CN111117625A - 硅基板蚀刻溶液及利用其的半导体器件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及硅基板蚀刻溶液及利用其的半导体器件的制造方法，更具体地，涉及利用可通过调节硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(硅)的浓度来提高蚀刻时的氮化硅膜与氧化硅膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液以及包括利用其来执行蚀刻工序的步骤的半导体器件的制造方法。

Description

硅基板蚀刻溶液及利用其的半导体器件的制造方法
技术领域
本发明涉及硅基板蚀刻溶液及利用其的半导体器件的制造方法，更具体地，涉及利用可通过调节硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(硅)的浓度来提高蚀刻时的氮化硅膜与氧化硅膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液以及包括利用硅基板蚀刻溶液执行蚀刻工序的步骤的半导体器件的制造方法。
背景技术
目前，蚀刻氮化硅膜及氧化硅膜的方法有多种，而干式蚀刻法及湿式蚀刻法为主要使用方法。
通常，干式蚀刻法作为利用气体的蚀刻法，具有各向同性优于湿式蚀刻法的优点，但是，由于干式蚀刻法的生产率远低于湿式蚀刻法且成本高，因此广泛使用湿式蚀刻法。
通常，湿式蚀刻法为将磷酸作为蚀刻溶液来使用的方法，这是众所周知的。在这种情况下，当为了氮化硅膜的蚀刻而仅使用纯磷酸时，随着器件变得精细，不仅蚀刻氮化硅膜，而且还蚀刻氧化硅膜，从而可发生各种缺陷及图案异常的问题，因此有必要进一步降低氧化硅膜的蚀刻速率。
发明内容
发明所要解决的问题
本发明的目的在于，提供可通过增加硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(硅)的浓度来降低对氧化硅膜的蚀刻速率并提高氮化硅膜与氧化硅膜的蚀刻选择比的硅基板蚀刻溶液。
并且，本发明的目的在于，提供可降低对氧化硅膜及氮化硅膜的蚀刻速率或者防止生成硅类颗粒的硅基板蚀刻溶液。
同时，本发明的目的在于，提供包括通过利用上述的硅基板蚀刻溶液来执行蚀刻工序的步骤的半导体器件的制造方法。
用于解决问题的方案
为了解决如上所述的技术问题，本发明的一实施方式提供包含无机酸水溶液及由下述化学式1表示的硅添加剂的硅基板蚀刻溶液。
化学式1：
Figure BDA0002255439200000021
在上述化学式1中，Z由下述化学式2表示：
化学式2：
Figure BDA0002255439200000022
X1及X2分别独立地为氧或硫。
R1至R4分别独立地选自氢、C1-C10烷基、C6-C12环烷基、包含至少一种杂原子的C2-C10杂烷基、C2-C10烯基、C2-C10炔基、C1-C10卤代烷基、C1-C10氨烷基、芳基、杂芳基、芳烷基、羟基、氨基、卤素、砜、膦、磷、巯基、烷氧基、酰胺、酯、酸酐、酰卤、氰基、羧基及唑。
Y1至Y4分别独立地选自氢、C1-C10烷基、C6-C12环烷基、包含至少一种杂原子的C2-C10杂烷基、C2-C10烯基、C2-C10炔基、C1-C10卤代烷基、C1-C10氨烷基、芳基、杂芳基、芳烷基、羟基、氨基、卤素、砜、膦、磷、巯基、烷氧基、酰胺、酯、酸酐、酰卤、氰基、羧基及唑。
n为1至5之间的整数。
并且，本发明的另一实施方式提供包括通过利用上述硅基板蚀刻溶液来执行蚀刻工序的步骤的半导体器件的制造方法。
