CN113241366B - 显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示面板和显示装置，该显示面板包括衬底基板、驱动电路层、显示结构层、封装层、触控电极以及触控走线；触控走线包括第一子部和第二子部，衬底基板的靠近触控走线的表面为第一表面，第一子部与第一表面的距离小于第二子部与第一表面的距离；第二子部包括第一高度部和第二高度部，第一高度部相对于第一表面的高度小于第二高度部相对于第一表面的高度，且第一高度部的各个位置的线宽与对应第一高度部的各个位置相对于第一表面的高度成反比，至少部分第二高度部的各个位置的线宽与对应第二高度部的各个位置相对于第一表面的高度成正比。通过对爬坡较高的部分触控走线进行相应的宽度补偿，可提高触控走线的制备良率，提高显示面板的触控效果。

Description

显示面板和显示装置

技术领域

本公开的实施例涉及一种显示面板和显示装置。

背景技术

AMOLED（Active-matrix organic light emitting diode，有源矩阵有机发光二极管）是一种自发光显示器，具有反应速度更快、对比度更高、视角更广等优点，因此得到了越来越广泛的应用。

随着AMOLED技术的迅速发展，显示器逐步进入了全面屏、折叠屏时代，为了给用户带来更好的使用体验，卷曲穿戴、折叠等显示产品必将成为未来显示领域的重要发展方向。

发明内容

本公开至少一实施例提供一种显示面板，该显示面板具有显示区和围绕所述显示区的周边区，且包括衬底基板、驱动电路层、显示结构层、封装层、触控电极以及触控走线；驱动电路层设置在所述衬底基板上；显示结构层设置在所述驱动电路层的远离所述衬底基板的一侧；封装层设置在所述显示结构层的远离所述衬底基板的一侧；触控电极设置在所述封装层的远离所述衬底基板的一侧，且至少位于所述显示区；触控走线设置在所述封装层的远离所述衬底基板的一侧，与所述触控电极电连接；其中，所述触控走线包括电连接的第一子部和第二子部，所述衬底基板的靠近所述触控走线的表面为第一表面，所述第一子部与所述第一表面的距离小于所述第二子部与所述第一表面的距离；其中，所述第二子部包括电连接的第一高度部和第二高度部，所述第一高度部位于所述第一子部和所述第二高度部之间，所述第一高度部相对于所述第一表面的高度小于所述第二高度部相对于所述第一表面的高度，且所述第一高度部的各个位置的线宽与对应所述第一高度部的各个位置相对于所述第一表面的高度成反比，至少部分所述第二高度部的各个位置的线宽与对应所述第二高度部的各个位置相对于所述第一表面的高度成正比。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第一高度部的平均线宽小于所述第二高度部的平均线宽。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第一高度部的最大线宽与所述第二高度部的最大线宽的比值范围为0.50~0.95。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第一高度部与所述第二高度部的分界线对应的所述第二子部相对于所述第一表面的高度为H，所述分界线对应的所述第二子部的线宽为W，则H/W=0.150~0.375。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第一子部的平均线宽小于所述第二子部的平均线宽。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第二子部在一个位置处相对于所述第一表面的高度为h，所述第二子部的远离所述衬底基板的表面与所述第一表面之间的夹角为θ，所述第二子部在所述一个位置处的线宽为d，则0<H<3μm，0<θ<30°；d相对于W的补偿宽度为Δd，则Δd = (d - W)= K *(h-H)/tanθ，其中，0.5<K<10。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，1μm <H<2.5μm，15°<θ<25°；d相对于W的补偿宽度为Δd，则Δd = (d - W)= K *(h-H)/tanθ，其中，0.5<K<2。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，1.2μm <H<1.7μm，17°<θ<23°；d相对于W的补偿宽度为Δd，则Δd = (d - W)= K *(h-H)/tanθ，其中，0.8<K<1.3。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板还包括有机结构，其中，所述有机结构至少部分位于所述周边区，所述触控走线设置在所述有机结构的远离所述衬底基板的一侧，所述有机结构的至少一个边缘与所述触控走线的延伸方向交叉，所述有机结构包括有机斜坡部和有机平坦部。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第二子部包括斜坡部和平坦部，所述斜坡部包括所述第一高度部和所述第二高度部的一部分，所述平坦部包括所述第二高度部的另一部分，所述第二子部的斜坡部与所述有机斜坡部的斜率基本相同，所述第二子部的斜坡部在所述衬底基板上的正投影与所述有机斜坡部在所述衬底基板上的正投影重叠；所述第二子部的平坦部在所述衬底基板上的正投影和所述有机平坦部在所述衬底基板上的正投影重叠。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述有机斜坡部的斜率连续变化。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述有机斜坡部包括第一斜坡子部和第二斜坡子部，所述第二斜坡子部位于所述第一斜坡子部的朝向所述有机平坦部的一侧；所述第一斜坡子部的平均斜率大于所述第二斜坡子部的平均斜率。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述有机结构包括挡墙，所述挡墙至少部分围绕所述显示区，包括位于所述显示区至少一侧的第一挡墙部，所述触控走线包括第一走线部，所述第一走线部的延伸方向和所述第一挡墙部的延伸方向交叉，至少部分所述第一走线部在所述衬底基板上的正投影与所述第一挡墙部在所述衬底基板上的正投影重叠。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第一挡墙部包括在远离所述显示区的方向间隔排布的多个子挡墙，所述第一子部包括所述第一走线部的位于所述多个子挡墙中相邻的子挡墙之间的第一部分，所述第二子部包括所述第一走线部的位于所述多个子挡墙的远离所述衬底基板一侧的第二部分。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第一部分在其延伸方向上的长度与在其延伸方向的垂直方向上的宽度的比值范围为1.4~3.4。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第一部分在其延伸方向上的长度与所述多个子挡墙中的每个的宽度的比值范围为0.7~1.3；所述多个子挡墙的宽度所在方向垂直于所述多个子挡墙的延伸方向。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述驱动电路层包括像素驱动电路以及与所述像素驱动电路电连接的数据线，所述显示结构层包括发光器件，所述像素驱动电路配置为与所述发光器件电连接以驱动所述发光器件，所述数据线配置为向所述像素驱动电路提供数据信号，所述周边区还包括扇出数据信号线，所述扇出数据信号线与所述数据线电连接，所述扇出数据信号线在所述衬底基板的正投影与所述第一挡墙部在所述衬底基板的正投影至少部分重叠；所述扇出数据信号线在所述衬底基板的正投影与所述第一走线部在所述衬底基板的正投影至少部分重叠。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，至少部分所述扇出数据信号线的延伸方向与所述第一挡墙部的延伸方向交叉，且与所述第一走线部的延伸方向交叉。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第一挡墙部和所述第一走线部的延伸方向基本垂直。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述触控走线包括第一子走线层和位于所述第一子走线层远离所述衬底基板一侧的第二子走线层；所述显示面板还包括触控绝缘层，所述触控绝缘层设置在所述第一子走线层和所述第二子走线层之间，包括过孔，所述第一子走线层和所述第二子走线层通过所述过孔电连接；在垂直于所述第一表面的方向上，所述过孔与所述第一挡墙部至少部分重叠。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述过孔在所述衬底基板上的正投影位于所述第二高度部在所述衬底基板上的正投影内。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述过孔在所述衬底基板上的正投影的面积与所述第二高度部在所述衬底基板上的正投影的面积的比值大于0.2小于0.8。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第一高度部和所述第二高度部的分界线与所述过孔的至少一个分界线基本平齐。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板还包括屏蔽结构，其中，所述屏蔽结构在所述衬底基板上的正投影与所述多个子挡墙的至少一个在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠，所述屏蔽结构包括第一屏蔽结构和第二屏蔽结构，所述第一屏蔽结构相对于所述第一表面的高度大于所述第二屏蔽结构相对于所述第一表面的高度；在垂直于所述第一表面的方向上，所述第一高度部和所述第二高度部的分界线与所述第一屏蔽结构至少部分重叠。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述多个子挡墙的至少一个包括层叠的第一子膜层和位于所述第一子膜层远离所述衬底基板一侧的第二子膜层，所述第一屏蔽结构位于所述第一子膜层和所述第二子膜层之间，所述第二屏蔽结构位于所述第二子膜层的靠近所述衬底基板的一侧，且在垂直于所述衬底基板的方向上与所述第一子膜层不重叠。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，在平行于所述第一表面的方向上，所述第一高度部和所述第二高度部的分界线与第一屏蔽结构的边缘之间的最小距离与所述第一屏蔽结构在所述触控走线的延伸方向上的宽度的比值范围为0.3~0.6。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述触控走线还包括第三子部和第四子部，所述有机结构还包括第一有机结构，所述第一有机结构覆盖所述显示区及部分所述周边区，且所述第一有机结构位于所述挡墙的靠近所述显示区的一侧且与所述挡墙间隔设置，所述第三子部位于所述第一有机结构和所述挡墙之间，所述第四子部位于所述第一有机结构的远离所述衬底基板的一侧；至少部分所述第四子部在各个位置处的线宽与所述第四子部在各个位置处的距离所述第一表面的距离成反比。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第一有机结构靠近所述挡墙的边缘与所述第三子部和所述第四子部的延伸方向交叉。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第四子部的平均线宽小于所述第三子部的平均线宽。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述触控走线还包括第五子部和第六子部，所述有机结构还包括第二有机结构，所述第二有机结构位于所述挡墙的远离所述显示区的一侧，且与所述挡墙间隔设置，所述第五子部位于所述挡墙和所述第二有机结构之间，所述第六子部位于所述第二有机结构的远离所述衬底基板的一侧；至少部分所述第六子部的在各个位置处的线宽与所述第六子部在各个位置处的距离所述第一表面的距离成反比。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第二有机结构靠近所述挡墙的边缘与所述第五子部和所述第六子部的延伸方向交叉。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第六子部的平均线宽小于所述第五子部的平均线宽。

