KR20200051451A - 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 Download PDF

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Abstract

기판마다의 처리 균일성의 향상시킨다.
기판을 프로그램에 기초하여 처리하는 처리 수행부; 프로그램을 처리하는 제1 제어부; 및 제1 제어부로부터 수신한 데이터에 기초하여 처리 수행부를 제어하는 제2 제어부;를 포함하고, 제1 제어부는 다른 기판 처리 장치에 설치된 제1 제어부의 가동 데이터의 판정을 수행하고, 다른 기판 처리 장치의 제1 제어부에서 오류가 발생했다고 판정했을 때, 다른 기판 처리 장치에 설치된 제1 제어부의 대체 제어를 실행 가능하도록 구성되는 기술이 제공된다.

Description

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND NON-TRANSITORY COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM}
본 개시(開示)는 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정에서 이용되는 기판 처리 장치의 일 형태로서는 예컨대 리액터를 포함하는 모듈을 구비한 장치가 있다. 이러한 기판 처리 장치에서는 장치 가동 정보 등을 디스플레이 등으로 구성되는 입출력 장치에 표시하여 장치관리자가 확인할 수 있도록 하고 있다(예컨대 특허문헌 1 참조).
1. 일본 특개 2017-103356호 공보
본 개시는 기판 처리 장치에 대해서 효율이 좋은 관리를 실현하는 기술을 제공한다.
일 형태에 따르면, 기판을 프로그램에 기초하여 처리하는 처리 수행부; 프로그램을 처리하는 제1 제어부; 및 제1 제어부로부터 수신한 데이터에 기초하여 처리 수행부를 제어하는 제2 제어부;를 포함하고, 제1 제어부는 다른 기판 처리 장치에 설치된 제1 제어부의 가동 데이터의 판정을 수행하고, 다른 기판 처리 장치의 제1 제어부에서 오류가 발생했다고 판정했을 때 다른 기판 처리 장치에 설치된 제1 제어부의 대체 제어를 실행 가능하도록 구성되는 기술이 제공된다.
본 개시의 기술에 따르면, 기판 처리 장치에 대해서 효율이 좋은 관리가 가능해진다.
도 1은 기판 처리 시스템의 개략 구성도.
도 2는 기판 처리 장치의 개략 구성도.
도 3은 가스 공급부를 설명하는 도면.
도 4는 컨트롤러의 개략 구성도.
도 5는 장치 접속 데이터의 예.
도 6은 기판 처리의 흐름도.
도 7은 제어부의 절체(切替) 공정을 포함하는 흐름도.
도 8은 제어부의 대체 제어 중인 기판 처리 시스템의 개략 구성도.
도 9는 대체 제어 요구의 화면의 예.
이하, 본 개시의 실시 형태에 대해서 설명한다.
<일 실시 형태>
이하, 본 개시의 일 실시 형태에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
우선 본 개시가 해결하는 과제에 대해서 몇 가지 기재한다. 복수의 기판 처리 장치를 운용할 때 적어도 다음 (a) 내지 (c) 중 어느 하나의 과제가 발생하는 경우가 있다. 각 부호의 구성에 대해서는 후술한다.
(a) 복수의 기판 처리 장치(100)를 운용하는 경우에 어느 하나의 기판 처리 장치(100)에 설치되고, 기판 처리 장치(100)에 설치된 각(各) 부(部)를 조작하는 조작부로서의 제1 제어부(260)가 다운되었을 때, 제1 제어부(260)가 다운된 기판 처리 장치(100)는 조작 불능이 된다.
(b) 기판 처리 장치(100)에 설치된 제1 제어부(260)는 고장 대책을 위해서 이중화되는 경우가 있다. 이 경우, 이중화된 한 쪽이 고장난 경우에 일방(一方)으로 절체하는 제어가 이루어진다. 하지만 한 쪽이 고장난 상태에서 사용을 계속하는 경우가 있으며, 일방의 제1 제어부(260)도 고장나면 기판 처리 장치(100)가 조작 불능이 되는 경우가 있다.
(c) 복수의 기판 처리 장치(100)에서 마찬가지의 처리를 수행하는 경우에서 어느 하나의 기판 처리 장치(100)를 메인터넌스 하는 경우가 있다. 메인터넌스 후에 메인터넌스한 기판 처리 장치(100)에 최신 설정 데이터를 적용하는 경우가 있다. 이 경우, 최신 설정 데이터는 상위 장치(500)로부터 송신되지만, 메인터넌스가 끝날 때까지 설정하지 못하는 경우가 있다.
이와 같은 과제에 대하여, 본 개시의 기판 처리 시스템은 이하에 기재하는 바와 같이 구성된다.
(1) 기판 처리 시스템의 구성
일 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 도 1, 도 2, 도 3, 도 4를 이용하여 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성예를 도시한다. 도 2는 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 횡단면도다. 도 3은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 가스 공급계의 개략 구성도다. 도 4는 기판 처리 장치에 설치된 각 부와 제1 제어부(260)의 접속 관계를 도시하는 개략 구성도다.
도 1에서 기판 처리 시스템(1000)은 복수의 기판 처리 장치[100(100a, 100b, 100c, 100d]를 포함한다. 기판 처리 장치(100)는 제1 제어부[260(260a, 260b, 260c, 260d)]와 제2 제어부[280(280a, 280b, 280c, 280d)]와 데이터 송수신부[285(285a, 285b, 285c, 285d)]를 각각 포함한다. 이하 본 명세서에서 기판 처리 장치(100a, 100b, 100c, 100d)는 총괄적으로 기판 처리 장치(100)로 지칭되거나 또는 기판 처리 장치(100a, 100b, 100c, 100d) 각각이 개별적으로 기판 처리 장치(100)로 지칭될 수 있다. 제1 제어부(260a, 260b, 260c, 260d)와 제2 제어부(280a, 280b, 280c, 280d)와 데이터 송수신부(285a, 285b, 285c, 285d)와 같은 다른 구성요소도 마찬가지로 총괄적으로 또는 개별적으로 지칭될 수 있다. 제1 제어부(260)는 제2 제어부(280)를 개재하여 기판 처리 장치(100)의 각 부의 조작을 실행 가능하도록 구성된다. 또한 데이터 송수신부(285)와 데이터 송수신부(285)에 접속된 네트워크(268)를 개재하여 다른 기판 처리 장치(100)의 제1 제어부(260)나 제2 제어부(280) 등과 송수신 가능하도록 구성된다. 제2 제어부(280)는 기판 처리 장치(100)에 설치된 각 부의 동작을 제어 가능하도록 구성된다. 제1 제어부(260)와 제2 제어부(280)와 데이터 송수신부(285)는 각각 서로 통신 가능하도록 구성된다. 또한 제1 제어부(260)와 제2 제어부(280)는 네트워크(268)에 접속된다. 여기서는 제1 제어부(260)와 제2 제어부(280)는 데이터 송수신부(285)를 개재하여 접속되는 예를 제시하지만, 각각 네트워크(268)에 직접 접속되도록 구성해도 좋다. 이와 같이 구성하는 것에 의해 1개의 기판 처리 장치(100)에 설치된 제1 제어부(260)로부터 다른 기판 처리 장치(100)에 설치된 제2 제어부(280)를 조작하는 것이 가능해진다. 예컨대 기판 처리 장치(100a)의 제1 제어부(260a)로부터 기판 처리 장치(100b)의 제2 제어부(280b)를 조작하는 것이 가능해진다.
