CN111048042B - 显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示面板和显示装置，包括设置在设置于子像素中的电容器的电极之间的高介电常数材料。这增加了电容器的单位面积电容，从而提供了高分辨率的显示装置。在绝缘层中设置高介电常数材料，并且通过抛光将绝缘层的表面平化。防止了高介电常数材料残留在除设置电容器的区域之外的任何区域中。防止了子像素中的负载的不必要增加，并且增加了电容器的电容。

Description

显示面板和显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年10月15日提交的韩国专利申请第10-2018-0122373号的优先权，通过引用将该韩国专利申请整体并入本文。
技术领域
本公开内容涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
随着信息社会的发展，对图像显示装置的需求逐渐增加。近来，诸如液晶显示(LCD)装置、有机发光显示装置之类的一系列显示装置已投入广泛应用。
在这些显示装置之中，由于使用有机发光二极管(OLED)，即，自发光器件，所以有机发光显示装置提供了与响应速度、对比度、发光效率、亮度和视角有关的有利特点。
设置在这种有机发光显示装置中的多个子像素的每一个可包括有机发光二极管和驱动有机发光二极管的各种电路元件。
例如，在每个子像素中，可设置有机发光二极管、控制流过有机发光二极管的电流的驱动晶体管、以及控制各种时序和电压施加的各种晶体管。此外，可在每个子像素中设置将驱动晶体管的栅极电极的电压保持一个帧周期的电容器。
设置在每个子像素中的电容器在子像素中占据预定面积。由于随着有机发光显示装置的分辨率的增加，子像素的面积进一步减小，因此在子像素内设置电容器存在许多困难。
发明内容
本公开内容的各个方面提供了一种显示面板和显示装置，该显示面板和显示装置具有能够增加设置在排列于显示面板中的每个子像素中的电容器的单位面积电容的结构。
还提供了一种显示面板和显示装置，该显示面板和显示装置具有能够将设置在子像素中的电容器的电容保持在预定水平并且减小电容器的面积，从而支持高分辨率的结构。
还提供了一种显示面板和显示装置，该显示面板和显示装置具有能够增加设置在子像素中的电容器的单位面积电容并且防止除设置电容器的区域之外的任何区域中的负载增加的结构。
根据一个方面，本公开内容可提供一种显示装置，包括：显示面板，在所述显示面板中设置有多条栅极线、多条数据线和多个子像素；驱动所述多条栅极线的栅极驱动器电路；和驱动所述多条数据线的数据驱动器电路。所述多个子像素中的至少一个包括：第一电容器电极；设置在所述第一电容器电极上的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层的一部分上的有源层；设置在所述第一绝缘层和所述有源层上的第二绝缘层；和设置在所述第二绝缘层上的第二电容器电极，所述第二电容器电极与所述第一电容器电极在一区域中重叠。
在所述显示装置中，所述第一绝缘层的第一部分或所述第二绝缘层的第一部分具有第一介电常数，并且所述第一绝缘层的第二部分或所述第二绝缘层的第二部分具有第二介电常数，所述第一绝缘层的所述第二部分或所述第二绝缘层的所述第二部分与其中所述第一电容器电极与所述第二电容器电极彼此重叠的所述区域的一部分重叠。所述第二介电常数高于所述第一介电常数。
根据另一个方面，本公开内容可提供一种显示装置，包括：显示面板，在所述显示面板中设置有多条栅极线、多条数据线和多个子像素；驱动所述多条栅极线的栅极驱动器电路；和驱动所述多条数据线的数据驱动器电路，其中所述多个子像素中的至少一个包括有机发光二极管、驱动所述有机发光二极管的驱动晶体管、以及连接到所述驱动晶体管的栅极电极的电容器，并且其中设置在所述电容器的电极之间的绝缘层的至少一部分具有比设置在相同层中的所述绝缘层的另一部分高的介电常数。
根据另一个方面，本公开内容可提供一种显示面板，包括：基板；设置在所述基板上的第一电容器电极；设置在所述第一电容器电极上的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层的一部分上的有源层；设置在所述第一绝缘层和所述有源层上的第二绝缘层；和设置在所述第二绝缘层上的第二电容器电极，其中所述第二电容器电极与第一电容器电极在一区域中重叠。所述第一绝缘层的第一部分或所述第二绝缘层的第一部分可具有第一介电常数，所述第一绝缘层的第二部分或所述第二绝缘层的第二部分具有第二介电常数，所述第一绝缘层的所述第二部分或所述第二绝缘层的所述第二部分与其中所述第一电容器电极与所述第二电容器电极彼此重叠的所述区域的一部分重叠，并且所述第二介电常数高于所述第一介电常数。
根据本公开内容，绝缘层的设置在电容器的电极之间的至少一部分由高介电常数材料制成，使得电容器的单位面积电容增加。
因此，通过确保在设置于子像素中的电容器的容量保持在预定水平的同时减小电容器的面积，可提供高分辨率显示面板和显示装置。
此外，绝缘层的在电容器的电极之间的部分由高介电常数材料制成，并且使用薄膜抛光操作将绝缘层的表面平化。因此，从除设置电容器的区域之外的区域去除高介电常数材料，使得可增加电容器的电容。
根据一些实施方式，一种显示装置包括：显示面板，所述显示面板包括多个子像素，每个子像素配置成发射光。所述多个子像素中的至少一个包括电容器。所述电容器包括：第一电极；具有第一介电常数并且设置在所述第一电极上的一个或多个绝缘层；有源层；和设置在所述一个或多个绝缘层和所述有源层上的第二电极。所述有源层设置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且所述第二电极与所述第一电极和所述有源层重叠。
根据一些实施方式，所述电容器还包括具有第二介电常数并且设置在所述第一电极与所述第二电极之间的一个或多个绝缘部分。所述第二介电常数大于所述第一介电常数。
根据一些实施方式，所述有源层位于所述电容器的第一部分中，并且所述一个或多个绝缘部分位于所述电容器的所述第一部分以外的所述电容器的第二部分中。