例如，本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第一有机结构靠近所述挡墙一侧的斜坡与所述第一表面之间形成第一坡度角，所述第二有机结构靠近所述挡墙一侧的斜坡与所述第一表面之间形成第二坡度角，所述挡墙的斜坡与所述第一表面之间形成第三坡度角；所述第一坡度角与所述第三坡度角的差小于等于20°；和/或所述第二坡度角与所述第三坡度角的差小于等于20°。

本公开至少一实施例还提供一种显示装置，该显示基板包括本公开实施例提供的任一显示面板。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。

图1为本公开至少一实施例提供的显示面板的平面示意图；

图2为图1中的显示面板在虚线框F1部分的放大示意图；

图3为图2中的显示面板沿N-N线的截面示意图；

图4为图1中的显示面板沿M-M线的截面示意图；

图5本公开至少一实施例提供的显示面板中有机结构的截面示意图；

图6为图1中的显示面板在虚线框F2部分的放大示意图；

图7为图2中的显示面板沿N-N线的另一截面示意图；

图8为图2中的显示面板沿N-N线的再一截面示意图；

图9为图1中的显示面板在虚线框部分F2的另一放大示意图；

图10为图9中的显示面板沿P-P线的部分截面示意图；以及

图11为图1中的显示面板沿M-M线的另一截面示意图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

显示面板中通常设置有触控结构，触控结构设置在显示面板的封装层上，包括触控电极和触控走线等结构，触控走线从显示面板的显示区延伸至显示面板的非显示区，以将触控电极与位于非显示区的触控驱动电路，例如触控IC电连接。在触控走线的延伸过程中，会经过显示面板中一些功能膜层的边缘，例如，会经过有机膜层、无机膜层或金属膜层的边缘，由于这些功能膜层具有一定高度，且这些功能膜层的延伸方向与至少部分触控走线的延伸方向交叉，使得触控走线在经过这些功能膜层的边缘时，会从一个高度爬坡上升到另一个高度。

例如，以有机膜层为例子，当触控走线从有机结构的底部爬坡到有机结构的顶部时会有较大的段差，在触控走线的制备过程中，例如在通过构图工艺形成触控走线的过程中，形成触控走线的金属膜层上需要形成一层光刻胶，然后进行曝光、显影等工艺，此时，由于触控走线在有机结构的爬坡位置处具有不同的高度，因此在上述曝光、显影工艺后，爬坡位置处容易推积较厚的光刻胶，使得相邻的触控走线之间的区域在该爬坡位置处出现光刻胶残留，在后续去除光刻胶后，会发生金属残留，导致相邻的触控走线之间发生短路，进而导致触控失效。

例如，在有机结构设置的比较密集的挡墙结构（dam）附近，发生上述触控不良的概率会越高。因此，跨过挡墙结构爬坡处附近的触控走线的线宽一般需要设计的较窄，以防止相邻的触控走线之间发生短路。但是，由于在挡墙结构上的触控走线具有变化的高度，当设计触控走线的构图工艺时，如果触控走线被设计为具有相同的线宽，则在不同高度下，由于曝光工艺中曝光距离的不同会导致高度较高的触控走线的线宽小于高度较低的触控走线的线宽，即随着高度的增加，触控线宽会越来越小。因此，在高度较高的位置，触控走线可能会存在断线的问题，并且触控走线整体的电阻值会增大，影响显示面板的触控效果。

