TW202018815A - 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體 - Google Patents

基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體 Download PDF

Info

Publication number
TW202018815A
TW202018815A TW108109590A TW108109590A TW202018815A TW 202018815 A TW202018815 A TW 202018815A TW 108109590 A TW108109590 A TW 108109590A TW 108109590 A TW108109590 A TW 108109590A TW 202018815 A TW202018815 A TW 202018815A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
control unit
substrate processing
processing apparatus
control
substrate
Prior art date
Application number
TW108109590A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI724388B (zh
Inventor
水口靖裕
松井俊
Original Assignee
日商國際電氣股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商國際電氣股份有限公司 filed Critical 日商國際電氣股份有限公司
Publication of TW202018815A publication Critical patent/TW202018815A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI724388B publication Critical patent/TWI724388B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32926—Software, data control or modelling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/41865—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by job scheduling, process planning, material flow
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/41875—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by quality surveillance of production
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B23/00—Testing or monitoring of control systems or parts thereof
    • G05B23/02—Electric testing or monitoring
    • G05B23/0205—Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults
    • G05B23/0259—Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults characterized by the response to fault detection
    • G05B23/0286—Modifications to the monitored process, e.g. stopping operation or adapting control
    • G05B23/0294—Optimizing process, e.g. process efficiency, product quality
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/45—Nc applications
    • G05B2219/45031—Manufacturing semiconductor wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

本發明之課題在於提升各基板之處理均勻性。

本發明之解決手段之技術，係具有根據程式對基板進行處理的處理執行部；對程式進行處理之第1控制部；根據由第1控制部所接收之資料，控制處理執行部之第2控制部；第1控制部係構成為進行設於其他基板處理裝置之第1控制部之作動資料的判定，在判定了於其他基板處理裝置之第1控制部發生了不良情況時，可實行設於其他基板處理裝置之第1控制部的代替控制。

Description

基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體
本發明係關於基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體。
作為半導體裝置之製造步驟中所使用的基板處理裝置之一態樣，例如為具備具有反應器之模組的裝置。於此種基板處理裝置中，將裝置作動資訊等顯示於由顯示器等所構成之輸出輸入裝置，裝置管理者可進行確認(例如參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2017-103356號公報
本發明係提供一種對於基板處理裝置實現效率良好之管理的技術。
根據一態樣，提供一種技術，係具有根據程式對基板進行處理的處理執行部；對程式進行處理之第1控制部；根據由第1控制部所接收之資料，控制處理執行部之第2控制部；第1控制 部係構成為進行設於其他基板處理裝置之第1控制部之作動資料的判定，在判定了於其他基板處理裝置之第1控制部發生了不良情況時，可實行設於其他基板處理裝置之第1控制部的代替控制。
根據本發明，可對基板處理裝置進行效率良好的管理。
100、100a、100b、100c、100d‧‧‧基板處理裝置
113‧‧‧第1氣體供給源
113a‧‧‧第1氣體供給管
