TW202204940A - 顯示裝置 - Google Patents

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趙顯敏
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Abstract

本發明提供一種顯示裝置，包括：第一基板，第一基板設置有複數個子像素；複數個濾色層，複數個濾色層配置於第一基板上；堤層，堤層配置於濾色層上，包括配置於子像素的邊界的第一堤；顏色控制結構物，顏色控制結構物包括在濾色層中配置於第一堤所環繞區域內的複數個透光層及複數個波長變換層；發光元件層，發光元件層配置於濾色層與顏色控制結構物之間；反射層，反射層配置於顏色控制結構物上；及第一電極和第二電極，第一電極和第二電極配置於濾色層上，且其至少一部分配置於同一平面上；發光元件層包括兩端部配置於第一電極及第二電極上的複數個發光元件。

Description

顯示裝置
本發明涉及一種顯示裝置。
隨著多媒體的發展，顯示裝置的重要性正在增大。與此相應的是，正在使用諸如有機發光顯示裝置（Organic Light Emitting Display：OLED）、液晶顯示裝置（Liquid Crystal Display：LCD）等的各種種類的顯示裝置。
作為顯示裝置的用於顯示圖像的裝置，其包括諸如有機發光顯示面板或液晶顯示面板的顯示面板。其中，作為發光顯示面板，可以包括發光元件，例如就發光二極體（Light Emitting Diode：LED）而言，有將有機物用作螢光物質的有機發光二極體（OLED）及將無機物用作螢光物質的無機發光二極體等。
本發明要解決的課題是提供一種包括無機發光元件的背面發光顯示裝置。
本發明的課題不限定於以上提及的課題，且未提及的其他技術課題是本領域具有通常知識者可以從以下記載明確理解的。
本發明旨在解決上述課題的一個實施例的顯示裝置包括：第一基板，第一基板設置有複數個子像素；複數個濾色層，複數個濾色層配置於第一基板上；堤層，堤層配置於濾色層上，包括配置於子像素的邊界的第一堤；顏色控制結構物，顏色控制結構物包括在濾色層中配置於第一堤所環繞區域內的複數個透光層及複數個波長變換層；發光元件層，發光元件層配置於濾色層與顏色控制結構物之間；反射層，反射層配置於顏色控制結構物上；及第一電極和第二電極，第一電極和第二電極配置於濾色層上，且其至少一部分配置於同一平面上；發光元件層包括兩端部配置於第一電極及第二電極上的複數個發光元件。
濾色層可以包括配置於第一子像素的第一濾色層及配置於第二子像素的第二濾色層，發光元件層可以包括配置於第一子像素的第一發光元件層及配置於第二子像素的第二發光元件層，顏色控制結構物可以包括配置於第一子像素的第一透光層及配置於第二子像素的第一波長變換層。
從第一發光元件層釋放的光可以經透光層，在反射層反射，通過第一濾色層射出到第一基板的下面，從第二發光元件層釋放的光可以經第一波長變換層，在反射層反射，通過第二濾色層射出到第一基板的下面。
發光元件層可以釋放第一色的光，第一子像素可以射出第一色的光，第二子像素可以射出與第一色不同的第二色的光。
濾色層可以進一步包括配置於第三子像素的第三濾色層，發光元件層可以進一步包括配置於第三子像素的第三發光元件層，顏色控制結構物可以進一步包括配置於第三子像素的第二波長變換層，第三子像素可以射出與第一色及第二色不同的第三色的光。
可以進一步包括遮光構件，遮光構件以環繞第一濾色層和第二濾色層的方式配置，且沿厚度方向與第一堤重疊。
可以進一步包括電路層，電路層配置於第一基板與濾色層之間，包括至少一個第一電晶體和複數個配線，第一電極及第二電極可以分別與第一電晶體及配線電氣連接。
可以進一步包括配置於濾色層與電路層之間的第一平坦化層，濾色層可以直接配置於第一平坦化層上。
第一電極可以透過貫通遮光構件和第一平坦化層的第一接觸孔而與第一電晶體電氣連接，第二電極可以透過貫通遮光構件和第一平坦化層的第二接觸孔而與配線電氣連接。
電路層的第一電晶體和配線可以沿厚度方向與第一堤重疊地配置。
第一堤可以環繞子像素地配置，發光元件層的發光元件可以配置於子像素內，透光層及波長變換層可以在第一堤所環繞區域內配置於發光元件上。
堤層可以進一步包括複數個第二堤，複數個第二堤在第一堤所環繞區域內配置於濾色層上，第一電極與第二電極可以分別配置於第二堤上，且至少一部分可以直接配置於濾色層上。
可以進一步包括配置於濾色層與第二堤上的第一絕緣層，第一堤可以直接配置於第一絕緣層上。
第一絕緣層可以配置為部分地覆蓋發光元件層的第一電極及第二電極。
反射層可以也配置於第一堤上。
反射層可以包括金屬材料或低折射材料。
可以進一步包括配置於反射層上的封裝層，封裝層可以包括第一無機封裝層、配置於第一無機封裝層上的第二無機封裝層及配置於第一無機封裝層與第二無機封裝層之間的有機封裝層。
發光元件層可以進一步包括第一接觸電極及第二接觸電極，第一接觸電極與發光元件的一端部及第一電極接觸，第二接觸電極與發光元件的另一端部及第二電極接觸。
本發明旨在解決上述課題的另一實施例的顯示裝置包括：複數個子像素，複數個子像素沿第一方向及第二方向排列；堤層，堤層配置於子像素的邊界，且沿第一方向及第二方向延長；第一濾色層和第二濾色層，第一濾色層配置於第一子像素，第二濾色層配置於位於第一子像素的第二方向的第二子像素；發光元件層，發光元件層包括第一電極和第二電極及複數個發光元件，第一電極和第二電極分別配置於第一子像素及第二子像素並向第一方向延長，複數個發光元件兩端部配置於第一電極和第二電極上；顏色控制結構物，顏色控制結構物包括堤層所環繞區域中配置於第一子像素的透光層及配置於第二子像素的第一波長變換層；及反射層，反射層配置為覆蓋顏色控制結構物和堤層。
可以進一步包括遮光構件，遮光構件與堤層重疊地配置，環繞第一濾色層及第二濾色層。
遮光構件的寬度可以小於堤層的寬度，第一濾色層及第二濾色層可以部分地與堤層重疊。
透光層與第一波長變換層沿第二方向測量的寬度，可以分別小於第一濾色層及第二濾色層的沿第二方向測量的寬度。
可以進一步包括第三濾色層和第二波長變換層，第三濾色層配置於位於第二子像素的第二方向的第三子像素，第二波長變換層配置於第三子像素。
第一濾色層和第二濾色層可以沿第一方向延長，並橫跨堤層配置，遮光構件可以具有沿第一方向延長的形狀。
其他實施例的具體細節包含於詳細說明及附圖中。
一個實施例的顯示裝置包括配置於顏色控制結構物上的反射層，其能夠體現將從發光元件層釋放的光釋放到發光元件層所配置的基板下面的背面發光顯示裝置。
另外，另一個實施例的顯示裝置在基板上依序配置有濾色層、發光元件層及顏色控制結構物，因而可以在一個基板上連續執行複數個製程，可以改善顯示裝置的製程效率。
本發明實施例的效果不限於以上舉例的內容，本說明書中包含更多樣的效果。
參照下文與附圖一同詳細說明的實施例，本發明的優點及特徵以及其達成的方法將會清楚且明確。但是，本發明並非限定於以下揭露的實施例，而是可以以互不相同的多樣形態體現。並且，本實施例提供用於使本發明的揭露更完整，以向本發明所屬技術領域具有通常知識者完整地告知發明的範疇，且本發明只由申請專利範圍的範疇所定義。
指稱元件（Elements）或層在其他元件或層之「上（on）」的情形，包括在一元件直接在其他元件上的情形或中間插入有其他層或其他元件的情形。與此相同的是，用「下（Below）」「左（Left）」及「右（Right）」指稱的情形，包括與其他元件直接鄰接配置的情形或在中間插入有其他層或其他材料的情形。在通篇說明書中，相同元件符號指稱相同組成元件。
雖然為了敘述多樣組成元件而使用了「第一」「第二」等，但這些組成元件當然不由這些術語所限定。這些術語只用於將一個組成元件區別於其他組成元件。因此，下面提及的第一組成元件在本發明的技術思想內，當然也可以是第二組成元件。
下面以附圖為參考，對實施例進行說明。
圖1是一個實施例的顯示裝置的俯視示意圖。
參照圖1，顯示裝置10顯示影片或靜止圖像。顯示裝置10可以指稱提供顯示畫面的所有電子裝置。例如，提供顯示畫面的電視機、筆記型電腦、顯示器、廣告板、物聯網、行動電話、智慧型手機、平板電腦（Personal Computer）、電子錶、智慧型手錶、手錶電話、頭戴式顯示器、移動通訊終端、電子筆記本、電子書、可攜式多媒體播放器（Portable Multimedia Player，PMP）、導航儀、遊戲機、數位相機、攝影機等可以包括於顯示裝置10。
顯示裝置10包括提供顯示畫面的顯示面板。作為顯示面板的示例，可以為例如無機發光二極體顯示面板、有機發光顯示面板、量子點顯示面板、電漿顯示面板、場發射顯示面板等。在下文中，作為顯示面板的一個示例，以應用無機發光二極體顯示面板的情形為例，但並非限於此，只要是能夠應用相同的技術思想，也可以應用於其他顯示面板。
顯示裝置10可以具有多樣的形狀。例如，顯示裝置10可以具有橫向較長的矩形、縱向較長的矩形、正方形、角部（頂點）為圓形的四邊形、其他多邊形或圓形等形狀。顯示裝置10的顯示區域DPA的形狀也可以與顯示裝置10的整體形狀類似。在圖1中，例示性地繪示了橫向較長的矩形形狀的顯示裝置10及顯示區域DPA。
顯示裝置10可以包括顯示區域DPA和非顯示區域NDA。顯示區域DPA是能夠顯示畫面的區域，非顯示區域NDA是不顯示畫面的區域。顯示區域DPA可以稱為活性區域，非顯示區域NDA可以稱為非活性區域。顯示區域DPA大致佔據顯示裝置10的中央。
顯示區域DPA可以包括複數個像素PX。複數個像素PX可以按行列方向排列。各像素PX的形狀在平面上可以為矩形或正方形，但並非限定於此，也可以是各邊相對於一個方向傾斜的菱形形狀。各像素PX可以按條狀（stripe）排列或PENTILETM 排列。另外，複數個像素PX各自可以包括一個以上的釋放特定波段的光的發光元件30並顯示特定顏色。
在顯示區域DPA的周邊，可以配置有非顯示區域NDA。非顯示區域NDA可以全部或部分地環繞顯示區域DPA。顯示區域DPA為矩形形狀，非顯示區域NDA可以鄰接配置於顯示區域DPA的四邊。非顯示區域NDA可以構成顯示裝置10的邊框。在各非顯示區域NDA，可以配置有顯示裝置10所包括的配線或電路驅動部，或貼裝有外部裝置。
圖2是圖1的顯示裝置的剖面示意圖。
參照圖2，複數個像素PX可以分別包括複數個子像素PXn（n為介於1至3的整數）。例如，一個像素PX可以包括第一子像素PX1、第二子像素PX2及第三子像素PX3。第一子像素PX1可以發出第一色的光L1，第二子像素PX2可以發出第二色的光L2，且第三子像素PX3可以發出第三色的光L3。第一色可以為藍色，第二色可以為綠色，且第三色可以為紅色。不過本發明不限於此，各子像素PXn也可以發出相同顏色的光。另外，在圖2中，雖然例示性繪示了像素PX包括三個子像素PXn的情形，但不限於此，像素PX可以包括更多數量的子像素PXn。
顯示裝置10的各子像素PXn可以包括發光區域EMA及非發光區域NEA。發光區域EMA可以是配置有發光元件層EL且射出特定波段的光的區域，非發光區域可以是不配置有發光元件層EL，且光不到達不射出光的區域。
顯示裝置10包括第一基板11及配置於第一基板11上的濾色層CFL、發光元件層EL、顏色控制結構物TPL、WCL及反射層LRL。另外，顯示裝置10可以進一步包括配置於第一基板11與濾色層CFL之間的電路層CCL和配置於反射層LRL上的封裝層ENL。在第一基板11上，可以依次配置有電路層CCL、濾色層CFL、發光元件層EL、顏色控制結構物TPL、WCL及反射層LRL。
在複數個子像素PXn的邊界配置有堤層BNL，發光元件層EL配置於由堤層BNL進行區分的各子像素PXn。發光元件層EL配置於在第一基板11上配置的濾色層CFL與顏色控制結構物TPL、WCL之間，且包括複數個發光元件（圖4的「30」），其可以釋放特定波段的光。光可以通過顏色控制結構物TPL、WCL而在反射層LRL反射，並入射到濾色層CFL。一個實施例的顯示裝置10可以是光不向發光元件層EL所配置的第一基板11上部方向而是向其相反方向或第一基板11下部方向發光的背面發光型顯示裝置。從發光元件層EL釋放的光可以向第一基板11的上部方向行進，但在配置於顏色控制結構物TPL、WCL上的反射層LRL反射而可以向第一基板11下部方向射出。顯示裝置10可以是包括依次配置於第一基板11上的複數個層而只包括一個基板的背面發光顯示裝置。另外，顯示裝置10可以省略與其他基板的黏合製程，只以一個基板依次層疊各層而製造，可以改善生產製程。
下面進一步參照另一附圖，對濾色層CFL、發光元件層EL及顏色控制結構物TPL、WCL進行詳細說明。
圖3為一個實施例的顯示裝置的配置於一個像素的濾色層的俯視示意圖。圖4為一個實施例的顯示裝置的配置於一個像素的發光元件層的俯視示意圖。圖5為一個實施例的顯示裝置的配置於一個像素的顏色控制結構物的俯視示意圖。圖6是沿圖4的Q1-Q1’線、Q2-Q2’線及Q3-Q3’線截斷的剖面圖。圖7是沿圖4的 Q4-Q4’線截斷的剖面圖。在圖3至圖5中，以橫跨複數個子像素PXn邊界配置的堤層BNL為基準，繪示了濾色層CFL、發光元件層EL及顏色控制結構物TPL、WCL的概略性配置。在圖3中，繪示了濾色層CFL和遮光構件BM，在圖4中繪示了發光元件層EL，在圖5中繪示了顏色控制結構物TPL、WCL。在圖6中，繪示了橫向截斷第一子像素PX1的剖面，在圖7中，繪示了橫向截斷第一子像素PX1、第二子像素PX2及第三子像素PX3的剖面。在圖6及圖7中，進一步一同繪示了與圖4的截斷線對應部分的濾色層CFL及顏色控制結構物TPL、WCL。
