CN110875348A - 显示设备 - Google Patents

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朴宰弘
金成云
南敏基
朴卿元
宋东翰
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Abstract

提供了一种显示设备。该显示设备包括：衬底；多个像素，位于衬底上，以及像素中的每一个包括第一子像素至第三子像素，第一子像素至第三子像素各自包括配置成发射光的至少一个发光二极管；以及颜色转换层，包括分别与第一子像素至第三子像素对应的第一颜色转换图案至第三颜色转换图案，第一颜色转换图案至第三颜色转换图案中的每一个配置成透射光或将光转换成不同颜色的光。第一子像素至第三子像素中的每一个的发光二极管联接至第一电极和第二电极。第一颜色转换图案至第三颜色转换图案中的至少一个包括钙钛矿化合物。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年8月29日提交的第10-2018-0102240号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开的各种实施方式涉及显示设备。
背景技术
即使在恶劣的环境条件下，发光二极管(LED)也可具有相对合适的或令人满意的耐用性，并且在寿命和亮度方面具有优异的性能。最近，将这种LED应用于各种显示设备的研究已经变得明显更加活跃。
作为这种研究的一部分，正在研发使用无机晶体结构(例如，通过生长氮基半导体而获得的结构)制造具有与微米级或纳米级对应的小尺寸的LED的技术。例如，LED可制造得足够小以形成自发光显示设备等的像素。
发明内容
本公开的各种实施方式在于具有改善的色域的显示设备。
本公开的实施方式可提供一种显示设备，该显示设备包括：衬底；多个像素，位于衬底上，像素中的每一个包括第一子像素至第三子像素，第一子像素至第三子像素各自包括配置成发射光的至少一个发光二极管；以及颜色转换层，包括分别与第一子像素至第三子像素对应的第一颜色转换图案至第三颜色转换图案，第一颜色转换图案至第三颜色转换图案中的每一个配置成透射光或将光转换成不同颜色的光。第一子像素至第三子像素中的每一个的发光二极管可联接至第一电极和第二电极。第一颜色转换图案至第三颜色转换图案中的至少一个可包括钙钛矿化合物。
在实施方式中，第一颜色转换图案至第三颜色转换图案中的两个各自可包括钙钛矿化合物。
在实施方式中，各自包括钙钛矿化合物的颜色转换图案是第一颜色转换图案和第二颜色转换图案，并且第一颜色转换图案可配置成将光转换成红色光，第二颜色转换图案可配置成将光转换成绿色光，并且第三颜色转换图案可配置成透射光。
在实施方式中，第一颜色转换图案和第二颜色转换图案中的至少一个还可包括量子点。
在实施方式中，所述第一子像素至所述第三子像素的发光二极管可配置成发射蓝色光。
在实施方式中，第一颜色转换图案至第三颜色转换图案中的一个可包括钙钛矿化合物，并且第一颜色转换图案至第三颜色转换图案中的另一个可包括量子点。
在实施方式中，第一颜色转换图案可包括配置成将光转换成红色光的量子点，并且第二颜色转换图案可包括配置成将光转换成绿色光的钙钛矿化合物。
在实施方式中，第二颜色转换图案还可包括量子点。
在实施方式中，发光二极管可配置成发射蓝色光。
在实施方式中，钙钛矿化合物可由以下化学式1表示：
AMX3 [化学式1]
其中，A可为一价有机阳离子或者一价过渡金属或碱金属阳离子，M可为二价过渡金属、稀土金属、碱土金属、Pb、Sn、Ge、Ga、In、Al、Sb、Bi或Po阳离子，X可从由卤素阴离子及其组合组成的群组中选择，以及A、M和X中的两个或更多可为相同或不同的。
在实施方式中，钙钛矿化合物可由以下化学式2表示：
A3M2X9 [化学式2]
其中，A可从由一价有机阳离子、一价过渡金属和碱金属阳离子及其组合组成的群组中选择，M可从由三价阳离子及其组合组成的群组中选择，X可从由卤素阴离子及其组合组成的群组中选择，以及A、M和X中的两个或更多可为相同或不同的。
在实施方式中，钙钛矿化合物可由以下化学式3表示：
A2MM'X6 [化学式3]
其中，A可从由一价有机阳离子、一价过渡金属和碱金属阳离子及其组合组成的群组中选择，M可为一价过渡金属、碱金属或In阳离子，M'可为三价阳离子，X可从由卤素阴离子及其组合组成的群组中选择，以及A、M和X中的两个或更多可为相同或不同的。
在实施方式中，钙钛矿化合物可由以下化学式4表示：
A2MX4 [化学式4]
其中，A可从由一价有机阳离子、一价过渡金属和碱金属阳离子及其组合组成的群组中选择，M可为过渡金属或其他合适的金属的二阶阳离子，X可从由卤素阴离子及其组合组成的群组中选择，以及A、M和X中的两个或更多可为相同或不同的。
在实施方式中，钙钛矿化合物可具有从由量子点、纳米晶体、纳米板、纳米片及其组合组成的群组中选择的形式。
在实施方式中，第一颜色转换图案至第三颜色转换图案中的所述至少一个包括聚合物，所述聚合物与钙钛矿化合物形成组合物。
在实施方式中，第一颜色转换图案至第三颜色转换图案中的所述至少一个可通过在电介质基质中散布或堆叠钙钛矿化合物而提供。
在实施方式中，第一颜色转换图案至第三颜色转换图案中的至少一个还可包括散射体。在实施方式中，颜色转换层还可包括分别位于第一颜色转换图案至第三颜色转换图案上的第一滤色器至第三滤色器。
附图说明
附图与说明书一起示出本公开的主题的实施方式，并且与描述一起用于解释本公开的主题的实施方式的原理。
图1是示出根据本公开的实施方式的棒型发光二极管(LED)的立体图。
图2是示意性示出根据本公开的实施方式的显示设备的像素中所包括的、包括图1的棒型发光二极管的第一子像素至第三子像素的平面图。
图3是根据本公开的实施方式的沿着图2的线I-I'截取的剖视图。
图4是根据本公开的实施方式的沿着图2的线I-I'截取的剖视图。