115‧‧‧MFC
116‧‧‧閥
123‧‧‧第2氣體供給源
123a‧‧‧第2氣體供給管
125‧‧‧MFC
126‧‧‧閥
133‧‧‧第3氣體供給源
133a‧‧‧第3氣體供給管
135‧‧‧MFC
136‧‧‧閥
148‧‧‧排氣管
149‧‧‧閘閥
180、180a、180b‧‧‧遠程電漿單元RPU
200‧‧‧晶圓(基板)
201‧‧‧處理室
202‧‧‧處理容器
202a‧‧‧上部容器
202b‧‧‧下部容器
203‧‧‧移載室
204‧‧‧分隔部
207‧‧‧頂銷
210‧‧‧基板支撐部
211‧‧‧載置面
212‧‧‧基板載置台
213‧‧‧加熱器
214‧‧‧貫通孔
217‧‧‧軸
218‧‧‧升降部
219‧‧‧伸縮囊
221‧‧‧第1排氣口
223‧‧‧真空泵
224a‧‧‧排氣管
227‧‧‧壓力調整器
228‧‧‧壓力調整器
231‧‧‧蓋
232‧‧‧緩衝室
233‧‧‧絕緣塊
234‧‧‧噴淋頭
234a‧‧‧孔
241‧‧‧氣體導入口
242‧‧‧共通氣體供給管
244a‧‧‧分散板
244b‧‧‧第1電極
251‧‧‧整合器
252‧‧‧高頻電源
254、254a、254b‧‧‧阻抗計
256‧‧‧偏壓電極
257‧‧‧偏壓調整部
260、260a、260b、260c、260d‧‧‧第1控制部
261、261a、261b‧‧‧CPU
262、262a、262b‧‧‧RAM
263、263a、263b‧‧‧記憶裝置
264、264a、264b‧‧‧I/O埠
265、265a、265b‧‧‧內部匯流排
267、267a、267b‧‧‧外部記憶裝置
268‧‧‧網路
269、269a、269b‧‧‧輸出輸入裝置
274‧‧‧管理裝置
280、280a、280b、280c、280d‧‧‧第2控制部
285、285a、285b、285c、285d‧‧‧傳送接收部
400‧‧‧溫度控制部
500‧‧‧上位裝置
1000‧‧‧基板處理系統
1480‧‧‧基板搬出入口
1481‧‧‧第2排氣口
圖1為基板處理系統之概略構成圖。
圖2為基板處理裝置之概略構成圖。
圖3為說明氣體供給部之圖。
圖4為控制器之概略構成圖。
圖5為裝置連接資料的例子。
圖6為基板處理之流程圖。
圖7為包含控制部之切換步驟的流程圖。
圖8為控制部之代替控制中之基板處理系統的概略構成圖。
圖9為代替控制要求之畫面的例子。
以下說明本發明之實施形態。
<一實施形態>
以下針對本發明之一實施形態，參照圖式進行說明。
首先，針對本發明所欲解決之課題記載如下。在運用複數之基板處理裝置時，有至少發生以下(a)~(c)任一課題的情形。 關於各元件符號之構成將於後述。
(a)在運用複數之基板處理裝置100時，設於任一基板處理裝置100、作為對設於基板處理裝置100之各部進行操作之操作部的第1控制部260呈停機時，第1控制部260呈停機之基板處理裝置100變得無法操作。
(b)設於基板處理裝置100之第1控制部260係為了故障對策而二重化。此時，在經二重化之單方故障時，進行切換為一方的控制。然而，有時單方仍依故障狀態而繼續使用，而有另一方之第1控制部260亦故障，基板處理裝置100變得無法操作的情形。
(c)在藉複數之基板處理裝置100進行相同處理時，有對任一基板處理裝置100進行保養的情形。保養後，有對經保養之基板處理裝置100應用最新之設定資料的情形。此時，最新之設定資料係由上位裝置500所傳送，但有在保養結束前為止無法進行設定的情形。
對於此種課題，本發明之基板處理系統係構成如以下。
(1)基板處理系統之構成
使用圖1、圖2、圖3、圖4說明一實施形態之基板處理系統的概略構成。圖1表示本實施形態之基板處理系統之構成例。圖2為表示本實施形態之基板處理裝置之概略構成的橫剖面圖。圖3為本實施形態之基板處理裝置之氣體供給系統的概略構成圖。圖4為表示設於基板處理裝置之各部與第1控制部260間之連接關係的概略構成圖。
圖1中，基板處理系統1000係具有複數之基板處理 裝置100(100a、100b、100c、100d)。於基板處理裝置100分別具有第1控制部260(260a、260b、260c、260d)、第2控制部280(280a、280b、280c、280d)、與傳送接收部285(285a、285b、285c、285d)。第1控制部260係構成為經由第2控制部280而可實現基板處理裝置100之各部操作。又，構成為經由傳送接收部285與連接於傳送接收部285之網路268，而可與其他基板處理裝置100之第1控制部260或第2控制部280等進行傳送接收。第2控制部280係構成為可控制設於基板處理裝置100之各部動作。第1控制部260與第2控制部280與傳送接收部285係構成為各自可彼此通信。又，第1控制部260與第2控制部280連接於網路268。於此，例示了第1控制部260與第2控制部280係經由傳送接收部285而連接著，但亦可構成為分別直接連接於網路268。藉由如此構成，可由設於一個基板處理裝置100之第1控制部260操作設於其他基板處理裝置100之第2控制部280。例如，可由基板處理裝置100a之第1控制部260a操作基板處理裝置100b之第2控制部280b。
接著，使用圖2說明基板處理裝置100之概略構成。
(2)基板處理裝置之構成
基板處理裝置100為例如在基板200上形成絕緣膜之單元，如圖2所示，構成為單片式基板處理裝置。於此，說明基板處理裝置100a(100)。關於其他基板處理裝置100b、100c、100d由於為相同構成故省略說明。設於基板處理裝置100之各部係構成為對基板200進行處理之處理執行部之一者。
如圖2所示，基板處理裝置100具備處理容器202。處理容器202由例如水平截面為圓形之扁平密閉容器構成。處理容 器202由例如鋁(Al)或不銹鋼(SUS)等金屬材料、或石英所構成。於處理容器202內，形成有對作為基板之矽晶圓等之基板200進行處理的處理室201、與移載室203。處理容器202係由上部容器202a與上部容器202b所構成。上部容器202a與下部容器202b之間設有分隔部204。將由上部容器202a所包圍之空間、較分隔部204上方之空間稱為處理室201。又，將由下部容器202b所包圍之空間、閘閥149附近稱為移載室203。
於下部容器202b側面，設有鄰接於閘閥149之基板搬出入口1480，基板200係經由基板搬出入口1480而於未圖示之搬送室與移載室203之間移動。於下部容器202b之底部，設有複數個頂銷207。進而，下部容器202b呈接地。