根据一些实施方式，所述一个或多个绝缘部分包括位于所述一个或多个绝缘层的相对侧处的第一绝缘部分和第二绝缘部分。
根据一些实施方式，所述一个或多个绝缘层至少包括下绝缘层和在所述下绝缘层上的上绝缘层。
根据一些实施方式，所述有源层位于所述下绝缘层与所述上绝缘层之间。
根据一些实施方式，所述上绝缘层位于所述一个或多个绝缘部分和所述有源层上。
根据一些实施方式，所述一个或多个绝缘部分位于所述下绝缘层中。
根据一些实施方式，所述一个或多个绝缘层的顶表面与所述一个或多个绝缘部分的顶表面高度相同。
根据一些实施方式，所述电容器还包括：在所述第二电极上的另一绝缘部分。所述另一绝缘部分具有高于所述第一介电常数的第三介电常数。所述电容器还包括在所述另一绝缘部分上的第三电极，所述第三电极与所述第二电极重叠。
根据一些实施方式，所述多个子像素中的所述至少一个还包括晶体管，并且所述有源层的一部分是所述晶体管的沟道。
附图说明
本公开内容的上述和其他目的、特征和优点将在结合附图时从下面的详细描述得到更加清楚地理解。
图1图解了根据示例性实施方式的显示装置的示意性构造。
图2图解了在根据示例性实施方式的显示装置的显示面板中排列的子像素的电路图。
图3图解了根据示例性实施方式的显示装置中的子像素中的设置有电容器的部分的剖面结构。
图4图解了根据示例性实施方式的显示装置中的设置有具有增加的电容的电容器的子像素的平面结构。
图5图解了根据示例性实施方式的图4中所示的子像素SP的I-I'部分的剖面结构。
图6至图9图解了用于图5中所示的子像素的示例性工艺。
图10图解了根据一些实施方式的图4中所示的子像素SP的I-I'部分的剖面结构。
图11、图12、图13A、图13B、图14A和图14B图解了用于图10中所示的子像素的示例性工艺。
图15图解了根据示例性实施方式的显示装置中的设置有具有增加的电容的电容器的子像素的平面结构。
图16图解了图15中所示的子像素的J-J'部分的剖面结构。
图17图解了根据示例性实施方式提供的子像素中的电容器的电容的变化。
具体实施方式
下文中，将详细参照本公开内容的实施方式，附图中图解了这些实施方式的一些示例。在整个文本中，应当参照附图，附图中将使用相同的参考数字和标号来指代相同或相似的部件。在本公开内容下面的描述中，在并入本公开内容中的已知功能和部件的详细描述反而会使本公开内容的主题不清楚的情况下，将省略其详细描述。
还将理解的是，尽管在此可使用诸如“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(a)”和“(b)”之类的术语来描述各种元件，但这些术语仅用来区分一个元件与其他元件。这些元件的本质、顺序、次序或数量不受这些术语限制。将理解的是，当一元件被称为“连接”、“耦接”或“链接”至另一元件时，该元件不仅可“直接连接、耦接、或链接”至另一元件，而且还可经由“中间”元件“间接连接、耦接、或链接”至另一元件。
图1图解了根据示例性实施方式的显示装置的示意性构造。
参照图1，根据示例性实施方式的显示装置100可包括：排列有多个子像素SP的显示面板110，每个子像素SP分别包括发光元件；以及诸如栅极驱动器电路120、数据驱动器电路130和控制器140之类的用于驱动显示面板110的部件。
在显示面板110中，设置有多条栅极线GL和多条数据线DL，并且多个子像素SP设置在多条栅极线GL与多条数据线DL交叉的区域中。多个子像素SP的每一个可包括发光元件，并且两个或更多个子像素SP可形成单个像素。
栅极驱动器电路120由控制器140控制，以将扫描信号顺序地输出到设置在显示面板110中的多条栅极线GL，从而控制驱动多个子像素SP的时间点。此外，栅极驱动器电路120可输出发光信号，以控制子像素SP中的发光元件的发光时间。输出扫描信号的电路和输出发光信号的电路可集成地设置或分开设置。
栅极驱动器电路120可包括一个或多个栅极驱动器集成电路(IC)。根据驱动系统，栅极驱动器电路120可设置在显示面板110的一侧或两侧。此外，可使用设置在显示面板110的边框中的面板内栅极(gate-in panel，GIP)结构来实现栅极驱动器电路120。
数据驱动器电路130从控制器140接收图像数据，并且将图像数据转换为模拟数据电压。此外，数据驱动器电路130在通过栅极线GL施加扫描信号的时间点将数据电压分别输出到数据线DL，使得子像素SP表现出与图像数据对应的亮度级。
数据驱动器电路130可包括一个或多个源极驱动器IC。
控制器140将各种控制信号提供给栅极驱动器电路120和数据驱动器电路130，以控制栅极驱动器电路120和数据驱动器电路130的操作。
控制器140控制栅极驱动器电路120，以在由帧限定的时间点输出扫描信号。控制器140将从外部源接收的图像数据转换为数据驱动器电路130可读的数据信号格式，并且将转换的图像数据DATA输出到数据驱动器电路130。
除图像数据之外，控制器140还从外部源(例如，主机系统)接收包括垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、输入数据使能(DE)信号、时钟(CLK)信号等的各种时序信号。
控制器140可使用从外部源接收的各种时序信号生成各种控制信号，并且将控制信号输出到栅极驱动器电路120和数据驱动器电路130。
例如，控制器140输出包括栅极起始脉冲(GSP)信号、栅极移位时钟(GSC)信号、栅极输出使能(GOE)信号等的各种栅极控制信号GCS，以控制栅极驱动器电路120。
在此，栅极起始脉冲信号控制栅极驱动器电路120的一个或多个栅极驱动器IC的操作开始时间。栅极移位时钟是公共地输入到一个或多个栅极驱动器IC以控制扫描信号的移位时间的时钟信号。栅极输出使能信号指定一个或多个栅极驱动器IC的时序信息。
此外，控制器140输出包括源极起始脉冲(SSP)信号、源极采样时钟(SSC)、源极输出使能(SOE)信号等的各种数据控制信号DCS，以控制数据驱动器电路130。
