CN110928446B - 显示装置 - Google Patents
显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110928446B CN110928446B CN201911106824.6A CN201911106824A CN110928446B CN 110928446 B CN110928446 B CN 110928446B CN 201911106824 A CN201911106824 A CN 201911106824A CN 110928446 B CN110928446 B CN 110928446B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wiring
- layer
- width
- wiring portion
- protruding member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 54
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 297
- 101000642431 Homo sapiens Pre-mRNA-splicing factor SPF27 Proteins 0.000 description 47
- 102100036347 Pre-mRNA-splicing factor SPF27 Human genes 0.000 description 47
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 42
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 24
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 24
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 19
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 101000945093 Homo sapiens Ribosomal protein S6 kinase alpha-4 Proteins 0.000 description 10
- 102100033644 Ribosomal protein S6 kinase alpha-4 Human genes 0.000 description 10
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 9
- 101000945096 Homo sapiens Ribosomal protein S6 kinase alpha-5 Proteins 0.000 description 8
- 102100033645 Ribosomal protein S6 kinase alpha-5 Human genes 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 8
- 101100168701 Coffea arabica CS4 gene Proteins 0.000 description 7
- 101150055479 MTL1 gene Proteins 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 7
- 101100168695 Coffea arabica CS3 gene Proteins 0.000 description 6
- 101100329510 Coffea canephora MTL2 gene Proteins 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 5
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 5
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 5
- 101000837845 Homo sapiens Transcription factor E3 Proteins 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 102100028507 Transcription factor E3 Human genes 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 4
- JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N n-(3-hydroxy-2-methyl-3,4-diphenylbutyl)-n-methylpropanamide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)(C(C)CN(C)C(=O)CC)CC1=CC=CC=C1 JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 102100035647 BRISC and BRCA1-A complex member 1 Human genes 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000874547 Homo sapiens BRISC and BRCA1-A complex member 1 Proteins 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 241000894007 species Species 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 241000699670 Mus sp. Species 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002355 dual-layer Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910003471 inorganic composite material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
- G06F3/04164—Connections between sensors and controllers, e.g. routing lines between electrodes and connection pads
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04102—Flexible digitiser, i.e. constructional details for allowing the whole digitising part of a device to be flexed or rolled like a sheet of paper
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04111—Cross over in capacitive digitiser, i.e. details of structures for connecting electrodes of the sensing pattern where the connections cross each other, e.g. bridge structures comprising an insulating layer, or vias through substrate
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Preparation Of Compounds By Using Micro-Organisms (AREA)
- Measuring Pulse, Heart Rate, Blood Pressure Or Blood Flow (AREA)
- Compounds Of Unknown Constitution (AREA)
Abstract
提供了一种显示装置。所述显示装置包括有机发光显示面板和设置在有机发光显示面板上的触摸感测单元。触摸感测单元包括触摸电极和连接到触摸电极的布线部。触摸感测单元的布线部穿过设置在有机发光显示面板的非显示区域上的突出构件,并形成第一布线部、第二布线部和连接布线部,第一布线部不与突出构件叠置,第二布线部与突出构件叠置,连接布线部设置在第一布线部与第二布线部之间并具有比第一布线部和第二布线部的布线宽度小的布线宽度,以与突出构件的边缘叠置。
Description
本申请是申请日为2017年7月26日、申请号为201710618467.6、题为“显示装置”的专利申请的分案申请。
申请要求于2016年7月29日提交的第10-2016-0097471号韩国专利申请的优先权和权益,出于所有目的,该韩国专利申请通过引用被包含于此,就像在这里被充分地阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种显示装置,更具体地,涉及一种降低触摸感测单元的布线部中的缺陷的可能性的显示装置。
背景技术
已经开发了用于多媒体装置(诸如电视机、蜂窝电话、平板计算机、导航单元和游戏机)的各种显示装置。用于显示装置的输入装置包括键盘、鼠标等。另外,显示装置设置有作为输入装置的触摸感测单元。
该背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对发明构思的背景的理解,因此,它可以包含不形成对领域普通技术人员而言在本国已知的现有技术的信息。
发明内容
发明的示例性实施例提供了一种显示装置,所述显示装置具有用于降低触摸感测单元中的相邻布线部之间导致的短路缺陷的可能性的改善的布线结构。
发明构思的示例性实施例提供了一种显示装置,所述显示装置包括:基体基底,划分成显示区域和与显示区域相邻的非显示区域;电路层,设置在基体基底上;发光元件层,设置在显示区域上;包封层,覆盖发光元件层;触摸感测单元,设置在包封层上,并包括触摸电极和连接到触摸电极的布线部;突出构件,设置在非显示区域上。在示例性实施例中,当在平面图中观看时,布线部可以包括:第一布线部,其不与突出构件叠置,并具有第一布线宽度;第二布线部,与突出构件叠置,并具有第二布线宽度;连接布线部,具有比第一布线宽度和第二布线宽度小的第三布线宽度,并设置在第一布线部与第二布线部之间,第一布线宽度至第三布线宽度可以在与布线部的延伸方向垂直的方向上,连接布线部可以与突出构件的边缘叠置。
附加的各方面将在随后的详细描述中进行阐述,并且部分地通过公开将是明显的,或者可以通过发明构思的实施而获知。
上面的总体描述和下面的详细描述是示例性的和解释性的,并且意图提供对所要求保护的主题的进一步解释。
附图说明
附图示出了发明构思的示例性实施例,并与描述一起用来解释发明构思的原理,其中,包括附图以提供对发明构思的进一步理解,并且附图并入该说明书中且构成该说明书的一部分。
图1A是示出根据发明构思的示例性实施例的处于第一操作模式中的显示装置的透视图。
图1B是示出根据发明构思的示例性实施例的处于第二操作模式中的显示装置的透视图。
图1C是示出根据发明构思的示例性实施例的处于第三操作模式中的显示装置的透视图。
图2是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的剖视图。
图3A和图3B是示出根据发明构思的示例性实施例的显示装置的透视图。
图4A和图4B是示出根据发明构思的示例性实施例的显示装置的透视图。
图5A是根据发明构思的示例性实施例的有机发光显示面板的平面图。
图5B是示出根据发明构思的示例性实施例的显示模块的剖视图。
图6A是根据发明构思的示例性实施例的像素的等效电路图。
图6B是示出根据发明构思的示例性实施例的有机发光显示面板的局部剖视图。
图6C是示出根据发明构思的示例性实施例的有机发光显示面板的局部剖视图。
图7A、图7B和图7C是示出根据发明构思的示例性实施例的包封层的剖视图。
图8是示出根据发明构思的示例性实施例的触摸感测单元的剖视图。
图9是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的平面图。
图10A、图10B和图10C是示出根据发明构思的示例性实施例的触摸感测单元的平面图。
图10D是图10C的区域BB的放大视图。
图11是沿图9的线I-I'截取的剖视图。
图12是示出图9的区域AA的放大平面图。
图13A是沿图12的线II-II'截取的剖视图。
图13B是图12的区域CC的放大视图。
图14A是沿图12的线II-II'截取的剖视图。
图14B是图12的区域CC的放大视图。
图14C是示出根据发明构思的示例性实施例的突出构件的剖视图。
图15A和图15B是示出包括连接布线部的布线部的示例性实施例的平面图。
图16是示出图9的区域AA的放大平面图。
图17A是沿图16的线III-III'截取的剖视图。
图17B是示出图16的区域EE的放大平面图。
图18A是示出图9的区域AA的放大平面图。
图18B是沿图18A的线IV-IV'截取的剖视图。
图19A是沿图12的线II-II'截取的剖视图。
图19B是图12的区域CC的局部放大视图。
图20是示出根据发明构思的示例性实施例的用于制造显示装置的工艺中的光刻工艺的示意性剖视图。
图21A是示例性地示出使用用于制造布线部的典型掩模的情况的平面图。
图21B是示出根据现有技术的布线部的结构的平面图。
图22和图23是示出根据发明构思的示例性实施例的用于制造显示装置中的布线部的掩模的设置的平面图。
具体实施方式
在下面的描述中,出于解释的目的,阐述了许多具体细节以提供对各种示例性实施例的彻底的理解。然而,明显的是,可以在没有这些具体细节或者具有一种或更多种等同布置的情况下实施各种示例性实施例。在其它情况下,为了避免不必要地使各种示例性实施例不清楚,以框图形式示出了公知的结构和装置。