於處理室201內，設有支撐基板200之基板支撐部210。基板支撐部210主要具有：載置基板200之載置面211；於表面具有載置面211之載置台212；作為加熱部之加熱器213。於基板載置台212，在頂銷207所對應之位置分別設有頂銷207所貫通之貫通孔214。又，於基板載置台212，亦可設有對基板200或處理室201施加偏壓的偏壓電極256。於此，於加熱器213連接溫度控制部400，藉由溫度控制部400控制加熱器213之溫度。又，加熱器213之溫度資訊係構成為可由溫度控制部400傳送至第2控制部280。又，偏壓電極256係連接於偏壓調整部257，構成為可藉由偏壓調整部257調整偏壓。又，偏壓調整部257係構成為可與第2控制部280之間進行偏壓資料之傳送接收。
基板載置台212係由軸217支撐。軸217係貫通處理容器202底部，進而於處理容器202之外部連接於升降部218。藉 由使升降部218作動而使軸217及支撐台212升降，可使載置於基板載置面211上之基板200升降。又，軸217下端部之周圍係由伸縮囊219所被覆，處理室201內保持為氣密。又，升降部218亦可構成為與第2控制部280之間進行基板載置台212之高度資料(位置資料)之傳送接收。又，基板載置台212之位置係構成為可設定於至少2處以上。例如第1處理位置與第2處理位置。又，第1處理位置或第2處理位置分別構成為可調整。
基板載置台212係於基板200之搬送時，移動至晶圓移載位置，於基板200之第1處理時移動至圖2實線所示第1處理位置(基板處理位置)。又，於第2處理時移動至圖2虛線所示第2處理位置。又，晶圓移載位置係頂銷207上端由基板載置面211上面突出的位置。
具體而言，在使基板載置台212下降至晶圓移載位置時，頂銷207之上端部由基板載置面211之上面突出，頂銷207由下方支撐基板200。又，在使基板載置台212上升至基板處理位置時，頂銷207係由基板載置面211之上面埋沒，基板載置面211由下方支撐基板200。又，頂銷207由於直接接觸基板200，故最好由例如石英或氧化鋁等材質所形成。
(排氣系統)
於處理室201(上部容器202a)之側面側，設有將處理室201之環境進行排氣的作為第1排氣部之第1排氣口221。於第1排氣口221連接排氣管224，於排氣管224a依序串聯連接將處理室201內控制為既定壓力的APC等之壓力調整器227與真空泵223。主要由 第1排氣口221、排氣管224a、壓力調整器227構成第一排氣系統(排氣管線)。又，真空泵223亦可作為第一排氣系統之構成。又，於移載室203之側面側，設有對移載室203之環境進行排氣的第2排氣口1481。又，於第2排氣口1481連接著排氣管148。於排氣管148設置壓力調整器228，構成為可將移載室203內之壓力進行排氣為既定壓力。又，亦可經由移載室203對處理室201內之環境進行排氣。又，壓力調整器227係構成為可與第2控制部280進壓力資料、或閥開度資料的傳送接收。又，真空泵223係構成為可將泵之ON/OFF資料或負荷資料等傳送至第2控制部280。
(氣體導入口)
在設於處理室201上部之噴淋頭234之上面(頂板壁)，設置蓋231。於蓋231設有用於對處理室201內供給各種氣體的氣體導入口241。關於屬於氣體供給部之氣體導入口241所連接之各氣體供給單元的構成將於後述。
(氣體分散單元)
作為氣體分散單元之噴淋頭234係具有緩衝室232、分散板244a。又，分散板244a亦可構成作為活性化部之第1電極244b。於分散板244a，設有複數個將氣體分散供給至基板200的孔234a。噴啉頭234係設置於氣體導入口241與處理室201之間。由氣體導入口241所導入之氣體被供給至噴淋頭234之緩衝室232(亦稱為分散部)，經由孔234a而供給至處理室201。
尚且，在將分散板244a構成為第1電極244b時，第 1電極244b係由導電性之金屬所構成，並構成為用於激發處理室201內氣體的活性化部(激發部)之一部分。於第1電極244b，係構成為可供給電磁波(高頻電力或微波)。又，在由導電性構件構成蓋231時，於蓋231與第1電極244b之間設置絕緣塊233，成為將蓋231與第1電極部244b之間絕緣的構成。
(活性化部(電漿生成部))
針對設有作為活性化部之第1電極244b之情況的構成進行說明。於作為活性化部之第1電極244b，連接整合器251與高頻電源部252，構成為可供給電磁波(高頻電力或微波)。藉此，可使供給至處理室201內之氣體活性化。又，第1電極244b係構成為可生成電容耦合型之電漿。具體而言，第1電極244b係形成為導電性之板狀，構成為被上部容器202a所支撐。活性化部係由至少第1電極244b、整合器251、高頻電源部252。又，於第1電極244b與高頻電源部252之間，亦可設置阻抗計254。藉由設置阻抗計254，可根據所測定之阻抗，對整合器251、高頻電源252進行回饋控制。又，高頻電源252係構成為可與第2控制部280進行電力資料之傳送接收，整合器251係構成為可與第2控制部280進行整合資料(進行波資料、反射波資料)的傳送接收，阻抗計254係構成為可與第2控制部280進行阻抗資料之傳送接收。
(供給系統)
於氣體導入口241連接有共通氣體供給管242。共通氣體供給管242係於管之內部連通，由共通氣體供給管242所供給之氣體係 經由氣體導入口241被供給至噴淋頭234內。
於共通氣體供給管242，連接圖3所示之氣體供給部。氣體供給部係連接第1氣體供給管113a、第2氣體供給管123a、第3氣體供給管133a。
由含有第1氣體供給管113a之第1氣體供給部，主要供給第1元素含有氣體(第1處理氣體)。又，由含有第2氣體供給管123a之第2氣體供給部，主要供給第2元素含有氣體(第2處理氣體)。又，由含有第3氣體供給管133a之第3氣體供給部，主要供給第3元素含有氣體。
(第1氣體供給部)
於第1氣體供給管113a，由上游方向起依序設有第1氣體供給源113、屬於流量控制器(流量控制部)之質量流量控制器(MFC)115、及屬於開關閥之閥116。
由第1氣體供給管113a，使第1元素含有氣體經由MFC115、閥116、共通氣體供給管242供給至噴淋頭234。
第1元素含有氣體為處理氣體之一。第1元素含有氣體為含有矽(Si)之氣體，為例如六氯二矽烷(Si2Cl2，簡稱：HCDS)等氣體。
第1氣體供給部主要由第1氣體供給管113a、MFC115、閥116所構成。
進而，第1氣體供給源113、使第1氣體活性化之遠程電漿單元(RPU)180a之任一者或兩者亦可視為涵括於第1氣體供給部中。
(第2氣體供給部)
於第2氣體供給管123a，由上游方向起依序設有第2氣體供給源123、MFC125、及閥126。
由第2氣體供給管123a，使第2元素含有氣體經由MFC125、閥126、共通氣體供給管242供給至噴淋頭234。
第2元素含有氣體為處理氣體之一。第2元素含有氣體為含有氮(N)之氣體，為例如氨(NH3)氣或氮(N2)氣等氣體。