在此，源极起始脉冲信号控制数据驱动器电路130的一个或多个源极驱动器IC的数据采样开始时间。源极起始脉冲信号是控制每个源极驱动器IC中的数据采样时间的时钟信号。源极输出使能信号控制数据驱动器电路130的输出时间。
显示装置100可进一步包括电源管理集成电路(PMIC)，以给显示面板110、栅极驱动器电路120、数据驱动器电路130等提供各种形式的电压或电流，或者控制要提供给它们的各种形式的电压或电流。
此外，除栅极线GL和数据线DL之外，还可在显示面板110中设置提供各种信号或电压的信号线或电压线。每个子像素SP可容纳发光元件、驱动发光元件的晶体管等。
图2图解了在根据示例性实施方式的显示装置100的显示面板110中排列的子像素SP的电路图。
参照图2，在排列于显示面板110中的每个子像素SP中，可设置有机发光二极管OLED、驱动有机发光二极管OLED的多个显示驱动晶体管、以及电容器Cst。
图2图解了其中在子像素SP中设置六个显示驱动晶体管T1、T2、T3、T4、T5和T6以及一个电容器Cst的6T1C结构。根据设置于其中的电路元件的数量或连接结构，子像素SP可具有各种其他结构。
此外，尽管设置在子像素SP中的显示驱动晶体管被示出为p型晶体管，但是在子像素SP中也可设置n型显示驱动晶体管。
第一晶体管T1可电连接在数据驱动器电路130与电容器Cst之间，并且可被通过栅极线GL提供的扫描信号控制。
响应于具有导通电平的扫描信号通过栅极线GL被施加到第一晶体管T1，第一晶体管T1使由数据驱动器电路130提供的数据电压施加到电容器Cst的一个部分。
第二晶体管T2可电连接在提供驱动电压VDD的线与第五晶体管T5之间。第二晶体管T2的栅极电极可电连接到电容器Cst。
第二晶体管T2也称为驱动晶体管。第二晶体管T2可响应于施加到栅极电极的电压，通过控制流过有机发光二极管OLED的电流来控制由有机发光二极管OLED表现出的亮度级。
第三晶体管T3可电连接在第二晶体管T2的栅极电极与漏极电极之间或栅极电极与源极电极之间。此外，第三晶体管T3可被通过栅极线GL提供的扫描信号控制。
第三晶体管T3旨在补偿第二晶体管T2的阈值电压，第三晶体管T3还可称为补偿晶体管。
就是说，第二晶体管T2是响应于施加到子像素SP的数据电压来控制流过有机发光二极管OLED的电流的驱动晶体管。然而，由于设置在每个子像素SP中的第二晶体管T2的阈值电压的变化，设置在每个子像素SP中的有机发光二极管OLED不会表现出想要的亮度级。
在这点上，使用第三晶体管T3补偿设置在每个子像素SP中的第二晶体管T2的阈值电压。
例如，当通过栅极线GL施加用于导通第三晶体管T3的扫描信号时，通过从驱动电压VDD减去第二晶体管T2的阈值电压所产生的电压被施加到第二晶体管T2的栅极电极。
在被减去阈值电压的驱动电压VDD施加到第二晶体管T2的栅极电极的状态下，可通过将数据电压施加到电容器Cst的一个部分来执行对第二晶体管T2的阈值电压的补偿。
在此，控制给电容器Cst的一个部分施加数据电压的第一晶体管T1、以及执行对第二晶体管T2的阈值电压的补偿的第三晶体管T3可被通过相同的栅极线GL提供的扫描信号或通过不同的栅极线GL提供的扫描信号控制。
如上所述，当使用第三晶体管T3补偿第二晶体管T2的阈值电压的变化时，可防止由于第二晶体管T2的不同的阈值电压引起的子像素SP的亮度变化。
第四晶体管T4可电连接在电容器Cst与提供基准电压Vref的线之间。此外，第四晶体管T4可被通过栅极线GL提供的发光信号控制。
当通过栅极线GL施加具有导通电平的发光信号时，第四晶体管T4可将电容器Cst的一个部分的电压初始化，或者可在将数据电压逐渐放电的同时使由施加到电容器Cst的一个部分的数据电压产生的电流流过有机发光二极管OLED。
第五晶体管T5电连接在第二晶体管T2与有机发光二极管OLED之间。第五晶体管T5可被通过栅极线GL提供的发光信号控制。
在数据电压施加到电容器Cst的一个部分，并且被补偿了阈值电压的驱动电压VDD施加到第二晶体管T2的栅极节点的状态下，第五晶体管T5可被所施加的具有导通电平的发光信号导通，从而使电流流过有机发光二极管OLED。
第四晶体管T4和第五晶体管T5也被称为发光晶体管，因为它们控制有机发光二极管OLED发光的时间点。
第六晶体管T6可电连接在提供基准电压Vref的线与有机发光二极管OLED的阳极之间。第六晶体管T6可被通过栅极线GL提供的扫描信号控制。
当通过栅极线GL提供具有导通电平的扫描信号时，第六晶体管T6可使用基准电压Vref将有机发光二极管OLED的阳极或第二晶体管T2与第五晶体管T5之间的节点初始化。
如上所述设置在子像素SP中的显示驱动晶体管通过扫描信号和发光信号进行操作，并且使由数据电压产生的电流流过有机发光二极管OLED，使得子像素SP可根据图像数据表现出亮度级。
电连接在第二晶体管T2的栅极电极与第一晶体管T1之间的电容器Cst用于将第二晶体管T2的栅极电极的电压保持一个帧周期。
因而，设置在子像素SP中的电容器Cst必须至少具有预定水平的电容，以便驱动有机发光二极管OLED发光达一个帧周期。
在此，由于随着显示装置100的分辨率的增加，子像素SP的面积进一步减小，因此在子像素SP内设置至少具有预定水平的电容的电容器Cst存在许多困难。
示例性实施方式提供了一种通过增加电容器Cst的单位面积电容来在高分辨率显示装置100中设置至少具有预定水平的电容的电容器Cst的解决方案。
图3图解了根据示例性实施方式的显示装置100中的子像素SP中的设置有电容器的部分的剖面结构。
参照图3，电容器Cst的第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2可设置在排列于显示面板110中的每个子像素SP中。
第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2可使用设置在显示面板110中的金属构件之一来实现。例如，第二电容器电极CE2可由形成设置在子像素SP中的晶体管的栅极电极的金属构件制成。