結合圖2，並參照圖3至圖7，堤層BNL或第一堤45橫跨各子像素PXn的邊界配置。堤層BNL可以沿第一方向DR1及第二方向DR2延長配置，環繞子像素PXn，以區分相鄰的子像素PXn。
各子像素PXn在發光區域EMA基礎上可以進一步包括非發光區域（圖2的「NEA」）。另外，各子像素PXn可以包括配置於非發光區域NEA的子區域CBA。子區域CBA可以配置於發光區域EMA的第二方向DR2一側。子區域CBA可以配置於沿第二方向DR2相鄰的子像素PXn的發光區域EMA之間。在顯示裝置10的顯示區域DPA，可以排列有複數個發光區域EMA和子區域CBA。例如，複數個發光區域EMA與子區域CBA可以分別沿第一方向DR1反復排列，且發光區域EMA和子區域CBA可以沿第二方向DR2交替排列。另外，子區域CBA的沿第一方向DR1隔開的間隔可以小於發光區域EMA的沿第一方向DR1隔開的間隔。在子區域CBA及發光區域EMA之間，可以配置有第一堤45，他們之間的間隔可以根據第一堤45的寬度而異。在子區域CBA不配置發光元件30，且不射出光，但配置於各子像素PXn的第一電極21及第二電極22的一部分可以配置。各子像素PXn配置的第一電極21及第二電極22可以在子區域CBA彼此分離配置。
基板11可以為絕緣基板。第一基板11可以由玻璃、石英或高分子樹脂等透明的絕緣物質構成。另外，第一基板11可以為剛性基板，但也可以為能夠彎曲（Bending）、折疊（Folding）、軋製（Rolling）等的可撓性（Flexible）基板。
在第一基板11上配置有電路層CCL。電路層CCL可以包括第一導電層、半導體層、第二導電層、第三導電層、第四導電層及配置於他們之間的複數個絕緣層。在附圖中，例示性繪示了電路層CCL只配置一個第一電晶體TR1和儲存電容器及一些配線的情形，但不限於此。顯示裝置10的電路層CCL可以包括更多配線和電極及半導體層，除第一電晶體TR1之外，進一步可以包括更多數量的電晶體。例如，顯示裝置10的每個子像素PXn可以在第一電晶體TR1基礎上進一步包括一個以上的電晶體，也可以包括兩個或三個電晶體。
第一導電層BML可以配置於第一基板11上。第一導電層BML與顯示裝置10的第一電晶體TR1的有源層ACT重疊地配置。第一導電層BML包括阻斷光的材料，可以防止光入射到第一電晶體TR1的有源層ACT。作為一個示例，第一導電層BML可以以阻斷光透過的不透明的金屬物質形成。不過本發明不限於此，根據情況，第一導電層BML可以省略。
緩衝層12可以全面地配置於第一導電層BML及第一基板11上。緩衝層12是為了保護像素PX的第一電晶體TR1不受到透過不耐潮的第一基板11而滲透的水分影響而形成在第一基板11上，其可以執行表面平坦化功能。緩衝層12可以由交替層疊的複數個無機膜構成。例如，緩衝層12可以由包括諸如矽氧化物（SiOx ）、矽氮化物（SiNx ）及矽氮氧化物（SiOx Ny ）中的至少一種材料的無機層所層疊的雙重層或其交替層疊的多重層形成。或者，各層也可以由包括上述材料的一個無機層構成。
半導體層配置於緩衝層12上。半導體層可以包括第一電晶體TR1的有源層ACT，其可以與後述第二導電層的閘電極GE等部分地重疊地配置。
在例示性實施例中，半導體層可以包括多晶矽、單晶矽、氧化物半導體等。當半導體層包括氧化物半導體時，各有源層ACT可以包括複數個摻雜區域ACT_a、ACT_b及其之間的通道區域ACT_c。氧化物半導體可以為含有銦（In）的氧化物半導體。在一些實施例中，氧化物半導體可以為氧化銦錫（Indium-Tin Oxide，ITO）、氧化銦鋅（Indium-Zinc Oxide，IZO）、氧化銦鎵（Indium-Gallium Oxide，IGO）、氧化銦鋅錫（Indium-Zinc-Tin Oxide，IZTO）、氧化銦鎵鋅（Indium-Gallium-Zinc Oxide，IGZO）、氧化銦鎵錫（Indium-Gallium-Tin Oxide，IGTO）、氧化銦鎵鋅錫（Indium-Gallium-Zinc-Tin Oxide，IGZTO）等。
在另一例示性實施例中，半導體層也可以包括多晶矽。多晶矽可以是使非晶矽結晶而形成的，此時，有源層ACT的導體化區域可以分別是以雜質摻雜的摻雜區域。
第一閘極絕緣層13配置於半導體層及緩衝層12上。第一閘極絕緣層13可以發揮各電晶體的閘極絕緣膜的功能。第一閘極絕緣層13可以由包含矽氧化物（SiOx ）、矽氮化物（SiNx ）、矽氮氧化物（SiOx Ny ）中的至少一種材料的無機層層疊的雙重層或其交替層疊的多重層形成。或者，各層也可以由包含上述材料的一個無機層構成。
第二導電層配置於第一閘極絕緣層13上。第二導電層可以包括第一電晶體TR1的閘電極GE和儲存電容器的第一電容電極CSE1。閘電極GE可以與有源層ACT的通道區域ACT_c沿厚度方向重疊地配置。第一電容電極CSE1可以與後述第二電容電極CSE2沿厚度方向重疊地配置。在一些實施例中，第一電容電極CSE1可以與閘電極GE連接而實現一體化。第一電容電極CSE1可以與第二電容電極CSE2沿厚度方向重疊地配置，在其之間形成有儲存電容器。
第二導電層可以以由鉬（Mo）、鋁（Al）、鉻（Cr）、金（Au）、鈦（Ti）、鎳（Ni）、釹（Nd）及銅（Cu）中任意一種材料或其合金所構成的單一層或多重層形成，不過本發明並非限定於此。
第一保護層15配置於第二導電層上。第一保護層15可以覆蓋第二導電層地配置，以執行保護第二導電層的功能。第一保護層15可以由包含矽氧化物（SiOx ）、矽氮化物（SiNx ）、矽氮氧化物（SiOx Ny ）中的至少一種材料的無機層層疊的雙重層或其交替層疊的多重層形成。或者，各層也可以由包含上述材料的一個無機層構成。
第三導電層配置於第一保護層15上。第三導電層可以包括第一電晶體TR1的第一源/汲電極SD1和第二源/汲電極SD2、資料線DTL及第二電容電極CSE2。
第一電晶體TR1的第一源/汲電極SD1、第二源/汲電極SD2可以透過貫通第一層間絕緣層17和第一閘極絕緣層13的接觸孔而分別與有源層ACT的摻雜區域ACT_a、ACT_b接觸。另外，第一電晶體TR1的第一源/汲電極SD1可以透過又一接觸孔而與第一導電層BML電氣連接。
資料線DTL可以向顯示裝置10包括的其他電晶體（圖上未示出）接入資料訊號。雖然圖中未圖示，但資料線DTL可以與其他電晶體的源/汲電極連接而傳遞從資料線DTL接入的訊號。
第二電容電極CSE2與第一電容電極CSE1沿厚度方向重疊地配置。在一些實施例中，第二電容電極CSE2可以與第二源/汲電極SD2連接而實現一體化。
第三導電層可以以由鉬（Mo）、鋁（Al）、鉻（Cr）、金（Au）、鈦（Ti）、鎳（Ni）、釹（Nd）及銅（Cu）中的任意一種材料或其合金所構成的單一層或多重層形成，不過本發明並非限定於此。
第一層間絕緣層17配置於第三導電層上。第一層間絕緣層17可以在第三導電層與配置於其上的其他層之間執行絕緣膜的功能。另外，第一層間絕緣層17可以覆蓋第三導電層，以執行保護第三導電層的功能。第一層間絕緣層17可以由包含矽氧化物（SiOx ）、矽氮化物（SiNx ）、矽氮氧化物（SiOx Ny ）中的至少一種材料的無機層層疊的雙重層或其交替層疊的多重層形成。或者，各層也可以由包含上述材料的一個無機層構成。
第四導電層配置於第一層間絕緣層17上。第四導電層可以包括第一電壓配線VL1、第二電壓配線VL2及第一導電圖案CDP。第一電壓配線VL1接入向第一電晶體TR1供應的高電位電壓（或者，第一電源電壓），第二電壓配線VL2可以接入向第二電極22供應的低電位電壓（或者，第二電源電壓）。另外，第二電壓配線VL2也可以接入顯示裝置10生產製程中用於使發光元件30對齊所需的對齊訊號。
第一導電圖案CDP可以透過在第一層間絕緣層17形成的接觸孔而與第二電容電極CSE2連接。不過，如上所述，第二電容電極CSE2可以與第一電晶體TR1的第二源/汲電極SD2實現一體化，第一導電圖案CDP可以與第二源/汲電極SD2電氣連接。第一導電圖案CDP也可以與後述的第一電極21接觸，第一電晶體TR1可以將從第一電壓配線VL1接入的第一電源電壓透過第一導電圖案CDP傳遞給第一電極21。另一方面，附圖中雖然繪示了第四導電層包括一個第二電壓配線VL2和一個第一電壓配線VL1的情形，但本發明不限於此。第四導電層可以包括更多數量的第一電壓配線VL1和第二電壓配線VL2。
第四導電層可以由鉬（Mo）、鋁（Al）、鉻（Cr）、金（Au）、鈦（Ti）、鎳（Ni）、釹（Nd）及銅（Cu）中的任意一種或其合金所構成的單一層或多重層形成，不過本發明並非限定於此。
第一平坦化層19配置於第四導電層上。第一平坦化層19可以包括有機絕緣物質，例如包括諸如聚醯亞胺（Polyimide：PI）的有機物質，以執行表面平坦化功能。不過在一些實施例中，第一平坦化層19可以省略。
在第一平坦化層19上配置有濾色層CFL和遮光構件BM。一個實施例的顯示裝置10可以在釋放光的發光元件層EL與射出光的第一基板11之間配置有濾色層CFL。濾色層CFL如下文所述，可以僅使通過發光元件層EL和顏色控制結構物TPL、WCL及反射層LRL而入射的光的一部分通過到第一基板11的下面。
遮光構件BM可以與堤層BNL沿厚度方向重疊，且配置於非發光區域NEA。遮光構件BM可以包括將與發光區域EMA重疊的第一平坦化層19的一面露出的開口部（圖上未示出），在俯視圖上以格子形狀形成。不過，遮光構件BM也可以不配置在各子像素PXn的發光區域EMA與子區域CBA之間。遮光構件BM與堤層BNL中橫跨子像素PXn邊界的部分重疊地配置。即，遮光構件BM不是必須只環繞發光區域EMA地配置，可以包括一部分非發光區域NEA，配置於濾色層CFL所配置的子像素PXn的邊界。在一些實施例中，遮光構件BM可以以比堤層BNL的第一堤45更小的寬度形成。不過本發明不限於此，遮光構件BM也可以以與第一堤45實質上相同的寬度形成。
遮光構件BM可以包括有機物質構成。遮光構件BM透過吸收外光而能夠減小因外部光的反射所導致的顏色失真。另外，遮光構件BM可以發揮防止從發光元件層EL釋放的光侵犯鄰接的子像素PXn的作用。在一個實施例中，遮光構件BM可以全部吸收可見光波長。遮光構件BM可以包括吸光物質。例如，遮光構件BM可以由用作顯示裝置10的黑矩陣的物質構成。在另一實施例中，遮光構件BM也可以吸收可見光波長中特定波長的光，使其他特定波長的光通過。例如，遮光構件BM可以包括與一個濾色層CFL相同的物質。具體而言，遮光構件BM可以由與第一濾色層CFL1相同的物質構成。在一些實施例中，遮光構件BM也可以與第一濾色層CFL1一體化形成。
濾色層CFL可以配置於透過遮光構件BM的開口部而露出的第一平坦化層19。濾色層CFL可以包括配置於第一子像素PX1的第一濾色層CFL1、配置於第二子像素PX2的第二濾色層CFL2及配置於第三子像素PX3的第三濾色層CFL3。各濾色層CFL可以包括吸收各子像素PXn顯示的顏色波長之外波長的諸如染料或顏料的著色劑（colorant）。第一濾色層CFL1可以為藍色濾色層，第二濾色層CFL2可以為綠色濾色層，且第三濾色層CFL3可以為紅色濾色層。從發光元件層EL釋放的光可以在反射層LRL被反射，透過濾色層CFL射出到第一基板11的下面。在附圖中，例示性繪示了相鄰的濾色層CFL以遮光構件BM為基準相互隔開地配置的情形，但相鄰的濾色層CFL也可以在遮光構件BM上至少部分地重疊。
另一方面，在一些實施例中，遮光構件BM的開口部面積可以按各子像素PXn而不同。根據濾色層CFL包含的色材，遮光構件BM的開口部可以按各子像素PXn具有互不相同的面積，第一堤45也與之對應地配置，因而各子像素PXn的面積可以互不相同。例如，可以在第三子像素PX3配置有包含紅色色材的第三濾色層CFL3，第三子像素PX3的面積可以大於第一子像素PX1及第二子像素PX2。另外，可以在第二子像素PX2配置有包含綠色色材的第二濾色層CFL2，且第二子像素PX2的面積可以大於第一子像素PX1，不過本發明不限定於此。複數個子像素PXn中的至少一個可以具有與其他子像素PXn不同的面積，其大小關係可以與上述內容不同。顯示裝置10不同地設計各子像素PXn的面積，可以防止顯示裝置10對外部光的反射而導致的顯示品質下降。
濾色層CFL可以在各子像素PXn中橫跨發光區域EMA及子區域CBA配置。在附圖中，雖然例示性繪示了濾色層CFL按各子像素PXn配置而形成島型圖案的情形，但不限於此。濾色層CFL也可以橫跨整個顯示區域DPA而形成線性圖案。另外，遮光構件BM可以具有比堤層BNL的第一堤45小的寬度，濾色層CFL可以部分地與第一堤45沿厚度方向重疊。
在濾色層CFL上配置有堤層BNL和發光元件層EL。堤層BNL可以進一步包括：第一堤45，第一堤45配置於子像素PXn之間的邊界或發光區域EMA與子區域CBA之間；第二堤40，第二堤40在濾色層CFL上配置於各子像素PXn的發光區域EMA。發光元件層EL包括配置於第一子像素PX1的第一發光元件層EL1、配置於第二子像素PX2的第二發光元件層EL2及配置於第三子像素PX3的第三發光元件層EL3。各發光元件層EL可以包括第一電極21、第二電極22、發光元件30、第一接觸電極26及第二接觸電極27。另外，在發光元件層EL，可以進一步包括第一絕緣層51、第二絕緣層52、第三絕緣層53及第四絕緣層54。