第2氣體供給部主要由第2氣體供給管123a、MFC125、閥126所構成。
進而，第2氣體供給源123、使第2氣體活性化之遠程電漿單元(RPU)180b之任一者或兩者亦可視為涵括於第2氣體供給部中。
(第3氣體供給部)
於第3氣體供給管133a，由上游方向起依序設有第3氣體供給源133、MFC135、及閥136。
由第3氣體供給管133a，使惰性氣體經由MFC135、閥136、共通氣體供給管242供給至噴淋頭234。
惰性氣體為難以與第1氣體反應的氣體。惰性氣體為例如氮(N2)氣、氬(Ar)氣、氦(He)氣等氣體。
第3氣體供給部主要由第3氣體供給管133a、MFC135、閥136所構成。
於此，構成第1氣體供給部、第2氣體供給部、第3 氣體供給部之各自的MFC、閥係構成為可與第2控制部280進行傳送接收，分別傳送接收以下資料。MFC：流量資料，閥：開度資料。又，第1氣體供給部、或第2氣體供給部中亦可構成為含有氣化器、RPU。氣化器或RPU亦構成為可與第2控制部280進行傳送接收，分別傳送接收以下資料。氣化器：氣化量資料，RPU：電力資料。
(第1控制部、第2控制部)
接著說明控制部。如圖4所示，基板處理裝置100係具有作為控制基板處理裝置100各部動作之控制部的第1控制部260與第2控制部280。
圖4表示第1控制部260與第2控制部280之概略構成圖，與管理裝置274、網路268、上位裝置500等之連接構成圖。於此，記載基板處理裝置100a所具有之第1控制部260a與第2控制部280a。關於其他基板處理裝置100b、100c、100d亦為相同構成，故省略說明。
(第1控制部)
第1控制部260a係構成為具備CPU(Central Processing Unit)261、RAM(Random Access Memory)262a、記憶裝置263a、I/O埠264a的電腦。RAM262a、記憶裝置263a、I/O埠264a係構成為經由內部匯流排265a而可與CPU261a進行資料交換。尚且，於內部匯流排265a，連接著傳送接收部285(285a、285b、285c、285d)、外部記憶裝置267a、輸出輸入裝置269a等。此等之傳送接收部285、外部記憶裝置267a、輸出輸入裝置269a之任一者亦可視為涵 括於第1控制部260a之構成中。
記憶裝置263a係由例如快閃記憶體、HDD(Hard Disk Drive)等所構成。於記憶裝置263a內可讀取地儲存有裝置資料。
裝置資料係包含以下至少任一者。例如，控制基板處理裝置之動作的控制程式，或記載有後述基板處理之手續或條件等的製程配方(recipe)，在設定對基板200之處理中所使用之製程配方為止的過程所產生的演算資料或處理資料、行程資料、作動資料、裝置連接資料、內部連接設定資料、基板200資料等。
於此，所謂作動資料，係指設於第1控制部260a之CPU261a、RAM262a、記憶裝置263a之至少一者之負荷狀態、錯誤發生數、作動時間、溫度等之至少任一種資料。
接著，裝置連接資料係基板處理裝置100與網路間之連接關係資料。例如，表示基板處理裝置100所具有之第1控制部260與第2控制部280、及可連接之其他基板處理裝置100所具有之第1控制部260與第2控制部280間的關係的資料。例如，由圖5所示般之表示連接關係的資料所構成。構成為將各第1控制部260a、260b、260c、260d...260x可連接之連接對象1、2、3、4...N記錄於資料表a1、a2、a3、a4...aX、b1、b2、b3、b4...bX、...n1、n2、n3、n4...nX。於此，x係輸入基板處理裝置之記號，n、N係輸入整數。x、n、N可適當增加。例如，可僅增加設於基板處理系統1000之基板處理裝置100之數量。又，亦可不由基板處理系統1000所構成，而依複數台設定基板處理裝置100。
於此，圖5所示之第1連接對象，係設定設於同一基板處理裝置100內之第2控制部280，第2連接對象之後係設定可 代替控制之連接對象。具體而言設定如以下。第1控制部260a係連接於第2控制部280a，將第2控制部280b、第2控制部280d設定為可代替控制。第1控制部260b係連接於第2控制部280b，將第2控制部280a設定為可代替控制。第1控制部260c係連接於第2控制部280c，將第2控制部280a、第2控制部280b、第2控制部280d設定為可代替控制。又，於未設定連接對象之資料表(未記錄資料之資料表)，係構成為可於後述之連接對象搜尋步驟中S206隨時追加連接對象。又，在使其他基板處理裝置100、戌第1控制部260連接至網路268時，亦可搜尋網路268內而將可連接之機器追加成為連接對象。於此，所謂機器，係意指第1控制部260、或代替第1控制部260之控制裝置。作為第1控制部、或更具體之資訊，包括IP位址或連接協定之資料之至少任一者。
內部連接設定資料係表示設於基板處理裝置100內之各部(處理執行部)之連接關係的資料。作為具體之資訊，包括IP位址或連接協定之資料的至少任一者。
基板200資料係被搬送至基板處理裝置100之基板200所隨附的資料。
行程資料係表示基板200之處理行程的資料。
尚且，製程配方係以使第1控制部260實行後述基板處理步驟中之各手續，而可獲得既定之結果之方式組合者，作為程式而發揮機能。以下，將此製程配方或控制程式、上述之資料等總稱、並簡稱為程式。又，本說明書中於使用程式一詞的情況，係指僅含製程配方單體的情況、僅含控制程式單體的情況、或含有此二者之情況。
作為演算部之CPU 261a，係構成為自記憶裝置263a讀出控制程式並執行，且配合自輸入輸出裝置269a之操作指令之輸入等由記憶裝置263a讀出製程配方。又，構成為將由傳送接收部285a所輸入之設定值、記憶於記憶裝置263a之製程配方或控制資料進行比較、演算，可算出演算資料。又，構成為可由演算資料實行對應之處理資料(製程配方)之決定處理等。演算資料係經由內部匯流排265a、I/O埠264a、傳送接收部285a之至少任一者，對後述第2控制部280a傳送接收。在進行各部之控制時，係藉由CPU261a內之傳送接收部進行依照製程配方內容之控制資料的傳送/接收而進行控制。
RAM 262a係構成為使藉由CPU 261a讀出之程式、演算資料、處理資料等資料暫時地保存之記憶區域(工作區域)。
I/O埠264a係連接於後述第2控制部280a。
輸出輸入裝置269a係具有構成為顯示器、或觸控面板的顯示部。
傳送接收部285a係構成為可經由網路268而與上位裝置500或管理裝置274、與第1控制部260a與第2控制部280a之任一者或二兩者進行通訊。
(第2控制部)
