CN110970463A - 显示面板 - Google Patents

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groove
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韩石珪
朴英吉
金基铉
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

公开了一种显示面板。所述显示面板包括：基底，包括开口区域和围绕开口区域的显示区域；多个显示元件，位于显示区域中；以及凹槽，布置在开口区域与显示区域之间，并包括第一突出尖端和第二突出尖端，第一突出尖端和第二突出尖端具有距基底的上表面不同的高度且彼此间隔开，其中，第一突出尖端和第二突出尖端从凹槽的侧部朝向凹槽的内部突出。

Description

显示面板
本申请要求于2018年9月28日提交的第10-2018-0116588号韩国专利申请的优先权和全部权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
示例性实施例涉及一种显示面板，更具体地，涉及一种包括该显示面板的显示装置。
背景技术
近来，显示装置的用途已变得多样化。此外，随着显示装置的厚度和重量已逐渐减小，存在显示装置正在被更广泛使用的趋势。
随着显示装置的显示区域的尺寸扩大，添加了与显示装置组合的各种功能或与显示装置关联的能力。随着显示区域的尺寸扩大，正在开发用于向显示装置添加各种功能的计划。
发明内容
作为详细计划，在包括开口的区域的显示装置的情况下，如湿气等的异物可能会渗透到开口的侧部中。在这种情况下，可能会损坏围绕开口的至少一部分的显示元件。
示例性实施例包括用于防止湿气渗透的显示面板和包括该显示面板的显示装置，以解决包括上述问题的若干问题。然而，一个或更多个实施例仅是示例，且发明的范围不限于此。
另外的示例性实施例将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地通过该描述将是明显的，或者可以通过给出的实施例的实践而获知。
在示例性实施例中，一种显示面板包括：基底，包括开口区域和围绕开口区域的显示区域；多个显示元件，位于显示区域中；以及凹槽，布置在开口区域与显示区域之间，并包括第一突出尖端和第二突出尖端，第一突出尖端和第二突出尖端具有距基底的上表面不同的高度且彼此间隔开，其中，第一突出尖端和第二突出尖端从凹槽的侧部朝向凹槽的内部突出。
在示例性实施例中，第一突出尖端和第二突出尖端中的每个突出尖端可以沿凹槽的侧部连续地布置。
在示例性实施例中，显示面板还可以包括无机层，无机层包括多个第一无机材料层和多个第二无机材料层，所述多个第二无机材料层布置在所述多个第一无机材料层之间且具有比所述多个第一无机材料层的蚀刻速率大的蚀刻速率，并且凹槽可以在无机层的厚度方向上凹陷。
在示例性实施例中，第一突出尖端和第二突出尖端可以是所述多个第一无机材料层的部分。
在示例性实施例中，所述多个第一无机材料层可以包括氮化硅(SiNx)，并且所述多个第二无机材料层可以包括氧化硅(SiOx)。
在示例性实施例中，显示面板还可以包括：薄膜晶体管，布置在显示区域中，并包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极；以及第一绝缘中间层、第二绝缘中间层的第一层和第二绝缘中间层的第二层，顺序地布置在栅电极与源电极之间，其中，第一突出尖端是第二绝缘中间层的第二层的一部分，并且第二突出尖端是第一绝缘中间层的一部分。
在示例性实施例中，显示面板还可以包括存储电容器，存储电容器包括：第一电极，位于显示区域中，并位于与薄膜晶体管的栅电极的层相同的层中；以及第二电极，位于第一绝缘中间层上。
在示例性实施例中，在凹槽的侧部处还可布置有第三突出尖端，并且第三突出尖端可与第一突出尖端和第二突出尖端间隔开。
在示例性实施例中，基底可以包括顺序地堆叠的第一基体层、第一无机层、第二基体层和第二无机层，凹槽的底表面可以是第二基体层的上表面，并且第三突出尖端可以通过延伸位于第二无机层上的缓冲层来设置。
在示例性实施例中，显示面板还可以包括薄膜封装层，薄膜封装层覆盖所述多个显示元件并包括顺序地堆叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，其中，有机封装层填充凹槽的至少一部分。
在示例性实施例中，第一无机封装层可以在开口区域与凹槽之间的区域中接触第二无机封装层。
在示例性实施例中，第一突出尖端和第二突出尖端中的至少一个突出尖端的厚度可以在朝向凹槽的内部的方向上减小。
在示例性实施例中，显示面板还可以包括：缓冲层，位于基底上；以及薄膜晶体管，在显示区域中位于缓冲层上，其中，凹槽的底表面是缓冲层的上表面。
在示例性实施例中，显示面板还可以包括：附加凹槽，位于凹槽与开口区域之间；以及分隔壁，布置在凹槽与附加凹槽之间，并包括有机材料。
在示例性实施例中，一种显示面板包括：基底，在基底中限定有开口；显示元件，在围绕开口的至少一部分的显示区域中；薄膜封装层，布置在显示元件上，并包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层；以及凹槽，位于开口与显示区域之间，其中，凹槽在包括多个第一无机材料层和多个第二无机材料层的层的厚度方向上凹陷，并且多个突出尖端布置在凹槽的侧部处且处于彼此不同的高度处。
在示例性实施例中，所述多个第一无机材料层可以包括氮化硅(SiNx)，所述多个第二无机材料层可以包括氧化硅(SiOx)，并且所述多个突出尖端可以是所述多个第一无机材料层的部分。
在示例性实施例中，显示面板还可以包括：薄膜晶体管，布置在显示区域中，并包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极；以及第一绝缘中间层、第二绝缘中间层的第一层和第二绝缘中间层的第二层，顺序地布置在栅电极与源电极之间，其中，所述多个突出尖端包括第一突出尖端和第二突出尖端，第一突出尖端是第二绝缘中间层的第二层的一部分，并且第二突出尖端是第一绝缘中间层的一部分。
在示例性实施例中，所述多个突出尖端中的至少一个突出尖端的厚度可以在朝向凹槽的内部的方向上减小。
在示例性实施例中，显示面板还可以包括：缓冲层，位于基底上；以及薄膜晶体管，在显示区域中位于缓冲层上，其中，凹槽的底表面是缓冲层的上表面。
在示例性实施例中，显示面板还可以包括：附加凹槽，位于凹槽与开口之间；以及分隔壁，布置在凹槽与附加凹槽之间，并包括有机材料。
附图说明
通过下面结合附图对示例性实施例的描述，这些和/或其它示例性实施例将变得明显且更容易理解，在附图中：
图1是显示装置的示例性实施例的透视图；
图2A至图2C是显示装置的示例性实施例的简要剖视图；
图3是显示面板的示例性实施例的平面图，图4是显示面板的像素的等效电路图；
图5是布置在显示面板的区域中的布线(迹线)的示例性实施例的平面图；
图6是布置在显示面板的区域中的凹槽的示例性实施例的平面图；
图7是显示面板的示例性实施例的对应于图6的线I-I'的剖视图；
图8是显示面板的部分中显示元件的示例性实施例的剖视图；
图9是显示面板的部分中凹槽的示例性实施例的剖视图；
图10A至图10C是示出制造显示面板的方法的示例性实施例的剖视图；
图11是显示面板的一部分的另一示例性实施例的剖视图；
图12是显示面板的一部分的另一示例性实施例的剖视图；
图13是显示面板的一部分的另一示例性实施例的平面图；以及
图14是显示面板的一部分的另一示例性实施例的剖视图。
具体实施方式