在一個實施例中，堤層BNL的第二堤40可以直接配置於濾色層CFL上。複數個第二堤40可以在各子像素PXn內沿第二方向DR2延長，且不向沿第二方向DR2相鄰的其他子像素PXn延長，而配置於發光區域EMA內。另外，複數個第二堤40可以沿第一方向DR1相互隔開配置，形成在其之間配置發光元件30的區域。複數個第二堤40可以按各子像素PXn配置，在顯示裝置10的顯示區域DPA形成線性圖案。在附圖中，雖然繪示了兩個第二堤40，但不限於此。也可以根據後述的第一電極21及第二電極22的數量，配置更多數量的第二堤40。
第二堤40可以具有以濾色層CFL上面為基準至少一部分凸出的結構。第二堤40的凸出部分可以具有傾斜的側面，從發光元件30釋放的光可以朝向第二堤40的傾斜側面行進。配置於第二堤40上的第一電極21及第二電極22可以包含高反射率材料，從發光元件30釋放的光可以從配置於第二堤40側面的第一電極21及第二電極22反射而入射到顏色控制結構物TPL、WCL。即，第二堤40可以在提供供發光元件30配置的區域的同時，執行使從發光元件30釋放的光向上部方向反射的反射壁的功能。第二堤40的側面可以以線性形狀傾斜，但不限於此，第二堤40也可以具有外圍具有曲率的半圓或半橢圓形狀。在例示性實施例中，第二堤40可以包括諸如聚醯亞胺（Polyimide，PI）的有機絕緣物質，但不限於此。
複數個電極配置於第二堤40和濾色層CFL上。複數個電極可以包括第一電極21及第二電極22。第一電極21及第二電極22可以沿第二方向DR2延長，其可以彼此沿第一方向DR1隔開地配置。
第一電極21和第二電極22可以分別在子像素PXn中沿第二方向DR2延長，且在子區域CBA中與其他第一電極21及第二電極22分離。在一些實施例中，第一電極21及第二電極22可以在子區域CBA中，與配置於沿第二方向DR2相鄰的子像素PXn的其他第一電極21及第二電極22分離。不過本發明不限定於此，一些第一電極21及第二電極22也可以不按各子像素PXn分離，而是越過沿第二方向DR2相鄰的子像素PXn延長配置，或只分離第一電極21或第二電極22中任意一個電極。
第一電極21可以透過第一接觸孔CT1而與第一電晶體TR1電氣連接，且第二電極22可以透過第二接觸孔CT2而與第二電壓配線VL2電氣連接。例如，第一電極21可以在第一堤45的沿第一方向DR1延長的部分，透過貫通遮光構件BM和第一平坦化層19的第一接觸孔CT1而與第一導電圖案CDP接觸。第二電極22也可以在第一堤45的沿第一方向DR1延長的部分，透過貫通遮光構件BM和第一平坦化層19的第二接觸孔CT2而與第二電壓配線VL2接觸，不過本發明不限定於此。在一些實施例中，第一接觸孔CT1和第二接觸孔CT2也可以不與第一堤45重疊地配置於第一堤45所環繞的發光區域EMA內。此時，第一接觸孔CT1和第二接觸孔CT2可以分別貫通濾色層CFL和第一平坦化層19。
在附圖中，雖然例示性繪示了各子像素PXn配置一個第一電極21和第二電極22的情形，但不限於此。在一些實施例中，各子像素PXn配置的第一電極21和第二電極22的數量可以更多。另外，配置於各子像素PXn的第一電極21和第二電極22可以不必須具有沿一個方向延長的形狀，第一電極21和第二電極22可以以多樣結構配置。例如，第一電極21和第二電極22可以為部分地具有曲率或折彎的形狀，也可以是任意一個電極環繞另一個電極地配置。
第一電極21及第二電極22可以分別配置於第二堤40上。在一些實施例中，第一電極21和第二電極22可以分別具有大於第二堤40的寬度地形成。例如，第一電極21和第二電極22可以分別覆蓋第二堤40的外面地配置。在第二堤40的側面上分別配置有第一電極21和第二電極22，第一電極21與第二電極22之間的間隔可以窄於第二堤40之間的間隔。另外，第一電極21與第二電極22的至少一部分區域可以直接配置於濾色層CFL上，且其可以配置於同一平面上。
第一電極21及第二電極22可以包括透明性導電性物質。作為一個示例，第一電極21及第二電極22可以包含諸如氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO）、氧化銦鋅（ndium Zinc Oxide，IZO）、氧化銦錫鋅（Indium Tin-Zinc Oxide，ITZO）等的物質，但並非限定於此。在一些實施例中，第一電極21及第二電極22可以包括高反射率的導電性物質，例如作為高反射率物質，第一電極21及第二電極22可以包括諸如銀（Ag）、銅（Cu）、鋁（Al）等的金屬。此時，第一電極21及第二電極22可以使從發光元件30釋放並向第二堤40的側面行進的光向各子像素PXn的上部方向反射。
本發明不限於此，第一電極21及第二電極22也可以為由透明導電性物質和高反射率金屬層分別層疊所構成的一層以上的結構，或包括上述材料而以一個層形成。在例示性實施例中，第一電極21及第二電極22可以具有ITO/ Ag/ITO/、ITO/Ag/IZO或ITO/Ag/ITZO/IZO等的層疊結構，或是可以包含鋁（Al）、鎳（Ni）、鑭（La）等的合金。
第一電極21及第二電極22可以與發光元件30電氣連接，並接入既定電壓，以使發光元件30釋放光。例如，第一電極21及第二電極22可以透過後述的第一接觸電極26及第二接觸電極27而與發光元件30電氣連接，將接入第一電極21及第二電極22的電訊號透過第一接觸電極26及第二接觸電極27傳遞給發光元件30。
在例示性實施例中，第一電極21和第二電極22中的任意一個可以與發光元件30的正極（Anode）電極電氣連接，另一個可以與發光元件30的負極（Cathode）電極電氣連接。不過本發明不限定於此，也可以是其相反情形。
另外，各第一電極21及第二電極22為了對齊發光元件30，也可以用於在子像素PXn內形成電場。發光元件30可以借助於在第一電極21與第二電極22上形成的電場而配置於第一電極21與第二電極22之間。
第一絕緣層51配置於濾色層CFL上。第一絕緣層51可以覆蓋第二堤40及第一電極21和第二電極22地配置，且可以以第一電極21和第二電極22上面一部分露出的方式配置。換言之，第一絕緣層51實質上在濾色層CFL上全面形成，且可以包括使第一電極21和第二電極22部分地露出的開口部。
在例示性實施例中，第一絕緣層51可以在第一電極21與第二電極22之間，以上面的一部分凹陷的方式形成有交錯層。第一絕緣層51覆蓋第一電極21和第二電極22地配置，因而也可以在他們之間呈交錯層地形成。不過，不限定於此。第一絕緣層51可以在保護第一電極21和第二電極22的同時，使他們相互絕緣。另外，也可以防止配置於第一絕緣層51上的發光元件30與其他構件直接接觸而損傷。
第一堤45可以配置於第一絕緣層51上。第一堤45可以包括沿平面上第一方向DR1及第二方向DR2延長的部分，在顯示區域DPA前面配置成格子形圖案。在一個實施例中，第一堤45可以與遮光構件BM沿厚度方向重疊地配置，且具有大於遮光構件BM的寬度。遮光構件BM配置於濾色層CFL之間並對他們進行區分，相反地，第一堤45可以橫跨各子像素PXn的邊界配置，以區分相鄰的子像素PXn。
另外，第一堤45可以環繞各子像素PXn配置的發光區域EMA和子區域CBA地配置，以對其進行區分。第一電極21和第二電極22可以沿第二方向DR2延長，橫截第一堤45的沿第一方向DR1延長的部分進行配置。第一堤45的沿第二方向DR2延長的部分，配置於發光區域EMA之間的部分可以具有大於配置於子區域CBA之間部分的寬度。因此，子區域CBA之間的間隔可以小於發光區域EMA之間的間隔。
根據一個實施例，第一堤45可以形成得具有比第二堤40更大的高度。第一堤45可以在顯示裝置10生產製程的噴墨印刷製程中執行以防止墨水溢出到鄰接子像素PXn。第一堤45可以使互不相同的各子像素PXn的不同發光元件30分離，以便分散的墨水不會相互混合。另外，第一堤45可以防止顏色控制結構物TPL、WCL的材料溢出到其他子像素PXn。第一堤45可以如同第二堤40一樣包括聚醯亞胺（Polyimide，PI），但並非限定於此。
另外，發光元件30可以配置於第一絕緣層51上。複數個發光元件30可以沿第一電極21及第二電極22延長的第二方向DR2相互隔開配置，並實質上相互平行地對齊。發光元件30可以具有沿一個方向延長的形狀，第一電極21及第二電極22延長的方向與發光元件30延長的方向實質上可以構成垂直。不過本發明不限定於此，發光元件30也可以不垂直於第一電極21及第二電極22延長的方向，而是傾斜地配置。
發光元件30可以包括發光層（圖11的「36」），釋放特定波段的光。另外，發光元件30也可以根據構成發光層36的材料而釋放互不相同波段的光。不過，顯示裝置10包括顏色控制結構物TPL、WCL和濾色層CFL，各子像素PXn配置的發光元件30即使釋放相同顏色的光，各子像素PXn也可以顯示不同顏色。在一個實施例中，顯示裝置10的各發光元件層EL可以包括釋放第一色的光L1的發光元件30，且各子像素PXn可以顯示互不相同顏色的光。例如，第一子像素PX1、第二子像素PX2及第三子像素PX3可以分別射出第一色的光L1、第二色的光L2及第三色的光L3。不過，不限定於此，根據情況，各子像素PXn也可以包括互不相同種類的發光元件30。
發光元件30可以在第二堤40之間，兩端部配置於第一電極21及第二電極22上。發光元件30可以以一端部置於第一電極21上而另一端部置於第二電極22上的方式配置。發光元件30延長的長度可以長於第一電極21與第二電極22之間間隔，發光元件30的兩端部可以分別配置於第一電極21和第二電極22上。
發光元件30可以沿垂直於第一基板11上面的方向配置有複數個層。顯示裝置10的發光元件30可以以延長的一個方向與第一基板11平行的方式配置，發光元件30包括的複數個半導體層可以沿著與第一基板11上面平行的方向依次配置，不過本發明不限定於此。根據情況，當發光元件30具有不同結構時，複數個層也可以沿垂直於第一基板11的方向配置。
發光元件30的兩端部可以分別與第一接觸電極26及第二接觸電極27接觸。發光元件30在延長的一個方向側端部面不形成絕緣膜38，半導體層一部分不露出，因而露出的半導體層可以與第一接觸電極26及第二接觸電極27接觸，不過本發明不限定於此。根據情況，發光元件30可以去除絕緣膜38中至少一部分區域，由於絕緣膜38去除，半導體層的兩端部側面可以部分地露出。露出的半導體層的側面也可以與第一接觸電極26及第二接觸電極27直接接觸。
第二絕緣層52可以部分地配置於發光元件30上。作為一個示例，第二絕緣層52部分地環繞發光元件30外面地配置，發光元件30的一端部及另一端部不被覆蓋地配置。後述的第一接觸電極26及第二接觸電極27可以與第二絕緣層52未覆蓋的發光元件30的兩端部接觸。第二絕緣層52中配置於發光元件30上的部分，在平面上，在第一絕緣層51上沿第二方向DR2延長配置，從而可以在各子像素PXn內形成線性或島型圖案。第二絕緣層52可以在保護發光元件30的同時，在顯示裝置10的生產製程中固定發光元件30。
在第二絕緣層52上，可以配置有複數個第一接觸電極26及第二接觸電極27和第三絕緣層53。
複數個接觸電極可以具有沿一個方向延長的形狀。複數個接觸電極的第一接觸電極26和第二接觸電極27可以分別配置於第一電極21和第二電極22中的一部分上。第一接觸電極26配置於第一電極21上，第二接觸電極27配置於第二電極22上，第一接觸電極26和第二接觸電極27可以具有分別沿第二方向DR2延長的形狀。第一接觸電極26和第二接觸電極27可以彼此沿第一方向DR1隔開相向，其可以在各子像素PXn的發光區域EMA內形成線性圖案。
在一些實施例中，第一接觸電極26和第二接觸電極27沿一個方向測量的寬度可以分別等於或小於第一電極21和第二電極22沿一個方向測量的寬度。第一接觸電極26和第二接觸電極27在分別與發光元件30的一端部及另一端部接觸的同時，可以覆蓋第一電極21和第二電極22上面一部分地配置。
複數個第一接觸電極26及第二接觸電極27可以分別與發光元件30、第一電極21及第二電極22接觸。發光元件30在延長方向的兩端部面露出半導體層，第一接觸電極26和第二接觸電極27可以在半導體層露出的端部面與發光元件30接觸。發光元件30的一端部可以透過第一接觸電極26而與第一電極21電氣連接，另一端部可以透過第二接觸電極27而與第二電極22電氣連接。
在附圖中，雖然繪示了在一個子像素PXn配置有一個第一接觸電極26和第二接觸電極27的情形，但不限於此。第一接觸電極26和第二接觸電極27的個數可以根據在各子像素PXn配置的第一電極21和第二電極22的數量而異。
第三絕緣層53配置於第一接觸電極26上。第三絕緣層53可以使第一接觸電極26和第二接觸電極27在電氣上相互絕緣。第三絕緣層53覆蓋第一接觸電極26地配置，且在發光元件30的另一端部上可以不配置，以便發光元件30可以與第二接觸電極27接觸。第三絕緣層53可以在第二絕緣層52的上面，與第一接觸電極26及第二絕緣層52部分地接觸。第三絕緣層53的第二電極22所配置方向的側面，可以與第二絕緣層52的一側面對齊。另外，第三絕緣層53也可以配置於非發光區域，例如配置於在第一平坦化層19上配置的第一絕緣層51上，不過本發明並非限定於此。