图5是根据本公开的实施方式的沿着图2的线I-I'截取的剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图更详细地描述实施方式。本文中参考作为实施方式(和中间结构)的示意图的剖视图描述实施方式。因此，可以预期由于例如制造技术和/或公差导致的图示形状的变化。因此，实施方式不应被解释为限于本文示出的特定区域形状，而是可以包括例如由制造导致的形状偏差。在附图中，为了清楚起见，可能夸大层和区域的长度和尺寸。
在附图中，相同的附图标记表示相同的元件。在附图中，为了使本公开的主题清楚起见，结构的尺寸是根据实际而放大示出的。
诸如“第一”和“第二”的术语可用于描述各种组件，但它们不应限制各种组件。这些术语仅用于将组件与其他组件区分开的目的。例如，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，第一组件可以被称为第二组件，并且第二组件可以被称为第一组件，依次类推。此外，除非上下文另有明确说明，否则单数形式可包括复数形式。
在本申请中，术语“包括”或“具有”等用于指定存在所陈述的特征、整体、动作、操作、元件、组件或其组合，并且一个或多个其他特征不应被解释为排除一个或多个其他特征、整体、动作、操作、元件、组件或其组合的存在或添加。此外，当层、膜、区域、板等的一部分被称为在另一部分上时，这不仅包括其直接在另一部分上的情况，而且还包括其位于另一部分的中间的情况。在本公开中，当层、膜、区域、板等的一部分形成在另一部分上时，形成方向不限于上方向，而是包括侧方向或下方向。相反，当层、膜、区域、板等的一部分被称为在另一部分下时，这不仅包括其直接在下面的情况，而且还包括其位于另一部分的中间的情况。
在下文中，将参考附图对本公开的实施方式进行更详细的描述。
图1是示出根据本公开的实施方式的作为发光二极管的示例的棒型发光二极管的立体图。
虽然已经在图1中示出了具有圆柱形形状的棒型发光二极管LD，但是本公开不限于此。例如，如本文中所使用的，术语“棒型发光二极管”或“棒型LED”可指这样一种发光二极管，该发光二极管的长度比该发光二极管的宽度或圆周更长，并且可具有任何合适的形状。
参考图1，根据本公开的实施方式的棒型发光二极管LD可包括第一导电半导体层11、第二导电半导体层13和插置在第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间的有源层12。
例如，棒型发光二极管LD可配置成具有通过连续地堆叠第一导电半导体层11、有源层12和第二导电半导体层13而形成的堆叠主体。在以下描述中，为了方便解释，棒型发光二极管LD将被称为“棒型LED LD”。
在本公开的实施方式中，棒型LED LD可为在一个方向上延伸的棒的形式。如果棒型LED LD延伸的方向被限定为纵向方向，则棒型LED LD可相对于棒型LED LD延伸的纵向方向具有第一端和第二端。
在实施方式中，第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的一个可位于棒型LED LD的第一端上，并且第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的另一个可位于棒型LED LD的第二端上。
在实施方式中，棒型LED LD可具有圆柱形形状。如本文中所使用的，术语“棒型”包括在纵向方向上延伸(例如，以具有大于1的纵横比)的棒状形状或杆状形状，诸如圆柱形形状和棱柱形形状。例如，棒型LED LD的长度可大于其直径或宽度。
棒型LED LD可制造成具有小尺寸，该小尺寸具有与例如微米级尺寸或纳米级尺寸对应的直径和/或长度。
然而，根据本公开的实施方式的棒型LED LD的尺寸不限于此，并且棒型LED LD的尺寸可根据应用有棒型LED LD的显示设备的情况而改变。
第一导电半导体层11可包括例如至少一个N型半导体层。例如，第一导电半导体层11可包括包含InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和/或InN的任何半导体材料以及掺杂有诸如Si、Ge和/或Sn的第一导电掺杂物的半导体层。
形成第一导电半导体层11的材料不限于此，并且第一导电半导体层11可包括各种其他合适的材料。
有源层12可形成在第一导电半导体层11上，并且可具有单量子阱结构或多量子阱结构。在本公开的实施方式中，掺杂有导电掺杂物的镀层可形成在有源层12上和/或形成在有源层12下。例如，镀层可包括AlGaN层或InAlGaN层。此外，可采用诸如AlGaN或AlInGaN的材料来形成有源层12。
如果具有设定或预定电压或更高电压的电场施加至棒型LED LD的相对端，则棒型LED LD通过电子空穴对在有源层12中结合而发光。
第二导电半导体层13可位于有源层12上，并且可包括与第一导电半导体层11的半导体层的类型不同类型的半导体层。例如，第二导电半导体层13可包括至少一个P型半导体层。例如，第二导电半导体层13可包括包含InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和/或InN的任何半导体材料以及掺杂有诸如Mg的第二导电掺杂物的半导体层。
形成第二导电半导体层13的材料不限于此，并且第二导电半导体层13可包括各种其他合适的材料。
在本公开的实施方式中，棒型LED LD可不仅包括第一导电半导体层11、有源层12和第二导电半导体层13，而是还可包括荧光层、另一有源层、另一半导体层和/或位于每个层上和/或下的电极层。
此外，棒型LED LD还可包括绝缘膜14。在本公开的实施方式中，可省略绝缘膜14，或者绝缘膜14可仅覆盖第一导电半导体层11、有源层12和第二导电半导体层13中的一些。
例如，绝缘膜14可位于棒型LED LD的除了棒型LED LD的相对端之外的部分上，从而暴露棒型LED LD的相对端。
虽然为了方便解释而在图1中示出了绝缘膜14的一部分已经从其移除，但是实际的棒型LED LD可形成为使得棒型LED LD的圆柱体的全部(或基本上全部)侧表面由绝缘膜14包围。
绝缘膜14可包围第一导电半导体层11、有源层12和/或第二导电半导体层13的外圆周表面的至少一部分。例如，绝缘膜14可包围有源层12的外圆周表面。
