前半工序、即处理气体供给工序的执行中时，执行程序No.4的中断程序3300。程序No.4的中断程序由气体供给停止(Step1)、吹扫(Step2)、基板搬出(Step3)、HOLD(Step4)、基板回收(Step5)这五个步骤构成(参照图6、7)。像这样，在判定成处理程序3200感染了病毒后，立即停止处理气体的供给(Step1)。由此，能够避免对晶片200继续执行感染了病毒的处理程序3200。然后，与程序No.3的中断程序3300同样地，执行吹扫(Step2)、基板搬出(Step3)、HOLD(Step4)、基板回收(Step5)的步骤。由此，能够使施加于基板处理装置280和晶片200的损害为最小限度。另外，能够使基板处理装置280正常地重新运转。
在判定成处理程序3200感染了病毒时的晶片200的处理状况为基板处理工序(S102)的后半工序、即吹扫工序的执行中时，执行程序No.5的中断程序3300。程序No.5的中断程序由吹扫(Step1)、基板搬出(Step2)、HOLD(Step3)、基板回收(Step4)这四个步骤构成(参照图6、7)。像这样，在判定成处理程序3200感染了病毒的情况下，继续执行吹扫工序，对处理室201进行真空排气(Step1)。由此，能够使处理室201内的压力返回到正常的状态。然后，执行基板搬出(Step2)、HOLD(Step3)、基板回收(Step4)的步骤。由此，能够使施加于基板处理装置280和晶片200的损害为最小限度。另外，能够使基板处理装置280正常地重新运转。
在判定成处理程序3200感染了病毒时的晶片200的处理状况为基板搬入搬出工序(S103)的执行中时，执行程序No.6的中断程序3300。程序No.6的中断程序由基板搬出(Step1)、HOLD(Step2)、基板回收(Step3)这三个步骤构成(参照图6、7)。像这样，在判定成处理程序3200感染了病毒的情况下，继续进行搬出工序，将晶片200向处理室201外搬出(Step1)。由此，能够避免对晶片200进一步执行感染了病毒的处理程序3200。然后，执行HOLD(Step2)、基板回收(Step3)的步骤。由此，能够使施加于基板处理装置280和晶片200的损害为最小限度。另外，能够使基板处理装置280正常地重新运转。
如以上那样，在执行中断程序3300后，处理室201内成为既没有处理气体也没有晶片200的清空的状态。由此，在病毒被消灭而使基板处理装置280重新运转时，由于处理气体和晶片200均没有残存于处理室201内，所以能够立刻使针对晶片200的处理开始。
在使基板处理装置280重新运转而使针对晶片200的处理再次开始时，存在能够对通过中断程序3300的执行而回收的晶片200进行再次利用的情况。例如晶片200在加热前被回收的情况下，能够再次利用。
因此，优选的是，对通过执行中断程序3300而处理中断的晶片200的基板数据追记晶片200的履历数据。在此，“晶片200的履历数据”是指与对晶片200进行的处理相关的数据。具体地说，例如是指在执行中断程序3300时表示已经进行了针对晶片200的加热处理这一情况的数据。通过对基板数据追记履历数据，而能够将其作为是否能够再次利用该晶片200的判断材料之一。
以下说明有无追记晶片200的履历数据。
如图8所示，由于在执行基板搬入工序(S101)前执行了中断程序3300的晶片200是在加热处理前被回收的，所以没有追记晶片200的履历数据(参照Step1)。
另外，在基板处理工序的基板搬入及加热工序(S101)的前半工序、即搬入工序的执行中被执行了中断程序3300的晶片200被分成以下两种情况。即，在执行中断程序3300时晶片200被载置于基板载置台212的情况下，追记晶片200的履历数据。与此相对，在执行中断程序3300时晶片200没有被载置于基板载置台212的情况下，不追记晶片200的履历数据。这是因为由于基板载置台212被升温到处理温度，所以在晶片200被载置于基板载置台212的时间点会进行加热处理。此外，在图8的Step2中，为方便起见，示出追记了晶片200的履历数据的例子。
另外，由于在基板处理工序的基板搬入及加热工序(S101)的后半工序、即加热工序的执行中被执行了中断程序3300的晶片200是在进行了加热处理后被回收的，所以追记晶片200的履历数据(参照Step3)。对于在基板处理工序(S102)的前半工序、即处理气体供给工序的执行中被执行了中断程序3300的晶片200也是同样的(参照Step4)。
另外，由于在基板处理工序(S102)的后半工序、即吹扫工序(Step5)的执行中被执行了中断程序3300的晶片200既已结束成膜处理，不需要追记履历数据，所以没有追记(参照Step5)。对于在基板搬入搬出工序(S103)的执行中被执行了中断程序3300的晶片200也是同样的(参照Step6)。
(7)其他程序执行工序(S380)