第二接觸電極27配置於第二電極22、第二絕緣層52及第三絕緣層53上。第二接觸電極27可以與發光元件30的另一端部及第二電極22露出的上面接觸。發光元件30的另一端部可以透過第二接觸電極27而與第二電極22電氣連接。
第二接觸電極27可以部分地與第二絕緣層52、第三絕緣層53、第二電極22及發光元件30接觸。第一接觸電極26與第二接觸電極27可以借助於第二絕緣層52和第三緣層53而相互不接觸。不過本發明不限定於此，根據情況，第三絕緣層53可以省略。
第一接觸電極26及第二接觸電極27可以包括導電性物質。例如，可以包括ITO、IZO、ITZO、鋁等。作為一個示例，第一接觸電極26及第二接觸電極27可以包括透明性導電性物質，從發光元件30釋放的光可以透過第一接觸電極26及第二接觸電極27而朝向第一電極21及第二電極22行進，不過本發明並非限定於此。
第四絕緣層54可以全面配置於第一基板11上。第四絕緣層54可以發揮保護發光元件層EL的構件不受外部環境影響的功能。另外，第四絕緣層54也可以配置於第一堤45上。
第一絕緣層51、第二絕緣層52、第三絕緣層53及第四絕緣層54分別可以包括無機絕緣物質或有機絕緣物質。在例示性實施例中，第一絕緣層51、第二絕緣層52、第三絕緣層53及第四絕緣層54可以包括諸如矽氧化物（SiOx ）、矽氮化物（SiNx ）、矽氮氧化物（SiOx Ny ）、氧化鋁（Al2 O3 ）、氮化鋁（AlN）等的無機絕緣物質。或者，其為有機絕緣物質時，可以包括丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚苯樹脂、聚苯硫醚樹脂、苯環丁烯樹脂、酚酞型（cardo）樹脂、矽氧烷樹脂、倍半矽氧烷樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成樹脂等，不過本發明並非限定於此。
在發光元件層EL上配置有顏色控制結構物TPL、WCL。根據一個實施例，顏色控制結構物TPL、WCL可以配置於堤層BNL的第一堤45所環繞區域內。顏色控制結構物TPL、WCL按各子像素PXn配置，且可以配置於被第一堤45環繞區域中的發光區域EMA，在子區域CBA不配置。在子區域CBA，由於是發光元件層EL的發光元件30未配置的區域，實質上可以不釋放光。顏色控制結構物TPL、WCL可以在發光元件層EL中發光元件30配置的區域中，配置於第一堤45環繞的區域。
在一些實施例中，顏色控制結構物TPL、WCL的高度可以大於第一堤45的高度。顏色控制結構物TPL、WCL可以透過顯示裝置10生產製程中的噴墨印刷製程或光刻膠製程形成。顏色控制結構物TPL、WCL可以是在構成他們的材料噴射或塗覆於第一堤45所環繞區域內後，透過乾燥或曝光及顯影製程而形成。作為一個示例，構成顏色控制結構物TPL、WCL的材料可以包括有機物質，且具有黏性，有機物質即使噴射或塗覆到高於第一堤45的位置，也不會越過第一堤45而溢出到其他子像素PXn。因此，顏色控制結構物TPL、WCL的高度可以高於第一堤45，不過本發明不限定於此。
在各子像素PXn的發光元件層EL釋放第一色的光的實施例中，顏色控制結構物TPL、WCL可以包括配置於第一子像素PX1的透光層TPL、配置於第二子像素PX2的第一波長變換層WCL1及配置於第三子像素PX3的第二波長變換層WCL2。
透光層TPL可以包括第一基礎樹脂BRS1及配置於第一基礎樹脂BRS1內的散射體SCP。透光層TPL在保持從發光元件層EL入射的第一色的光L1的波長的狀態下使之透過。透光層TPL的散射體SCP可以發揮調節透過透光層TPL射出的光的射出路徑的作用。透光層TPL可以不包括波長變換物質。
第一波長變換層WCL1可以包括第二基礎樹脂BRS2及配置於第二基礎樹脂BRS2內的第一波長變換物質WCP1。第二波長變換層WCL2可以包括第三基礎樹脂BRS3及配置於第三基礎樹脂BRS3內的第二波長變換物質WCP2。第一波長變換層WCL1和第二波長變換層WCL2變換從發光元件層EL入射的第一色的光L1的波長並使之透過。第一波長變換層WCL1與第二波長變換層WCL2的散射體SCP可以增加波長變換效率。
散射體SCP可以為金屬氧化物粒子或有機粒子。金屬氧化物可以為，例如氧化鈦（TiO2）、氧化鋯（ZrO2）、氧化鋁（Al2 O3 ）、氧化銦（In2O3）、氧化鋅（ZnO）或氧化錫（SnO2）等，有機粒子材料可以為，例如丙烯酸類樹脂或聚氨酯類樹脂等。
第一基礎樹脂BRS1、第二基礎樹脂BRS2及第三基礎樹脂BRS3可以包含透光性有機物質。例如，第一基礎樹脂BRS1、第二基礎樹脂BRS2及至第三基礎樹脂BRS3可以包含環氧樹脂類樹脂、丙烯酸類樹脂、酚酞型（cardo）樹脂或醯亞胺類樹脂等構成。第一基礎樹脂BRS1、第二基礎樹脂BRS2及第三基礎樹脂BRS3可以均以相同的物質構成，但不限於此。
第一波長變換物質WCP1可以是將第一色的光L1變換成第二色的光L2的物質，第二波長變換物質WCP2可以是將第一色的光L1變換成第三色的光L3的物質。第一波長變換物質WCP1和第二波長變換物質WCP2可以為量子點、量子棒、螢光體等。量子點可以包括IV族奈米晶體、II-VI族化合物奈米晶體、III-V族化合物奈米晶體、IV-VI族奈米晶體或其組合。
顏色控制結構物TPL、WCL可以直接配置於發光元件層EL上。顯示裝置10由於第一堤45而具有既定高度，且可以環繞子像素PXn地配置，因而顏色控制結構物TPL、WCL的第一基礎樹脂BRS1、第二基礎樹脂BRS2及第三基礎樹脂BRS3可以直接配置於發光元件層EL的第四絕緣層54上。
根據一個實施例，顏色控制結構物TPL、WCL的透光層TPL、第一波長變換層WCL1及第二波長變換層WCL2與第一堤45環繞的發光區域EMA對應配置，且其沿第一方向DR1測量的寬度可以小於濾色層CFL的沿第一方向DR1測量的寬度。濾色層CFL配置於遮光構件BM所環繞區域內，遮光構件BM的寬度小於第一堤45，濾色層CFL可以部分地與第一堤45沿厚度方向重疊。相反地，顏色控制結構物TPL、WCL由於其寬度與第一堤45環繞的發光區域EMA實質上相同，因而可以具有小於濾色層CFL的寬度。
另外，第一基礎樹脂BRS1、第二基礎樹脂BRS2及第三基礎樹脂BRS3可以在第一堤45所環繞區域內，配置為包圍以濾色層CFL上面為基準凸出配置的發光元件層EL的發光元件30、第二堤40、第一電極21、第二電極22、第一接觸電極26及第二接觸電極27等。另外，顏色控制結構物TPL、WCL的散射體SCP及波長變換物質WCP1、WCP2可以配置於第一基礎樹脂BRS1、第二基礎樹脂BRS2及第三基礎樹脂BRS3內，且可以位於發光元件層EL的周邊。
另一方面，從各發光元件層EL釋放的光可以為相同的第一色的光L1。從發光元件30的兩端部釋放的光在配置於第二堤40上的第一電極21及第二電極22反射，且可以朝向配置於其上部的顏色控制結構物TPL、WCL行進。從配置於第一子像素PX1的第一發光元件層EL1釋放的光L1入射到透光層TPL，從配置於第二子像素PX2的第二發光元件層EL2釋放的光L1入射到第一波長變換層WCL1，且從配置於第三子像素PX3的第三發光元件層EL3釋放的光L1入射到第二波長變換層WCL2。入射到透光層TPL的光不經波長變換，以相同的第一色的光L1透過，入射到第一波長變換層WCL1的光可以變換為第二色的光L2，入射到第二波長變換層WCL2的光可以變換為第三色的光L3。各子像素PXn即使包括釋放相同顏色光的發光元件層EL，隨著在其上部配置的顏色控制結構物TPL、WCL的配置，也可以顯示互不相同顏色的光。
在顏色控制結構物TPL、WCL上配置有封蓋層CPL。封蓋層CPL可以配置為覆蓋顏色控制結構物TPL、WCL和堤層BNL的第一堤45。封蓋層CPL可以防止來自外部的水分或空氣等雜質侵入而損傷或污染顏色控制結構物TPL、WCL。另外，封蓋層CPL可以防止顏色控制結構物TPL、WCL的材料向其他構件擴散。封蓋層CPL可以由無機物質構成。例如，封蓋層CPL可以包括矽氮化物、鋁氮化物、鋯氮化物、鈦氮化物、鉿氮化物、鉭氮化物、矽氧化物、鋁氧化物、鈦氧化物、錫氧化物及矽氮氧化物等構成，不過本發明不限定於此，封蓋層CPL也可以省略。
反射層LRL配置於封蓋層CPL上。反射層LRL可以橫跨顯示區域DPA前面而覆蓋顏色控制結構物TPL、WCL和第一堤45地配置。配置於各子像素PXn的發光區域EMA的反射層LRL可以使從發光元件層EL釋放並穿過顏色控制結構物TPL、WCL的光反射。在一些實施例中，反射層LRL可以包含高反射率物質。在例示性實施例中，反射層LRL可以包含諸如銀（Ag）、銅（Cu）、鋁（Al）、鎳（Ni）、鑭（La）或其合金的物質，但並非限定於此。
一個實施例的顯示裝置10可以是包括配置於發光元件層EL上的反射層LRL而光向發光元件層EL配置的第一基板11的下面方向射出的背面發光型顯示裝置。
圖8及圖9為光從圖7的第一子像素和第二子像素釋放的情形的剖面示意圖。圖8繪示了第一色的光L1從第一子像素PX1向第一基板11的下面射出的情形，圖9繪示了第二色的光L2從第二子像素PX2向第一基板11的下面射出的情形。
參照圖8及圖9，第一發光元件層EL1的發光元件30釋放第一色的光L1，第一色的光L1可以入射到配置於第一發光元件層EL1上的透光層TPL。透光層TPL的第一基礎樹脂BRS1由透明的材料構成，第一色的光L1中一部分可以透過第一基礎樹脂BRS1，入射到配置於其上部的封蓋層CPL及反射層LRL。另外，第一色的光L1中至少一部分可以入射到配置於第一基礎樹脂BRS1內的散射體SCP，光在散射後可以入射到封蓋層CPL及反射層LRL。入射到封蓋層CPL的光可以穿過由透明材料構成的封蓋層CPL，在反射層LRL反射後重新入射到透光層TPL。入射到透光層TPL的光經過發光元件層EL，入射到第一濾色層CFL1，第一濾色層CFL1可以切斷除第一色的光L1之外的其他光通過。從第一發光元件層EL1朝向透光層TPL釋放的光，經過透光層TPL和反射層LRL及第一濾色層CFL1，第一色的光L1可以射出到第一基板11的下面。即，在第一子像素PX1中，可以向第一基板11的下面顯示第一色的光L1。在反射層LRL反射的光，可以透過圖4所示的發光區域EMA中未配置第一電極21及第二電極22的區域，例如透過第一電極21及第二電極22與第一堤45之間或第一電極21與第二電極22之間未配置發光元件30的區域，向其下部方向射出。
第二發光元件層EL2的發光元件30可以釋放第一色的光L1，第一色的光L1可以入射到配置於第二發光元件層EL2上的第一波長變換層WCL1。第一波長變換層WCL1的第二基礎樹脂BRS2由透明材料構成，第一色的光L1中一部分可以透過第二基礎樹脂BRS2，入射到配置於其上部的封蓋層CPL及反射層LRL。不過，第一色的光L1中至少一部分可以入射到第二基礎樹脂BRS2內配置的散射體SCP及第一波長變換物質WCP1，第一色的光L1被散射及波長變換，可以作為第二色的光L2入射到封蓋層CPL及反射層LRL。入射到封蓋層CPL的光可以穿過以透明材料構成的封蓋層CPL，在反射層LRL反射後重新入射到第一波長變換層WCL1。入射到第一波長變換層WCL1的光中至少一部分重新入射到散射體SCP和第一波長變換物質WCP1，且波長變換成第二色的光L2，並經過發光元件層EL入射到第二濾色層CFL2。第二濾色層CFL2可以阻斷除第二色的光L2之外的其他光通過，入射到第二濾色層CFL2的第一色的光L1不透過，而第二色的光L2可以通過。從第二發光元件層EL2朝向第一波長變換層WCL1釋放的光經過第一波長變換層WCL1、反射層LRL及第二濾色層CFL2，可以從第一基板11的下面射出第二色的光L2。即，在第二子像素PX2，可以向第一基板11的下面顯示第二色的光L2。
與此類似，雖然圖中未示出，但從第三發光元件層EL3釋放的第一色的光L1經過第二波長變換層WCL2、反射層LRL及第三濾色層CFL3，可以作為第三色的光L3而從第一基板11下面射出。即，在第三子像素PX3中，可以向第一基板11的下面顯示第三色的光L3。
一個實施例的顯示裝置10在供光釋放的發光元件層EL上部配置有顏色控制結構物TPL、WCL，從反射層LRL反射的光可以透過配置於發光元件層EL下部的濾色層CFL而射出到第一基板11下面。顯示裝置10可以是背面發光型顯示裝置，包括發光元件層EL和配置於顏色控制結構物TPL、WCL上的反射層LRL，向第一基板11的下面方向射出光。另外，一個實施例的顯示裝置10包括第一堤45，在預定區域內，濾色層CFL、發光元件層EL和顏色控制結構物TPL、WCL可以沿厚度方向依次層疊，且可以包括一個基板，例如只包括第一基板11，各子像素PXn可以顯示不同顏色。
另一方面，除了反射層LRL之外，發光元件層EL的第一電極21、第二電極22和電路層CCL的源/汲電極及複數個配線也可以包含高反射率材料。從發光元件層EL釋放的光可以穿過顏色控制結構物TPL、WCL而在反射層LRL反射，借助於電極及配線而數次反射並再循環（Recycling）。不過，反射層LRL配置為全部覆蓋顏色控制結構物TPL、WCL和第一堤45，電極及配線只配置於各子像素PXn的一部分，因而在反射層LRL反射的光量會比被電極及配線反射的光量更多，從各子像素PXn的發光元件層EL釋放的光，大部分可以射出到第一基板11的下面。另外，在一些實施例中，也可以調節發光元件層EL和在其下部配置的電路層CCL的配線的配置，使被電路層CCL反射的光的比率實現最小化。在一些實施例中，電路層CCL的第一電晶體TR1及複數個配線VL1、VL2也可以不與發光區域EMA重疊而只配置於非發光區域NEA內。對此的說明參照另一實施例。