至少一个绝缘层INS(还见图4)可设置在第一电容器电极CE1与第二电容器电极CE2之间。此外，设置在子像素SP中的有源层ACT的一部分可设置在第一电容器电极CE1与第二电容器电极CE2之间。有源层ACT可以是有源半导体层。在一些实施方式中，子像素SP的晶体管也包括该有源层ACT作为该晶体管的沟道。例如，该晶体管可用作像素中的驱动OLED的驱动晶体管或开关晶体管。
例如，第一绝缘层INS1可设置在第一电容器电极CE1上。此外，有源层ACT可设置在第一绝缘层INS1的一部分区域上。
第二绝缘层INS2可设置在第一绝缘层INS1和有源层ACT上，并且第二电容器电极CE2可设置在第二绝缘层INS2上。
在此，第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2可由相同的材料，例如第一介电常数材料，即，具有第一介电常数的材料制成。例如，第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2可由SiO2制成。
在第一电容器电极CE1与第二电容器电极CE2彼此重叠的区域中，第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2的至少一部分可由第二介电常数材料，即，具有高于第一介电常数的第二介电常数的材料制成。
例如，在第一电容器电极CE1与第二电容器电极CE2彼此重叠的区域中，第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2中的至少一部分可由SiNx制成。
就是说，如图3中所示，在第一电容器电极CE1与第二电容器电极CE2之间的除设置有源层ACT的区域之外的区域中设置的第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2的部分可由SiNx制成，从而形成第一高介电常数部分300(还见图4)。
此外，第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2的除第一高介电常数部分300之外的部分可由SiO2制成。
因而，第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2在区域A中的部分可由高介电常数材料制成，而第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2在区域B和区域C中的部分可由介电常数低于区域A的材料的介电常数的相对低介电常数材料制成。
由于第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2的设置在第一电容器电极CE1与第二电容器电极CE2彼此重叠的区域中的部分由高介电常数材料制成，因此可增加电容器Cst的电容。
此外，由于第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2的除第一高介电常数部分300之外的部分由相对低介电常数材料制成，因此可防止除设置电容器Cst的区域之外的区域中的负载增加。
如上所述，通过在设置于子像素SP中的电容器Cst的电极之间设置第一高介电常数部分300，可增加电容器Cst的单位面积电容。此外，可在减小电容器Cst的面积的同时保持预定水平的电容，使得可在高分辨率显示装置100中设置具有减小的面积的电容器Cst。
图4图解了根据示例性实施方式的显示装置100中的设置有具有增加的电容的电容器的子像素SP的平面结构。
参照图4，绝缘层INS和有源层ACT被示出为设置在第一电容器电极CE1上。绝缘层INS可包括两个或更多个绝缘层INS。
此外，第二电容器电极CE2可设置在绝缘层INS上，第二电容器电极CE2可由与栅极线GL等相同的金属制成。
在此，与第二电容器电极CE2重叠的绝缘层INS的除设置有源层ACT的区域之外的区域的部分可形成第一高介电常数部分300。
就是说，绝缘层INS的设置在第一电容器电极CE1与第二电容器电极CE2之间的部分由第一介电常数材料制成。绝缘层INS的设置在第一电容器电极CE1与第二电容器电极CE2彼此重叠的区域中的至少一部分可由第二介电常数材料制成，第二介电常数材料的第二介电常数高于第一介电常数。
因而，由于设置在第一电容器电极CE1与第二电容器电极CE2彼此重叠的区域中的第一高介电常数部分300，因此可增加电容器Cst的电容。
此外，由于电容器Cst的单位面积电容增加，因此可在减小设置电容器Cst的面积的同时保持预定水平的电容。
根据电容器电极CE和有源层ACT的布置结构，第一高介电常数部分300可设置在设置于第一电容器电极CE1与第二电容器电极CE2之间的多个绝缘层INS之中的至少一个绝缘层INS中，或者可设置在第一电容器电极CE1与第二电容器电极CE2彼此重叠的区域的一部分或整个部分中。
图5图解了图4中所示的子像素SP的I-I'部分的剖面结构。
参照图5，聚酰亚胺层PI可设置在基板SUB上，并且缓冲层BUF可设置在聚酰亚胺层PI上。在此，聚酰亚胺层PI可具有其中两个或更多个聚酰亚胺层PI设置在绝缘材料的两侧上的结构。
此外，第一电容器电极CE1可设置在缓冲层BUF上。然而，可省略聚酰亚胺层PI和缓冲层BUF。此时，第一电容器电极CE1可设置在基板SUB上。
第一绝缘层INS1可设置在第一电容器电极CE1上，并且有源层ACT可设置在第一绝缘层INS1的一部分上。
第二绝缘层INS2可设置在第一绝缘层INS1和有源层ACT上，并且第二电容器电极CE2可设置在第二绝缘层INS2上。
在此，设置在第一电容器电极CE1上的第一绝缘层INS1的一部分可形成第一高介电常数部分300。
例如，第一高介电常数部分300可设置在第一电容器电极CE1与第二电容器电极CE2彼此重叠的区域的除设置有源层ACT的区域之外的至少一部分区域中。
因此，在设置在第一电容器电极CE1与第二电容器电极CE2之间的第一绝缘层INS1中，第一绝缘层INS1的一部分可由具有第一介电常数的材料制成，而第一绝缘层INS1的另一部分可由具有高于第一介电常数的第二介电常数的材料制成。
此外，第二绝缘层INS2的整个部分可由具有第一介电常数的材料制成。
