CN111129435A - 一种薄膜锂电池及界面修饰层的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于化学电源技术领域,特别是涉及用于一种薄膜锂电池及界面修饰层的制备方法,包括如下步骤,S1、在基底上沉积金属作为缓冲层;S2、在缓冲层上沉积金属作为集流体;S3、在S2中金属上沉积正极薄膜;将沉积好的正极薄膜放置退火炉中;S4、采用原子层沉积技术,以三甲基铝,四乙氧基硅烷,四异丙醇钛中的一种或多种组合作为前躯体、去离子水为氧源,反应温度200℃,在正极薄膜表面沉积5‑20nm厚度的界面修饰层,对退火后的正极薄膜表面进行包覆。膜锂电池界面修饰层,由于采用原子力沉积法制备薄膜修饰层,此薄膜修饰层比较致密,修饰了高温退火过程中正极薄膜形成的微小裂缝,降低了电池内部短路情况,提高了电池性能。
Description
技术领域
本发明属于化学电源技术领域,特别是涉及用于一种薄膜锂电池及界面修饰层的制备方法。
背景技术
随着信息化和智能化的不断进步、微型化器件、物联网节点、智能尘埃以及可穿戴电子产品的不断发展,迫切需求体积小、重量轻、容量高、循环寿命长以及高安全性的微型电源。薄膜锂电池作为微型电源具有更小的体积、更长的使用寿命、更好的稳定性和安全性,它在军事、通讯、空间等领域都有广阔的应用前景。小尺寸的微型电池在微电子机械系统(MEMS)和微型芯片领域发展迅速,其是一种一体化的微型器件系统,由微传感器、微执行器、信号处理和控制电路、通讯接口和电源等部件组成。因而,电源系统必须能投在一般条件下集成在电路芯片上,要求电源系统微型化、薄膜化和全固态化。
固态二次电池由于高安全性、高比能和长寿命的特性,是目前化学电源重要的研究方向。全固态薄膜锂电池作为一种固态二次电池,由于体积小、重量轻、寿命长等优点而备受关注。1983年Kanehori等开发出第一个全固态薄膜锂电池,至1993年橡树岭国家实验室(ORNL)Bates J B等人开发出LiPON,具有良好的化学稳定性,可耐5V电压,离子电导率高(10-6S/cm),是当时全固态薄膜锂电池中最佳的电解质薄膜材料。
全固态薄膜锂电池作为能源主要有以下优点:(1)比传统的镍镉、镍氢电池、块状锂电池等具有更高的比容量和能量密度;(2)可以制成任何形状和尺寸,可直接集成在电路中或电子器件上;(3)具有优越的充放电循环性能,自放电率小、无记忆效应;(4)具有很好的安全性能,在工作时无气体产生;(5)具有保护层,将电池材料与大气环境隔开,性能高度稳定;(6)工作温度范围大,可应用于许多极端的场合,如航空、航天、探测等领域。
目前,薄膜锂电池所用的正极薄膜需要高温退火处理形成结晶状态,在高温退火过程中,形成大量裂缝和孔洞,从而使电池的放电容量和循环性能受到限制,并且在长期循环过程中,易形成内部短路,造成电池损坏。这些问题大幅度影响了薄膜锂电池的实际发展和应用。
发明内容
针对现有技术中存在的问题,本发明的目的在于提供一种薄膜锂电池及界面修饰层的制备方法。薄膜锂电池界面修饰层,由于采用原子力沉积法制备薄膜修饰层,此薄膜修饰层比较致密,修饰了高温退火过程中正极薄膜形成的微小裂缝,降低了电池内部短路情况,提高了电池性能。
通过对薄膜锂电池的正极薄膜进行修饰,减少内部微短路和裂缝的程度,进而提高电池的放电容量和循环稳定性。
为了实现上述目的,本发明所采用的具体技术方案为:
一种薄膜锂电池界面修饰层的制备方法,界面修饰层可为氧化铝、氧化硅或氧化钛的一种或多种组合;具体制备工艺过程如下:
S1、在基底上沉积金属作为缓冲层,缓冲层厚度为50-300nm;
S2、在缓冲层上沉积金属作为集流体,集流体厚度为50-300nm;