다음으로 기판 처리 장치(100)의 개략 구성에 대해서 도 2를 이용하여 설명한다.
(2) 기판 처리 장치의 구성
기판 처리 장치(100)는 예컨대 기판(200)에 절연막을 형성하는 유닛이며, 도 2에 도시되는 바와 같이 매엽식(枚葉式) 기판 처리 장치로서 구성된다. 이하 기판(200)은 웨이퍼(200)라고도 지칭될 수 있다. 여기서는 기판 처리 장치(100a)(100)에 대해서 설명한다. 다른 기판 처리 장치(100b, 100c, 100d)에 대해서는 마찬가지의 구성이기 때문에 설명을 생략한다. 기판 처리 장치(100)에 설치되는 각 부는 기판(200)을 처리하는 처리 수행부 중 하나로서 구성된다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는 처리 용기(202)를 구비한다. 처리 용기(202)는 예컨대 수평 단면이 원형이며, 편평한 밀폐 용기로서 구성된다. 또한 처리 용기(202)는 예컨대 알루미늄(Al)이나 스텐레스(SUS) 등의 금속 재료 또는 석영에 의해 구성된다. 처리 용기(202) 내에는 기판으로서의 실리콘 웨이퍼 등의 기판(200)을 처리하는 처리실(201)과, 이재실(203)이 형성된다. 처리 용기(202)는 상부 용기(202a)와 하부 용기(202b)로 구성된다. 상부 용기(202a)와 하부 용기(202b) 사이에는 경계부(204)가 설치된다. 상부 용기(202a)에 둘러싸인 공간이자, 경계부(204)보다 상방의 공간을 처리실(201)이라고 부른다. 또한 하부 용기(202b)에 둘러싸인 공간이자, 게이트 밸브(149) 부근을 이재실(203)이라고 부른다.
하부 용기(202b)의 측면에는 게이트 밸브(149)에 인접한 기판 반입출구(1480)가 설치되고, 기판(200)은 기판 반입출구(1480)를 개재하여 미도시의 반송실과 이재실(203) 사이를 이동한다. 하부 용기(202b)의 저부(底部)에는 리프트 핀(207)이 복수 설치된다. 또한 하부 용기(202b)는 접지(接地)된다.
처리실(201) 내에는 기판(200)을 지지하는 기판 지지부(210)가 설치된다. 기판 지지부(210)는 기판(200)을 재치하는 재치면(211)과, 재치면(211)을 표면에 가지는 재치대(212), 가열부로서의 히터(213)를 주로 포함한다. 기판 재치대(212)에는 리프트 핀(207)이 관통하는 관통공(214)이 리프트 핀(207)과 대응하는 위치에 각각 설치된다. 또한 기판 재치대(212)에는 기판(200)이나 처리실(201)에 바이어스를 인가하는 바이어스 전극(256)이 설치되어도 좋다. 여기서 히터(213)에는 온도 제어부(400)가 접속되고, 온도 제어부(400)에 의해 히터(213)의 온도가 제어된다. 또한 히터(213)의 온도 정보는 온도 제어부(400)로부터 제2 제어부(280)에 송신 가능하도록 구성된다. 또한 바이어스 전극(256)은 바이어스 조정부(257)에 접속되고, 바이어스 조정부(257)에 의해 바이어스가 조정 가능하도록 구성된다. 또한 바이어스 조정부(257)는 제2 제어부(280) 사이에서 바이어스 데이터를 송수신 가능하도록 구성된다.
기판 재치대(212)는 샤프트(217)에 의해 지지된다. 샤프트(217)는 처리 용기(202)의 저부를 관통하고, 또한 처리 용기(202)의 외부에서 승강부(218)에 접속된다. 승강부(218)를 작동시켜서 샤프트(217) 및 지지대(212)를 승강시키는 것에 의해 기판 재치면(211) 상에 재치되는 기판(200)을 승강시키는 것이 가능하도록 이루어진다. 또한 샤프트(217) 하단부의 주위는 벨로즈(219)에 의해 피복되고, 처리실(201) 내는 기밀하게 보지(保持)된다. 또한 승강부(218)는 제2 제어부(280)와의 사이에서 기판 재치대(212)의 높이 데이터(위치 데이터)를 송수신 가능하도록 구성되어도 좋다. 또한 기판 재치대(212)의 위치는 적어도 2개 이상 설정 가능하도록 구성된다. 예컨대 제1 처리 위치와 제2 처리 위치다. 또한 제1 처리 위치나 제2 처리 위치는 각각 조정 가능하도록 구성된다.
기판 재치대(212)는 기판(200) 반송 시에는 웨이퍼 이재 위치에 이동하고, 기판(200)의 제1 처리 시에는 도 2의 실선으로 도시한 제1 처리 위치(기판 처리 위치)에 이동한다. 또한 제2 처리 시에는 도 2의 파선으로 도시한 제2 처리 위치에 이동한다. 또한 웨이퍼 이재 위치는 리프트 핀(207)의 상단이 기판 재치면(211)의 상면으로부터 돌출하는 위치다.
구체적으로는 기판 재치대(212)를 웨이퍼 이재 위치까지 하강시켰을 때는 리프트 핀(207)의 상단부가 기판 재치면(211)의 상면으로부터 돌출하여, 리프트 핀(207)이 기판(200)을 하방으로부터 지지하도록 이루어진다. 또한 기판 재치대(212)를 기판 처리 위치까지 상승시켰을 때는 리프트 핀(207)은 기판 재치면(211)의 상면으로부터 매몰하여, 기판 재치면(211)이 기판(200)을 하방으로부터 지지하도록 이루어진다. 또한 리프트 핀(207)은 기판(200)과 직접 접촉하기 때문에 예컨대 석영이나 알루미나 등의 재질로 형성하는 것이 바람직하다.
(배기계)
처리실(201)[상부 용기(202a)]의 측면측에는 처리실(201)의 분위기를 배기하는 제1 배기부로서의 제1 배기구(221)가 설치된다. 제1 배기구(221)에는 배기관(224a)이 접속되고, 배기관(224a)에는 처리실(201) 내를 소정의 압력으로 제어하는 APC 등의 압력 조정기(227)와 진공 펌프(223)가 순서대로 직렬로 접속된다. 주로 제1 배기구(221), 배기관(224a), 압력 조정기(227)에 의해 제1 배기계(배기 라인)가 구성된다. 또한 진공 펌프(223)도 제1 배기계의 구성으로 해도 좋다. 또한 이재실(203)의 측면측에는 이재실(203)의 분위기를 배기하는 제2 배기구(1481)가 설치된다. 또한 제2 배기구(1481)에는 배기관(148)이 접속된다. 배기관(148)에는 압력 조정기(228)가 설치되고, 이재실(203) 내의 압력을 소정의 압력으로 배기 가능하도록 구성된다. 또한 이재실(203)을 개재하여 처리실(201) 내의 분위기도 배기할 수 있다. 또한 압력 조정기(227)는 압력 데이터나, 밸브 개도(開度)의 데이터를 제2 제어부(280)와 송수신 가능하도록 구성된다. 또한 진공 펌프(223)는 펌프의 ON/OFF 데이터나 부하 데이터 등을 제2 제어부(280)에 송신 가능하도록 구성된다.