现在将详细地参考实施例，实施例的示例被示出在附图中，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。就这点而言，示例性实施例可以具有不同形式并且不应该被理解为限于在此所阐述的描述。因此，通过参照附图在下面仅描述示例性实施例，以解释说明书的示例性实施例。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和全部组合。诸如“……中的至少一个(种/者)”的表述放在一列要素(元件)之后时，修饰的是整列的要素(元件)，而不是修饰该列中的个别要素(元件)。
由于该公开允许各种改变和许多实施例，所以将在附图中示出具体实施例，并将在书面描述中详细描述具体实施例。通过下面结合附图公开各种实施例的详细描述，该公开的效果和特征以及实现该公开的效果和特征的方法对于本领域技术人员而言将变得明显。然而，该公开可以以许多不同的形式来实施，而不应该被解释为限于在此所阐述的示例性实施例。
在下文中，将参照附图详细地描述实施例。附图中的同样的附图标记表示同样的元件，因此将不重复它们的描述。
将理解的是，虽然在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。
如在此所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。
还将理解的是，在此使用的术语“包括”、“包含”和/或其变型说明存在所陈述的特征或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征或组件。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。也就是说，例如，可以存在中间层、区域或组件。
在下面的示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，而是可以以更广泛的含义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
将理解的是，当诸如层或区域的元件被称为“连接到”或“结合到”另一元件时，该元件可以直接连接到或结合到所述另一元件，或者可以间接连接到或结合到所述另一元件且中间元件置于它们之间。例如，当诸如层或区域的元件被称为电“连接到”或“结合到”另一元件时，该元件可以直接电“连接或结合”到所述另一元件，或者可以间接电“连接或结合”到所述另一元件且中间元件置于它们之间。
考虑到所讨论的测量和与具体量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，如在此使用的“大约”或“大致”包括所陈述的值，并表示在如本领域普通技术人员所确定的具体值的可接受偏差范围内。例如，“大约”可以表示在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
除非另有定义，否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的含义进行解释，除非在此明确地如此定义。
在此参照作为理想化实施例的示意图的剖视图来描述示例性实施例。如此，将预料到例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，在此描述的实施例不应被解释为局限于如在此示出的区域的具体形状，而是将包括由例如制造导致的形状上的偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性特征。此外，示出的锐角可以是倒圆的。因此，图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出区域的精确形状，且不旨在限制本权利要求书的范围。
图1是显示装置1的示例性实施例的透视图。
参照图1，显示装置1包括发光的显示区域DA和不发光的非显示区域NDA。显示装置1可以通过从显示区域DA中的多个像素发射的光来提供预定的图像。
显示装置1包括开口区域OA，开口区域OA的至少一部分被显示区域DA围绕。图1示出了整个开口区域OA被显示区域DA围绕。非显示区域NDA可以包括：第一非显示区域NDA1，围绕开口区域OA；以及第二非显示区域NDA2，围绕显示区域DA的外边缘。第一非显示区域NDA1可以围绕整个开口区域OA。显示区域DA可以围绕整个第一非显示区域NDA1。第二非显示区域NDA2可以围绕整个显示区域DA。
在下文中，在示例性实施例中，描述了有机发光显示装置作为显示装置1的示例。然而，发明中的显示装置1不限于此。在另一示例性实施例中，可以使用各种类型的显示装置，诸如无机电致发光(“EL”)显示(无机发光显示)装置、量子点发光显示装置等。
图2A至图2C是显示装置1的示例性实施例的对应于图1的线II-II’的示意性剖视图。
参照图2A，显示装置1可以包括显示面板10以及与显示面板10的开口区域OA对应的组件20。
显示面板10可以包括：基底100；显示元件层200，布置在基底100上，并包括显示元件；薄膜封装层300，作为封装构件，覆盖显示元件层200；以及输入检测层400，检测触摸输入。虽然未示出，但还可以在输入检测层400上布置组件(或多个组件)，如透明窗或者包括偏振器、延迟器、滤色器或黑矩阵的防反射构件。
基底100可以包括聚合物树脂。相比于玻璃基底，包括聚合物树脂的基底100可以确保基底100是柔性的。在示例性实施例中，基底100可以包括例如透明聚合物树脂。基底100是防止除上述聚合物树脂之外的外部异物的渗透的阻挡层。在示例性实施例中，基底100还可以包括包含诸如氮化硅(SiNx)和/或氧化硅(SiOx)的无机材料的单个无机层或多个无机层。
显示元件层200可以包括位于显示区域DA中的显示元件，例如，有机发光二极管。虽然未示出，但显示元件层200可以包括存储电容器Cst(见图4)、布线和连接到显示元件的薄膜晶体管。
薄膜封装层300可以通过覆盖显示元件层200来防止湿气或污染物质从外部渗透到显示元件层200中。薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。薄膜封装层300可以覆盖显示区域DA中的显示元件，并可以延伸到非显示区域NDA。关于这方面，图2A示出了薄膜封装层300延伸到第一非显示区域NDA1。
输入检测层400可以布置在显示区域DA中。输入检测层400可以根据外部输入(例如，触摸事件)获得坐标信息。输入检测层400可以包括感测电极(或触摸电极)和连接到感测电极的迹线。
在执行形成稍后将描述的平坦化层610的工艺或形成薄膜封装层300的工艺之后，可以相继地执行形成输入检测层400的工艺。因此，在输入检测层400与薄膜封装层300之间可以不布置结合构件。
平坦化层610布置在第一非显示区域NDA1中。平坦化层610包括有机绝缘材料。平坦化层610可以包括光致抗蚀剂(例如，负性光致抗蚀剂或正性光致抗蚀剂)、与薄膜封装层300的所述至少一个有机封装层的材料相同的材料、与稍后将描述的输入检测层400的绝缘层的材料相同的材料或者其它各种类型的有机绝缘材料。
如图2A中所示，对应于开口区域OA并穿过显示面板10的开口10H可以被限定在显示面板10中。均对应于开口区域OA的第一开口100H至第四开口400H和第五开口610H可以被分别限定在基底100、显示元件层200、薄膜封装层300、输入检测层400和平坦化层610中。第一开口100H可以被布置为穿过基底100的上表面和下表面。第二开口200H可以被布置为穿过显示元件层200的最下层至最上层。第三开口300H可以被布置为穿过薄膜封装层300。第四开口400H可以被布置为穿过输入检测层400的最下层至最上层。第五开口610H可以被布置为穿过平坦化层610的上表面和下表面。