在本公开的实施方式中，绝缘膜14可包括透明绝缘材料。例如，绝缘膜14可包括从由SiO2、Si3N4、Al2O3和TiO2组成的群组中选择的至少一种绝缘材料，但是它不限于此。换句话说，可采用具有绝缘性质的各种合适的材料。
如果绝缘膜14位于棒型LED LD上，则可防止或减小有源层12与第一电极和/或第二电极的短路。
此外，由于存在绝缘膜14，可最小化或减少在棒型LED LD的表面上出现缺陷，从而可改善棒型LED LD的寿命和效率。即使当多个棒型LED LD彼此接近时，绝缘膜14可防止或减少棒型LED LD的不期望的短路。
以上描述的棒型LED LD可用作各种合适的显示设备的发光源。例如，棒型LED LD可用在照明设备或自发光显示设备中。
在实施方式中，根据本公开的棒型发光二极管LD可具有这样的结构，其使得与棒型LED LD的第一导电半导体层11、有源层12和第二导电半导体层13对应的相应层纵向堆叠在发射区域上。
图2是示意性示出根据本公开的实施方式的显示设备的像素中所包括的、包括图1的棒型发光二极管的第一子像素至第三子像素的平面图。图3是根据本公开的实施方式的沿着图2的线I-I'截取的剖视图。
在图2中，为了方便解释，多个棒型LED示出为水平布置。然而，棒型LED的布置不限于此。
此外，在图2中，为了方便解释，每个棒型LED被示出为水平地定向。然而，棒型LED的定向不限于此。例如，每个棒型LED可在第一电极与第二电极之间在倾斜方向上定向。此外，为了方便解释，已经省略联接至棒型LED的晶体管和联接至晶体管的信号线的图示。
在图2中，单元发射区域可为这样的像素区域，其包括以第一子像素至第三子像素提供的像素。
参考图1至图3，根据本公开的实施方式的显示设备可包括多个像素PXL。每个像素PXL可包括位于衬底SUB上的第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。
第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3可与像素PXL中用于显示图像的像素区域对应，并且可与从其发射光的发射区域对应。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个可包括配置成发射白色光和/或彩色光的LED。每个子像素SP1、SP2、SP3可配置成发射具有从红色、绿色和蓝色中选择的任何颜色的光，并且其不限于此。例如，第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个可配置成发射具有从青色、品红色、黄色和白色中选择的任何颜色的光。
第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个可包括衬底SUB、像素电路层PCL和显示元件层DPL。
衬底SUB可包括诸如玻璃、有机聚合物和/或晶体的绝缘材料。此外，衬底SUB可由具有柔性的材料制成以便能够弯曲或折叠，并且可具有单层结构或多层结构。例如，衬底SUB可包括以下项中的至少一种：聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素。然而，可以以各种合适的方式改变衬底SUB的材料。
像素电路层PCL可包括位于衬底SUB上的缓冲层BFL、位于缓冲层BFL上的晶体管T和驱动电压线DVL。
缓冲层BFL可防止或减少杂质扩散到晶体管T中。缓冲层BFL可具有单层结构，或者可具有包括两个或更多层的多层结构。
在缓冲层BFL具有多层结构的情况下，相应的层可包括相同的材料或不同的材料。根据衬底SUB的材料或加工条件，可省略缓冲层BFL。
晶体管T可电联接至(例如，电连接至)显示元件层DPL中所包括的多个棒型LED LD以驱动棒型LED LD。晶体管T可包括半导体层SCL、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
半导体层SCL可位于缓冲层BFL上。半导体层SCL可包括与源电极SE接触的源极区域和与漏电极DE接触的漏极区域。源极区域与漏极区域之间的区域可为沟道区域。
半导体层SCL可为包括多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等的半导体图案。沟道区域可为本征半导体(例如，未掺杂的半导体图案)。源极区域和漏极区域中的每一个可为掺杂有杂质的半导体图案。
栅电极GE可位于半导体层SCL上，且栅极绝缘层GI插置在栅电极GE与半导体层SCL之间。
源电极SE和漏电极DE可分别通过穿过层间绝缘层ILD和栅极绝缘层GI的相应接触孔与半导体层SCL的源极区域和漏极区域接触。
虽然晶体管T被示出为具有顶栅结构，但是根据需要，它可具有底栅结构。
钝化层PSV可位于晶体管T上。
在一些实施方式中，驱动电压线DVL可位于层间绝缘层ILD上，并且可在平面图中在第二方向DR2上延伸。驱动电压线DVL可通过穿过钝化层PSV的接触孔电联接至(例如，电连接至)显示元件层DPL。
显示元件层DPL可包括位于钝化层PSV上的棒型LED LD。
棒型LED LD中的每一个可包括第一导电半导体层11、第二导电半导体层13和插置在第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间的有源层12。
棒型LED LD可相对于第一方向DR1包括第一端EP1和第二端EP2。第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的一个可位于第一端EP1上，并且第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的另一个可位于第二端EP2上。
棒型LED LD可配置成发射白色光或彩色光。例如，棒型LED LD可配置成发射基于蓝色的光，但是它不限于此。
在下文中，为了方便解释，彩色光将被称为“蓝色光”，但是本公开不限于此。
显示元件层DPL还可包括分隔壁PDL、第一电极EL1和第二电极EL2、第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2以及第一连接线CNL1和第二连接线CNL2。