由于第一绝缘层INS1的与其中第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2彼此重叠的区域对应的部分包括第一高介电常数部分300，因此图5中所示的区域A中的电容器Cst的电容可增加。
或者，第一绝缘层INS1的整个部分可由具有第一介电常数的材料制成，而第二绝缘层INS2的一部分可由具有第二介电常数的材料制成。
就是说，由于设置在第一电容器电极CE1与第二电容器电极CE2之间的第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2之一包括第一高介电常数部分300，因此在第一电容器电极CE1与第二电容器电极CE2彼此重叠的区域中可增加电容。
此外，由于第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2的除设置电容器Cst的区域之外的部分由具有第一介电常数的材料制成，因此可防止由于设置高介电常数材料而导致的负载的增加。
可通过将绝缘层INS的表面抛光和平化的操作来实现如上所述仅在第一绝缘层INS1或第二绝缘层INS2的一部分中设置高介电常数材料。
图6至图9图解了图5中所示的子像素SP的示例性制造工艺。
参照图6，在基板SUB上设置聚酰亚胺层PI，并且在聚酰亚胺层PI上设置缓冲层BUF。此外，在缓冲层BUF上设置第一电容器电极CE1，并且在第一电容器电极CE1上设置第一绝缘层INS1。
在此，第一绝缘层INS1可由具有第一介电常数的材料制成。此外，可蚀刻第一绝缘层INS1之中的期望形成第一高介电常数部分300的部分。
参照图7，在第一绝缘层INS1上设置具有第二介电常数的材料。
具有第二介电常数的材料设置在第一绝缘层INS1上以及第一绝缘层INS1之中的暴露第一电容器电极CE1的一部分的蚀刻部分中。
此外，可执行去除设置在第一绝缘层INS1上的具有第二介电常数的材料的操作，使得具有第二介电常数的材料仅保留在第一绝缘层INS1的蚀刻部分中。
参照图8，在第一绝缘层INS1上设置具有第二介电常数的材料之后，可执行将设置在第一绝缘层INS1上的具有第二介电常数的材料抛光的操作。
例如，可通过使用抛光装置800将设置在第一绝缘层INS1上的具有第二介电常数的材料抛光来平化第一绝缘层INS1的表面。可与其中通过化学和/或物理作用将薄膜抛光和平化或去除的化学机械抛光(CMP)类似地执行该抛光操作。
响应于设置在第一绝缘层INS1上的具有第二介电常数的材料的抛光，具有第二介电常数的材料可仅设置在第一绝缘层INS1的蚀刻部分中，从而形成第一高介电常数部分300。
此外，由于第一绝缘层INS1的表面通过抛光被平化，因此可从第一绝缘层INS1的除形成第一高介电常数部分300的区域之外的区域去除具有第二介电常数的材料的残留物。因此，在除设置电容器Cst的区域之外的任何区域中，可防止寄生电容的发生或负载的增加。
参照图9，在完成抛光之后，在第一绝缘层INS1上设置有源层ACT和第二绝缘层INS2。在此，第二绝缘层INS2可由具有第一介电常数的材料制成。
此外，在第二绝缘层INS2上设置第二电容器电极CE2。
由于第一绝缘层INS1在第一电容器电极CE1与第二电容器电极CE2彼此重叠的区域中的部分形成第一高介电常数部分300，因此可增加电容器Cst的电容。
或者，当在第二绝缘层INS2中设置第一高介电常数部分300时，第一绝缘层INS1由第一介电常数材料制成，并且在第一绝缘层INS1上设置有源层ACT。
此外，第二绝缘层INS2由第一介电常数材料制成，并且第二绝缘层INS2的要形成高介电常数部分300的部分被蚀刻。
在第二绝缘层INS2上设置第二介电常数材料，并且执行将第二绝缘层INS2的表面抛光和平化的操作，使得在第二绝缘层INS2中形成第一高介电常数部分300。
就是说，通过在第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2中的至少一个绝缘层INS中设置第一高介电常数部分300，可增加电容器Cst的电容。
此外，在制造第一高介电常数部分300的工艺中，第一绝缘层INS1或第二绝缘层INS2的表面被抛光和平化，使得在除形成电容器Cst的区域之外的任何区域中不会残留第二介电常数材料。
尽管如上所述可在设置于第一电容器电极CE1与第二电容器电极CE2之间的绝缘层INS中的一个绝缘层INS中设置第一高介电常数部分300，但是通过调整设置第二介电常数材料的顺序和绝缘层INS被蚀刻的深度，可增加要形成第一高介电常数部分300的部分。
图10图解了根据一些实施方式的图4中所示的子像素SP的I-I'部分的剖面结构。
参照图10，聚酰亚胺层PI设置在基板SUB上，并且缓冲层BUF设置在聚酰亚胺层PI上。
第一电容器电极CE1设置在缓冲层BUF上，并且第一绝缘层INS1设置在第一电容器电极CE1上。然而，可省略聚酰亚胺层PI和缓冲层BUF。此时，第一电容器电极CE1可设置在基板SUB上。
有源层ACT和第二绝缘层INS2设置在第一绝缘层INS1上，并且第二电容器电极CE2设置在第二绝缘层INS2上。
在此，设置在第一电容器电极CE1与第二电容器电极CE2之间的第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2可在第一电容器电极CE1与第二电容器电极CE2彼此重叠的区域之中的除设置有源层ACT的区域之外的区域中包括第一高介电常数部分300。
就是说，设置在第一电容器电极CE1与第二电容器电极CE2之间的第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2二者都可包括第一高介电常数部分。第一高介电常数部分300可设置为与第一电容器电极CE1的顶表面和第二电容器电极CE2的底表面接触。
由于如上所述设置在第一电容器电极CE1与第二电容器电极CE2之间的第一高介电常数部分300在上下方向上增加，因此可进一步增加电容器Cst的电容。
图11至图14B图解了图10中所示的子像素SP的另一示例性制造工艺。