发明效果
在蚀刻条件下，在本发明的硅基板蚀刻溶液中的硅添加剂可分解为酰胺(例如，在化学式1的X1及X2为氧的情况下)及硅烷化合物(例如，硅酸)，硅烷化合物可通过增加硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(硅)的浓度来降低对氧化硅膜的蚀刻速率。
在此情况下，本申请中所使用的硅添加剂为环状化合物，硅烷部分(moiety)及酰胺部分(moiety)的分解速度慢于硅烷部分与酰胺部分以链状键合的化合物，由此，可延迟硅烷化合物向硅蚀刻溶液中的释放速率。
据此，可通过防止硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(硅)的浓度快速增加来防止蚀刻效率随着对氧化硅膜及氮化硅膜的蚀刻速率的下降而降低。
并且，可预先防止硅基板蚀刻溶液中过度增加的硅烷化合物成为硅类颗粒的来源。
具体实施方式
参照后述的实施例会让本发明的优点、特点及实现这些的方法更加明确。但是，本发明并不局限于以下所公开的实施例，能够以互不相同的各种方式实施，本实施例用于使本发明所属技术领域的普通技术人员完整地理解本发明的范畴，本发明仅由发明要求保护范围限定。
以下，详细说明本发明的硅基板蚀刻溶液。
本发明的一实施方式提供包含无机酸水溶液及硅添加剂的硅基板蚀刻溶液。
优选地，作为本发明硅基板蚀刻溶液的蚀刻对象的硅基板至少包含氮化硅膜，可同时包含氧化硅膜及氮化硅膜。并且，在同时包含氧化硅膜及氮化硅膜的硅基板的情况下，硅基板可以是交替叠层或在不同区域中叠层氧化硅膜及氮化硅膜的形态。
其中，氧化硅膜根据用途及材料的种类等，可涉及旋涂式介电(Spin OnDielectric，SOD)膜、高密度等离子体(High Density Plasma，HDP)膜、热氧化(thermaloxide)膜、硼磷硅玻璃(Borophosphate Silicate Glass，BPSG)膜、磷硅玻璃(PhosphoSilicate Glass，PSG)膜、硼硅玻璃(Boro Silicate Glass，BSG)膜、聚硅氮烷(Polysilazane，PSZ)膜、掺氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass，FSG)膜、低压原硅酸四乙酯(Low Pressure Tetra Ethyl Ortho Silicate，LP-TEOS)膜、等离子体增强原硅酸四乙酯(Plasma Enhanced Tetra Ethyl Ortho Silicate，PE-TEOS)膜、高温氧化(HighTemperature Oxide，HTO)膜、中温氧化(Medium Temperature Oxide，MTO)膜、未掺杂硅玻璃(Undopped Silicate Glass，USG)膜、旋涂式玻璃(Spin On Glass，SOG)膜、高级平坦层(Advanced Planarization Layer，APL)膜、原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)膜、等离子增强氧化(Plasma Enhanced oxide)膜、O3-原硅酸四乙酯(O3-Tetra EthylOrtho Silicate，O3-TEOS)等。
其中，无机酸水溶液可以为包含选自硫酸、硝酸、磷酸、硅酸、氢氟酸、硼酸、盐酸及高氯酸中至少一种无机酸的水溶液。并且，除上述无机酸之外，可使用磷酸酐、焦磷酸及多磷酸。