本公开至少一实施例提供一种显示面板，该显示基板具有显示区和围绕显示区的周边区，且包括衬底基板、驱动电路层、显示结构层、封装层、触控电极以及触控走线；驱动电路层设置在衬底基板上；显示结构层设置在驱动电路层的远离衬底基板的一侧；封装层设置在显示结构层的远离衬底基板的一侧；触控电极设置在封装层的远离衬底基板的一侧，且至少位于显示区；触控走线设置在封装层的远离衬底基板的一侧，与触控电极电连接；其中，触控走线包括电连接的第一子部和第二子部，衬底基板的靠近触控走线的表面为第一表面，第一子部与第一表面的距离小于第二子部与第一表面的距离；第二子部包括电连接的第一高度部和第二高度部，第一高度部位于第一子部和第二高度部之间，第一高度部相对于第一表面的高度小于第二高度部相对于第一表面的高度，且第一高度部的各个位置的线宽与对应第一高度部的各个位置相对于第一表面的高度成反比，至少部分第二高度部的各个位置的线宽与对应第二高度部的各个位置相对于第一表面的高度成正比。

本公开至少一实施例提供的上述显示面板中，通过对爬坡较高的部分触控走线进行相应的宽度补偿，可确保相邻的触控走线在爬坡位置处不短路，并避免由于触控走线爬坡较高而可能导致的触控走线出现断线的现象，提高触控走线的制备良率，并提高显示面板的触控效果。

下面通过几个具体的实施例对本公开实施例提供的显示面板进行说明。

本公开至少一实施例提供一种显示面板，图1示出了该显示面板的平面示意图，图2示出了该显示面板在图1中的虚线框F1部分的放大示意图，图3示出了图2中的显示面板沿N-N线的截面示意图，以及图4示出了图1中的显示面板的显示区沿M-M线的截面示意图。

如图1-图4所示，该显示面板100具有显示区AA和围绕显示区AA的周边区NA，且包括衬底基板101、驱动电路层102、显示结构层、封装层EN、触控电极TE以及触控走线20等结构。

例如，显示面板100包括阵列排布的多个子像素，每个子像素包括像素驱动电路和发光器件EM，像素驱动电路配置为与发光器件EM电连接，以驱动发光器件。

例如，如图4所示，驱动电路层102设置在衬底基板101上，包括多个子像素的像素驱动电路，该像素驱动电路包括薄膜晶体管T和存储电容C等结构。显示结构层设置在驱动电路层102的远离衬底基板101的一侧，包括多个子像素的发光器件EM。封装层EN设置在显示结构层的远离衬底基板101的一侧，例如包括多个封装子层，用于封装显示结构层。

例如，触控电极TE设置在封装层EN的远离衬底基板101的一侧，且至少位于显示区AA，以至少在显示区AA提供触控功能。例如，如图1所示，触控电极TE包括用于互电容触控方式的触控驱动电极TE1和触控感应电极TE2，例如，触控驱动电极TE1和触控感应电极TE2中的一个为触控驱动电极，另一个为触控感应电极。触控走线20设置在封装层EN的远离衬底基板101的一侧，与触控电极TE电连接，用于将触控电极TE电连接至位于周边区NA的驱动电路DIC。

例如，如图2和图3所示，触控走线20包括电连接的第一子部201和第二子部202，如图3所示，第一子部201和第二子部202的分界线为S2，衬底基板101的靠近触控走线20的表面为第一表面101A，第一子部201与第一表面101A的距离小于第二子部202与第一表面101A的距离。例如，第二子部202包括电连接的第一高度部2021和第二高度部2022，如图3所示，第一高度部2021与第二高度部2022的分界线为S1，第一高度部2021位于第一子部201和第二高度部2022之间，第一高度部2021相对于第一表面101A的高度小于第二高度部2022相对于第一表面101A的高度。结合图2和图3，第一高度部2021的各个位置的线宽与对应第一高度部2021的各个位置相对于所第一表面101A的高度成反比，至少部分第二高度部2022的各个位置的线宽与对应第二高度部2022的各个位置相对于第一表面101A的高度成正比。

在显示面板的制备过程中，在第一高度部2021，随着第一高度部2021的高度逐渐增加，由于触控走线20的表面与曝光光源的距离逐渐变小，导致高度较高的触控走线的线宽小于高度较低的触控走线的线宽，即随着第一高度部2021的高度的增加，触控走线的线宽会越来越小。为了避免触控走线的线宽变细而存在断裂的风险，在第二高度部2022处开始进行线宽补偿，即在第二高度部2022中，随着第二高度部2022的高度逐渐增加，第二高度部2022的线宽也逐渐增加，以达到补偿线宽的目的，避免触控走线20发光断裂等不良现象。

需要说明的是，本公开的实施例中，一个结构的线宽表示该结构在垂直于其延伸方向的宽度。例如，如图2所示，对于触控走线20，其延伸方向为图中的竖直方向，则其线宽为触控走线20在图中水平方向的宽度。例如，如图2所示，对于有机结构1020/挡墙10（稍后详细介绍），其延伸方向为图中的水平方向，则其线宽为有机结构1020/挡墙10在图中竖直方向的宽度。

例如，在一些实施例中，第一子部201的平均线宽小于第二子部202的平均线宽。例如，在第二子部202中，第一高度部2021的平均线宽小于第二高度部2022的平均线宽。由此，高度较高的第二高度部2022具有较高的平均线宽，从而避免在制备过程中由于第二高度部2022与曝光光源的距离较近而可能出现断裂等不良现象。

需要注意的是，本公开的实施例中，一个结构的平均线宽指的是该结构在各个位置处线宽的平均值。

例如，在一些实施例中，如图2所示，第一高度部2021的最大线宽为D，第二高度部2022的最大线宽为L，则第一高度部2021的最大线宽D与第二高度部2022的最大线宽L的比值范围为0.50~0.95，例如0.55、0.60、0.65或者0.70等。在该宽度范围内，既可以实现相邻的触控走线20之间不短路，又可以避免高度较高的第二高度部2022可能出现的断裂等不良现象。

例如，在一些实施例中，第一高度部2021和第一子部201相邻，第一子部201具有均匀的线宽，该线宽等于第一高度部2021的最大线宽D，即第一子部201和第一高度部2021的分界线S2对应的线宽，例如，D的范围可以为7.0μm ~9.0μm，例如7.5μm、8.0μm或者8.5μm等。例如，第一高度部2021的靠近第一子部201的线宽（即D）大于第一高度部2021的远离第一子部201的线宽（即W）。

例如，第二高度部2022在补偿之后的最大线宽L取决于第二高度部2022所处的最大高度。考虑到在显示面板中，相邻触控走线20之间的间距约为30μm，如补偿的线宽太大，可能会导致相邻触控走线20的短接，因此，L的范围可以为12.0μm ~14.0μm，例如12.5μm、13.0μm或者13.5μm等。D与L的比值为D/L = 0.5~0.75。如果D/L的值小于0.5，则可能会导致相邻触控走线20之间短路，D/L的值大于0.75则使线宽补偿效果不明显，无法有效避免走线断裂的风险。

例如，在一些实施例中，如图3所示，第一高度部2021与第二高度部2022的分界线S1对应的第二子部202相对于第一表面101A的高度为H，如图2所示，分界线S1对应的第二子部2022的线宽为W，则H/W=0.150~0.375，例如0.200、0.250或者0.300等。在上述取值范围下，第二子部202的线宽和高度达到平衡，可以有助于实现相邻的触控走线20之间不短路，以及避免高度较高的第二高度部2022可能出现的断裂等不良现象。