参照图11，在基板SUB上设置聚酰亚胺层PI，并且在聚酰亚胺层PI上设置缓冲层BUF。此外，在缓冲层BUF上设置第一电容器电极CE1。
在第一电容器电极CE1上设置顺序地第一绝缘层INS1、有源层ACT和第二绝缘层INS2，并且蚀刻第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2之中的要形成第一高介电常数部分300的部分。
参照图12，在蚀刻第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2之后，在第二绝缘层INS2上设置第二介电常数材料。
因此，第二介电常数材料可设置在第二绝缘层INS2上以及第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2之中的暴露第一电容器电极CE1的蚀刻部分中。
此外，可执行将设置在第二绝缘层INS2上的第二介电常数材料抛光的操作，从而形成第一高介电常数部分300。
根据将第二绝缘层INS2的表面平化的操作，第一高介电常数部分300可具有不同的形状。
参照图13A和图13B，在使用抛光装置800将第二绝缘层INS2的表面平化的情况下，可基于设置在有源层ACT上的第二绝缘层INS2执行抛光操作。
由于下方设置的有源层ACT，第二绝缘层INS2的设置在有源层ACT上的部分可高于第二绝缘层INS2的设置在其他区域中的其他部分。
因而，当基于设置在有源层ACT上的第二绝缘层INS2执行抛光操作时，在第二绝缘层INS2上会保留较薄部分的第二介电常数材料。
此外，设置第二电容器电极CE2。由于在第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2二者中都设置第一高介电常数部分300，因此可增加电容器Cst的电容。
参照图14A和图14B，当使用抛光装置800将第二绝缘层INS2的表面平化时，可执行抛光操作，使得高介电常数部分300的顶表面与第二绝缘层INS2的顶表面高度相同或低于第二绝缘层INS2的顶表面的高度。
由于执行抛光操作使得高介电常数部分的顶表面与设置在有源层ACT上的第二绝缘层INS2的顶表面高度相同或低于设置在有源层ACT上的第二绝缘层INS2的顶表面的高度，因此第二介电常数材料仅保留在第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2的蚀刻部分中。
此外，在第二绝缘层INS2上设置第二电容器电极CE2。
由于第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2在第一电容器电极CE1与第二电容器电极CE2彼此重叠的区域中包括第一高介电常数部分300，因此可进一步增加电容器Cst的电容。
包括高介电常数部分的该结构可适用于在第二电容器电极CE2上设置另外电容器电极CE的结构。
图15图解了根据示例性实施方式的显示装置100中的设置有具有增加的电容的电容器的子像素SP的另一平面结构。
参照图15，图解了包括设置在第二电容器电极CE2上的第三电容器电极CE3的结构。可在第二电容器电极CE2与第三电容器电极CE3之间设置第二高介电常数部分1500。
就是说，在该电容器Cst结构中，可在第二电容器电极CE2上设置用于额外产生电容的第三电容器电极CE3。在这种情况下，设置在第二电容器电极CE2与第三电容器电极CE3之间的绝缘层INS可包括第二高介电常数部分1500。
在此，第三电容器电极CE3可具有接触孔，信号线通过该接触孔连接到设置在下方的第二电容器电极CE2。
因而，设置在第二电容器电极CE2与第三电容器电极CE3之间的第二高介电常数部分1500也可具有暴露第二电容器电极CE2的接触孔。在除设置接触孔的部分之外的区域中，可增加电容器Cst的电容。
图16图解了图15中所示的子像素SP的J-J'部分的剖面结构。
参照图16，聚酰亚胺层PI设置在基板SUB上，并且缓冲层BUF设置在聚酰亚胺层PI上。此外，第一电容器电极CE1设置在缓冲层BUF上。然而，可省略聚酰亚胺层PI和缓冲层BUF。此时，第一电容器电极CE1可设置在基板SUB上。
第一绝缘层INS1、有源层ACT和第二绝缘层INS2顺序地设置在第一电容器电极CE1上，并且第二电容器电极CE2设置在第二绝缘层INS2上。
在此，在第一电容器电极CE1与第二电容器电极CE2彼此重叠的区域中，第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2可包括第一高介电常数部分300。
第三绝缘层INS3可设置在第二电容器电极CE2上，并且第三电容器电极CE3可设置在第三绝缘层INS3上。
在此，在第二电容器电极CE2与第三电容器电极CE3彼此重叠的区域中，第三绝缘层INS3可包括第二高介电常数部分1500。
可通过蚀刻第三绝缘层INS3，在蚀刻的第三绝缘层INS3上设置第二介电常数材料，并且将第三绝缘层INS3的表面抛光和平化的工艺来制造第二高介电常数部分1500。
由于如上所述在设置于第二电容器电极CE2上方的第三电容器电极CE3下方设置第二高介电常数部分1500，因此可增加电容器Cst的电容。
此外，在一些情况下，仅在第二电容器电极CE2与第三电容器电极CE3之间设置第二高介电常数部分1500，并且第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2二者都由第一介电常数材料制成，从而不包括第一高介电常数部分300。
就是说，根据示例性实施方式，设置在电容器Cst的电容器电极CE之间的绝缘层INS的至少一部分由高介电常数材料制成，并且执行抛光操作，以从除电容器Cst之外的区域去除高介电常数材料。形成高介电常数部分的绝缘层INS不限于具体实施方式。
图17图解了根据示例性实施方式提供的子像素SP中的电容器Cst的电容的变化。
参照图17，在设置于第一电容器电极CE1与第二电容器电极CE2之间的绝缘层INS中设置第二介电常数材料的情况下，可理解到电容器Cst的电容增加。