接下来，说明在图5所示的改变判定工序(S360)中判定成中断程序3300被改变的情况下所执行的其他程序执行工序(S380)。
“其他程序”是指被改变的中断程序3300的备份程序。或者，是指多种中断程序3300中的、能够替代被改变的中断程序3300的程序。
被改变的中断程序3300的备份程序是指预先备份于规定的存储装置的、再现改变前的中断程序3300的中断程序3300。此外，作为“规定的存储装置”，除了存储装置2603以外，只要CPU2601能够访问，则能够使用任何存储介质。另外，能够替代被改变的中断程序3300的程序是指例如由与被改变的中断程序3300相比施加于基板处理装置280和晶片200的损害少的步骤构成的中断程序3300。例如，在程序No.3的中断程序3300被改变的情况下，作为能够替代的程序，能够使用程序No.4的中断程序3300。
通过执行备份程序或能够替代的程序，即使在要执行的中断程序3300被改变的情况下，也能够使感染了病毒的处理程序3200的执行停止。另外，通过使基板处理装置280的运转安全地停止，而能够使基板处理装置280正常地重新运转。
(8)本实施方式的效果
根据本实施方式，起到以下所示的一个或多个效果。
(a)在本实施方式中，控制器260针对处理程序3200检查有无感染计算机病毒，在判定成感染了计算机病毒的情况下，读出并执行中断程序3300。像这样，由于中断程序3300使感染了病毒的处理程序3200的执行中断，所以能够防止使基板处理装置280在异常状态下运转，能够避免晶片200的浪费。其结果为，能够实现提高基板处理的处理能力。
(b)在本实施方式中，控制器260构成为，遵照中断程序3300决定处理程序3200的执行停止后的动作。像这样，在处理程序3200感染了病毒的情况下，不是使基板处理装置280的运转紧急停止，而是与晶片200的处理状况相应地执行预先建立了对应的中断程序3300。通过执行与晶片200的处理状况相应的步骤，而使基板处理装置280的运转正常停止。因此，能够使施加于基板处理装置280和晶片200的损害为最小限度，从而能够实现基板处理装置280的安全性的确保和基板处理的处理能力的提高。
(c)在本实施方式中，在判定成执行中的处理程序3200感染了计算机病毒的情况下，代替执行中的处理程序3200而执行中断程序3300。像这样，由于是将感染了病毒的处理程序3200立即切换成中断程序3300，所以能够使施加于基板处理装置280和晶片200的损害为最小限度。
(d)在本实施方式中，在存储装置2603中存储有多种中断程序3300。控制器260从这些中断程序3300选择与晶片200的处理状况相应的中断程序3300，读出并执行。因此，控制器260能够从多种中断程序3300中选择并执行最适于使施加于基板处理装置280和晶片200的损害为最小限度的中断程序3300。另外，通过选择并执行最适合的中断程序3300，而能够缩短使基板处理装置280返回到正常状态的时间。
(e)在本实施方式中，由于控制器260在从存储装置2603读出中断程序3300时，会检查中断程序3300的改变情况，所以能够避免执行例如有感染了计算机病毒的隐患的中断程序3300。
(f)在本实施方式中，控制器260在检测出中断程序3300的改变的情况下，读出并执行被改变的中断程序3300的备份程序。或者，读出并执行能够替代被改变的上述中断程序的程序。因此，即使在要执行的中断程序3300被改变的情况下，通过执行备份程序或能够替代的程序，而能够使感染了病毒的处理程序3200的执行停止。另外，通过使基板处理装置280的运转安全停止，而能够使基板处理装置280正常地重新运转。
(g)在本实施方式中，控制器260对通过中断程序3300中断了处理的晶片200，追记晶片200的履历数据。像这样，通过追记晶片200的履历数据，而能够将其作为判别可再次利用的晶片200时的判断材料之一。其结果为，能够减少晶片200的废弃，从而能够实现提高基板处理的处理能力。
＜其他实施方式＞
以上具体地说明了本发明的一个实施方式，但本发明并不限定于上述实施方式，能够在不脱离其要旨的范围内进行各种变更。
例如，作为检查中断程序3300的改变的方法，列举检查文件大小的方法为例进行了说明，但本发明并不限定于此。例如，也能够通过使用了主题标签(hashtag)的公知方法进行检查。
另外，在上述实施方式中，在使加热器213a、213b停止的步骤中，也可以构成为不完全停止而是维持与基板处理装置的空闲状态时的加热器213a、213b的温度相同程度的温度。通过这样构成，而能够抑制基板处理装置完全冷却。另外，能够缩短加热时间，从而能够减少从基板处理装置的停止到恢复为止的停机时间。
另外，在上述实施方式中，虽然说明了交替地供给第1处理气体和第2处理气体而成膜的方法，但也能够适用于其他方法。例如，可以为不是使用两种气体、而是使用一种气体的处理，也可以为使用三种以上气体的处理。