在反射層LRL上配置有封裝層ENL。封裝層ENL包括至少一個薄膜封裝層，可以保護第一基板11上配置的構件不受外部氣體影響。作為一個示例，封裝層ENL可以由包含無機物的單層封裝層構成，但不限於此。封裝層ENL包含無機物時，無機物可以包括矽氮化物、矽氧化物或矽氮氧化物等。
圖10是另一實施例的顯示裝置的局部剖面圖。
參照圖10，顯示裝置10的發光元件層EL可以省略第三絕緣層53。第二接觸電極27可以一部分直接配置於第二絕緣層52上，第一接觸電極26和第二接觸電極27可以在第二絕緣層52上相互隔開。根據一個實施例，顯示裝置10即使省略第三絕緣層53，第二絕緣層52可以包含有機絕緣物質，以執行固定發光元件30的功能。另外，第一接觸電極26和第二接觸電極27可以透過圖案化製程同時形成。圖10的實施例除了省略第三絕緣層53這點之外，與圖7的實施例相同。因此，下文中將省略重複的說明。
圖11是一個實施例的發光元件的概略圖。
發光元件30可以為發光二極體（Light Emitting diode），具體而言，發光元件30可以是具有微米（Micro-meter）或奈米（Nano-meter）單位的大小且由無機物構成的無機發光二極體。或者，發光元件30也可以是具有奈米至微米單位的大小。無機發光二極體在彼此相向的兩個電極之間沿特定方向形成電場，則可以在形成極性的兩個電極之間對齊。發光元件30可以借助於在兩個電極上形成的電場而在電極之間對齊。
一個實施例的發光元件30可以具有沿一個方向延長的形狀。發光元件30可以具有棒、線、管等形狀。在例示性實施例中，發光元件30可以為圓筒形或桿型（Rod）。不過，發光元件30的形態並非限定於此，發光元件30可以具有多樣的形態，如具有正六面體、直六面體、六棱柱形等多邊棱柱形狀，或具有沿一個方向延長且外面具有部分地傾斜的形狀等。後述的發光元件30中包括的複數個半導體可以具有沿一個方向依次配置或層疊的結構。
發光元件30可以包括利用任意的導電型（例如，p型或n型）雜質摻雜的半導體層。半導體層可以傳遞從外部電源接入的電訊號，並釋放特定波段的光。
參照圖11，發光元件30可以包括第一半導體層31、第二半導體層32、發光層36、電極層37及絕緣膜38。
第一半導體層31可以為n型半導體。作為一個示例，當發光元件30釋放藍色波段的光時，第一半導體層31可以包括化學式為Alx Gay In1-x-y N（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）的半導體材料。例如，可以為以n型摻雜的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN及InN中的至少一種。第一半導體層31可以摻雜n型摻雜物質，作為一個示例，n型摻雜物質可以為矽、鍺、錫等。在例示性實施例中，第一半導體層31可以為以n型矽摻雜的n-GaN。第一半導體層31的厚度可以具有1.5μm至5μm的範圍，但並非限定於此。
第二半導體層32配置於後述的發光層36上。第二半導體層32可以為p型半導體，作為一個示例，當發光元件30釋放藍色波段的光時，第二半導體層32可以包括化學式為Alx Gay In1-x-y N（0≤x≤1,0≤y≤1、0≤x+y≤1）的半導體材料。例如，可以為以p型摻雜的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN及InN中的至少一種。第二半導體層32可以摻雜p型摻雜物質，作為一個示例，p型摻雜物質可以為鎂、鋅、鈣、硒、鋇等。在例示性實施例中，第二半導體層32可以為以p型鎂摻雜的p-GaN。第二半導體層32的厚度可以具有0.05μm至0.10μm的範圍，但並非限定於此。
另一方面，在附圖中繪示了第一半導體層31和第二半導體層32以單層構成的情形，但並非限定於此。根據一些實施例，根據發光層36的物質，第一半導體層31和第二半導體層32也可以進一步包括更多數量的層，例如鍍層（Clad layer）或降低拉伸應變屏障（Tensile strain barrier reducing，TSBR）層。
發光層36配置於第一半導體層31與第二半導體層32之間。發光層36可以包括單一或多重量子井結構的物質。當發光層36包括多重量子井結構的物質時，也可以是複數個量子層（Quantum layer）與井層（Well layer）相互交替地層疊的結構。作為一個示例，發光層36釋放藍色波段的光時，可以包含AlGaN、AlGaInN等物質。特別是發光層36作為多重量子井結構，當是由量子層與井層交替層疊的結構時，量子層可以包含諸如AlGaN或AlGaInN的物質，井層可以包含諸如GaN或AlInN等的物質。在例示性實施例中，發光層36包含AlGaInN作為量子層，並包含AlInN作為井層，如上所述，發光層36可以釋放中心波段具有450nm至495nm範圍的藍色（Blue）光。
不過本發明並非限定於此，發光層36既可以是帶隙（Band gap）能大的種類的半導體物質與帶隙能小的半導體物質相互交替層疊的結構，也可以包括因發出的光的波段而不同的III族至V族的半導體物質。發光層36釋放的光不限於藍色波段的光，根據情況，也可以釋放紅色、綠色波段的光。發光層36的厚度可以具有0.05μm至0.10μm的範圍，但並非限於此。
另一方面，發光層36釋放的光不僅向發光元件30的長度方向外部面釋放，而且可以向兩側面釋放。發光層36釋放的光，方向性不限於一個方向。
電極層37可以為歐姆（Ohmic）接觸電極。不過本發明並不限定於此，也可以是肖特基（Schottky）接觸電極。發光元件30可以包括至少一個電極層37。在圖11中，繪示了發光元件30包括一個電極層37的情形，但不限於此。根據情況，發光元件30也可以包括更多數量的電極層37，或省略電極層37。在下文對發光元件30的說明中，即使電極層37的數量不同或者進一步包括其他結構，也可以相同地應用。
電極層37在一個實施例的顯示裝置10中，當發光元件30與電極或接觸電極電氣連接時，可以減小發光元件30與電極或接觸電極之間的電阻。電極層37可以包括具有傳導性的金屬。例如，電極層37可以包括鋁、鈦、銦、金、銀、ITO（Indium Tin Oxide）、IZO（Indium Zinc Oxide）及ITZO（Indium Tin-Zinc Oxide）中的至少一種。另外，電極層37也可以包含以n型或p型摻雜的半導體物質，不過本發明並非限定於此。
絕緣膜38環繞上述複數個半導體層及電極層的外面地配置。在例示性實施例中，絕緣膜38可以至少環繞發光層36外面地配置，並沿發光元件30延長的一個方向延長。絕緣膜38可以執行保護構件的功能。作為一個示例，絕緣膜38環繞構件側面部地形成，且可以形成得使發光元件30的長度方向的兩端部露出。
在附圖中例示性繪示了絕緣膜38沿發光元件30的長度方向延長，從第一半導體層31覆蓋至電極層37側面地形成的情形，但不限於此。絕緣膜38也可以包括發光層36，其只覆蓋一部分半導體層的外面，或覆蓋電極層37的側面一部分，且各電極層37的側面也可以部分地露出。另外，絕緣膜38在與發光元件30的至少一部分鄰接的區域，也可以在剖面上形成為上面渾圓。絕緣膜38的厚度可以具有10nm 至1.0μm的範圍，但並非限於此。較佳地，絕緣膜38的厚度可以為約40nm。
絕緣膜38可以包含具有絕緣特性的物質，例如，可以包含矽氧化物（SiOx ）、矽氮化物（SiNx ）、氮氧化矽（SiOx Ny ）、氮化鋁（AlNx）、氧化鋁（Aluminum oxide：AlOx）等。因此，可以防止發光層36與向發光元件30傳遞電訊號的電極直接接觸時可能發生的電氣短路。絕緣膜38包括發光層36，其保護發光元件30的外面，因而可以防止發光效率的低下。
在一些實施例中，絕緣膜38的外面可以進行表面處理。發光元件30可以以分佈於既定墨水內的狀態，噴射於電極上進行對齊。為了發光元件30不與墨水內鄰接的其他發光元件30凝聚而是保持分散狀態，絕緣膜38表面可以進行疏水性或親水性處理。
發光元件30的高度h可以具有1μm至10μm或2μm至6μm的範圍，較佳地，可以具有3μm至5μm的高度。另外，發光元件30的直徑可以具有30nm至700nm的範圍，發光元件30的縱橫比（Aspect ratio）可以為1.2至100。不過本發明不限於此，顯示裝置10包括的複數個發光元件30也可以根據發光層36的組成差異而具有互不相同的直徑。較佳地，發光元件30的直徑可以為約500nm。
下面進一步參照其他附圖，對一個實施例的顯示裝置10的生產製程進行說明。
圖12至圖20為圖示一個實施例的顯示裝置的製造過程的剖面圖。參照圖12至圖20進行說明的顯示裝置10的生產製程，針對各層的形成順序及方法進行了詳細說明，各層的結構及配置與上述內容相同，因而省略詳細說明。
首先，參照圖12，準備第一基板11，形成配置於第一基板11上的電路層CCL。電路層CCL可以由半導體層、複數個導電層及複數個絕緣層層疊形成。在圖12中，只繪示了形成儲存電容器的第一電容電極CSE1、第二電容電極CSE2、第一電壓配線VL1、第二電壓配線VL2及資料線DTL，但不限於此，可以至少包括第一電晶體TR1。
然後，參照圖13，在電路層CCL上形成第一平坦化層19。第一平坦化層19可以補償因在下部配置的電路層CCL而導致的錯層。
然後，參照圖14，在第一平坦化層19上形成濾色層CFL和遮光構件BM。遮光構件BM可以橫跨在第一基板11設置的各子像素PXn邊界而形成。遮光構件BM環繞子像素PXn地配置，在構成格子形圖案的同時可以包括開口部，以便第一平坦化層19一部分露出。在遮光構件BM的開口部可以配置有各個濾色層CFL。濾色層CFL可以與各子像素PXn對應地配置於第一濾色層CFL1、第二濾色層CFL2及第三濾色層CFL3。
在一些實施例中，濾色層CFL可以塗覆包含特定顏色的色材的感光性有機物，對其進行曝光及顯影而形成。例如，第一濾色層CFL1可以塗覆包含藍色色材的感光性有機物，對其進行曝光及顯影而形成，第二濾色層CFL2可以塗覆包含綠色色材的感光性有機物，對其進行曝光及顯影而形成，第三濾色層CFL3層可以塗覆包含紅色色材的感光性有機物，對其進行曝光及顯影而形成，不過本發明不限定於此。
然後，參照圖15，在濾色層CFL上形成堤層BNL的第二堤40以及發光元件層EL的第一電極21和第二電極22及第一絕緣物層51’，在第一絕緣物層51’上形成堤層BNL的第一堤45。對第一堤45及第二堤40的說明與上述內容相同。第二堤40直接配置於濾色層CFL上，第一堤45與遮光構件BM沿厚度方向重疊地配置。
另一方面，第一絕緣物層51’可以如下文所述，在配置發光元件30後，形成使第一電極21及第二電極22的上面一部分露出的開口部，並形成第一絕緣層51。不過本發明不限定於此，第一絕緣物層51’可以在配置發光元件30之前形成開口部，此時，可以實質上省略形成第一絕緣物層51’的步驟，並執行在第一電極21及第二電極22上形成包括開口部的第一絕緣層51的步驟。
發光元件層EL的第一電極21和第二電極22分別覆蓋第二堤40地配置。其中，在形成第一電極21和第二電極22之前，形成貫通遮光構件BM和第一平坦化層19的第一接觸孔CT1及第二接觸孔CT2，第一電極21和第二電極22可以與第一電晶體TR1及第二電壓配線VL2電氣連接。第一絕緣物層51’在濾色層CFL上全面配置。第一絕緣物層51’可以在後續製程中實現一部分圖案化，構成包括使第一電極21及第二電極22上面露出的開口部的第一絕緣層51。並且，形成第一絕緣物層51’，形成在其上配置的第一堤45。第一堤45可以形成得高於第二堤40，以區分子像素PXn。
然後，參照圖16及圖17，使發光元件30配置於第一絕緣物層51’上。發光元件30可以在第一絕緣物層51’上，且兩端部分別配置於第一電極21和第二電極22上。在例示性實施例中，發光元件30以分散於墨水S內的狀態準備，可以透過利用噴墨印刷裝置的印刷製程，噴射於各子像素PXn。透過噴墨印刷裝置噴射的墨水S可以配置於第一堤45所環繞區域內。此時，第一堤45可以防止墨水S溢出到相鄰的其他子像素PXn。
噴射包含發光元件30的墨水S後，向各第一電極21及第二電極22接入電訊號，將複數個發光元件30配置於第一絕緣物層51’上。如果向第一電極21及第二電極22接入電訊號，則會在第一電極21及第二電極22上生成電場E。墨水S內分散的發光元件30借助於電場E而會受到介電電泳力（Dielectrophoretic Force），受到介電電泳力的發光元件30可以在配向方向及位置改變的同時配置於第一絕緣物層51’上。
然後，參照圖18，發光元件30配置後，層疊在其上配置的第二絕緣層52、第一接觸電極26、第二接觸電極27、第三絕緣層53及第四絕緣層54而形成發光元件層EL。
然後，參照圖19，在被第一堤45環繞的區域內，在發光元件層EL上形成顏色控制結構物TPL、WCL。在第一子像素PX1的第一發光元件層EL1上形成透光層TPL，在第二子像素PX2的第二發光元件層EL2上形成第一波長變換層WCL1，在第三子像素PX3的第三發光元件層EL3上形成第二波長變換層WCL2。