S3、在S2中金属上沉积正极薄膜,薄膜厚度为500nm-3000nm;将沉积好的正极薄膜放置退火炉中,加热速率为2-10℃/min,由常温加热至500-800℃,保持0.5-2h;
S4、采用原子层沉积技术,以三甲基铝(TMAI),四乙氧基硅烷(TEOS),四异丙醇钛(Ti(iPrO)4)中的一种或多种组合作为前躯体、去离子水为氧源,反应温度200℃,在正极薄膜表面沉积5-20nm厚度的界面修饰层,对退火后的正极薄膜表面进行包覆。
进一步,S1所述基底为玻璃、石墨、硅片、不锈钢、云母、钛箔、铝箔、聚酰亚胺、氧化物陶瓷片中的一种。
进一步,S3正极薄膜为钴酸锂、锰酸锂、镍酸锂、(锂)钒氧化物、磷酸铁锂、磷酸钒锂、锂镍钴锰氧化物、锂钛氧化物、锂镍锰氧化物、锂镍钴氧化物中的一种或多种组合。
进一步,S1中制备缓冲层的方法包括:选择一种基底,采用直流磁控溅射法,以高纯金属Ti为靶材,溅射气体为高纯Ar,工作气压为0.2Pa,溅射功率50W,溅射沉积金属Ti薄膜作为缓冲层。
进一步,S2中制备集流体的方法包括:基于S1样品,以高纯金属铂为靶材,工作气压为0.2Pa,溅射功率为50W,直流磁控溅射金属铂薄膜作为正极集流体。
进一步,S3中沉积正极薄膜的方法包括:基于S2样品,射频磁控溅射沉积正极薄膜,以高纯LiCoO2为靶材,溅射气体为高纯Ar,工作气压为0.3Pa,溅射功率90W。
进一步,S4中沉积修饰层的方法包括:将退火后的正极薄膜放置在原子层沉积设备ALD中,抽真空至0.2Torr,调节腔室温度200℃,管路温度100℃,去离子水蒸气进气0.2s,反应30s,抽真空30s,前驱体进气0.1s,反应30s,抽真空30s,该过程为一个循环,循环30个循环。
进一步,本发明还公开了上述薄膜锂电池的制备方法,包括上述修饰层的基础上依次制备电解质薄膜、负极集流体和负极;具体方法如下:
步骤一、基于S4获得的样品,继续溅射沉积电解质薄膜(LiPON),电解质薄膜厚度为0.5-1.5μm;
步骤二、基于步骤一样品,以高纯金属Li片为原材料,蒸发沉积Li负极薄膜,负极薄膜厚度为0.5-1.0μm;
步骤三、基于步骤二样品,以金属Cu粒为原材料,蒸发沉积Cu薄膜作为负极集流体,完成微型全固态薄膜锂电池的制备。
更进一步,步骤一中沉积电解质薄膜的方法包括:采用射频磁控溅射法以高纯Li3PO4为靶材,溅射气体为高纯N2,工作气压为0.2Pa,溅射功率为80W。
本发明的优点及积极效果为:
本发明是通过在正极薄膜表面沉积具有一定厚度范围的界面修饰层,在正极薄膜退火结晶过程中,与界面修饰层发生反应,从而改善正极薄膜的微观形貌,达到改善薄膜锂电池电化学性能的作用;性能优良的界面修饰层具有降低薄膜锂电池内阻,减少内部微短路,提高薄膜锂电池的比容量和循环性能。本发明界面修饰层及其制备方法,具有易于制备和大规模生产等优点。
附图说明
图1为本发明实施例1中薄膜锂电池正极薄膜的表面形貌图;
图2为本发明实施例1中未修饰的薄膜锂电池的充放电容量和循环性能图;
图3为本发明实施例1中修饰层氧化铝的表面形貌图;
图4为本发明实施例1中修饰后薄膜锂电池的充放电容量和循环性能图。
具体实施方式
为能进一步了解本发明的内容、特点及功效,兹例举以下实施例,并配合附图详细说明如下:
参阅附图1、图2、图3和图4:
实施例1
一种薄膜锂电池界面修饰层的制备方法,该方法是在基底上依次制备缓冲层、正极集流体、正极薄膜、修饰层;具体制备工艺过程如下:
S1、以普通玻璃为基底,采用直流磁控溅射法,以高纯金属Ti为靶材,溅射气体为高纯Ar,工作气压为0.2Pa,溅射功率50W,溅射沉积金属Ti薄膜作为缓冲层,厚度约50nm;
S2、基于S1样品,以高纯金属铂为靶材,工作气压为0.2Pa,溅射功率为50W,直流磁控溅射金属铂薄膜作为正极集流体;集流体厚度为50nm;