另外，在上述实施方式中，虽然示出了作为原料气体而使用含硅气体即DCS气体、作为反应气体而使用含氮气体即NH3气体来在晶片面上形成SiN膜的例子，但也能够适用于使用其他气体的成膜。具有例如含氧膜、含氮膜、含碳膜、含硼膜、含金属膜和含有多种这些元素的膜等。此外，作为这些膜，具有例如AlO膜、ZrO膜、HfO膜、HfAlO膜、ZrAlO膜、SiC膜、SiCN膜、SiBN膜、TiN膜、TiC膜、TiAlC膜等。
另外，在上述实施方式中，虽然作为在基板处理工序中进行的处理而列举了成膜处理为例，但本发明并不限定于此。即，本发明也能够适用于在上述实施方式中举例的成膜处理以外的处理。例如，具有使用了等离子体的扩散处理、氧化处理、氮化处理、氮氧化处理、还原处理、氧化还原处理、蚀刻处理、加热处理等。而且，例如在仅使用反应气体对基板表面或形成于基板的膜进行等离子体氧化处理或等离子体氮化处理时，也能够适用本发明。另外，也能够适用于仅使用了反应气体的等离子体退火处理。也可以将这些处理作为第1处理，然后进行上述第2处理。
另外，在上述实施方式中，示出了进行基板处理的基板处理模块2000构成为枚叶式基板处理装置的情况，即在一个处理室201中处理一枚晶片200的装置结构，但并不限于此，也可以为将多枚基板沿水平方向或垂直方向排列的装置。
另外，例如在上述实施方式中说明了半导体器件的制造工序，但本发明也能够适用于半导体器件的制造工序以外。例如，具有液晶器件的制造工序、太阳能电池的制造工序、发光器件的制造工序、玻璃基板的处理工序、陶瓷基板的处理工序、导电性基板的处理工序等基板处理。
＜本发明的优选方案＞
以下附记本发明的优选方案。
[附记1]
根据本发明的一个方案，提供一种基板处理装置，具备：
处理部，其对基板进行处理；
存储部，其存储用于对上述基板进行处理的处理程序、和用于使上述处理程序的执行中断的中断程序；以及
控制部，其通过读出并执行上述处理程序而控制上述处理部，
上述控制部构成为，针对上述处理程序检查有无感染计算机病毒，在判定成感染了计算机病毒的情况下，读出并执行上述中断程序。
[附记2]
提供附记1所记载的基板处理装置，优选的是，
上述控制部构成为遵照上述中断程序决定上述处理程序的执行停止后的动作。
[附记3]
提供附记1或2所记载的基板处理装置，优选的是，
上述控制部构成为，在针对执行中的上述处理程序判定成感染了上述计算机病毒的情况下，代替执行中的上述处理程序而执行上述中断程序。
[附记4]
提供附记1到3中任一项所记载的基板处理装置，优选的是，
上述存储部构成为能够存储多种上述中断程序。
[附记5]
提供附记4所记载的基板处理装置，优选的是，
上述控制部构成为，从多种上述中断程序选择与上述基板的处理状况相应的上述中断程序，从上述存储部读出并执行。
[附记6]
提供附记1到5中任一项所记载的基板处理装置，优选的是，
上述控制部构成为，在从上述存储部读出上述中断程序时，检查上述中断程序的改变。
[附记7]
提供附记6所记载的基板处理装置，优选的是，
上述控制部构成为，在检测出上述中断程序的改变的情况下，读出并执行被改变的上述中断程序的备份程序。
[附记8]
提供附记6所记载的基板处理装置，优选的是，
上述控制部构成为，在检测出上述中断程序的改变的情况下，读出并执行多种上述中断程序中的、能够替代被改变的上述中断程序的程序。
[附记9]
提供附记1到8中任一项所记载的基板处理装置，优选的是，
上述控制部构成为，对通过上述中断程序中断了上述基板的处理的上述基板，追记上述基板的履历数据。
[附记10]
根据本发明的一个其他方案，提供半导体器件的制造方法，具有：
通过执行存储于存储部的处理程序而对基板进行处理的工序；
针对上述处理程序检查有无感染计算机病毒并判定有无感染的工序；和
在判定成感染了计算机病毒的情况下执行存储于上述存储部的、使上述处理程序中断的中断程序的工序。
[附记11]
根据本发明的另一其他方案，提供一种程序，所述程序通过计算机使基板处理装置执行如下步骤：
通过执行存储于存储部的处理程序而对基板进行处理的步骤；
针对上述处理程序检查有无感染计算机病毒并判定有无感染的步骤；和
在判定成感染了计算机病毒的情况下执行存储于上述存储部的、使上述处理程序中断的中断程序的步骤。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
处理部，其对基板进行处理；
存储部，其存储用于对所述基板进行处理的处理程序、和用于使所述处理程序的执行中断的至少一个中断程序；以及
控制部，其通过读出并执行所述处理程序而控制所述处理部，
所述控制部构成为，针对所述处理程序检查有无感染计算机病毒，在判定成感染了计算机病毒的情况下，读出并执行所述中断程序。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为，遵照所述中断程序决定所述处理程序的执行停止后的动作。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为，在针对执行中的所述处理程序判定成感染了所述计算机病毒的情况下，代替执行中的所述处理程序而执行所述中断程序。