在附图中,出于清楚和描述性的目的,可以夸大层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸。另外,同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时,该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一层或元件,或者可以存在中间元件或层。然而,当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时,不存在中间元件或层。出于本公开的目的,“X、Y和Z中的至少一个(种、者)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种、者)”可以被解释为只有X、只有Y、只有Z或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合(诸如,以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例)。同样的标记始终表示同样的元件。如在这里使用的,术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和所有组合。
尽管可以在这里使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分,但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语限制。这些术语用来将一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一元件、组件、区域、层和/或部分区分开。因此,在不脱离本公开的教导的情况下,下面讨论的第一元件、组件、区域、层和/或部分可以被命名为第二元件、组件、区域、层和/或部分。
出于描述性的目的,在这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”、“上面的”等空间相对术语,从而描述如附图中示出的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。空间相对术语意图包含除了图中描绘的方位之外的装置在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如,如果图中的装置被翻转,则描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位“在”所述其它元件或特征“上方”。因此,示例性术语“在……下方”可以包含上方和下方两种方位。另外,装置可以被另外定位(例如,旋转90度或在其它方位),并且如此相应地解释在这里使用的空间相对描述语。
这里使用的术语是为了描述具体示例性实施例的目的,而不是意图成为限制。如这里使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式“一个”、“一种”和“该(所述)”也意图包括复数形式。另外,当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”及其变型时,说明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组,但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
在这里参照作为理想的示例性实施例和/或中间结构的示意性图示的剖视图来描述各种示例性实施例。如此,预计将出现例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此,这里公开的示例性实施例不应被解释为局限于区域的具体示出的形状,而将包括例如由制造导致的形状偏差。附图中示出的区域实际上是示意性的,并且它们的形状不意图示出装置的区域的实际形状,也不意图是限制的。
除非另外定义,否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。除非在这里如此明确地定义,否则诸如在通用字典中定义的术语应当被解释为具有与在相关领域的上下文中的它们的含义一致的含义,将不以理想化或过于形式化的含义来进行解释。
图1A是示出根据发明构思的示例性实施例的处于第一操作模式中的显示装置DD的透视图。图1B是示出根据发明构思的示例性实施例的处于第二操作模式中的显示装置DD的透视图。图1C是示出根据发明构思的示例性实施例的处于第三操作模式中的显示装置DD的透视图。
如图1A中所示,在第一操作模式中,其上显示图像IM的显示表面IS与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的表面平行。显示表面IS的法线方向(即,显示装置DD的厚度方向)由第三方向DR3指示。构件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)通过第三方向DR3进行区分。然而,由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向是相对概念,并且可以转换成其它方向。在下文中,第一方向至第三方向是分别由第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向,并且由同样的附图标记表示。
图1A至图1C示出柔性的可折叠的显示装置作为显示装置DD的示例。然而,发明构思的示例性实施例可以是可卷曲的显示装置或弯曲的显示装置,并且不具体限制于此。另外,在当前的示例性实施例中,示出了柔性显示装置,但是发明构思的示例性实施例不限于此。根据当前的示例性实施例的显示装置DD也可以是平坦的刚性显示装置或弯曲的刚性显示装置。根据发明构思的示例性实施例的显示装置DD可以用于诸如电视机、监视器的大型电子装置,并且可以用于诸如蜂窝电话、平板计算机、汽车导航单元、游戏机、智能手表等的中小型电子装置。
如图1A中所示,显示装置DD的显示表面IS可以包括多个区域。显示装置DD包括其上显示图像IM的显示区域DD-DA和与显示区域DD-DA相邻的非显示区域DD-NDA。非显示区域DD-NDA是其上不显示图像的区域。图1A示出花瓶作为图像IM的示例。例如,显示区域DD-DA可以具有矩形形状。非显示区域DD-NDA可以围绕显示区域DD-DA。然而,发明构思的示例性实施例不限于此,可以相对地设计显示区域DD-DA和非显示区域DD-NDA的形状。
如图1A至图1C中所示,显示装置DD可以包括根据操作形状而限定的多个区域。显示装置DD可以包括可关于弯曲轴BX弯曲的弯曲区域BA以及不能被弯曲的第一非弯曲区域NBA1和第二非弯曲区域NBA2。
如图1B中所示,显示装置DD可以经受内弯曲,使得第一非弯曲区域NBA1的显示表面IS和第二非弯曲区域NBA2的显示表面IS彼此面对。如图1C中所示,显示装置DD也可以经受外弯曲,使得显示表面IS暴露于外部。
图1A至图1C仅示出一个弯曲区域BA,但是发明构思的示例性实施例不限于此。例如,在发明构思的示例性实施例中,显示装置DD可以包括多个弯曲区域BA。
在发明构思的示例性实施例中,显示装置DD可以被构造为仅重复图1A和图1B中示出的操作模式。然而,发明构思的示例性实施例不限于此,弯曲区域BA可以对应于用户操作显示装置DD的形状来进行限定。例如,与图1B和图1C不同,弯曲区域BA可以限定为与第一方向DR1平行,或者也可以限定为在对角线方向上。弯曲区域BA的面积不固定,并可以根据曲率半径来确定。
图2是根据发明构思的示例性实施例的显示装置DD的剖视图。图2示出由第二方向DR2和第三方向DR3限定的剖面表面。
如图2中所示,显示装置DD可以包括保护膜PM、显示模块DM、光学构件LM、窗口WM、第一粘合构件AM1、第二粘合构件AM2和第三粘合构件AM3。显示模块DM设置在保护膜PM与光学构件LM之间。光学构件LM设置在显示模块DM与窗口WM之间。第一粘合构件AM1将显示模块DM和保护膜PM进行结合,第二粘合构件AM2将显示模块DM和光学构件LM进行结合,第三粘合构件AM3将光学构件LM和窗口WM进行结合。
保护膜PM保护显示模块DM。保护膜PM提供暴露于外部的第一外表面OS-L和粘合到第一粘合构件AM1的粘合表面。保护膜PM防止外部湿气渗透到显示模块DM中,并吸收外部冲击。
保护膜PM可以包括塑料膜作为基体基底。保护膜PM可以包括塑料膜,塑料膜可包括从由聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚(亚芳基醚砜)和它们的组合组成的组中选择的任意一种。
保护膜PM的组合物材料不限于塑料树脂,而是可以包括有机/无机复合材料。保护膜PM可以包括多孔有机层和填充在有机层的孔中的无机材料。保护膜PM还可以包括形成在塑料膜上的功能层。功能层可以包括树脂层。功能层可以通过涂覆方法来形成。在发明构思的示例性实施例中,可以不提供保护膜PM。
窗口WM可以保护显示模块DM免受外部冲击,并向用户提供输入表面。窗口WM提供暴露于外部的第二外表面OS-U和粘合到第三粘合构件AM3的粘合表面。图1A至图1C中示出的显示表面IS可以是第二外表面OS-U。
窗口WM可以包括塑料膜。窗口WM可以包括多层结构。窗口WM可以具有从玻璃基底、塑料膜和塑料基底中选择的多层结构。窗口WM还可以包括边框图案。多层结构可以通过连续工艺或使用粘合层的粘合工艺来形成。
光学构件LM减小外部光的反射率。光学构件LM可以至少包括偏振膜。光学构件LM还可以至少包括光学延迟膜。在发明构思的示例性实施例中,可以不提供光学构件LM。
显示模块DM可以包括有机发光显示面板DP(或显示面板)和触摸感测单元TS。触摸感测单元TS设置在有机发光显示面板DP上。在示例性实施例中,触摸感测单元TS也可以直接设置在有机发光显示面板DP上。在本说明书中,术语“直接设置”排除通过单独的粘合层的粘合,并表示通过连续的工艺的形成。
有机发光显示面板DP产生与输入图像数据对应的图像IM(图1A)。有机发光显示面板DP提供了在厚度方向DR3上彼此面对的第一显示面板表面BS1-L和第二显示面板表面BS1-U。在本示例性实施例中,示例性地描述了有机发光显示面板DP,但是显示面板不限于此。
触摸感测单元TS获得外部输入的坐标信息。触摸感测单元TS可以通过静电电容方法来检测外部输入。
尽管未单独示出,但是根据发明构思的示例性实施例的显示模块DM也可以进一步包括防反射层。防反射层可以包括导电层/绝缘层/导电层的层叠结构的滤色器。防反射层可以通过吸收、破坏性地干扰从外部入射的光或使其偏振来减小外部光的反射率。防反射层可以代替光学构件LM的功能。
第一粘合构件AM1、第二粘合构件AM2和第三粘合构件AM3中的每个可以是诸如光学透明粘合膜(OCA)、光学透明树脂(OCR)或压敏粘合膜(PSA)的有机粘合层。有机粘合层可以包括粘合材料,诸如,聚氨酯类粘合材料、聚丙烯酸酯类粘合材料、聚酯类粘合材料、聚环氧类粘合材料或聚乙酸乙烯酯类粘合材料。
尽管未单独示出,但是显示装置DD还可以包括用于支撑功能层的框架结构,以维持图1A至图1C中示出的状态。框架结构可以包括铰接结构或铰链结构。
图3A和图3B是示出根据发明构思的示例性实施例的显示装置DD-1的透视图。图3A示出处于未弯曲状态中的显示装置DD-1,图3B示出处于弯曲状态中的显示装置DD-1。
显示装置DD-1可以包括一个弯曲区域BA和一个非弯曲区域NBA。显示装置DD-1的非显示区域DD-NDA可以被弯曲。然而,在发明构思的示例性实施例中,可以改变显示装置DD-1的弯曲区域BA的位置。
与图1A至图1C中示出的显示装置DD不同,根据发明构思的示例性实施例的显示装置DD-1可以在以一种形状固定的状态下进行操作。如图3B中所示,显示装置DD-1可以在弯曲状态下进行操作。显示装置DD-1可以在弯曲状态下固定到框架等,框架可以与电子装置的外壳结合。
根据本示例性实施例的显示装置DD-1可以具有与图2中示出的剖面结构相同的剖面结构。然而,非弯曲区域NBA和弯曲区域BA可以具有不同的层叠结构。非弯曲区域NBA可以具有与图2中示出的剖面结构相同的剖面结构,弯曲区域BA可以具有与图2中示出的结构不同的结构。在弯曲区域BA中,可以不设置光学构件LM和窗口WM。即,光学构件LM和窗口WM可以仅设置在非弯曲区域NBA中。第二粘合构件AM2和第三粘合构件AM3也可以不设置在弯曲区域BA中。
图4A是根据发明构思的示例性实施例的显示装置DD-2的透视图。
显示装置DD-2可以包括主要图像显示在前表面上的非弯曲区域NBA(或平面区域)以及子图像显示在侧表面上的弯曲区域BA(或侧表面区域)。尽管未单独示出,但是子图像可以包括提供预定信息的图标。在本示例性实施例中,术语“非弯曲区域NBA”和“弯曲区域BA”通过由形状区分的多个区域来限定显示装置DD-2。
从非弯曲区域NBA弯曲的弯曲区域BA在第一方向DR1、第二方向DR2和与第三方向DR3交叉的第四方向DR4上显示子图像。然而,由第一方向DR1至第四方向DR4指示的方向是相对概念,并可以转换成其它方向。
图4B是示出根据发明构思的示例性实施例的显示装置DD-3的透视图。
显示装置DD-3包括主图像显示在前表面上的非弯曲区域NBA以及子图像显示在侧表面上的第一弯曲区域BA1和第二弯曲区域BA2。第一弯曲区域BA1和第二弯曲区域BA2可以从非弯曲区域NBA的两侧弯曲。
图5A是根据发明构思的示例性实施例的有机发光显示面板DP的平面图,图5B是示出根据发明构思的示例性实施例的显示模块DM的剖视图。例如,图5B可以示出与由第二方向DR2和第三方向DR3限定的表面平行的表面处的剖面表面的一部分。
如图5A中所示,当从平面图中观看时,有机发光显示面板DP包括显示区域DA和非显示区域NDA。有机发光显示面板DP的显示区域DA和非显示区域NDA分别与显示装置DD(见图1A)的显示区域DD-DA(见图1A)和非显示区域DD-NDA(见图1A)对应。有机发光显示面板DP的显示区域DA和非显示区域NDA不必与显示装置DD(见图1A)的显示区域DD-DA(见图1A)和非显示区域DD-NDA(见图1A)相同,但是可以根据有机发光显示面板DP的结构/设计而改变。
有机发光显示面板DP包括多个像素PX。设置有像素PX的区域被定义为显示区域DA。在本示例性实施例中,可以沿显示区域DA的边缘限定非显示区域NDA。
有机发光显示面板DP包括栅极线GL、数据线DL、发光线EL、控制信号线SL-D、初始化电压线SL-Vint、电压线SL-VDD和焊盘部PD。
栅极线GL分别连接到多个像素PX之中的对应的像素PX,数据线DL分别连接到多个像素PX之中的对应的像素PX。发光线EL分别与栅极线GL之中的对应的栅极线平行地设置。控制信号线SL-D可以向栅极驱动电路GDC提供控制信号。初始化电压线SL-Vint可以向多个像素PX提供初始化电压。电压线SL-VDD连接到多个像素PX,并可以向多个像素PX提供第一电压。电压线SL-VDD可以包括在第一方向DR1上延伸的多条线和在第二方向DR2上延伸的多条线。
连接栅极线GL和发光线EL的栅极驱动电路GDC可以设置在非显示区域NDA的一侧上。栅极线GL、数据线DL、发光线EL、控制信号线SL-D、初始化电压线SL-Vint、电压线SL-VDD中的一些设置在同一层上,其它的设置在不同层上。
焊盘部PD可以连接到数据线DL、控制信号线SL-D、初始化电压线SL-Vint和电压线SL-VDD的端部。
如图5B中所示,有机发光显示面板DP可以包括基体基底SUB、设置在基体基底SUB上的电路层DP-CL、设置在电路层DP-CL上的发光元件层DP-OLED和围绕发光元件层DP-OLED的包封层TFE。