S3、基于S2样品,继续射频磁控溅射沉积正极薄膜,以高纯LiCoO2为靶材,溅射气体为高纯Ar,工作气压为0.3Pa,溅射功率90W,厚度约0.5-1.5μm,放置于马弗炉以2℃/min的速率由常温升至550℃退火0.5h;
S4、基于S3样品,在正极薄膜表面沉积界面修饰层薄膜:具体的,将退火后的正极薄膜放置在原子层沉积设备ALD中,抽真空至0.2Torr,调节腔室温度200℃,管路温度100℃,去离子水蒸气进气0.2s,反应30s,抽真空30s,三甲基铝(TMAI)进气0.1s,反应30s,抽真空30s,该过程为一个循环,循环30个循环,沉积约5nm的三氧化二铝修饰层,对退火后的正极薄膜表面进行包覆。
上述薄膜锂电池的制备包括在上述步骤基础上进行电解质薄膜、负极集流体和负极的制备,主要包括:
步骤一、基于上述S4样品,继续溅射沉积电解质薄膜(LiPON),采用射频磁控溅射法以高纯Li3PO4为靶材,溅射气体为高纯N2,工作气压为0.2Pa,溅射功率为80W,厚度约0.5-1.5μm;
步骤二、基于上述步骤一样品,以高纯金属Li片为原材料,蒸发沉积Li负极薄膜,厚度约0.5-1.0μm;
步骤三、基于上述步骤二样品,以金属Cu粒为原材料,蒸发沉积Cu薄膜作为负极集流体,完成微型全固态薄膜锂电池的制备。将上述制备的微型全固态薄膜锂电池,采用Land电池测试系统测试电池放电容量和循环性能,电压范围为3V~4.2V,电流密度为50uA/cm2,测试温度为25℃。
实施例2
一种薄膜锂电池及界面修饰层的制备方法,该方法是在基底上依次制备缓冲层、正极集流体、正极薄膜、修饰层;具体制备工艺过程如下:
S1、以普通玻璃为基底,采用直流磁控溅射法,以高纯金属Ti为靶材,溅射气体为高纯Ar,工作气压为0.2Pa,溅射功率50W,溅射沉积金属Ti薄膜作为缓冲层,厚度约150nm;
S2、基于S1样品,以高纯金属铂为靶材,工作气压为0.2Pa,溅射功率为50W,直流磁控溅射金属铂薄膜作为正极集流体;集流体厚度为150nm;
S3、基于S2样品,继续射频磁控溅射沉积正极薄膜,以高纯LiCoO2为靶材,溅射气体为高纯Ar,工作气压为0.3Pa,溅射功率90W,厚度约1.5-2.5μm,放置于马弗炉以6℃/min的速率由常温升至650℃退火1h;
S4、基于S3样品,在正极薄膜表面沉积界面修饰层薄膜:具体的,将退火后的正极薄膜放置在原子层沉积设备ALD中,抽真空至0.2Torr,调节腔室温度200℃,管路温度100℃,去离子水蒸气进气0.2s,反应30s,抽真空30s,四乙氧基硅烷进气0.1s,反应30s,抽真空30s,该过程为一个循环,循环30个循环,沉积约15nm的氧化硅修饰层,对退火后的正极薄膜表面进行包覆。
上述薄膜锂电池的制备包括在上述步骤基础上进行电解质薄膜、负极集流体和负极的制备,主要包括:
步骤一、基于上述S4样品,继续溅射沉积电解质薄膜(LiPON),采用射频磁控溅射法以高纯Li3PO4为靶材,溅射气体为高纯N2,工作气压为0.2Pa,溅射功率为80W,厚度约0.5-1.5μm;
步骤二、基于上述步骤一样品,以高纯金属Li片为原材料,蒸发沉积Li负极薄膜,厚度约0.5-1.0μm;
步骤三、基于上述步骤二样品,以金属Cu粒为原材料,蒸发沉积Cu薄膜作为负极集流体,完成微型全固态薄膜锂电池的制备。将上述制备的微型全固态薄膜锂电池,采用Land电池测试系统测试电池放电容量和循环性能,电压范围为3V~4.2V,电流密度为50uA/cm2,测试温度为25℃。
实施例3
一种薄膜锂电池及界面修饰层的制备方法,该方法是在基底上依次制备缓冲层、正极集流体、正极薄膜、修饰层;具体制备工艺过程如下:
S1、以普通玻璃为基底,采用直流磁控溅射法,以高纯金属Ti为靶材,溅射气体为高纯Ar,工作气压为0.2Pa,溅射功率50W,溅射沉积金属Ti薄膜作为缓冲层,厚度约300nm;
S2、基于S1样品,以高纯金属铂为靶材,工作气压为0.2Pa,溅射功率为50W,直流磁控溅射金属铂薄膜作为正极集流体;集流体厚度为300nm;
S3、基于上述S2样品,继续射频磁控溅射沉积正极薄膜,以高纯LiCoO2为靶材,溅射气体为高纯Ar,工作气压为0.3Pa,溅射功率90W,厚度约2.5-3.0μm,放置于马弗炉以10℃/min的速率由常温升至800℃退火2h;
S4、基于上述S3样品,在正极薄膜表面沉积界面修饰层薄膜:具体的,将退火后的正极薄膜放置在原子层沉积设备ALD中,抽真空至0.2Torr,调节腔室温度200℃,管路温度100℃,去离子水蒸气进气0.2s,反应30s,抽真空30s,四异丙醇钛进气0.1s,反应30s,抽真空30s,该过程为一个循环,循环30个循环,沉积约20nm的氧化钛修饰层,对退火后的正极薄膜表面进行包覆。
上述薄膜锂电池的制备包括在上述步骤基础上进行电解质薄膜、负极集流体和负极的制备,主要包括:
步骤一、基于上述S4样品,继续溅射沉积电解质薄膜(LiPON),采用射频磁控溅射法以高纯Li3PO4为靶材,溅射气体为高纯N2,工作气压为0.2Pa,溅射功率为80W,厚度约0.5-1.5μm;
步骤二、基于上述步骤一样品,以高纯金属Li片为原材料,蒸发沉积Li负极薄膜,厚度约0.5-1.0μm;
步骤三、基于上述步骤二样品,以金属Cu粒为原材料,蒸发沉积Cu薄膜作为负极集流体,完成微型全固态薄膜锂电池的制备。将上述制备的微型全固态薄膜锂电池,采用Land电池测试系统测试电池放电容量和循环性能,电压范围为3V~4.2V,电流密度为50uA/cm2,测试温度为25℃。
以上所述仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制,凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改,等同变化与修饰,均属于本发明技术方案的范围内。
Claims (9)
1.一种薄膜锂电池及界面修饰层的制备方法,界面修饰层可为氧化铝、氧化硅或氧化钛的一种或多种组合;其特征在于:包括如下步骤,
S1、在基底上沉积金属作为缓冲层,缓冲层厚度为50-300nm;
S2、在缓冲层上沉积金属作为集流体,集流体厚度为50-300nm;
S3、在S2中金属上沉积正极薄膜,薄膜厚度为500nm-3000nm;将沉积好的正极薄膜放置退火炉中,加热速率为2-10℃/min,由常温加热至500-800℃,保持0.5-2h;
S4、采用原子层沉积技术,以三甲基铝(TMAI),四乙氧基硅烷(TEOS),四异丙醇钛(Ti(iPrO)4)中的一种或多种组合作为前躯体、去离子水为氧源,反应温度200℃,在正极薄膜表面沉积5-20nm厚度的界面修饰层,对退火后的正极薄膜表面进行包覆。
2.如权利要求1所述的薄膜锂电池及界面修饰层的制备方法,其特征在于:S1所述基底为玻璃、石墨、硅片、不锈钢、云母、钛箔、铝箔、聚酰亚胺、氧化物陶瓷片中的一种。
3.如权利要求1所述的薄膜锂电池及界面修饰层的制备方法,其特征在于:S3正极薄膜为钴酸锂、锰酸锂、镍酸锂、(锂)钒氧化物、磷酸铁锂、磷酸钒锂、锂镍钴锰氧化物、锂钛氧化物、锂镍锰氧化物、锂镍钴氧化物中的一种或多种组合。
4.如权利要求1所述的薄膜锂电池及界面修饰层的制备方法,其特征在于:S1中制备缓冲层的方法包括:选择一种基底,采用直流磁控溅射法,以高纯金属Ti为靶材,溅射气体为高纯Ar,工作气压为0.2Pa,溅射功率50W,溅射沉积金属Ti薄膜作为缓冲层。