第2控制部280a係連接於基板處理裝置之各部(處理執行部)。例如連接於閘閥149、升降部218、溫度控制部400、壓力調整器227、228、真空泵223、整合器251、高頻電源部252、MFC115、125、135、閥116、126、136、偏壓控制部257等。又，亦可連接 於阻抗計254、RPU180、真空搬送機器人(未圖示)、大氣搬送機器人(未圖示)等。又，亦可連接於傳送接收部285a、與網路268之任一者或兩者。
第2控制部280a係構成為依照藉第1控制部260a所演算(處理)之製程配方(程式)之資料，控制閘閥149之開關動作、升降部218之升降動作、對溫度控制部400之電力供給動作、由溫度控制部400進行之基板載置台212之溫度調整動作、壓力調整器227、228之壓力調整動作、真空泵223之開關控制、MFC115、125、135的氣體流量控制動作、RPU180a、180b之氣體之活性化動作、閥116、126、136之氣體之開關控制、整合器251之電力整合動作、高頻電源部252之電力控制、偏壓控制部257之控制動作、根據阻抗計254所測定之測定資料的整合器251之整合動作、或高頻電源252之電力控制動作等。
尚且，第1控制部260a或第2控制部280a並不限定於構成為專用電腦的情況，亦可構成為通用電腦。例如，準備儲存了上述程式(資料)之外部記憶裝置(例如磁帶、軟碟或硬碟等之磁碟，CD或DVD等光碟，MO等光磁碟，USB記憶體或記憶卡等半導體記憶體等)267a，使用此種外部記憶裝置267a將程式安裝於通用電腦中等，藉此可構成本實施形態之第1控制部260a。又，用於對電腦供給(記錄)程式的手段，並不限定於經由外部記憶裝置267a而供給的情況。例如，亦可使用傳送接收部285a或網路268(網際網路或專用線路)等通訊手段，不經由外部記憶裝置267a而供給程式(資料)。尚且，記憶裝置263或外部記憶裝置267a係構成為可電腦讀取之記錄媒體。以下亦將此等總合簡稱為記錄媒體。又，本說 明書中，於使用記錄媒體一詞的情況，係指僅含記憶裝置263a單體的情況、僅含外部記憶裝置267a單體的情況、或含有此二者之情況。
尚且，本揭示中所謂連接，包括將各部依物理性纜線相接之意義，亦包括各部之信號(電子資料)可直接或間接進行傳送/接收的意義。
(2)基板處理步驟
接著，作為半導體裝置之製造步驟之一步驟，針對於基板上形成絕緣膜的步驟例，參照圖6說明上述基板處理裝置100之處理流程。又，於此，作為絕緣膜，係形成例如作為氮化膜的氮化矽(SiN)膜。又，此製造步驟之一步驟係於以下說明中，各部動作為由第1控制部260與第2控制部280所控制。
以下說明基板處理步驟。
(基板搬入‧加熱步驟S102)
首先說明基板搬入‧加熱步驟(S102)。
基板搬入‧加熱步驟(S102)係將基板200搬入至容器202內。然後，將基板200搬入至容器202內後，使真空搬送機器人(未圖示)退避至容器202外，關閉閘閥149將容器202內密閉。其後，使基板載置台212上升，藉此將基板200載置於設於基板載置台212的基板載置面211上，進而使基板載置台212上升，藉此使基板200上升至上述處理空間201內之處理位置(基板處理位置)。
將基板200搬入至移載室203後，在上升至處理室 201內之處理位置時，將閥228設為關閉狀態。藉此，由排氣管148進行之移載室203的排氣結束。另一方面，打開APC227，使處理室201與真空泵223之間連通。APC227係藉由調整排氣管224a之氣導，而控制真空泵223所進行之處理室201之排氣流量，將處理室201維持為既定壓力(例如10-5~10-1Pa之高真空)。
如此，於基板搬入‧加熱步驟(S102)，將處理室201內控制為既定壓力，且將基板200表面溫度控制為既定溫度。溫度為例如室溫以上且500℃以下、較佳室溫以上且400℃以下。壓力設為例如50~5000Pa。
(成膜步驟：S104)
接著說明成膜步驟(S104)。
在使基板200位於處理室201內之處理位置後，藉基板處理裝置100進行成膜步驟(S104)。成膜步驟(S104)係配合製程配方，藉由將相異之處理氣體之第一處理氣體(第一元素含有氣體)與第二處理氣體(第二元素含有氣體)供給至處理室201，而於基板200上形成薄膜的步驟。於成膜步驟(S104)，可進行使第一處理氣體與第二處理氣體同時存於處理室201而進行CVD(chemical vapor deposition)處理，或進行重複交替供給第一處理氣體與第二處理氣體之步驟的循環(交替供給)處理。又，在將第二處理氣體作成為電漿狀態進行處理時，亦可起動RPU180b。又，亦可進行供給第一處理氣體與第二處理氣體之任一者的熱處理、改質處理等基板處理。
(基板搬出步驟：S106)
接著說明基板搬出步驟(S106)。
於成膜步驟(S104)結束後，於基板處理裝置100進行基板搬出步驟(S106)。基板搬出步驟(S106)係依與上述基板搬入‧加熱步驟(S102)相反的手續，將處理完成的基板200搬出至容器202外。然後，依與基板搬入‧加熱步驟(S102)相同的手續，將其次待機之未處理基板200搬入至容器202內。其後，對所搬入之基板200，實行成膜步驟(S104)。
(判定步驟：S108)
接著說明判定步驟(S108)。
在基板搬出步驟(S106)結束時，於基板處理裝置100，以上述一連串之處理(S102~S106)作為1周期，判定此1周期是否已實施了既定次數。然後，若未實施既定次數，則重複由基板搬入‧加熱步驟(S102)起至基板搬出步驟(S106)為止的1周期。另一方面，在已實施了既定次數時，則結束基板處理步驟。
在此基板處理步驟之前與後之任一者，進行圖7記載之以下步驟。圖7為包含控制部之切換步驟的流程圖。尚且，以下步驟可於基板處理步驟之間進行，亦可與基板處理步驟並行既定期間。在複數之基板處理裝置100之間，進行以下步驟。尚且，以下說明係代表性地針對基板處理裝置100a之第1控制部260a、第2控制部280a與基板處理裝置100b之第1控制部260b、第2控制部280b記述，但關於其他基板處理裝置100之組合亦可實行同樣步驟。
(裝置資料共有步驟S201)
於各基板處理裝置100之間，進行第1控制部260所保持之最新之裝置資料的共有處理。
具體而言，裝置資料之共有處理係將基板處理裝置100a之第1控制部260a之記憶裝置263a或RAM262a所保持之資料，複製(備份)至其他基板處理裝置100(例如100b)之第1控制部260(例如260b)之記憶裝置263b或RAM262b的處理。於裝置資料所具有之資料的種類較多的情況、或裝置資料之容量較大的情況等，亦可不藉一次通訊即傳送接收所有資料，而進行分割傳送接收。又，視資料種類，亦可使傳送接收時機相異。例如，作動資料係定期地進行傳送接收，製程配方資料可於其資料經更新或追加時再進行傳送接收。
尚且，此裝置資料共有步驟亦稱為監視步驟。