示例1A和示例1B表示仅在第一绝缘层INS1中设置第一高介电常数部分300的情况，示例2A和示例2B表示在第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2中设置第一高介电常数部分300的情况。
参照示例1A，可理解到与第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2二者都由SiO2制成的情况相比，示例1A的电容增加。参照示例1B，可理解当在两种情况中电容相同时，与第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2二者都由SiO2制成的情况相比，示例1B的电容器电极CE的面积比减小。
此外，参照示例2A和示例2B，可理解到在第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2二者中都设置第一高介电常数部分300的情况下，与具有相同电容的情况相比，电极面积比进一步减小。
因此，可通过增加子像素SP中的电容器Cst的电容或者在保持电容的同时减小电容器Cst的面积来提供高分辨率显示装置100。
如上所述，根据示例性实施方式，设置在子像素中的电容器Cst的电极之间的绝缘层INS的至少一部分由高介电常数材料制成，使得电容器Cst的单位面积电容增加。
此外，在绝缘层INS中设置高介电常数材料，并且通过抛光将绝缘层INS的表面平化。这使得可防止高介电常数材料残留在除设置电容器Cst的区域之外的任何区域中。
因此，可通过防止子像素中的负载的不必要增加并增加电容器Cst的电容来提供高分辨率显示装置100。
为了解释本公开内容的特定原理，通过示例的方式提出了前面的描述和附图。本公开内容所属领域的普通技术人员可在不背离本公开内容的原理的情况下做出各种修改和变化。在此公开的前述实施方式应解释为对本公开内容的原理和范围是说明性而不是限制性的。应当理解，本公开内容的范围应由所附权利要求限定，并且它们的所有等同都落入本公开内容的范围内。

Claims (27)

1.一种显示装置，包括：
显示面板，在所述显示面板中设置有多条栅极线、多条数据线和多个子像素；
驱动所述多条栅极线的栅极驱动器电路；和
驱动所述多条数据线的数据驱动器电路，
其中所述多个子像素中的至少一个包括：
第一电容器电极；
设置在所述第一电容器电极上的第一绝缘层；
设置在所述第一绝缘层的一部分上的有源层；
设置在所述第一绝缘层和所述有源层上的第二绝缘层；和
设置在所述第二绝缘层上的第二电容器电极，所述第二电容器电极与所述第一电容器电极在一区域中重叠，
其中所述第一绝缘层的第一部分或所述第二绝缘层的第一部分具有第一介电常数，
所述第一绝缘层的第二部分或所述第二绝缘层的第二部分具有第二介电常数，所述第一绝缘层的所述第二部分或所述第二绝缘层的所述第二部分与其中所述第一电容器电极与所述第二电容器电极彼此重叠的所述区域的一部分重叠，并且所述第二介电常数高于所述第一介电常数，
其中所述第一绝缘层的第二部分或所述第二绝缘层的第二部分的顶表面与所述第一绝缘层的第一部分或所述第二绝缘层的第一部分的顶表面高度相同，以及
其中所述第一绝缘层的第二部分或所述第二绝缘层的第二部分只在所述第一电容器电极和所述第二电容器电极重叠的所述区域内。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述有源层的一部分设置在其中所述第一电容器电极与所述第二电容器电极彼此重叠的所述区域中，并且
所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的至少一个包括位于设置所述有源层的区域以外的其他区域中的、具有所述第二介电常数的所述第二部分。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一绝缘层包括位于其中所述第一电容器电极与所述第二电容器电极彼此重叠的所述区域中的、具有所述第二介电常数的所述第二部分，并且
所述第二绝缘层包括位于其中所述第一电容器电极与所述第二电容器电极彼此重叠的所述区域中的、具有所述第一介电常数的所述第一部分。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一绝缘层包括位于其中所述第一电容器电极与所述第二电容器电极彼此重叠的所述区域中的、具有所述第一介电常数的所述第一部分，并且
所述第二绝缘层包括位于其中所述第一电容器电极与所述第二电容器电极彼此重叠的所述区域中的、具有所述第二介电常数的所述第二部分。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层二者都包括具有所述第二介电常数的所述第二部分，并且所述第一绝缘层的所述第二部分和所述第二绝缘层的所述第二部分与所述第一电容器电极的顶表面和所述第二电容器电极的底表面接触。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的至少一个绝缘层的具有所述第二介电常数的所述第二部分具有平坦的顶表面。
7.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
设置在所述第二电容器电极上的第三绝缘层；和
设置在所述第三绝缘层上的第三电容器电极，
其中所述第三绝缘层的至少一部分具有所述第一介电常数，
所述第三绝缘层包括位于其中所述第二电容器电极与所述第三电容器电极彼此重叠的区域中的、具有第三介电常数的另一部分，并且所述第三介电常数高于所述第一介电常数。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述第三介电常数等于所述第二介电常数。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述第三绝缘层中的具有所述第三介电常数的所述另一部分包括暴露所述第二电容器电极的接触孔。
10.一种显示装置，包括：
显示面板，在所述显示面板中设置有多条栅极线、多条数据线和多个子像素；
驱动所述多条栅极线的栅极驱动器电路；和