分隔壁PDL可位于钝化层PSV上，并且可用于限定第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个中的发射区域。分隔壁PDL可包括暴露第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个中所包括的棒型LED LD的开口。
在该实施方式中，相邻的分隔壁PDL可在彼此间隔开设定距离或预定距离的位置处位于衬底SUB上方。例如，相邻的分隔壁PDL可在彼此间隔开大于棒型LED LD的长度的距离的位置处位于衬底SUB上方。每个分隔壁PDL可包括包含无机材料或有机材料的绝缘材料，但是它不限于此。
在本公开的实施方式中，分隔壁PDL可由包括有机材料的绝缘材料制成。例如，分隔壁PDL可包括从聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈(PAN)、聚酰胺(PA)、聚酰亚胺(PI)、聚芳醚(PAE)、杂环聚合物、聚对二甲苯、环氧树脂、苯并环丁烯(BCB)、硅氧烷基树脂和硅烷基树脂中选择的至少一种。
第一绝缘层INS1可位于包括分隔壁PDL的衬底SUB上。第一绝缘层INS1可覆盖第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个中的棒型LED LD中的每一个的上表面的一部分。由于第一绝缘层INS1的上述结构，每个棒型LED LD的第一端EP1和第二端EP2可暴露于外部。
第一电极EL1可位于钝化层PSV上。第一电极EL1可以与相应的棒型LED LD的第一端EP1或第二端EP2相邻，并且可以通过第一接触电极CNE1电联接至相应的棒型LED LD。
第一电极EL1可通过接触孔与驱动电压线DVL电联接。
第一电极EL1可设置为第一连接线CNL1的一部分，或者可以呈从第一连接线CNL1延伸的凸出部的形式。第一连接线CNL1可为配置成当相应的棒型LED LD对齐时向第一电极EL1施加电压的线。
第二电极EL2可邻近于相应的棒型LED LD的第一端EP1和第二端EP2中的另一者，并且可通过第二接触电极CNE2电联接至相应的棒型LED LD。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中所包括的相应的第二电极EL2可通过第二连接线CNL2电联接(例如，电连接)。
第二电极EL2可通过穿过钝化层PSV的接触孔CH电联接至(例如，电连接至)晶体管T的漏电极DE，使得可通过晶体管T为第二电极EL2提供信号。
第二电极EL2可设置为第二连接线CNL2的一部分，或者可呈从第二连接线CNL2延伸的凸出部的形式。第二连接线CNL2可为配置成当相应的棒型LED LD对齐时向第二电极EL2施加电压的线。
在本公开的实施方式中，第一电极EL1和第一连接线CNL1可以整体地设置，并且第二电极EL2和第二连接线CNL2可以整体地设置。
第一电极EL1和第二电极EL2可位于相同(基本上相同)的平面上，并且可具有相同(或基本上相同)的高度。如果第一电极EL1和第二电极EL2具有相同(或基本上相同)的高度，则棒型LED LD可以更可靠地联接至第一电极EL1和第二电极EL2。
第一电极EL1、第二电极EL2、第一连接线CNL1和第二连接线CNL2可包括相同(或基本上相同)的材料。例如，第一电极EL1、第二电极EL2、第一连接线CNL1和第二连接线CNL2可包括导电材料。
导电材料可包括金属(诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr)或它们的合金、导电氧化物(诸如，铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)或铟锡锌氧化物(ITZO))以及导电聚合物(诸如，PEDOT)。
虽然第一电极EL1、第二电极EL2、第一连接线CNL1和第二连接线CNL2中的每一个可具有单层，但是它不限于此，并且它可具有例如通过堆叠两层或更多层形成的多层结构，其中，所述两层或更多层各自包括金属、合金、导电氧化物或导电聚合物。这里，第一电极EL1、第二电极EL2、第一连接线CNL1和第二连接线CNL2的材料不限于上述材料。例如，第一电极EL1、第二电极EL2、第一连接线CNL1和第二连接线CNL2可由具有设定或预定反射率的导电材料制成，以允许从棒型LED LD的相对端发射的光在显示图像的方向上(例如，在正面方向上)传播。
棒型LED LD可在第一电极EL1和第二电极EL2之间位于衬底SUB上方。可通过形成在第一电极EL1与第二电极EL2之间的电场来诱导棒型LED LD自对准。这里，每个棒型LEDLD可以是沿第一方向DR1延伸的棒的形式。
棒型LED LD的第一端EP1可邻近于第一电极EL1，并且棒型LED LD的第二端EP2可邻近于第二电极EL2的一侧。
用于将第一电极EL1和相应的棒型LED LD电气和/或物理可靠地联接(例如，连接)的第一接触电极CNE1可位于第一电极EL1上。在平面图中，第一接触电极CNE1可与第一电极EL1重叠。
第一接触电极CNE1可与第一电极EL1欧姆接触。
棒型LED LD的第一端EP1可通过第一接触电极CNE1电气和/或物理可靠地联接至第一电极EL1。由此，施加至驱动电压线DVL的电压可通过第一电极EL1和第一接触电极CNE1施加至相应的棒型LED LD的第一端EP1。
第一接触电极CNE1可由诸如ITO、IZO或ITZO的透明导电材料制成，以允许从棒型LED LD发射的光穿过第一接触电极CNE1，但是它不限于此。
在平面图中，第一接触电极CNE1可覆盖第一电极EL1并与第一电极EL1重叠。此外，第一接触电极CNE1可与棒型LED LD的第一端EP1部分地重叠。
第二绝缘层INS2可位于包括第一接触电极CNE1的衬底SUB上。第二绝缘层INS2可防止或减少第一接触电极CNE1暴露于外部，因此防止或减少第一接触电极CNE1的腐蚀。第二绝缘层INS2可包括包含无机材料的无机绝缘层或包含有机材料的有机绝缘层。