(가스 도입구)
처리실(201)의 상부에 설치되는 샤워 헤드(234)의 상면(천장벽)에는 덮개(231)가 설치된다. 덮개(231)에는 처리실(201) 내에 각종 가스를 공급하기 위한 가스 도입구(241)가 설치된다. 가스 공급부인 가스 도입구(241)에 접속되는 각 가스 공급 유닛의 구성에 대해서는 후술한다.
(가스 분산 유닛)
가스 분산 유닛으로서의 샤워 헤드(234)는 버퍼실(232), 분산판(244a)을 포함한다. 또한 분산판(244a)은 제1 활성화부로서의 제1 전극(244b)으로서 구성되어도 좋다. 분산판(244a)에는 가스를 기판(200)에 분산 공급하는 공(孔)(234a)이 복수 설치된다. 샤워 헤드(234)는 가스 도입구(241)와 처리실(201) 사이에 설치된다. 가스 도입구(241)로부터 도입되는 가스는 샤워 헤드(234)의 버퍼실(232)(분산부라고도 부른다.)에 공급되고, 공(234a)을 개재하여 처리실(201)에 공급된다.
또한 분산판(244a)을 제1 전극(244b)으로서 구성한 경우, 제1 전극(244b)은 도전성의 금속으로 구성되고, 처리실(201) 내의 가스를 여기(勵起)하기 위한 활성화부(여기부)의 일부로서 구성된다. 제1 전극(244b)에는 전자파(고주파 전력이나 마이크로파)가 공급 가능하도록 구성된다. 또한 덮개(231)를 도전성 부재로 구성할 때는 덮개(231)와 제1 전극(244b) 사이에 절연 블록(233)이 설치되고, 덮개(231)와 제1 전극(244b) 사이를 절연하는 구성이 된다.
[활성화부(플라즈마 생성부)]
활성화부로서의 제1 전극(244b)이 설치되고 있을 경우의 구성에 대해서 설명한다. 활성화부로서의 제1 전극(244b)에는 정합기(251)와 고주파 전원부(252)가 접속되고, 전자파(고주파 전력이나 마이크로파)가 공급 가능하도록 구성된다. 이에 의해 처리실(201) 내에 공급된 가스를 활성화시킬 수 있다. 또한 제1 전극(244b)은 용량 결합형의 플라즈마를 생성 가능하도록 구성된다. 구체적으로는 제1 전극(244b)은 도전성의 판 형상에 형성되고, 상부 용기(202a)에 지지되도록 구성된다. 활성화부는 적어도 제1 전극(244b), 정합기(251), 고주파 전원부(252)로 구성된다. 또한 제1 전극(244b)과 고주파 전원(252) 사이에 임피던스계(254)를 설치해도 좋다. 임피던스계(254)를 설치하는 것에 의해, 측정된 임피던스에 기초하여 정합기(251), 고주파 전원(252)을 피드백 제어할 수 있다. 또한 고주파 전원(252)은 전력 데이터를 제2 제어부(280)와 송수신 가능하도록 구성되고, 정합기(251)는 정합 데이터(진행파 데이터, 반사파 데이터)를 제2 제어부(280)와 송수신 가능하도록 구성되고, 임피던스계(254)는 임피던스 데이터를 제2 제어부(280)와 송수신 가능하도록 구성된다.
(공급계)
가스 도입구(241)에는 공통 가스 공급관(242)이 접속된다. 공통 가스 공급관(242)은 관의 내부에서 연통되고, 공통 가스 공급관(242)으로부터 공급되는 가스는 가스 도입구(241)를 개재하여 샤워 헤드(234) 내에 공급된다.
공통 가스 공급관(242)에는 도 3에 도시하는 가스 공급부가 접속된다. 가스 공급부는 제1 가스 공급관(113a), 제2 가스 공급관(123a), 제3 가스 공급관(133a)이 접속된다.
제1 가스 공급관(113a)을 포함하는 제1 가스 공급부로부터는 제1 원소 함유 가스(제1 처리 가스)가 주로 공급된다. 또한 제2 가스 공급관(123a)을 포함하는 제2 가스 공급부로부터는 주로 제2 원소 함유 가스(제2 처리 가스)가 공급된다. 또한 제3 가스 공급관(133a)을 포함하는 제3 가스 공급부로부터는 주로 제3 원소 함유 가스가 공급된다.
(제1 가스 공급부)
제1 가스 공급관(113a)에는 상류 방향부터 순서대로 제1 가스 공급원(113), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(115) 및 개폐 밸브인 밸브(116)가 설치된다.
제1 가스 공급관(113a)으로부터 제1 원소 함유 가스가 MFC(115), 밸브(116), 공통 가스 공급관(242)을 개재하여 샤워 헤드(234)에 공급된다.
제1 원소 함유 가스는 처리 가스 중 하나다. 제1 원소 함유 가스는 실리콘(Si)을 포함하는 가스이며, 예컨대 헥사클로로디실란(Si2Cl2, 약칭: HCDS) 등의 가스다.
제1 가스 공급부는 주로 제1 가스 공급관(113a), MFC(115), 밸브(116)에 의해 구성된다.
또한 제1 가스 공급원(113), 제1 처리 가스를 활성화시키는 리모트 플라즈마 유닛(RPU)(180a) 중 어느 하나 또는 양방(兩方)을 제1 가스 공급부에 포함시켜서 생각해도 좋다.
(제2 가스 공급부)
제2 가스 공급관(123a)에는 상류 방향부터 순서대로 제2 가스 공급원(123), MFC(125), 밸브(126)가 설치된다.
제2 가스 공급관(123a)으로부터는 제2 원소 함유 가스가 MFC(125), 밸브(126), 공통 가스 공급관(242)을 개재하여 샤워 헤드(234) 내에 공급된다.
제2 원소 함유 가스는 처리 가스 중 하나다. 제2 원소 함유 가스는 질소(N)를 포함하는 가스이며, 예컨대 암모니아(NH3) 가스나, 질소(N2) 가스 등의 가스다.
제2 가스 공급부는 주로 제2 가스 공급관(123a), MFC(125), 밸브(126)에 의해 구성된다.
또한 제2 가스 공급원(123), 제2 처리 가스를 활성화시키는 리모트 플라즈마 유닛(RPU)(180b) 중 어느 하나 또는 양방을 제2 가스 공급부에 포함시켜서 생각해도 좋다.
(제3 가스 공급부)
제3 가스 공급관(133a)에는 상류 방향부터 순서대로 제3 가스 공급원(133), MFC(135), 밸브(136)가 설치된다.
제3 가스 공급관(133a)으로부터는 불활성 가스가 MFC(135), 밸브(136), 공통 가스 공급관(242)을 개재하여 샤워 헤드(234)에 공급된다.
불활성 가스는 제1 처리 가스와 반응하기 어려운 가스다. 불활성 가스는 예컨대 질소(N2) 가스, 아르곤(Ar) 가스, 헬륨(He) 가스 등의 가스다.
제3 가스 공급부는 주로 제3 가스 공급관(133a), MFC(135), 밸브(136)에 의해 구성된다.
여기서 제1 가스 공급부, 제2 가스 공급부, 제3 가스 공급부를 각각 구성하는 MFC, 밸브는 제2 제어부(280)와 송수신 가능하도록 구성되고, 각각 이하의 데이터를 송수신한다.