驱动所述多条数据线的数据驱动器电路，
其中所述多个子像素中的至少一个包括有机发光二极管、驱动所述有机发光二极管的驱动晶体管、以及连接到所述驱动晶体管的栅极电极的电容器，并且
其中设置在所述电容器的电极之间的绝缘层的至少一部分具有比设置在相同层中的所述绝缘层的另一部分高的介电常数，
其中所述绝缘层的所述部分的顶表面与所述绝缘层的所述另一部分的顶表面高度相同，以及
其中所述绝缘层的具有较高介电常数的部分只在所述电容器的电极之间的区域内。
11.一种显示面板，包括：
基板；
设置在所述基板上的第一电容器电极；
设置在所述第一电容器电极上的第一绝缘层；
设置在所述第一绝缘层的一部分上的有源层；
设置在所述第一绝缘层和所述有源层上的第二绝缘层；和
设置在所述第二绝缘层上的第二电容器电极，其中所述第二电容器电极与第一电容器电极在一区域中重叠，
其中所述第一绝缘层的第一部分或所述第二绝缘层的第一部分具有第一介电常数，
所述第一绝缘层的第二部分或所述第二绝缘层的第二部分具有第二介电常数，所述第一绝缘层的所述第二部分或所述第二绝缘层的所述第二部分与其中所述第一电容器电极与所述第二电容器电极彼此重叠的所述区域的一部分重叠，并且所述第二介电常数高于所述第一介电常数，
其中所述第一绝缘层的第二部分或所述第二绝缘层的第二部分的顶表面与所述第一绝缘层的第一部分或所述第二绝缘层的第一部分的顶表面高度相同，以及
其中所述第一绝缘层的第二部分或所述第二绝缘层的第二部分只在所述第一电容器电极和所述第二电容器电极彼此重叠的所述区域内。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其中所述有源层的一部分设置在其中所述第一电容器电极与所述第二电容器电极彼此重叠的区域中，并且
所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的至少一个包括位于设置所述有源层的区域以外的其他区域中的、具有所述第二介电常数的所述第二部分。
13.根据权利要求11所述的显示面板，其中所述第一绝缘层包括位于其中所述第一电容器电极与所述第二电容器电极彼此重叠的所述区域中的、具有所述第二介电常数的所述第二部分，并且
所述第二绝缘层包括位于其中所述第一电容器电极与所述第二电容器电极彼此重叠的所述区域中的、具有所述第一介电常数的所述第一部分。
14.根据权利要求11所述的显示面板，其中所述第一绝缘层包括位于其中所述第一电容器电极与所述第二电容器电极彼此重叠的所述区域中的、具有所述第一介电常数的所述第一部分，并且
所述第二绝缘层包括位于其中所述第一电容器电极与所述第二电容器电极彼此重叠的所述区域中的、具有所述第二介电常数的所述第二部分。
15.根据权利要求11所述的显示面板，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层二者都包括具有所述第二介电常数的所述第二部分，并且所述第一绝缘层的所述第二部分和所述第二绝缘层的所述第二部分与所述第一电容器电极的顶表面和所述第二电容器电极的底表面接触。
16.根据权利要求11所述的显示面板，进一步包括：
设置在所述第二电容器电极上的第三绝缘层；和
设置在所述第三绝缘层上的第三电容器电极，
其中所述第三绝缘层中的至少一部分具有所述第一介电常数，
所述第三绝缘层包括位于其中所述第二电容器电极与所述第三电容器电极彼此重叠的区域中的、具有第三介电常数的另一部分，并且所述第三介电常数高于所述第一介电常数。
17.根据权利要求16所述的显示面板，其中所述第三介电常数等于所述第二介电常数。
18.根据权利要求16所述的显示面板，其中所述第三绝缘层中的具有所述第三介电常数的所述另一部分具有暴露所述第二电容器电极的接触孔。
19.一种显示装置，包括：
显示面板，所述显示面板包括多个子像素，每个子像素配置成发射光，所述多个子像素中的至少一个包括电容器，所述电容器包括：
第一电极；
具有第一介电常数并且设置在所述第一电极上的一个或多个绝缘层；
有源层；
设置在所述一个或多个绝缘层和所述有源层上的第二电极，和
具有第二介电常数并且设置在所述第一电极和所述第二电极之间的一个或多个绝缘部分，所述第二介电常数大于所述第一介电常数，
其中所述有源层设置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且所述第二电极与所述第一电极和所述有源层重叠，
其中具有所述第一介电常数的一个或多个绝缘层的顶表面与具有所述第二介电常数的一个或多个绝缘部分的顶表面的高度相同，以及
其中具有所述第二介电常数的一个或多个绝缘部分只在所述第一电极和所述第二电极之间的区域内。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中所述有源层位于所述电容器的第一部分中，并且所述一个或多个绝缘部分位于所述电容器的所述第一部分以外的所述电容器的第二部分中。
21.根据权利要求19所述的显示装置，其中所述一个或多个绝缘部分包括位于所述一个或多个绝缘层的相对侧处的第一绝缘部分和第二绝缘部分。
22.根据权利要求19所述的显示装置，其中所述一个或多个绝缘层至少包括下绝缘层和在所述下绝缘层上的上绝缘层。
23.根据权利要求22所述的显示装置，其中所述有源层位于所述下绝缘层与所述上绝缘层之间。
24.根据权利要求23所述的显示装置，其中所述上绝缘层位于所述一个或多个绝缘部分和所述有源层上。
25.根据权利要求23所述的显示装置，其中所述一个或多个绝缘部分位于所述下绝缘层中。
26.根据权利要求19所述的显示装置，其中所述电容器进一步包括：
在所述第二电极上的另一绝缘部分，所述另一绝缘部分具有高于所述第一介电常数的第三介电常数；和
在所述另一绝缘部分上的第三电极，所述第三电极与所述第二电极重叠。
27.根据权利要求19所述的显示装置，其中所述多个子像素中的所述至少一个进一步包括晶体管，所述有源层的一部分是所述晶体管的沟道。
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