用于将第二电极EL2和相应的棒型LED LD电气和/或物理可靠地联接(例如，连接)的第二接触电极CNE2可位于第二电极EL2上。在平面图中，第二接触电极CNE2可与第二电极EL2重叠。
第二接触电极CNE2可与第二电极EL2欧姆接触。棒型LED LD的相应的第二端EP2可通过第二接触电极CNE2电联接至第二电极EL2。由此，晶体管T的电压可通过第二电极EL2和第二接触电极CNE2施加至棒型LED LD的相应的第二端EP2。
照此，由于设定或预定电压通过第一电极EL1和第二电极EL2施加至棒型LED LD的相对的第一端EP1和第二端EP2，因此棒型LED LD可发射蓝色光。
第二接触电极CNE2可由与第一接触电极CNE1的材料相同(基本上相同)的材料制成，但是它不限于此。
第三绝缘层INS3可位于其上设置有第二接触电极CNE2的衬底SUB上。第三绝缘层INS3可覆盖第二接触电极CNE2，使得可防止或减少位于第三绝缘层INS3下方的第二接触电极CNE2暴露于外部和被腐蚀。第三绝缘层INS3可包括包含无机材料的无机绝缘层或包含有机材料的有机绝缘层。
显示设备还可包括位于第三绝缘层INS3上的颜色转换层CCL。
颜色转换层CCL可配置成根据每个子像素将从棒型LED LD发射的蓝色光转换成具有设定或特定颜色的光。
在本公开的实施方式中，颜色转换层CCL可包括第一颜色转换图案CCP1、第二颜色转换图案CCP2和第三颜色转换图案CCP3。这里，第一颜色转换图案CCP1、第二颜色转换图案CCP2和第三颜色转换图案CCP3可与相应的子像素对应。
例如，第一颜色转换图案CCP1可与第一子像素SP1对应，第二颜色转换图案CCP2可与第二子像素SP2对应，并且第三颜色转换图案CCP3可与第三子像素SP3对应。
在本公开的实施方式中，第一颜色转换图案CCP1、第二颜色转换图案CCP2和第三颜色转换图案CCP3可具有以下配置。
第一颜色转换图案CCP1至第三颜色转换图案CCP3中的至少一个颜色转换图案可包括颜色转换颗粒。例如，第一颜色转换图案CCP1至第三颜色转换图案CCP3中的两种颜色转换图案可包括颜色转换颗粒。
在实施方式中，第一颜色转换图案CCP1和第二颜色转换图案CCP2可分别包括第一颜色转换颗粒和第二颜色转换颗粒。
第一颜色转换图案CCP1可配置成将从第一子像素SP1的棒型LED LD发射的光转换成红色光。第一颜色转换图案CCP1可吸收蓝色光，通过能量转换使其波长偏移，且因此发射具有在620nm至780nm的范围内的波长的红色光。
第一颜色转换图案CCP1可包括第一颜色转换颗粒。第一颜色转换颗粒可为钙钛矿化合物。第一颜色转换颗粒可为红色钙钛矿化合物。
每个钙钛矿化合物可为具有钙钛矿结构的化合物。如本公开中使用的，术语“钙钛矿化合物”不仅包括具有钙钛矿结构的化合物，而且还包括具有双钙钛矿结构的化合物或具有类钙钛矿结构的化合物。
具有钙钛矿结构的化合物可包括具有三个或四个相同或不同的阴离子以及携带两个或三个正电荷的两种金属阳离子的结构。具有钙钛矿结构的化合物可为由以下化学式1表示的化合物：
AMX3 [化学式1]
其中，A可为一价有机阳离子或者一价过渡金属或碱金属阳离子；M可为二价过渡金属、稀土金属、碱土金属、Pb、Sn、Ge、Ga、In、Al、Sb、Bi或Po阳离子；X可以从由卤素阴离子及其组合组成的群组中选择；以及A、M和X中的两个或更多可为相同的或不同的。
当化学式1中的A是一价有机阳离子时，具有钙钛矿结构的化合物可具有有机/无机杂化钙钛矿结构，并且有机阳离子可包括但不限于有机铵阳离子、有机磷阳离子、有机吡啶阳离子、有机咪唑阳离子或有机锍阳离子。
有机阳离子的有机基团可从氢、烷基、羟烃基、烯基、芳基及其组合中选择。烷基可以是未取代的或取代的C1至C24直链或支链烷基或者未取代的或取代的C3至C20环烷基；羟烃基可以是未取代的或取代的C1至C6羟烃基；烯基可以是未取代的或取代的C10至C20烯基；以及芳基可以从由未取代的或取代的C6至C20芳基及其组合组成的群组中选择。
例如，构成化学式1中的A的有机铵阳离子可以是由(R1R2R3R4N)+或(R1R2N＝CH-NR3R4)+表示的一价有机铵离子，其中R1至R4可以从由H、未取代的或卤素取代的C1至C24直链或支链烷基、未取代的或卤素取代的C3至C20环烷基、未取代的或卤素取代的C6至C20芳基及其组合组成的群组中独立地选择，但是不限于此。例如，有机铵阳离子可为未取代的或卤素取代的C1至C10烷基铵或C1至C10亚烷基二胺胺。在一些实施方式中，构成化学式1中的A的有机铵离子可以是甲胺、乙胺、亚甲基二胺、乙二胺、四乙基胺、苄基三甲胺或苄基三乙胺的一价阳离子，但是不限于此。
例如，构成化学式1中的A的有机磷阳离子可以是由(R1R2R3R4P)+表示的一价有机磷离子，其中R1至R4可以从由H、未取代的或卤素取代的C1至C24直链或支链烷基、未取代的或卤素取代的C3至C20环烷基、未取代的或卤素取代的C6至C20芳基及其组合组成的群组中独立地选择，但是不限于此。构成化学式1中的A的有机磷离子的示例包括但不限于四烷基磷离子(诸如，四乙基磷、四丁基磷或四苯基磷阳离子)、三乙基苄基磷(triethylbenzylphosphonium)、三甲基癸基磷(trimethyldecylphosphonium)、甲基三苯基磷(methyltriphenylphosphonium)、三丁基磷(tributylarylphosphonium)和二苯基二辛基磷(diphenyldioctylphosphonium)阳离子等。
此外，当化学式1中的A是一价过渡金属阳离子时，具有钙钛矿结构的化合物可具有过渡金属钙钛矿结构。化学式1中的A的过渡金属可为钛。
此外，当化学式1中的A是一价碱金属阳离子时，具有钙钛矿结构的化合物可具有无机金属钙钛矿结构。化学式1中的A的碱金属可为Na、K、Rb、Cs或Fr。
化学式1中的卤素阴离子可为Cl-、Br-或I-。
当具有钙钛矿结构的化合物具有有机/无机钙钛矿结构时，它具有这样的特征，即，它可发射具有高色纯度的光。例如，当具有钙钛矿结构的化合物具有无机金属钙钛矿结构时，它可具有材料稳定性的特征。