无机酸水溶液是通过保持蚀刻溶液的pH来抑制蚀刻存在于溶液中的多种形态的硅烷化合物变成硅类颗粒的成分。
在一实施例中，优选地，相对于100重量份的硅基板蚀刻溶液，包含60重量份至90重量份的无机酸水溶液。
相对于100重量份的硅基板蚀刻溶液，当无机酸水溶液的含量小于60重量份时，氮化硅膜的蚀刻速率降低，因此存在不能充分蚀刻氮化硅膜或氮化硅膜的蚀刻工序效率性下降的隐患。
相反，相对于100重量份的硅基板蚀刻溶液，当无机酸水溶液的含量大于90重量份时，不仅氮化硅膜的蚀刻速率过度增加，而且随着氧化硅膜也被加速蚀刻，可降低氮化硅膜与氧化硅膜的选择比，并且可能导致由氧化硅膜的蚀刻造成的硅基板缺陷。
为了提高氮化硅膜与氧化硅膜的选择比，本发明一实施例的硅基板蚀刻溶液可包含由以下化学式1表示的硅添加剂。
化学式1：
Figure BDA0002255439200000051
在上述化学式1中，Z由下述化学式2表示：
化学式2：
Figure BDA0002255439200000052
其中，X1及X2分别独立地为氧或硫，R1至R4分别独立地选自氢、C1-C10烷基、C6-C12环烷基、包含至少一种杂原子的C2-C10杂烷基、C2-C10烯基、C2-C10炔基、C1-C10卤代烷基、C1-C10氨烷基、芳基、杂芳基、芳烷基及亲水性功能团，Y1至Y4分别独立地选自氢、C1-C10烷基、C6-C12环烷基、包含至少一种杂原子的C2-C10杂烷基、C2-C10烯基、C2-C10炔基、C1-C10卤代烷基、C1-C10氨烷基、芳基、杂芳基、芳烷基及亲水性功能团。
与硅原子键合的亲水性功能团是指在羟基或无机酸水溶液的pH条件下可以被羟基取代的功能团。
其中，作为在无机酸水溶液的pH条件下可以被羟基取代的功能团的非限制性例，包括氨基、卤素、砜、膦、磷、巯基、烷氧基、酰胺、酯、酸酐、酰卤、氰基、羧基及唑，但并不限定于上述的功能团，应理解为还包含在无机酸水溶液的pH条件下可以被羟基取代的任一功能团。
在蚀刻条件(例如，pH为3以下及150℃的高温条件)下，本发明的硅基板蚀刻溶液中的硅添加剂可分解为酰胺(例如，当化学式1的X1及X2为氧时)及硅烷化合物(例如，硅酸)，硅烷化合物可通过增加硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(硅)的浓度来降低对氧化硅膜的蚀刻速率。
在此情况下，在本申请中使用的硅添加剂为环状化合物，硅烷部分(moiety)及酰胺部分(moiety)的分解速度慢于硅烷部分与酰胺部分以链状键合的化合物，由此，可延迟硅烷化合物向硅蚀刻溶液中的释放速率。
据此，可通过防止硅基板蚀刻溶液中的硅烷化合物(硅)的浓度快速增加来防止蚀刻效率随着对氧化硅膜及氮化硅膜的蚀刻速率的下降而降低。
并且，可通过调节硅添加剂的分解速率来预先防止硅烷化合物成为硅类颗粒的来源。
并且，优选地，由化学式2表示的重复单位Z为1个至5个(即，n为1至5之间的整数)。当没有由化学式2表示的重复单位Z时，随着由化学式1表示的硅添加剂形成4元环，存在由于应变引起的不稳定性增加而易于分解的隐患。并且，当由化学式2表示的重复单位数大于5时，相同地，由化学式1表示的硅添加剂的环的大小过度变大而可能易于分解。
并且，本发明的另一实施例的硅基板蚀刻溶液还可包含由化学式3和/或化学式4表示的硅添加剂。
化学式3：
Figure BDA0002255439200000061