MFC: 유량 데이터
밸브: 개도 데이터.
또한 제1 가스 공급부나, 제2 가스 공급부에 기화기, RPU를 포함시켜서 구성해도 좋다. 기화기나 RPU도 제2 제어부(280)와 송수신 가능하도록 구성되고, 각각 이하의 데이터를 송수신한다.
기화기: 기화량 데이터
RPU: 전력 데이터.
(제1 제어부, 제2 제어부)
다음으로 제어부에 대해서 설명한다. 도 4에 도시하는 바와 같이 기판 처리 장치(100)는 기판 처리 장치(100)의 각 부의 동작을 제어하는 제어부로서의 제1 제어부(260)와 제2 제어부(280)를 포함한다.
제1 제어부(260)와 제2 제어부(280)의 개략 구성도와, 관리 장치(274), 네트워크(268), 상위 장치(500) 등의 접속 구성도를 도 4에 도시한다. 여기서는 기판 처리 장치(100a)가 포함하는 제1 제어부(260a)와 제2 제어부(280a)에 대해서 기재한다. 다른 기판 처리 장치(100b, 100c, 100d)에 대해서도 마찬가지의 구성이므로 설명을 생략한다.
(제1 제어부)
제1 제어부(260a)는 CPU(Central Processing Unit)(261), RAM(Random Access Memory)(262a), 기억 장치(263a), I/O 포트(264a)를 구비한 컴퓨터로서 구성된다. RAM(262a), 기억 장치(263a), I/O 포트(264a)는 내부 버스(265a)를 개재하여 CPU(261a)과 데이터 교환 가능하도록 구성된다. 또한 내부 버스(265a)에는 데이터 송수신부(285a), 외부 기억 장치(267a), 입출력 장치(269a) 등이 접속된다. 이하 데이터 송수신부는 송수신부라고도 지칭된다. 이들의 송수신부(285), 외부 기억 장치(267a), 입출력 장치(269a) 중 적어도 어느 하나를 제1 제어부(260a)의 구성에 포함시켜도 좋다.
기억 장치(263a)는 예컨대 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성된다. 기억 장치(263a)에는 장치 데이터가 판독 가능하도록 기록된다.
장치 데이터는 이하의 적어도 어느 하나를 포함한다. 예컨대 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 프로그램이나, 후술하는 기판 처리의 순서나 조건 등이 기재된 프로세스 레시피, 기판(200)에 대한 처리에 이용하는 프로세스 레시피를 설정할 때까지의 과정에서 발생하는 연산 데이터나 처리 데이터, 스케줄 데이터, 가동 데이터, 장치 접속 데이터, 내부 접속 설정 데이터, 웨이퍼 데이터 등이다.
여기서 가동 데이터란 제1 제어부(260a)에 설치된 CPU(261a), RAM(262a), 기억 장치(263a) 중 적어도 어느 하나의 부하 상태, 오류 발생 수, 가동 시간, 온도 등 중 적어도 어느 하나의 데이터다.
다음으로 장치 접속 데이터는 기판 처리 장치(100)와 네트워크의 접속 관계 데이터다. 예컨대 기판 처리 장치(100)가 포함하는 제1 제어부(260)와 제2 제어부(280)와, 접속 가능한 다른 기판 처리 장치(100)가 포함하는 제1 제어부(260)와 제2 제어부(280)의 관계를 나타내는 데이터다. 예컨대 도 5에 도시하는 바와 같은 접속 관계를 나타내는 데이터로 구성된다. 각 제1 제어부(260a, 260b, 260c, 260d 내지 260x)가 접속 가능한 접속처 1, 2, 3, 4 내지 N(즉 제1 접속처 내지 제N 접속처)이 데이터 테이블 a1, a2, a3, a4 내지 aX, b1, b2, b3, b4 내지 bX, 내지 n1, n2, n3, n4 내지 nX에 기록되도록 구성된다. 여기서 x는 기판 처리 장치의 기호가 입력되고, n, N에는 정수가 입력된다. x, n, N은 적절히 늘릴 수 있다. 예컨대 기판 처리 시스템(1000)에 설치된 기판 처리 장치(100)의 수만큼 늘릴 수 있다. 또한 기판 처리 시스템(1000)으로 구성하지 않고, 기판 처리 장치(100)를 복수 대(臺)로 설정해도 좋다.
여기서 도 5에 도시하는 제1 접속처는 같은 기판 처리 장치(100) 내에 설치된 제2 제어부(280)가 설정되고, 제2 접속처 이후에 대체 제어 가능한 접속처가 설정된다. 구체적으로는 다음과 같이 설정된다. 제1 제어부(260a)는 제2 제어부(280a)에 접속되고, 제2 제어부(280b), 제2 제어부(280d)를 대체 제어 가능하도록 설정된다. 제1 제어부(260b)는 제2 제어부(280b)에 접속되고, 제2 제어부(280a)를 대체 제어 가능하도록 설정된다. 제1 제어부(260c)는 제2 제어부(280c)에 접속되고, 제2 제어부(280a), 제2 제어부(280b), 제2 제어부(280d)를 대체 제어 가능하도록 설정된다. 또한 접속처가 설정되지 않은 데이터 테이블(데이터가 기록되지 않은 데이터 테이블)에는 후술하는 접속처 탐색 공정(S206)에서 수시로 접속처를 추가 가능하도록 구성된다. 또한 네트워크(268)에 다른 기판 처리 장치(100)나 제1 제어부(260)가 접속되었을 때 네트워크(268) 내를 탐색하여 접속 가능한 기기를 접속처로서 추가해도 좋다. 여기서 기기란 제1 제어부(260)나, 제1 제어부(260)를 대체 가능한 제어 장치를 의미한다. 또한 제1 제어부(260)의 구체적인 정보로서는 IP 어드레스나 접속 프로토콜의 데이터 중 적어도 어느 하나를 포함한다.
내부 접속 설정 데이터는 기판 처리 장치(100) 내에 설치된 각 부(처리 수행부)의 접속 관계를 나타내는 데이터다. 구체적인 정보로서는 IP 어드레스나 접속 프로토콜의 데이터 중 적어도 어느 하나를 포함한다.
웨이퍼 데이터는 기판 처리 장치(100)에 반송되는 웨이퍼(200)에 부수되는 데이터다.
스케줄 데이터는 기판(200)의 처리 스케줄을 나타내는 데이터다.
또한 프로세스 레시피는 후술하는 기판 처리 공정에서의 각 순서를 제1 제어부(260)에 실행시켜 소정의 결과를 얻을 수 있도록 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 이하, 이 프로세스 레시피나 제어 프로그램, 전술한 데이터 등을 총칭하여 단순히 프로그램이라고도 부른다. 또한 본 명세서에서 프로그램이라는 단어를 사용한 경우는 프로세스 레시피 단체(單體)만을 포함하는 경우, 제어 프로그램 단체만을 포함하는 경우, 또는 그 양방을 포함하는 경우가 있다.