具有钙钛矿结构的化合物的示例可包括但不限于诸如CsPbX3和CsSbX3，例如，CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3、CsSbCl3、CsSbBr3和CsSbI3。
替代地，具有类钙钛矿结构的化合物可为由以下化学式2表示的化合物：
A3M2X9 [化学式2]
其中，A可以从由一价有机阳离子、一价过渡金属和碱金属阳离子及其组合组成的群组中选择；M可以从由三价阳离子及其组合组成的群组中选择；X可以从由卤素阴离子及其组合组成的群组中选择；以及A、M和X中的两个或更多可为相同的或不同的。
在下文中，将关注于与以上针对化学式1描述的定义不同的定义来描述A、M和X的定义，并且省略的内容如同以上针对化学式1所描述的那样。
在化学式2中，三价阳离子可为类金属或后过渡金属的三价阳离子，例如，Sb3+或Bi3+，但是不限于此。
具有类钙钛矿结构的化合物的示例可包括但不限于诸如Cs3Sb2X9，例如，Cs3Sb2Cl9、Cs3Sb2Br9和Cs3Sb2I9。
具有双钙钛矿结构的化合物可为由以下化学式3表示的化合物：
A2MM'X6 [化学式3]
其中，A可以从由一价有机阳离子、一价过渡金属和碱金属阳离子及其组合组成的群组中选择；M可为一价过渡金属、碱金属或In阳离子；M'可为三价阳离子；X可以从由卤素阴离子及其组合组成的群组中选择；以及A、M和X中的两个或更多可为相同的或不同的。
A、M、M'和X的定义如同以上关于化学式1或化学式2所描述的那样。
替代地，具有类钙钛矿结构的化合物可为由以下化学式4表示的化合物：
A2MX4 [化学式4]
其中，A可以从由一价有机阳离子、一价过渡金属和碱金属阳离子及其组合组成的群组中选择；M可为二价金属阳离子；X可以从由卤素阴离子及其组合组成的群组中选择；以及A、M和X中的两个或更多可为相同的或不同的。
在下文中，将关注于与以上针对化学式1描述的定义不同的定义来描述A、M和X的定义，并且省略的内容如同以上针对化学式1所描述的那样。
在化学式4中，构成M的二价金属阳离子可为过渡金属或其他合适的金属的二阶阳离子，例如，Mn2+或Zn2+，但是不限于此。
钙钛矿化合物可具有纳米晶体、纳米板、纳米片等的形式。
钙钛矿化合物可与聚合物形成组合物(例如，组合物可包括钙钛矿化合物和聚合物)。用于形成组合物的聚合物可以是例如聚苯乙烯、聚碳酸酯、丙烯腈丁二烯苯乙烯或聚氯乙烯，但是不限于此。当钙钛矿化合物与聚合物形成组合物时(例如，当钙钛矿化合物化学地或物理地结合至聚合物时)，可增加其耐水性和耐热性。
在本公开的该实施方式中，虽然第一颜色转换图案CCP1已经示出为位于第一子像素SP1的棒型LED LD上方，但是本公开不限于此。例如，第一颜色转换图案CCP1可位于第一子像素SP1中的棒型LED LD旁边或下方。第二颜色转换图案CCP2可配置成将从第二子像素SP2的棒型LED LD发射的蓝色光转换成绿色光。第二颜色转换图案CCP2可吸收蓝色光，通过能量转换使其波长偏移，且因此发射具有在500nm至565nm的范围内的波长的绿色光。
第二颜色转换图案CCP2可包括第二颜色转换颗粒。第二颜色转换颗粒可为钙钛矿化合物。第二颜色转换颗粒可为绿色钙钛矿化合物。
在本公开的该实施方式中，虽然第二颜色转换图案CCP2已经示出为位于第二子像素SP2的棒型LED LD上方，但是本公开不限于此。例如，第二颜色转换图案CCP2可位于第二子像素SP2中的棒型LED LD旁边或下方。
第一颜色转换图案CCP1和第二颜色转换图案CCP2中的至少一个还可选择性地包括量子点，例如红色量子点或绿色量子点。
量子点可以包括II族化合物半导体、III族化合物半导体、V族化合物半导体和VI族化合物半导体中的至少一种材料。更详细地，形成量子点颗粒的核纳米晶体可包括从由CdSe、CdS、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdSeTe、CdZnS、CdSeS、PbSe、PbS、PbTe、AgInZnS、HgS、HgSe、HgTe、GaN、GaP、GaAs、InP、InZnP、InGaP、InGaN、InAs和ZnO组成的群组中选择的至少一种。此外，壳纳米晶体可包括从由CdS、CdSe、CdTe、CdO、ZnS、ZnSe、ZNSeS、ZnTe、ZnO、InP、InS、GaP、GaN、GaO、InZnP、InGaP、InGaN、InZnSCdSe、PbS、TiO、SrSe和HgSe组成的群组中选择的至少一种。
例如，在核纳米晶体包括CdSe的情况下，当量子点的直径处于1nm至3nm的范围内时，可生成蓝色光，当量子点的直径处于3nm至5nm的范围内时，可生成绿色光，并且当量子点的直径处于7nm至10nm的范围内时，可生成红色光。然而，本公开不限于此。
量子点可具有本领域中通常使用的任何合适的形状，并且不受特定限制。例如，可采用球形、金字塔形状、多臂形状或立方体的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维和纳米片。
通常，量子点具有入射光的波长越大，吸收系数越小的特性。例如，当入射具有450nm或更大的波长的光时，红色量子点和绿色量子点的吸收系数显著降低。
因此，当具有450nm或更大的波长的光入射在仅包括红色量子点或绿色量子点的颜色转换层CCL上时，最终从红色量子点或绿色量子点发射的光的效率降低。
从钙钛矿化合物发射的光可具有相对小的半峰全宽(FWHM)值。换句话说，从钙钛矿化合物发射的光可表现出相对高的颜色纯度。钙钛矿化合物可类似于具有量子阱的单晶体，使得电子和空穴可直接耦合至钙钛矿化合物。钙钛矿化合物可包括相对较少的不参与发射光的部分。因此，如本公开的该实施方式中所描述的，如果颜色转换层CCL包括钙钛矿化合物，则显示设备可具有增加的色域。
因此，在蓝色光入射在诸如钙钛矿化合物上(例如，入射在绿色钙钛矿化合物上)的情况下，最终从第二子像素SP2发射的光的效率可由于吸收系数的增加而提高。
由此，可改善根据本公开的实施方式的显示设备的亮度，并且可增强最终显示在显示设备上的图像的质量。