基体基底SUB可以包括塑料基底、玻璃基底、金属基底、有机/无机复合材料基底等。塑料基底可以包括丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一个。基体基底SUB可以是柔性基底。可选择地,基体基底SUB可以是刚性基底。
基体基底SUB可以划分成显示区域DA和与显示区域DA相邻的非显示区域NDA。非显示区域NDA可以设置在显示区域DA的边缘上。然而,发明构思的示例性实施例不限于此,非显示区域NDA可以仅设置在显示区域DA的一侧上。
电路层DP-CL可以设置在基体基底SUB上。电路层DP-CL可以设置在基体基底SUB的显示区域DA和非显示区域NDA上。尽管附图中未单独示出,但是电路层DP-CL可以包括至少一个像素绝缘层、多个导电层和半导体层。电路层DP-CL的所述多个导电层可以被构造为用于像素的信号线或驱动电路。
发光元件层DP-OLED可以包括有机发光二极管。发光元件层DP-OLED可以设置在显示区域DA上。以下将在图6C的描述中详细地描述有机发光二极管。
包封层TFE可以设置在发光元件层DP-OLED上。包封层TFE可以被设置为围绕发光元件层DP-OLED。包封层TFE可以覆盖并包封发光元件层DP-OLED。包封层TFE可以包括无机层和有机层。包封层TFE可以包括至少两个无机层和设置在无机层之间的有机层。无机层保护发光元件层DP-OLED免受水/氧的影响,有机层保护发光元件层DP-OLED免受诸如尘土颗粒的外部物质的影响。无机层可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层等。有机层可以包括丙烯酸类有机材料,发明构思的示例性实施例不限于此。可以通过沉积方法提供无机层,可以通过涂覆工艺提供有机层,但是发明构思的示例性实施例不限于此。以下将在图7A至图7C的描述中详细地描述包封层TFE的构造。
触摸感测单元TS设置在包封层TFE上。触摸感测单元TS可以直接设置在包封层TFE上。然而,发明构思的示例性实施例不限于此。无机层可以设置在包封层TFE上,触摸感测单元TS也可以设置在无机层上。无机层可以是缓冲层。无机层可以是氮化硅层、氮氧化硅层和氧化硅层中的至少一个。然而,这是示例性的,发明构思的示例性实施例不限于此。另外,缓冲层可以是有机层。尽管描述了缓冲层是单独的构造,但是缓冲层可以包括在包封层TFE中。
触摸感测单元TS包括触摸传感器和触摸信号线。触摸传感器和触摸信号线可以具有单层或多层结构。
触摸传感器和触摸信号线可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)、PEDOT、金属纳米线或石墨烯。触摸传感器和触摸信号线可以包括诸如钼、银、钛、铜、铝或它们的合金的金属层。触摸传感器和触摸信号线可以具有彼此相同的层结构或者彼此不同的层结构。以下将详细地描述触摸感测单元TS。
图6A是根据发明构思的示例性实施例的像素PX的等效电路图。图6A示例性地示出连接到多条数据线DL(见图5A)之中的第k数据线DLk的第i像素PXi。
第i像素PXi包括有机发光二极管OLED和用于控制有机发光二极管OLED的像素驱动电路。像素驱动电路可以包括七个薄膜晶体管T1至T7和一个存储电容器Cst。
驱动晶体管控制施加到有机发光二极管OLED的驱动电流。第二晶体管T2的输出电极电连接到有机发光二极管OLED。第二晶体管T2的输出电极可以直接接触有机发光二极管OLED的阳极,或者可以经由另一晶体管(发明构思的示例性实施例中的第六晶体管T6)连接到有机发光二极管OLED的阳极。
控制晶体管的控制电极可以接收控制信号。施加到第i像素PXi的控制信号可以包括第(i-1)栅极信号Si-1、第i栅极信号Si、第(i+1)栅极信号Si+1、第k数据信号Dk和第i发光控制信号Ei。在发明构思的示例性实施例中,控制晶体管可以包括第一晶体管T1以及第三晶体管T3至第七晶体管T7。
第一晶体管T1包括连接到第k数据线DLk的输入电极、连接到第i栅极线GLi的控制电极和连接到第二晶体管T2的输出电极的输出电极。第一晶体管T1响应于施加到第i栅极线GLi的栅极信号Si(在下文中,为第i栅极信号)而导通,并向存储电容器Cst提供施加到第k数据线DLk的数据信号Dk。
图6B是示出根据发明构思的示例性实施例的有机发光显示面板的局部剖视图。图6C是示出根据发明构思的示例性实施例的有机发光显示面板的局部剖视图。具体地,图6B示出与图6A中示出的等效电路图中的第一晶体管T1对应的部分的局部剖视图。图6C示出与图6A中示出的等效电路图中的第二晶体管T2、第六晶体管T6和有机发光二极管OLED对应的部分的局部剖视图。
参照图6B和图6C,缓冲层BFL可以设置在基体基底SUB上。缓冲层BFL改善基体基底SUB与导电图案或半导体图案之间的结合力。缓冲层BFL可以包括无机层。尽管未单独示出,但是用于防止外部物质渗透的阻挡层还可以设置在基体基底SUB的上表面上。可以可选择地设置/省略缓冲层BFL和阻挡层。
在缓冲层BFL上,设置有第一晶体管T1的半导体图案OSP1(在下文中,为第一半导体图案)、第二晶体管T2的半导体图案OSP2(在下文中,为第二半导体图案)和第六晶体管T6的半导体图案OSP6(在下文中,为第六半导体图案)。第一半导体图案OSP1、第二半导体图案OSP2和第六半导体图案OSP6可以选自于非晶硅、多晶硅或金属氧化物半导体。
第一绝缘层10可以设置在第一半导体图案OSP1、第二半导体图案OSP2和第六半导体图案OSP6上。图6B和图6C示例性地示出第一绝缘层10被设置为覆盖第一半导体图案OSP1、第二半导体图案OSP2和第六半导体图案OSP6的层形状,但是第一绝缘层10也可以设置为与第一半导体图案OSP1、第二半导体图案OSP2和第六半导体图案OSP6对应设置的图案。
第一绝缘层10可以包括多个无机薄膜。所述多个无机薄膜均可以包括氮化硅层、氮氧化硅层和氧化硅层。
在第一绝缘层10上,设置有第一晶体管T1的控制电极GE1(在下文中,为第一控制电极)、第二晶体管T2的控制电极GE2(在下文中,为第二控制电极)和第六晶体管T6的控制电极GE6(在下文中,为第六控制电极)。可以通过与栅极线GL(见图5A)的光刻工艺相同的光刻工艺来制造第一控制电极GE1、第二控制电极GE2和第六控制电极GE6。
在第一绝缘层10上,可以设置有覆盖第一控制电极GE1、第二控制电极GE2和第六控制电极GE6的第二绝缘层20。第二绝缘层20可以提供平坦的上表面。第二绝缘层20可以包括有机和/或无机材料。
在第二绝缘层20上,设置有第一晶体管T1的输入电极SE1(在下文中,为第一输入电极)、第二晶体管T2的输入电极SE2(在下文中,为第二输入电极)和第六晶体管T6的输入电极SE6(在下文中,为第六输入电极)。
第一输入电极SE1和第一输出电极DE1分别通过穿透第一绝缘层10和第二绝缘层20的第一通孔CH1和第二通孔CH2连接到第一半导体图案OSP1。第二输入电极SE2和第二输出电极DE2分别通过穿透第一绝缘层10和第二绝缘层20的第三通孔CH3和第四通孔CH4连接到第二半导体图案OSP2。第六输入电极SE6和第六输出电极DE6分别通过穿透第一绝缘层10和第二绝缘层20的第五通孔CH5和第六通孔CH6连接到第六半导体图案OSP6。另外,在发明构思的另一示例性实施例中,可以以底栅结构来实施第一晶体管T1、第二晶体管T2和第六晶体管T6。
在第二绝缘层20上,第三绝缘层30覆盖第一输入电极SE1、第二输入电极SE2、第六输入电极SE6、第一输出电极DE1、第二输出电极DE2和第六输出电极DE6。第三绝缘层30包括有机和/或无机层。具体地,第三绝缘层30可以包括有机材料以提供平坦表面。
可以根据像素PX的电路结构不需要提供第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30中的任意一个。第二绝缘层20和第三绝缘层30中的每个可以被定义为层间绝缘层。层间绝缘层设置在设置于其下的导电图案与设置于其上的导电图案之间,从而使导电图案绝缘。
像素限定层PDL和有机发光二极管OLED设置在第三绝缘层30上。阳极AE设置在第三绝缘层30上。阳极AE通过穿过第三绝缘层30的第七通孔CH7连接到第六输出电极DE6。开口部OP限定在像素限定层PDL中。像素限定层PDL的开口部OP暴露阳极AE的至少一部分。
当在平面图中观看时,像素PX可以设置在像素区域中。像素区域可以包括发光区域PXA和与发光区域PXA相邻的非发光区域NPXA。非发光区域NPXA可以围绕发光区域PXA。在本示例性实施例中,发光区域PXA被限定为与阳极AE的通过开口部OP暴露的一些区域对应。
空穴控制层HCL可以设置在发光区域PXA和非发光区域NPXA两者中。尽管未单独示出,但是诸如空穴控制层HCL的公共层可以公共地形成在多个像素PX(见图5A)中。
有机发光层EML设置在空穴控制层HCL上。有机发光层EML可以设置在与开口部OP对应的区域中。即,有机发光层EML可以单独地形成在多个像素PX中的每个中。在本示例性实施例中,示例性地示出了图案化的有机发光层EML,但是有机发光层EML可以公共地设置在多个像素PX中。这里,有机发光层EML可以产生白光。另外,有机发光层EML可以具有多层结构。
电子控制层ECL设置在有机发光层EML上。尽管未单独示出,但是电子控制层ECL可以公共地形成在多个像素PX(见图5A)中。
阴极CE设置在电子控制层ECL上。阴极CE公共地设置在多个像素PX中。
包封层TFE设置在阴极CE上。包封层TFE公共地设置在多个像素PX中。包封层TFE包括至少一个无机层和至少一个有机层。包封层TFE可以包括交替层叠的多个无机层和多个有机层。
在当前的示例性实施例中,包封层TFE直接覆盖阴极CE。在发明构思的示例性实施例中,覆盖阴极CE的盖层可以进一步设置在包封层TFE与阴极CE之间。这里,包封层TFE可以直接覆盖盖层。
图7A至图7C是示出包括在示例性实施例的显示装置中的包封层TFE1、TFE2和TFE3的示例的剖视图。如图7A中所示,包封层TFE1可以包括包含设置在阴极CE(图6C)上的第一无机薄膜IOL1的n个无机薄膜IOL1至IOLn。另外,第一无机薄膜IOL1可以设置为直接接触阴极CE(图6C)。第一无机薄膜IOL1可以被定义为下无机薄膜,除了来自n个无机薄膜中的第一无机薄膜IOL1之外的无机薄膜可以被定义为上无机薄膜。
包封层TFE1可以包括n-1个有机薄膜OL1至OLn-1,n-1个有机薄膜OL1至OLn-1可以与n个无机薄膜IOL1至IOLn交替地设置。
n-1个有机薄膜OL1至OLn-1可以具有比n个无机薄膜IOL1至IOLn的平均厚度大的平均厚度。
n个无机薄膜IOL1至IOLn中的每个可以具有包括一种材料的单层,或者可以具有其中的每个包括彼此不同的材料的多层。可以通过设置有有机单体来形成n-1个有机薄膜OL1至OLn-1中的每个。有机单体可以包括丙烯酸类单体。例如,可以通过涂覆有包括丙烯酸类单体的组合物来形成n-1个有机薄膜OL1至OLn-1中的每个。具体地,可以通过使用喷墨印刷法来形成有机薄膜OL1至OLn-1。在发明构思的示例性实施例中,包封层TFE1还可以包括第n有机薄膜。
如图7B和图7C中所示,包括在包封层TFE2和TFE3中的每个中的无机薄膜可以具有彼此相同的无机材料或彼此不同的无机材料,并具有彼此相同的厚度或彼此不同的厚度。包括在包封层TFE2和TFE3中的每个中的有机薄膜可以具有彼此相同的有机材料或彼此不同的有机材料,并可以具有彼此相同的厚度或彼此不同的厚度。
如图7B中所示,包封层TFE2可以包括第一无机薄膜IOL1、第一有机薄膜OL1、第二无机薄膜IOL2、第二有机薄膜OL2和第三无机薄膜IOL3。
第一无机薄膜IOL1可以具有双层结构。第一子层S1和第二子层S2可以包括彼此不同的无机材料。
如图7C中所示,包封层TFE3可以包括第一无机薄膜IOL10、第一有机薄膜OL1和第二无机薄膜IOL20。第一无机薄膜IOL10可以具有双层结构。第一子层S10和第二子层S20可以包括彼此不同的无机材料。第二无机薄膜IOL20可以具有双层结构。第二无机薄膜IOL20可以包括可在彼此不同的沉积环境下沉积的第一子层S100和第二子层S200。例如,第一子层S100可以在低电力条件下进行沉积,第二子层S200可以在高电力条件下进行沉积。第一子层S100和第二子层S200可以包括相同的无机材料。
另外,无机层还可以设置在包封层TFE上。无机层可以是缓冲层。在示例性实施例中,触摸感测单元TS可以设置在缓冲层上方,缓冲层设置在包封层TFE上。
图8是示出包括在示例性实施例的显示装置中的触摸感测单元TS的剖面的视图。触摸感测单元TS可以包括第一导电层TS-CL1、第一绝缘层TS-IL1、第二导电层TS-CL2和第二绝缘层TS-IL2。第一导电层TS-CL1可以直接设置在包封层TFE上。然而,发明构思的示例性实施例不限于此,另一无机层(例如,缓冲层)还可以设置在第一导电层TS-CL1与包封层TFE之间。
第一导电层TS-CL1和第二导电层TS-CL2中的每个可以具有单层结构,或者可以具有在第三方向DR3上层叠的多层结构。多层结构的导电层可以包括至少两层或更多层的透明导电层和金属层。多层结构的导电层可以包括包含彼此不同的金属的金属层。透明导电层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)、PEDOT、金属纳米线或石墨烯。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝和它们的合金。
第一导电层TS-CL1和第二导电层TS-CL2中的每个包括多个图案。在下文中,将描述的是,第一导电层TS-CL1包括第一导电图案,第二导电层TS-CL2包括第二导电图案。第一导电图案和第二导电图案中的每个可以包括触摸电极和触摸信号线。
第一绝缘层TS-IL1和第二绝缘层TS-IL2中的每个可以包括无机或有机材料。无机材料可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。有机材料可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一个。
第一绝缘层TS-IL1和第二绝缘层TS-IL2中的每个可以包括单层结构或多层结构。第一绝缘层TS-IL1和第二绝缘层TS-IL2中的每个可以包括无机层和有机层中的至少一个。可以通过化学气相沉积法来形成无机层和有机层。触摸感测单元TS的层叠结构不限于图8中示出的。例如,可以不提供触摸感测单元的第二绝缘层TS-IL2。
第一绝缘层TS-IL1仅需要使第一导电层TS-CL1和第二导电层TS-CL2绝缘,并且其形状不受限制。根据第一导电图案和第二导电图案的形状,可以改变第一绝缘层TS-IL1的形状。第一绝缘层TS-IL1可以成形为完全覆盖包封层TFE,或者包括多个绝缘图案。所述多个绝缘图案只需与第一连接部CP1或第二连接部CP2叠置。
在本示例性实施例中,示例性地示出了双层触摸感测单元,但是发明构思的示例性实施例不限于此。单层触摸感测单元包括导电层和覆盖导电层的绝缘层。导电层包括触摸传感器和连接到触摸传感器的布线部。单层触摸感测单元可以通过自电容法获得坐标信息。
在下文中,在图9至图19B中,将描述示例性实施例的显示装置。在下文中,在关于示例性实施例的显示装置的描述中,将不再描述与图1至图8中详细描述的内容重复的内容,并将主要描述不同之处。