在上述化学式3中，R5至R8分别独立地为亲水性功能团或选自氢、C1-C10烷基、C6-C12环烷基、包含至少一种杂原子的C2-C10杂烷基、C2-C10烯基、C2-C10炔基、C1-C10卤代烷基、C1-C10氨烷基、芳基、杂芳基、芳烷基、硅氧基及硅氧烷中的功能团。
化学式4：
Figure BDA0002255439200000062
在上述化学式4中，R9至R14分别独立地为亲水性功能团或选自氢、C1-C10烷基、C6-C12环烷基、包含至少一个杂原子的C2-C10杂烷基、C2-C10烯基、C2-C10炔基、C1-C10卤代烷基、C1-C10氨烷基、芳基、杂芳基、芳烷基、硅氧基及硅氧烷中的功能团，n为1至5的整数。
在本申请中，卤素是指氟(-F)、氯(-Cl)、溴(-Br)或碘(-I)，卤代烷基是指被上述的卤素所取代的烷基。例如，卤代甲基是指被甲基的氢中的至少一个被卤素取代的甲基(-CH2X、-CHX2或CX3)。
并且，在本申请中，烷氧基均指-O-(烷基)和-O-(非取代的环烷基)，上述烷氧基为具有一个以上的乙醚基及具有1个至10个碳原子的直链烃或支链烃。
具体地，包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、叔丁氧基、仲丁氧基、正戊氧基、正己氧基、1，2-二甲基丁氧基、环丙氧基、环丁氧基、环戊氧基及环己氧基等，但并不限定于此。
当Ra(其中，a为选自1至4中的整数)为烯基或炔基时，其可以是烯基的sp2杂化碳或炔基的sp杂化碳直接键合或通过与烯基的sp2杂化碳或炔基的sp杂化碳键合的烷基的sp3杂化碳来间接键合的形态。
在本申请中，Ca-Cb功能团是指具有a个至b个碳原子的功能团。例如，Ca-Cb烷基表示具有a个至b个碳原子且包含直链烷基及支链烷基等的饱和脂肪族基。直链或支链烷基在其主链上具有10个以下(例如，C1-C10的直链、C3-C10的支链)碳原子，优选地，具有4个以下碳原子，更优选地，具有3个以下碳原子。
具体地，烷基可以为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、戊-1-基、戊-2-基、戊-3-基、3-甲基丁-1-基、3-甲基丁-2-基、2-甲基丁-2-基、2，2，2-三甲基乙-1-基、正己基、正庚基及正辛基。
在本申请中，除非另有说明，否则芳基是指包含单环或缀合或通过共价键连接的多环(优选地，1个至4个的环)的不饱和芳香族环。作为芳基的非限制性例，具有苯基、联苯基、邻三联苯、间三联苯、对三联苯、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9菲基、1-芘基、2-芘基及4芘基等。
在本申请中，杂芳基是指在以上定义的芳基中的一个以上的碳原子被氮、氧或硫取代的功能团。
杂芳基的非限制性例包括呋喃基(furyl)、四氢呋喃基、吡咯基(pyrrolyl)、吡咯烷基(pyrrolidinyl)、噻吩基(thienyl)、四氢噻吩基(tetrahydrothienyl)、恶唑基(oxazolyl)、异恶唑基(isoxazolyl)、三唑基(triazolyl)、噻唑基(thiazolyl)、异噻唑基(isothiazolyl)、吡唑基(pyrazolyl)、吡唑烷基(pyrazolidinyl)、恶二唑基(oxadiazolyl)、噻二唑基(thiadiazolyl)、咪唑基(imidazolyl)、咪唑啉基(imidazolinyl)、吡啶基(pyridyl)、哒嗪基(pyridaziyl)、三嗪基(triazinyl)、哌啶基(piperidinyl)、吗啉基(morpholinyl)、硫代吗啉基(thiomorpholinyl)、