组件20布置在开口区域OA中。如图2A中所示，组件20可以布置在显示面板10下方以对应于开口区域OA。在可选示例性实施例中，如图2B中所示，开口区域OA可以布置在显示面板10中的开口10H中，以与显示面板10的开口10H的侧部叠置。
组件20可以包括电子元件。在示例性实施例中，组件20可以为例如使用光或声音的电子元件。在示例性实施例中，例如，电子元件可以为接收和使用光的传感器(如红外光传感器)、通过接收光来拍摄图像的相机、通过输出和检测光或声音来测量距离或识别指纹等的传感器、或输出光的小灯，或者可以包括输出声音的扬声器等。在使用光的电子元件的情况下，可以使用各种波长段的光，诸如可见光、红外光、紫外光等。在一些示例性实施例中，开口区域OA可以被理解为光和/或声音透射(传输)到其中的透射(传输)区域，其中，光和/或声音从组件20输出到外部或者从外部进入电子元件。
在另一示例性实施例中，当显示面板10被用作智能手表或车辆仪表盘时，组件20可以是包括钟表指针、指示预定信息(例如，车辆速度等)的指针等的构件。如图2A或图2B中所示，组件20是可以布置在与显示面板10的开口10H对应的位置中的组件。如上所述，组件20可以包括与显示面板10的功能相关的组件(或多个组件)或者如增加显示面板10的美感的配件的组件。
如图2A和图2B中所示，对应于开口区域OA的第一开口100H可以被限定在基底100中。在可选示例性实施例中，如图2C中所示，在基底100中可以不限定第一开口100H。如由虚线所示，组件20可以布置在显示面板10的下方。在可选示例性实施例中，如由实线所示，组件20可以布置在显示面板10的开口10H中。布置在显示面板10下方的组件20可以是使用光的电子元件。在这种情况下，透光率可以为大约50％或更大，大约70％或更大，大约75％或更大，大约80％或更大，大约85％或更大，或者大约90％或更大。
如参照图2A至图2C所述，第一开口100H可以或可以不被限定在基底100中。当第一开口100H被限定在基底100中时，可以各种各样地利用组件20而不限制组件20的类型或位置。在下文中，为了便于描述，描述了包括具有第一开口100H的基底100的显示面板10。然而，稍后将描述的特性也可以应用于图2C中示出的显示面板10。
图3是显示面板10的示例性实施例的平面图。图4是显示面板10的像素的等效电路图。
参照图3，显示面板10包括显示区域DA以及第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。可以理解的是，图3示出了显示面板10中的基底100的形状。在示例性实施例中，可以理解的是，基底100包括例如开口区域OA、显示区域DA以及第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。
显示面板10在显示区域DA中包括多个像素P。所述多个像素P中的每个像素P可以包括显示元件，例如，有机发光二极管。所述多个像素P中的每个像素P可以经由有机发光二极管发射例如红光、绿光、蓝光或白光。
参照图4，所述多个像素P中的每个像素P包括像素电路PC和连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。
第二薄膜晶体管T2为开关薄膜晶体管，并且连接到扫描线SL和数据线DL。根据从扫描线SL输入的开关电压，第二薄膜晶体管T2将从数据线DL输入的数据电压传输到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并存储与从第二薄膜晶体管T2接收的电压和供应到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之间的差对应的电压。
第一薄膜晶体管T1为驱动薄膜晶体管，并且连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst。第一薄膜晶体管T1可以对应于存储在存储电容器Cst中的电压的值来控制从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流而发射具有预定亮度的光。有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极)可以接收第二电源电压ELVSS。
描述了图4中的像素电路PC包括两个薄膜晶体管T1和T2以及一个存储电容器Cst。然而，发明不限于此。薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而进行各种改变。
返回参照图3，第一非显示区域NDA1可以围绕开口区域OA。第一非显示区域NDA1是其中未布置有诸如发射光的有机发光二极管OLED的显示元件的区域。将信号提供到开口区域OA外围的多个像素P的布线(如迹线)可以经过第一非显示区域NDA1，或者稍后将描述的凹槽可以布置在第一非显示区域NDA1中。在第二非显示区域NDA2中，可以布置有将扫描信号提供到所述多个像素P中的每个像素P的扫描驱动器1100、将数据信号提供到所述多个像素P中的每个像素P的数据驱动器1200、提供第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS的主电源布线(未示出)等。在可选示例性实施例中，数据驱动器1200可以布置在柔性印刷电路板(“FPCB”)上，柔性印刷电路板(“FPCB”)连接到包括在显示面板10的侧部处的垫(pad，或称为“焊盘”)。
图5是显示面板10的一部分的示例性实施例的平面图。图5示出了位于第一非显示区域NDA1中的布线(例如，迹线)。
参照图5，多个像素P在显示区域DA中布置在开口区域OA周围。第一非显示区域NDA1可以布置在开口区域OA与显示区域DA之间。
多个像素P可以布置在开口区域OA的周围以彼此分开。多个像素P可以在开口区域OA上方或下方或者在开口区域OA的左侧或右侧处彼此分开且开口区域OA位于其间。
将信号提供到多个像素P的迹线之中的与开口区域OA相邻的迹线可以绕过开口区域OA。在经过显示区域DA的数据线DL之中，一些数据线DL在y方向上延伸以将数据信号提供到布置在开口区域OA的上方或下方且开口区域OA置于其间的多个像素P，并且可以在第一非显示区域NDA1中沿开口区域OA的边缘绕过开口区域OA。在经过显示区域DA的扫描线SL之中，一些扫描线SL在x方向上延伸以将扫描信号提供到布置在开口区域OA的左侧或右侧处且开口区域OA置于其间的多个像素P，并且可以在第一非显示区域NDA1中沿开口区域OA的边缘绕过开口区域OA。
图6是显示面板10的一部分的示例性实施例的平面图。图6示出了第一非显示区域NDA1中的凹槽G。
参照图6，在示例性实施例中，凹槽G布置在显示面板10的开口区域OA与显示区域DA之间。凹槽G可以在第一非显示区域NDA1中具有围绕整个开口区域OA的环的形状。因此，凹槽G的直径可以大于开口区域OA的直径。
参照图5和图6，与其中迹线(例如，数据线DL或扫描线SL)沿开口区域OA的边缘绕行的绕过区域距开口区域OA相比，凹槽G可以更靠近开口区域OA。
图7是显示面板10的示例性实施例的对应于图6的线I-I'的剖视图。图8是图7的有机发光二极管OLED的放大剖视图。图9是图7的凹槽G的放大剖视图。图7示出了开口区域OA以及在开口区域OA外围的第一非显示区域NDA1和显示区域DA。对应于开口区域OA的第一开口100H可以被限定在基底100中。在下文中，可以理解的是，开口区域OA指显示面板10的开口10H或基底100的第一开口100H。
首先，描述图7的显示区域DA。
基底100可以包括聚合物树脂。基底100可以包括无机层和包括聚合物树脂的基体层。在示例性实施例中，基底100可以包括例如顺序地堆叠的第一基体层101、第一无机层102、第二基体层103和第二无机层104。