形成顏色控制結構物TPL、WCL的製程不特別限制。在例示性實施例中，顏色控制結構物TPL、WCL可以透過噴墨印刷製程或光刻膠製程形成。
例如，在顏色控制結構物TPL、WCL透過噴墨印刷製程形成時，可以在向第一堤45所環繞區域內噴射包含散射體SCP或第一波長變換物質WCP1、第二波長變換物質WCP2的第一基礎樹脂BRS1、第二基礎樹脂BRS2、第三基礎樹脂BRS3後，使之乾燥而形成顏色控制結構物TPL、WCL。其中，第一堤45可以防止第一基礎樹脂BRS1、第二基礎樹脂BRS2、第三基礎樹脂BRS3溢出到相鄰的其他子像素PXn，可以形成各子像素PXn互不相同的顏色控制結構物TPL、WCL。
在另一實施例中，在顏色控制結構物TPL、WCL透過光刻膠製程形成時，可以向第一堤45所環繞區域內塗覆分散有散射體SCP或第一波長變換物質WCP1、第二波長變換物質WCP2的第一基礎樹脂BRS1、第二基礎樹脂BRS2、第三基礎樹脂BRS3後，對其進行曝光及顯影而形成顏色控制結構物TPL、WCL。其中，包含互不相同的散射體SCP或第一波長變換物質WCP1、第二波長變換物質WCP2的第一基礎樹脂BRS1、第二基礎樹脂BRS2、第三基礎樹脂BRS3可以分別塗覆於第一堤45所環繞區域中互不相同的區域，各子像素PXn可以形成互不相同的顏色控制結構物TPL、WCL。
然後，參照圖20，形成在顏色控制結構物TPL、WCL上配置的封蓋層CPL和反射層LRL，以形成覆蓋其的封裝層ENL。透過以上製程，可以製造包括濾色層CFL、發光元件層EL及顏色控制結構物TPL、WCL的顯示裝置10。顯示裝置10可以在一個基板上依次層疊電路層CCL、濾色層CFL、發光元件層EL、顏色控制結構物TPL、WCL及反射層LRL，並省略與其他基板的黏合製程，可以改善生產製程效率。
下面參照其他附圖，對顯示裝置10的另一實施例進行說明。
圖21為另一實施例的顯示裝置的一個像素的剖面圖。
參照圖21，一個實施例的顯示裝置10可以省略第一平坦化層19，濾色層CFL_1可以直接配置於電路層CCL上。第一平坦化層19包含有機物質，可以補償因在其下部配置的電路層CCL而導致的錯層。濾色層CFL_1和遮光構件BM_1也與第一平坦化層19類似地包含有機物質，也可以補償因在其下部配置的電路層CCL而導致的錯層。本實施例省略了第一平坦化層19，從這點而言，與圖7的實施例有差異。下面省略重複說明，以差異為中心進行說明。
遮光構件BM_1直接配置於第一層間絕緣層17上。遮光構件BM_1可以在第一層間絕緣層17上，環繞各子像素PXn地配置，遮光構件BM_1的沿第一方向DR1延長的部分也可以配置得部分地覆蓋其下部配置的第四導電層。濾色層CFL_1也可以直接配置於第一層間絕緣層17上，配置得覆蓋第四導電層的第一電壓配線VL1及第二電壓配線VL2。發光元件層EL直接配置於濾色層CFL_1上，因而在一些實施例中，也可以進一步執行顯示裝置10生產製程中的在形成濾色層CFL_1和遮光構件BM_1之後使其上面平坦化的製程。本實施例的顯示裝置10省略第一平坦化層19，濾色層CFL_1和遮光構件BM_1的厚度可以進一步加大。因此，顯示裝置10的生產製程可以縮減一個步驟。
圖22為又一實施例的顯示裝置的一個像素的剖面圖。
參照圖22，一個實施例的顯示裝置10省略堤層BNL的第二堤40，發光元件層EL_2的第一電極21及第二電極22可以直接配置於濾色層CFL上。本實施例的差異在於，省略了第二堤40，發光元件層EL_2的第一電極21及第二電極22直接配置於濾色層CFL上。
第二堤40具有以濾色層CFL的上面為基準而凸出的形狀，可以執行將從發光元件30釋放的光向上部方向反射的反射壁功能。不過，顏色控制結構物TPL、WCL直接配置於發光元件層EL_2上，因而第一基礎樹脂BRS1、第二基礎樹脂BRS2、第三基礎樹脂BRS3和散射體SCP及第一波長變換物質WCP1、第二波長變換物質WCP2可以配置於發光元件30的周邊。即使從發光元件30釋放的光只沿發光元件30的兩端部方向行進，入射到第一基礎樹脂BRS1、第二基礎樹脂BRS2、第三基礎樹脂BRS3中包含的散射體SCP的光也可以被散射而向反射層LRL行進。換言之，即使省略用於調整從發光元件30釋放的光的移動路徑的第二堤40，借助於顏色控制結構物TPL、WCL包括的第一基礎樹脂BRS1、第二基礎樹脂BRS2、第三基礎樹脂BRS3和散射體SCP，也可以具有與之相同的效果。一個實施例的顯示裝置10省略第二堤40，發光元件層EL_2的第一電極21及第二電極22可以全面地直接配置於濾色層CFL上。第一電極21及第二電極22的下面可以與各子像素PXn的濾色層CFL接觸。另外，在濾色層CFL上直接配置的第一電極21及第二電極22被電路層CCL反射，也可以使朝向第一基板11上部方向的光反射。由於省略了第二堤40，被電路層CCL反射的光也可以被反射層LRL或第一電極21及第二電極22反射而向第一基板11的下面方向射出。
圖23為又一實施例的顯示裝置的一個像素的剖面圖。
參照圖23，一個實施例的顯示裝置10的封裝層ENL_3可以由複數個層構成。例如，封裝層ENL_3可以包括第一無機封裝層ENL1和第二無機封裝層ENL2及配置於他們之間的有機封裝層ENL3。
例如，封裝層ENL_3可以包括第一無機封裝層ENL1、第二無機封裝層ENL2及配置於他們之間的有機封裝層ENL3。第一無機封裝層ENL1及第二無機封裝層ENL2可以分別包含矽氮化物、矽氧化物或矽氮氧化物等。有機封裝層ENL3可以包含丙烯酸類樹脂（polyacrylates resin）、環氧樹脂（epoxy resin）、酚醛樹脂（phenolic resin）、聚醯胺類樹脂（polyamides resin）、聚醯亞胺類樹脂（polyimides rein）、不飽和聚酯類樹脂（unsaturatedpolyesters resin）、聚苯醚類樹脂（poly phenylenethers resin）、聚苯硫醚類樹脂（polyphenylenesulfides resin）或苯環丁烯樹脂（benzocyclobutene，BCB）等有機絕緣物質。
第一無機封裝層ENL1可以沿著由在其下部配置的顏色控制結構物TPL、WCL及反射層LRL形成的錯層而彎曲地配置。不過，有機封裝層ENL3可以與在其下部配置的第一無機封裝層ENL1的錯層無關地具有平坦的上面，在最上層配置的第二無機封裝層ENL2也可以具有平坦的面。一個實施例的顯示裝置10的封裝層ENL_3可以包括複數個無機及有機封裝層，上面可以平坦地形成。本實施例的封裝層ENL_3由複數個層形成，在這點上，與圖7有差異。
另一方面，反射層LRL的材料也可以不同，可以執行封蓋顏色控制結構物TPL、WCL的功能。
圖24及圖25為又一實施例的顯示裝置的一個像素的剖面圖。
首先，參照圖24，顯示裝置10可以省略封蓋層CPL，反射層LRL_4可以直接配置於顏色控制結構物TPL、WCL上。顏色控制結構物TPL、WCL包含第一基礎樹脂BRS1、第二基礎樹脂BRS2、第三基礎樹脂BRS3，透過噴墨印刷製程或光刻膠製程形成，則可以在顏色控制結構物TPL、WCL上配置用於保護他們不受外部氣體影響並維持其形狀的封蓋層CPL。不過，即使省略封蓋層CPL，只要反射層LRL_4可以封蓋（Capping）顏色控制結構物TPL、WCL，則封蓋層CPL也可以省略。反射層LRL_4可以直接配置於顏色控制結構物TPL、WCL上，也可以與第一基礎樹脂BRS1、第二基礎樹脂BRS2、第三基礎樹脂BRS3直接接觸。
另外，參照圖25，顯示裝置10的反射層LRL_5可以是包含具有小折射率的低折射材料的低折射層或全反射層。反射層LRL_5即使不必須包含高反射率金屬材料，也可以由具有互不相同折射率的複數個絕緣層反復層疊而使入射的光反射。反射層LRL_5由低折射層構成時，也可以包含絕緣物質，保護顏色控制結構物TPL、WCL不受外部氣體影響，可以使從發光元件層EL釋放的光反射。
圖26為又一實施例的顯示裝置的一個像素的剖面圖。
參照圖26，顯示裝置10可以進一步包括配置於濾色層CFL與發光元件層EL之間的第二平坦化層19B。平坦化層19_6可以在配置於電路層CCL與濾色層CFL之間的第一平坦化層19A基礎上，進一步包括配置於濾色層CFL上的第二平坦化層19B。第二平坦化層19B可以直接配置於濾色層CFL上，補償因遮光構件BM和各子像素PXn配置的濾色層CFL導致的錯層。堤層BNL的第二堤40和發光元件層EL的第一電極21及第二電極22及第一絕緣層51可以配置於第二平坦化層19B上。本實施例進一步包括第二平坦化層19B，在這點上，與圖7的實施例有差異。
圖27為另一實施例的顯示裝置的配置於一個像素的濾色層的俯視示意圖。在圖27中，以堤層BNL為基準，繪示了濾色層CFL_7與遮光構件BM_7的概略性配置。
參照圖27，顯示裝置10的濾色層CFL_7可以沿第二方向DR2延長，越過相鄰的子像素PXn進行配置。配置於顯示區域DPA的複數個子像素PXn可以沿第一方向DR1及第二方向DR2排列。在一些實施例中，沿第二方向DR2排列的子像素PXn可以射出相同顏色的光，他們可以配置有包含相同色材的濾色層CFL_7。
在一個實施例中，濾色層CFL_7沿第二方向DR2延長，越過子像素PXn的邊界配置，遮光構件BM_7也可以具有沿第二方向DR2延長的形狀。因此，濾色層CFL_7和遮光構件BM_7可以橫跨顯示區域DPA前面，形成線性或條狀（Stripe）的圖案。第一濾色層CFL1_7可以配置於第一子像素PX1，橫跨沿第二方向DR2相鄰的其他子像素PXn配置。與此類似，第二濾色層CFL2_7和第三濾色層CFL3_7也可以分別在第二子像素PX2及第三子像素PX3中，橫跨與他們沿第二方向DR2相鄰的其他子像素PXn配置。本實施例的濾色層CFL_7形成線性圖案，在這點上，與圖3的實施例有差異。
另一方面，為了使從發光元件層EL釋放的光在反射層LRL反射並順利射出到第一基板11的下面，相比發光區域EMA，電路層CCL的未配置有導電層的區域的面積，即開口率需要確保既定水平。根據一些實施例，顯示裝置10的電路層CCL的導電層可以與發光區域EMA不重疊而是與非發光區域NEA或堤層BNL重疊地配置。
圖28為又一實施例的顯示裝置的一些子像素配置的濾色層的俯視示意圖。圖29為圖28的顯示裝置的一些子像素的剖面示意圖。圖28繪示了第一子像素PX1和第二子像素PX2的濾色層CFL與發光元件層EL的概略性平面配置，圖29繪示了包括第一子像素PX1和第二子像素PX2邊界的剖面示意圖。
參照圖28及圖29，顯示裝置10的配置於各子像素PXn的電路層CCL的導電層，可以與在子像素PXn邊界配置的堤層BNL重疊地配置，發光區域EMA可以與電路元件沿厚度方向不重疊。在一些實施例中，顯示裝置10可以形成得使堤層BNL的第一堤45具有更大寬度，電路層CCL的導電層可以只配置於與第一堤45重疊的區域內。在圖29中，只繪示了第一電容電極CSE1、第二電容電極CSE2、資料線DTL、第一電壓配線VL1及第二電壓配線VL2，但不限於此，第一電晶體TR1的有源層ACT與閘電極GE、第一源/汲電極SD1、第二源/汲電極SD2等也可以與第一堤45沿厚度方向重疊地配置。
電路層CCL沿一個方向延長的配線可以在第一堤45配置的非發光區域NEA內，與他們沿厚度方向重疊延長，可以與配線鄰接配置有電晶體及儲存電容器的層。因此，配置於電路層CCL的各導電層與發光區域EMA不重疊地配置，在發光區域EMA穿過濾色層CFL的光在電路層CCL不反射，而是可以向第一基板11的下面方向射出。本實施例的顯示裝置10由於電路層CCL的導電層只配置於非發光區域NEA，因而相比發光區域EMA，電路層CCL的未配置導電層的開口率可以確保充分水平，可以改善各子像素PXn的發光量及發光效率。
另一方面，第一電極21與第二電極22可以不必須具有沿一個方向延長的形狀。在一些實施例中，顯示裝置10的第一電極21及第二電極22也可以具有包括具有互不相同寬度並延長的部分和向不同方向延長的部分的形狀。
圖30為另一實施例的顯示裝置的一個子像素的發光元件層的俯視示意圖。
參照圖30，一個實施例的顯示裝置10的第一電極21_9、第二電極22_9可以包括：擴張部RE-E，擴張部RE-E沿第二方向DR2延長，且具有比其他部分更大的寬度；第一折彎部RE-B1、第二折彎部RE-B2，第一折彎部RE-B1、第二折彎部RE-B2向從第一方向DR1及第二方向DR2傾斜的方向延長；及第一連接部RE-C1、第二連接部RE-C2，第一連接部RE-C1、第二連接部RE-C2連接第一折彎部RE-B1、第二折彎部RE-B2與擴張部RE-E。第一電極21_9、第二電極22_9可以整體上具有沿第二方向DR2延長的形狀，且部分地具有更大的寬度，或具有向從第二方向DR2傾斜的方向折彎的形狀。第一電極21_9和第二電極22_9可以以其之間的區域為基準，配置成對稱結構。另外，雖然圖中未示出，但遮光構件BM、濾色層CFL、顏色控制結構物TPL、WCL及反射層LRL等，可以以第一堤45為基準，與參照圖3至圖5進行說明的內容相同地配置。下面省略重複說明，以第一電極21_9的形狀為中心進行說明。