吡嗪基(pyrazinyl)、哌啶基(piperainyl)、嘧啶基(pyrimidinyl)、萘啶基(naphthyridinyl)、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基(indolyl)、吲哚啉基、吲嗪基、吲唑基(indazolyl)、喹嗪基、喹啉基、异喹啉基、噌啉基(cinnolinyl)、酞嗪基(phthalazinyl)、喹唑啉基、喹喔啉基、蝶啶基(pteridinyl)、奎宁环基(quinuclidinyl)、咔唑基、吖啶基、吩嗪基、吩噻嗪基(phenothizinyl)、吩恶嗪基、嘌呤基、苯并咪唑基(benzimidazolyl)及苯并噻唑基等，以及与之缀合的类似物。
在本申请中，芳烷基为芳基被烷基的碳取代的形态的功能团，是-(CH2)nAr的总称。作为芳烷基的例，具有苯甲基(-CH2C6H5)或苯乙基(-CH2CH2C6H5)等。
在本申请中，除非另有说明，否则环烷基(cycloalkyl)或包含杂原子的杂环烷基(heterocycloalkyl)分别可理解为烷基或杂烷基的环状结构。
作为环烷基的非限制性例，具有环戊基、环己基、1-环己烯基、3-环己烯基及环庚基等。
作为包含杂原子的环烷基的非限制性例，具有1-(1，2，5，6-四氢吡啶)、1-哌啶基、2-哌啶基、3-哌啶基、4-吗啉基、3-吗啉基、四氢呋喃-2-基、四氢呋喃-3-基、四氢噻吩-2-基、四氢噻吩-3-基、1-哌嗪基、2-哌嗪基等。
并且，环烷基或包含杂原子的环烷基可具有环烷基、包含杂原子的环烷基、与芳基或杂芳基缀合或通过共价键连接的形态。
优选地，上述硅添加剂以100ppm至10000ppm存在于硅基板蚀刻溶液。
当硅基板蚀刻溶液中的硅添加剂小于100ppm时，由于在蚀刻条件下从硅添加剂分解并释放出的硅烷化合物的量过少，因此氮化硅膜与氧化硅膜的选择比的增加效果可能不足。
相反，当硅基板蚀刻溶液中的硅添加剂大于10000ppm时，由于在蚀刻条件下从硅添加剂分解并释放出的硅烷化合物的量过多，因此可发生降低氧化硅膜及氮化硅膜的蚀刻速率的问题。并且，蚀刻溶液中的硅烷化合物本身可用作硅类颗粒的来源。
本发明的一实施例的硅基板蚀刻溶液还可包含含氟化合物，以补偿通过使用硅添加剂而降低的氮化硅膜的蚀刻速率并提高整体的蚀刻工序的效率。
本申请中的含氟化合物是指能够分解氟离子的所有形态的化合物。
在一实施例中，含氟化合物为选自氟化氢、氟化铵、二氟化铵及氟化氢铵中的至少一种。
并且，在另一实施例中，含氟化合物可以为由有机类阳离子与氟类阴离子离子键合的形态的化合物。
例如，含氟化合物可以为由烷基铵与氟类阴离子离子键合的形态的化合物。其中，烷基铵为具有至少一个烷基的铵，最多可具有4个烷基。有关烷基的定义如上所述。
在再一例中，含氟化合物可以为由有机类阳离子与氟类阴离子离子键合的形态的离子性液体，上述有机类阳离子选自烷基吡咯鎓、烷基咪唑鎓、烷基吡唑鎓、烷基恶唑鎓、烷基噻唑鎓、烷基吡啶鎓、烷基嘧啶鎓、烷基哒嗪鎓、烷基吡嗪鎓、烷基吡咯烷鎓、烷基膦鎓、烷基吗啉鎓及烷基哌啶鎓，上述氟类阴离子选自氟磷酸盐、氟烷基-氟磷酸盐、氟硼酸盐及氟烷基-氟硼酸盐。
与通常用作硅基板蚀刻溶液中的含氟化合物的氟化氢或氟化铵相比，以离子液体形态提供的含氟化合物具有高沸点及分解温度，因此含氟化合物优点在于，由于在高温下进行的蚀刻工序中被分解，因此改变蚀刻溶液的组成的隐患少。
在本发明的另一实施方式中，提供一种包括通过利用上述的硅基板蚀刻溶液来执行蚀刻工序的步骤的半导体器件的制造方法。