第一基体层101和第二基体层103可以均包括聚合物树脂。在示例性实施例中，第一基体层101和第二基体层103可以均包括例如聚合物树脂，如聚醚砜(“PES”)、聚丙烯酸酯(“PAR”)、聚醚酰亚胺(“PEI”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“PEN”)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚苯硫醚(“PPS”)、聚芳酯、聚酰亚胺(“PI”)、聚碳酸酯(“PC”)、三乙酸纤维素(“TAC”)、乙酸丙酸纤维素(“CAP”)等。聚合物树脂可以是透明的。
第一无机层102和第二无机层104为防止异物的渗透的相应的阻挡层。在示例性实施例中，第一无机层102和第二无机层104可以包括包含如SiNx和/或SiOx的无机材料的单层或多层。
防止杂质渗透到薄膜晶体管的半导体层中的缓冲层201可以布置在基底100上。在示例性实施例中，缓冲层201可以包括如SiNx或SiOx的无机绝缘材料，并且可以包括单层或多层。在一些示例性实施例中，基底100的第二无机层104可以被理解为具有多层的缓冲层201的一部分。
在一些示例性实施例中，缓冲层201可以具有其中堆叠有包括不同材料的第一缓冲层201a和第二缓冲层201b的结构。在示例性实施例中，例如，第一缓冲层201a可以包括SiNx，第二缓冲层201b可以包括SiOx。此外，第一缓冲层201a的材料可以与布置在第一缓冲层201a下方的第二无机层104的材料不同。
也就是说，第一缓冲层201a可以布置在第二无机层104与第二缓冲层201b之间。第一缓冲层201a的材料可以与第二无机层104和第二缓冲层201b的材料不同。在示例性实施例中，例如，可以选择在同一条件下具有与第二无机层104和第二缓冲层201b的蚀刻速率不同的蚀刻速率的材料作为第一缓冲层201a的材料。
在一些示例性实施例中，例如，第一缓冲层201a可以包括SiNx，第二无机层104和第二缓冲层201b可以包括SiOx。
包括薄膜晶体管TFT、存储电容器Cst等的像素电路PC(参照图4)可以布置在缓冲层201上。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层AE、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。图7的薄膜晶体管TFT可以对应于参照图4描述的驱动薄膜晶体管TFT。在示出的示例性实施例中，示出了其中栅电极GE布置在半导体层AE上方且栅极绝缘层203位于栅电极GE与半导体层AE之间的顶栅型薄膜晶体管TFT。然而，在另一示例性实施例中，薄膜晶体管TFT可以是底栅型薄膜晶体管。
半导体层AE可以包括多晶硅。在可选示例性实施例中，半导体层AE可以包括非晶硅、氧化物半导体、有机半导体等。栅电极GE可以包括低电阻金属材料。在示例性实施例中，栅电极GE可以包括导电材料(所述导电材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等)，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。
栅极绝缘层203布置在半导体层AE与栅电极GE之间。在示例性实施例中，栅极绝缘层203可以包括如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪等的无机材料。栅极绝缘层203可以包括包含上述材料的单层或多层。
源电极SE和漏电极DE可以包括具有良好导电性的材料。在示例性实施例中，源电极SE和漏电极DE可以包括导电材料(所述导电材料包括Mo、Al、Cu、Ti等)，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。在示例性实施例中，源电极SE和漏电极DE可以包括例如包括Ti/Al/Ti的多层。
存储电容器Cst包括彼此叠置且第一绝缘中间层205位于它们之间的下电极CE1和上电极CE2。存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT叠置。关于这方面，图7示出了薄膜晶体管TFT的栅电极GE是存储电容器Cst的下电极CE1。在另一示例性实施例中，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT叠置。存储电容器Cst可以被第二绝缘中间层207覆盖。
在示例性实施例中，第一绝缘中间层205和第二绝缘中间层207可以包括如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪等的无机绝缘材料。第一绝缘中间层205和第二绝缘中间层207可以包括包含上述材料的单层或多层。
在一些示例性实施例中，第二绝缘中间层207可以具有其中堆叠有第一层207a和第二层207b的结构。第一层207a可以布置在第一绝缘中间层205与第二层207b之间，并且可以包括与第一绝缘中间层205和第二层207b的材料不同的材料。在示例性实施例中，第一层207a可以包括例如具有与第一绝缘中间层205和第二层207b的蚀刻速率不同的蚀刻速率的材料。
在一些示例性实施例中，例如，第一层207a可以包括SiOx，第一绝缘中间层205和第二层207b可以包括SiNx。
包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电路PC被有机绝缘层209覆盖。有机绝缘层209可以是平坦化绝缘层。在示例性实施例中，有机绝缘层209可以包括有机绝缘材料，如诸如聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)或聚苯乙烯(“PS”)的通用聚合物、包括酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的共混物等。在示例性实施例中，有机绝缘层209可以包括例如聚酰亚胺。
有机发光二极管OLED布置在有机绝缘层209上。有机发光二极管OLED的像素电极221可以布置在有机绝缘层209上，并且可以经由有机绝缘层209的接触孔连接到像素电路PC。
在示例性实施例中，像素电极221可以包括导电氧化物，如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(“IGO”)或氧化铝锌(“AZO”)。在另一示例性实施例中，像素电极221可以包括反射层，所述反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的组合。在另一示例性实施例中，像素电极221还可以在上述反射层上方/下方包括包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
暴露像素电极221的上表面的开口被限定在覆盖像素电极221的边缘的像素限定层211中。像素限定层211可以包括有机绝缘材料。在可选示例性实施例中，像素限定层211可以包括无机绝缘材料或者可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
中间层222包括发光层。发光层可以包括发射具有预定颜色的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。在示例性实施例中，如图8中所示，中间层222可以包括位于发光层222b下方的第一功能层222a和/或位于发光层222b上方的第二功能层222c。
第一功能层222a可以包括单层或多层。在示例性实施例中，当第一功能层222a包括聚合物材料时，第一功能层222a可以是具有单层结构的空穴传输层(“HTL”)，并且可以包括例如聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(“PEDOT”)或聚苯胺(“PANI”)。当第一功能层222a包括低分子量有机材料时，第一功能层222a可以包括空穴注入层(“HIL”)和HTL。