例如，在一些实施例中，第一高度部2021与第二高度部2022的分界线S1对应的高度H可以为1.5μm ~2.0μm，例如1.8μm等，线宽W可以为8.0μm ~10.0μm，例如8.5μm、9.0μm或者9.5μm等。例如，H可以作为阈值高度，第二高度部2022的高度超过阈值高度H，则第二高度部2022需要进行线宽补偿，第一高度部2021的高度低于阈值高度H，则第一高度部2021无需进行线宽补偿。

例如，如图3所示，第二子部202在一个位置处相对于第一表面101A的高度为h，第二子部202的远离衬底基板101的表面与第一表面101A之间的夹角为θ，第二子部202在上述一个位置处的线宽为d，则0<H<3μm，0<θ<30°；d相对于W的补偿宽度为Δd，则：

Δd = (d - W)= K *(h-H)/tanθ，其中，0.5<K<10。

可见，d相对于W的补偿宽度为Δd与补偿位置的高度、阈值高度H以及第二子部202的坡度角等要素有关，因此补偿宽度Δd可以根据上述关系式确定。

例如，在一些实施例中，1μm <H<2.5μm，15°<θ<25°；d相对于W的补偿宽度为Δd，则Δd = (d - W)= K *(h-H)/tanθ，其中，0.5<K<2。

例如，在一些实施例中，1.2μm <H<1.7μm，17°<θ<23°；d相对于W的补偿宽度为Δd，则Δd = (d - W)= K *(h-H)/tanθ，其中，0.8<K<1.3。

在上述参数设计下，补偿宽度Δd可以达到更好的补偿效果。

例如，在一些实施例中，如图2和图3所示，显示面板还包括有机结构1020，有机结构1020至少部分位于周边区NA。例如，触控走线20设置在有机结构1020的远离衬底基板101的一侧，有机结构1020的至少一个边缘与触控走线20的延伸方向交叉，有机结构1020包括有机斜坡部1021和有机平坦部1022。此时，触控走线20会在有机结构1020上爬坡，如图3所示。

例如，在一些实施例中，如图3所示，第二子部202包括斜坡部203和平坦部204，斜坡部203包括第一高度部2021（例如第一高度部2021整体）和第二高度部2022的一部分，平坦部204包括第二高度部2022的另一部分。例如，第二子部202的斜坡部203与有机斜坡部1021的斜率基本相同，即第二子部202的斜坡部203与第一表面101A之间的夹角和有机斜坡部1021与第一表面101A之间的夹角基本相同，图中示出为θ。例如，第二子部202的斜坡部203在衬底基板101上的正投影与有机斜坡部1021在衬底基板101上的正投影重叠；第二子部202的平坦部204在衬底基板101上的正投影和有机平坦部1022在衬底基板101上的正投影重叠。

例如，在一些实施例中，如图3所示，有机斜坡部1021的斜率可以连续变化，斜坡部203的斜率也可以连续变化。

例如，图5示出了有机结构的另一截面示意图，在另一些实施例中，如图5所示，有机斜坡部1021包括第一斜坡子部10211和第二斜坡子部10212，第二斜坡子部10212位于第一斜坡子部10211的朝向有机平坦部1022的一侧；第一斜坡子部10211的平均斜率大于第二斜坡子部10212的平均斜率，即第一斜坡子部10211和第二斜坡子部10212呈现不同的倾斜趋势。

需要说明的是，本公开的实施例中，一个结构的平均斜率指的是该结构在各个位置处的切线与第一表面101A之间的夹角的正切值的平均值。

例如，在一些实施例中，如图1所示，有机结构1020包括挡墙10，挡墙10至少部分围绕显示区AA，包括位于显示区AA至少一侧（例如下侧）的第一挡墙部10A。例如，周边区NA包括弯折区B，弯折区B具有弯折轴BX，弯折区B可以绕弯折轴BX弯折，以将部分周边区NA弯折到显示面板的非显示侧，以减小显示面板的边框，提高显示面板的屏占比。例如，如图1所示，第一挡墙部10A位于显示区AA和弯折区B之间。触控走线20包括第一走线部20A（例如触控走线20的位于显示区AA下侧的部分），第一走线部20A的延伸方向和第一挡墙部10A的延伸方向交叉，例如垂直，至少部分第一走线部20A在衬底基板101上的正投影与第一挡墙部10A在衬底基板101上的正投影重叠，即至少部分第一走线部20A延伸经过第一挡墙部10A。

例如，图6示出了图1中的显示面板在虚线框F2部分的放大示意图。如图6所示，第一挡墙部10A包括在远离显示区AA的方向间隔排布的多个子挡墙10B，图6中示出两个子挡墙10B作为示例，在其他实施例中，子挡墙10B的个数可以为更多个，本公开的实施例对子挡墙10B的数量不做限定。第一子部201包括第一走线部20A的位于多个子挡墙10B中相邻的子挡墙10B之间的第一部分201’，第二子部202包括第一走线部20A的位于多个子挡墙10B的远离衬底基板101一侧的第二部分202’。

例如，如图6所示，第一部分201’在其延伸方向上的长度L1（即第一部分201’在图6中竖直方向上的长度）与在其延伸方向的垂直方向上的宽度L2（即第一部分201’在图6中水平方向上的宽度）的比值范围为1.4~3.4，例如1.5、2.0、2.5或者3.0等。

例如，如图6所示，第一部分201’在其延伸方向上的长度L1与多个子挡墙中的每个子挡墙10B的宽度Wd的比值范围为0.7~1.3，例如0.8、0.9或者1.1等。多个子挡墙10B的宽度Wd所在方向垂直于多个子挡墙10B的延伸方向，多个子挡墙10B的延伸方向即为图6中的水平方向。

在上述取值范围下，可有效平衡触控走线与多个子挡墙10B之间的位置以及大小关系，在避免相邻的触控走线20发生短路的同时，还避免部分触控走线由于高度过高而发生断裂的风险，并同时保证多个子挡墙10B的功能不受影响。

例如，如图4所示，驱动电路层102包括的像素驱动电路的薄膜晶体管T包括有源层102A、栅极102B、源极102C和漏极102D等，存储电容C包括第一电容电极C1和第二电容电极C2。发光器件EM包括第一电极104、第二电极106和第一电极104和第二电极106之间的发光材料层105，第一电极104与薄膜晶体管T的源极102C电连接。例如，第一电极104为发光器件的阳极，第二电极106为发光器件的阴极。例如，第一电容极板C1与栅极102B同层设置。

例如，像素驱动电路可以形成为2T1C（两个薄膜晶体管一个存储电容）、6T1C（六个薄膜晶体管一个存储电容）等结构，从而包括多个薄膜晶体管，该多个薄膜晶体管具有如图4所示的叠层结构相似或相同的结构，图4中仅示出了与发光器件EM直接连接的薄膜晶体管，该薄膜晶体管可以是驱动薄膜晶体管，也可以是发光控制薄膜晶体管等。