5.如权利要求1所述的薄膜锂电池及界面修饰层的制备方法,其特征在于:S2中制备集流体的方法包括:基于S1样品,以高纯金属铂为靶材,工作气压为0.2Pa,溅射功率为50W,直流磁控溅射金属铂薄膜作为正极集流体。
6.如权利要求1所述的薄膜锂电池及界面修饰层的制备方法,其特征在于:S3中沉积正极薄膜的方法包括:基于S2样品,射频磁控溅射沉积正极薄膜,以高纯LiCoO2为靶材,溅射气体为高纯Ar,工作气压为0.3Pa,溅射功率90W。
7.如权利要求1所述的薄膜锂电池及界面修饰层的制备方法,其特征在于:S4中沉积修饰层的方法包括:将退火后的正极薄膜放置在原子层沉积设备ALD中,抽真空至0.2Torr,调节腔室温度200℃,管路温度100℃,去离子水蒸气进气0.2s,反应30s,抽真空30s,前驱体进气0.1s,反应30s,抽真空30s,该过程为一个循环,循环30个循环。
8.一种薄膜锂电池的制备方法,该方法是在权利要求1至7任一项所述的界面修饰层的基础上进行电解质薄膜、负极集流体和负极的制备,其特征在于,具体步骤如下:
步骤一、基于S4获得的样品,继续溅射沉积电解质薄膜(LiPON),电解质薄膜厚度为0.5-1.5μm;
步骤二、基于步骤一样品,以高纯金属Li片为原材料,蒸发沉积Li负极薄膜,负极薄膜厚度为0.5-1.0μm;
步骤三、基于步骤二样品,以金属Cu粒为原材料,蒸发沉积Cu薄膜作为负极集流体,完成微型全固态薄膜锂电池的制备。
9.如权利要求8所述的薄膜锂电池的制备方法,其特征在于:步骤一中沉积电解质薄膜的方法包括:采用射频磁控溅射法以高纯Li3PO4为靶材,溅射气体为高纯N2,工作气压为0.2Pa,溅射功率为80W。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113488643A (zh) * | 2021-06-30 | 2021-10-08 | 陕西科技大学 | 一种锂离子电池三元正极材料表面包覆改性方法 |
CN114156478A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-03-08 | 厦门韫茂科技有限公司 | 一种包覆共嵌式薄膜的正极材料、制备方法及锂离子电池 |
CN114335439A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-12 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 等离子诱导生长高结晶薄膜电极及薄膜电池的制备方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61165965A (ja) * | 1986-01-08 | 1986-07-26 | Hitachi Ltd | 高集積化電源素子 |
CN104701487A (zh) * | 2013-12-10 | 2015-06-10 | 通用汽车环球科技运作有限责任公司 | 用于获得高性能硅阳极的纳米复合涂层 |
US20150180023A1 (en) * | 2013-12-23 | 2015-06-25 | GM Global Technology Operations LLC | Multifunctional hybrid coatings for electrodes made by atomic layer deposition techniques |
CN106531949A (zh) * | 2016-11-07 | 2017-03-22 | 天津瑞晟晖能科技有限公司 | 一种直立结构的全固态薄膜锂离子电池极耳引出方法 |