图9是根据发明构思的示例性实施例的显示装置的平面图。图10A至图10C示出包括在图9的示例性实施例的显示装置中的触摸感测单元TS的平面图。图10D是图10C的区域BB的放大视图。图11是示出与图9的线I-I'对应的示例性实施例的显示装置的剖面的视图。
示例性实施例的显示装置可以包括基体基底SUB、电路层DP-CL、发光元件层DP-OLED、包封层TFE、设置在包封层TFE上的触摸感测单元TS和突出构件DAM。有机发光显示面板DP可以包括基体基底SUB、电路层DP-CL、发光元件层DP-OLED和包封层TFE。参照图9和图11,示例性实施例的显示装置DD可以包括有机发光显示面板DP、设置在有机发光显示面板DP上的触摸感测单元TS和突出构件DAM。
可以将图5B的描述中详细描述的内容可以按原样应用到有机发光显示面板DP。示例性实施例的显示装置DD可以包括划分成显示区域DA和非显示区域NDA的基体基底SUB。示例性实施例的显示装置DD可以包括设置在基体基底SUB上的电路层DP-CL、设置在基体基底SUB的显示区域DA中的发光元件层DP-OLED。包封层TFE可以被设置为覆盖发光元件层DP-OLED。
另外,突出构件DAM可以设置在基体基底SUB的非显示区域NDA中。至少一个突出构件DAM可以设置在非显示区域NDA中。例如,一个突出构件DAM或者两个或更多个突出构件DAM可以设置在非显示区域NDA中。另外,当突出构件DAM设置在非显示区域NDA中时,一个突出构件DAM设置在非显示区域NDA的一部分中,多个突出构件DAM可以设置在剩余的部分中。另外,当设置多个突出构件DAM时,设置的突出构件的数量可以根据非显示区域NDA的位置而改变。另外,包封层TFE可以被设置为覆盖突出构件DAM,并延伸到基体基底SUB的非显示区域NDA。这里,覆盖突出构件DAM的包封层TFE可以仅由无机薄膜IOL1至IOLn(图7A)来构造,而不包括有机薄膜OL1至OLn-1(图7A)。然而,发明构思的示例性实施例不限于此,包封层TFE可以都包括无机薄膜IOL1至IOLn(图7A)和也位于覆盖突出构件DAM的部分中的设置在无机薄膜IOL1至IOLn(图7A)之间的有机薄膜OL1至OLn-1(图7A)。另外,当设置多个突出构件DAM时,围绕第一突出构件DAM1的包封层TFE可以包括设置在无机薄膜IOL1至IOLn(图7A)之间的有机薄膜OL1至OLn-1(图7A),其中,第一突出构件DAM1是较靠近显示区域DA的突出构件DAM。与此相比,围绕设置在第一突出构件DAM1外部的第二突出构件DAM2的包封层TFE可以仅由无机薄膜IOL1至IOLn(图7A)构造。
突出构件DAM可以设置在非显示区域NDA中。突出构件DAM可以设置在显示区域DA外部。突出构件DAM可以被设置为围绕显示区域DA。突出构件DAM可以包括设置为基本上与显示区域DA相邻的第一突出构件DAM1和设置在第一突出构件DAM1外部的第二突出构件DAM2。第二突出构件DAM2可以在第三方向DR3上具有比第一突出构件DAM1的厚度大的厚度。例如,第一突出构件DAM1防止通过涂覆有机薄膜OL1至OLn-1(图7A)形成的有机单体流到外部。
突出构件DAM可以由多个层形成。例如,两个层可以层叠在第一突出构件DAM1中,三个层可以层叠在第二突出构件DAM2中。图9示出了围绕整个显示区域DA的突出构件DAM,但是发明构思的示例性实施例不限于此。例如,突出构件DAM可以设置在显示区域DA的至少一侧处。
尽管图9中未示出,但是示例性实施例的显示装置DD还可以包括设置在基体基底SUB的非显示区域NDA中的侧表面突出构件(未示出)。侧表面突出构件(未示出)可以设置在第二突出构件DAM2外部。例如,侧表面突出构件(未示出)可以设置为在第一方向DR1上从第二突出构件DAM2的边缘延伸。侧表面突出构件(未示出)可以提供在施加外部刺激时通过吸收冲击来防止冲击朝向显示区域DA传递的防裂功能。
另外,示例性实施例的显示装置还可以包括设置在第二突出构件DAM2外部以与触摸焊盘TS-PD相邻的堤部BK。另外,堤部BK可以是设置在第二突出构件DAM2外部以在第二方向DR2上延伸的第三突出构件。堤部BK可以提供隔离件功能,使得有机发光显示面板DP和触摸感测单元TS的制造工艺中使用的掩模不直接与有机发光显示面板DP或触摸感测单元TS的构造接触。堤部BK的厚度可以大于第一突出构件DAM1或第二突出构件DAM2的厚度。
在示例性实施例中,不需要提供堤部BK。另外,在示例性实施例中,不需要提供侧表面突出构件(未示出)和堤部中的任何一个。
触摸感测单元TS可以设置在包封层TFE上。触摸感测单元TS可以包括触摸电极TE和布线部TW。触摸电极TE可以设置在显示区域DA的包封层TFE上,布线部TW可以连接到触摸电极TE,并设置在突出构件DAM上。布线部TW可以沿突出构件DAM的台阶设置在突出构件DAM上。布线部TW可以从触摸电极TE延伸,以连接到触摸焊盘TS-PD。
在图9的平面图中,触摸感测单元TS可以包括第一触摸电极TE1-1至TE1-4、连接到第一触摸电极TE1-1至TE1-4的第一触摸信号线SL1-1至SL1-4、第二触摸电极TE2-1至TE2-5、连接到第二触摸电极TE2-1至TE2-5的第二触摸信号线SL2-1至SL2-5。另外,连接电极TSD可以设置在第一触摸电极TE1-1至TE1-4与第一触摸信号线SL1-1至SL1-4之间以及第二触摸电极TE2-1至TE2-5与第二触摸信号线SL2-1至SL2-5之间。连接电极TSD可以连接到第一触摸电极TE1-1至TE1-4和第二触摸电极TE2-1至TE2-5中的每个的端部,并可以由此传输信号。在发明构思的另一示例性实施例中,不需要设置连接电极TSD。
在图9中,第一触摸信号线SL1-1至SL1-4和第二触摸信号线SL2-1至SL2-5连接触摸电极TE和触摸焊盘TS-PD,并与发明构思的布线部TW对应。图11中示出的布线部TW可以代表第一触摸信号线SL1-1至SL1-4和第二触摸信号线SL2-1至SL2-5中的任何一个。另外,图11中示出的触摸电极TE可以是第一触摸电极TE1-1至TE1-4或第二触摸电极TE2-1至TE2-5中的任何一个。
在图9中,示例性地示出了包括四个第一触摸电极TE1-1至TE1-4和五个第二触摸电极TE2-1至TE2-5的触摸感测单元TS,但是发明构思的示例性实施例不限于此。
第一触摸电极TE1-1至TE1-4中的每个可以具有限定多个触摸开口的网格形状。第一触摸电极TE1-1至TE1-4中的每个可以包括多个第一触摸传感器部SP1和多个第一连接部CP1。第一触摸传感器部SP1在第一方向DR1上布置。第一连接部CP1中的每个将第一触摸传感器部SP1之中彼此相邻的第一触摸传感器部SP1连接。尽管未具体示出,但是第一触摸信号线SL1-1至SL1-4也可以具有网格形状。
第二触摸电极TE2-1至TE2-5以绝缘方式与第一触摸电极TE1-1至TE1-4交叉。第二触摸电极TE2-1至TE2-5中的每个可以具有限定多个触摸开口的网格形状。第二触摸电极TE2-1至TE2-5中的每个可以包括多个第二触摸传感器部SP2和多个第二连接部CP2。第二触摸传感器部SP2在第二方向DR2上布置。第二连接部CP2中的每个将第二触摸传感器部SP2之中彼此相邻的第二触摸传感器部SP2连接。第二触摸信号线SL2-1至SL2-5也可以具有网格形状。
第一触摸电极TE1-1至TE1-4和第二触摸电极TE2-1至TE2-5被静电结合。由于触摸感测信号被施加到第一触摸电极TE1-1至TE1-4,因此电容器形成在第一触摸传感器部SP1与第二触摸传感器部SP2之间。
可以通过使图8中示出的第一导电层TS-CL1图案化来形成多个第一触摸传感器部SP1、多个第一连接部CP1、多个第一触摸信号线SL1-1至SL1-4、多个第二触摸传感器部SP2、多个第二连接部CP2和多个第二触摸信号线SL2-1至SL2-5中的一些部分,可以通过使图8中示出的第二导电层TS-CL2图案化来形成其它部分。
为了电连接设置在不同层上的导电图案,可以形成穿过图8中示出的第一绝缘层TS-IL1的接触孔。在下文中,参照图10A至图10C,将描述根据示例性实施例的触摸感测单元TS。在图10A至图10C中,第一突出构件DAM1、第二突出构件DAM2和第三突出构件BK可以设置在非显示区域NDA中。
如图10A中所示,第一导电图案设置在包封层TFE上。第一导电图案可以包括桥图案CP2。桥图案CP2直接设置在包封层TFE上。桥图案CP2与图9中示出的第二连接部CP2对应。
如图10B中所示,覆盖桥图案CP2的第一绝缘层TS-IL1设置在包封层TFE上。部分暴露桥图案CP2的接触孔CH限定在第一绝缘层TS-IL1中。可以通过光刻工艺来形成接触孔CH。
如图10C中所示,第二导电图案可以设置在第一绝缘层TS-IL1上。第二导电图案可以包括多个第一触摸传感器部SP1、多个第一连接部CP1、第一触摸信号线SL1-1至SL1-4、多个第二触摸传感器部SP2和第二触摸信号线SL2-1至SL2-5。尽管未单独示出,但是覆盖第二导电图案的第二触摸绝缘层TS-IL2设置在第一触摸绝缘层TS-IL1上。
在发明构思的另一示例性实施例中,第一导电图案可以包括第一触摸电极TE1-1至TE1-4和第一触摸信号线SL1-1至SL1-4。第二导电图案可以包括第二触摸电极TE2-1至TE2-5和第二触摸信号线SL2-1至SL2-5。这里,接触孔CH不限定在第一触摸绝缘层TS-IL1中。
另外,在发明构思的示例性实施例中,第一导电图案和第二导电图案可以彼此互换。即,第二导电图案可以包括桥图案CP2。
图10D是图10C的区域BB的放大视图。如图10D中所示,第一触摸传感器部SP1与非发光区域NPXA叠置。第一触摸传感器部SP1包括在与第一方向DR1和第二方向DR2交叉的第五方向DR5上延伸的多个第一延伸部SP1-A以及在与第五方向DR5交叉的第六方向DR6上延伸的多个第二延伸部SP1-B。多个第一延伸部SP1-A和多个第二延伸部SP1-B可以被限定为网格线。网格线的宽度可以是几微米。
多个第一延伸部SP1-A和多个第二延伸部SP1-B可以彼此连接以形成多个触摸开口TS-OP。换言之,第一触摸传感器部SP1具有设置有多个触摸开口TS-OP的网格形状。触摸开口TS-OP被示出为与发光区域PXA一一对应,但是发明构思的示例性实施例不限于此。一个触摸开口TS-OP可以与两个或更多个发光区域PXA对应。
发光区域PXA的尺寸可以是不同的。例如,提供蓝光的发光区域PXA和提供红光的发光区域PXA的尺寸可以不同。因此,触摸开口TS-OP的尺寸也可以是不同的。在图10D中,发光区域PXA的尺寸被示出为是不同的,但是发明构思的示例性实施例不限于此。发光区域PXA的尺寸可以彼此相同,触摸开口TS-OP的尺寸可以彼此相同。
在图9和图10C中示出的示例性实施例中,突出构件DAM设置在非显示区域NDA中,第一突出构件DAM1和第二突出构件DAM2可以被设置为围绕设置在显示区域DA中的触摸电极TE1-1至TE1-4和触摸电极TE2-1至TE2-5。另外,布线部TW被示出为仅穿过与触摸焊盘TS-PD相邻的突出构件DAM,但是发明构思的示例性实施例不限于此。布线部TW可以被设置为不仅穿过突出构件DAM的与触摸焊盘TS-PD相邻的部分,而且穿过突出构件DAM的其它部分。例如,作为布线部TW的第二触摸信号线SL2-1至SL2-5可以被设置为穿过在第一方向DR1上延伸的第一突出构件DAM1和第二突出构件DAM2中的至少一个。另外,堤部BK可以设置在第二突出构件DAM2外部的一侧上作为第三突出构件,布线部TW可以穿过堤部BK,以连接到触摸焊盘TS-PD。
图12是示出图9的区域AA的放大平面图。图12是示出将触摸电极和触摸焊盘TS-PD(图9)连接的布线部TW的放大平面图。触摸电极可以是第一触摸电极TE1-1至TE1-4和第二触摸电极TE2-1至TE2-5中的任意一个。布线部TW可以代表第一触摸信号线SL1-1至SL1-4(图9)和第二触摸信号线SL2-1至SL2-5(图9)中的任意一个。
图13A是示出与图12的线II-II'对应的部分的剖视图,图13B是示出图12的区域“CC”的放大平面图。图13A和图13B示出穿过图12的平面图中的第一突出构件DAM1的布线部TW的示例性实施例。
另外,图12示出穿过第一突出构件DAM1并与第一突出构件DAM1叠置的部分的布线部TW的形状以及穿过第二突出构件DAM2并与第二突出构件DAM2叠置的部分的布线部TW的形状是相同的,但是发明构思的示例性实施例不限于此。与第一突出构件DAM1叠置的第二布线部TW2的形状以及与第二突出构件DAM2叠置的第二布线部TW2的形状彼此不同。
图12示出穿过第一突出构件DAM1和第二突出构件DAM2的布线部TW,布线部TW穿过第一突出构件DAM1并朝向第二突出构件DAM2延伸。布线部TW可以在第一方向DR1上延伸。
参照图12、图13A和图13B,布线部TW可以包括不与突出构件DAM叠置的第一布线部TW1、与突出构件DAM叠置的第二布线部TW2和设置在第一布线部TW1与第二布线部TW2之间的连接布线部TWC。另外,设置在第一突出构件DAM1与第二突出构件DAM2之间的布线部TW与不与突出构件DAM叠置的第一布线部TW1对应。
图13A和图13B是示出第一突出构件DAM1和穿过第一突出构件DAM1的布线部TW的视图。第一布线部TW1可以具有第一布线宽度W1,第二布线部TW2可以具有第二布线宽度W2,连接布线部TWC可以具有比第一布线宽度W1和第二布线宽度W2小的第三布线宽度W3。例如,第一布线宽度W1和第二布线宽度W2可以相同。然而,发明构思的示例性实施例不限于此,第一布线宽度W1和第二布线宽度W2可以彼此不同。
在发明构思的描述中,第一布线部TW1的布线宽度W1、第二布线部TW2的布线宽度W2和连接布线部TWC的布线宽度W3代表在与布线部TW的延伸方向垂直的方向上的宽度。在下文中,在发明构思的描述中,当在平面图中观看时,布线部的宽度将被描述为代表在与布线部的延伸方向垂直的方向上的宽度。参照图12,布线宽度W1、W2和W3可以代表在与布线部TW延伸的第一方向DR1垂直的第二方向DR2上的宽度。
在示例性实施例中,第一布线部TW1可以是布线宽度维持为第一布线宽度W1的部分,第二布线部TW2可以是布线宽度维持为第二布线宽度W2的部分。然而,发明构思的示例性实施例不限于此。第一布线部TW1可以具有部分不同的布线宽度。另外,第二布线部TW2可以具有部分不同的布线宽度。
连接布线部TWC可以是具有比第一布线部TW1和第二布线部TW2的宽度小的宽度的部分。第三布线宽度W3可以代表连接布线部TWC中的最小布线宽度。连接布线部TWC可以被设置为与突出构件DAM的边缘DM-E叠置。例如,具有连接布线部TWC中的最小布线宽度的第三布线宽度W3的部分可以被设置为与突出构件的边缘DM-E叠置。
再次参照图13B,第一布线部TW1的第一布线宽度W1与连接布线部TWC的第三布线宽度W3的比可以大于或等于大约1:0.3且小于大约1:1。例如,第一布线宽度W1可以为大约8μm至大约15μm且包括8μm和15μm,第三布线宽度W3可以为大约4μm至大约10μm且包括4μm和10μm。第一布线宽度W1可以为大约10μm至大约12μm且包括10μm和12μm,第三布线宽度W3可以为大约6μm至大约8μm且包括6μm和8μm。当布线宽度W3小于大约4μm时,布线部会断开,当布线宽度W3大于大约10μm时,因为相邻的连接布线部之间的间隙减小,所以可能会导致短路缺陷。