(判定步驟S202)
接著，針對所取得之作動資料，進行是否成為既定內容的判定步驟。例如有以下A~E之至少任一判定條件。
(判定條件之例子)
(A)判定作動資料是否超過既定之第1值。
(B)判定是否小於既定之第2值。
(C)判定作動資料是否為既定內容。
(D)判定是否取得了作動資料。
在未滿足此等至少任一判定條件時，判定取得作動資 料之對象之第1控制部260發生了動作不良(NO判定)。於此，所謂動作不良，包括硬體性故障(破損)之情形，或無法進行因資料缺陷(bug)等所造成之錯誤處理之情況等至少任一者。所謂動作不良，亦簡稱為不良、不良情形。在出現NO判定時，則進行後述之連接切換步驟S203。在滿足判定條件時，則判定為正常(YES判定)，繼續通常控制。例如，在第1控制部260a之作動資料內，驅動第1控制部260之電壓小於既定之第2值時，第1控制部260b係判定第1控制部260a發生了動作不良(故障)。又，在第1控制部260a所具有之RAM262a或記憶裝置263a之錯誤率超過既定第1值時，第1控制部260b係判定第1控制部260a發生動作不良。
尚且，亦可在第1控制部260a故障前由第1控制部260a進行自我檢測。在預期作動資料將超過既定值的情況，亦可判定為NO，而使其進行連接切換步驟S203。
(連接切換步驟S203)
於故障判定的情況，係進行將故障之第1控制部260與正常之第2控制部280的連接，切換至與其他基板處理裝置100之正常之第1控制部260的連接的步驟。連接切換步驟S203係如圖7所示般，具有切換要求步驟S204、連接認證步驟S205。針對各個步驟進行說明。
(切換要求步驟S204)
於切換要求步驟S204，係由其他基板處理裝置100所具有之第1控制部260進行對故障之第1控制部260所連接之第2控制部280 的連接要求。例如，由第1控制部260b進行對第2控制部280a之連接要求。此時，亦可如圖9所示般，使確認是否進行連接要求的畫面(視窗)275顯示(通知)。又，相反地，亦可由第2控制部280a進行對第1控制部260b之連接要求。此情況下，亦可如圖9所示般，使確認是否進行連接要求之畫面(視窗)275顯示。以下，本揭示中之連接要求亦稱為代替控制要求。
於此，說明圖9所示之連接要求(控制要求確認)的畫面275之構成。控制要求確認之畫面275係具有承認要求之YES按鍵275a、與拒絕要求之NO按鍵275b。尚且，如圖9之虛線所示般，亦可設置對上位裝置500或管理部274傳送呼叫負責人之要求的負責人呼叫按鍵275c。
(連接認證步驟S205)
於連接認證步驟S205，在接收了連接要求之第2控制部280a或第1控制部260b進行是否可與連接要求之傳送源連接之確認而為可連接時，設為YES判定，開始第2控制部280之控制。在無法連接時，設為NO判定，進行連接對象搜尋步驟S206。於此之確認，可藉由圖9所示之顯示於確認畫面之YES按鍵進行認證確定。又，亦可配合接受連接要求側之作動狀態或負荷狀態，進行認證判定。例如，在接收連接要求側之負荷狀態較高的情況，設為NO判定。又，在傳送或接收連接要求經過既定時間而逾時的情況，亦可設為NO判定。
進行認證後，於進行控制之第1控制部260與被控制側之第2控制部280之間，進行IP位址的登錄等。例如，在第1 控制部260b與第2控制部280a之間的認證成立時，係進行其次之代替控制步驟S207。
(連接對象搜尋步驟S206)
接著，說明於連接認證步驟S205，出現NO判定時所進行之連接對象搜尋步驟S206。於連接對象搜尋步驟S206，係由第1控制部260b與第2控制部280a之任一者進行對其他第1控制部260(例如第1控制部260c)之連接要求。於第1控制部260c則進行與上述相同的認證處理。在第1控制部260c之連接認證不成立時，則對下一個第1控制部260(例如260d)進行連接要求。在連接於網路268之第1控制部260未全部進行連接認證時，於第1控制部260之任一者進行連接待機。又，亦可對連接於網路268之其他機器傳送連接要求。於此，其他機器為例如管理部274、或上位裝置500。
(代替控制步驟S207)
代替控制步驟S207係由其他基板處理裝置100實行一個基板處理裝置100之控制(操作)。例如，如圖8之單點鏈線所示般，在第1控制部260b與第2控制部280a經連接認證的情況，可由第1控制部260a進行第2控制部280a之控制(操作)。亦即，成為可由第1控制部260b操作基板處理裝置100a的狀態。於此，第1控制部260b可實行之操作為例如設於基板處理裝置100a之各部的操作、基板處理步驟之實行、基板處理裝置100a之保養處理等。
又，連接切換後，進行故障之第1控制部260a之保養步驟。保養步驟係進行例如第1控制部260a之再起動處理、構 成第1控制部260a之零件交換、或第1控制部260a本身之交換等之至少任一者。
於此保養步驟中，有時由上位裝置500，對第1控制部260a傳送最新之基板處理裝置100之各部之設定資料、或控制程式、製程配方等至少任一者。此時，由於第1控制部260a為故障或保養中，故成為無法下載此等最新資料的狀態。於此種情況，亦可由第1控制部260b進行代替下載，在第1控制部260a經檢測為回為正常狀態後，將最新資料傳送至第1控制部260a。於此，回到正常狀態亦稱為恢復為正常狀態。又，所謂正常狀態，意指於上述判定步驟S202中成為YSE判定的狀態。又，亦可由第1控制部260b事先保持有無最新資料之資料，在第1控制部260a檢測為回到正常狀態後，由第1控制部260a對上位裝置500傳送指示最新資料(最新資訊資料)之下載要求的資料。
以上具體說明了本發明一實施形態，但本發明並不限定於上述實施形態，在不脫離其要旨之範圍內可進行各種變更。
又，上述記述了半導體裝置之製造步驟，但實施形態之發明亦可應用於半導體裝置之製造步驟以外。例如液晶裝置之製造步驟、太陽電池之製造步驟、發光裝置之製造步驟、玻璃基板之處理步驟、陶瓷基板之處理步驟、導電性基板之處理步驟等基板處理。
又，上述中例示了使用含矽氣體作為原料氣體(第1氣體、第1處理氣體)，使用含氮氣體作為反應氣體(第2氣體、第2處理氣體)，而形成氮化矽膜，但亦可應用於使用其他氣體的成膜中。例如含氧膜、含氮膜、含碳膜、含硼膜、含金屬膜與複數含有 此等元素之膜等。尚且，作為此等膜，例如為AlO膜、ZrO膜、HfO膜、HfAlO膜、ZrAlO膜、SiC膜、SiCN膜、SiBN膜、TiN膜、TiC膜、TiAlC膜等。
又，上述顯示了於一個處理室中處理一片基板的裝置構成，但並不限定於此，亦可為將複數片基板排列於水平方向或垂直方向的狀態。
100a、100b、100c、100d‧‧‧基板處理裝置
260a、260b、260c、260d‧‧‧第1控制部
268‧‧‧網路