需要注意的是，在本公开的实施例中，“同层设置”为两个功能层或结构层在显示基板的层级结构中同层且同材料形成，即在制备工艺中，该两个功能层或结构层可以由同一个材料层形成，且可以通过同一构图工艺形成所需要的图案和结构。“同层设置”可以简化显示面板的制造工艺。

例如，如图4所示，驱动电路层102还可以包括设置在有源层102A上的第一栅绝缘层1024、设置在栅极102B上的第二栅绝缘层1025、设置在第二电容电极C2上的层间绝缘层1026、设置在源极102C和漏极102D上的钝化层1027以及平坦化像素驱动电路的第一平坦化层109。第一平坦化层109和钝化层1027中具有暴露源极102C的过孔，第一电极104通过该过孔与源极102C电连接。

例如，如图4所示，显示面板还可以包括用于界定多个子像素的像素界定层107和隔垫物108等结构，像素界定层107具有多个子像素开口，每个子像素开口暴露一个子像素的发光器件EM的第一电极104，发光材料层105和第二电极106至少部分位于子像素开口中。

例如，如图4所示，在一些实施例中，封装层EN包括依次层叠的第一无机层311、第一有机层312、第二无机层313和第三无机层314。第一有机层312被第一无机层311和第二无机层313包覆（夹置）。例如，在一些实施例中，封装层EN也可以只包括依次层叠的第一无机层311，第一有机层312和第二无机层313，而不包括第三无机层314。本公开的实施例对封装层EN的具体结构不做限定。

例如，在显示面板的制造过程中，封装层EN中的第一有机层312可以采用喷墨打印的方式形成，此时，挡墙10可以防止第一有机层312在打印工艺过程中溢出到挡墙10以外的周边区域，多个子挡墙10B可以提高挡墙10的阻挡效果。例如，如图1所示，挡墙10可以围绕显示区AA设置。

例如，在一些实施例中，挡墙10可以与第一平坦化层109、像素界定层107和隔垫物108中的至少一层同层设置。例如，挡墙10与第一平坦化层109和像素界定层107同层设置，或者，挡墙10与第一平坦化层109和隔垫物108同层设置，或者，挡墙10与第一平坦化层109、像素界定层107和隔垫物108均同层设置。

例如，在挡墙10包括多个子挡墙10B的情况下，多个子挡墙10B的叠层结构可以不同，例如，一个子挡墙10B可以与像素界定层107和隔垫物108同层设置，另一个子挡墙10B可以与第一平坦化层109、像素界定层107和隔垫物108同层设置等。本公开的实施例对挡墙10的具体结构不做限制。

例如，在一些实施例中，如图1所示，显示面板还可以包括第一电源走线VDD，用于传输高电位。例如，第一电源走线VDD可以与源极102C和漏极102D同层设置；或者，在一些实施例中，第一电源走线VDD可以包括并联的第一部分和第二部分，第一部分与源极102C和漏极102D同层设置，第二部分与第一电极104同层设置。

例如，如图1所示，显示面板还可以包括第二电源走线VSS，用于传输低电位。例如，第二电源走线VSS可以与源极102C和漏极102D同层设置。或者，第二电源走线VSS包括并联的第一部分和第二部分，第一部分与源极102C和漏极102D同层设置，第二部分V12与第一电极104同层设置。

例如，在另一些实施例中，如图11所示，发光器件EM与薄膜晶体管T之间还可以具有连接电极1041和第二平坦化层110，发光器件EM的第一电极104通过连接电极103与源极102C电连接。例如，第一平坦化层109和钝化层1027中具有暴露源极102C的过孔，连接电极1041通过该过孔与源极102C电连接。第二平坦化层110中具有暴露连接电极1041的过孔，第一电极104通过该过孔与连接电极1041电连接。例如，第一电源走线VDD可以包括并联的第一部分、第二部分和第三部分，第一部分与源极102C和漏极102D同层设置，第二部分与第一电极104同层设置，第三部分与连接电极1041同层设置。类似地，第二电源走线VSS也可以包括并联的第一部分、第二部分和第三部分，第一部分与源极102C和漏极102D同层设置，第二部分与第一电极104同层设置，第三部分与连接电极1041同层设置。

例如，对于如图11所示的显示面板，挡墙10可以与第一平坦化层109、第二平坦化层110、像素界定层107和隔垫物108中的至少一层同层设置。例如，挡墙10与第一平坦化层109、第二平坦化层110和像素界定层107同层设置，或者，挡墙10与第一平坦化层109、第二平坦化层110和隔垫物108同层设置等。类似地，在挡墙10包括多个子挡墙10B的情况下，多个子挡墙10B的叠层结构可以不同，例如，一个子挡墙10B可以与像素界定层107和隔垫物108同层设置，另一个子挡墙10B可以与第一平坦化层109、第二平坦化层110、像素界定层107和隔垫物108同层设置等。本公开的实施例对挡墙10的具体结构不做限制。

例如，在一些实施例中，如图1所示，显示面板还可以包括与像素驱动电路电连接的数据线DL，例如，数据线DL可以与薄膜晶体管T的漏极102D电连接，配置为向像素驱动电路提供数据信号。例如，周边区NA还包括扇出数据信号线DCL，扇出数据信号线DCL与数据线DL电连接，用于将数据线DL电连接到位于周边区NA的驱动电路DIC。例如，扇出数据信号线DCL在衬底基板101的正投影与第一挡墙部10A在衬底基板101上的正投影至少部分重叠，扇出数据信号线DCL在衬底基板101上的正投影与第一走线部20A在衬底基板101的正投影至少部分重叠。

例如，在一些实施例中，扇出数据信号线DCL可以与薄膜晶体管T的栅极102B和存储电容C的第一电容电极C1同层设置，或者与存储电容C的第二电容电极C2同层设置。

例如，在一些实施例中，如图1所示，至少部分扇出数据信号线DCL的延伸方向与第一挡墙部10A的延伸方向交叉，且与第一走线部20A的延伸方向交叉，例如，扇出数据信号线DCL在显示区AA与弯折区B之间的部分相对于显示区AA的边缘倾斜延伸，该部分的延伸方向既与第一挡墙部10A的延伸方向交叉，也与第一走线部20A的延伸方向交叉。

例如，如图1所示，第一挡墙部10A和第一走线部20A的延伸方向基本垂直。例如，在图1示出的示例中，第一挡墙部10A的延伸方向为图中的水平方向，第一走线部20A的延伸方向为图中的竖直方向。