连接布线部TWC的在布线部TW的延伸方向上的长度L可以为大约5μm至大约50μm且包括5μm和50μm。即,在第一方向DR1上延伸的第一布线部TW1与第二布线部TW2之间的间隙可以为大约5μm至大约50μm且包括5μm和50μm。另外,连接布线部TWC的中心部分可以与突出构件的边缘DM-E叠置。例如,连接布线部TWC中的与突出构件DAM1叠置的部分和不与突出构件DAM1叠置的部分的长度可以是相同的。
例如,当连接布线部TWC的在第一方向DR1上的长度L为大约50μm时,当从与突出构件的边缘DM-E叠置的部分到第一布线部TW1的距离为L1时,当从与突出构件的边缘DM-E叠置的部分到第二布线部TW2的距离为L2时,L1和L2都可以为大约25μm。然而,发明构思的示例性实施例不限于此,L1和L2可以彼此不同。这里,L1可以是连接布线部TWC中的不与突出构件DAM1叠置的部分的长度,L2可以是连接布线部TWC中的与突出构件DAM2叠置的部分的长度。
在布线部TW中,连接布线部TWC可以是具有凹形(notch shape)的部分。参照图13B,连接布线部TWC可以包括具有比第一布线宽度W1小的布线宽度的第一子连接部TWC-1、设置在第一布线部TW1与第一子连接部TWC-1之间的第二子连接部TWC-2和设置在第二布线部TW2与第一子连接部TWC-1之间的第三子连接部TWC-3。第一子连接部TWC-1可以是具有作为连接布线部TWC中的最小宽度的第三布线宽度W3的部分。参照图13B,连接布线部TWC中的第一子连接部TWC-1可以被设置为与突出构件的边缘DM-E叠置。
第二子连接部TWC-2的布线宽度可以在从第一子连接部TWC-1朝向第一布线部TW1的方向上增大。另外,第三子连接部TWC-3的布线宽度可以在从第一子连接部TWC-1朝向第二布线部TW2的方向上增大。例如,第二子连接部TWC-2和第三子连接部TWC-3的边缘可以具有弯曲的形状。另外,尽管附图中未示出,但是第二子连接部TWC-2或第三子连接部TWC-3的边缘可以具有直线形状。
参照图13A,第一突出构件DAM1可以包括底表面BS、面对底表面BS的上表面US以及将底表面BS和上表面US连接的侧表面SS。侧表面SS可以相对于底表面BS具有倾斜度。例如,第一突出构件DAM1可以在与基体基底SUB垂直的剖面中具有梯形形状。即,当在由第一方向DR1和第三方向DR3限定的平面中观看时,第一突出构件DAM1可以具有突起的宽度在从底表面BS朝向上表面US的方向上逐渐减小的形状。突出构件DAM的底表面BS的面积可以不小于上表面US的面积。另外,尽管附图中未单独示出,但是多个层可以层叠在突出构件中。
在图13A中,尽管仅示出了穿过第一突出构件DAM1和第二突出构件DAM2的布线部TW,但是图12的第二突出构件DAM2也可以具有与第一突出构件DAM1的形状相同的形状。然而,发明构思的示例性实施例不限于此,第一突出构件DAM1和第二突出构件DAM2可以具有彼此不同的形状。例如,第一突出构件DAM1和第二突出构件DAM2可以具有彼此不同的高度。第二突出构件DAM2的高度可以高于第一突出构件DAM1的高度。
图14A和图14B是示出突出构件DAM形成在图9中示出的示例性实施例的显示装置中的多个层中时的示例的视图。图14A和图14B示例性地示出了第一突出构件DAM1以两层层叠的情况。
图14A是示出与图12的线II-II'对应的部分的剖视图,图14B是示出图12的区域“CC”的放大平面图。图14A和图14B示出穿过图12的平面图中的第一突出构件DAM1的布线部TW的视图。图14C是示出图14A的第一突出构件DAM1的剖视图。
当在与基体基底SUB垂直的剖面中观看时,第一突出构件DAM1可以包括具有第一宽度D1并设置在基体基底SUB上的下突出部DAM1-B以及设置在下突出部DAM1-B上并具有第二宽度D2的上突出部DAM1-T。
下突出部DAM1-B和上突出部DAM1-T可以分别包括底表面BS1和BS2、上表面US1和US2以及侧表面SS1和SS2。底表面BS1和BS2以及上表面US1和US2可以彼此面对,侧表面SS1和SS2可以设置在底表面BS1和BS2与上表面US1和US2之间,以将底表面BS1和BS2与上表面US1和US2连接。例如,侧表面SS1和SS2可以是分别相对于底表面BS1和BS2具有倾斜度的倾斜表面。另外,上突出部DAM1-T的底表面BS2可以是下突出部DAM1-B的上表面US1的一部分。
在图14A和图14C中示出的剖面中,下突出部DAM1-B和上突出部DAM1-T中的每个可以具有梯形形状。即,上突出部DAM1-T和下突出部DAM1-B中的每个可以具有突出的高度在从底表面BS1和BS2朝向上表面US1和US2的方向上逐渐减小的梯形形状。
下突出部DAM1-B和上突出部DAM1-T的宽度可以彼此不同。下突出部DAM1-B的底表面BS1的第一宽度D1和上突出部DAM1-T的底表面BS2的第二宽度D2可以彼此不同。下突出部DAM1-B的第一宽度D1可以大于上突出部DAM1-T的第二宽度D2。下突出部DAM1-B的第一宽度D1与上突出部DAM1-T的第二宽度D2的比可以为大于或等于大约1:0.3且小于大约1:1。上突出部DAM1-T可以设置在下突出部DAM1-B上,使得下突出部DAM1-B的上表面US1的一部分被暴露。即,下突出部DAM1-B可以包括与上突出部DAM1-T叠置的部分以及不与上突出部DAM1-T叠置并被暴露的部分。例如,第一突出构件DAM1可以通过层叠具有彼此不同的宽度的下突出部DAM1-B和上突出部DAM1-T而具有台阶形状。
另外,图14A至图14C示出了第一突出构件DAM1和穿过第一突出构件DAM1的布线部TW,但是发明构思的示例性实施例不限于此。在图12中示出的第二突出构件DAM2中,也可以应用图14A至图14C中示出的突出构件的形状。
在包括被层叠为台阶的下突出部DAM1-B和上突出部DAM1-T的第一突出部DAM1中,下突出部DAM1-B中的被暴露且不与上突出部DAM1-T叠置的部分的暴露宽度D3可以为大约5μm至大约30μm且包括5μm和30μm。例如,暴露宽度D3可以为大约10μm至大约25μm且包括10μm和25μm,具体地,暴露宽度D3可以为大约15μm至大约20μm且包括15μm和20μm。
下突出部DAM1-B的底表面BS1的第一宽度D1可以为大约60μm至大约80μm且包括60μm和80μm。具体地,第一宽度D1可以为大约65μm至大约75μm且包括65μm和75μm。上突出部DAM1-T的底表面BS2的宽度(即,第二宽度D2)可以为大约10μm至大约60μm且包括10μm和60μm。具体地,第二宽度D2可以为大约30μm至大约50μm且包括30μm和50μm。
下突出部DAM1-B的第一宽度D1与下突出部DAM1-B的暴露宽度D3的比可以为大约1:0.01至大约1:0.4且包括1:0.01和1:0.4。随着暴露宽度D3增大,可以降低相邻的布线部TW中的连接布线部TWC之间的短路的可能性。然而,当D1与D3的比大于大约1:0.4时,上突出部DAM1-T的面积减小,因此,可以稳定地设置穿过上突出部DAM1-T的布线部TW。
下突出部DAM1-B的高度H1可以为大约2μm至大约5μm且包括2μm和5μm。具体地,下突出部DAM1-B的高度H1可以为大约2μm至大约3μm且包括2μm和3μm。随着下突出部DAM1-B的高度H1与下突出部DAM1-B的暴露宽度D3的比增大,布线部可以稳定地设置在突出构件上。下突出部DAM1-B的高度H1与下突出部DAM1-B的暴露宽度D3的比可以大于大约1:1且小于或等于大约1:15。当下突出部DAM1-B的高度H1与下突出部DAM1-B的暴露宽度D3的比小于大约1:1或大于大约1:15时,会不稳定地形成连接布线部。具体地,下突出部DAM1-B的高度H1与下突出部DAM1-B的暴露宽度D3的比可以大于大约1:1且小于或等于大约1:5。
另外,上突出部DAM1-T的高度H2可以为大约2μm至大约5μm且包括2μm和5μm。具体地,上突出部DAM1-T的高度H2可以为大约2μm至大约3μm且包括2μm和3μm。例如,上突出部DAM1-T的高度H2可以小于下突出部DAM1-B的高度H1。然而,发明构思的示例性实施例不限于此,上突出部DAM1-T的高度H2可以与下突出部DAM1-B的高度H1相同。
另外,可以通过用于制造有机发光显示面板的工艺来形成图14A中示出的第一突出构件DAM1。可以通过用于形成发光元件层DP-OLED的工艺一起形成第一突出构件DAM1。例如,下突出部DAM1-B和上突出部DAM1-T可以与像素限定层PDL(图6B)一起形成,但是发明构思的示例性实施例不限于此。
在图14A和图14B中示出的示例性实施例中,与第一突出构件DAM1叠置的第二布线部TW2可以与上突出部DAM1-T叠置。连接布线部TWC可以与第一突出构件DAM1的下突出部DAM1-B的边缘叠置。连接布线部TWC中的具有第三宽度W3的第一子连接部TWC-1可以与下突出部DAM1-B的边缘叠置,用于将第二布线部TW2和第一子连接部TWC-1连接的第三连接部TWC-3可以与上突出部DAM1-T的边缘叠置。
图15A和图15B是示出包括连接布线部TWC的布线部TW的示例性实施例的视图。与图13B和图14B中示出的布线部TW相比,图15A和图15B中示出的示例性实施例的布线部的连接布线部TWC的形状不同。
另外,图13B和14B中示出的布线部TW的形状和图15A和图15B中示出的布线部TW的形状示出了示例性实施例,布线部TW的连接布线部TWC的形状不限于此。
参照图15A,连接布线部TWC可以是布线宽度维持为第三布线宽度W3的部分。第一布线部TW1、连接布线部TWC和第二布线部TW2可以通过布线宽度的不同进行区分。例如,与图13B中示出的示例性实施例中的连接布线部TWC相比,在图15A的示例性实施例中,以弯曲表面形成的子连接布线部可以不设置在维持第一布线宽度W1的第一布线部TW1与具有比第一布线宽度W1小的第三布线宽度W3的连接布线部TWC之间。另外,以弯曲表面形成的子连接布线部可以不设置在连接布线部TWC与布线宽度维持为第二布线宽度W2的第二布线部TW2之间。即,边缘具有曲线的形状的子连接布线部可以不设置在图15A的示例性实施例中的布线部TW中的第一布线部TW1与连接布线部TWC之间。例如,与图13B中示出的示例性实施例中的布线部TW相比,可以不设置第二子连接部TWC-2和第三子连接部TWC-3中的至少一个。
参照图15B,连接布线部TWC可以是在第一布线部TW1与第二布线部TW2之间凹陷的部分。例如,连接布线部TWC可以是相对于连接第一布线部TW1和第二布线部TW2的边缘部分的假想线IML向内凹陷的部分。
另外,尽管图15A和图15B中未示出,但是连接布线部TWC设置在第一布线部TW1与第二布线部TW2之间,只要连接布线部TWC具有以下形状,则可以使用连接布线部TWC而没有限制:连接布线部TWC的边缘设置在连接第一布线部TW1和第二布线部TW2的边缘部分的假想线内部。
图16可以是示出与图9的区域“AA”对应的部分的放大平面图。在图16中,与图12的示例性实施例相比,与突出构件叠置的第二布线部TW2的形状可以不同。另外,如图16中所示,穿过第一突出构件DAM1和第二突出构件DAM2的布线部TW的形状可以相同,但是发明构思的示例性实施例不限于此。例如,当在平面图中观看时,穿过第一突出构件DAM1的布线部TW可以具有图14B中示出的形状。
图17A和图17B是示出第二突出构件DAM2和穿过第二突出构件DAM2的布线部TW的示例性实施例的视图。图17A可以示出与图16的线III-III'对应的表面的剖面。图17B可以是示出图16的区域EE的放大平面图。在图17A的示例性实施例中,示例性地示出了第二突出构件DAM2,图17A的示例性实施例中的第二突出构件DAM2可以具有与图13A和图14A中示出的示例性实施例中的突出构件的形状不同的形状。
参照图17A的图示,第二突出构件DAM2可以包括在厚度方向上顺序地层叠的基体突出部DAM2-U、第二下突出部DAM2-B和第二上突出部DAM2-T。可以在用于制造有机发光显示面板的工艺中一起形成第二突出构件DAM2。例如,当形成发光元件层DP-OLED的像素限定层PDL(图6B)时,可以在用于制造电路层DP-CL的工艺中一起形成第二突出部DAM2的基体突出部DAM2-U,并可以一起形成第二下突出部DAM2-B和第二上突出部DAM2-T。然而,发明构思的示例性实施例不限于此,可以通过与提出的工艺不同的工艺来形成第二突出部DAM2。
在第二突出构件DAM2中,可以以台阶形状层叠基体突出部DAM2-U、第二下突出部DAM2-B和第二上突出部DAM2-T。基体突出部DAM2-U可以具有第一宽度D1,第二下突出部DAM2-B可以具有第二宽度D2,第二上突出部DAM2-T可以具有第四宽度D4。另外,当第二下突出部DAM2-B设置在基体突出部DAM2-U上时,可以暴露基体突出部DAM2-U的上表面。当基体突出部DAM2-U的暴露宽度为第三宽度D3时,基体突出部DAM2-U中的第一宽度D1与暴露宽度D3的比可以为大约1:0.1至大约1:0.4且包括1:0.1和1:0.4。另外,当第二上突出部DAM2-T设置在第二下突出部DAM2-B上时,可以暴露第二下突出部DAM2-B的上表面。当第二下突出部DAM2-B的暴露宽度为第五宽度D5时,第二下突出部DAM2-B的第二宽度D2与暴露宽度D5的比可以为大约1:0.1至大约1:0.4且包括1:0.1和1:0.4。
参照图17A和图17B,穿过第二突出构件DAM2的布线部TW可以包括不与第二突出构件DAM2叠置的第一布线部TW1、与第二突出构件DAM2叠置的第二布线部TW2和设置在第一布线部TW1与第二布线部TW2之间的连接布线部TWC。连接布线部TWC可以连接第一布线部TW1和第二布线部TW2,并与第二突出构件DAM2的边缘DM-E叠置。
另外,与第二突出构件DAM2叠置的第二布线部TW2可以包括具有比第一布线宽度W1大的第一子布线宽度W4的第一子布线部TW2-1、从连接布线部TWC延伸并具有比第一子布线宽度W4小的第二子布线宽度W5的第二子布线部TW2-2以及设置在第一子布线部TW2-1与第二子布线部TW2-2之间的第三子布线部TW2-3。这里,第二子布线部TW2-2的第二子布线宽度W5可以与作为第一布线部TW1的布线宽度的第一布线宽度W1相同。第二子布线部TW2-2的第二子布线宽度W5与第一子布线部TW2-1的第一子布线宽度W4的比可以为大于大约1:1且小于或等于大约1:2。第三子布线部TW2-3的布线宽度可以在从第一子布线部TW2-1朝向第二子布线部TW2-2的方向上逐渐减小。第三子布线部TW2-3可以被设置为与第二突出构件DAM2的第二上突出部DAM2-T的边缘叠置。
