CN111010885B - 用于运输基材的设备以及处理基材的装置、设备及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于将基材运输到处理装置中或从该处理装置运输出来的设备、一种处理装置、一种用于处理基材的方法以及一种具有用于使这种用于运输基材的设备移动的运动装置的处理设备。在此，所述设备具有基材支架以用于运输基材，所述基材支架包括水平延伸的保持面和一个或多个抓持臂。所述保持面平坦地并且均匀地构造在朝向基材的第一表面上，其形状基本上对应于基材的形状并且其面积基本上等于基材的面积，其中，基材仅通过其重力以其背侧保持在保持面上。所述处理装置具有接纳板，基材在处理期间被保持在该接纳板上，其中，接纳板在第一表面中具有凹部，该凹部适用于在处理基材期间接纳这种基材支架。

Description

用于运输基材的设备以及处理基材的装置、设备及方法
技术领域
本发明涉及一种用于运输基材的设备，利用该设备可以将一个面状基材或多个面状基材的横向布置结构移入到处理装置中或从该处理装置中移出并且在该设备上所述一个或多个基材在处理期间支承在水平的位置中；以及涉及一种处理装置，该处理装置具有接纳板，该接纳板适用于接纳用于运输基材的设备的基材支架并且在处理基材期间保持所述基材支架以及设置在基材支架上的一个或多个基材。在此，所述接纳板设计成，使得接纳板和基材支架在处理基材期间在处理装置中配合作用。本发明还涉及一种用于在使用这种用于运输基材的设备的情况下处理一个或多个基材的方法以及一种相应的处理设备。
背景技术
在太阳能电池制造、微电子或基材表面(例如玻璃)的精整中，不同的工艺用于沉积或去除层或颗粒、用于掺杂层或用于净化或激活基材的表面。以下所有这些工艺称为对基材的处理。通常，多个这种工艺也直接依次地在中断或不中断真空的情况下实施，其中，大多数分别将一个单独的处理装置用于每个工艺。所有对于处理基材所需的步骤的总和(例如将基材引入到处理装置中、实际处理基材并且将基材从处理装置中导出以及必要时在多个处理装置之间转移基材)在下文中被称为对基材的处理。
通常处理面状的基材，该基材在平面中具有大的面积并且在垂直于所述平面的方向上具有与此相对仅较小的厚度或高度。因此，例如太阳能电池基材在基材厚度为140μm至200μm时具有(156×156)mm2的面积。
对于在其中仅处理基材的其中一个面状表面(以下称为基材上侧)的基材处理，基材常常以所述两个面状表面中的另一个(以下称为基材背侧)水平地放置到处理装置内部的接纳板上。所述接纳板可被调温，以便例如为气相沉积、尤其是化学气相沉积(CVD)提供最佳条件。替代地或附加地，接纳板可以被加载电压，使得接纳板用作在平行板反应器中的平板电容器的电极，在平行板反应器的电极之间产生等离子体。在两种情况下，将基材背侧均匀、面状地支承在接纳板上对于基材处理的均匀性特别重要。
为了将基材放置到接纳板上或由接纳板接纳基材，已知不同的方法和装置(以下称为操作系统)。一方面，基材可以从基材前侧由操作系统接纳。为此，通常利用伯努利效应，利用伯努利效应原则上可以无接触地保持基材。在相应的基材或附加的基材保持装置中也可以利用磁效应。然而伯努利夹件(Bernoulli-Greifer)尤其是具有大的结构高度，该结构高度使得难以在处理装置中以接纳板距设置在其上的其它构件小的竖直距离使用，或者伯努利夹件在基材大面积的情况下导致基材的不均匀负荷，这可能造成基材断裂。此外，大多数这种“无接触”的夹件具有接触元件，所述接触元件应确保基材上侧与夹件的距离并且接触基材上侧。由此可能损坏基材上侧。这种夹件例如在DE102010026209A1中描述。
另一种放置或接纳基材的可能性在于使用侧夹件，该侧夹件作用在基材边缘上的多个位置处。这样的夹件例如在EP 0 189 279 A2和DE 100 47 983 A1中描述。在此，尤其是在大面积的薄基材的情况下也可能出现基材断裂。
此外，存在如下可能性：将基材在基材支架上操作、也就是说移动、放置或者说转移，所述基材支架在基材下侧上对基材作用。这种基材支架具有呈叉形设置的一个或多个支承臂，在操作期间基材以其下侧放置在所述支承臂上。
为了由接纳板接纳这种基材或者将基材放置在接纳板上，接纳板例如具有空隙部，一个或多个支承臂被导入到所述空隙部中。这在DE 32 14 256 C2中描述。另一种变型方案是存在附加的提升机构，该提升机构例如由穿过接纳板的销钉组成。所述提升机构将基材从所述一个或多个支承臂或接纳板上提起并且能够实现使一个或多个支承臂在基材下侧的下方移动，从而能够将基材从接纳板上提起并且放置在所述一个或多个支承臂上，或能够将基材从支承臂上提起并且放置在接纳板上。这种提升机构例如在EP 0 843 340A2中描述。在两种情况下，在处理基材期间基材支架完全位于处理装置的外部。所述系统具有如下缺点：在处理基材期间接纳板在基材支承区域中中断并且因此例如不能均匀地实现对基材调温或给接纳板加载电压，这对基材处理的均匀性产生不利影响。
在所有描述的方法和操作系统中，将基材借助操作系统放置在接纳板上并且在处理之后再次由接纳板接纳，而操作系统在处理基材期间本身位于处理装置的外部。此外，不可能或者至少很难确保将在处理期间断裂的基材完全从接纳板上去除。由于在薄的基材以及具有多晶结构的基材的情况下，相对频繁地出现这种断裂(在处理装置中每天1个至100个断裂晶片)，这是已知处理系统的主要缺点。此外，静态的处理系统、例如设置在充电站与处理室之间的机械臂仅具有基材运动有限的作用范围、尤其是有限数量的可利用处理系统实现的处理装置。
为了提高在处理时基材的通过量，使用分批系统，在该分批系统中同时处理多个基材。在此，具有待处理表面的基材可以并排地或彼此相叠地设置在一个或多个接纳板上。例如基材可以设置在沿竖直方向彼此相叠地设置的并且相应地水平延伸的接纳板上，该接纳板用作平行板反应器的电极。
在此，可以将基材与上述操作系统一起单独依次地或借助多个上述操作系统同时导入到处理装置中并且放置在相应的接纳板上。这例如在WO 2013/115957 A1中公开。然而由此得出多个缺点或挑战。因此例如基材的单独装载或卸载需要非常长的时间，在所述时间中处理装置不可供用于处理，而用于大量同时待转移的基材的组合的处理系统变得非常昂贵。
因此，基材在分批系统中经常在处理室(处理装置设置在该处理室中并且在气氛条件下、即在空气中)的外部被装载到基材保持装置(例如晶片舟或工艺舟)中，并且利用该基材保持装置导入到处理室中。这尤其是应用于等离子体工艺中，其中每个基材与作为平行板反应器电极作用的接纳板电接触。为此，处理装置的大部分、即具有电极的电极单元在处理室的外部装配有基材并且随后被导入到处理室中以用于基材处理。这例如在DE 102008 019 023 A1和DE 10 2010 026 209 A1中描述。
这种类型的分批系统的缺点是：必须整体加热或冷却基材保持装置，以达到用于基材处理所需的、通常高的基材温度(对于等离子体工艺来说200℃至450℃并且对于CVD工艺来说高达1000℃)，或达到为了将基材进一步运输到下一个处理设备中或储存设备中基材必要时需要的低的温度。尤其是对于大的基材，其中基材保持装置本身同样是大尺寸的并且为了确保机械稳定性基材保持装置的各个元件的厚度也相应地大，基材保持装置因此是大的热质量，该热质量由于长的加热和冷却时间而导致过程持续时间的延长并且导致基材大的热负荷(热预算)，该热负荷尤其是在存在掺杂的层或区域的情况下是不利的并且总体上导致过程的高能量消耗。
如果将带有在其中装载有基材的基材保持装置用于不同的处理装置中不同的依次相继的基材处理，则基材保持装置整体从第一处理装置运输到在生产线中随后的第二处理装置中。因此，虽然避免了将基材转载到另一个基材保持装置中的转载过程以及必要地冷却基材和加热基材和所述另一个基材保持装置。然而在第一处理装置中在基材保持装置上形成的寄生层也同时被引入到第二处理装置中，由此在所述两个处理装置之间可能出现交叉污染(Querverunreinigung)以及对基材处理有不希望的影响。尤其是在具有掺杂工艺(例如半导体层)和随后不同类型的掺杂工艺或用于沉积未掺杂层的后续工艺的工艺顺序时产生不利影响。但是中断真空(在中断时基材保持装置在正常的环境空气中被运输)也可能导致不期望的颗粒的引入以及将空气中的污染气体吸收到第二处理装置中并且因此导致提高的费用以用于清除这些颗粒和气体。所述交叉污染效应随着基材保持装置露出的表面的大小而增加。
发明内容
因此，本发明的任务是，提供一种用于运输基材的设备，利用该设备可以将面状的基材移入到处理设备的处理装置中或从中移出并且水平地定位在处理装置中的接纳板上，提供一种具有接纳板的处理装置，所述接纳板适用于接纳基材并且在处理基材期间保持基材，并且提供一种用于在处理装置中处理基材的方法以及一种处理设备，其中避免或减少了现有技术的缺点。
所述任务通过一种根据权利要求1所述的用于运输基材的设备、通过一种根据权利要求12所述的处理装置、通过一种根据权利要求21所述的方法以及一种根据权利要求25所述的处理设备来解决。优选的实施形式在从属权利要求中找到。
按照本发明的用于运输基材的设备一方面用于将基材运输到处理装置中或从该处理装置中运出，其中，所述处理装置具有水平延伸的接纳板，并且另一方面用于将基材定位和保持在接纳板的第一表面上。在此，该设备适用于在处理装置中处理基材期间将基材保持在接纳板上。为此，该设备具有基材支架，该基材支架包括保持面和一个或多个抓持臂。
所述保持面水平地延伸并且在朝向基材的第一表面上构造成平坦的且均匀的。这意味着，所述保持面至少在基材所放置的第一表面上由同一种材料制成，没有凹部或孔，也没有用材料填充的孔，并且没有增高部。换句话说：所述保持面至少在第一表面上是具有平坦表面的整体结构。在此，保持面具有基本上与基材的形状和面积对应的形状和面积。“基本上”意味着，与基材的形状和面积大小的轻微偏差仍然构成对应的形状和面积。因此，保持面的面积例如最多比基材的面积小或大5％。同样地，“基本上”一样大的面积在保持面边缘距基材边缘的横向距离小于或等于4mm时得到。优选地，保持面的面积在给出的范围内小于或最大和基材的面积一样大。基材仅通过其重力利用其背侧保持在保持面上，该背侧是基材的不要处理的面状的表面。没有其它的力例如通过抽吸、夹紧或类似方式被主动施加到基材上。
所述一个或多个抓持臂与保持面连接并且沿水平方向延伸超过该保持面。所述一个或多个抓持臂可以在保持面的边缘处或在保持面的背侧上(该背侧与保持面的第一表面相对置)与保持面连接。在此，所述抓持臂例如可粘接、焊接或以其它方式可脱开地或不可脱开地与保持面连接。抓持臂和保持面的一体式构造也是可能的，其中，保持面和抓持臂例如通过切削方法或者腐蚀从共同的材料件中加工出或者用共同的制造方法例如通过铸造来产生。所述一个或多个抓持臂用于将保持面与操纵器连接，以使基材支架运动。每个抓持臂具有宽度和长度，其中，长度沿保持面与操纵器之间的水平连接线测量并且宽度正交于长度但在相同的水平平面中测量。抓持臂的尺寸以及其数量这样确定大小，使得确保稳定地、可靠地保持具有所放置的基材的保持面以及使之运动，并且因此与具有所放置在其上的基材的保持面的形状和面积以及重量有关。因此，在抓持臂与处理装置的接纳板接触并且在处理基材期间没有通过所放置的基材覆盖的区域中，抓持臂经受与基材类似的处理。至少在这些区域中，抓持臂的宽度以确保机械稳定性和满足基材支架功能所允许的程度最小化。因此，所有抓持臂的宽度总和明显小于保持面在水平平面内的最大延伸长度。优选地，所有抓持臂的宽度总和小于保持面的最大延伸长度多倍，例如10倍。
按照本发明的设备的基材支架能够实现在处理基材时的多个优点：将保持面实施成具有与基材基本上相同的形状和大小的、均匀平坦的面(基材仅通过其自身的重力被保持在所述面上)，避免力对基材的任何不均匀的或附加的作用，从而断裂危险降低地作用，并且能够实现改进基材处理的均匀性。此外，在处理期间已损坏的并且例如已破裂的基材能够容易地从处理装置中被去除并且运输。因为此外基材在处理期间保持在基材支架上并且不必在处理之前从基材支架上取下并且在完成处理之后又被放置到基材支架上，所以取消两个关键步骤，由此降低损坏基材的危险并且节省时间。由于保持面具有与基材基本上相同的形状和面积并且抓持臂在处理区域中的尺寸尽可能小，即基材没有覆盖抓持臂并且抓持臂与接纳板接触的区域，所以经历类似于基材的处理的基材支架的区域被限制到最小。由此减少了在不同的处理装置(在这些处理装置中基材保持在同一基材支架上)之间的交叉污染，或者避免了为了运输到另一个处理装置中而多余地转移到另一个基材支架上并且避免了与之相关的对基材可能的损害。
优选地，基材支架包括至少两个保持装置，这些保持装置从保持面的边缘和/或第一表面起至少沿竖直方向延伸，与保持面可脱开地或不可脱开地连接并且所述保持装置适用于尤其是在基材支架沿水平方向快速移动时防止基材在保持面上的横向移位、例如滑动或转动。在此，保持装置延伸直至超过保持面的第一表面的高度，该高度优选大于零并且小于或等于基材的高度。在此，从保持面的第一表面测量保持装置的高度。保持装置优选具有相对于基材的长度和宽度小得多的长度和宽度。因此，对基材的处理仅较少地受到保持装置影响。由于保持装置或其类似于基材经历处理的区域仅具有非常小的尺寸，因此它们也几乎不会影响通过用于运输基材的设备造成的交叉污染。
在一种特别的实施形式中，所述基材支架适用于运输多个基材。为此，所述基材支架具有多个保持面，这些保持面在一个共同的水平平面中并排地以横向的布置结构设置并且彼此物理连接。所述物理连接导致不同的保持面之间刚性的机械连接。保持面在其整体上的物理连接又与一个或多个抓持臂连接，使得所有的保持面可以同时借助作用在所述一个或多个抓持臂上的操纵器运动。优选地，基材支架在此具有闭合的基体，其中，每个保持面实现为凹部的底面，该凹部构造在基体的水平的表面中。为了防止基材(所述基材中的每个基材放置在其中一个保持面上)在各个保持面上横向移位例如滑动或旋转，设置有保持装置，该保持装置例如构成为侧向的框架或构成为保持面之间的板条。
优选地，基材支架的组成部分至少在当处理基材期间与基材和/或接纳板接触的区域中由与接纳板的第一表面相同的材料制成。在一种特别优选的实施形式中，基材支架的组成部分在当处理基材期间与基材和/或接纳板接触的区域中由导电材料制成，而所述一个或多个抓持臂在当处理基材期间不与接纳板接触的区域中由电介质材料制成。这具有如下优点：与抓持臂连接的操纵器可以与接纳板的电势无关地处于电势、例如接地上，并且在很大程度上避免了例如在抓持臂区域中的寄生等离子体。
优选地，在处理基材期间与所述一个或多个基材和/或接纳板热接触的基材支架的区域具有尽可能小的热容量，该热容量与接纳板的热容量相比尽可能小，以便能够实现快速地温度适应被加热的接纳板的温度。在此，基材支架的所述区域的热容量通过对应地选择基材支架的材料和区域的尺寸、即尤其是保持面和抓持臂的高度而最小化。这具有如下优点：基材支架的这些区域和放置在保持面上的基材可以快速地被加热或冷却，由此基材快速地采用对于在处理装置中的处理所需的或所期望的温度并且在完成处理之后可以快速地再次被调节到对于进一步的处理有利的温度。
优选地，该设备具有支承组件，带有所述一个或多个抓持臂的基材支架固定在所述支承组件上。该支承组件可以与操纵器连接以使基材支架运动。
在一种实施形式中，该设备具有多个彼此竖直相叠地设置的并且与支承组件连接并且构成一个单元的基材支架。在此，优选所有的基材支架构造成相同的。所述支承组件例如是竖直延伸的板或杆，在其上固定有各个基材支架的抓持臂。因此，借助于支承组件确保所有基材支架的共同的、同时的和相同的运动，使得多个基材可以同时移入到处理装置中或从中移出、定位在接纳板上并且在处理基材期间被保持，所述处理装置具有多个彼此竖直相叠地设置的接纳板。在此，各个基材支架彼此间的竖直距离对应于处理装置的各个接纳板彼此间的竖直距离。
优选地，该设备具有彼此竖直相叠地设置的基材支架构成的多个单元，其中，这些单元沿水平方向并排地设置并且与同一支承组件连接。因此，多个基材单元可以同时移动到多个沿水平方向并排设置的处理装置中或从中移出，其中，一个特定的基材单元的基材放置在基材支架的一个特定单元的保持面上，其中，所述多个处理装置可以是相同的或不同的。当然，处理装置也可以包括多个水平地并排设置的、由彼此竖直相叠地设置的接纳板构成的单元。
当然，所述设备也可以具有多个基材支架，它们沿水平方向并排地、但不是彼此相叠地设置并且与支承组件连接。
按照本发明的用于处理基材的处理装置具有接纳板，基材在处理期间被保持在该接纳板上。所述接纳板在处理基材期间朝向基材的第一表面中具有凹部，该凹部适用于在处理基材期间接纳按照本发明的用于运输基材的设备的基材支架。为此，凹部的尺寸和形状根据基材支架的尺寸和形状来设计。也就是说，在接纳板中的凹部的构造中考虑保持面的尺寸和形状、抓持臂的尺寸、形状和布置结构以及必要时保持装置的尺寸、形状和布置结构以及必要时多个保持面的布置结构。换句话说：按照本发明的处理装置的接纳板构造成，使得按照本发明的用于运输基材的特定装置的基材支架形锁合地“配合”到接纳板的凹部中。因此，接纳板的凹部构成基材支架的朝向接纳板的表面的负像。在此，如果基材支架在处理基材期间被加热到接纳板的温度，该温度相对于正常温度通常是更高的温度，所述凹部设计成，使得基材支架也至少在水平的俯视图中完全地接纳在凹部中，即“匹配”到凹部中。“正常温度”在此理解为通常测量基材支架尺寸时的温度，例如室温，即大约20℃。换句话说：在设计和制造接纳板中的凹部时需要考虑基材支架和接纳板的热膨胀以及在处理基材期间接纳板的温度。
处理装置的接纳板与具有最小待涂敷的面的基材支架一起的这种实施形式能够实现进一步减少不同处理装置之间的交叉污染，其中，基材保持在相同的按照本发明的基材支架上，因为可能引起交叉污染的层的沉积仅还能够在最小的面上发生。因为基本上仅基材支架的保持装置对交叉污染做出贡献，并且其面积例如可以为接纳板的整个面积的仅0.1至1％，两个依次相继的涂覆过程的交叉污染例如可以降低3至4个数量级。因此，例如在具有环绕的基材支架、即对于至少所述两个涂覆过程共同使用的基材支架和/或用于多次穿通中间没有放置清洁基材支架的设备的基材支架的设备中能够实现掺杂的和未掺杂的(内在的)半导体层的沉积。此外，接纳板的所述设计方案提供如下可能性：基材支架以其背侧全表面地通过接纳板电和/或热接触，并且因此实现保持面的均匀的电位分布和/或均匀的调温。
优选地，在接纳板的第一表面中的凹部具有从接纳板的第一表面起测量的一个深度，该深度这样确定大小，使得在处理基材期间基材支架的保持面的第一表面和接纳板的第一表面形成平坦的表面。因此，接纳板和基材支架的保持面形成平坦的面，基材在其处理期间完全平坦地放置在该面上，从而进一步提高了基材处理的均匀性。
在一种实施形式中，所述处理装置是等离子体处理装置并且还具有用于将第一电压施加到接纳板上并且将第二电压施加到第一电极上的装置，该装置沿竖直方向设置在接纳板上方并且与该接纳板平行并且与接纳板电绝缘。因此，该接纳板是在由第一电极和接纳板组成的平行板反应器中的第二电极。在此，第一电压和第二电压彼此不同。因此，可以在第一电极和接纳板之间点燃等离子体，并且可以利用通过等离子体辅助的工艺来处理基材。如果在处理装置中多个接纳板竖直地彼此相叠地设置，则优选所述接纳板中的每个接纳板交替地由用于施加电压的装置供应第一电压或第二电压。因此，每个沿竖直方向设置在另一个接纳板上方的接纳板在板式电容器内形成第一电极，该板式电容器由接纳板和直接设置在其下方的接纳板组成。当同样要处理设置在最上面的接纳板上的基材时，仅在处理装置的最上面的接纳板的上方需要附加的第一电极。
优选地，等离子体处理装置的接纳板完全由导电材料制成，从而实现与基材支架的欧姆接触，并且在基材支架由导电材料制成的情况下实现与基材的欧姆接触。
在另一种优选的实施形式中，等离子体处理装置的接纳板至少在邻接于第一表面的区域中由导电材料和电介质材料制成的层结构构成，其中，电介质材料邻接于接纳板的第一表面。因此，可以形成与基材支架和基材的电容接触。
优选地，接纳板包括用于给接纳板调温的装置，该装置用于调节例如对于基材处理所期望的温度。所述装置优选是加热装置，但也可以是冷却装置。在此，用于调温的装置例如可以实施成电阻加热元件或流体流经的管道系统或以其它由现有技术已知的装置的形式。
此外，接纳板也可以包括其它装置，例如用于将一种或多种过程气体运输到基材的处理室中的装置。如果在处理装置中竖直地彼此相叠地设置有多个接纳板，则例如每个沿竖直方向设置在另一个接纳板上方的接纳板优选包括气体分配器，该气体分配器适用于将一种或多种气体从接纳板的背侧从设置在该接纳板下方的接纳板上方的空间中运输。因此，每个接纳板同时构成用于处理基材的气体输送，该基材放置在直接设置在其下方的接纳板上。
优选地，所述处理装置是CVD涂敷设备。在此，接纳板在沿竖直方向上部的区域中包括适用于将上部的区域加热到第一温度的面式加热器、在沿竖直方向下部的区域中包括具有用于将下部的区域调温到第二温度的器件的气体分配器，其中，第二温度小于第一温度。在上部的和下部的区域之间设置有用于隔热的装置，该装置适用于减少或防止从上部的区域到下部的区域的热流。
优选地，在接纳板的第一表面中的凹部具有尤其是在将基材支架放置在接纳板上期间能够实现基材支架在凹部中自调节的形状。因此，例如所述凹部可以具有其向下延伸的棱边的倾斜走向。
优选地，所述处理装置具有多个彼此相叠地设置的接纳板，这些接纳板中的每个接纳板适用于接纳按照本发明的用于运输基材的设备的基材支架，该设备包括彼此竖直相叠地设置的基材支架构成的单元。在此，接纳板的竖直距离和基材支架的竖直距离彼此适配。
按照本发明的用于在处理设备(所述处理设备包括具有带有接纳板的处理装置，基材在处理期间保持在所述接纳板上)中处理基材的方法以给出的顺序具有下述步骤：将基材放置到按照本发明的用于运输基材的设备的基材支架上，使基材支架沿至少一个水平方向运动直至基材支架沿竖直方向设置在处理装置的接纳板的上方，将基材支架放置在接纳板上，在处理装置中处理基材，将基材支架从接纳板上沿竖直方向提起，使基材支架沿至少一个水平方向从处理装置中运动出来并且将基材从基材支架上取出。将基材放置在到基材支架上以及将基材从基材支架上取出通过由现有技术已知的器件来实现。借助具有由现有技术已知的器件的操纵器使基材支架沿水平方向以及沿竖直方向运动以用于放置在接纳板上并且将该基材支架从该接纳板上提起。优选地，基材支架的水平和竖直运动在时间上明显彼此分开。在处理装置内提供相应的空间时，所述水平运动和竖直运动也可以至少部分地相互组合。在此，例如也可以使用基材支架的螺旋运动。
优选地，所述处理设备具有多个处理装置并且以下步骤作为整体多次依次地实施：使基材支架沿至少一个水平方向运动直至基材支架沿竖直方向设置在处理装置的接纳板的上方、将基材支架放置在接纳板上、在处理装置中处理基材、将基材支架沿竖直方向从接纳板上提起并且使基材支架沿至少一个水平方向从处理装置中运动出来，其中，将基材相继地引入到不同的处理装置中并且从中引出并且将其在所述处理装置中处理。因此，基材在处理设备中的整个处理期间位于同一基材支架上并且与该基材支架一起从一个处理装置被运输至下一个处理装置并且在每个处理装置中被放置在相应的接纳板上并且被处理。因此，避免了基材在不同的处理装置之间的转移，同时明显减少了交叉污染以及在不同的处理过程之间对基材的可能必要的耗时的调温的问题。
优选地，在处理设备中没有中断真空的情况下，在不同处理装置中实施基材处理以及在不同的处理装置之间实施基材的运输过程。由此减少了将颗粒引入到处理装置中，由此节省了时间和成本。
在一种特别优选的实施形式中，所述处理装置是如上所述的按照本发明的处理装置。这就是说接纳板具有对应于基材支架的凹部。在所述情况下，基材支架被放置在接纳板的凹部中。
然而，按照本发明的用于运输基材的设备也可以与处理装置(其接纳板没有这种凹部)组合以用于处理基材。在此，基材支架的抓持臂优选仅设置、也就是说构造或固定在保持面的侧面或者说边缘上，使得基材支架的放置在处理装置的接纳板上的背侧是平坦的并且没有突出的部分或凹部。因此，在基材处理期间基材支架的保持面平坦地放置在接纳板的平坦表面上。在所述实施形式中，也已经能够实现减少交叉污染以及基材支架以其背侧通过接纳板全表面的电接触和/或热接触，进而能够实现保持面的均匀的电位分布和/或均匀的调温。
按照本发明的用于处理基材的处理设备具有装载室、至少一个具有至少一个处理装置的处理室和卸载室以及运动装置。所述处理装置具有接纳板，在处理期间基材被保持在所述接纳板上。所述运动装置适用于接纳按照本发明的用于运输基材的设备并且使该设备运动到所述至少一个处理室中以及从该处理室中运动出来以及使用于运输基材的设备的基材支架在处理室中沿至少一个水平延伸的方向和沿竖直的方向运动。因此，该运动装置用于使基材支架与设置在基材支架上的基材一起运动到所述至少一个处理装置中并且从所述处理装置中运动出来，以及用于将基材支架放置到处理装置的接纳板上或从处理装置的接纳板上提起。所述装载室适用于将基材放置在按照本发明的用于运输基材的设备的基材支架上，而卸载室适用于将基材从基材支架上取出。这些室优选是在所有侧上由室壁包围的封闭的室，但是也可以是在朝向周围环境敞开的装载站或卸载站的意义上敞开的室。装载室和卸载室可以设有由现有技术已知的操作系统或与该操作系统连接，该操作系统实现将基材放置在基材支架上或将基材从基材支架上取出。此外，装载室和卸载室也可以实施成唯一一个室，该室不仅适用于将基材放置到基材支架上，而且适用于将基材从基材支架上取出。
优选地，至少一个处理装置是按照本发明的如在上文中所描述的处理装置。这就是说接纳板具有对应于基材支架的凹部。
所述至少一个处理室优选是封闭的室，在该室中可以调节用于处理基材的限定的工艺条件。如果存在多个处理室，那么不同的处理室可以设计成不同的。
各个室可以任意地设置，只要确保它们的功能和用于运输基材的设备的运动。优选地，各个室线性地依次相继地设置，其中，在一种特别优选的实施方式中所述设备实施成穿通设备(Durchlaufanlage)。然而也可能的是，多个处理室以非线性的方式围绕中央的室设置，其中，所述中央的室可以是组合的装载室和卸载室或者单独的操作室。
优选地，所述至少一个处理室中的一个处理室是真空室，该真空室通过气密的滑阀与相邻的室分隔开，其中，滑阀具有足够大的横截面，以使用于运输基材的设备运动通过。在此，邻接于所述真空室的室可以是同样可以产生真空的室，从而这些邻接的室可以被用作载入室或者载出室，在所述载入室中从具有正常压力的环境中产生真空气氛，在所述载出室中从真空气氛中产生具有正常压力的环境。装载室和卸载室也可以用作这种载入室和载出室。
在一种优选的实施形式中，所述处理设备具有多个处理室，这些处理室相应地是真空室并且借助于气密的滑阀彼此连接。在此，运动装置适用于使用于运输基材的设备运动通过所有的处理室而不中断真空。因此避免了在不同的处理室中的各个处理步骤之间的泵出和通风过程以及与此相关的缺点。
优选地，至少所述至少一个处理室是具有竖直的侧壁的室，该侧壁垂直于邻接于相邻的室(例如装载室和/或卸载室)延伸的壁或滑阀。在所述实施形式中，运动装置包括支承单元、至少一个沿水平方向或竖直方向延伸的导向系统和多个导向元件。导向系统在支承单元上设置在朝向侧壁的一侧上，而导向元件设置在处理室的竖直的侧壁上并且适用于与导向系统这样配合作用，使得支承单元通过导向元件在水平或竖直方向上沿侧壁被引导和保持。支承单元在支承单元的背离处理室的侧壁的一侧上与用于运输基材的设备机械连接、尤其是与基材支架的所述一个或多个抓持臂或与支承组件机械连接。该支承单元适用于使用于运输基材的设备的基材支架至少沿与导向系统延伸的方向正交的方向运动。为此，该支承单元具有电动的、气动的、液压的或者以其它方式驱动和控制的运动装置，例如由现有技术已知的滑动杆。
优选地，支承单元适用于沿与支承单元的朝向用于运输基材的设备的一侧正交的水平方向使基材支架运动。
在一种实施形式中，导向系统沿支承单元竖直地延伸并且导向元件沿处理室的侧壁竖直地延伸。相邻的室在竖直方向上设置在处理室的上方或下方。在所述情况下，用于运输基材的设备的竖直运动通过与导向元件配合作用的导向系统实现，而用于运输基材的设备的水平运动通过支承单元实现。
在另一种实施形式中，导向系统沿支承单元水平地延伸并且导向元件沿处理室的侧壁水平地延伸。相邻的室在水平方向上设置在处理室的旁边。在所述情况下，用于运输基材的设备在沿处理设备的竖直的侧壁延伸的水平方向上的运动通过导向系统与导向元件的配合作用来实现，而用于运输基材的设备的竖直运动以及必要时用于运输基材的设备的沿水平方向的运动通过支承单元来实现，该水平方向正交于支承单元的朝向用于运输基材的设备的一侧延伸。在所述实施形式中，导向系统优选包括沿水平方向设置在支承单元上的轨道，而导向元件优选包括可旋转地并且沿水平方向依次相继地设置在侧壁上的辊子。在此，这些辊子分别彼此间隔开距离地设置，该距离这样小，使得轨道在处理设备内的任意位置处与至少两个辊子接触并且由辊子保持。因此，气密的滑阀在支承单元的行驶方向上的尺寸也必须小于辊子间距。
优选地，按照本发明的用于运输基材的设备是处理设备的集成的组成部分。也就是说，所述设备仅在所述处理设备中使用而不在其它处理设备中使用并且与处理设备的特定特征相匹配。
在处理设备的一种实施形式中，装载室、所述至少一个处理室和卸载室以线性的顺序设置。这意味着，这些室以所列举的顺序依次地沿一条线设置。在此，运动装置适用于将用于运输基材的设备单向地从装载室移动通过所述至少一个处理室进入到卸载室中。因此，基材沿所述线移动通过不同的室并且被处理。因此，这种处理设备是穿通设备，其中，装载室和卸载室是单独的室，它们通常以大的空间距离彼此设置。此外，所述运动装置还包括导回系统，该导回系统适用于将用于运输基材的设备从卸载室运输至在所述至少一个处理室外部的装载室。因此，空的用于运输基材的设备、也就是说不再放置在基材支架上的设备可以从卸载室重新被导回至装载室，从而该设备重新可供用于在处理装置中处理基材。
附图说明
下面借助附图详细阐述本发明。在此，各个元件的尺寸以及其相互的关系并非按比例的，而是仅示意性地呈现。相同的附图标记表示相应的相同构件。在附图中：
图1A示出按照本发明的用于运输基材的设备的第一种实施形式的示意性俯视图，该设备具有基材支架的第一种实施形式，
图1B示出沿图1A中的线A-A’的第一种实施形式的示意性横截面，
图1C示出图1A的基材支架的示意性俯视图，该基材支架具有位于其上的基材，
图1D示出沿图1C中的线B-B’的、具有位于其上的基材的图1C的基材支架的示意性横截面，
图2A示出基材支架的第二种实施形式的示意性俯视图，
图2B示出基材支架的第三种实施形式的示意性俯视图，
图3A示出基材支架的第四种实施形式的示意性俯视图，该基材支架具有位于其上的基材，
图3B示出沿图3A中的线C-C’的第四种实施形式的示意性横截面，
图3C示出在图3B中所示的横截面，没有放置的基材，
图4A示出用于运输基材的设备的第二种实施形式的侧视图，该设备具有多个彼此相叠地设置的基材支架构成的单元，
图4B示出用于运输基材的设备的第三种实施形式的前视图，该设备具有多个彼此相叠地设置的基材支架构成的两个并排设置的单元，
图5A示出按照本发明的处理装置的接纳板的第一种实施形式的透视图，
图5B示出沿图5A中的线D-D’-D”的接纳板的第一种实施形式的示意性横截面，
图5C示出沿图5A中的线D-D’-D”的接纳板的第一种实施形式的示意性横截面，该接纳板具有所放置的基材支架和基材，
图5D示出沿图5A中的线E-E’的接纳板的第一种实施形式的示意性横截面，该接纳板具有所放置的基材支架和基材，
图6示出按照本发明的处理装置的接纳板的一种实施形式和按照本发明的基材支架的一种实施形式的示意性横截面，其中，实现在接纳板或者说基材支架与基材之间的电容性耦合，
图7A示出按照本发明的处理装置的接纳板的第二种实施形式的示意性横截面，其中，仅简化地示出接纳板中的凹部，
图7B示出按照本发明的处理装置的接纳板的第三种实施形式的示意性横截面，其中，仅简化地示出接纳板中的凹部，
图8A示出按照本发明的处理装置的示意图，该处理装置具有多个构成为等离子体电极的接纳板，
图8B示出按照本发明的处理装置的示意图，该处理装置具有多个接纳板，这些接纳板构成为由用于CVD应用的气体分配器和基材加热器构成的组合，
图9示出在使用按照本发明的用于运输基材的设备的情况下按照本发明的用于在处理装置中处理基材的方法的一种实施形式的示意图，
图10A示出根据按照本发明的用于处理基材的方法的运动过程的第一种实施形式的示意图，
图10B示出根据按照本发明的用于处理基材的方法的运动过程的第二种实施形式的示意图，
图10C示出根据按照本发明的用于处理基材的方法的运动过程的第三种实施形式的示意图，
图11示出按照本发明的处理设备的一种实施形式的示意性俯视图，
图12A示出处理室的示意性俯视图，该处理室具有处理装置和用于运输基材的设备，该设备具有基材支架构成的多个单元，
图12B示出处理室的示意性俯视图，该处理室具有三个处理装置和用于运输基材的设备，该设备具有基材支架构成的多个单元，以及
图13示出沿图11中的线F-F’的按照本发明的用于运输基材的设备和用于使按照本发明的用于运输基材的设备运动的运动装置的示意性横截面。
具体实施方式
图1A示出按照本发明的用于运输基材的设备1的第一种实施形式的示意性俯视图，该设备在第一种实施形式中具有基材支架10。用于运输基材的设备1包括基材支架10和支承组件14。基材支架10包含保持面11、两个抓持臂121和122以及七个保持装置13a至13g。
保持面11在一个水平平面中延伸，该水平平面通过沿x轴的第一水平方向和沿y轴的第二水平方向构成，其中，第一和第二水平方向彼此垂直。保持面11具有四边形的形状并且构成为封闭体、也就是说没有凹部、孔或突出的部分。所有的满足用于支承放置在保持面11上的基材以及必要时用于电接触和热接触基材的必要要求和用于处理基材的工艺条件的材料都可以用作用于保持面11的材料。例如保持面11由铝、石墨、铜、硅或碳化硅制成或由多个这些材料的层序列制成。如果保持面11在处理工艺的过程中达到大于或者等于400℃的温度，则保持面11由一种或者多种相应地温度稳定的材料比如陶瓷或者石英玻璃构成或者由其层序列以及其它材料制成。优选地，保持面11在其整体上仅由一种材料形成。
抓持臂121和122与保持面11连接并且优选由与保持面11相同的材料制成，但是也可以具有含有不同材料的不同区域。这示例性地针对抓持臂121示出。该抓持臂具有第一区域121a和第二区域121b，所述第一区域邻接于保持面11并且由与保持面11相同的材料制成，所述第二区域在其一个端部上邻接于第一区域121a并且在其另一个端部上邻接于支承组件14。第二区域121b由与第一区域121a不同的材料制成。例如第一区域121a由导电材料、例如铝制成，而第二区域121b由电绝缘材料、例如陶瓷制成。因此，第二区域121b将第一区域121a和保持面11与支承组件14电绝缘。在俯视图中，抓持臂121、122突出超过保持面11并且因此能够实现保持面11与支承组件14的连接，该支承组件可以与用于使基材支架10运动的操纵器连接。抓持臂121、122优选构造成相同的。当然在选择抓持臂121、122的各个区域的材料时也考虑必要的耐热性，如关于保持面11所描述的那样。
保持装置13a至13g用于固定放置在保持面11上的基材以防在基材支架10运动期间基材在保持面11上横向移位、例如打滑或转动。保持装置优选至少部分地由与保持面11相同的材料制成并且与保持面11连接。在此，保持装置从保持面的边缘111出发沿水平方向(也就是说在与保持面11相同的平面中)并且沿竖直方向延伸，这在图1B中可看出的那样。优选地，所有的保持装置13a至13g构造成相同的。
抓持臂121、122和/或保持装置13a至13g可以与保持面11借助可脱开的或不可脱开的、材料锁合的或力锁合的连接件来连接。它们例如可以粘接或焊接。但抓持臂121、122和/或保持装置13a至13g也可以与保持面11例如借助铣削或蚀刻由一种共同的原材料块一体地构造。
在图1B中示出图1A中沿线A-A’的设备1的示意性横截面，也就是说保持装置13c、保持面11、抓持臂121和支承组件14的示意性横截面。保持面11具有第一表面112和与第一表面112相对置的第二表面113，待处理的基材可以被放置在第一表面上。第一表面112和第二表面113相应地在彼此平行的水平平面中延伸。从竖直延伸的边缘111起，保持装置13c首先沿第二水平方向(y轴)从保持面11离开并且然后沿竖直方向、即沿z轴延伸，使得保持装置13c的上表面位于一个平面中，该平面设置得高于第一表面112的平面。所述抓持臂121部分地设置在保持面11的第二表面113上、即设置在保持面11的背侧上并且在那里与保持面11连接。该抓持臂延伸超过保持面11并且因此沿第二水平方向(y轴)突出超过保持面11。有利地，抓持臂121也在伸出超过保持面11的横向区域中包围保持面11的边缘111。此外，在抓持臂伸出超过保持面11的区域中，抓持臂121的上表面处于与保持面11的第一表面112相同的水平平面中。如已经参考图1A所提到的那样，抓持臂121由第一区域121A和第二区域121b组成。第一区域121a至少包括抓持臂的与保持面11接触的所有区域并且优选沿水平方向、即沿y轴延伸直至距保持面11的边缘111的一些距离。所述距离(该距离描述了第一区域与第二区域121a、121b之间的边界)优选恰好对应于处理装置的接纳板中的凹部的边缘区域与接纳板的外边缘之间的距离，在处理装置中处理放置在保持面11上的基材，其中，基材支架10的保持面11被放入到凹部中。这随后参考图5A至5D和按照本发明的处理装置来详细阐述。
参考图1C和1D，针对放置在其上的基材2详细阐述基材支架10的设计方案。图1C示出图1A的基材支架10连同放置在其上的基材2的示意性俯视图。如可看出的是，基材2具有与保持面11的形状相对应的矩形形状，其中，保持面11在其横向延伸长度、即其面积方面略小于基材2。基材2具有沿第二水平方向(y轴)的长度L1，而保持面11具有沿第二水平方向的长度L11，该长度略小于长度L1。原则上长度L11也可以等于长度L1或略大于该长度。抓持臂121、122具有沿第一水平方向(x轴)的宽度b12和沿第二水平方向(y轴)的总长度L12。在此，宽度b12在抓持臂121、122的整个长度上是相同的，但在其它实施形式中也可以在抓持臂的长度上变化。第一区域121a具有伸出超过保持面11的长度L12a，该长度对应于接纳板的边缘区域的长度，如其随后参考按照本发明的处理装置所描述的那样。第二区域121b具有长度L12b。保持装置13a至13g(其中在图1C中仅示出保持装置13a、13e和13f)具有长度L13，该长度明显小于基材2的长度L1。在此，对于每个保持装置13a至13g沿基材2的与相应的保持装置13a至13g邻接的边缘测量长度L13。也就是说，如对于在图1C中的保持装置13e示出的那样，保持装置13a至13g的长度L13不能总是限定为各个保持装置沿第二水平方向(y轴)的长度，而是当对应的保持装置保持基材2的沿第一水平方向延伸的边缘时限定为保持装置沿第一水平方向(x轴)的延伸长度。
图1D示出沿图1C中的线B-B’的、图1C的基材支架10的示意性横截面，该基材支架具有放置在其上的基材2。该基材2具有沿第一水平方向(x轴)的宽度b1，而保持面11具有沿第一水平方向的宽度b11，该宽度略小于宽度b1。原则上，b11也可以等于宽度b1或者略大于该宽度。基材2具有作为待处理基材表面的第一表面201、与第一表面201相对置的第二表面202以及竖直地(沿z轴)连接第一表面201和第二表面202的边缘203。基材2至少以其第二表面202的一部分放置在保持面11的第一表面112上。基材2的边缘203具有沿竖直方向(z轴)的高度h1，其中，基材2的其它区域可以具有不同的高度。保持面11具有高度h11，该高度优选在保持面11的整个横向延伸上是相同的。抓持臂121、122在其接触保持面11的第二表面113的区域中具有高度h12’，并且在其它区域中具有高度h12，该高度对应于保持面11的高度h12’和高度h11的总和。在此，高度h12’以及高度h12在抓持臂121、122的相应区域的整个延伸长度上是相同的，但在其它实施形式中也可以在相应的区域内变化。保持装置13a至13g(其中在图1D中仅可见保持装置13a和13f)具有从保持面11的第一表面112测量的高度h13，该高度大于零并且优选小于基材2的高度h1。如在图1A至1D的第一种实施例中所示，保持装置13a至13g可以从保持面11的边缘111起延伸，使得其下侧分别与保持面11的第二表面113处于一个高度上。但保持装置13a至13g也可以如对于抓持臂121、122所描述的那样邻接于保持面11的第二表面113，或者如果保持面11的长度L11和宽度b11大于基材2的长度L1和宽度b1，则保持装置可以从保持面11的第一表面112起沿竖直方向向上延伸。保持装置13a至13g具有宽度b13，该宽度明显小于基材2的宽度b1。在此，对于每个保持装置13a至13g，沿垂直于基材2的与相应的保持装置13a至13g邻接的边缘的方向测量宽度b13。也就是说如对于在图1D中的保持装置13f示出的那样，保持装置13a至13g的宽度b13不能总是限定为各个保持装置沿第一水平方向(x轴)的延伸长度，而是当对应的保持装置保持基材2的沿第一水平方向延伸的边缘时限定为保持装置沿第二水平方向(y轴)的延伸长度。保持装置13a至13g的宽度b13、高度h13以及长度L13确定保持装置13a至13g的表面，该表面在处理装置中处理基材2期间同样经受处理，尤其是在处理装置中的环境气氛并且因此同样可被涂覆、掺杂或以其它方式被污染。因此，所述尺寸优选如对于满足其保持功能一定所需的那样下小，以便使受污染的表面保持尽可能小。
保持面11、抓持臂121、122和保持装置13a至13g的尺寸这样确定，使得整体上确保了可靠地操作基材支架10和基材2。抓持臂121、122以及其区域的尺寸以及保持装置13a至13g的尺寸优选对于所有抓持臂或者说保持装置是相同的，但是也可以对于一些或者每个抓持臂或者说一些或者所有保持装置是不同的。
基材支架10的组成部分和基材2的示例性的尺寸在下面的表1中给出。
表1
图2A和2B示出基材支架10’或10”的第二种或第三种实施形式的示意性俯视图，其中，保持面11’或11”的形状相对于图1A至1D中的基材支架10的第一种实施形式的保持面11的形状不同。因此，基材支架10’的保持面11’具有为了运输圆形基材而优化的圆形形状，而基材支架10”的保持面11”具有对于有对应形状的基材优化的规则六边形形状。但保持面的任何其它形状也是可能的，例如椭圆形的、三角形的、八边形的或不规则的形状，它们在每种情况下都与基材的形状相匹配。根据基材的大小和形状，抓持臂的数量、尺寸和布置结构可以得到匹配。示例性地在图2A中示出一个抓持臂121并且在图2B中示出两个抓持臂121、122。保持装置的数量、形状和尺寸与保持面的相应形状相匹配，使得避免基材在保持面上沿任意的水平方向的横向移位，例如打滑或转动。例如在图2A中示出三个保持装置13a至13c，并且在图2B中示出五个保持装置13a至13e。
虽然目前所述的基材支架的实施形式仅适用于保持和运输一个基材，但是基材支架也能够具有多个保持面并且因此适用于同时保持和运输多个基材。这将参考图3A至图3C以及基材支架的第四种实施形式来描述。图3A示出基材支架100连同放置在其上的基材2a至2d的示意性俯视图，而图3B示出沿图3A中的线C-C’的基材支架100的示意性横截面。基材2a至2d以由两列和两行组成的布置结构并排地设置在一个水平平面中，其中，基材的任何任意的横向布置结构(根据基材的形状优化)是可能的，即例如以错开的形式、以蜂窝形式或以圆形形式布置基材也是可能的。每个保持面具有与保持在其上的基材的形状相对应的形状和尺寸，其中，保持面构成为基材支架100的基体110中的凹部。在此，保持面的横向尺寸这样确定，使得相应的基材以其背侧完全放置在保持面上。各个基材2a至2d与相邻的基材2a至2d以及基体100的边缘通过基体110的竖直延伸的区域间隔开距离。基材支架100具有两个抓持臂121、122，它们如参考第一种实施形式的基材支架10所描述的那样设置，其中，抓持臂的数量、尺寸和布置结构与基体110的尺寸和带有所放置的基材2a至2d的基材支架100的总重量相匹配。
图3C示出在图3B中所示的基材支架100的横截面，但没有放置的基材。在基体110中构造有凹部110a和110d，其底面分别形成用于接纳基材的保持面11a或11d。这些凹部由基体110的侧向区域限定，这些侧向区域在基体的外边缘上构成为侧向框架114a并且在凹部110a和110d之间构成为板条114b。沿基体110的整个边缘延伸的侧向框架114a以及板条114b用作用于将相应的基材横向地固定在相应的保持面11a或11d上的保持装置。优选地，侧向框架以及构造在不同的保持面之间的板条构造成连续的、也就是说没有中断部。然而也可能的是，侧向框架和板条仅构成为隔离的、彼此横向间隔开距离的结构，所述结构从基材支架的基体110沿竖直方向(z轴)向上延伸。优选地，侧向框架114a和板条114b的高度小于基材的高度，其中，这些高度沿竖直方向从保持面11a、11d起测量。优选地，侧向框架114a的所有保持面11a、11d、所有板条114b和所有区域都构造成相同的。
参考图4A和4B阐述按照本发明的用于运输基材的设备的其它实施形式。在此，图4A示出在第二种实施形式中用于运输基材的按照本发明的设备1’的侧视图，该设备同样适用于同时保持和运输多个基材。在此，设备1’具有多个彼此相叠地设置的基材支架10a至10d构成的单元101，其中，每个基材支架10a至10d可以根据参考图1A至3C描述的实施形式中的一种实施形式来设计。优选地，所有的基材支架10a至10d设计成相同的并且沿竖直方向(沿z轴)重合地彼此相叠地设置，其中，每个基材支架10a至10d相对于相邻的基材支架10a至10d在竖直方向上具有相同的距离。所有的基材支架10a至10d固定在同一支承组件14上，该支承组件实现了基材支架10a至10d的共同保持和运动。
如果在处理工艺的过程中达到大于或等于400℃的温度，如这例如在MOCVD工艺中是这种情况，则支承组件14由一种或多种相应地温度稳定的材料比如陶瓷或者石英玻璃构成或者由其层序列以及其它材料制成。替代地或附加地，也可以在支承组件14的朝向基材支架10a至10d的保持面的表面上或在基材支架10a和10d与支承组件14的保持面之间设置用于隔热的装置。这种用于隔热的装置例如可以是一个或多个隔热板或由金或其它热反射层构成的相应的涂层或者也包含借助于冷却流体的主动冷却。
图4B示出在第三种实施形式中按照本发明的用于运输基材的设备1”的前视图。设备1”包括彼此相叠地设置的基材支架构成的两个单元101a和101b，如它们参考图4A所描述的那样。每个基材支架例如实施成如参考图1A至1D所描述的基材支架并且具有保持面11、一个或多个抓持臂121、122以及保持装置，从中在此可看到图1A中的保持装置13c和13d。这针对基材支架121示例性地示出。然而也可以构造基材支架的其它实施形式。单元101a、101b沿第一水平方向(x轴)并排地设置并且与相同的支承组件14连接。支承组件14例如是面状地平行于y-z平面延伸的四边形的、优选矩形的板，各个基材支架固定在所述板上。然而支承组件14也可以具有任何其它形状，只要确保所有基材支架的机械稳定性以及所有基材支架的共同的且同时的可运动性。因此，支承组件例如也可以是中断的框架结构，该框架结构具有用于基材支架的相应的支柱和保持件。由彼此竖直相叠地设置的基材支架构成的并排设置的且与支承组件14连接的单元101的数量是任意的并且不限于这里所示的两个单元101a和101b。例如可以并排设置多达十个单元101。
图4A中的各个基材支架10a至10d彼此间的竖直距离分别对应于处理装置的各个接纳板的距离，其中，在处理基材期间分别将一个基材支架定位在其中一个接纳板上。图4B中的单元101a和101b彼此间(沿x轴)的水平距离对应于并排设置的各个处理装置的水平距离，其中，在其中一个处理装置中放置在其中一个单元101a的基材支架上的基材和在另一个处理装置中放置在另一个单元101b的基材支架上的基材至少部分同时被处理。
参考图5A至5D阐述按照本发明的处理装置的接纳板的第一种实施形式。在此，图5A示出接纳板30的透视图，图5B示出接纳板30沿图5A中的线D-D-D”的示意性横截面，图5C示出接纳板30沿图5A中的线D-D’-D”的示意性横截面，并且图5D示出接纳板30沿图5A中的线E-E’的示意性横截面，其中，在图5C和5D中分别示出放置的基材支架10和设置在其上的基材2。
接纳板30包括具有第一表面301的基体300，该第一表面在水平的平面(x-y平面)中延伸。在第一表面301中，在接纳板30中构造有凹部31，其形状和尺寸适用于接纳按照本发明的用于运输基材的设备的基材支架。因此，接纳板30的在图5A至5D中示出的实施形式与基材支架10的在图1A至1D中示出的实施形式相匹配，所述接纳板具有凹部31的下述部分区域：用于接纳基材支架的保持面的凹部311、用于接纳基材支架的抓持臂的凹部312a和312b以及用于接纳基材支架的保持装置的凹部313a至313g。
如在图5B中可看出，用于接纳保持面的凹部311和用于接纳保持装置的凹部313a至313g(其中在图5B中只能看到凹部313a)沿竖直方向从第一表面301延伸直至高度h311，而用于接纳抓持臂的凹部312a、312b从第一表面301延伸直至高度h312。在此，高度h312和高度h311之间的差值对应于抓持臂的邻接于保持面的第二表面的区域的高度h12’，如在图1D中示出的那样。在图5B中示出的横截面中，在用于接纳保持装置的凹部313a与用于接纳保持面的凹部311之间不存在界限，因为这两个凹部具有相同的高度h311。接纳板300的整个高度例如为10mm，而高度h311例如为1mm并且对应于基材支架的保持面的高度h11，如在图1D中示出的那样。因为放置的基材例如具有如在表1中说明的0.2mm的高度h1(在图1D中示出)，所以得到从接纳板300到基材支架和基材上的快速的热量传输，而接纳板300的温度本身几乎不由于放置基材支架而发生改变。
要注意的是，凹部311、312a、312b以及313a至313g的横向尺寸和高度这样确定大小，使得在处理基材期间在接纳板30的期望的温度下基材支架的组成部分可以没有较大间隙地被接纳到接纳板30的凹部中。换句话说：在限定凹部的尺寸时，应当考虑在处理基材期间在接纳板30的期望的温度下接纳板30和基材支架的组成部分的热膨胀，其中，基材支架应当大致具有相同的温度。“没有较大间隙”意味着在处理基材期间的温度下，在基材支架的特定组成部分与接纳板30中相应凹部的边缘之间沿横向方向、即沿水平延伸的方向最大存在0.5mm的距离。
在图5C中以与在图5B相同的横截面可看出图5A的接纳板30，该接纳板具有放置在其上的按照本发明的基材支架10和设置在其上的基材2。如可看到的，基材支架10的组成部分完全填充接纳板30中的在图5B中所示的凹部31，使得在基材支架10与接纳板30的基体300之间基本上没有间距，即使在水平方向上也没有间距。因此确保了接纳板30与基材支架10之间以及也与基材2之间的最佳的热接触和电接触。保持面11被接纳在(在图5B中所示的)凹部311中，保持装置13a至13g(其中在图5C中仅可看到保持装置13a)被接纳在(在图5B中所示的)凹部313a至313g中，并且抓持臂121和122被完全接纳在(在图5B中所示的)凹部312a和312b中，使得保持面11的第一表面112、保持装置13a至13g(基材2放置在这些保持装置上)的支承面以及接纳板30的第一表面301形成平坦的、闭合的表面。换句话说：接纳板30和放入到接纳板中的基材支架10构成几乎整块，基材2放置在该块上并且仅保持装置13a至13g沿竖直方向从该块中伸出。因此，基材2完全平坦地并且均匀地放置在保持面11的第一表面112、保持装置13a至13g和接纳板31的第一表面301上并且能够均匀地并且在没有大面积污染基材支架10的情况下被处理。
优选地，接纳板30由导电材料、例如铝或石墨制成，使得基材支架10可以均匀地被加载限定的电势。然而接纳板30也可以仅在特定的区域中、例如在邻接于基材支架10的区域中以及在第一表面301的区域中由导电材料制成，而其它区域可以由电绝缘材料制成。同样，当不需要给基材2加载限定的电势时，对于接纳板30的整个基体300也可以使用一种或多种电绝缘材料。在此，在选择材料时也要考虑材料在处理工艺期间存在的温度下的温度稳定性。
参考图5D再次阐述基材支架10的抓持臂121或者说122的不同区域121a和121b与接纳板30之间的关系。如可看到的，抓持臂121的第一区域121a从保持面11沿第二水平方向(y轴)延伸直至恰好基体300的边缘，抓持臂121沿所述第二水平方向延伸超过保持面11和接纳板30。在第一区域121a中，抓持臂121优选由与接纳板30的基体300相同的材料形成，使得例如从外部施加到接纳板30的基体300上的电压U也存在于抓持臂的第一区域121a中。因此，在邻接于基材处理空间(例如等离子体空间)的表面上不存在基体300的区域中得到了与在接纳板的第一表面301形成该表面的区域中相同的电条件。这提高了基材处理的均匀性。在延伸超过接纳板30的第二区域121b中，抓持臂121优选由电绝缘材料形成，使得接纳板30和基材处理空间相对于用于运输基材的设备的其它元件(例如相对于图1A中示出的支承组件14)电绝缘。
当各个部件本身由导电材料制成时，接纳板30和基材支架10的设计方案(如目前描述和所示的)允许接纳板30、基材支架10和基材2之间的欧姆接触。参考图6描述所述部件的一种设计变型方案，其能够实现基材2与接纳板30的电容性耦合。在此，基体300又可以从外部被加载电压U。但基材支架10至少在直接邻接于基材2的区域中、即在保持面11的第一区域115a中和在保持装置13a的第一区域13aa中(其示例性地针对所有保持装置13a至13g示出)以及在抓持臂121、122的与基材2直接接触的第一区域中由电介质材料制成。在其它区域中、即在保持面11的第二区域115b中和在保持装置13a的第二区域13ab中以及在抓持臂121、122的第二区域中，基材支架10由导电材料制成。接纳板30的基体300也具有第一区域300a和第二区域300b，在第一区域中基体邻接于基材2，在第二区域中基体不邻接于基材2，其中，第一区域300a也还可以延伸超过基材2，如在图6中所示的那样。第一区域300a由电介质材料构成，优选由与保持面11的第一区域115a和保持装置13a的第一区域13aa以及抓持臂121、122的第一区域相同的电介质材料构成，而第二区域300b由导电材料构成，优选由与保持面的第二区域115b和保持装置13a的第二区域13ab以及抓持臂121、122的第一区域相同的导电材料构成。因此，基材2总是邻接于电介质材料，从而实现接纳板30和基材2之间的电容性耦合。例如使用氧化铝、氧化硅、氮化硅或其它合适的材料以及由这些材料构成的化合物或层结构作为电介质材料。
除了在处理基材期间机械地保持基材支架和基材并且必要时以限定的电压加载基材之外，如其在图5D和图6中示出的那样，接纳板也能够满足其它功能并且与此对应地设计。
因此，在第二种实施形式中，接纳板30’设有用于给接纳板调温的装置32，如这在图7A中示出的那样。该装置32可以是加热装置和/或冷却装置并且例如由电阻加热器或导流系统构成，加热或冷却流体可以流动通过该导流系统。在此，装置32可以设置在接纳板30’的基体300中并且邻接于接纳板30’的第二表面302，如在图7A中示出的那样，或完全由基体300包围，如在图7B中示出的那样。此外也可能的是，该装置不设置在基体300中，而是仅设置邻接于第二表面302。第二表面302是接纳板30’的与其中形成有凹部31的第一表面301相对置的表面。如果在对接纳板30’进行调温时达到高的温度、也就是说大于或等于400℃的温度，那么在选择接纳板30’的材料时应注意其耐温性。因此，接纳板30’例如由陶瓷或石英玻璃制成。
在第三种实施例中，接纳板30”不仅适用于给接纳板的调温(如参考图7A所述的那样)，而且还具有用于供应一种或多种气体的装置。这首先对于这样的处理装置是有利的，其中多个接纳板30”竖直地彼此相叠地设置并且其中基材经受处理，在处理时在处理室中需要限定的气体组分。用于供应一种或多种工艺气体的装置例如是气体分配器33，如其在图7B中所示的那样。在此，气体分配器33具有气体储备空间331和多个气体通道332，所述气体储备空间例如从外部通过气体管路被填充气体，所述气体通道提供气体储备空间331与接纳板30”的第二表面302之间的连接。因此，气体可以从气体储备空间331通过气体通道332被引入到基材处理空间中，该基材处理空间沿竖直方向设置在接纳板30”的下方并且配设给定位在另一个沿竖直方向设置在接纳板30”下方的接纳板上的基材。
图8A示出按照本发明的处理装置3a的示意图，该处理装置具有多个构成为等离子体电极的接纳板30a至30d，所述接纳板例如根据参考图5A至5D描述的第一种实施形式设计。在此，在接纳板30a至30d中分别放入带有设置在其上的基材的基材支架。示例性地标出放入到接纳板30a中的基材支架10a和基材2a。每个接纳板30a至30d是等离子体电极对的一个等离子体电极。处理装置3a包括作为最上面的等离子体电极、即沿竖直方向设置在所有其它等离子体电极上方的等离子体电极的顶电极34，该顶电极不具有如其它等离子体电极、即接纳板30a至30d那样的凹部并且不设置用于并且适用于在处理基材期间接纳基材。在这样的等离子体电极(也称为电极单元)的布置结构中，将多达200个分别以3mm至30mm的典型距离彼此平行地设置的电极交替地与至少两个电压输送装置35a、35b中的一个电压输送装置连接，其中至少一个电压输送装置与安装在等离子体处理装置外部的电压供应装置的发电机连接。所述至少两个电压输送装置中的一个也可以接地。电压输送装置35a、35b与电压供应装置的连接通过连接端子K1和K2建立。因此，在等离子体电极对的等离子体电极之间施加有相应的电压时，可以在位于这些等离子体电极之间的等离子体空间36中电容式地产生等离子体。借助于在等离子体中产生的或位于等离子体中的部件可以处理位于相应的接纳板30a至30d上的基材，该接纳板形成等离子体电极对的沿竖直方向下部的等离子体电极。
图8B示出按照本发明的处理装置3b的示意图，该处理装置具有多个接纳板30e至30h，这些接纳板允许对于达1000℃的处理温度在堆叠的布置结构中实施CVD工艺。在此，在接纳板30e至30h中分别放入带有设置在其上的基材的基材支架。示例性地标出放入到接纳板30e中的基材支架10a和基材2a。与在图7B中所示的接纳板30”类似地，接纳板30e至30g被实施为两部分的并且在上半部303中由合适的加热器32a(例如电阻加热器)组成，基材支架可以以良好的热接触被放入到该加热器中。每个接纳板30e至30g的下半部304是气体分配器33(类似于图7b)，气体分配器33向下方的处理室36a提供工艺气体。在加热器32a与气体分配器33之间还存在用于隔热的装置37，该装置防止或至少明显降低从加热器32a到气体分配器33的散热。用于隔热的装置37例如可以由多个隔热板组成。上部区域303被加热到第一温度，该第一温度对应于基材和基材支架的期望的温度，例如400℃至1000℃。具有气体分配器33的下部区域304保持在比基材和基材支架明显较低的第二温度上，这例如可以通过用冷却水进行的内部冷却来进行。CVD工艺可以在气氛压下或在典型的1毫巴(100帕)至300毫巴(30卡帕)压力时的真空下进行。通过从气体分配器33朝向设置在其下方的基材流动的工艺气体，由于其在热的基材表面上的热分解实现在基材上的CVD层形成。而气体分配器33很少被涂覆或不被涂覆。
当然也可以交替地设置单独的、也就是说与接纳板分隔开构造的气体分配器和相应的接纳板。如在图8B中示出的，在竖直方向上最上面的接纳板可以由单独的气体分配器33代替。与此相对地，在竖直方向上最下面的接纳板33h可以仅包括如在图8B中示出的加热器32a，或仅包括加热器32a和用于隔热的装置37，但没有气体分配器33。然而所有的接纳板也可以设计成相同的。
此外，按照本发明的处理装置可以是任何包含按照本发明的接纳板并且适用于处理基材的处理装置。例如这种处理装置可以是调温装置，在该调温装置中基材在限定的温度时在限定的时间经受限定的环境气氛。
参考图9阐述按照本发明的用于处理基材的方法。首先在第一步骤S10中，将具有现有技术中已知的器件的基材放置在按照本发明的用于运输基材的设备的基材支架上。接下来将基材支架沿至少一个水平方向移动到处理装置中，该处理装置将接纳板(在处理期间基材被保持在所述接纳板上)移动直至基材支架在竖直方向上恰好位于处理装置的接纳板的上方(步骤S20)。随后将基材支架放置在接纳板上，为此基材支架沿竖直方向向下移动，直至基材支架平放(步骤S30)。在下一步骤S40中，按照需要处理与基材支架一起放置在接纳板上的基材。在处理基材结束后，通过基材支架的沿竖直方向向上指向的运动将基材支架从接纳板上提起(步骤S50)并且随后沿至少一个水平方向从处理装置中移出(步骤S60)。最后，利用现有技术中已知的手段将基材从基材支架取出(步骤S70)并且可以将其供应给进一步的处理。
例如当实施基材支架的组合的竖直和水平的运动(例如呈螺旋状运动)时，步骤S20和S30以及步骤S50和S60可在时间上部分重叠。然而这仅当处理装置的尺寸、尤其是接纳板与处理设备或处理装置的沿竖直方向设置在接纳板上方的元件之间的竖直距离允许这种情况时才是可能的，处理装置是所述处理设备的一部分并且在处理设备内部设置有处理装置。
此外，可以多次重复步骤S20至S60，其中，基材支架分别移动到另一个处理装置中或从所述另一个处理装置移动出来并且相应地对基材进行处理。因此，例如可以在第一处理装置中实施用于以等离子体化学的方式清洁基材表面的处理，而在第二处理装置中实施用于将层沉积在基材表面上的处理。在此可能的是，在不中断对于相应的处理必要时必需的真空的情况下将基材从一个处理装置运输到下一个处理装置。
根据图10A至10D示出基材支架沿水平方向和竖直方向的运动的示例。在此，图10A和10B分别示出按照本发明的处理装置的接纳板30和按照本发明的具有设置在其上的基材2的基材支架10的示意性横截面，而图10C示出按照本发明的处理装置的接纳板30和根据本发明的具有设置在其上的基材2的基材支架10的俯视图。然而对于具有平坦表面并且不具有与基材支架相对应的凹部的接纳板来说，基材支架的相同的运动也是可能的。
在图10A中所示的运动过程中，基材支架10首先沿第一水平方向(x轴)移动到处理装置中，这通过箭头V1示出，直至基材支架10位于接纳板30的上方并且尤其是位于构造在接纳板30中的凹部31上方。随后基材支架10沿竖直方向(z轴)向下移动(箭头V2)，直至其位于接纳板30的凹部31中。随后处理基材2。在处理结束之后，基材支架10沿竖直方向向上移动(箭头V3)直至基材支架10从接纳板30上提起并且在竖直方向上位于接纳板30上方与接纳板30间隔开距离，该距离能够实现基材支架10沿水平方向移动而不损坏接纳板30或基材支架10或基材2。随后基材支架10沿第一水平方向从处理装置中移动出来(箭头V4)。所述运动过程对应于一种穿通方法，在该穿通方法中使基材支架10沿同一个方向移动到处理装置中并且从该处理装置中移动出来。该基材支架尤其适用于处理装置，其中，仅在接纳板30的两个侧面的最多其中一个侧面上设置有处理装置的部件(例如电压输送装置和/或气体输送装置)，所述接纳板沿第一水平方向(x轴)延伸并且沿第二水平方向(y轴)相对于彼此对置。虽然这些部件也可以小部分地沿接纳板30的沿第二水平方向(y轴)延伸并且沿第一水平方向(x轴)相对于彼此对置的两个侧面设置，但是这些部件仅在不妨碍或影响基材支架10的运动V1和V4的范围内。
在图10B中所示的运动过程与在图10A中所示的运动过程的区别在于，基材支架10的水平运动V1和V4沿第二水平方向(y轴)进行，基材支架10的抓持臂也沿该第二水平方向延伸。由于基材支架10的抓持臂与操纵器连接，该操纵器在图10B中例如位于基材支架10的右边，然而在此未示出，所以基材支架10沿正的第二水平方向移动到处理装置中(箭头V1)并且沿负的第二水平方向再次从处理装置中移动出来(箭头V4)。所述正的第二水平方向和负的第二水平方向彼此相反。所述运动过程尤其适用于如下处理装置，在该处理装置中在接纳板30的所述两个侧面的至少一个侧面上设置有处理装置的部件(例如电压输送装置和/或气体输送装置)，所述接纳板沿第二水平方向(y轴)延伸并且沿第一水平方向(x轴)相对于彼此对置，这些部件妨碍或影响基材支架10沿第一水平方向(x轴)的运动。
目前所述的运动过程仅包含基材支架10的直线运动。参考图10C描述另一个运动过程，该运动过程与此相反包括基材支架10的非直线的运动。因此，将基材支架10通过在接纳板30上方的水平平面中实施的旋转运动(箭头V1)移动到处理装置中并且定位在接纳板30的上方。随后，将基材支架10通过沿竖直方向(z轴)向下指向的运动(V2)放置在接纳板30上、对基材2进行处理并且将基材支架10通过沿竖直方向向上指向的运动(V3)再次从接纳板30上提起。随后将基材支架10通过在接纳板30上方的水平平面中的旋转运动(箭头V4)从处理装置中移动出来。在此，处理装置的其它部件也必须设置成使得这些部件不妨碍基材支架10的运动、尤其是运动V1和V4。
图11示出按照本发明的处理装置400的一种实施形式的示意性俯视图。处理设备400具有沿第一水平方向(x轴)依次相继设置的多个室并且是穿通设备(直列式设备)，在该穿通设备中待处理的基材沿第一水平方向从一个室被运输到下一个室。优选地，所述室也都设置在同一个水平平面中，使得仅需要使基材沿第一水平方向移动，以便从一个室到达相邻的室。
处理装置400包括装载室410、载入室420、处理室430、载出室440和卸载室450。装载室410和卸载室450可以是封闭的室，其在所有的侧上通过室壁、滑阀或门相对于其环境限界，如在图11中可看出。然而装载室410和卸载室450也可以是敞开的室或站，其在至少一侧上相对于其环境是持续敞开的并且未被限界。装载室410适用于能够实现将基材2放置到按照本发明的用于运输基材的设备的基材支架上。为此目的，装载室410适用于接纳和保持这种用于运输基材的设备。在图11中示例性地示出如参考图4A所描述的用于运输多个基材的设备1’，其中，设备1’包括多个基材支架，并且因此包括与共同的支承组件14连接的多个保持面11和抓持臂121和122。装载室本身可以包括用于将基材放置到用于运输基材的设备上的器件。替代地，这种用于放置基材的器件也可以设置在装载室410的外部并且因此不是处理设备400的一部分，如在图11中所示的那样。以相同的方式，卸载室450适用于能够实现将基材2从用于运输基材的设备1’的基材支架上取出并且接纳和保持所述设备1’。关于用于将基材从用于运输基材的设备上取出的器件适用于类似参考用于将基材放置在用于运输基材的设备上的器件。
载入室420和载出室440适用于产生至少在一些参数(例如压力)下对应于接下来的室、即处理室430或卸载室450的气氛。因此，处理室430和/或装载和卸载室410、450的抽真空和通风过程可被最小化。然而载入室和/或载出室420、440的功能也可以通过装载室410和/或卸载室450实现或在处理室430中实现，从而也可以不用考虑载入室和/或载出室420、440。
处理室430用于实际对基材2进行处理并且包括至少一个具有接纳板的处理装置，基材在处理期间被保持在该接纳板上。在图11以及12A和12B中分别示出按照本发明的一个处理装置3。然而处理室也可以包括处理装置，该处理装置的接纳板构造成平坦的并且不具有对应于按照本发明的用于运输基材的设备的基材支架的凹部。处理装置3包括正好与设备1所包括的保持面1’一样多的接纳板30。此外，处理装置3包括供应装置38，该供应装置适用于提供和输送对于处理基材2所需的介质(例如气体或调温流体)或电压。在所示的实施形式中，供应装置38这样设置在处理室430内，使得设备1’的保持面11通过沿第一水平方向(x轴)的移动而移动进入到处理装置3中或从处理装置移动出来，并且可以定位在接纳板30的上方，而不需要附加地沿第二水平方向(y轴)移动。
在所示的实施形式中，至少载入室420、处理室430和载出室440是真空室，在所述真空室中可以调节与其它室无关的限定的气氛，所述气氛的特征在于特定的压力和气体组分。所有的室410至450借助于气密的滑阀460与所述一个或多个相应邻接的室连接。因此可能的是，将设备1’例如从载入室420运输到处理室430中或者从处理室430运输到载出室440中，而不会中断真空。
处理设备400也可以包括多个处理室(或处理室中的多个处理装置)和/或多个载入和载出室，它们根据基材的期望的整个处理而设置和设计。在此，可以在多个处理装置中对基材进行处理而不需要将基材支架暂时转移到另一个基材支架上，其中，减少在不同的处理装置之间的交叉污染。
如在图11所示，在处理设备中可以同时存在有多个按照本发明的用于运输基材的设备。因此，例如第一设备1’可以位于装载室410中并且装备有基材，而第二设备1’位于处理室430中并且处理位于其上的基材2。根据处理装置400的设计方案，不同数量的用于运输基材的设备可同时存在于处理设备中。在将基材在卸载室中从用于运输基材的设备1’取出之后，可以将空的用于运输基材的设备1’在处理设备400的外部或在处理设备400的另一个区域中再次导回至装载室410，使得该处理设备重新可供用于处理基材。这随后将详细阐述。
如已经参考图4B阐述的那样，按照本发明的用于运输基材的设备也可以具有彼此相叠地设置的基材支架的多个横向并排设置的单元。因此，例如120个基材可以同时被运输通过处理设备并且在该处理设备中被处理，这些基材在由20个基材组成的6个单元中分别单独地设置在其中一个基材支架上。在此，处理装置可以包含彼此相叠地设置的接纳板的多个横向并排设置的单元，使得所有基材可以在同一个处理装置中被处理。替代地，也可以在处理室中存在多个优选构造成相同的处理装置，其中，相应地仅将用于接纳一个单元的或多个、但不是所有的单元的基材支架的接纳板连同放置在其上的基材设置到其中一个处理装置中。在图12A和12B中示意性地示出这种处理室的示例。
图12A示出处理室430’的示意性俯视图，该处理室具有处理装置3’和用于运输基材的设备，所述基材具有由基材支架组成的六个单元101a至101f，其中，在每个单元101a至101f中彼此竖直相叠地设置有多个基材支架。所有单元101a至101f的基材支架与同一个支承组件14连接并且通过该支承组件与运动装置的支承单元471和导向系统472连接。处理装置3’具有接纳板的六个单元305a至305f，其中，单元305a至305f的接纳板分别彼此竖直相叠地设置。此外，处理装置3’包括一个共同的供应装置38，该供应装置适用于提供和输送用于处理基材所需的介质(例如气体或调温流体)或用于所有单元305a至305f的电压。结果是所有的基材在同一个处理装置3’中被处理。
图12B示出处理室430”的示意性俯视图，该处理室具有三个处理装置3”a至3”c和一个用于运输基材的设备，所述设备具有基材支架的六个单元101a至101f，其中，在每个单元101a至101f中彼此竖直相叠地设置有多个基材支架。所有单元101a至101f的基材支架与同一个支承组件14连接并且通过该支承组件与运动装置的支承单元471和导向系统472连接。在其中一个处理装置3”a至3”c中分别对单元101a至101f中的两个单元的基材进行处理。也就是说在处理装置3”a中对单元101a和101b的基材进行处理，在处理装置3”b中对单元101c和101d的基材进行处理，在处理装置3”c中对单元101e和101f的基材进行处理。为此，处理装置3”a至3”c中的每个处理装置分别具有由接纳板构成的两个单元305a和305b，其中，单元305a和305b的接纳板分别彼此竖直相叠地设置。此外，处理装置3”a至3”c中的每个处理装置包括一个供应装置38a至38c，该供应装置适用于提供和输送用于处理基材所需的介质(例如气体或调温流体)或者用于其中一个处理装置3”a至3”c的每个所述单元305a和305b的电压。优选地，所有的处理装置3”a至3”c构造成相同的。
当然，适合用于接纳任意数量的基材支架的单元的任意数量的处理装置可以设置在一个处理室中。
返回到图11，处理设备400还具有运动装置470，该运动装置用于设备1’在处理设备400内的运动并且在整个处理设备400上延伸通过所有的室410至450。运动装置470在处理装置400的区域中包括至少一个支承单元471、至少一个导向系统472以及导向元件473、控制单元474和导回系统475，所述区域在至少处理室430的外部延伸。借助导回系统475，支承单元471和与其连接的导向系统472以及必要时与其连接的空的用于运输基材的设备1’可以再次从卸载室450被导回至装载室410，使得它们可再次被提供用于基材的处理。因此，导回系统457与运动装置470的其它部件构成用于使用于运输基材的设备1’移动的封闭的系统。
导回系统475可以与运动装置470的元件相同地构造在室410至450内并且例如也具有导向元件473。然而导回系统475也可以以其它方式构造并且可以具有附加的装置，例如清洁装置。导回系统475可以任意地参考处理装置400的室410至450例如设置在室410至450的上方或下方或其侧向，但优选始终设置在室410至450的外部。
优选地，分别包含一个支承单元471和导向系统472连同所述一个或多个固定在其上的用于运输基材的设备1’的运输装置在卸载室450中卸载基材之后借助导回系统475再次移动返回至装载室410。因此，用于运输装置的导回系统475可以同时用作用于运输装置的缓冲器。也就是说如果足够多的运输装置(典型地5至15件)以这种方式在处理设备中旋转，则在导回系统475中运输装置的队列可以安装在装载室410的前面。由此，用于装载基材的运输装置总是能够从导回系统475中调用，并且处理设备400可以不中断地工作。
控制单元474用于控制支承单元471和导向元件473以及导回系统475，使得设备1’可以沿希望的方向在处理装置400内移动。控制装置以及对此必要的器件如信号导线或机械的、液压的或气动的控制元件通过箭头示意性地示出，所述箭头例如从控制单元474出发通向一些导向元件473、通向支承单元471以及通向导回系统475。导向元件473设置在相应的室410至450中，而支承单元471和导向系统472与设备1’连接并且与该设备共同地移动通过处理设备400。导向系统472与导向元件473这样配合作用，使得设备1’被保持并且能够限定地沿第一水平方向(x轴)移动。在此，各个导向元件473具有彼此沿第一水平方向(x轴)的距离，该距离这样确定大小，使得支承单元471在处理设施400内的每个位置处始终由至少两个导向元件473保持。
图13示出沿图11中的线F-F’的处理设备400的横截面并且用于阐述运动装置470、尤其是支承单元471、导向系统472和导向元件473的示例性实施形式。可以看到用于运输基材的设备1’以及运动装置470和装载室410的侧向的室壁411，该设备包括多个基材支架10a至10d和支承组件14，其中，未示出控制单元。装载室410的其它的壁鉴于较好的图示清晰性在此未示出。支承单元471是竖直延伸的板，该板在其背离室壁411的侧面上与支承组件14相对于沿第一水平方向(沿着x轴)的运动而固定连接并且沿竖直方向(z轴)可运动地连接。在此，所述连接可以分别可脱开地或不可脱开地实施。支承单元471适用于使支承组件14沿竖直方向限定地移动，并且包括为此所需的器件。这些器件可以电动地、机械地、液压地或气动地实现支承组件14的竖直运动并且由现有技术已知。附加地，支承单元471也可以具有能够实现支承组件14沿第二水平方向(y轴)的限定的运动的器件。在支承单元471的朝向室壁411的一侧上固定地设置有上部的轨道472a和下部的轨道472b，其中，上部的轨道472a和下部的轨道472b共同构成图11中的导向系统472。上面的和下部的轨道472a、472b各自支承在辊子476a、476b上，这些辊子分别又设置在轴477a、477b上。优选地，辊子476a、476b中的至少一个辊子与配设给其的轴477a、477b固定连接。“固定”在此意味着相应的部件这样相互连接，使得其不能彼此相对或相互无关联地移动，其中，所述连接本身能够可脱开地例如通过螺栓实施，或者不可脱开地例如通过焊接实施。轴477a、477b引导穿过室壁411并且因此可以从外部旋转，由此辊子476a、476b旋转并且支承单元471和与之连接的设备1’沿第一水平方向(x轴)移动。辊子476a、476b也可以可旋转地设置在轴477a、477b上，使得辊子仅被动地辅助支承单元471沿第一水平方向的运动。因此，支承单元471沿第一水平方向自身的移动可以通过其它方式来激发和控制。配合作用的辊子476a和轴477b一起构成上部的导向元件473a，而辊子476b和轴477b构成下部的导向元件473b。轨道472a、472b基本上直线地沿第一水平方向(x轴)延伸，其中，至少轨道472a、472b的前端部、即轨道472a、472b的端部区域(所述端部区域沿支承单元471的移动方向首先与辊子476a、476b接触)可以倒圆或沿竖直方向向上弯曲，以便实现相应的轨道472a、472b无冲击地过渡到相应的辊子476a、476b上。
当然，只要确保设备1’的可靠的保持和限定的运动，运动装置470的各个部件、尤其是支承单元471、导向系统472和/或导向元件473的其它实施形式也是可能的。
在处理设备的至少一个室中出现高温的情况下，例如在用于MOCVD沉积(金属有机化学气相沉积)的处理室中，必要时可以需要和存在有用于对运动装置470或相关的室的其它组成部分进行隔热的装置，但是为了保持清晰性在图11至13中没有示出这些装置。MOCVD工艺例如在600℃和1000℃之间的基材温度下进行，而等离子体辅助工艺通常在20℃和400℃之间的基材温度下进行。这种用于隔热的装置例如是隔热板或涂层并且由现有技术已知。
在按照本发明的处理设备的其它实施形式中，装载室和卸载室也可以通过同一个室实现，其中，现有的室虽然可以线性地设置，但是基材沿第一水平方向沿正方向和负方向的运动是必要的。
此外，所述室彼此相叠的竖直布置结构或所述室或一些室在中间的装载室和卸载室周围的圆形布置结构也是可能的。
基材支架和整个用于运输基材的设备的准确的设计方案以及接纳板和整个处理装置的准确的设计方案能够最佳地匹配于处理基材的条件和基材支架的运动。尤其是，保持面、抓持臂和保持装置的形状和数量以及在接纳板中凹部的以及接纳板本身的形状和数量可以与所示的实施形式无关地选择并且不限于所述的形状和数量。所示的实施形式的不同部件的组合也是可能的，只要它们不相互排斥。
以相同的方式可以将处理设备的不同部件相互组合，只要它们不相互排斥。
附图标记
1、1’、1”                 用于运输基材的设备
10、10’、10”、10a-10d、100  基材支架
101、101a-101f           由彼此竖直相叠地设置的基材支架构成的单元
11、11a、11d              保持面
110                     基材支架的基体
110a、110d               基体中的凹部
111                     保持面的边缘
112                     保持面的第一表面
113                     保持面的第二表面
114a                    保持面的侧向框架
114b                    保持面的凹部之间的板条
115a                    保持面的第一区域
115b                    保持面的第二区域
121、122                 抓持臂
121a                    抓持臂的第一区域
121b                    抓持臂的第二区域
13a-13g                 保持装置
14                      支承组件
2、2a-2d                 基材
201                     基材的第一表面
202                     基材的第二表面
203                     基材的边缘
3、3a、3b、3’、3”a-3”c      处理装置
30、30’、30”、30a-30h      接纳板
300                     接纳板的基体
300a                    基体的第一区域
300b                    基体的第二区域
301                     接纳板的第一表面
302                     接纳板的第二表面
303                     接纳板的上部区域
304                     接纳板的下部区域
305a-305f               由接纳板组成的单元
31                      接纳板中的凹部
311                     用于接纳保持面的凹部
312a、312b               用于接纳抓持臂的凹部
313a、313g               用于接纳保持装置的凹部
32                      用于给接纳板调温的装置
32a                     加热器
33                      气体分配器
331                     气体储备空间
332                     气体通道
34                      顶电极
35a、35b                 电压输送装置
36                      等离子体空间
36a                     处理室
37                      用于隔热的装置
38、38a-38c              供应装置
400                     处理设备
410                     装载室
411                     室壁
420                     载入室
430、430’、430”           处理室
440                     载出室
450                     卸载室
460                     滑阀
470                     用于使用于运输基材的设备运动的运动装置
471                     支承单元
472                     导向系统
472a                    上部的轨道
472b                    下部的轨道
473                     导向元件
473a                    上部的导向元件
473b                    下部的导向元件
474                     控制单元
475                     导回系统
476a、476b               辊子
477a、477b               轴
K1、K2                   连接端子
V1-V4                   基材支架的第一至第四运动
b1                      基材的宽度
b11                      保持面的宽度
b12                      抓持臂的宽度
b13                     保持装置的伸出的区域的宽度
h1                      基材的高度
h11                      保持面的高度
h12                     在抓持臂不邻接于保持面的第二表面的区域中抓持臂的高度
h12’                     在抓持臂邻接于保持面的第二表面的区域中抓持臂的高度
h13                      保持装置在保持面的第一表面上的高度
h311                     用于接纳保持面的凹部的高度
h312                     用于接纳抓持臂的凹部的高度
L1                       基材的长度
L11                      保持面的长度
L12                      抓持臂的长度
L12a                     抓持臂的第一区域的伸出区域的长度
L12b                     抓持臂的第二区域的长度
L13                      保持装置的长度

Claims (32)

1.用于将基材运输到处理装置中或从该处理装置运输出来的设备，其中，所述处理装置具有水平延伸的接纳板，并且所述设备具有基材支架并且该基材支架适用于将基材定位在接纳板的第一表面上，
其特征在于，所述基材支架还适用于在处理装置中对基材进行处理期间将基材保持在接纳板上，并且基材支架具有：
-水平延伸的保持面，该保持面平坦地并且均匀地构造在朝向基材的第一表面上，该保持面的形状基本上对应于基材的形状并且该保持面的面积基本上等于基材的面积，其中，所述基材仅通过其重力以其背侧保持在保持面上，以及
-一个或多个抓持臂，其中，每个所述抓持臂与保持面连接并且沿水平方向延伸超过该保持面。
2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，至少两个保持装置至少沿竖直方向从保持面的边缘和/或从第一表面延伸出，所述保持装置适用于将基材固定在保持面上以防横向移位。
3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述保持装置在保持面的第一表面上延伸直至从保持面的第一表面测量的一个高度，其中，所述高度大于零并且小于或等于基材的高度。
4.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，所述基材支架具有多个保持面，这些保持面在一个共同的水平平面中并排地以横向的布置结构设置并且彼此物理连接。
5.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，所述基材支架具有闭合的基体，其中，每个保持面构成为构造在基体的水平表面中的凹部的底面，并且适用于将基材固定在相应的保持面上以防横向移位的保持装置构成为各保持面之间的侧向框架或板条，这些基材中的每个基材放置在其中一个保持面上。
6.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，所述基材支架的组成部分至少在当处理基材期间与基材和/或接纳板接触的区域中由与接纳板的第一表面相同的材料制成。
7.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，所述基材支架的组成部分在当处理基材期间与基材和/或接纳板接触的区域中由导电材料制成，并且所述抓持臂在当处理基材期间不与接纳板接触的区域中由电介质材料制成。
8.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，所述基材支架在当处理基材期间与所述基材和/或接纳板接触的区域具有热容量，该热容量小于接纳板的热容量。
9.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其特征在于，所述设备具有支承组件，基材支架利用所述一个或多个抓持臂固定在所述支承组件上。
10.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，所述设备具有由多个彼此竖直相叠地设置并且与支承组件连接的基材支架构成的单元。
11.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，所述设备具有由彼此竖直相叠地设置的基材支架构成的多个单元，其中，这些单元沿水平方向并排地设置并且与同一支承组件连接。
12.用于处理基材的处理装置，所述处理装置具有接纳板，基材在处理期间被保持在该接纳板上，其特征在于，所述接纳板在当处理基材期间朝向基材的第一表面中具有凹部，该凹部适用于在处理基材期间接纳根据权利要求1至11中任一项所述的设备的基材支架。
13.根据权利要求12所述的处理装置，其特征在于，在接纳板的第一表面中的凹部具有从接纳板的第一表面起测量的一个深度，该深度这样确定大小，使得在处理基材期间基材支架的的保持面的第一表面和接纳板的第一表面形成一个平坦的表面。
14.根据权利要求12或13所述的处理装置，其特征在于，所述处理装置是等离子体处理装置并且还具有用于将第一电压施加到接纳板上并且将第二电压施加到第一电极上的装置，该第一电极沿竖直方向设置在接纳板的上方并且与该接纳板平行并且与接纳板电绝缘，并且所述接纳板是在由第一电极和接纳板组成的平行板反应器中的第二电极。
15.根据权利要求14所述的处理装置，其特征在于，所述接纳板完全由导电材料制成。
16.根据权利要求14所述的处理装置，其特征在于，所述接纳板至少在邻接于第一表面的区域中由导电材料和电介质材料制成的层结构构成，其中，所述电介质材料邻接于接纳板的第一表面。
17.根据权利要求12至16中任一项所述的处理装置，其特征在于，所述接纳板包括用于给接纳板调温的装置。
18.根据权利要求17所述的处理装置，其特征在于，所述处理装置是CVD涂敷设备并且接纳板在沿竖直方向上部的区域中包括适用于将该上部的区域加热到第一温度的面式加热器、在沿竖直方向下部的区域中包括具有用于将该下部的区域调温到第二温度的器件的气体分配器以及包括用于隔热的装置，该用于隔热的装置设置在上部的和下部的区域之间并且适用于减少从上部的区域到下部的区域的热流，其中，第二温度小于第一温度。
19.根据权利要求12至18中任一项所述的处理装置，其特征在于，在接纳板的第一表面中的凹部具有能够实现基材支架在凹部中自调节的形状。
20.根据权利要求12至19中任一项所述的处理装置，其特征在于，所述处理装置具有多个彼此相叠地设置的接纳板，这些接纳板中的每个接纳板适用于接纳一个根据权利要求10所述的设备的基材支架。
21.用于在处理设备中处理基材的方法，其中，该处理设备包括具有接纳板的、根据权利要求12至20中任一项所述的处理装置，基材在处理期间被保持在该接纳板上，所述方法具有以下步骤：
a)将基材放置到根据权利要求1至11中任一项所述的用于运输基材的设备的基材支架上，
b)使基材支架沿至少一个水平方向运动，直至基材支架沿竖直方向设置在处理装置的接纳板的上方，
c)将基材支架放置在接纳板上，
d)在处理装置中对基材进行处理，
e)将基材支架从接纳板上沿竖直方向提起，
f)使基材支架沿至少一个水平方向从处理装置中运动出来，
g)将基材从基材支架中取出，
其中，这些步骤以给出的顺序实施。
22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述处理设备具有多个根据权利要求12至19中任一项所述的处理装置，并且多次相继地实施步骤b)至f)，其中，将基材依次引入到不同的处理装置中并且引出以及在所述处理装置中对基材进行处理。
23.根据权利要求22所述的方法，其特征在于，在处理设备中不中断真空的情况下实施所述多次相继地实施的步骤b)至f)。
24.根据权利要求21至23中任一项所述的方法，其特征在于，所述处理设备包含根据权利要求12至20中任一项所述的处理装置，并且基材支架在步骤c)中被放置在接纳板的凹部中。
25.用于处理一个或多个基材的处理设备，所述处理设备具有装载室、至少一个具有至少一个处理装置的处理室和卸载室，所述处理装置带有接纳板，基材在处理期间被保持在所述接纳板上，其特征在于，
-所述处理设备具有运动装置，该运动装置适用于：接纳根据权利要求1至11中任一项所述的用于运输基材的设备并且使其运动到所述至少一个处理室中以及从该处理室中运动出来，以及使所述用于运输基材的设备的基材支架在处理室中沿至少一个水平延伸的方向和沿竖直方向运动，并且
-所述装载室适用于将所述基材定位在用于运输基材的设备的基材支架上，并且所述卸载室适用于将所述基材从基材支架中取出。
26.根据权利要求25所述的处理设备，其特征在于，至少一个处理装置是根据权利要求12至20中任一项所述的处理装置。
27.根据权利要求25或26所述的处理设备，其特征在于，所述至少一个处理室中的至少一个处理室是真空室，该真空室与邻接的室通过气密的滑阀分隔开。
28.根据权利要求25或26所述的处理设备，其特征在于，所述处理设备具有多个处理室，这些处理室相应地是真空室并且彼此相叠地借助于气密的滑阀连接，并且所述运动装置适用于使所述用于运输基材的设备在没有中断真空的情况下运动通过所有的处理室。
29.根据权利要求25至28中任一项所述的处理设备，其特征在于，至少所述处理室是具有竖直的侧壁的室，该侧壁垂直于邻接于相邻的室的壁延伸，并且所述运动装置包括支承单元、至少一个沿水平方向或竖直方向延伸的导向系统和多个导向元件，其中，
-所述导向元件设置在处理室的竖直的侧壁上并且适用于与在支承单元上设置在面向该侧壁的一侧上的导向系统配合作用，使得支承单元通过导向元件在水平方向或竖直方向上沿侧壁被引导并且保持，并且
-所述支承单元与用于运输基材的设备在支承单元的背离处理室的侧壁的一侧上机械连接和适用于使基材支架至少沿正交于导向系统延伸的方向运动。
30.根据权利要求29所述的处理设备，其特征在于，所述支承单元适用于使基材支架沿水平方向运动，该水平方向正交于支承单元的朝向用于运输基材的设备的一侧延伸。
31.根据权利要求29或30中任一项所述的处理设备，其特征在于，
-所述导向系统包括沿水平方向设置在支承单元上的轨道，并且
-所述导向元件包括可旋转地并且沿水平方向依次相继地设置在侧壁上的辊子，其中，所述辊子分别彼此间隔开距离地设置，该距离这样小，使得所述轨道在处理设备内的任意位置处与至少两个辊子接触。
32.根据权利要求25至31中任一项所述的处理设备，其特征在于，
-该处理设备具有装载室、至少一个处理室和卸载室的线性顺序，其中，所述运动装置适用于使用于运输基材的设备单向地从装载室穿过至少一个处理室运动到卸载室中，并且
-所述运动装置还包括导回系统，该导回系统适用于将用于运输基材的设备从卸载室运输至在所述至少一个处理室外部的装载室。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3806138B1 (en) * 2019-10-09 2022-11-30 Infineon Technologies AG Transport system
JP7005690B2 (ja) * 2020-06-17 2022-02-10 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法、およびプログラム
DE102020124030B4 (de) * 2020-09-15 2022-06-15 centrotherm international AG Vorrichtung, System und Verfahren zur plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung
DE102020124022A1 (de) 2020-09-15 2022-03-17 centrotherm international AG Werkstückträger, System und Betriebsverfahren für PECVD

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5792304A (en) * 1993-09-16 1998-08-11 Hitachi, Ltd. Method of holding substrate and substrate holding system
US5893760A (en) * 1996-03-27 1999-04-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of heat treating a semiconductor wafer to reduce stress
US6254690B1 (en) * 1998-04-07 2001-07-03 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor wafer cleaning method using a semiconductor wafer cleaning device that supports a lower surface of the wafer
CN1983515A (zh) * 2005-12-14 2007-06-20 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和该装置的盖吊支装置
CN103065997A (zh) * 2011-10-19 2013-04-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆承载设备及晶圆承载的方法
JP2013147286A (ja) * 2012-01-23 2013-08-01 Dainippon Printing Co Ltd 基板保持用枠体と基板保持用枠体の搬送方法
TW201405699A (zh) * 2012-04-04 2014-02-01 Tokyo Electron Ltd 基板保持裝置及基板保持方法
CN203434134U (zh) * 2013-05-24 2014-02-12 北京京东方光电科技有限公司 一种基板传送装置
JP2016001762A (ja) * 2015-10-05 2016-01-07 大日本印刷株式会社 基板の基板保持用枠体への受け渡し方法と移載用架台への受け取り方法、および移載用架台

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3214256A1 (de) 1982-04-17 1983-10-20 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Vorrichtung zur handhabung eines substrates
IT8234031V0 (it) 1982-07-20 1982-07-20 San Marco Fotomec Spa Dispositivi di aggancio di carta in striscie per macchine sviluppatrici.
DE3681799D1 (de) 1985-01-22 1991-11-14 Applied Materials Inc Halbleiter-bearbeitungseinrichtung.
US5053183A (en) * 1989-09-21 1991-10-01 Aluminum Company Of America Method of handling green ceramic cards
JP3151118B2 (ja) * 1995-03-01 2001-04-03 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US5855681A (en) 1996-11-18 1999-01-05 Applied Materials, Inc. Ultra high throughput wafer vacuum processing system
JPH11163102A (ja) * 1997-11-27 1999-06-18 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置用サセプタ
JPH11176822A (ja) 1997-12-05 1999-07-02 Hitachi Ltd 半導体処理装置
JP3806272B2 (ja) * 1999-09-13 2006-08-09 三菱重工業株式会社 マルチチャンバ型真空処理システム及び基板搬送装置
JP2001332609A (ja) * 2000-03-13 2001-11-30 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置
DE10047983A1 (de) 2000-09-28 2001-11-15 Wacker Siltronic Halbleitermat Randgreifer für Halbleiterscheibe
US20030170583A1 (en) * 2002-03-01 2003-09-11 Hitachi Kokusai Electric Inc. Heat treatment apparatus and a method for fabricating substrates
DE10232731A1 (de) * 2002-07-19 2004-02-05 Aixtron Ag Be- und Entladevorrichtung für eine Beschichtungseinrichtung
US6799940B2 (en) * 2002-12-05 2004-10-05 Tokyo Electron Limited Removable semiconductor wafer susceptor
JP2005223142A (ja) * 2004-02-05 2005-08-18 Tokyo Electron Ltd 基板保持具、成膜処理装置及び処理装置
JP4820755B2 (ja) * 2004-08-06 2011-11-24 株式会社日立国際電気 熱処理装置及び基板の製造方法
JP2008108991A (ja) 2006-10-27 2008-05-08 Daihen Corp ワーク保持機構
JP2008244318A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Tokyo Electron Ltd 基板搬送部材の洗浄方法、基板搬送装置及び基板処理システム
DE102008019023B4 (de) 2007-10-22 2009-09-24 Centrotherm Photovoltaics Ag Vakuum-Durchlaufanlage zur Prozessierung von Substraten
JP5330721B2 (ja) * 2007-10-23 2013-10-30 オルボテック エルティ ソラー，エルエルシー 処理装置および処理方法
JP4857239B2 (ja) * 2007-10-25 2012-01-18 株式会社トプコン ウェハ保持装置
JP5058848B2 (ja) 2008-03-05 2012-10-24 東京エレクトロン株式会社 搬送アーム洗浄装置、搬送アーム洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US8216379B2 (en) * 2009-04-23 2012-07-10 Applied Materials, Inc. Non-circular substrate holders
JP5524668B2 (ja) * 2010-03-26 2014-06-18 ラピスセミコンダクタ株式会社 ウエハ保持装置及び方法
DE102010026209A1 (de) 2010-07-06 2012-01-12 Baumann Gmbh Greifer für plattenartige Gegenstände, insbesondere für Halbleiter-Wafer
JP2012195562A (ja) * 2011-02-28 2012-10-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 異径基板用アタッチメントおよび基板処理装置ならびに基板若しくは半導体デバイスの製造方法
JP5878813B2 (ja) * 2011-06-21 2016-03-08 東京エレクトロン株式会社 バッチ式処理装置
WO2013115957A1 (en) 2012-01-31 2013-08-08 Applied Materials, Inc. Stacked substrate processing chambers
US9385017B2 (en) * 2012-08-06 2016-07-05 Nordson Corporation Apparatus and methods for handling workpieces of different sizes
TWI650832B (zh) 2013-12-26 2019-02-11 維克儀器公司 用於化學氣相沉積系統之具有隔熱蓋的晶圓載具
EP2915901B1 (de) * 2014-03-07 2019-02-27 Meyer Burger (Germany) AG Vorrichtung zur Plasmaprozessierung mit Prozessgaszirkulation in multiplen Plasmen
WO2016112951A1 (en) * 2015-01-12 2016-07-21 Applied Materials, Inc. Holding arrangement for supporting a substrate carrier and a mask carrier during layer deposition in a processing chamber, apparatus for depositing a layer on a substrate, and method for aligning a substrate carrier supporting a substrate and a mask carrier
US10438795B2 (en) * 2015-06-22 2019-10-08 Veeco Instruments, Inc. Self-centering wafer carrier system for chemical vapor deposition
KR101715009B1 (ko) * 2016-08-23 2017-03-10 (주)브이앤아이솔루션 기판처리장치의 캐리어

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5792304A (en) * 1993-09-16 1998-08-11 Hitachi, Ltd. Method of holding substrate and substrate holding system
US5893760A (en) * 1996-03-27 1999-04-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of heat treating a semiconductor wafer to reduce stress
US6254690B1 (en) * 1998-04-07 2001-07-03 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor wafer cleaning method using a semiconductor wafer cleaning device that supports a lower surface of the wafer
CN1983515A (zh) * 2005-12-14 2007-06-20 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和该装置的盖吊支装置
CN103065997A (zh) * 2011-10-19 2013-04-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆承载设备及晶圆承载的方法
JP2013147286A (ja) * 2012-01-23 2013-08-01 Dainippon Printing Co Ltd 基板保持用枠体と基板保持用枠体の搬送方法
TW201405699A (zh) * 2012-04-04 2014-02-01 Tokyo Electron Ltd 基板保持裝置及基板保持方法
CN203434134U (zh) * 2013-05-24 2014-02-12 北京京东方光电科技有限公司 一种基板传送装置
JP2016001762A (ja) * 2015-10-05 2016-01-07 大日本印刷株式会社 基板の基板保持用枠体への受け渡し方法と移載用架台への受け取り方法、および移載用架台

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