在另一示例性实施例中，可以省略第二功能层222c。在示例性实施例中，当第一功能层222a和发光层222b包括聚合物材料时，可以设置第二功能层222c以具有例如有机发光二极管OLED的优异特性。第二功能层222c可以包括单层或多层。第二功能层222c可以包括电子传输层(“ETL”)和/或电子注入层(“EIL”)。
构成中间层222的多个层中的一些层(例如，功能层(或多个功能层))不仅可以布置在显示区域DA中，而且可以布置在第一非显示区域NDA1中，并且通过凹槽G在第一非显示区域NDA1中断开。
对电极223面对像素电极221，且中间层222位于它们之间。对电极223可以包括具有低逸出功的导电材料。在示例性实施例中，对电极223可以包括(半)透明层，所述(半)透明层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、锂(Li)、钙(Ca)或它们的合金。在可选示例性实施例中，对电极223还可以包括位于包括上述材料的(半)透明层上的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
盖层225可以布置在对电极223上。盖层225可以保护有机发光二极管OLED，并且/或者可以提高从有机发光二极管OLED产生的光的效率。盖层225可以包括包含有机材料和/或无机材料的单层和/或多层。还可以在盖层225上方布置包括氟化锂(LiF)等的无机阻挡层(未示出)。无机阻挡层可以防止对无机阻挡层下方的层(例如，中间层222)的损坏或可以使对无机阻挡层下方的层(例如，中间层222)的损坏最小化，其中，损坏可能是由在形成稍后将描述的第一无机封装层310的工艺(例如，等离子体化学气相沉积工艺)中产生的高能量的氧自由基引起的。
有机发光二极管OLED可以被薄膜封装层300覆盖，并且被保护以免受异物、湿气等的影响。薄膜封装层300可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。图7示出了薄膜封装层300包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及布置在第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。在另一示例性实施例中，可以改变有机封装层的数量、无机封装层的数量以及有机封装层和无机封装层的堆叠顺序。
在示例性实施例中，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括一种或更多种无机绝缘材料，如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，并且可以通过化学气相沉积(“CVD”)方法等来设置。有机封装层320可以包括聚合物类材料。在示例性实施例中，聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、PI、聚乙烯等。
描述图7的第一非显示区域NDA1。
参照图7的第一非显示区域NDA1，第一非显示区域NDA1可以包括：第一子非显示区域SNDA1，被定位为远离开口区域OA；以及第二子非显示区域SNDA2，被定位为靠近开口区域OA。
第一子非显示区域SNDA1是迹线经过的区域。图7的数据线DL可以对应于参照图5描述的绕过开口区域OA的数据线DL。第一子非显示区域SNDA1可以是迹线经过的布线区域或迹线绕过的绕过区域。如图7中所示，数据线DL可以交替地布置，以在它们之间具有绝缘层。在另一示例性实施例中，数据线DL可以布置在同一绝缘层上。当相邻的数据线DL分别布置在绝缘层(例如，第二绝缘中间层207)上方和下方且该绝缘层位于它们之间时，可以减小相邻数据线DL之间的间隙(节距)，并且可以减小第一非显示区域NDA1的宽度。虽然未示出，但类似于图7的第一子非显示区域SNDA1中的数据线DL，绕过开口区域OA的扫描线SL(参照图5)也可以布置在第一子非显示区域SNDA1中。
第二子非显示区域SNDA2可以是其中布置有凹槽G的区域。凹槽G可以被限定在包括多个无机层的多层中。
凹槽G可以通过对第二无机层104、栅极绝缘层203、第一绝缘中间层205和/或第二绝缘中间层207等进行蚀刻来限定。关于这方面，图7示出了第二无机层104、缓冲层201、栅极绝缘层203、第一绝缘中间层205和第二绝缘中间层207的部分被去除，从而形成凹槽G。
多个突出尖端(protruding tip)可以设置在凹槽G的侧部(side)处。多个突出尖端可以从凹槽G的侧部朝向凹槽G的内部突出。在可选示例性实施例中，多个突出尖端可以从凹槽G的侧部朝向在垂直于基底100的上表面的方向上延伸的中心线CP突出。多个突出尖端中的每个突出尖端可以具有沿凹槽G的侧部连续地布置的环的形状。
由于包括多个突出尖端的凹槽G的结构，中间层222(例如，第一功能层222a和第二功能层222c)、对电极223和盖层225的部分可由于包括多个突出尖端的凹槽G的结构而断开。
图7和图9示出了其中第一突出尖端PT1、第二突出尖端PT2和第三突出尖端PT3布置在凹槽G的侧部处的情况。可以通过在多个无机层中适当地布置在同一条件下具有不同蚀刻速率的材料来设置这样的多个突出尖端PT1至PT3。
第一突出尖端PT1是位于凹槽G的侧部的顶部中的突出尖端。第一突出尖端PT1可以被设置为第二绝缘中间层207的第二层207b的一部分。
第二突出尖端PT2布置在第一突出尖端PT1下方以与第一突出尖端PT1分开，并且可以被设置为第一绝缘中间层205的一部分。
第三突出尖端PT3可以布置在第二突出尖端PT2下方以与第二突出尖端PT2分开，并且可以被设置为第一缓冲层201a的一部分。
第一突出尖端PT1至第三突出尖端PT3可以包括具有小蚀刻速率的材料。第一突出尖端PT1与第二突出尖端PT2之间的绝缘层、第二突出尖端PT2与第三突出尖端PT3之间的绝缘层以及位于第三突出尖端PT3下方的绝缘层可以包括具有大蚀刻速率的材料。
在示例性实施例中，例如，构成第一突出尖端PT1至第三突出尖端PT3的材料的蚀刻速率可以是布置在第一突出尖端PT1至第三突出尖端PT3之间的材料的蚀刻速率的1/2。
因此，与布置在第一突出尖端PT1至第三突出尖端PT3之间的绝缘层相比，形成第一突出尖端PT1至第三突出尖端PT3的绝缘层被蚀刻得少，因此，可以具有在凹槽G的侧部处突出的形状。
在一些示例性实施例中，第一突出尖端PT1至第三突出尖端PT3可以包括例如SiNx。在示例性实施例中，布置在第一突出尖端PT1至第三突出尖端PT3之间的绝缘层可以包括例如SiOx。
在示例性实施例中，第一突出尖端PT1至第三突出尖端PT3在凹槽G的侧部处突出的长度L可以为例如大约100纳米(nm)至大约600nm。
第一突出尖端PT1的厚度t1可以大于第二突出尖端PT2的厚度t2，并且第二突出尖端PT2的厚度t2可以大于第三突出尖端PT3的厚度t3(即，t1>t2>t3)。在示例性实施例中，第一突出尖端PT1的厚度t1可以为例如大约
Figure BDA0002134764280000161
在示例性实施例中，第二突出尖端PT2的厚度t2可以为例如大约
Figure BDA0002134764280000171
在示例性实施例中，第三突出尖端PT3的厚度t3可以为例如大约
Figure BDA0002134764280000172
第一突出尖端PT1的厚度t1、第二突出尖端PT2的厚度t2和第三突出尖端PT3的厚度t3可以具有通过考虑显示区域DA、薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst中的构件的所有特性而导出的值。