即,图17A和图17B中示出的示例性实施例中的布线部TW可以具有以下的凹形形状:与基体突出部DAM2-U的边缘叠置的连接布线部TWC朝向布线部的内部凹入地形成。另外,在作为第二突出构件DAM2的最顶端表面的第二上突出部DAM2-T的上表面中,第二布线部TW2可以包括第一子布线部TW2-1,第一子布线部TW2-1形成为相对于不与第二突出构件DAM2叠置的第一布线部TW1突出。第一子布线部TW2-1可以具有比第一布线部TW1的宽度大的布线宽度。即,第二布线部TW2可以包括相对于第一布线部TW1以凸出的方式突出的第一子布线部TW2-1。例如,在第二布线部TW2中,第一子布线部TW2-1具有具备突出形状的第一子布线部TW2-1,使得与突出构件的具有相对小的平坦表面的最上端表面叠置的布线部具有足够的布线宽度,因此可以防止布线部的断开。
图18A是示出突出构件和设置为穿过突出构件的布线部的平面图。图18A可以是与图9的区域“AA”对应的部分的放大平面图。与图12和图16的示例性实施例相比,图18A示出了与第一突出构件DAM1叠置的第二布线部TW2a和与第二突出构件DAM2叠置的第二布线部TW2b的形状彼此不同的情况。图18B是示出与图18A的线IV-IV'对应的表面的剖面的视图。
在图18A和图18B的描述中,将不再描述与关于以上提及的图12和图16的示例性实施例的以上提及的描述重复的描述,并将主要描述不同之处。
参照图18A和图18B,第一突出构件DAM1可以是层叠两个层的突出构件,第二突出构件DAM2可以是层叠三个层的突出构件。第一突出构件DAM1可以包括第一下突出构件DAM1-B和第一上突出构件DAM1-T,第二突出构件DAM2可以包括基体突出部DAM2-U、第二下突出部DAM2-B和第二上突出部DAM2-T。
在示例性实施例中,可以通过同一工艺来制造第一下突出部DAM1-B和第二下突出部DAM2-B。另外,可以通过同一工艺来制造第一上突出部DAM1-T和第二上突出部DAM2-T。例如,可以通过与形成有机发光显示面板DP的像素限定层PDL(图6C)的工艺相同的工艺来制造第一下突出部DAM1-B、第二下突出部DAM2-B、第一上突出部DAM1-T和第二上突出部DAM2-T。另外,可以通过与形成电路层DP-CL的工艺相同的工艺来制造第二突出构件DAM2的基体突出部DAM2-U。
在图18A和图18B的示例性实施例中,设置在第二突出构件DAM2上的第二布线部TW2b可以包括与第二上突出部DAM2-T叠置的第一子布线部TW2-1、与第二下突出部DAM2-B的暴露部分叠置的第二子布线部TW2-2以及设置在第二下突出部DAM2-B与第二上突出部DAM2-T之间的台阶部分处的第三子布线部TW2-3。
当在平面图中观看时,布线部TW可以具有在与第一突出构件DAM1和第二突出构件DAM2的边缘叠置的部分中凹陷的凹形形状。另外,突出的高度大于第一突出构件DAM1的高度的第二突出构件DAM2可以包括以凸出的方式从第二布线部TW2b突出的突出部分。
布线部被构造为在具有通过层叠多个层形成的突出构件中的台阶的部分处具有凹形形状,布线部被构造为具有相对于突出构件的具有相对小的平坦表面的最顶端表面上的其它部分凸出地突起的形状,因此,可以降低或消除布线部的短路缺陷或断开缺陷的可能性。
图19A和图19B示出连接部TW的构造与以上提及的图14A和图14B的示例性实施例相比时的剖视图和平面图。参照图19A和图19B,连接部TW可以具有双层布线结构。
在示例性实施例中,布线部TW可以包括第一金属层MTL1、绝缘层ISL、第二金属层MTL2和接触孔CL。第一金属层MTL1可以设置在包封层TFE上,绝缘层ISL可以设置在第一金属层MTL1与第二金属层MTL2之间。另外,多个接触孔CL可以设置在第一金属层MTL1与第二金属层MTL2之间。接触孔CL可以电连接第一金属层MTL1和第二金属层MTL2。接触孔CL可以形成为穿过绝缘层ISL。可以通过将布线部构造为第一金属层MTL1和第二金属层MTL2层叠的双层布线结构来减小布线部的电阻。
另外,在示例性实施例中,接触孔CL可以被设置为不与连接布线部TWC叠置。接触孔可以设置为不与突出构件中的具有台阶的部分叠置。接触孔CL被构造为设置在包封层TFE的平坦表面和上突出部DAM1-T的平坦表面上,以改善第一金属层MTL1与第二金属层MTL2之间的电连接,因此,可以减小布线部TW的电阻。
在图9至图19B中目前描述的示例性实施例中,示例性地示出了穿过位于与触摸感测单元的触摸焊盘相邻的部分处的突出构件的布线部的形状,但是发明构思的示例性实施例不限于此,例如,当连接到图9中示出的第二触摸电极TE2-1至TE2-5并在第二方向DR2上延伸的布线部TW被设置为穿过在第一方向DR1上延伸的突出构件DAM时,也可以应用以上提及的示例性实施例中描述的布线部的形状。另外,不仅穿过突出构件DAM而且穿过具有台阶的结构的布线部可以具有在该结构的台阶部分处凹陷的凹形形状。
具有以上提及的布线部的结构的示例性实施例的显示装置可以降低布线部之间的短路缺陷的可能性和布线部的断开缺陷的可能性。
图20示出了示出来自用于形成示例性实施例的显示装置中的触摸感测单元的布线部的工艺之中的光刻工艺的一部分的剖视图。在图20的工艺中,可以以通过使沉积在有机发光显示面板DP的包封层TFE上的金属层TW-M图案化的示例性实施例形成布线部。可以在包封层TFE上沉积金属层TW-M,可以在金属层TW-M上设置用于使布线部图案化的有机层OM。有机层OM可以是光致抗蚀剂材料,例如,负型光致抗蚀剂可以用作有机层OM。在涂覆有有机层OM的有机发光显示面板DP上设置掩模MSK,然后通过提供紫外光使有机层OM固化,然后通过去除未固化的有机层OM根据掩模的形状使有机层OM图案化。然后,执行蚀刻工艺以沿图案化的有机层OM对金属层TW-M进行图案化。在使金属层TW-M图案化之后,执行剥离工艺以去除剩余的有机层OM,从而形成布线部。
图21A示出了用来形成布线部的根据现有技术的掩模MSK'的形状。图21B是示出了通过使用图21A中示出的掩模MSK'形成的布线部TW'的视图。
在图21A中,掩模MSK'可以包括透光部OTA和遮光部OBA。在图21A中示出的掩模MSK'中,透光部OTA的边缘是直线形状。当通过使用具有图21A中示出的形状的掩模MSK'来形成穿过突出构件DAM'的布线部时,与图21B的区域“FF”一样,彼此相邻的布线部TW'在突出构件的边缘DM-E处彼此连接,因此,会导致布线部TW'的短路现象。这是因为当设置有机层OM以对布线部TW'进行图案化时,有机层OM的层叠高度在形成突出构件DAM'的台阶处的部分处增加,并由此导致问题,使得蚀刻金属层TW-M时使布线部TW'的边缘部分的图案化质量劣化。在厚形成的有机层OM的影响下,穿过突出构件DAM'的金属层不会被图案化为具有根据掩模图案而具有直线形状的边缘,从而使相邻的图案化的布线部TW'之间的距离减小,因此,在布线部处会部分地导致短路。
图22示出了用来形成布线部的示例性实施例的显示装置中使用的掩模MSK1的形状。掩模MSK1可以包括透光部OTA和遮光部OBA,透光部OTA的形状可以与形成在示例性实施例的显示装置中的突出构件DAM上的图12的布线部TW的形状对应。
图22示出了设置为在突出构件DAM上叠置的部分的掩模MSK1的形状。掩模MSK1的透光部OTA可以在不与突出构件DAM叠置的部分处具有第一宽度M1,可以在与突出构件DAM叠置的部分处具有第二宽度M2,并可以在与突出构件DAM的边缘DM-E叠置的连接部分处具有第三宽度M3。这里,第一宽度M1和第二宽度M2可以相同,第三宽度M3可以小于第一宽度M1和第二宽度M2。例如,在掩模MSK1中,第一宽度M1和第二宽度M2可以分别与第一布线宽度W1和第二布线宽度W2对应,第一布线宽度W1和第二布线宽度W2为图12中示出的示例性实施例的显示装置的布线部中的第一布线部TW1和第二布线部TW2的布线宽度。另外,透光部OTA的第三宽度M3可以与连接布线部TWC的第三布线宽度W3对应。
当通过使用图22中示出的掩模MSK1的形状来使布线部图案化时,掩模MSK1的透光部OTA被设计为在与突出构件的边缘DM-E叠置的部分处具有比第一宽度M1或第二宽度M2小的第三宽度M3,因此,可以防止布线部之间的短路现象。掩模MSK1的透光部OTA被构造为在与突出构件的边缘DM-E叠置的部分处具有比与突出构件DAM叠置的部分处的宽度小的第三宽度M3,因此,通过透过掩模的具有第三宽度M3的透光部OTA的光形成的有机层的厚度可以减小。因此,在随后通过蚀刻工艺形成的布线部中,在与突出构件的边缘DM-E叠置的部分处彼此相邻的布线部可以彼此充分地分隔开,因此,可以改善布线部之间的短路问题。
另外,当形成突出构件使得多个层层叠时,并且当突出构件的最顶端表面的面积小于下突出部的最顶端表面的面积时,可以通过使用图23中示出的掩模MSK2来使布线部图案化。
图23示出了用来形成布线部的示例性实施例的显示装置中使用的掩模MSK2的形状。掩模MSK2可以包括透光部OTA和遮光部OBA,透光部OTA的形状可以与形成在示例性实施例的显示装置中的突出构件DAM上的图16的布线部TW的形状对应。
图23示出了设置为与突出构件DAM叠置的部分的掩模MSK2的形状。掩模MSK2的透光部OTA可以在不与突出构件DAM叠置的部分处具有第一宽度M1,并可以包括在与突出构件DAM叠置的部分处具有第五宽度M5的部分以及具有比第五宽度M5大的第四宽度M4的部分。另外,掩模MSK2的透光部OTA可以在与突出构件DAM的边缘DM-E叠置的部分处具有第三宽度M3。这里,第一宽度M1和第五宽度M5可以相同,第三宽度M3可以小于第一宽度M1和第五宽度M5。例如,在掩模MSK2中,透光部OTA的第一宽度M1和第五宽度M5可以分别与第一布线宽度W1和第二子布线宽度W5对应,第一布线宽度W1和第二子布线宽度W5是图16中示出的示例性实施例的显示装置的布线部中的第一布线部TW1和第二子布线部TW2-2的布线宽度。另外,透光部OTA的第三宽度M3可以与连接布线部TWC的第三布线宽度W3对应。透光部OTA的第四宽度M4可以与第一子布线部TW2-1的第一子布线宽度W4对应。
当通过使用图23中示出的掩模MSK2的形状来使布线部图案化时,掩模MSK2的透光部OTA被设计为在与突出构件的边缘DM-E叠置的部分处具有比第一宽度M1或第五宽度M5小的第三宽度M3,因此,可以防止布线部之间的短路现象。
另外,当通过使用根据现有技术的掩模MSK'对连接部进行图案化时,在突出构件的最顶端表面的情况下,由于相对小的面积,位于突出构件的最顶端边缘部分处的金属层被过度蚀刻,因此,会导致连接部的短路问题。
与此相比,当通过使用具有图23中示出的形状的掩模MSK2来对连接部进行图案化时,掩模的透光部OTA的宽度可以在突出构件的最顶层处相对增大,使得布线部可以被图案化为具有足够的宽度,因此,可以改善布线部的断开问题。
因此,在示例性实施例的显示装置中,布线部通过在突出构件的台阶部分处形成凹形形状的凹口来降低相邻的布线部之间的短路问题的可能性,也可以通过在突出构件的最顶端表面处形成具有凸形形状的突出部来降低布线部的断开问题的可能性。
另外,在示例性实施例的显示装置中,设置突出构件使得下突出部和上突出部以台阶形状层叠,从而在突出构件上引进平坦表面,因此,可以降低相邻的布线部之间的短路问题的可能性。
当通过将与突出构件的边缘叠置的布线部的宽度减小至小于不与突出构件叠置的布线部的宽度来形成布线时,根据示例性实施例的显示装置可以减少或防止相邻的布线部之间的短路缺陷。
尽管在这里已经描述了特定示例性实施例和实施方式,但是其它示例性实施例和修改通过该描述将是明显的。因此,发明构思不限于这样的示例性实施例,而是给出的权利要求和各种明显的修改以及等同布置的更宽范围。
Claims (14)
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基体基底,包括显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域;
发光元件层,设置在所述显示区域中;
触摸感测单元,设置在所述发光元件层上,并包括触摸电极和连接到所述触摸电极的布线部;以及
突出构件,设置在所述非显示区域中,
其中:
当在平面图中观看时,所述布线部包括:第一布线部,不与所述突出构件叠置,并具有第一布线宽度;第二布线部,与所述突出构件叠置,并具有第二布线宽度;以及连接布线部,设置在所述第一布线部与所述第二布线部之间,并且所述连接布线部具有不同于所述第一布线宽度和所述第二布线宽度的第三布线宽度;
所述第一布线宽度至所述第三布线宽度是在与所述布线部的延伸方向垂直的方向上的宽度,
其中,所述布线部包括:第一金属层;第二金属层,设置在所述第一金属层上;以及绝缘层,设置在所述第一金属层与所述第二金属层之间,接触孔限定在所述绝缘层中;并且
其中,所述第一金属层和所述第二金属层通过所述接触孔电连接。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述布线部包括设置在所述第一金属层与所述第二金属层之间的绝缘层;并且
其中,所述接触孔形成为穿过所述绝缘层。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述接触孔设置在所述第一金属层与所述第二金属层之间。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述接触孔不与所述连接布线部叠置。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述连接布线部与所述突出构件的边缘和在所述边缘附近的区域叠置。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第三布线宽度小于所述第一布线宽度和所述第二布线宽度。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述连接布线部具有限定在所述连接布线部的至少一侧处的凹口。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述凹口向所述布线部的内部方向凹入地凹进。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述连接布线部包括:
第一子连接部,具有比所述第一布线宽度小的布线宽度;
第二子连接部,设置在所述第一布线部与所述第一子连接部之间;以及
第三子连接部,设置在所述第二布线部与所述第一子连接部之间;并且
所述第一子连接部与所述突出构件的边缘和在所述边缘附近的区域叠置。
10.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括覆盖所述发光元件层的包封层,并且
所述触摸感测单元设置在所述包封层上。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,在与所述基体基底垂直的剖面中,所述突出构件包括:
下突出部,具有第一宽度;以及
上突出部,设置在所述下突出部上并且具有等于或小于所述第一宽度的第二宽度;
所述第一宽度和所述第二宽度是在与所述布线部的所述延伸方向平行的方向上的宽度。
12.根据权利要求11所述的显示装置,所述显示装置还包括设置在所述基体基底上的电路层,其中,所述发光元件层包括位于所述电路层上的像素限定层和有机发光二极管。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述下突出部是在用于制造所述电路层的工艺中一起形成的。