연산부로서의 CPU(261a)은 기억 장치(263a)로부터의 제어 프로그램을 판독하여 실행하는 것과 함께, 입출력 장치(269a)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라 기억 장치(263a)로부터 프로세스 레시피를 판독하도록 구성된다. 또한 송수신부(285a)로부터 입력된 설정값과, 기억 장치(263a)에 기억된 프로세스 레시피나 제어 데이터를 비교·연산하여 연산 데이터를 산출 가능하도록 구성된다. 또한 연산 데이터로부터 대응하는 처리 데이터(프로세스 레시피)의 결정 처리 등을 실행 가능하도록 구성된다. 연산 데이터는 내부 버스(265a), I/O 포트(264a), 송수신부(285a) 중 적어도 어느 하나를 개재하여 후술하는 제2 제어부(280a)에 송수신된다. 각 부의 제어를 수행할 때는 CPU(261a) 내의 송수신부가 프로세스 레시피의 내용을 따른 제어 정보를 송신 및 수신하는 것에 의해 제어한다.
RAM(262a)은 CPU(261a)에 의해 판독된 프로그램, 연산 데이터, 처리 데이터 등의 데이터가 일시적으로 보지되는 메모리 영역(work area)으로서 구성된다.
I/O 포트(264a)는 후술하는 제2 제어부(280a)에 접속된다.
입출력 장치(269a)는 디스플레이나, 터치패널로서 구성되는 표시부를 포함한다.
송수신부(285a)는 네트워크(268)를 개재하여 상위 장치(500)나 관리 장치(274)와, 제1 제어부(260a)와 제2 제어부(280a) 중 어느 하나 또는 양방과 통신 가능하도록 구성된다.
(제2 제어부)
제2 제어부(280a)는 기판 처리 장치의 각 부(처리 수행부)에 접속된다. 예컨대 게이트 밸브(149), 승강부(218), 온도 제어부(400), 압력 조정기(227, 228), 진공 펌프(223), 정합기(251), 고주파 전원부(252), MFC(115, 125, 135), 밸브(116, 126, 136), 바이어스 제어부(257) 등에 접속된다. 또한 임피던스계(254), RPU(180), 도시되지 않은 진공 반송 로봇, 도시되지 않은 대기 반송 로봇 등에도 접속되어도 좋다. 또한 송수신부(285a)와 네트워크(268) 중 어느 하나 또는 양방에 접속되어도 좋다.
제2 제어부(280a)는 제1 제어부(260a)에서 연산(처리)된 프로세스 레시피(프로그램)의 데이터에 따르도록, 게이트 밸브(149)의 개폐 동작, 승강부(218)의 승강 동작, 온도 제어부(400)로의 전력 공급 동작, 온도 제어부(400)에 의한 기판 재치대(212)의 온도 조정 동작, 압력 조정기(227, 228)의 압력 조정 동작, 진공 펌프(223)의 ON/OFF 제어, MFC(115, 125, 135)로의 가스의 흐름량 제어 동작, RPU(180a, 180b)의 가스의 활성화 동작, 밸브(116, 126, 136)에서의 가스의 ON/OFF 제어, 정합기(251)의 전력의 정합 동작, 고주파 전원부(252)의 전력 제어, 바이어스 제어부(257)의 제어 동작, 임피던스계(254)가 측정한 측정 데이터에 기초한 정합기(251)의 정합 동작이나, 고주파 전원(252)의 전력 제어 동작 등을 제어하도록 구성된다.
또한 제1 제어부(260a)나 제2 제어부(280a)는 전용의 컴퓨터로서 구성되는 경우에 한정되지 않고, 범용의 컴퓨터로서 구성되어도 좋다. 예컨대 전술한 프로그램(데이터)을 격납한 외부 기억 장치(267a)[예컨대 자기(磁氣) 테이프, 플렉시블 디스크나 하드 디스크 등의 자기 디스크, CD나 DVD 등의 광(光) 디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB 메모리나 메모리 카드 등의 반도체 메모리]를 준비하고, 이러한 외부 기억 장치(267a)를 이용하여 범용의 컴퓨터에 프로그램을 인스톨하는 것 등에 의해 본 실시 형태에 따른 제1 제어부(260a)를 구성할 수 있다. 또한 컴퓨터에 프로그램을 공급(기록)하기 위한 수단은 외부 기억 장치(267a)를 개재하여 공급하는 경우에 한정되지 않는다. 예컨대 송수신부(285a)나 네트워크(268)(인터넷이나 전용 회선) 등의 통신 수단을 이용하여 외부 기억 장치(267a)를 개재하지 않고 프로그램(데이터)을 공급해도 좋다. 또한 기억 장치(263a)나 외부 기억 장치(267a)는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성된다. 이하, 이들을 총칭하여 단순히 기록 매체라고도 부른다. 또한 본 명세서에서 기록 매체라는 단어를 사용한 경우는 기억 장치(263a) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(267a) 단체만을 포함하는 경우, 또는 그것들의 양방을 포함하는 경우가 있다.
또한 본 개시에서의 접속이란 각 부가 물리적인 케이블로 연결되어 있다는 뜻도 포함하지만, 각 부의 신호(전자 데이터)가 직접 또는 간접적으로 송신 및 수신 가능하도록 이루어져 있다는 뜻도 포함한다.
(2) 기판 처리 공정
다음으로 반도체 장치(반도체 디바이스)의 제조 공정의 일 공정으로서 기판 상에 절연막을 성막하는 공정예에 대해서 전술한 기판 처리 장치(100)의 처리 흐름에 대해서 도 6을 참조하여 설명한다. 또한 여기서 절연막으로서는 예컨대 질화막으로서의 실리콘 질화(SiN)막이 성막된다. 또한 이 제조 공정의 일 공정은 이하의 설명에서 각 부의 동작은 제1 제어부(260)와 제2 제어부(280)에 의해 제어된다.
이하, 기판 처리 공정에 대해서 설명한다.
(기판 반입·가열 공정: S102)
우선, 기판 반입·가열 공정(S102)에 대해서 설명한다. 기판 반입·가열 공정(S102)에서는 처리 용기(202) 내에 웨이퍼(200)를 반입한다. 그리고 처리 용기(202) 내에 웨이퍼(200)를 반입하면, 진공 반송 로봇(미도시)을 용기(202) 외로 퇴피시키고, 게이트 밸브(149)를 닫고 처리 용기(202) 내를 밀폐한다. 그 후 기판 재치대(212)를 상승시키는 것에 의해 기판 재치대(212)에 설치된 기판 재치면(211) 상에 웨이퍼(200)를 재치시키고, 또한 기판 재치대(212)를 상승시키는 것에 의해 전술한 처리실(201) 내의 처리 위치(기판 처리 포지션)까지 웨이퍼(200)를 상승시킨다.
웨이퍼(200)가 이재실(203)에 반입된 후, 처리실(201) 내의 처리 위치까지 상승하면, 밸브(228)를 닫힘(閉) 상태로 한다. 이에 의해 배기관(148)으로부터 이재실(203)의 배기가 종료된다. 한편, APC(227)을 열고, 처리실(201)과 진공 펌프(223) 사이를 연통시킨다. APC(227)은 배기관(224a)의 컨덕턴스를 조정하는 것에 의해 진공 펌프(223)에 의한 처리실(201)의 배기 유량을 제어하여 처리실(201)을 소정의 압력(예컨대 10-5 내지 10-1Pa의 고진공)으로 유지한다.
이와 같이 하여 기판 반입·가열 공정(S102)에서는 처리실(201) 내를 소정의 압력이 되도록 제어하는 것과 함께, 웨이퍼(200)의 표면 온도가 소정의 온도가 되도록 제어한다. 온도는 예컨대 실온 이상 500℃ 이하이며, 바람직하게는 실온 이상이며 400℃ 이하다. 압력은 예컨대 50Pa 내지 5,000Pa로 하는 것이 생각된다.