第一颜色转换图案CCP1和第二颜色转换图案CCP2可以以这样的方式设置，即，颜色转换颗粒(即，钙钛矿化合物和/或量子点)根据颜色转换颗粒的形式均匀地或不平坦地散布或堆叠在电介质基质中。
第三颜色转换图案CCP3可允许从棒型LED LD发射的蓝色光直接穿过第三颜色转换图案CCP3。为此，第三颜色转换图案CCP3可包括透明层。
透明层可包括透明聚合物以允许从棒型LED LD发射的蓝色光穿过并直接发射。
透明层还可包括蓝色颜料。蓝色颜料可吸收外部光中所包括的红色光和绿色光中的至少一种。
包括透明层的第三颜色转换图案CCP3可配置成直接发射入射在第三颜色转换图案CCP3上的蓝色光，而不具有单独的颜色转换颗粒。因此，可增强从第三子像素SP3发射的光的强度。
第一颜色转换图案CCP1、第二颜色转换图案CCP2和第三颜色转换图案CCP3中的至少一个还可包括散射体。散射体可包括例如从TiO2、Al2O3、SiO2和ZnO中选择的至少一种，但是它不限于此。散射体可对入射在第一颜色转换图案CCP1、第二颜色转换图案CCP2和第三颜色转换图案CCP3上的光进行散射，以增加从第一颜色转换图案CCP1、第二颜色转换图案CCP2和第三颜色转换图案CCP3发射的光的强度或者使得光的正面亮度和侧面亮度均匀(或基本上均匀)。
颜色转换层CCL还可包括位于第一颜色转换图案CCP1、第二颜色转换图案CCP2与第三颜色转换图案CCP3之间的遮光图案BLP。位于第一颜色转换图案CCP1、第二颜色转换图案CCP2与第三颜色转换图案CCP3之间的遮光图案BLP可防止或减少第一颜色转换图案CCP1、第二颜色转换图案CCP2与第三颜色转换图案CCP3之间的颜色混合。
此外，遮光图案BLP中的每一个可位于相应子像素的除了发射区域之外的非发射区域处，并且可防止或降低位于非发射区域处的晶体管T、驱动电压线DVL等从外部的可视性。
遮光图案BLP可包括黑色基质，但是它不限于此。例如，遮光图案BLP可由能够阻挡光的其他合适的材料制成。
涂覆层OC可位于颜色转换层CCL上。涂覆层OC可用作用于平坦化由位于涂覆层OC下方的组件形成的台阶结构的平坦化层。此外，涂覆层OC可用作用于防止或减少氧气或水渗透到棒型LED LD中的封装层。
图4是根据本公开的实施方式的沿着图2的线I-I'截取的剖视图。
参考图1、图2和图4，根据本公开的该实施方式的显示设备可包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个可包括衬底SUB、像素电路层PCL、显示元件层DPL、颜色转换层CCL和涂覆层OC。
在以下描述中，将集中于本实施方式与先前实施方式之间的差异来解释根据本实施方式的显示设备，并且将不在这里重复其冗余解释。
第一颜色转换图案CCP1'可包括第一颜色转换颗粒。第一颜色转换颗粒可为量子点。
例如，第一颜色转换图案CCP1'可配置成将从第一子像素SP1的棒型LED LD发射的光转换成红色光。这里，第一颜色转换颗粒可为红色量子点。
第二颜色转换图案CCP2'可包括第二颜色转换颗粒。第二颜色转换颗粒可为钙钛矿化合物。
例如，第二颜色转换图案CCP2'可配置成将从第二子像素SP2的棒型LED LD发射的光转换成绿色光。这里，第二颜色转换颗粒可为绿色钙钛矿化合物。
第二颜色转换颗粒还可包括量子点，例如，绿色量子点。
图5是根据本公开的实施方式的沿着图2的线I-I'截取的剖视图。
参考图1、图2和图5，根据本公开的该实施方式的显示设备可包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个可包括衬底SUB、像素电路层PCL、显示元件层DPL、颜色转换层CCL和涂覆层OC。
在以下描述中，将集中于本实施方式与先前实施方式之间的差异来解释根据本实施方式的显示设备，并且将不在这里重复其冗余解释。
在本公开的该实施方式中，颜色转换层CCL还可包括分别位于第一颜色转换图案CCP1、第二颜色转换图案CCP2和第三颜色转换图案CCP3上的第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。
例如，第一滤色器CF1可与第一颜色转换图案CCP1对应，第二滤色器CF2可与第二颜色转换图案CCP2对应，并且第三滤色器CF3可与第三颜色转换图案CCP3对应。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的每一个可位于与从颜色转换层CCL发射的光传播的至少一个方向对应的位置处。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的每一个可配置成根据相应的子像素仅透射从相应的颜色转换图案CCP1、CCP2和CCP3发射的光中的设定或特定颜色(例如，红色、绿色和蓝色)的光。在实施方式中，第一滤色器CF1可配置成透射从第一颜色转换图案CCP1发射的红色光，并阻挡除了红色光之外的光。第二滤色器CF2可配置成透射从第二颜色转换图案CCP2发射的绿色光，并阻挡除了绿色光之外的光。第三滤色器CF3可配置成透射从第三颜色转换图案CCP3发射的蓝色光，并阻挡除了蓝色光之外的光。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的每一个可包括感光树脂，感光树脂包括与相关联的子像素对应的设定或特定颜色的颜料。在实施方式中，第一滤色器CF1可包括具有红色颜料的感光树脂，第二滤色器CF2可包括具有绿色颜料的感光树脂，并且第三滤色器CF3可包括具有蓝色颜料的感光树脂。
可以在各种合适的电子设备中采用根据本公开的实施方式的显示设备。例如，显示设备可以应用于电视、笔记本电脑、蜂窝电话、智能手机、智能平板(PD)、便携式多媒体播放器(PMP)、个人数字助理(PDA)、导航设备、诸如智能手表的各种合适种类的可穿戴设备等。
本公开的各种实施方式可以提供具有改善的显示质量(例如，改善的色域)的显示设备。
如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。诸如“中的至少一个”的表达在位于元件的列表之后时，修饰元件的整个列表而不修饰列表中的单独的元件。