在示出的示例性实施例中，可以理解的是，凹槽G在多个无机层的厚度方向上凹陷，在该多个无机层中堆叠有各自具有不同的材料或蚀刻速率的多个第一无机材料层和多个第二无机材料层。
在可选示例性实施例中，由于多个第一无机材料层的蚀刻速率小于多个第二无机材料层的蚀刻速率，所以由多个第一无机材料层限定的开口的宽度W1小于限定在多个第二无机材料层中的开口的宽度W2。因此，可以理解的是，多个第一无机材料层的部分成为第一突出尖端PT1至第三突出尖端PT3。
多个第一无机材料层可以包括第一缓冲层201a、第一绝缘中间层205和第二绝缘中间层207的第二层207b。多个第二无机材料层可以包括第二无机层104、第二缓冲层201b、栅极绝缘层203和第二绝缘中间层207的第一层207a。
对应于凹槽G，分别穿过第一缓冲层201a、第一绝缘中间层205和第二绝缘中间层207的第二层207b的开口201aop、开口205op和开口207bop可以分别被限定在第一缓冲层201a、第一绝缘中间层205和第二绝缘中间层207的第二层207b中。
在可选示例性实施例中，分别穿过第二无机层104、第二缓冲层201b、栅极绝缘层203和第二绝缘中间层207的第一层207a的开口104op、开口201bop、开口203op和开口207aop可以分别被限定在第二无机层104、第二缓冲层201b、栅极绝缘层203和第二绝缘中间层207的第一层207a中。
第一缓冲层201a的开口201aop、第一绝缘中间层205的开口205op和第二绝缘中间层207的第二层207b的开口207bop的宽度W1可以小于第二无机层104的开口104op、第二缓冲层201b的开口201bop、栅极绝缘层203的开口203op和第二绝缘中间层207的第一层207a的开口207aop的宽度W2。
在附图中，示出了第一缓冲层201a的开口201aop、第一绝缘中间层205的开口205op和第二绝缘中间层207的第二层207b的开口207bop的宽度W1是相同的。然而，发明不限于此。第一缓冲层201a的开口201aop、第一绝缘中间层205的开口205op和第二绝缘中间层207的第二层207b的开口207bop的宽度W1可以彼此不同。
第二无机层104的开口104op、第二缓冲层201b的开口201bop、栅极绝缘层203的开口203op和第二绝缘中间层207的第一层207a的开口207aop的宽度W2也可以彼此不同。
包括中间层222(例如，第一功能层222a和第二功能层222c)、对电极223和盖层225的部分的构件可以围绕第一突出尖端PT1的上表面、侧表面和下表面的部分。由于包括中间层222(例如，第一功能层222a和第二功能层222c)、对电极223和盖层225的部分的构件堆叠在第一突出尖端PT1上，所以所述构件较少地堆叠在第二突出尖端PT2和第三突出尖端PT3上。因此，所述构件可以断开。
由于所述构件(即，中间层222(例如，第一功能层222a和第二功能层222c)、对电极223和盖层225的部分)断开，所以可以阻碍湿气和外部空气，从而不沿所述构件渗透。
薄膜封装层300的第一无机封装层310可以覆盖凹槽G的内表面的至少一部分。在薄膜封装层300中，由于第一无机封装层310不同于中间层222和对电极223而具有优异的阶梯覆盖性，所以第一无机封装层310可以具有连接的形式。在示例性实施例中，第一无机封装层310可以覆盖例如凹槽G的整个内表面。然而，发明不限于此。在一些示例性实施例中，第一无机封装层310可以在凹槽G中断开。
有机封装层320可以在第一无机封装层310上覆盖凹槽G并填充凹槽G。可以通过将单体喷射到基底100上并使基底100硬化来设置有机封装层320。分隔壁(未示出)可以在基底100上与开口区域OA相邻地布置，以控制单体的流动并确保单体(或有机封装层320)的厚度。有机封装层320的端部可以与开口区域OA或基底100的端部100E间隔开预定距离。
第二无机封装层330布置在有机封装层320上，并且可以在与开口区域OA相邻的区域(例如，开口区域OA与凹槽G之间的区域)中直接接触第一无机封装层310。
由于第一无机封装层310直接接触第二无机封装层330，所以有机封装层320不暴露于外部，从而由此阻碍湿气渗透的路径。
图10A至图10C是示出在示例性实施例中制造显示面板10的工艺的示意性剖视图。
参照图10A，提供光致抗蚀剂PR的图案以使将要在其中限定凹槽G的区域暴露。将要在其中限定凹槽G的区域可以是其中多个无机绝缘层堆叠在基底100上的区域。在示例性实施例中，例如，可以在将要在其中限定凹槽G的区域中顺序地堆叠位于基底100上的第二无机层104、第一缓冲层201a、第二缓冲层201b、栅极绝缘层203、第一绝缘中间层205、第二绝缘中间层207的第一层207a和第二绝缘中间层207的第二层207b。
第二无机层104、第二缓冲层201b、栅极绝缘层203和第二绝缘中间层207的第一层207a可以包括相同的材料。
第一缓冲层201a、第一绝缘中间层205和第二绝缘中间层207的第二层207b可以包括相同的材料。
参照图10B，通过执行蚀刻来限定凹槽G。可在将要在其中限定凹槽G的区域中堆叠具有不同蚀刻速率的材料。因此，可以由包括具有低蚀刻速率的材料的层来提供第一突出尖端PT1、第二突出尖端PT2和第三突出尖端PT3。
在一些示例性实施例中，例如，蚀刻可以为使用六氟化硫(SF6)气体的干蚀刻。由于SiOx和SiNx对SF6气体的蚀刻速率之比为2:1，所以可以通过在将要在其中限定凹槽G的区域中的无机层中适当地堆叠SiOx和SiNx来提供第一突出尖端PT1至第三突出尖端PT3。
在示例性实施例中，第二无机层104、第二缓冲层201b、栅极绝缘层203和第二绝缘中间层207的第一层207a可以包括例如SiOx。此外，第一缓冲层201a、第一绝缘中间层205和第二绝缘中间层207的第二层207b可以包括例如SiNx。
因此，可以由第二绝缘中间层207的第二层207b提供第一突出尖端PT1，可以由第一绝缘中间层205提供第二突出尖端PT2，可以由第一缓冲层201a提供第三突出尖端PT3。
因此，可以理解的是，第一缓冲层201a的开口201aop、第一绝缘中间层205的开口205op和第二绝缘中间层207的第二层207b的开口207bop的宽度W1可以小于第二无机层104的开口104op、第二缓冲层201b的开口201bop、栅极绝缘层203的开口203op和第二绝缘中间层207的第一层207a的开口207aop的宽度W2。
凹槽G在包括无机绝缘层的多个层的厚度方向上凹陷，并且凹槽G的底表面可以是构成基底100的第二基体层103的上表面。
如此，由于在示出的示例性实施例中，在凹槽G中未蚀刻有机绝缘层，所以不需要蚀刻有机绝缘层的附加工艺。因此，可以简化工艺。
参照图10C，限定凹槽G，然后提供中间层222、对电极223和盖层225。
可以在显示区域DA(见图7)和第一非显示区域NDA1(见图7)中将中间层222(例如，第一功能层222a和第二功能层222c)、对电极223和盖层225的部分提供为一体。如图10C中所示，由于凹槽G包括在朝向凹槽G的中心线CP(见图7)的方向上突出的第一突出尖端PT1至第三突出尖端PT3，所以中间层222、对电极223和盖层225的部分不连接。
在基底100上的层之中，包括有机层的层可以是诸如湿气或氧的异物经由其渗透的路径。由于包括有机材料的第一功能层222a和第二功能层222c以及盖层225通过凹槽G断开，所以可以防止当湿气在横向方向上行进时可能引起的对有机发光二极管OLED的损坏。
图11是显示面板的一部分的另一示例性实施例的剖视图。图11示出了其中布置有凹槽G的区域。图9和图11中同样的附图标记表示同样的构件，因此，这里将不再提供其描述。