(성막 공정: S104)
계속해서 성막 공정(S104)에 대해서 설명한다. 처리실(201) 내의 처리 위치에 웨이퍼(200)를 위치시키면, 기판 처리 장치(100)에서는 성막 공정(S104)을 수행한다. 성막 공정(S104)은 프로세스 레시피에 따라 다른 처리 가스인 제1 처리 가스(제1 원소 함유 가스)와 제2 처리 가스(제2 원소 함유 가스)를 처리실(201)에 공급하는 것에 의해 웨이퍼(200) 상에 박막을 형성하는 공정이다. 성막 공정(S104)에서는 제1 처리 가스와 제2 처리 가스를 동시에 처리실(201)에 존재시켜서 CVD(Chemical Vapor Deposition) 처리를 수행하거나, 제1 처리 가스와 제2 처리 가스를 교호(交互)적으로 공급하는 공정을 반복하는 사이클릭(교대 공급) 처리를 수행해도 좋다. 또한 제2 처리 가스를 플라즈마 상태로서 처리하는 경우에는 RPU(180b)을 기동해도 좋다. 또한 제1 처리 가스와 제2 처리 가스 중 어느 하나를 공급하는 열처리, 개질 처리 등의 기판 처리가 수행되어도 좋다.
(기판 반출 공정: S106)
다음으로 기판 반출 공정(S106)에 대해서 설명한다. 성막 공정(S104) 종료 후, 기판 처리 장치(100)에서는 기판 반출 공정(S106)을 수행한다. 기판 반출 공정(S106)에서는 전술한 기판 반입·가열 공정(S102)과 반대의 순서로, 처리 완료된 웨이퍼(200)를 용기(202) 외로 반출한다. 그리고 후술하듯이, 기판 반입·가열 공정(S102)과 마찬가지의 순서로, 다음에 대기하는 미처리의 웨이퍼(200)를 용기(202) 내에 반입할 수 있다. 그 후 반입된 웨이퍼(200)에 대해서는 성막 공정(S104)이 실행될 수 있다.
(판정 공정: S108)
다음으로 판정 공정(S108)을 설명한다. 기판 반출 공정(S106)이 종료되면, 기판 처리 장치(100)에서는 전술한 일련의 처리(S102 내지 S106)를 1개 사이클로 하여, 그 1사이클을 소정 횟수 실시했는지에 대한 여부를 판정한다. 그리고 소정 횟수 실시하지 않았으면, 기판 반입·가열 공정(S102) 내지 기판 반출 공정(S106) 1사이클을 반복한다. 한편, 소정 횟수 실시했을 때는 기판 처리 공정을 종료한다.
이 기판 처리 공정 전과 후 중 어느 하나에서 도 7에 도시된 이하의 공정이 수행된다. 도 7은 제어부의 절체 공정을 포함하는 흐름도다. 또한 이하의 공정은 기판 처리 공정 사이에 수행되어도 좋고, 기판 처리 공정과 소정 기간 병행하여 수행되어도 좋다. 복수의 기판 처리 장치(100) 사이에 이하의 공정이 수행된다. 또한 이하의 설명에서는 대표적으로 기판 처리 장치(100a)의 제1 제어부(260a), 제2 제어부(280a)와, 기판 처리 장치(100b)의 제1 제어부(260b), 제2 제어부(280b)에 대해서 기재하지만, 다른 기판 처리 장치(100)의 조합에 대해서도 마찬가지의 공정이 실행 가능하다.
(장치 데이터 공유 공정: S201)
각 기판 처리 장치(100) 사이에 제1 제어부(260)가 보지하는 최신 장치 데이터의 공유 처리가 수행된다.
장치 데이터의 공유 처리는 구체적으로는 기판 처리 장치(100a)의 제1 제어부(260a)의 기억 장치(263a)나 RAM(262a)이 보지하는 데이터를 다른 기판 처리 장치(100)(예컨대 100b)의 제1 제어부(260)(예컨대 260b)의 기억 장치(263b)나 RAM(262b)에 카피(백업)하는 처리다. 장치 데이터가 포함하는 데이터의 종류가 많은 경우나, 장치 데이터의 용량이 많은 경우 등에는 일회의 통신으로 모든 데이터를 송수신하지 않고, 분할 송수신이 수행되어도 좋다. 또한 데이터 종별에 따라 송수신 타이밍을 다르게 해도 좋다. 예컨대 가동 데이터는 정기적으로 송수신을 수행하고, 프로세스 레시피 데이터는 그 데이터가 갱신 또는 추가되었을 때 송수신되면 좋다.
또한 이 장치 데이터 공유 공정은 감시 공정이라고도 부른다.
(판정 공정: S202)
다음으로 취득한 가동 데이터에 대해서 소정의 내용이 되었는지에 대한 판정 공정이 수행된다. 예컨대 이하 (A) 내지 (E) 중 적어도 어느 하나의 판정 조건이 있다.
(판정 조건의 예)
(A) 가동 데이터가 소정의 제1 값을 초과하고 있는지에 대한 여부를 판정한다.
(B) 소정의 제2 값을 밑돌고 있는지에 대한 여부를 판정한다.
(C) 가동 데이터가 소정의 내용이 되어 있는지에 대한 여부를 판정한다.
(D) 가동 데이터를 취득했는지에 대한 여부를 판정한다.
이들 중 적어도 어느 하나의 판정 조건을 충족시키지 못했을 때는 가동 데이터를 취득한 대상의 제1 제어부(260)가 동작 오류를 일으키고 있다고 판정(NO 판정)한다. 여기서 동작 오류란 하드웨어적인 고장(파손)의 경우나, 데이터의 버그 등에 의한 에러 처리를 할 수 없게 된 경우 등 중 적어도 어느 하나를 포함한다. 동작 오류란 단순히 불량, 오류라고도 부른다. NO 판정이 있었을 경우에는 후술하는 접속 절체 공정(S203)을 수행한다. 판정 조건을 충족시킨 경우에는 정상이라고 판정(YES 판정)하고, 통상 제어를 계속한다. 예컨대 제1 제어부(260a)의 가동 데이터 내, 제1 제어부(260)를 구동하는 전압이 소정의 제2 값을 밑도는 경우, 제1 제어부(260b)는 제1 제어부(260a)가 동작 오류를 일으키고 있다(고장나 있다)고 판정한다. 또한 제1 제어부(260a)가 포함하는 RAM(262a)이나 기억 장치(263a)의 오류율이 소정의 제1 값을 초과한 경우, 제1 제어부(260b)는 제1 제어부(260a)가 동작 오류를 일으키고 있다고 판정한다.
또한 제1 제어부(260a)가 고장나기 전에 제1 제어부(260a)가 셀프체크를 수행하도록 해도 좋다. 가동 데이터가 소정의 제1 값을 초과할 것으로 예상되는 경우에는 NO 판정으로서 접속 절체 공정(S203)을 수행해도 좋다. 또한, 기판 처리 장치(100)의 제1 제어부(260), 예컨대 기판 처리 장치(100a)의 제1 제어부(260a)에 불량이 발생한 것으로 판정된 경우, 제1 제어부(206b)는 기판 처리 장치(100a)의 제어 요구를 입출력 장치(269b)에 통보(報知)할 수 있다. 입출력 장치(269b)를 이용하여 예컨대 도 9에 도시하는 바와 같은 접속 요구를 수행할지 말지를 확인하는 화면(윈도우)(275)을 표시시켜도 좋다.