14.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述上突出部和所述像素限定层位于同一层上。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911106824.6A CN110928446B (zh) | 2016-07-29 | 2017-07-26 | 显示装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160097471A KR101998831B1 (ko) | 2016-07-29 | 2016-07-29 | 표시 장치 |
KR10-2016-0097471 | 2016-07-29 | ||
CN201710618467.6A CN107665059B (zh) | 2016-07-29 | 2017-07-26 | 显示装置 |
CN201911106824.6A CN110928446B (zh) | 2016-07-29 | 2017-07-26 | 显示装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710618467.6A Division CN107665059B (zh) | 2016-07-29 | 2017-07-26 | 显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110928446A CN110928446A (zh) | 2020-03-27 |
CN110928446B true CN110928446B (zh) | 2023-09-22 |
Family
ID=59501167
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911106574.6A Active CN110854170B (zh) | 2016-07-29 | 2017-07-26 | 显示装置 |
CN201911107527.3A Active CN110928447B (zh) | 2016-07-29 | 2017-07-26 | 显示装置 |
CN201710618467.6A Active CN107665059B (zh) | 2016-07-29 | 2017-07-26 | 显示装置 |
CN201911106824.6A Active CN110928446B (zh) | 2016-07-29 | 2017-07-26 | 显示装置 |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911106574.6A Active CN110854170B (zh) | 2016-07-29 | 2017-07-26 | 显示装置 |
CN201911107527.3A Active CN110928447B (zh) | 2016-07-29 | 2017-07-26 | 显示装置 |
CN201710618467.6A Active CN107665059B (zh) | 2016-07-29 | 2017-07-26 | 显示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10748971B2 (zh) |
EP (2) | EP3276457B1 (zh) |
KR (1) | KR101998831B1 (zh) |
CN (4) | CN110854170B (zh) |
TW (2) | TWI810758B (zh) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10430000B2 (en) * | 2016-08-05 | 2019-10-01 | Innolux Corporation | Touch display device |
KR102578589B1 (ko) * | 2016-09-30 | 2023-09-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 |
KR101974086B1 (ko) * | 2016-09-30 | 2019-05-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시모듈 |
US10534399B2 (en) * | 2016-12-16 | 2020-01-14 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display device |
KR102341411B1 (ko) * | 2017-03-31 | 2021-12-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 센서, 그의 구동 방법 및 표시 장치 |
US20180323239A1 (en) * | 2017-05-03 | 2018-11-08 | Innolux Corporation | Display device |
KR102408164B1 (ko) * | 2017-10-31 | 2022-06-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그의 제조방법 |
KR102393796B1 (ko) * | 2018-02-12 | 2022-05-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 감지 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치 |
WO2020021654A1 (ja) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
KR102650309B1 (ko) * | 2018-09-19 | 2024-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 감지 유닛 및 이를 포함하는 표시장치 |
KR20200062445A (ko) | 2018-11-26 | 2020-06-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20200071190A (ko) * | 2018-12-10 | 2020-06-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
TWI691949B (zh) * | 2019-02-27 | 2020-04-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
CN111722743A (zh) * | 2019-03-22 | 2020-09-29 | 英属维尔京群岛商天材创新材料科技股份有限公司 | 触控面板及其制作方法 |
KR102441330B1 (ko) | 2019-03-27 | 2022-09-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치 |
KR20200118920A (ko) | 2019-04-08 | 2020-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 패널 및 이를 포함하는 전자 장치 |
KR20200120784A (ko) * | 2019-04-11 | 2020-10-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 표시장치 제조방법 |
KR20200145911A (ko) | 2019-06-20 | 2020-12-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 입력 감지 유닛 및 이를 포함하는 전자 장치 |
KR20210001676A (ko) * | 2019-06-28 | 2021-01-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 봉지 부재 상에 위치하는 터치 전극을 포함하는 디스플레이 장치 |
KR20210003355A (ko) | 2019-07-01 | 2021-01-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR20210004008A (ko) | 2019-07-02 | 2021-01-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR20210012216A (ko) * | 2019-07-24 | 2021-02-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 전극들을 포함하는 디스플레이 장치 |
KR20210056468A (ko) | 2019-11-08 | 2021-05-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 센싱 유닛과 그를 포함하는 표시 장치 |
CN113970984A (zh) * | 2019-11-15 | 2022-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触控基板及其制作方法、触控显示基板以及触控显示装置 |
KR20210059833A (ko) | 2019-11-15 | 2021-05-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210070457A (ko) * | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 입력 감지 유닛 및 이를 포함한 표시장치 |
KR20210072198A (ko) | 2019-12-06 | 2021-06-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210085388A (ko) * | 2019-12-30 | 2021-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 디스플레이 장치 |
WO2021168759A1 (zh) * | 2020-02-27 | 2021-09-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
KR20210113487A (ko) * | 2020-03-05 | 2021-09-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
EP4135041A4 (en) | 2020-04-09 | 2023-05-24 | BOE Technology Group Co., Ltd. | DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE |
CN111509012B (zh) * | 2020-04-27 | 2022-05-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 具有线宽变化的电极引线的显示面板 |
CN112259564A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-01-22 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN114822251B (zh) * | 2020-12-28 | 2023-06-02 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN114721534A (zh) * | 2021-01-04 | 2022-07-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
KR20220124308A (ko) * | 2021-03-02 | 2022-09-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN113241366B (zh) * | 2021-07-09 | 2021-11-23 | 北京京东方技术开发有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN116400538B (zh) * | 2023-03-14 | 2024-08-09 | 惠科股份有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101174380A (zh) * | 2006-11-03 | 2008-05-07 | 三星电子株式会社 | 显示装置及其制造方法 |
CN103140921A (zh) * | 2010-09-07 | 2013-06-05 | 韩国机械研究院 | 探卡及其制造方法 |
Family Cites Families (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100821068B1 (ko) * | 2006-05-16 | 2008-04-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
CN101144949B (zh) * | 2006-09-12 | 2010-12-29 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置及电子设备 |
US8330339B2 (en) * | 2007-06-28 | 2012-12-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Light emitting display and method of manufacturing the same |
US8258696B2 (en) * | 2007-06-28 | 2012-09-04 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Light emitting display and method of manufacturing the same |