第一電極21_9可以包括具有比其他部分更大寬度的擴張部RE-E。擴張部RE-E可以在子像素PXn的發光區域EMA內，配置於第二堤40上，並沿第二方向DR2延長。在第一電極21_9和第二電極22_9的擴張部RE-E上，可以配置有發光元件30。另外，第一接觸電極26_9和第二接觸電極27_9可以配置於各電極21_9、22_9的擴張部RE-E上，且其寬度可以小於擴張部RE-E的寬度。
在擴張部RE-E的第二方向DR2兩側可以分別連接有第一連接部RE-C1、第二連接部RE-C2。在擴張部RE-E的第二方向DR2一側配置第一連接部RE-C1，在另一側配置第二連接部RE-C2。第一連接部RE-C1、第二連接部RE-C2可以與擴張部RE-E連接，橫跨各子像素PXn的發光區域EMA和第一堤45配置。
第一連接部RE-C1和第二連接部RE-C2的寬度可以小於擴張部RE-E的寬度。第一連接部RE-C1、第二連接部RE-C2沿第二方向DR2延長的一邊，可以與擴張部RE-E沿第二方向DR2延長的一邊在同一直線上連接。例如，擴張部RE-E與第一連接部RE-C1、第二連接部RE-C2的兩邊中，以發光區域EMA的中心為基準位於外側的一邊可以彼此延長、連接。因此，第一電極21_9與第二電極22_9的擴張部RE-E之間的間隔DE1可以小於第一連接部RE-C1、第二連接部RE-C2之間的間隔DE2。
折彎部與連接部連接。折彎部可以包括：第一折彎部RE-B1，第一折彎部RE-B1與第一連接部RE-C1連接，橫跨第一堤45和子區域CBA配置；及第二折彎部RE-B2，第二折彎部RE-B2與第二連接部RE-C2連接，橫跨第一堤45與另一子像素PXn的子區域CBA配置。第一折彎部RE-B1、第二折彎部RE-B2可以與第一連接部RE-C1、第二連接部RE-C2連接，朝向從第二方向DR2傾斜的方向，例如朝向子像素PXn的中心折彎。第一電極21_9與第二電極22_9的第一折彎部RE-B1、第二折彎部RE-B2之間的最短間隔DE3可以小於第一連接部RE-C1、第二連接部RE-C2之間的間隔DE2。不過，第一折彎部RE-B1、第二折彎部RE-B2之間的最短間隔DE3可以大於擴張部RE-E之間的間隔DE1。
在第一連接部RE-C1與第一折彎部RE-B1連接的部分，可以形成寬度比較寬的接觸部RE-P。接觸部RE-P可以與第一堤45重疊，形成有第一電極21_9與第二電極22_9的第一接觸孔CT1及第二接觸孔CT2。
另外，在第一折彎部RE-B1的一端部，可以形成有第一電極21_9和第二電極22_9在子區域CBA分離後剩餘的短片部RE-D。短片部RE-D可以是沿第二方向DR2相鄰的子像素PXn的第一電極21_9、第二電極22_9在子區域CBA斷路後剩餘的部分。
圖30的實施例的第一電極21_9和第二電極22_9包括擴張部RE-E、第一連接部RE-C1、第二連接部RE-C2及第一折彎部RE-B1、第二折彎部RE-B2，以子像素PXn的中心為基準對稱地配置，在這點上與圖2的實施例有差異。不過本發明不限定於此，根據情況，第一電極21_9和第二電極22_9可以具有互不相同的形狀。
圖31為又一實施例的顯示裝置的一個子像素的發光元件層的俯視示意圖。圖32是沿圖31的QX-QX’線截斷的剖面圖。
參照圖31及圖32，顯示裝置10的各子像素PXn可以包括複數個第一電極21_10及第二電極22_10。第一電極21_10具有與圖30的實施例相同的形狀，複數個第一電極21_10，例如兩個第一電極21_10可以以子像素PXn的中心為基準對稱地配置。第二電極22_10具有與圖2的實施例相同的形狀，可以在第一電極21_10之間配置有複數個，例如配置兩個。第一電極21_10與第二電極22_10之間的間隔可以根據第一電極21_10的部分而異。例如，擴張部RE-E與第二電極22_10之間的間隔DE1可以小於第一連接部RE-C1、第二連接部RE-C2及第一折彎部RE-B1、第二折彎部RE-B2與第二電極22_10之間的間隔DE2、DE3。第一連接部RE-C1、第二連接部RE-C2與第二電極22_10之間的間隔DE2可以大於第一折彎部RE-B1、第二折彎部RE-B2與第二電極22_10之間的間隔DE3。不過，不限定於此。各第一電極21_10、第二電極22_10的形狀與參照圖4及圖30說明的內容相同，因而省略對其的詳細說明。
另一方面，在各子像素PXn配置的第二堤40(第一子堤40A_10、第二子堤40B_10)、第一絕緣層51_10、第一接觸電極26_10、第二接觸電極27_10及第三接觸電極28_10的配置及形狀會因第一電極21_10與第二電極22_10的配置而異。
第一絕緣層51_10配置於第一電極21_10的擴張部RE-E與第二電極22_10之間，兩側面可以分別與其接觸。發光元件30一端部可以配置於第一電極21_10的擴張部RE-E上，另一端部可以配置於第二電極22_10上。
第二堤40可以包括具有互不相同寬度的第一子堤40A_10及第二子堤40B_10。第一子堤40A_10和第二子堤40B_10分別沿第二方向DR2延長，且沿第一方向DR1測量的寬度可以不同。第一子堤40A_10具有大於第二子堤40B_10的寬度，因而可以橫跨沿第一方向DR1相鄰的子像素PXn的邊界配置。例如，第一子堤40A_10可以將各子像素PXn的發光區域EMA包括在內，並越過其之間邊界進行配置。因此，第一堤45_10的沿第二方向DR2延長的部分中的一部分可以配置於第一子堤40A_10上。在一個子像素PXn中，可以部分地配置有兩個第一子堤40A_10。在第一子堤40A_10之間，可以配置有一個第二子堤40B_10。
第二子堤40B_10可以從子像素PXn的發光區域EMA的中心部沿第二方向DR2延長。第二子堤40B_10可以具有小於第一子堤40A_10的寬度，並配置在其之間的間隔中。
在第一子堤40A_10上，可以配置有第一電極21_10的擴張部RE-E和第一堤45_10。在第一子堤40A_10上，可以配置有沿第一方向DR1相鄰的子像素PXn的第一電極21_10擴張部RE-E。即，在一個第一子堤40A_10上，配置有兩個第一電極21_10擴張部RE-E。在第二子堤40B_10上，可以配置有兩個第二電極22_10。第二電極22_10配置於第二子堤40B_10的沿第二方向DR2延長的兩邊上，且可以在第二子堤40B_10上相互隔開。
第一電極21_10中的某一個第一電極21_10可以包括接觸部RE-P，形成有第一接觸孔CT1，其他第一電極21_10可以不形成接觸部RE-P。與此類似的是，第二電極22_10中的某一個電極可以形成接觸部RE-P，並形成第二接觸孔CT2，其他第二電極22_10可以不形成接觸部RE-P。透過第一接觸孔CT1、第二接觸孔CT2而與第一電晶體TR1或第二電壓配線VL2連接的第一電極21_10、第二電極22_10可以藉此傳遞電訊號，其他第一電極21_10、第二電極22_10可以透過後述的第一接觸電極26_10、第二接觸電極27_10、第三接觸電極28_10傳遞電訊號。
發光元件30在第一絕緣層51_10上，兩端部配置於第一電極21_10的擴張部RE-E及第二電極22_10上。發光元件30兩端部中配置了第二半導體層32的一端部，可以分別配置於第一電極21_10上。因此，以子像素PXn的中心為基準，左側配置的第一電極21_10、第二電極22_10之間的第一類型發光元件30A與右側配置的第一電極21_10、第二電極22_10之間的第二類型發光元件30B，其一端部朝向的方向可以是相反方向。
顯示裝置10包括更多數量的第一電極21_10、第二電極22_10，因而可以包括更多數量的第一接觸電極26_10、第二接觸電極27_10、第三接觸電極28_10。
在例示性實施例中，接觸電極可以包括配置於某一個第一電極21_10上的第一接觸電極26_10、配置於某一個第二電極22_10上的第二接觸電極27_10及配置於其他第一電極21_10和第二電極22_10上並環繞第二接觸電極27_10的第三接觸電極28_10。
第一接觸電極26_10配置於某一個第一電極21_10上。例如，第一接觸電極26_10配置於第一類型發光元件30A一端部所配置的第一電極21_10的擴張部RE-E上。第一接觸電極26_10可以分別與第一電極21_10的擴張部RE-E和第一類型發光元件30A的一端部接觸。第二接觸電極27_10配置於某一個第二電極22_10上。例如，第二接觸電極27_10配置於第二類型發光元件30B另一端部所配置的第二電極22_10上。第二接觸電極27_10可以分別與第二電極22_10和第二類型發光元件30B的另一端部接觸。第一接觸電極26_10和第二接觸電極27_10可以分別與形成有第一接觸孔CT1及第二接觸孔CT2的第一電極21_10、第二電極22_10接觸。第一接觸電極26_10可以透過第一接觸孔CT1而與同樣和第一電晶體TR1電氣連接的第一電極21_10接觸，第二接觸電極27_10可以透過第二接觸孔CT2而與同樣和第二電壓配線VL2電氣連接的第二電極22_10接觸。第一接觸電極26_10和第二接觸電極27_10可以將從第一電晶體TR1或第二電壓配線VL2接入的電訊號傳遞給發光元件30。第一接觸電極26_10和第二接觸電極27_10與上述內容實質上相同。
在各子像素PXn進一步配置有未形成第一接觸孔CT1、第二接觸孔CT2的第一電極21_10、第二電極22_10。其可以是實質上不直接從第一電晶體TR1或第二電壓配線VL2接入電訊號的浮動（Floating）狀態。不過，在未形成第一接觸孔CT1、第二接觸孔CT2的第一電極21_10、第二電極22_10上配置有第三接觸電極28_10，向發光元件30傳遞的電訊號可以透過第三接觸電極28_10流動。
第三接觸電極28_10可以配置於未形成第一接觸孔CT1、第二接觸孔CT2的第一電極21_10和第二電極22_10上，環繞第二接觸電極27_10地配置。第三接觸電極28_10可以包括沿第二方向DR2延長的部分和連接他們並沿第一方向DR1延長的部分，環繞第二接觸電極27_10。第三接觸電極28_10的沿第二方向DR2延長的部分可以分別配置於未形成第一接觸孔CT1、第二接觸孔CT2的第一電極21_10和第二電極22_10上，並與發光元件30接觸。例如，第三接觸電極28_10中配置於第二電極22_10上的部分可以與第一類型發光元件30A的另一端部接觸，配置於第一電極21_10上的部分可以與第二類型發光元件30B的一端部接觸。第三接觸電極28_10的沿第一方向DR1延長的部分可以與形成有第二接觸孔CT2的第二電極22_10重疊，但在其之間配置有其他絕緣層（圖上未示出），因此其可以彼此不直接連接。
從第一接觸電極26_10傳遞到第一類型發光元件30A一端部的電訊號，傳遞到與第一類型發光元件30A另一端部接觸的第三接觸電極28_10。第三接觸電極28_10可以將電訊號傳遞到第二類型發光元件30B的一端部，電訊號可以透過第二接觸電極27_10傳遞到第二電極22_10。因此，發光元件30發光所需的電訊號可以只傳遞到一個第一電極21_10及第二電極22_10，第一類型發光元件30A和第二類型發光元件30B可以透過第三接觸電極28_10串聯連接。
顯示裝置10可以是包括反射層LRL並將從發光元件30釋放的光射出到第一基板11下面的背面發光型顯示裝置。如上所述，電路層CCL的第一電晶體TR1及複數個第一電壓配線VL1、第二電壓配線VL2也可以不與發光區域EMA重疊，而是只配置於非發光區域NEA內。
圖33為另一實施例的顯示裝置的配置於一個子像素的濾色層的俯視示意圖。圖34為另一實施例的顯示裝置的配置於一個子像素的發光元件層的俯視示意圖。圖35是沿圖34的QX1-QX1’線截斷的剖面圖。圖35繪示了在圖34的顯示裝置10中，包括電路區域CCA和發光區域EMA在內，將發光元件30的兩端部橫向截斷的剖面。
參照圖33至圖35，一個實施例的顯示裝置10的各子像素PXn可以包括：發光區域EMA，發光區域EMA配置有發光元件30並釋放光；電路區域CCA，電路區域CCA不配置發光元件30，而是配置電路層CCL的配線。本實施例的顯示裝置10的各子像素PXn包括發光區域EMA和電路區域CCA，從這點而言，與圖3至圖6的實施例有差異。下面省略重複說明，以差異為中心進行說明。
各子像素PXn可以在第一堤45環繞的區域中形成有發光區域EMA和電路區域CCA，發光區域EMA配置有發光元件30、第一電極21及第二電極22，電路區域CCA與發光區域EMA鄰接，不配置發光元件30。在發光區域EMA中，如上所述配置有發光元件30，因而是釋放光的區域。電路區域CCA可以是不配置發光元件30、第一電極21及第二電極22，使得到達的光的光量小的區域，且可以是供在濾色層CFL下部配置的電路層CCL的配線及第一電晶體TR1配置的區域。發光區域EMA可以包括配置於此的發光元件30，不與在第一基板11上配置的電路層CCL配線重疊。
遮光構件BM可以部分地具有更寬的寬度，以便從發光元件30釋放的光不從電路區域CCA入射到濾色層CFL。例如，遮光構件BM沿第二方向DR2延長的部分中，在各子像素PXn的第一方向DR1另一側配置的部分可以比在第一方向DR1一側配置的部分更厚。遮光構件BM可以具有較厚的寬度，以便一部分可以配置於電路區域CCA內，可以防止從發光元件30釋放並在反射層LRL反射的光入射到電路區域CCA。在附圖中例示性繪示了電路區域CCA借助於遮光構件BM而位於發光區域EMA的第一方向DR1另一側的情形，但不限於此。根據情況，電路區域CCA也可以位於發光區域EMA的第一方向DR1一側，在各子像素PXn內，電路區域CCA與發光區域EMA可以沿第二方向DR2相鄰地配置。