(접속 절체 공정: S203)
고장 판정의 경우에는 고장난 제1 제어부(260)와 정상인 제2 제어부(280)의 접속을, 다른 기판 처리 장치(100)가 정상인 제1 제어부(260)와의 접속으로 절체하는 공정이 수행된다. 접속 절체 공정(S203)은 도 7에 도시하는 바와 같이 절체 요구 공정(S204), 접속 인증 공정(S205)을 포함한다. 각각의 공정에 대해서 설명한다.
(절체 요구 공정: S204)
절체 요구 공정(S204)에서는 다른 기판 처리 장치(100)가 포함하는 제1 제어부(260)로부터, 고장난 제1 제어부(260)가 접속된 제2 제어부(280)로의 접속 요구가 수행된다. 예컨대 제1 제어부(260b)로부터 제2 제어부(280a)로의 접속 요구가 수행된다. 이하 본 명세서에서 접속 요구는 대체 제어 요구라고도 지칭된다. 이 경우, 도 9에 도시하는 바와 같은 접속 요구를 수행할지 말지를 확인하는 화면(윈도우)(275)을 표시시켜도 좋다. 또한 반대로 제2 제어부(280a)로부터 제1 제어부(260b)에 접속 요구가 수행되어도 좋다. 이 경우에도 도 9에 도시하는 접속 요구를 수행할지 말지를 확인하는 화면(윈도우)(275)을 표시시켜도 좋다.
여기서 도 9에 도시하는 접속 요구(제어 요구 확인)의 화면(275)의 구성에 대해서 설명한다. 제어 요구 확인의 화면(275)은 요구를 승인하는 YES 버튼(275a)과, 요구를 거부하는 NO 버튼(275b)을 포함한다. 또한 도 9의 파선으로 도시하는 바와 같이 상위 장치(500)나 관리 장치(274)에 대하여 담당자의 호출 요구를 송신하는 담당자 호출 버튼(275c)을 설치해도 좋다.
(접속 인증 공정: S205)
접속 인증 공정(S205)에서는 접속 요구를 수취한 제2 제어부(280a) 또는 제1 제어부(260b)가 접속 요구의 송신원과 접속 가능한지 아닌지의 확인이 수행된다. 접속이 가능한 경우에는 YES 판정으로서 제2 제어부(280)의 제어를 시작한다. 접속이 불가능한 경우에는 No 판정으로서 접속처 탐색 공정(S206)이 수행된다. 여기서의 확인은 도 9에 도시하는 확인 화면에 표시된 YES 버튼에 의해 인증 확정시켜도 좋다. 또한 접속 요구를 받은 측의 가동 상태나 부하 상태에 따라 인증 판정을 수행해도 좋다. 예컨대 접속 요구를 받은 측의 부하 상태가 높을 경우에는 No 판정으로 한다. 또한 접속 요구를 송신 또는 수신하고 나서 소정 시간 경과하여 타임 아웃된 경우에도 No 판정으로 해도 좋다.
인증이 수행된 후는 제어를 수행하는 제1 제어부(260)와 제어되는 측의 제2 제어부(280) 사이에 IP 어드레스의 등록 등이 수행된다. 예컨대 제1 제어부(260b)와 제2 제어부(280a) 사이에서의 인증이 성립된 경우에는 다음 대체 제어 공정(S207)이 수행된다.
(접속처 탐색 공정: S206)
다음으로 접속 인증 공정(S205)에서 NO 판정이 있었을 경우에 수행되는 접속처 탐색 공정(S206)에 대해서 설명한다. 접속처 탐색 공정(S206)에서는 제1 제어부(260b)와 제2 제어부(280a) 중 어느 하나로부터 다른 제1 제어부(260)[예컨대 제1 제어부(260c)]에 접속 요구가 수행된다. 제1 제어부(260c)에서 전술과 마찬가지의 인증 처리가 수행된다. 제1 제어부(260c)에서 접속 인증이 성립되지 않는 경우에는 다음 제1 제어부(260)(예컨대 260d)에 접속 요구가 수행된다. 네트워크(268)에 접속된 제1 제어부(260) 전체에서 접속 인증이 수행되지 않은 경우에는 제1 제어부(260) 중 어느 하나에서 접속 대기가 수행된다. 또한 네트워크(268)에 접속된 다른 기기에 접속 요구를 송신해도 좋다. 여기서 다른 기기는 예컨대 관리 장치(274)나 상위 장치(500)다.
(대체 제어 공정: S207)
대체 제어 공정(S207)에서는 하나의 기판 처리 장치(100)의 제어(조작)를 다른 기판 처리 장치(100)로부터 실행된다. 예컨대 도 8의 일점쇄선으로 도시하는 바와 같이 제1 제어부(260b)와 제2 제어부(280a)가 접속 인증된 경우에는 제1 제어부(260b)로부터 제2 제어부(280a)의 제어(조작)가 가능해진다. 즉, 제1 제어부(260b)로부터 기판 처리 장치(100a)를 조작 가능한 상태가 된다. 여기서 제1 제어부(260b)가 실행 가능한 조작은 예컨대 기판 처리 장치(100a)에 설치된 각 부의 조작, 기판 처리 공정의 실행, 기판 처리 장치(100a)의 메인터넌스 처리 등이다.
또한 접속 절체 후에는 고장난 제1 제어부(260a)의 메인터넌스 공정이 수행된다. 메인터넌스 공정에서는 예컨대 제1 제어부(260a)의 재기동 처리, 제1 제어부(260a)를 구성하는 부품 교환, 또는 제1 제어부(260a) 자체의 교환 등 중 적어도 어느 하나가 수행된다.
이 메인터넌스 공정 중에는 상위 장치(500)로부터, 제1 제어부(260a)에 대하여 최신의 기판 처리 장치(100)의 각 부의 설정 데이터나 제어 프로그램, 프로세스 레시피와 같은 최신 정보 데이터가 송신되는 경우가 있다. 이때 제1 제어부(260a)는 고장 또는 메인터넌스 하고 있기 때문에 이들의 최신 정보 데이터를 다운로드하지 못하는 상태가 된다. 이러한 경우, 제1 제어부(260b)가 대체 다운로드를 수행하여 최신 정보 데이터를 기억부(263b)에 저장해 놓고, 제1 제어부(260a)가 정상 상태로 돌아간 것을 검출한 후에 제1 제어부(260a)에 최신 정보 데이터를 송신해도 좋다. 여기서 정상 상태로 돌아간다는 것은 정상 상태로 회복된다고도 말한다. 또한 정상 상태란 전술한 판정 공정(S202)에서 YES 판정이 되는 상태를 의미한다. 또한 제1 제어부(260b)가 최신 정보 데이터의 유무 데이터를 보지해두고, 제1 제어부(260a)가 정상 상태로 돌아간 것을 검출한 후에 제1 제어부(260a)로부터, 상위 장치(500)에 대하여 최신 정보 데이터의 다운로드 요구를 지시하는 데이터를 송신해도 좋다.