KR101392741B1 (ko) * | 2007-10-29 | 2014-05-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 및 이를 포함하는 표시 패널 |
KR101591334B1 (ko) | 2009-11-03 | 2016-02-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치패널 타입 유기전계발광소자 |
KR101695739B1 (ko) | 2010-09-14 | 2017-01-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시 장치 및 그 제조방법 |
JP5581261B2 (ja) * | 2011-04-27 | 2014-08-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置、表示装置および電子機器 |
US9122116B2 (en) * | 2011-07-20 | 2015-09-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and display panel including the same |
CN102937842B (zh) | 2011-08-15 | 2016-04-06 | 群康科技(深圳)有限公司 | 面板以及其制造方法与应用其的电子装置 |
KR101493556B1 (ko) * | 2011-10-27 | 2015-02-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 센서 내장형 유기발광 다이오드 표시장치 |
WO2013132486A1 (en) * | 2012-03-06 | 2013-09-12 | N-Trig Ltd. | Digitizer system |
TWI460629B (zh) * | 2012-05-11 | 2014-11-11 | Au Optronics Corp | 觸控顯示面板及其製造方法 |
JP6135062B2 (ja) * | 2012-08-07 | 2017-05-31 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器 |
US9389737B2 (en) * | 2012-09-14 | 2016-07-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of driving the same in two modes |
CN102955615B (zh) | 2012-11-09 | 2016-04-06 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种触摸屏、触控显示装置及一种触摸屏的制造方法 |
KR102021564B1 (ko) * | 2012-11-23 | 2019-09-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 터치스크린패널 및 그 제조방법 |
JP6143466B2 (ja) * | 2013-01-10 | 2017-06-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチパネル内蔵型液晶表示装置 |
KR102052059B1 (ko) * | 2013-01-24 | 2019-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 패널 |
KR102011434B1 (ko) * | 2013-03-20 | 2019-08-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 패널 |
TW201447666A (zh) | 2013-06-13 | 2014-12-16 | Wintek Corp | 觸控面板 |
TW201504880A (zh) | 2013-07-25 | 2015-02-01 | Wintek Corp | 面板結構 |
KR102096622B1 (ko) * | 2013-08-19 | 2020-04-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
KR20150025994A (ko) | 2013-08-30 | 2015-03-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | Oled 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
CN103531608A (zh) * | 2013-09-27 | 2014-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触控式有机发光二极管显示装置及其制作方法 |
KR102211863B1 (ko) * | 2013-10-15 | 2021-02-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 패널 및 터치 패널의 제조 방법 |
KR20150053540A (ko) * | 2013-11-08 | 2015-05-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102192035B1 (ko) * | 2013-12-02 | 2020-12-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 접촉 감지 센서를 포함하는 플렉서블 표시 장치 |
KR20150087632A (ko) * | 2014-01-22 | 2015-07-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 패널 |
KR102230048B1 (ko) * | 2014-01-23 | 2021-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플레이트 구조물 및 그 제조방법 |
KR102244002B1 (ko) * | 2014-02-14 | 2021-04-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 댐 부재 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR102240937B1 (ko) | 2014-10-10 | 2021-04-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US9958973B2 (en) * | 2014-10-24 | 2018-05-01 | Lg Display Co., Ltd. | Touch panel and touch panel-integrated organic light emitting display device |
KR20160071773A (ko) | 2014-12-12 | 2016-06-22 | 엘지이노텍 주식회사 | 터치 패널 |
KR102291466B1 (ko) * | 2015-01-20 | 2021-08-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 패널 |
KR102313489B1 (ko) * | 2015-01-21 | 2021-10-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치패널 및 이를 포함하는 표시장치 |
KR102362188B1 (ko) * | 2015-01-28 | 2022-02-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
TWM524953U (zh) * | 2016-02-03 | 2016-07-01 | Emerging Display Tech Corp | 觸控面板邊框的堆疊式線路結構 |
KR101931768B1 (ko) | 2016-06-30 | 2018-12-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 |
JP6756538B2 (ja) * | 2016-08-03 | 2020-09-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR20180076688A (ko) * | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
JP6879746B2 (ja) * | 2017-01-13 | 2021-06-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102413058B1 (ko) * | 2017-10-16 | 2022-06-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
-
2016
- 2016-07-29 KR KR1020160097471A patent/KR101998831B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-07-18 US US15/653,077 patent/US10748971B2/en active Active
- 2017-07-20 EP EP17182273.7A patent/EP3276457B1/en active Active
- 2017-07-20 EP EP18196136.8A patent/EP3438802B1/en active Active
- 2017-07-21 TW TW110148243A patent/TWI810758B/zh active
- 2017-07-21 TW TW106124650A patent/TWI752985B/zh active
- 2017-07-26 CN CN201911106574.6A patent/CN110854170B/zh active Active
- 2017-07-26 CN CN201911107527.3A patent/CN110928447B/zh active Active
- 2017-07-26 CN CN201710618467.6A patent/CN107665059B/zh active Active
- 2017-07-26 CN CN201911106824.6A patent/CN110928446B/zh active Active
-
2020
- 2020-07-30 US US16/943,988 patent/US11502140B2/en active Active
-
2022
- 2022-11-14 US US17/985,907 patent/US20230074441A1/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101174380A (zh) * | 2006-11-03 | 2008-05-07 | 三星电子株式会社 | 显示装置及其制造方法 |
CN103140921A (zh) * | 2010-09-07 | 2013-06-05 | 韩国机械研究院 | 探卡及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107665059B (zh) | 2019-12-06 |
EP3438802B1 (en) | 2021-09-01 |
CN110928447A (zh) | 2020-03-27 |
TW201816569A (zh) | 2018-05-01 |
TWI810758B (zh) | 2023-08-01 |
US20200357859A1 (en) | 2020-11-12 |
US11502140B2 (en) | 2022-11-15 |
KR101998831B1 (ko) | 2019-07-11 |
CN107665059A (zh) | 2018-02-06 |
EP3438802A1 (en) | 2019-02-06 |
CN110854170A (zh) | 2020-02-28 |
CN110928447B (zh) | 2023-10-03 |
US20180033831A1 (en) | 2018-02-01 |
EP3276457B1 (en) | 2018-11-14 |
US10748971B2 (en) | 2020-08-18 |
KR20180014384A (ko) | 2018-02-08 |
TW202217532A (zh) | 2022-05-01 |
US20230074441A1 (en) | 2023-03-09 |
TWI752985B (zh) | 2022-01-21 |
EP3276457A1 (en) | 2018-01-31 |
CN110854170B (zh) | 2023-09-29 |
CN110928446A (zh) | 2020-03-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110928446B (zh) | 显示装置 | |
CN107665912B (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
CN107665058B (zh) | 显示设备 | |
KR102111448B1 (ko) | 표시 장치 | |
KR102008504B1 (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR102382465B1 (ko) | 표시 장치 | |
KR102060166B1 (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR102494044B1 (ko) | 표시 장치 | |
KR20190143844A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR102184505B1 (ko) | 표시 장치 | |
KR102406621B1 (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR20220081324A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |