CN106340626A - 一种高容量储锂氧化物纳米薄膜复合膨胀石墨材料及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于电化学技术领域,具体为一种高容量储锂氧化物纳米薄膜复合膨胀石墨材料及其制备方法。本发明制备步骤为:首先利用原子层沉积的方法在膨胀石墨上生长高容量储锂氧化物(ZnO、TiO2)纳米薄膜;然后将覆盖高容量储锂氧化物(ZnO、TiO2)纳米薄膜的膨胀石墨置于氧化铝坩埚中;并将氧化铝坩埚放入已经设置好一定加热程序的管式炉中,通入适当的气体,进行热处理;冷却后取出,即得高容量储锂氧化物纳米薄膜复合膨胀石墨复合材料。本发明工艺简单,制备温度低,得到的高容量储锂氧化物纳米薄膜复合膨胀石墨既可以保留石墨的超高电导率,同时利用膨胀石墨缓冲高容量储锂氧化物纳米薄膜脱嵌锂过程中的体积变化,保留了储锂氧化物的容量,提高了储锂氧化物的循环稳定性。
Description
技术领域
本发明属于电化学技术领域,具体涉及一种可用于锂电池负极材料的高容量储锂氧化物(ZnO、TiO2)纳米薄膜复合膨胀石墨材料及其制备方法。
背景技术
锂离子电池是20世纪90年代研发成功的新型高能电池,是在锂二次电池的基础上发展起来的一种锂离子嵌入式电池。锂离子电池的研究致力于追求更高的能量密度、比功率、循环寿命、均一性、高低温性能、安全可靠性等。如何在拥有高能量密度的同时,兼有高的功率密度、高的循环稳定性,是锂离子电池电极材料未来研究发展的重点内容。
目前,在锂离子电池的负极材料方面,碳材料占据统治地位。其中典型的石墨类负极材料又包括天然石墨、人造石墨和石墨化中间相碳微球。目前市售的锂离子电池中 75%以上都使用石墨负极,循环性能和安全性较好。但是其理论比容量为 372m Ah/g,已经越来越不能满足社会生活中人们对于锂离子电池大比容量的需求,无论是小到便携式电子产品,还是大到电动汽车,所用锂离子电池的大比容量是人们所追求的。人们对高容量、长寿命锂离子电池的需求日益增长,而石墨的理论比容量限制了这一需求的满足,提高石墨电极的比容量势在必行。
如今,锂离子电池负极材料的研究及应用趋势是:石墨的改性,软、硬碳的开发与应用,高容量储锂氧化物的研发。在这三类材料中,第三类正逐渐赢得越来越多人的关注。高容量储锂氧化物负极材料具有比容量髙的优点,但脱嵌锂过程中的体积膨胀率太高,导致充放电过程中性能不稳定,距离实用化还有一定差距,需要不断改进。目前提升高容量储锂氧化物负极材料主要从以下几方面开展:材料的薄膜化、材料的纳米化、材料碳包覆、特殊形貌控制等方法。
膨胀石墨由石墨经过插层膨胀得到,具有超高比表面积、孔隙率、电导率,采用原子层沉积(ALD)方法在膨胀石墨上镀高容量储锂金属氧化物纳米薄膜,使得高容量储锂金属氧化物(ZnO、TiO2)薄膜化、纳米化,以利用膨胀石墨的超高孔隙率缓解高容量储锂金属氧化物(ZnO、TiO2)脱嵌锂过程中的体积膨胀,并结合超高电导率制得高性能锂电池负极材料。
发明内容
本发明的目的在于提供一种比容量高、循环性能稳定、成本低的高容量储锂氧化物纳米薄膜复合膨胀石墨材料的其制备方法,以解决现在该领域中存在的某些问题,提高高容量储锂氧化物纳米薄膜的循环稳定性,拓展该类材料的实际应用。
本发明提供的高容量储锂氧化物纳米薄膜复合膨胀石墨材料的其制备方法,具体步骤为
(1)利用ALD方法在膨胀石墨上生长高容量储锂氧化物(ZnO或TiO2)纳米薄膜:
生长TiO2纳米薄膜:在原子层沉积设备中,以钛源和水作为前驱体,控制钛源温度为50~150℃,水温度30~60℃,反应温度即基体温度为120~220℃,在膨胀好的石墨上进行若干个循环的生长,得到包覆有TiO2纳米薄膜的膨胀石墨;
生长ZnO纳米薄膜:在原子层沉积设备中,以锌源和水作为前驱体,控制锌源温度为30~45℃,水温度30~60℃,反应温度即基体温度为120~220℃,在膨胀好的海绵上进行若干个循环的生长,得到包覆有ZnO纳米薄膜的膨胀石墨;
(2)将包覆有TiO2或ZnO纳米薄膜的膨胀石墨置于氧化铝坩埚中;将氧化铝坩埚放入管式炉中,以0.2~1升/分钟的流速通入气体,以5~20℃/分钟的升温速度升温至500~900℃,灼烧,时间为1~5小时;待自然冷却后取出,即得到高容量储锂氧化物纳米薄膜材料。
本发明步骤(2)中,生长ZnO纳米薄膜时所用的锌源为二乙基锌,氧源为去离子水;生长TiO2纳米薄膜时所用钛源为四(二甲氨基)钛,氧源为去离子水。
本发明步骤(1)中,所述前驱体的温度和基体温度可以根据需要进行改变;锌源温度优选35~45℃,钛源温度优选100~110℃,水温度优选为50~55℃,反应温度即基体温度优选为140~160℃。
本发明步骤(1)中,所述原子层沉积过程中前驱体的循环次数可以根据需要进行改变。
本发明步骤(2)中,所述气体为N2或Ar的纯气体。
本发明步骤(2)中,所述管式炉热处理温度程序可以根据需要进行改变。TiO2纳米薄膜制备过程中升温速度优选为15-18℃/min,灼烧温度优选500~800℃,灼烧时间优选3-4小时;ZnO纳米薄膜制备过程中升温速度优选为10-18℃/min,灼烧温度优选500~700℃,灼烧时间优选3-4小时。
本发明将插层处理后的天然鳞片石墨进行膨胀处理,然后用得到的膨石墨与高容量储锂氧化物纳米薄膜进行复合。相比于天然鳞片石墨,膨胀石墨可以缓冲高容量储锂氧化物负极材料在嵌脱锂离子的过程中产生的体积效应,改善循环性能,延长电池的寿命,减少电极的不可逆容量,在充放电过程中维持一定的电极结构,提高电极的循环性能。按照以上方法,将高容量储锂氧化物负极材料与石墨负极材料的优势相结合,既获得较高的可逆比容量,又具有一定的循环稳定性。
本发明利用原子层沉积的方法在膨胀石墨上沉积不同厚度的高容量储锂氧化物(ZnO或TiO2)纳米薄膜,然后经过简单的退火处理即可获取具有高容量储锂氧化物纳米薄膜复合膨胀石墨。因此本发明具有设备简单,成本低廉,生产周期短等优点,具有较好的生产商业化的前景,提高锂电池容量和稳定循环性能。
附图说明
图1为本发明的高容量储锂氧化物纳米薄膜复合膨胀石墨材料的制备流程示意图。其中,1. 石墨;2. 膨胀石墨;3. ALD;4. 高容量储锂金属氧化物(TiO2、ZnO);5. 膨胀石墨复合高容量储锂金属氧化物(EG@TiO2、EG@ZnO。
图2为实施例1中的膨胀石墨的扫描电子显微镜(SEM)照片。
图3为实施例1中制备的ZnO纳米薄膜复合膨胀石墨负极材料的扫描电子显微镜(SEM)照片。
图4为实施例2中制备的TiO2纳米薄膜复合膨胀石墨的扫描电子显微镜(SEM)照片。
具体实施方式
以下结合实施例旨在进一步说明本发明,但这些实施例仅用于说明本发明而不构成对本发明范围的限制。
实施例1
(1)制备膨胀石墨
将插层处理后的可膨胀石墨倒入至于900℃的马弗炉中的陶瓷坩埚内膨化处理,通入0.6升/分的氮气作保护气,膨化20秒,得到膨胀石墨;
(2)利用ALD方法在膨胀石墨上生长ZnO纳米薄膜;
所述ALD方法,以二乙基锌和水作为前驱体,其温度分别控制为35℃和45℃。反应温度即基体温度设为150℃。在膨胀石墨上生长200个循环后取出即得到具有ZnO纳米薄膜的膨胀石墨;
(3)将具有ZnO纳米薄膜的膨胀石墨置于氧化铝坩埚中;并将氧化铝坩埚放入管式炉中,通入氮气,进行热处理。以10℃/分钟的升温速度升温,灼烧温度为700℃,保温时间为3小时;待试样自然冷却后取出,将样品分别置于酒精中超声震碎干燥,即得到ZnO纳米薄膜复合膨胀石墨复合结构;
(4)可将制得的ZnO纳米薄膜复合膨胀石墨,与粘合剂PVDF按质量比8:1均匀混合后涂覆于铜箔,真空干燥12 h(120℃)后制得电极片,模拟扣式电池在氩气气氛手套箱内装配,对电极为金属锂片,电解液为1 mol/L LiPF6的碳酸乙烯酯(EC)/碳酸二甲酯(DMC)(体积比1:1)溶液, 并将制备出的扣式电池进行充放电测试。
图2为实例1制备的膨胀石墨的扫描电子显微镜(SEM)照片。
图3为实例1制备的ZnO纳米薄膜复合膨胀石墨负极材料的扫描电子显微镜(SEM)照片。
实施例2
(1)利用ALD方法在膨胀石墨上生长TiO2纳米薄膜;
所述ALD方法,以四(二甲氨基)钛和去离子水作为前驱体,源加热温度分别控制为105℃和45 ℃。反应温度即基体温度设为150 ℃,在膨胀石墨上生长50个循环后取出即得到包覆有TiO2纳米薄膜的膨胀石墨;
(2)将包覆TiO2纳米薄膜的膨胀石墨置于氧化铝坩埚中;并将氧化铝坩埚放入管式炉中,通入氮气,进行热处理。以10 ℃/分钟的升温速度升温,灼烧温度为500 ℃,保温时间为3小时,通入氮气流速为0.7升/分钟;待试样自然冷却后取出,将样品分别置于酒精中超声震碎,即得到大量膨胀石墨复合TiO2。
图4为实例2制备的TiO2纳米薄膜复合膨胀石墨的扫描电子显微镜(SEM)图;
实施例3
(1)利用ALD方法在膨胀石墨上生长ZnO纳米薄膜;
所述ALD方法,以二乙基锌和水作为前驱体,其温度分别控制为40℃和45℃。反应温度即基体温度设为120℃。在膨胀石墨上生长50个循环后取出即得到具有ZnO纳米薄膜的膨胀石墨;
(2)将具有ZnO纳米薄膜的膨胀石墨置于氧化铝坩埚中;并将氧化铝坩埚放入管式炉中,通入氮气,进行热处理。以10℃/分钟的升温速度升温,灼烧温度为600℃,保温时间为3小时;待试样自然冷却后取出,将样品分别置于酒精中超声震碎干燥,即得到ZnO纳米薄膜复合膨胀石墨复合材料;
(3)可将制得的ZnO纳米薄膜复合膨胀石墨,与粘合剂PVDF按质量比8:1均匀混合后涂覆于铜箔,真空干燥12 h(120℃)后制得电极片,模拟扣式电池在氩气气氛手套箱内装配,对电极为金属锂片,电解液为1 mol/L LiPF6的碳酸乙烯酯(EC)/碳酸二甲酯(DMC)(体积比1:1)溶液, 并将制备出的扣式电池进行充放电测试。
实施例4
(1)利用ALD方法在膨胀石墨上生长TiO2纳米薄膜;
所述原ALD方法,以四(二甲氨基)钛和去离子水作为前驱体,源加热温度分别控制为105 ℃和45 ℃。反应温度即基体温度设为130 ℃,在膨胀石墨上生长100个循环后取出即得到包覆有TiO2纳米薄膜的膨胀石墨;
(2)将包覆TiO2纳米薄膜的膨胀石墨置于氧化铝坩埚中;并将氧化铝坩埚放入管式炉中,通入氮气,进行热处理。以10 ℃/分钟的升温速度升温,灼烧温度为700 ℃,保温时间为3小时,通入氮气流速为0.5升/分钟;待试样自然冷却后取出,将样品分别置于酒精中超声震碎,即得到大量膨胀石墨复合TiO2;