例如，在一些实施例中，如图4和图8所示，触控走线20包括第一子走线层21和位于第一子走线层21远离衬底基板101一侧的第二子走线层22。如图8所示，显示面板还包括触控绝缘层30，触控绝缘层30设置在第一子走线层21和第二子走线层22之间，包括过孔Q，第一子走线层21和第二子走线层22通过过孔Q电连接。例如，在垂直于第一表面101A的方向上，过孔Q与第一挡墙部10A至少部分重叠。

例如，如图6和图7所示，在一些示例中，过孔Q在衬底基板101上的正投影可以位于第一挡墙部10A在衬底基板101上的正投影内。例如，过孔Q在衬底基板101上的正投影位于第二高度部2022在衬底基板101上的正投影内。

例如，在一些示例中，过孔Q在衬底基板101上的正投影的面积与第二高度部2022在衬底基板101上的正投影的面积的比值大于0.2小于0.8，例如为0.4、0.6或者0.7等。由此，过孔Q具有足够的尺寸以保证第一子走线层21和第二子走线层22的电连接效果。

例如，在一些实施例中，如图7所示，第一高度部2021和第二高度部2022的分界线S1与过孔Q的至少一个分界线S3基本平齐，也即第一高度部2021和第二高度部2022的分界线S1在衬底基板101上的正投影与过孔Q的至少一个分界线S3在衬底基板101上的正投影至少部分重叠。

例如，在一些示例中，如图4所示，第二子走线层22的远离衬底基板101的一侧还具有保护盖板316，例如玻璃盖板，以保护触控结构，并形成触摸表面。例如，触控走线20与封装层EN之间还可以具有缓冲层315，以利于触控电极TE和触控走线20的形成。例如，在另一些实施例中，也可以不设置缓冲层315，而采用第三无机层314复用为缓冲层。

例如，在一些实施例中，如图8所示，显示面板还可以包括屏蔽结构60，屏蔽结构60用于屏蔽位于屏蔽结构60上侧和下侧的走线，以放置发生信号干扰。例如，在一些示例中，屏蔽结构60可以屏蔽位于屏蔽结构60上侧的触控走线20与位于屏蔽结构60下侧的扇出数据信号线DCL等用于电连接显示区AA的电路和驱动电路DIC的走线。例如，屏蔽结构60在衬底基板101上的正投影与多个子挡墙10B的至少一个在衬底基板101上的正投影至少部分重叠。

例如，在一些实施例中，如图8所示，屏蔽结构60可以包括第一屏蔽结构61和第二屏蔽结构62，第一屏蔽结构61相对于第一表面101A的高度大于第二屏蔽结构62相对于第一表面101A的高度。例如，在垂直于第一表面101A的方向上，第一高度部2021和第二高度部2022的分界线S1与第一屏蔽结构61至少部分重叠。

例如，在一些实施例中，如图8所示，多个子挡墙10B的至少一个包括层叠的第一子膜层1022-1和位于第一子膜层1022-1远离衬底基板101一侧的第二子膜层1022-2，第一屏蔽结构61位于第一子膜层1022-1和第二子膜层1022-2之间，第二屏蔽结构62位于第二子膜层1022-2的靠近衬底基板101的一侧，且在垂直于衬底基板101的方向上，第二屏蔽结构62与第一子膜层1022-1不重叠，从而第一屏蔽结构61和第二屏蔽结构62可以在不同位置实现屏蔽效果。

例如，在一些实施例中，如图8所示，在平行于第一表面101A的方向上，第一高度部2021和第二高度部2022的分界线S1与第一屏蔽结构61的边缘S5之间的最小距离L3（即图中的水平距离L3）与第一屏蔽结构61在触控走线20的延伸方向上（即图中的水平方向）的宽度L4的比值范围为0.3~0.6，例如0.4或者0.5等。在该配置下，第一屏蔽结构61可以充分实现屏蔽作用。

例如，在一些实施例中，屏蔽结构60可以为第一电源走线VDD或者第二电源走线VSS。此时，第一子膜层1022-1可以与源极102C和漏极102D同层设置，第二子膜层1022-2可以与第一电极104同层设置；或者，在显示面板具有如图11所示的结构的情况下，第一子膜层1022-1也可以与连接电极1041同层设置，第二子膜层1022-2与第一电极104同层设置；或者，第一子膜层1022-1可以与源极102C和漏极102D同层设置，第二子膜层1022-2与连接电极1041同层设置。

例如，在一些实施例中，图9示出了图1中的显示面板在虚线框F2部分的另一放大示意图。如图9所示，触控走线20还可以包括第三子部203和第四子部204，有机结构还包括第一有机结构40，第一有机结构40覆盖显示区AA及部分周边区NA，且第一有机结构40位于挡墙10的靠近显示区AA的一侧且与挡墙10间隔设置，第三子部203位于第一有机结构40和挡墙10之间，第四子部204位于第一有机结构40的远离衬底基板101的一侧，即至少部分触控走线20还延伸经过第一有机结构40。此时，第四子部204相对于第一表面101A的高度大于第三子部203相对于第一表面101A的高度。例如，至少部分第四子部204在各个位置处的线宽与第四子部204在各个位置处的距离第一表面101A的距离成反比。

例如，如图9所示，第一有机结构40靠近挡墙10的边缘与第三子部203和第四子部204的延伸方向交叉。例如，第四子部204的平均线宽小于第三子部203的平均线宽。

例如，对应于图4所示的显示面板，第一有机结构40可以与第一平坦化层109、像素界定层107和隔垫物108中的至少一层同层设置；对应于图11所示的显示面板，第一有机结构40可以与第一平坦化层109、第二平坦化层110、像素界定层107和隔垫物108中的至少一层同层设置。本公开的实施例对第一有机结构40的具体结构不做限制。

例如，在一些实施例中，如图9所示，触控走线还可以包括第五子部205和第六子部206，有机结构还包括第二有机结构50，例如，第二有机结构50覆盖弯折区B，第二有机结构50位于挡墙10的远离显示区AA的一侧，且与挡墙10间隔设置，第五子部205位于挡墙10和第二有机结构50之间，第六子部206位于第二有机结构50的远离衬底基板101的一侧，即至少部分触控走线20还延伸经过第二有机结构50。此时，第六子部206相对于第一表面101A的高度大于第五子部205相对于第一表面101A的高度。例如，至少部分第六子部206的在各个位置处的线宽与第六子部206在各个位置处的距离第一表面101A的距离成反比。

例如，如图9所示，第二有机结构50靠近挡墙10的边缘与第五子部205和第六子部206的延伸方向交叉。例如，第六子部206的平均线宽小于第五子部205的平均线宽。

例如，对应于图4所示的显示面板，第二有机结构50可以与第一平坦化层109、像素界定层107和隔垫物108中的至少一层同层设置；对应于图11所示的显示面板，第二有机结构50可以与第一平坦化层109、第二平坦化层110、像素界定层107和隔垫物108中的至少一层同层设置。本公开的实施例对第二有机结构50的具体结构不做限制。