274‧‧‧管理裝置
280a、280b、280c、280d‧‧‧第2控制部
285a、285b、285c、285d‧‧‧傳送接收部
500‧‧‧上位裝置
1000‧‧‧基板處理系統

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，係具有：根據程式對基板進行處理的處理執行部；對上述程式進行處理之第1控制部；與根據由上述第1控制部所接收之資料，控制上述處理執行部之第2控制部；上述第1控制部係構成為進行設於其他基板處理裝置之第1控制部之作動資料的判定，在判定了於上述其他基板處理裝置之第1控制部發生了不良情況時，可實行設於上述其他基板處理裝置之第1控制部的代替控制。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述第1控制部係具有輸出輸入裝置；上述第1控制部係構成為在判定了設於上述其他基板處理裝置之第1控制部發生了不良情況時，對上述輸出輸入裝置通知上述其他基板處理裝置之控制要求。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述第1控制部係具有記憶部；上述第1控制部係構成為將上述其他基板處理裝置之第1控制部所具有之裝置資料定期地記錄於上述記憶部。
  4. 如請求項2之基板處理裝置，其中，上述第1控制部係具有記憶部；上述第1控制部係構成為將上述其他基板處理裝置之第1控制部所具有之裝置資料定期地記錄於上述記憶部。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述第1控制部係構成為 在設於上述其他基板處理裝置之第1控制部之代替控制之實行中，接收有關上述其他基板處理裝置之最新資訊資料。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中，上述第1控制部係構成為在設於上述其他基板處理裝置之第1控制部恢復為正常狀態時，將上述最新資訊資料傳送至設於上述其他基板處理裝置之第1控制部。
  7. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述代替控制中，上述第1控制部係構成為進行設於上述其他基板處理裝置之第2控制部的控制。
  8. 如請求項2之基板處理裝置，其中，上述代替控制中，上述第1控制部係構成為進行設於上述其他基板處理裝置之第2控制部的控制。
  9. 如請求項3之基板處理裝置，其中，上述代替控制中，上述第1控制部係構成為進行設於上述其他基板處理裝置之第2控制部的控制。
  10. 如請求項5之基板處理裝置，其中，上述代替控制中，上述第1控制部係構成為進行設於上述其他基板處理裝置之第2控制部的控制。
  11. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述第1控制部係構成為在無法進行上述其他基板處理裝置之上述第1控制部之代替控制時，進而對相異之基板處理裝置之第1控制部與上位裝置之任一者或兩者傳送代替控制要求。
  12. 如請求項10之基板處理裝置，其中，上述第1控制部係構成為在無法進行上述其他基板處理裝置之上述第1控制部之代替控制 時，進而對相異之基板處理裝置之第1控制部與上位裝置之任一者或兩者傳送代替控制要求。
  13. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述第2控制部係構成為可對上述其他基板處理裝置之第1控制部傳送代替控制要求。
  14. 如請求項2之基板處理裝置，其中，上述第2控制部係構成為可對上述其他基板處理裝置之第1控制部傳送代替控制要求。
  15. 一種半導體裝置之製造方法，係具有：由設於基板處理裝置之第1控制部對程式進行處理的步驟；設於上述基板處理裝置之第2控制部根據上述經處理之程式，控制處理執行部而對基板進行處理的步驟；上述第1控制部判定設於其他基板處理裝置之第1控制部之作動資料的步驟；以及在判定了於上述其他基板處理裝置之第1控制部發生了不良情況時，由上述第1控制部實行設於上述其他基板處理裝置之第1控制部之代替控制的步驟。
  16. 如請求項15之半導體裝置之製造方法，其具有：上述第1控制部係在判定了設於上述其他基板處理裝置之第1控制部發生了不良情況時，對設於上述第1控制部之輸出輸入裝置通知上述其他基板處理裝置之控制要求的步驟。
  17. 如請求項15之半導體裝置之製造方法，其具有：上述第1控制部定期地將上述其他基板處理裝置之第1控制部所具有之裝置資料記錄於記憶部的步驟。
  18. 一種記錄有藉由電腦使基板處理裝置實行下述手續之程式之記錄媒體： 由設於基板處理裝置之第1控制部對程式進行處理的手續；設於上述基板處理裝置之第2控制部根據上述經處理之程式，控制處理執行部而對基板進行處理的手續；上述第1控制部判定設於其他基板處理裝置之第1控制部之作動資料的手續；以及在判定了於上述其他基板處理裝置之第1控制部發生了不良情況時，由上述第1控制部實行設於上述其他基板處理裝置之第1控制部之代替控制的手續。
  19. 如請求項18之記錄媒體，其具有：上述第1控制部係在判定了設於上述其他基板處理裝置之第1控制部發生了不良情況時，對設於上述第1控制部之輸出輸入裝置通知上述其他基板處理裝置之控制要求的手續。
  20. 如請求項18之記錄媒體，其具有：上述第1控制部定期地將上述其他基板處理裝置之第1控制部所具有之裝置資料記錄於記憶部的手續。
TW108109590A 2018-11-05 2019-03-20 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體 TWI724388B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018208138A JP2020077666A (ja) 2018-11-05 2018-11-05 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体
JP2018-208138 2018-11-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202018815A true TW202018815A (zh) 2020-05-16
TWI724388B TWI724388B (zh) 2021-04-11

Family

ID=70458693