在本制造方法中，可通过在至少包含氮化硅膜的硅基板上使用上述的蚀刻溶液对氮化硅膜执行选择性蚀刻工序来制造半导体器件。
使用于半导体器件制造中的硅基板包含氮化硅膜，或者可同时包含氧化硅膜及氮化硅膜。并且，在同时包含氧化硅膜及氮化硅膜的硅基板的情况下，硅基板可以是交替叠层或在不同区域中叠层氧化硅膜及氮化硅膜的形态。
本发明的半导体器件的制造方法可以如下执行，即，在快闪存储器器件的器件分离工序、动态随机存储器器件的器件分离工序或相变化存储器器件中的二极管形成工序中，在需要选择性去除氮化硅膜而不损失氧化硅膜的工序步骤中使用上述的硅基板蚀刻溶液。
以下，揭示本发明具体的实施例。但是，以下记载的实施例仅限于具体地例示或说明本发明，本发明并不限定于此。
硅基板蚀刻溶液的组成
实施例1
混合85重量百分比的磷酸、1000ppm的由下述化学式5表示的硅添加剂及剩余量的水制备了硅基板蚀刻溶液。
化学式5：
Figure BDA0002255439200000102
实施例2
除使用5000ppm的由下述化学式6表示的硅添加剂之外，以与实施例1相同的方式制备了硅基板蚀刻溶液。
化学式6：
Figure BDA0002255439200000101
实施例3
除使用由下述化学式7表示的硅添加剂之外，以与实施例1相同的方式制备了硅基板蚀刻溶液。
化学式7：
Figure BDA0002255439200000111
实施例4
除使用由下述化学式8表示的硅添加剂之外，以与实施例1相同的方式制备了硅基板蚀刻溶液。
化学式8：
Figure BDA0002255439200000112
实施例5
除使用90ppm的硅添加剂之外，以与实施例1相同的方式制备了硅基板蚀刻溶液。
实施例6
除使用11000ppm的硅添加剂之外，以与实施例2相同的方式制备了硅基板蚀刻溶液。
实施例7
除使用由下述化学式9表示的硅添加剂之外，以与实施例1相同的方式制备了硅基板蚀刻溶液。
化学式9：
Figure BDA0002255439200000121
比较例1
除不使用硅添加剂之外，以与实施例1相同的方式制备了硅基板蚀刻溶液。
比较例2
除使用作为硅添加剂的三乙氧基硅烷之外，以与实施例1相同的方式制备了硅基板蚀刻溶液。
比较例3
除使用由下述化学式10表示的硅添加剂之外，以与实施例1相同的方式制备了硅基板蚀刻溶液。
化学式10：
Figure BDA0002255439200000122
实验例1
将具有各实施例及比较例的组成的硅基板蚀刻溶液加热至165℃后，分别将厚度为
Figure BDA0002255439200000123
的氧化硅膜(thermal oxide layer)及氮化硅膜浸渍在已加热的蚀刻溶液中3分钟来用于蚀刻。在此情况下，测定加热至165℃的蚀刻溶液的pH在2.0～2.5的范围内。
利用椭圆偏光仪(Nano-View，SE MG-1000；Ellipsometery)来测定蚀刻前及蚀刻后的氧化硅膜及氮化硅膜的厚度，测定结果为测定5次的结果的平均值。时刻速率为蚀刻前及蚀刻后的氧化硅膜及氮化硅膜的厚度差除以蚀刻时间(3分钟)而计算出的数值。
并且，在时刻完成后，利用粒度分析仪测定存在于蚀刻溶液中的硅类颗粒的平均直径。
测定的蚀刻速率及蚀刻溶液中的硅类颗粒的平均直径在下述表1中示出。
表1
Figure BDA0002255439200000131
参照表1的结果，与不使用额外的硅添加剂的比较例1相比，在使用可增加蚀刻溶液中硅浓度的硅烷化合物作为添加剂的比较例2的情况下，可通过降低对氧化硅膜的蚀刻速率来最终提高氮化硅膜与氧化硅膜的蚀刻选择比。但是，如比较例2，在使用一般链状的硅烷化合物作为硅添加剂的情况下，可确认硅类颗粒的生长。
另一方面，根据实施例1至实施例4，可通过使用环状硅烷化合物来在蚀刻条件下分解硅烷化合物(硅酸)。像这样，可以确认基于利用延迟释放的硅烷化合物(硅酸)调节的蚀刻溶液中的硅浓度，降低对氧化硅膜的蚀刻速率，最终提高氮化硅膜与氧化硅膜的蚀刻选择比。
并且，根据实施例1至实施例4，随着硅烷化合物(硅酸)迟延迟释放到蚀刻溶液中，可防止蚀刻溶液中硅烷化合物的浓度过度增加。据此，可以确认，与比较例2及比较例3不同，几微米单位的硅类颗粒并没有生长。
另一方面，实施例5的蚀刻溶液中硅添加剂的含量为90ppm，与实施例1至实施例4相比，硅添加剂的含量相对较低，由此，可确认硅添加剂对氧化硅膜的蚀刻速率的效果微弱。
并且，实施例6的蚀刻溶液中硅添加剂的含量为11000ppm，与实施例1至实施例4相比，蚀刻溶液中硅添加剂的含量过多，反而硅添加剂沉积在氧化硅膜上，因此，可确认不能测定氧化硅膜的蚀刻速率。
以上，对本发明的一实施例进行了说明，但是，在不超出本发明要求保护范围中所记载的本发明的思想的范围内，本发明所属技术领域的普通技术人员可通过结构要素的附加、变更、删除或追加等对本发明进行多种修改及变形，这同样落于本发明的发明要求保护范围内。

Claims (7)

1.一种硅基板蚀刻溶液，其特征在于，
包含：
无机酸水溶液；以及
由下述化学式1表示的硅添加剂，
化学式1：
Figure FDA0002255439190000011
在上述化学式1中，
Z由下述化学式2表示：
化学式2：
Figure FDA0002255439190000012
X1及X2分别独立地为氧或硫，
R1至R4分别独立地选自氢、C1-C10烷基、C6-C12环烷基、包含至少一种杂原子的C2-C10杂烷基、C2-C10烯基、C2-C10炔基、C1-C10卤代烷基、C1-C10氨烷基、芳基、杂芳基、芳烷基、羟基、氨基、卤素、砜、膦、磷、巯基、烷氧基、酰胺、酯、酸酐、酰卤、氰基、羧基及唑，
Y1至Y4分别独立地选自氢、C1-C10烷基、C6-C12环烷基、包含至少一种杂原子的C2-C10杂烷基、C2-C10烯基、C2-C10炔基、C1-C10卤代烷基、C1-C10氨烷基、芳基、杂芳基、芳烷基、羟基、氨基、卤素、砜、膦、磷、巯基、烷氧基、酰胺、酯、酸酐、酰卤、氰基、羧基及唑，
n为1至5之间的整数。
2.根据权利要求1所述的硅基板蚀刻溶液，其特征在于，上述无机酸水溶液为包含选自硫酸、硝酸、磷酸、硅酸、氢氟酸、硼酸、盐酸、高氯酸、磷酸酐、焦磷酸及多磷酸中的至少一种无机酸的水溶液。
3.根据权利要求1所述的硅基板蚀刻溶液，其特征在于，上述硅基板蚀刻溶液包含100ppm至10000ppm的上述硅添加剂。
4.根据权利要求1所述的硅基板蚀刻溶液，其特征在于，上述硅基板蚀刻溶液蚀刻由氧化硅膜组成的单层膜或同时包含氧化硅膜及氮化硅膜的多层膜。
5.根据权利要求1所述的硅基板蚀刻溶液，其特征在于，上述硅基板蚀刻溶液还包含选自氟化氢、氟化铵、二氟化铵及氟化氢铵中的至少一种含氟化合物。
6.根据权利要求1所述的硅基板蚀刻溶液，其特征在于，上述硅基板蚀刻溶液还包含具有由有机类阳离子与氟类阴离子离子键合的形态的含氟化合物。
7.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括通过利用权利要求1至6中任一项所述的硅基板蚀刻溶液来执行蚀刻工序的步骤。
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