4.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为，在针对执行中的所述处理程序判定成感染了所述计算机病毒的情况下，代替执行中的所述处理程序而执行所述中断程序。
5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述存储部构成为能够存储多种所述中断程序。
6.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述存储部构成为能够存储多种所述中断程序。
7.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为，从多种所述中断程序选择与所述基板的处理状况相应的所述中断程序，从所述存储部读出并执行。
8.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为，从多种所述中断程序选择与所述基板的处理状况相应的所述中断程序，从所述存储部读出并执行。
9.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为，在从所述存储部读出所述中断程序时，检查所述中断程序的改变。
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为，在检测出所述中断程序的改变的情况下，读出并执行被改变的所述中断程序的备份程序。
11.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为，在检测出所述中断程序的改变的情况下，读出并执行多种所述中断程序中的、能够替代被改变的所述中断程序的程序。
12.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部构成为，对通过所述中断程序中断了所述基板的处理的所述基板，追记所述基板的履历数据。
13.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
(a)工序，通过执行存储于存储部的处理程序而对基板进行处理；
(b)工序，针对所述处理程序检查有无感染计算机病毒并判定有无感染；和
(c)工序，在判定成感染了计算机病毒的情况下执行存储于所述存储部的、使所述处理程序中断的至少一个中断程序。
14.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
在所述(b)工序中针对执行中的所述处理程序判定成感染了所述计算机病毒的情况下，
在所述(c)工序中代替执行中的所述处理程序而执行所述中断程序。
15.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
所述至少一个中断程序包括多种中断程序，
在所述(c)工序中，从所述多种中断程序选择与所述基板的处理状况相应的所述中断程序，从所述记录部读出并执行。
16.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
在所述(c)工序中，具有在从所述存储部读出所述中断程序时检查所述中断程序的改变的工序。
17.如权利要求16所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
具有在检测出所述中断程序的改变的情况下，读出并执行被改变的所述中断程序的备份程序的工序。
18.如权利要求16所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
所述至少一个中断程序包括多种中断程序，
具有在检测出所述中断程序的改变的情况下，读出并执行多种所述中断程序中的、能够替代被改变的所述中断程序的程序的工序。
19.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
具有对通过所述中断程序中断了所述基板的处理的所述基板追记所述基板的履历数据的工序。
20.一种记录介质，记录有程序且为计算机可读的记录介质，其特征在于，所述程序通过计算机使基板处理装置执行以下步骤：
通过执行存储于存储部的处理程序而对基板进行处理的步骤；
针对所述处理程序检查有无感染计算机病毒并判定有无感染的步骤；和
在判定成感染了计算机病毒的情况下执行存储于所述存储部的、使所述处理程序中断的至少一个中断程序的步骤。
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