另外，第二堤40也可以與圖32的實施例中的第一子堤40A_10類似，橫跨相鄰子像素PXn邊界地配置。電路區域CCA配置的配線及第一電晶體TR1與第一子堤40A_10重疊地配置，遮光構件BM也可以一部分配置於第一子堤40A_10的下部。
另一方面，在附圖中例示性繪示了第一堤45不同於遮光構件BM地具有與圖3類似厚度的情形，但不限於此。在一些實施例中，第一堤45可以與遮光構件BM的厚度對應，在遮光構件BM的寬度較寬部分，以更大寬度形成。第一堤45可以部分與電路區域CCA重疊地配置，因此，可以在被第一堤45環繞的區域配置發光區域EMA。此時，顏色控制結構物TPL、WCL1、WCL2的第一基礎樹脂BRS1也可以不配置於電路區域CCA，而是只配置於發光區域EMA。
從發光元件30釋放的光在反射層LRL反射，穿過濾色層CFL而入射到第一基板11下面期間，可以不被電路層CCL的配線所反射。本實施例與各子像素PXn不包括電路區域CCA的實施例相比，從發光元件30釋放的光的大部分可以射出。
圖36為又一實施例的顯示裝置的配置於一個子像素的濾色層的俯視示意圖。
參照圖36，顯示裝置10的各子像素PXn可以配置得使電路區域CCA與發光區域EMA沿第二方向DR2相鄰。發光區域EMA可以配置於第一堤45所環繞區域內，電路區域CCA可以配置於發光區域EMA的第二方向DR2一側。不過，如上所述，電路區域CCA和發光區域EMA的配置位置也可以彼此相反。在附圖中，例示性繪示了電路區域CCA不僅在第一堤45環繞的區域，而且橫跨第一堤45及子區域CBA形成的情形，但不限於此。電路區域CCA可以配置於發光區域EMA的第二方向DR2一側，與第一堤45及子區域CBA的配置關係可以不同。
另外，第一堤45也可以與遮光區域BM的寬度及電路區域CCA的配置對應，一部分以更大寬度形成。因此，發光區域EMA可以配置於第一堤45所環繞區域內，第一堤45也可以與電路區域CCA重疊地配置。
以上參照附圖，說明了本發明的實施例，但本發明所屬技術領域具有通常知識者可以理解的是，在不變更本發明的技術思想或必要特徵的情況下，可以以其他具體形態實施。因此，應理解為以上揭露的實施例在所有方面是例示性的，而不是限制性的。
10:顯示裝置 11:第一基板 12:緩衝層 13:第一閘極絕緣層 15:第一保護層 17:第一層間絕緣層 19,19_6,19A:第一平坦化層 19B:第二平坦化層 21,21_9,21_10:第一電極 22,22_9,22_10:第二電極 26,26_9,26_10:第一接觸電極 27,27_9,27_10:第二接觸電極 28,28_10:第三接觸電極 30:發光元件 30A:第一類型發光元件 30B:第二類型發光元件 31:第一半導體層 32:第二半導體層 36:發光層 37:電極層 38:絕緣膜 40:第二堤 40A_10:第一子堤 40B_10:第二子堤 45,45_4,45_8,45_10:第一堤 51,51_10:第一絕緣層 51’:第一絕緣物層 52:第二絕緣層 53:第三絕緣層 54:第四絕緣層CFL,CFL_7:濾色層 CCL:電路層 BNL:堤層 CPL:封蓋層 TPL:透光層 LRL,LRL_4,LRL_5:反射層 SCP:散射體 CBA:子區域 CDP:第一導電圖案 BML:第一導電層 DTL:資料線 CCA:電路區域 VL1:第一電壓配線 VL2:第二電壓配線 BM,BM_1,BM_7,BM_8:遮光構件 GE:閘電極 SD1:第一源/汲電極 SD2:第二源/汲電極 CT1:第一接觸孔 CT2:第二接觸孔 CSE1:第一電容電極 CSE2:第二電容電極 TR1:第一電晶體 TR2:第二電晶體 ACT:有源層 ACT_a,ACT_b:摻雜區域 ACT_c:通道區域 BRS1:第一基礎樹脂 BRS2:第二基礎樹脂 BRS3:第三基礎樹脂 ENL,ENL_3:封裝層 ENL1:第一無機封裝層 ENL2:第二無機封裝層 ENL3:有機封裝層 WCP1:第一波長變換物質 WCP2:第二波長變換物質 CFL,CFL_1:濾色層 CFL1,CFL1_1,CFL1_7:第一濾色層 CFL2,CFL2_1,CFL2_7:第二濾色層 CFL3,CFL3_1,CFL3_7:第三濾色層 WCL1:第一波長變換層 WCL2:第二波長變換層 EL,EL_2:發光元件層 EL1,EL1_2:第一發光元件層 EL2,EL2_2:第二發光元件層 EL3,EL3_2:第三發光元件層 EMA:發光區域 NEA:非發光區域 L1:第一色的光 L2:第二色的光 L3:第三色的光 DPA:顯示區域 NDA:非顯示區域 PX:像素 PXn:子像素 PX1:第一子像素 PX2:第二子像素 PX3:第三子像素 RE-D:短片部 RE-P:接觸部 RE-E:擴張部 RE-B1:第一折彎部 RE-B2:第二折彎部 RE-C1:第一連接部 RE-C2:第二連接部 h:高度 DE1,DE2,DE3:間隔 DR1:第一方向 DR2:第二方向 TPL,WCL:顏色控制結構物
圖1為一個實施例的顯示裝置的俯視示意圖。 圖2為圖1的顯示裝置的剖面示意圖。 圖3為一個實施例的顯示裝置的配置於一個像素的濾色層的俯視示意圖。 圖4為一個實施例的顯示裝置的配置於一個像素的發光元件層的俯視示意圖。 圖5為一個實施例的顯示裝置的配置於一個像素的顏色控制結構物的俯視示意圖。 圖6為沿圖4的Q1-Q1’線、Q2-Q2’線及Q3-Q3’線截斷的剖面圖。 圖7為沿圖4的 Q4-Q4’線截斷的剖面圖。 圖8及圖9為從圖7的第一子像素和第二子像素釋放光的情形的剖面示意圖。 圖10為另一實施例的一個子像素的局部剖面圖。 圖11為一個實施例的發光元件的概略圖。 圖12至圖20為圖示一個實施例的顯示裝置的製造過程的剖面圖。 圖21為另一實施例的顯示裝置的一個像素的剖面圖。 圖22為又一實施例的顯示裝置的一個像素的剖面圖。 圖23為又一實施例的顯示裝置的一個像素的剖面圖。 圖24及圖25為又一實施例的顯示裝置的一個像素的剖面圖。 圖26為又一實施例的顯示裝置的一個像素的剖面圖。 圖27為另一實施例的顯示裝置的配置於一個像素的濾色層的俯視示意圖。 圖28為又一實施例的顯示裝置的配置於一些子像素的濾色層的俯視示意圖。 圖29為圖28的顯示裝置的一些子像素的剖面示意圖。 圖30為另一實施例的顯示裝置的一個子像素的發光元件層的俯視示意圖。 圖31為又一實施例的顯示裝置的一個子像素的發光元件層的俯視示意圖。 圖32為沿圖31的QX-QX’線截斷的剖面圖。 圖33為另一實施例的顯示裝置的配置於一個子像素的濾色層的俯視示意圖。 圖34為另一實施例的顯示裝置的配置於一個子像素的發光元件層的俯視示意圖。 圖35為沿圖34的QX1-QX1’線截斷的剖面圖。 圖36為又一實施例的顯示裝置的配置於一個子像素的濾色層的俯視示意圖。
10:顯示裝置
DPA:顯示區域
NDA:非顯示區域
PX:像素
DR1:第一方向
DR2:第二方向

Claims (24)

  1. 一種顯示裝置，包括： 一第一基板，該第一基板設置有複數個子像素； 複數個濾色層，該複數個濾色層配置於該第一基板上； 一堤層，該堤層配置於該濾色層上，包括配置於該子像素的邊界的一第一堤； 一顏色控制結構物，該顏色控制結構物包括在該濾色層中配置於該第一堤所環繞區域內的複數個透光層及複數個波長變換層； 一發光元件層，該發光元件層配置於該濾色層與該顏色控制結構物之間； 一反射層，該反射層配置於該顏色控制結構物上；及 一第一電極和一第二電極，該第一電極和該第二電極配置於該濾色層上，且至少一部分配置於同一平面上；該發光元件層包括兩端部配置於該第一電極及該第二電極上的複數個發光元件。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中， 該濾色層包括配置於一第一子像素的一第一濾色層及配置於一第二子像素的一第二濾色層， 該發光元件層包括配置於該第一子像素的一第一發光元件層及配置於該第二子像素的一第二發光元件層， 該顏色控制結構物包括配置於該第一子像素的一第一透光層及配置於該第二子像素的一第一波長變換層。
  3. 如請求項2所述之顯示裝置，其中， 從該第一發光元件層釋放的光經該透光層，在該反射層反射，通過該第一濾色層射出到該第一基板的下面， 從該第二發光元件層釋放的光經該第一波長變換層，在該反射層反射，通過該第二濾色層射出到該第一基板的下面。
  4. 如請求項3所述之顯示裝置，其中， 該發光元件層釋放一第一色的光， 該第一子像素射出該第一色的光，該第二子像素射出與該第一色不同的一第二色的光。
  5. 如請求項4所述之顯示裝置，其中， 該濾色層進一步包括配置於一第三子像素的一第三濾色層， 該發光元件層進一步包括配置於該第三子像素的一第三發光元件層， 該顏色控制結構物進一步包括配置於該第三子像素的一第二波長變換層， 該第三子像素射出與該第一色及該第二色不同的一第三色的光。
  6. 如請求項2所述之顯示裝置，其中， 進一步包括一遮光構件，該遮光構件以環繞該第一濾色層和該第二濾色層的方式配置，沿厚度方向與該第一堤重疊。
  7. 如請求項6所述之顯示裝置，其中， 進一步包括一電路層，該電路層配置於該第一基板與該濾色層之間，包括至少一第一電晶體和複數個配線， 該第一電極及該第二電極分別與該至少一第一電晶體及該複數個配線電氣連接。
  8. 如請求項7所述之顯示裝置，其中， 進一步包括配置於該濾色層與該電路層之間的一第一平坦化層， 該濾色層直接配置於該第一平坦化層上。
  9. 如請求項8所述之顯示裝置，其中， 該第一電極透過貫通該遮光構件和該第一平坦化層的一第一接觸孔而與該第一電晶體電氣連接， 該第二電極透過貫通該遮光構件和該第一平坦化層的一第二接觸孔而與該配線電氣連接。
  10. 如請求項7所述之顯示裝置，其中， 該電路層的該第一電晶體和該配線沿厚度方向與該第一堤重疊地配置。
  11. 如請求項1所述之顯示裝置，其中， 該第一堤環繞該子像素地配置， 該發光元件層的該發光元件配置於該子像素內， 該透光層及該波長變換層在該第一堤所環繞區域內配置於該發光元件上。
  12. 如請求項11所述之顯示裝置，其中， 該堤層進一步包括複數個第二堤，該複數個第二堤在該第一堤所環繞區域內配置於該濾色層上， 該第一電極與該第二電極分別配置於該第二堤上，且至少一部分直接配置於該濾色層上。
  13. 如請求項12所述之顯示裝置，其中， 進一步包括配置於該濾色層與該第二堤上的一第一絕緣層， 該第一堤直接配置於該第一絕緣層上。
  14. 如請求項13所述之顯示裝置，其中， 該第一絕緣層配置為部分地覆蓋該發光元件層的該第一電極及該第二電極。
  15. 如請求項1所述之顯示裝置，其中， 該反射層配置於該第一堤上。
  16. 如請求項15所述之顯示裝置，其中， 該反射層包括金屬材料或低折射材料。
  17. 如請求項15所述之顯示裝置，其中， 進一步包括配置於該反射層上的一封裝層， 該封裝層包括一第一無機封裝層、配置於該第一無機封裝層上的一第二無機封裝層及配置於該第一無機封裝層與該第二無機封裝層之間的一有機封裝層。
  18. 如請求項1所述之顯示裝置，其中， 該發光元件層進一步包括一第一接觸電極及一第二接觸電極，該第一接觸電極與該發光元件的一端部及該第一電極接觸，該第二接觸電極與該發光元件的另一端部及該第二電極接觸。
  19. 一種顯示裝置，包括： 複數個子像素，該複數個子像素沿一第一方向及一第二方向排列； 一堤層，該堤層配置於該子像素的邊界，沿該第一方向及該第二方向延長； 一第一濾色層和一第二濾色層，該第一濾色層配置於一第一子像素，該第二濾色層配置於位於該第一子像素的該第二方向上的一第二子像素； 一發光元件層，該發光元件層包括一第一電極和一第二電極及複數個發光元件，該第一電極和該第二電極分別配置於該第一子像素及該第二子像素並向該第一方向延長，該複數個發光元件的兩端部配置於該第一電極和該第二電極上； 一顏色控制結構物，該顏色控制結構物包括該堤層所環繞區域中配置於該第一子像素的一透光層及配置於該第二子像素的一第一波長變換層；及 一反射層，該反射層覆蓋該顏色控制結構物和該堤層地配置。
  20. 如請求項19所述之顯示裝置，其中， 進一步包括一遮光構件，該遮光構件與該堤層重疊地配置，且環繞該第一濾色層及該第二濾色層。
  21. 如請求項20所述之顯示裝置，其中， 該遮光構件的寬度小於該堤層的寬度，該第一濾色層及該第二濾色層部分地與該堤層重疊。
  22. 如請求項21所述之顯示裝置，其中， 該透光層與該第一波長變換層沿該第二方向測量的寬度，分別小於該第一濾色層及該第二濾色層的沿該第二方向測量的寬度。
  23. 如請求項20所述之顯示裝置，其中， 進一步包括一第三濾色層和一第二波長變換層，該第三濾色層配置於位於該第二子像素的該第二方向上的一第三子像素，該第二波長變換層配置於該第三子像素。
  24. 如請求項20所述之顯示裝置，其中， 該第一濾色層和該第二濾色層沿該第一方向延長，且橫跨該堤層地配置，該遮光構件具有沿該第一方向延長的形狀。
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