例如，图10示出了图9中的显示面板沿P-P线的截面示意图，且为了简洁且清楚，图中仅示出了一个挡墙10。如图10所示，第一有机结构40靠近挡墙10一侧的斜坡与第一表面101A之间形成第一坡度角θ1，第二有机结构50靠近挡墙10一侧的斜坡与第一表面101A之间形成第二坡度角θ2，挡墙10的斜坡与第一表面101A之间形成第三坡度角θ，第三坡度角θ可以表示挡墙10的靠近第一有机结构40的斜坡与第一表面101A之间形成的坡度角，也可以表示挡墙10的靠近第二有机结构50的斜坡与第一表面101A之间形成的坡度角。例如，第一坡度角θ1与第三坡度角θ的差小于等于20°；和/或第二坡度角θ2与第三坡度角θ的差小于等于20°。由此，第一有机结构40形成的斜坡与挡墙10形成的斜坡差距较小，且第二有机结构50形成的斜坡与挡墙10形成的斜坡差距也较小，由此有助于触控走线20在第一有机结构40、挡墙10以及第二有机结构50上可靠形成。

例如，在一些示例中，第一坡度角θ1、第二坡度角θ2和第三坡度角θ的角度范围可以为10°-40°，例如20°、25°或者30°等。

例如，本公开的实施例中，显示面板中的各个功能结构可以采用相应的合适的材料形成。例如，衬底基板101可以为聚酰亚胺（PI）等柔性基板或者石英基板等刚性基板。例如，在一些示例中，衬底基板101可以形成为多层PI的叠层结构等。例如，衬底基板101上还可形成缓冲层103等结构，缓冲层103可以采用氧化硅（SiOx）、氮化硅（SiNx）或氮氧化硅（SiON）等无机材料。例如，有源层102A可以为非晶硅层、多晶硅层或金属氧化物半导体层（例如，IGZO层）。例如，多晶硅可以为高温多晶硅或低温多晶硅。栅极102B、源极102C和漏极102D可以采用铜（Cu）、铝（Al）、钛（Ti）等金属材料或合金材料，例如形成为单层结构或者多层结构，例如钛/铝/钛三层结构等。第一电极104的材料可以为氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化镓锌（GZO）等透明金属氧化物，第二电极106的材料可以为锂（Li）、铝（Al）、镁（Mg）、银（Ag）等金属材料。连接电极1041例如采用铜（Cu）、铝（Al）、钛（Ti）等金属材料或合金材料。

例如，第一无机层311、第二无机层313和第三无机层314中的每个的材料可包括氧化硅（SiOx）、氮化硅（SiNx）和氮氧化硅（SiON）等无机材料中的至少一个。第一有机层312包括聚酰亚胺、树脂等有机材料。例如，第一栅绝缘层1024、第二栅绝缘层1025、层间绝缘层1026以及钝化层1027可以采用氧化硅（SiOx）、氮化硅（SiNx）和氮氧化硅（SiON）等无机材料中的至少一个，且第一栅绝缘层1024、第二栅绝缘层1025、层间绝缘层1026以及钝化层1027的材料可以相同也可以不同。像素界定层107、隔垫物108、第一平坦化层109和第二平坦化层110可以包括聚酰亚胺、树脂等有机材料，且像素界定层107、隔垫物108、第一平坦化层109和第二平坦化层110的材料可以相同也可以不同。本公开的实施例对显示面板的各个功能结构的材料不作具体限定。

本公开至少一实施例还提供一种显示装置，该显示基板包括本公开实施例提供的任一显示面板。例如，该显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。本公开的实施例对显示装置的具体形式不做限定。

还有以下几点需要说明：

（1）本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

（2）为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”或者可以存在中间元件。

（3）在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (32)

1.一种显示面板，具有显示区和围绕所述显示区的周边区，且包括：

衬底基板；

驱动电路层，设置在所述衬底基板上；

显示结构层，设置在所述驱动电路层的远离所述衬底基板的一侧；

封装层，设置在所述显示结构层的远离所述衬底基板的一侧；

触控电极，设置在所述封装层的远离所述衬底基板的一侧，且至少位于所述显示区；

触控走线，设置在所述封装层的远离所述衬底基板的一侧，与所述触控电极电连接；其中，所述触控走线包括电连接的第一子部和第二子部，所述衬底基板的靠近所述触控走线的表面为第一表面，所述第一子部与所述第一表面的距离小于所述第二子部与所述第一表面的距离；

其中，所述第二子部包括电连接的第一高度部和第二高度部，所述第一高度部位于所述第一子部和所述第二高度部之间，所述第一高度部相对于所述第一表面的高度小于所述第二高度部相对于所述第一表面的高度，且所述第一高度部的各个位置的线宽与对应所述第一高度部的各个位置相对于所述第一表面的高度成反比，至少部分所述第二高度部的各个位置的线宽与对应所述第二高度部的各个位置相对于所述第一表面的高度成正比；

所述显示面板还包括有机结构，所述有机结构包括有机斜坡部和有机平坦部，所述第一高度部和所述第二高度部位于所述有机结构的远离所述衬底基板的一侧；

所述第一高度部与所述第二高度部的分界线对应的所述第二子部相对于所述第一表面的高度为H，所述分界线对应的所述第二子部的线宽为W，则H/W=0.150~0.375；

所述第二子部在一个位置处相对于所述第一表面的高度为h，所述第二子部的远离所述衬底基板的表面与所述第一表面之间的夹角为θ，所述第二子部在所述一个位置处的线宽为d,

则0<H<3μm，0<θ<30°；

d相对于W的补偿宽度为Δd，则

Δd = (d - W)= K *(h-H)/tanθ，其中，0.5<K<10。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一高度部的平均线宽小于所述第二高度部的平均线宽。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一高度部的最大线宽与所述第二高度部的最大线宽的比值范围为0.50~0.95。

4.根据权利要求1-3任一所述的显示面板，其中，所述第一子部的平均线宽小于所述第二子部的平均线宽。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其中，

1μm <H<2.5μm，15°<θ<25°；

d相对于W的补偿宽度为Δd，则

Δd = (d - W)= K *(h-H)/tanθ，其中，0.5<K<2。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，

1.2μm <H<1.7μm，17°<θ<23°；

d相对于W的补偿宽度为Δd，则

Δd = (d - W)= K *(h-H)/tanθ，其中，0.8<K<1.3。

7.根据权利要求1-3任一所述的显示面板，其中，所述有机结构至少部分位于所述周边区，所述触控走线设置在所述有机结构的远离所述衬底基板的一侧，所述有机结构的至少一个边缘与所述触控走线的延伸方向交叉。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述第二子部包括斜坡部和平坦部，所述斜坡部包括所述第一高度部和所述第二高度部的一部分，所述平坦部包括所述第二高度部的另一部分，所述第二子部的斜坡部与所述有机斜坡部的斜率基本相同，

所述第二子部的斜坡部在所述衬底基板上的正投影与所述有机斜坡部在所述衬底基板上的正投影重叠；所述第二子部的平坦部在所述衬底基板上的正投影和所述有机平坦部在所述衬底基板上的正投影重叠。