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108109590A TWI724388B (zh) 2018-11-05 2019-03-20 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10984991B2 (zh)
JP (1) JP2020077666A (zh)
KR (1) KR102292904B1 (zh)
CN (1) CN111146112B (zh)
TW (1) TWI724388B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220092157A (ko) 2020-12-24 2022-07-01 세메스 주식회사 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 장치

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1279248B1 (it) * 1995-12-21 1997-12-09 Pirelli Cavi S P A Ora Pirelli Sistema di trasmissione di segnali ottici modulati e depolarizzati
KR100483432B1 (ko) * 1998-03-11 2005-08-10 삼성전자주식회사 핫백업을이용한반도체제조설비관리시스템
US6296711B1 (en) * 1998-04-14 2001-10-02 Cvd Systems, Inc. Film processing system
JP4668763B2 (ja) * 2005-10-20 2011-04-13 株式会社日立製作所 ストレージ装置のリストア方法及びストレージ装置
JP5114009B2 (ja) * 2006-03-10 2013-01-09 株式会社日立国際電気 基板処理システム、サーバ及びデータ処理方法
JP4845553B2 (ja) * 2006-03-27 2011-12-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置のスケジュール実行方法及びそのプログラム
JP2011146626A (ja) * 2010-01-18 2011-07-28 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理システム
KR20150028077A (ko) * 2013-09-05 2015-03-13 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 설비서버의 페일오버 시스템 및 그 방법
CN104170307B (zh) * 2014-03-21 2017-12-12 华为技术有限公司 失效切换方法、装置和系统
US9588850B2 (en) * 2014-10-30 2017-03-07 Aruba Networks, Inc. Network controller failover request to reduce network outages
WO2016155763A1 (en) * 2015-03-30 2016-10-06 Volvo Truck Corporation Method and arrangement for providing redundancy in a vehicle electrical control system
JP6333232B2 (ja) 2015-12-02 2018-05-30 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP6694738B2 (ja) 2016-03-22 2020-05-20 森永乳業株式会社 呈味組成物の製造方法
JP6689959B2 (ja) * 2016-03-30 2020-04-28 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、処理システム及び半導体装置の製造方法
TWI656594B (zh) * 2016-12-15 2019-04-11 辛耘企業股份有限公司 基板處理裝置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200051451A (ko) 2020-05-13
JP2020077666A (ja) 2020-05-21
TWI724388B (zh) 2021-04-11
KR102292904B1 (ko) 2021-08-25
CN111146112A (zh) 2020-05-12
US10984991B2 (en) 2021-04-20
US20200144037A1 (en) 2020-05-07
CN111146112B (zh) 2024-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6270952B1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体。
TW202013221A (zh) 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體
JP6625098B2 (ja) 基板処理システム、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP2007193579A (ja) 基板処理装置、ライセンス管理プログラム、ライセンス情報提供装置、ライセンス情報提供プログラム、ライセンス管理システム及び記録媒体
JP2008135517A (ja) 基板処理装置の制御装置、制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体
CN110277330B (zh) 基板处理装置及系统、半导体装置的制作方法、记录介质
TWI724388B (zh) 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體
JP6476370B2 (ja) 記録媒体、プログラム、半導体装置の製造方法および基板処理装置。
JP2020017645A (ja) 基板処理装置
JP5571122B2 (ja) 基板処理装置および基板処理装置の制御方法
JP6973956B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体
JP2012094599A (ja) 基板処理装置