이상, 본 개시의 일 실시 형태를 구체적으로 설명했지만 본 개시는 전술한 실시 형태에 한정되지 않고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.
또한 전술에서는 반도체 장치의 제조 공정에 대해서 기재했지만, 실시 형태에 따른 발명은 반도체 장치의 제조 공정 이외에도 적용 가능하다. 예컨대 액정 디바이스의 제조 공정, 태양 전지의 제조 공정, 발광 디바이스의 제조 공정, 유리 기판의 처리 공정, 세라믹 기판의 처리 공정, 도전성 기판의 처리 공정, 등의 기판 처리가 있다.
또한 전술에서는 원료 가스(제1 처리 가스)로서 실리콘 함유 가스, 반응 가스(제2 처리 가스)로서 질소 함유 가스를 이용하여 실리콘 질화막을 형성하는 예를 제시했지만, 다른 가스를 이용한 성막에도 적용 가능하다. 예컨대 산소 함유막, 질소 함유막, 탄소 함유막, 붕소 함유막, 금속 함유막과 이들의 원소가 복수 함유된 막 등이 있다. 또한 이들의 막으로서는 예컨대 AlO막, ZrO막, HfO막, HfAlO막, ZrAlO막, SiC막, SiCN막, SiBN막, TiN막, TiC막, TiAlC막 등이 있다.
또한 전술에서는 하나의 처리실에서 1매의 기판을 처리하는 장치 구성을 제시했지만 이에 한정되지 않고, 복수 매의 기판을 수평 방향 또는 수직 방향으로 배열한 장치이어도 좋다.
100: 기판 처리 장치 200: 웨이퍼(기판)
260: 제1 제어부 280: 제2 제어부

Claims (20)

  1. 기판을 프로그램에 기초하여 처리하는 처리 수행부;
    상기 프로그램을 처리하는 제1 제어부; 및
    상기 제1 제어부로부터 수신한 데이터에 기초하여 상기 처리 수행부를 제어하는 제2 제어부;
    를 포함하고,
    상기 제1 제어부는 다른 기판 처리 장치에 설치된 제1 제어부의 가동 데이터의 판정을 수행하고, 상기 다른 기판 처리 장치의 제1 제어부에서 불량이 발생했다고 판정했을 때, 상기 다른 기판 처리 장치에 설치된 제1 제어부의 대체 제어를 실행 가능하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 제어부는 입출력 장치를 포함하고,
    상기 제1 제어부는 상기 다른 기판 처리 장치에 설치된 제1 제어부에서 불량이 발생했다고 판정했을 때, 상기 입출력 장치에 상기 다른 기판 처리 장치의 제어 요구를 보지(報知)하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 제어부는 기억부를 포함하고,
    상기 제1 제어부는 상기 다른 기판 처리 장치의 제1 제어부가 포함하는 장치 데이터를 정기적으로 상기 기억부에 기록하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1 제어부는 기억부를 포함하고,
    상기 제1 제어부는 상기 다른 기판 처리 장치의 제1 제어부가 포함하는 장치 데이터를 정기적으로 상기 기억부에 기록하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 제어부는 상기 다른 기판 처리 장치에 설치된 제1 제어부의 대체 제어 실행 중에 상기 다른 기판 처리 장치에 관한 최신 정보 데이터를 수신하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 제어부는 상기 다른 기판 처리 장치에 설치된 제1 제어부가 정상 상태로 회복했을 때, 상기 최신 정보 데이터를 상기 다른 기판 처리 장치에 설치된 제1 제어부에 송신하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 대체 제어에서는 상기 제1 제어부는 상기 다른 기판 처리 장치에 설치된 제2 제어부의 제어를 수행하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 대체 제어에서는 상기 제1 제어부는 상기 다른 기판 처리 장치에 설치된 제2 제어부의 제어를 수행하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  9. 제3항에 있어서,
    상기 대체 제어에서는 상기 제1 제어부는 상기 다른 기판 처리 장치에 설치된 제2 제어부의 제어를 수행하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  10. 제5항에 있어서,
    상기 대체 제어에서는 상기 제1 제어부는 상기 다른 기판 처리 장치에 설치된 제2 제어부의 제어를 수행하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 제어부는 상기 다른 기판 처리 장치의 상기 제1 제어부의 대체 제어가 불가능할 때는 또 다른 기판 처리 장치의 제1 제어부와 상위 장치 중 어느 하나 또는 양방(兩方)에 대체 제어 요구를 송신하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제1 제어부는 상기 다른 기판 처리 장치의 상기 제1 제어부의 대체 제어가 불가능할 때는 또 다른 기판 처리 장치의 제1 제어부와 상위 장치 중 어느 하나 또는 양방에 대체 제어 요구를 송신하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제2 제어부는 상기 다른 기판 처리 장치의 제1 제어부에 대체 제어 요구를 송신 가능하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  14. 제2항에 있어서,
    상기 제2 제어부는 상기 다른 기판 처리 장치의 제1 제어부에 대체 제어 요구를 송신 가능하도록 구성되는 기판 처리 장치.
  15. 기판 처리 장치에 설치된 제1 제어부가 프로그램을 처리하는 공정;
    상기 기판 처리 장치에 설치된 제2 제어부가 상기 처리된 프로그램에 기초하여 처리 수행부를 제어하여 기판을 처리하는 공정;
    상기 제1 제어부가 다른 기판 처리 장치에 설치된 제1 제어부의 가동 데이터를 판정하는 공정; 및
    상기 다른 기판 처리 장치의 제1 제어부에서 불량이 발생했다고 판정했을 때, 상기 제1 제어부로부터 상기 다른 기판 처리 장치에 설치된 제1 제어부의 대체 제어를 실행하는 공정;
    을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 다른 기판 처리 장치에 설치된 제1 제어부에서 불량이 발생했다고 판정했을 때, 상기 제1 제어부가 상기 제1 제어부에 설치된 입출력 장치에 상기 다른 기판 처리 장치의 제어 요구를 보지하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제1 제어부가 상기 다른 기판 처리 장치의 제1 제어부가 포함하는 장치 데이터를 정기적으로 기억부에 기록하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  18. 기판 처리 장치에 설치된 제1 제어부가 프로그램을 처리시키는 순서;
    상기 기판 처리 장치에 설치된 제2 제어부가 상기 처리된 프로그램에 기초하여 처리 수행부를 제어하여 기판을 처리시키는 순서;
    상기 제1 제어부가 다른 기판 처리 장치에 설치된 제1 제어부의 가동 데이터를 판정시키는 순서; 및
    상기 다른 기판 처리 장치의 제1 제어부에서 불량이 발생했다고 판정했을 때, 상기 제1 제어부로부터 상기 다른 기판 처리 장치에 설치된 제1 제어부의 대체 제어를 실행시키는 순서;
    를 컴퓨터에 의해 기판 처리 장치에 실행시키는 프로그램이 기록된 기록 매체.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 다른 기판 처리 장치에 설치된 제1 제어부에서 불량이 발생했다고 판정했을 때, 상기 제1 제어부가 상기 제1 제어부에 설치된 입출력 장치에 상기 다른 기판 처리 장치의 제어 요구를 보지시키는 순서를 포함하는 기록 매체.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 제1 제어부가 상기 다른 기판 처리 장치의 제1 제어부가 포함하는 장치 데이터를 정기적으로 기억부에 기록시키는 순서를 포함하는 기록 매체.
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