9.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述有机斜坡部的斜率连续变化。

10.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述有机斜坡部包括第一斜坡子部和第二斜坡子部，所述第二斜坡子部位于所述第一斜坡子部的朝向所述有机平坦部的一侧；所述第一斜坡子部的平均斜率大于所述第二斜坡子部的平均斜率。

11.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述有机结构包括挡墙，所述挡墙至少部分围绕所述显示区，包括位于所述显示区至少一侧的第一挡墙部，所述触控走线包括第一走线部，所述第一走线部的延伸方向和所述第一挡墙部的延伸方向交叉，至少部分所述第一走线部在所述衬底基板上的正投影与所述第一挡墙部在所述衬底基板上的正投影重叠。

12.根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述第一挡墙部包括在远离所述显示区的方向间隔排布的多个子挡墙，所述第一子部包括所述第一走线部的位于所述多个子挡墙中相邻的子挡墙之间的第一部分，所述第二子部包括所述第一走线部的位于所述多个子挡墙的远离所述衬底基板一侧的第二部分。

13.根据权利要求12所述的显示面板，其中，所述第一部分在其延伸方向上的长度与在其延伸方向的垂直方向上的宽度的比值范围为1.4~3.4。

14.根据权利要求12所述的显示面板，其中，所述第一部分在其延伸方向上的长度与所述多个子挡墙中的每个的宽度的比值范围为0.7~1.3；

所述多个子挡墙的宽度所在方向垂直于所述多个子挡墙的延伸方向。

15.根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述驱动电路层包括像素驱动电路以及与所述像素驱动电路电连接的数据线，所述显示结构层包括发光器件，所述像素驱动电路配置为与所述发光器件电连接以驱动所述发光器件，所述数据线配置为向所述像素驱动电路提供数据信号，所述周边区还包括扇出数据信号线，所述扇出数据信号线与所述数据线电连接，

所述扇出数据信号线在所述衬底基板的正投影与所述第一挡墙部在所述衬底基板的正投影至少部分重叠；所述扇出数据信号线在所述衬底基板的正投影与所述第一走线部在所述衬底基板的正投影至少部分重叠。

16.根据权利要求15所述的显示面板，其中，至少部分所述扇出数据信号线的延伸方向与所述第一挡墙部的延伸方向交叉，且与所述第一走线部的延伸方向交叉。

17.根据权利要求16所述的显示面板，其中，所述第一挡墙部和所述第一走线部的延伸方向基本垂直。

18.根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述触控走线包括第一子走线层和位于所述第一子走线层远离所述衬底基板一侧的第二子走线层；

所述显示面板还包括触控绝缘层，所述触控绝缘层设置在所述第一子走线层和所述第二子走线层之间，包括过孔，所述第一子走线层和所述第二子走线层通过所述过孔电连接；

在垂直于所述第一表面的方向上，所述过孔与所述第一挡墙部至少部分重叠。

19.根据权利要求18所述的显示面板，其中，所述过孔在所述衬底基板上的正投影位于所述第二高度部在所述衬底基板上的正投影内。

20.根据权利要求19所述的显示面板，其中，所述过孔在所述衬底基板上的正投影的面积与所述第二高度部在所述衬底基板上的正投影的面积的比值大于0.2小于0.8。

21.根据权利要求18所述的显示面板，其中，所述第一高度部和所述第二高度部的分界线与所述过孔的至少一个分界线基本平齐。

22.根据权利要求12所述的显示面板，还包括屏蔽结构，其中，所述屏蔽结构在所述衬底基板上的正投影与所述多个子挡墙的至少一个在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠，

所述屏蔽结构包括第一屏蔽结构和第二屏蔽结构，所述第一屏蔽结构相对于所述第一表面的高度大于所述第二屏蔽结构相对于所述第一表面的高度；

在垂直于所述第一表面的方向上，所述第一高度部和所述第二高度部的分界线与所述第一屏蔽结构至少部分重叠。

23.根据权利要求22所述的显示面板，其中，所述多个子挡墙的至少一个包括层叠的第一子膜层和位于所述第一子膜层远离所述衬底基板一侧的第二子膜层，所述第一屏蔽结构位于所述第一子膜层和所述第二子膜层之间，所述第二屏蔽结构位于所述第二子膜层的靠近所述衬底基板的一侧，且在垂直于所述衬底基板的方向上与所述第一子膜层不重叠。

24.根据权利要求22所述的显示面板，其中，在平行于所述第一表面的方向上，所述第一高度部和所述第二高度部的分界线与第一屏蔽结构的边缘之间的最小距离与所述第一屏蔽结构在所述触控走线的延伸方向上的宽度的比值范围为0.3~0.6。

25.根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述触控走线还包括第三子部和第四子部，所述有机结构还包括第一有机结构，所述第一有机结构覆盖所述显示区及部分所述周边区，且所述第一有机结构位于所述挡墙的靠近所述显示区的一侧且与所述挡墙间隔设置，所述第三子部位于所述第一有机结构和所述挡墙之间，所述第四子部位于所述第一有机结构的远离所述衬底基板的一侧；

至少部分所述第四子部在各个位置处的线宽与所述第四子部在各个位置处的距离所述第一表面的距离成反比。

26.根据权利要求25所述的显示面板，其中，所述第一有机结构靠近所述挡墙的边缘与所述第三子部和所述第四子部的延伸方向交叉。

27.根据权利要求25所述的显示面板，其中，所述第四子部的平均线宽小于所述第三子部的平均线宽。

28.根据权利要求25所述的显示面板，其中，所述触控走线还包括第五子部和第六子部，所述有机结构还包括第二有机结构，所述第二有机结构位于所述挡墙的远离所述显示区的一侧，且与所述挡墙间隔设置，所述第五子部位于所述挡墙和所述第二有机结构之间，所述第六子部位于所述第二有机结构的远离所述衬底基板的一侧；

至少部分所述第六子部的在各个位置处的线宽与所述第六子部在各个位置处的距离所述第一表面的距离成反比。

29.根据权利要求28所述的显示面板，其中，所述第二有机结构靠近所述挡墙的边缘与所述第五子部和所述第六子部的延伸方向交叉。

30.根据权利要求29所述的显示面板，其中，所述第六子部的平均线宽小于所述第五子部的平均线宽。

31.根据权利要求28所述的显示面板，其中，所述第一有机结构靠近所述挡墙一侧的斜坡与所述第一表面之间形成第一坡度角，所述第二有机结构靠近所述挡墙一侧的斜坡与所述第一表面之间形成第二坡度角，所述挡墙的斜坡与所述第一表面之间形成第三坡度角；

所述第一坡度角与所述第三坡度角的差小于等于20°；和/或

所述第二坡度角与所述第三坡度角的差小于等于20°。

32.一种显示装置，包括权利要求1-31任一所述的显示面板。

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