在示出的示例性实施例中，显示面板包括位于开口区域OA与显示区域DA之间的凹槽G。凹槽G包括多个突出尖端PT1至PT3，所述多个突出尖端PT1至PT3具有距基底100的上表面不同的高度并且彼此间隔开。
凹槽G在包括无机绝缘层的多个层的厚度方向上凹陷，并且凹槽G的底表面可以是构成基底100的第二基体层103的上表面。
此外，多个突出尖端PT1至PT3从凹槽G的侧部朝向凹槽G的内部突出。第一突出尖端P1是位于凹槽G的侧部的顶部中的突出尖端。第一突出尖端PT1可以被设置为第二绝缘中间层207的第二层207b的一部分。第二突出尖端PT2布置在第一突出尖端PT1下方以与第一突出尖端PT1分开，并且可以被设置为第一绝缘中间层205的一部分。第三突出尖端PT3可以布置在第二突出尖端PT2下方以与第二突出尖端PT2分开，并且可以被设置为第一缓冲层201a的一部分。
第一突出尖端PT1至第三突出尖端PT3可以包括具有小蚀刻速率的材料。第一突出尖端PT1与第二突出尖端PT2之间的绝缘层、第二突出尖端PT2与第三突出尖端PT3之间的绝缘层以及位于第三突出尖端PT3下方的绝缘层可以包括具有大蚀刻速率的材料。
在一些示例性实施例中，第一突出尖端PT1至第三突出尖端PT3可以包括例如SiNx。在示例性实施例中，第一突出尖端PT1至第三突出尖端PT3之间的绝缘层可以包括例如SiOx。
在示例性实施例中，第一突出尖端PT1至第三突出尖端PT3从凹槽G的侧部突出的长度L可以为例如大约100nm至大约600nm。
第一突出尖端PT1的厚度t1可以大于第二突出尖端PT2的厚度t2。第二突出尖端PT2的厚度t2可以大于第三突出尖端PT3的厚度t3(即，t1>t2>t3)。在示例性实施例中，第一突出尖端PT1的厚度t1可以为例如大约
Figure BDA0002134764280000211
在示例性实施例中，第二突出尖端PT2的厚度t2可以为例如大约
Figure BDA0002134764280000212
在示例性实施例中，第三突出尖端PT3的厚度t3可以为例如大约
Figure BDA0002134764280000213
厚度t1、厚度t2和厚度t3可以具有通过同时考虑显示区域DA、薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst中的构件的特性而导出的值。
在示出的示例性实施例中，多个第一突出尖端PT1至第三突出尖端PT3的相应的厚度t1、厚度t2和厚度t3可以不是恒定的。在示例性实施例中，例如，第一突出尖端PT1至第三突出尖端PT3的厚度可以在朝向凹槽G的内部的中心线CP的方向上变小。在可选示例性实施例中，第一突出尖端PT1至第三突出尖端PT3的端部可以是尖的。
可以根据蚀刻条件来各种各样地修改第一突出尖端PT1至第三突出尖端PT3的形状。
图12是显示面板的一部分的另一示例性实施例的剖视图。图12示出了其中布置有凹槽G的区域。图9和图12中同样的附图标记表示同样的构件，因此，这里将不再提供其描述。
在示出的示例性实施例中，显示面板包括位于开口区域OA与显示区域DA之间的凹槽G。凹槽G包括多个突出尖端PT1和PT2，所述多个突出尖端PT1和PT2具有距基底100的上表面不同的高度并且彼此间隔开。
在示出的示例性实施例中，凹槽G在包括无机绝缘层的多个层的厚度方向上凹陷，并且凹槽G的底表面可以是缓冲层201的上表面。
因此，包括第一突出尖端PT1和第二突出尖端PT2的两个突出尖端可以布置在凹槽G中。
此外，多个突出尖端PT1和PT2从凹槽G的侧部朝向凹槽G的内部突出。第一突出尖端PT1是位于凹槽G的侧部的顶部中的突出尖端。第一突出尖端PT1可以被设置为第二绝缘中间层207的第二层207b的一部分。第二突出尖端PT2布置在第一突出尖端PT1下方以与第一突出尖端PT1分开，并且可以被设置为第一绝缘中间层205的一部分。
第一突出尖端PT1和第二突出尖端PT2可以包括具有小蚀刻速率的材料。第一突出尖端PT1与第二突出尖端PT2之间的绝缘层以及位于第二突出尖端PT2下方的绝缘层可以包括具有大蚀刻速率的材料。
在一些示例性实施例中，第一突出尖端PT1和第二突出尖端PT2可以包括例如SiNx。在示例性实施例中，第一突出尖端PT1与第二突出尖端PT2之间的绝缘层可以包括例如SiOx。
在示例性实施例中，第一突出尖端PT1和第二突出尖端PT2从凹槽G的侧部突出的长度L可以为例如大约100nm至大约600nm。在示例性实施例中，当第一突出尖端PT1和第二突出尖端PT2突出的长度L为例如大约100nm或更大时，可以有效地断开有机层。当长度L为大约600nm或更大时，可能无法确保工艺条件。
第一突出尖端PT1的厚度t1可以大于第二突出尖端PT2的厚度t2(即，t1>t2)。在示例性实施例中，第一突出尖端PT1的厚度t1可以为例如大约
Figure BDA0002134764280000221
在示例性实施例中，第二突出尖端PT2的厚度t2可以为例如大约
Figure BDA0002134764280000222
厚度t1和厚度t2可以具有通过同时考虑显示区域DA、薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst中的构件的特性而导出的值。
在示出的示例性实施例中，由于凹槽G的深度小于图7的凹槽G的深度，所以可以减少用于执行蚀刻工艺的时间段。即使在凹槽G的深度小时，由于多个突出尖端PT1和PT2被包括在凹槽G中，所以中间层222(例如，第一功能层222a和第二功能层222c)、对电极223和盖层225的部分可以断开。
图13和图14是显示面板的一部分的另一示例性实施例的平面图和剖视图。在图13和图14中，与图9和图11中的附图标记相同的附图标记表示与图9和图11中的构件相同的构件。因此，这里将不再提供其描述。
参照图13和图14，示出的示例性实施例中的显示面板可以包括多个凹槽G和G'。
参照图13，示出了凹槽G和附加凹槽G'布置在开口区域OA与显示区域DA之间。在另一示例性实施例中，可以在第一非显示区域NDA1中布置三个或更多个凹槽。
附加凹槽G'可以布置在开口区域OA与凹槽G之间，并且可以具有围绕整个开口区域OA的环的形状。凹槽G的直径可以大于附加凹槽G'的直径以围绕附加凹槽G'。
图13示出了凹槽G的宽度与附加凹槽G'的宽度相同。然而，凹槽G的宽度可以与附加凹槽G'的宽度不同。
参照图14，第一突出尖端PT1'、第二突出尖端PT2'和第三突出尖端PT3'可以布置在附加凹槽G'的侧部处。第一突出尖端PT1'、第二突出尖端PT2'和第三突出尖端PT3'可以从附加凹槽G'的侧部朝向附加凹槽G'的内部突出。在可选示例性实施例中，第一突出尖端PT1'、第二突出尖端PT2'和第三突出尖端PT3'可以从附加凹槽G'的侧部朝向在垂直于基底100的上表面的方向上延伸的中心线CP'突出。
第一突出尖端PT1'是位于附加凹槽G'的侧部的顶部中的突出尖端。第一突出尖端PT1'可以被设置为第二绝缘中间层207的第二层207b的一部分。
第二突出尖端PT2'布置在第一突出尖端PT1'下方以与第一突出尖端PT1'分开，并且可以被设置为第一绝缘中间层205的一部分。
第三突出尖端PT3'可以布置在第二突出尖端PT2'下方以与第二突出尖端PT2'分开，并且可以被设置为第一缓冲层201a的一部分。
第一突出尖端PT1'至第三突出尖端PT3'可以包括具有小蚀刻速率的材料。第一突出尖端PT1'与第二突出尖端PT2'之间的绝缘层、第二突出尖端PT2'与第三突出尖端PT3'之间的绝缘层以及位于第三突出尖端PT3'下方的绝缘层可以包括具有大蚀刻速率的材料。
在一些示例性实施例中，第一突出尖端PT1'至第三突出尖端PT3'可以包括例如SiNx。在示例性实施例中，第一突出尖端PT1'至第三突出尖端PT3'之间的绝缘层可以包括例如SiOx。