CN106663840A (zh) * | 2014-08-28 | 2017-05-10 | 应用材料公司 | 包含用于降低界面电阻和过电位的中间层的电化学装置堆叠 |
JP2017216054A (ja) * | 2016-05-30 | 2017-12-07 | トヨタ自動車株式会社 | リチウム硫黄電池の製造方法 |
CN109309145A (zh) * | 2018-11-16 | 2019-02-05 | 常州大学 | 一种新型p+/p/n硒化锑薄膜电池的制备方法 |
-
2019
- 2019-12-20 CN CN201911326014.1A patent/CN111129435A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61165965A (ja) * | 1986-01-08 | 1986-07-26 | Hitachi Ltd | 高集積化電源素子 |
CN104701487A (zh) * | 2013-12-10 | 2015-06-10 | 通用汽车环球科技运作有限责任公司 | 用于获得高性能硅阳极的纳米复合涂层 |
US20150180023A1 (en) * | 2013-12-23 | 2015-06-25 | GM Global Technology Operations LLC | Multifunctional hybrid coatings for electrodes made by atomic layer deposition techniques |
CN106663840A (zh) * | 2014-08-28 | 2017-05-10 | 应用材料公司 | 包含用于降低界面电阻和过电位的中间层的电化学装置堆叠 |
JP2017216054A (ja) * | 2016-05-30 | 2017-12-07 | トヨタ自動車株式会社 | リチウム硫黄電池の製造方法 |
CN106531949A (zh) * | 2016-11-07 | 2017-03-22 | 天津瑞晟晖能科技有限公司 | 一种直立结构的全固态薄膜锂离子电池极耳引出方法 |
CN109309145A (zh) * | 2018-11-16 | 2019-02-05 | 常州大学 | 一种新型p+/p/n硒化锑薄膜电池的制备方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113488643A (zh) * | 2021-06-30 | 2021-10-08 | 陕西科技大学 | 一种锂离子电池三元正极材料表面包覆改性方法 |
CN114156478A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-03-08 | 厦门韫茂科技有限公司 | 一种包覆共嵌式薄膜的正极材料、制备方法及锂离子电池 |
CN114156478B (zh) * | 2021-11-30 | 2023-09-05 | 厦门韫茂科技有限公司 | 一种包覆共嵌式薄膜的正极材料、制备方法及锂离子电池 |
CN114335439A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-12 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 等离子诱导生长高结晶薄膜电极及薄膜电池的制备方法 |
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