(3)可将制得的TiO2纳米薄膜复合膨胀石墨,与粘合剂PVDF按质量比8:1均匀混合后涂覆于铜箔,恒温干燥6h(80℃)、真空干燥12 h(120℃)后制得电极片,模拟扣式电池在氩气气氛手套箱内装配,对电极为金属锂片,电解液为1 mol/L LiPF6的碳酸乙烯酯(EC)/碳酸二甲酯(DMC)(体积比1:1)溶液, 并将制备出的扣式电池进行充放电测试。
实施例5
(1)利用ALD方法在膨胀石墨上生长ZnO纳米薄膜;
所述ALD方法,以二乙基锌和水作为前驱体,其温度分别控制为40℃和45℃。反应温度即基体温度设为120℃。在膨胀石墨上生长400个循环后取出即得到具有ZnO纳米薄膜的膨胀石墨;
(2)将具有ZnO纳米薄膜的膨胀石墨置于氧化铝坩埚中;并将氧化铝坩埚放入管式炉中,通入氮气,进行热处理。以10℃/分钟的升温速度升温,灼烧温度为600℃,保温时间为3小时;待试样自然冷却后取出,将样品分别置于酒精中超声震碎干燥,即得到ZnO纳米薄膜复合膨胀石墨复合材料。
Claims (7)
1.一种高容量储锂氧化物纳米薄膜复合膨胀石墨材料的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:
(1)利用ALD方法在膨胀石墨上生长高容量储锂氧化物ZnO或TiO2纳米薄膜:
生长TiO2纳米薄膜:在原子层沉积设备中,以钛源和水作为前驱体,控制钛源温度为50~150℃,水温度30~60℃,反应温度即基体温度为120~220℃,在膨胀好的石墨上进行若干个循环的生长,得到包覆有TiO2纳米薄膜的膨胀石墨;
生长ZnO纳米薄膜:在原子层沉积设备中,以锌源和水作为前驱体,控制锌源温度为30~45℃,水温度30~60℃,反应温度即基体温度为120~220℃,在膨胀好的海绵上进行若干个循环的生长,得到包覆有ZnO纳米薄膜的膨胀石墨;
(2)将包覆有TiO2或ZnO纳米薄膜的膨胀石墨置于氧化铝坩埚中;将氧化铝坩埚放入管式炉中,以0.2~1升/分钟的流速通入气体,以5~20℃/分钟的升温速度升温至500~900℃,灼烧,时间为1~5小时;待自然冷却后取出,即得到高容量储锂氧化物纳米薄膜材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,生长ZnO纳米薄膜时所用的锌源为二乙基锌,氧源为去离子水;生长TiO2纳米薄膜时所用钛源为四(二甲氨基)钛,氧源为去离子水。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述锌源温度为35~45℃,钛源温度为100~110℃,水温度为50~55℃,反应温度即基体温度为140~160℃。
4.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述气体为N2或Ar的纯气体。
5.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中, TiO2纳米薄膜制备过程中升温速度为15-18℃/min,灼烧温度为500~800℃,灼烧时间为3-4小时;ZnO纳米薄膜制备过程中升温速度为10-18℃/min,灼烧温度为500~700℃,灼烧时间为3-4小时。
6.由权利要求1-5之一所述制备方法得到的高容量储锂氧化物纳米薄膜复合膨胀石墨复合材料。
7.如权利要求6的高容量储锂氧化物纳米薄膜复合膨胀石墨复合材料在制备锂离子电池负极中的应用。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20170118 |