分隔壁500可以布置在凹槽G和附加凹槽G'之间。分隔壁500可以包括有机绝缘材料。在示例性实施例中，例如，分隔壁500可以具有其中堆叠有第一子壁部510和第二子壁部520的结构。
可以布置分隔壁500，从而在设置薄膜封装层300的有机封装层320时控制单体的流动并确保单体的厚度。
第一子壁部510可以包括与有机绝缘层209的材料相同的材料，并且可以与有机绝缘层209同时设置。第二子壁部520可以包括与像素限定层211的材料相同的材料，并且可以与像素限定层211同时设置。
在附加凹槽G'与开口区域OA之间的区域中，第一无机封装层310被布置为与第二无机封装层330直接接触，从而不暴露有机封装层320。因此，外部空气不会经由开口区域OA传输到显示区域DA。
此外，由于有机层(如中间层222、盖层225的部分等)被凹槽G和附加凹槽G'断开，因此可以防止由于有机层而引起的湿气渗透。
在显示装置的示例性实施例中，可以通过在非显示区域中限定凹槽来防止湿气渗透到显示元件等中，并且可以通过在朝向凹槽的内部的方向上形成多个突出尖端来有效地断开有机层。
然而，这样的效果仅是示例，并且在这里提供的描述中将详细地提供示例性实施例中的效果。
应理解的是，在此描述的实施例应仅以描述性含义来考虑而不是出于限制目的。每个示例性实施例内的特征的描述通常应认为可用于其它示例性实施例中的其它相似特征。
虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示面板，所述显示面板包括：
基底，包括开口区域和围绕所述开口区域的显示区域；
多个显示元件，位于所述显示区域中；以及
凹槽，布置在所述开口区域与所述显示区域之间，并包括第一突出尖端和第二突出尖端，所述第一突出尖端和所述第二突出尖端具有距所述基底的上表面不同的高度且彼此间隔开，
其中，所述第一突出尖端和所述第二突出尖端从所述凹槽的侧部朝向所述凹槽的内部突出。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一突出尖端和所述第二突出尖端中的每个突出尖端沿所述凹槽的所述侧部连续地布置。
3.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括无机层，所述无机层包括多个第一无机材料层和多个第二无机材料层，所述多个第二无机材料层布置在所述多个第一无机材料层之间且具有比所述多个第一无机材料层的蚀刻速率大的蚀刻速率，并且
所述凹槽在所述无机层的厚度方向上凹陷。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述第一突出尖端和所述第二突出尖端是所述多个第一无机材料层的部分。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述多个第一无机材料层包括氮化硅，并且所述多个第二无机材料层包括氧化硅。
6.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括：
薄膜晶体管，布置在所述显示区域中，并包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极；以及
第一绝缘中间层、第二绝缘中间层的第一层和第二绝缘中间层的第二层，顺序地布置在所述栅电极与所述源电极之间，
其中，所述第一突出尖端是所述第二绝缘中间层的所述第二层的一部分，并且所述第二突出尖端是所述第一绝缘中间层的一部分。
7.根据权利要求6所述的显示面板，所述显示面板还包括存储电容器，所述存储电容器包括：第一电极，位于所述显示区域中，并位于与所述薄膜晶体管的所述栅电极的层相同的层中；以及第二电极，位于所述第一绝缘中间层上。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其中，在所述凹槽的所述侧部处还布置有第三突出尖端，并且所述第三突出尖端与所述第一突出尖端和所述第二突出尖端间隔开。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述基底包括顺序地堆叠的第一基体层、第一无机层、第二基体层和第二无机层，
所述凹槽的底表面是所述第二基体层的上表面，并且
所述第三突出尖端通过延伸位于所述第二无机层上的缓冲层来设置。
10.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括薄膜封装层，所述薄膜封装层覆盖所述多个显示元件并包括顺序地堆叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，
其中，所述有机封装层填充所述凹槽的至少一部分。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其中，所述第一无机封装层在所述开口区域与所述凹槽之间的区域中接触所述第二无机封装层。
12.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一突出尖端和所述第二突出尖端中的至少一个突出尖端的厚度在朝向所述凹槽的所述内部的方向上减小。
13.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括：
缓冲层，位于所述基底上；以及
薄膜晶体管，在所述显示区域中位于所述缓冲层上，
其中，所述凹槽的底表面是所述缓冲层的上表面。
14.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括：
附加凹槽，位于所述凹槽与所述开口区域之间；以及
分隔壁，布置在所述凹槽与所述附加凹槽之间，并包括有机材料。
15.一种显示面板，所述显示面板包括：
基底，在所述基底中限定有开口；
显示元件，在围绕所述开口的至少一部分的显示区域中；
薄膜封装层，布置在所述显示元件上，并包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层；以及
凹槽，位于所述开口与所述显示区域之间，
其中，所述凹槽在包括多个第一无机材料层和多个第二无机材料层的层的厚度方向上凹陷，并且多个突出尖端布置在所述凹槽的侧部处且处于彼此不同的高度处。
16.根据权利要求15所述的显示面板，其中，所述多个第一无机材料层包括氮化硅，所述多个第二无机材料层包括氧化硅，并且所述多个突出尖端是所述多个第一无机材料层的部分。
17.根据权利要求15所述的显示面板，所述显示面板还包括：
薄膜晶体管，布置在所述显示区域中，并包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极；以及
第一绝缘中间层、第二绝缘中间层的第一层和第二绝缘中间层的第二层，顺序地布置在所述栅电极与所述源电极之间，
其中，所述多个突出尖端包括第一突出尖端和第二突出尖端，所述第一突出尖端是所述第二绝缘中间层的所述第二层的一部分，并且所述第二突出尖端是所述第一绝缘中间层的一部分。
18.根据权利要求15所述的显示面板，其中，所述多个突出尖端中的至少一个突出尖端的厚度在朝向所述凹槽的内部的方向上减小。
19.根据权利要求15所述的显示面板，所述显示面板还包括：
缓冲层，位于所述基底上；以及
薄膜晶体管，在所述显示区域中位于所述缓冲层上，
其中，所述凹槽的底表面是所述缓冲层的上表面。
20.根据权利要求15所述的显示面板，所述显示面板还包括：
附加凹槽，位于所述凹槽与所述开口之间；以及
分隔壁，布置在所述凹槽与所述附加凹槽之间，并包括有机材料。
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