如本文中所使用的，术语“基本上”、“约”和类似术语用作近似术语而不是程度术语，并且旨在解释将由本领域普通技术人员认识到的测量值或计算值中的固有偏差。此外，当描述本公开的实施方式时，“可(may)”的使用是指“本公开的一个或多个实施方式”。如本文中所使用的，术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可以被认为分别与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同义。此外，术语“示例性”旨在表示示例或说明。
此外，本文所述的任何数值范围旨在包括包含于所记载的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0到10.0”的范围旨在包括所记载的最小值1.0和所记载的最大值10.0之间(包含本数)的所有子范围，即，诸如具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，例如，2.4至7.6。本文记载的任何最大数值极限旨在包括包含于其中的所有较小的数值极限，并且本说明书中所记载的任何最小数值极限旨在包括包含于其中的所有较高的数值极限。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求)的权利，以明确地记载包含在本文明确记载的范围内的任何子范围。
本公开所属领域的技术人员应理解，在不脱离本公开的技术精神或范围的情况下，本公开可以以其他详细形式实施。因此，应理解，上述实施方式在所有方面仅是示例性的而不是限制性的。意图在于，本公开的范围应由所附权利要求及其等同限定而并非由上述描述限定，并且可以从所附权利要求的含义、范围和等同概念推导出的各种修改、添加和替换落入本公开的范围内。

Claims (10)

1.显示设备，包括：
衬底；
多个像素，位于所述衬底上，所述像素中的每一个包括第一子像素至第三子像素，所述第一子像素至所述第三子像素各自包括配置成发射光的至少一个发光二极管；以及
颜色转换层，包括分别与所述第一子像素至所述第三子像素对应的第一颜色转换图案至第三颜色转换图案，所述第一颜色转换图案至所述第三颜色转换图案中的每一个配置成透射所述光或将所述光转换成不同颜色的光，
其中，所述第一子像素至所述第三子像素中的每一个的所述发光二极管联接至第一电极和第二电极，以及
其中，所述第一颜色转换图案至所述第三颜色转换图案中的至少一个包括钙钛矿化合物。
2.根据权利要求1所述的显示设备，
其中，所述第一颜色转换图案至所述第三颜色转换图案中的两个颜色转换图案各自包括钙钛矿化合物，
其中，各自包括所述钙钛矿化合物的所述颜色转换图案是所述第一颜色转换图案和所述第二颜色转换图案，以及
其中，所述第一颜色转换图案配置成将所述光转换成红色光，所述第二颜色转换图案配置成将所述光转换成绿色光，以及所述第三颜色转换图案配置成透射所述光。
3.根据权利要求1所述的显示设备，
其中，所述第一颜色转换图案至所述第三颜色转换图案中的一个包括钙钛矿化合物，并且所述第一颜色转换图案至所述第三颜色转换图案中的另一个包括量子点，以及
其中，所述第一颜色转换图案包括配置成将所述光转换成红色光的量子点，以及所述第二颜色转换图案包括配置成将所述光转换成绿色光的钙钛矿化合物。
4.根据权利要求2或权利要求3所述的显示设备，其中，所述第一颜色转换图案和所述第二颜色转换图案中的至少一个还包括量子点。
5.根据权利要求2或权利要求3所述的显示设备，其中，所述第一子像素至所述第三子像素的所述发光二极管配置成发射蓝色光。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述钙钛矿化合物由从包括以下化学式1、化学式2、化学式3和化学式4的群组中选择的一个来表示：
AMX3[化学式1]其中，A是一价有机阳离子或者一价过渡金属或碱金属阳离子，M是二价过渡金属、稀土金属、碱土金属、Pb、Sn、Ge、Ga、In、Al、Sb、Bi或Po阳离子，X从由卤素阴离子及其组合组成的群组中选择，以及A、M和X中的两个或更多是相同或不同的；
A3M2X9[化学式2]其中，A从由一价有机阳离子、一价过渡金属和碱金属阳离子及其组合组成的群组中选择，M从由三价阳离子及其组合组成的群组中选择，X从由卤素阴离子及其组合组成的群组中选择，以及A、M和X中的两个或更多是相同或不同的；
A2MM'X6[化学式3]其中，A从由一价有机阳离子、一价过渡金属和碱金属阳离子及其组合组成的群组中选择，M是一价过渡金属、碱金属或In阳离子，M'是三价阳离子，X从由卤素阴离子及其组合组成的群组中选择，以及A、M和X中的两个或更多是相同或不同的；
A2MX4[化学式4]其中，A从由一价有机阳离子、一价过渡金属和碱金属阳离子及其组合组成的群组中选择，M是二价金属阳离子，X从由卤素阴离子及其组合组成的群组中选择，以及A、M和X中的两个或更多是相同或不同的。
7.根据权利要求1所述的显示设备，
其中，所述钙钛矿化合物具有从由量子点、纳米晶体、纳米板、纳米片及其组合组成的群组中选择的形式，以及
其中，所述第一颜色转换图案至所述第三颜色转换图案中的所述至少一个包括聚合物，所述聚合物与所述钙钛矿化合物形成组合物。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一颜色转换图案至所述第三颜色转换图案中的所述至少一个通过在电介质基质中散布或堆叠所述钙钛矿化合物而提供。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一颜色转换图案至所述第三颜色转换图案中的至少一个还包括散射体。
10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述颜色转换层还包括分别位于所述第一颜色转换图案至所述第三颜色转换图案上的第一滤色器至第三滤色器。
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