CN114628430A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

显示装置包括多个第一堤部、第一电极和第二电极、第一绝缘层、多个第一图案以及多个发光元件，其中：多个第一堤部彼此间隔开并且在第一衬底上在第一方向上延伸；第一电极和第二电极在第一方向上延伸，并且位于多个第一堤部中的不同的第一堤部上以彼此间隔开；第一绝缘层覆盖第一电极、第二电极和多个第一堤部；多个第一图案彼此间隔开并且在第一绝缘层上在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及多个发光元件在多个第一图案中的相邻的第一图案之间，且发光元件的相对的端部在第一绝缘层上分别布置在第一电极和第二电极上，并且第一图案的高度大于发光元件的直径。

Description

显示装置
技术领域
本公开的实施方式的方面涉及显示装置。
背景技术
随着多媒体技术的发展，显示装置变得越来越重要。因此，目前使用各种类型的诸如有机发光显示装置和液晶显示(LCD)装置的显示装置。
显示装置包括用于显示图像的诸如有机发光显示面板和液晶显示面板的显示面板。在这些显示面板之中，发光显示面板可包括发光元件。例如，发光二极管(LED)可包括使用有机材料作为发光材料的有机发光二极管(OLED)以及使用无机材料作为发光材料的无机发光二极管。
发明内容
根据本公开的一个或多个实施方式的一方面，提供了可改善电极上的发光元件的对准的显示装置。
应注意，本公开的方面和目的不限于上述方面；根据以下描述，本公开的其它方面和目的对于本领域技术人员而言将是显而易见的。
根据本公开的一个或多个实施方式，显示装置包括设置在其上设置有电极的第一堤部之间的多个第一图案。多个第一图案可彼此间隔开并且布置在电极和第一堤部延伸的方向上，以在第一堤部之间的区域中产生水平差。与第一堤部类似，第一图案可在其间提供其中设置发光元件的区域。因此，可在制造显示装置的工艺期间引导发光元件，使得发光元件设置在第一图案之间，第一图案之间电场的强度相对大。
以这种方式，可减少在制造显示装置的工艺期间设置在除了第一堤部之间的区域之外的区域中并且没有连接到电极而丢失的发光元件的数量。此外，设置在第一图案之间的发光元件的两个端部可适当地放置在电极上，从而改善发光元件的对准。
应当注意，本公开的方面和效果不限于以上描述的那些，并且根据以下描述，本公开的其它方面和效果对于本领域技术人员而言将是显而易见的。
根据本公开的一个或多个实施方式，显示装置包括：多个第一堤部，彼此间隔开并且在第一衬底上在第一方向上延伸；第一电极和第二电极，在第一方向上延伸并且位于第一堤部中的不同的第一堤部上以彼此间隔开；第一绝缘层，覆盖第一电极、第二电极和多个第一堤部；多个第一图案，彼此间隔开并且在第一绝缘层上在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及多个发光元件，在多个第一图案中的相邻的第一图案之间，其中，发光元件的相对的端部在第一绝缘层上分别设置在第一电极和第二电极上，其中，第一图案的高度大于发光元件的直径。
在实施方式中，第一图案与第一堤部重叠并且与第一堤部垂直地相交。
在实施方式中，多个发光元件中的一个发光元件布置在多个第一图案中的每两个第一图案之间，并且其中，发光元件的纵向方向与第一图案延伸的方向平行。
在实施方式中，第一图案的间距大于第一图案之间的距离。
在实施方式中，第一图案之间的距离大于0.5μm且小于4μm。
在实施方式中，第一图案的宽度大于1μm且小于4.5μm。
在实施方式中，第一图案的剖面是梯形、正方形和矩形中的任一种。
在实施方式中，显示装置还包括第二堤部，第二堤部围绕多个发光元件、第一电极、第二电极和多个第一堤部并限定发射区域。
在实施方式中，第一图案不与第二堤部重叠。
在实施方式中，第一图案的高度大于0.5μm且小于第二堤部的高度。
在实施方式中，第一图案包括在第二方向上延伸并且在第一方向上彼此间隔开的第一子图案和第二子图案。
在实施方式中，第一子图案与第二子图案之间的距离小于发光元件的直径。
在实施方式中，第一图案位于多个第一堤部之间且不与多个第一堤部重叠。
在实施方式中，显示装置还包括在第一电极上并且与多个发光元件中的每个的相对的端部中的第一端部接触的第一接触电极以及在第二电极上并且与多个发光元件中的每个的相对的端部中的第二端部接触的第二接触电极。
根据本公开的一个或多个实施方式，显示装置包括：多个第一堤部，彼此间隔开并且在第一衬底上在第一方向上延伸；第一电极和第二电极，在第一方向上延伸并且位于多个第一堤部中的不同的第一堤部上以彼此间隔开；第一绝缘层，覆盖第一电极、第二电极和多个第一堤部；多个第一图案，彼此间隔开并且在第一绝缘层上在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及多个发光元件，在多个第一图案中的相邻的第一图案之间，其中，发光元件的相对的端部在第一绝缘层上分别布置在第一电极和第二电极上，其中，第一图案的宽度大于发光元件的直径且小于第一图案的间距。
在实施方式中，第一图案的宽度大于1μm且小于4.5μm。
在实施方式中，第一图案的间距大于第一图案之间的距离且小于5μm。
在实施方式中，显示装置还包括第二堤部，第二堤部围绕多个发光元件、第一电极、第二电极和多个第一堤部并限定发射区域，其中，第一图案不与第二堤部重叠。
在实施方式中，第一图案包括在第二方向上延伸并且在第一方向上彼此间隔开的第一子图案和第二子图案。
在实施方式中，第一图案位于多个第一堤部之间并且不与多个第一堤部重叠。
附图说明
通过参考附图更详细地描述本公开的一些实施方式，本公开的上述和其它方面及特征将变得更加显而易见。
图1是示出根据本公开的实施方式的显示装置的平面图。
图2是示出根据本公开的实施方式的显示装置的像素的平面图。
图3是沿着图2的线Q1-Q1'、Q2-Q2'和Q3-Q3'截取的剖视图。
图4是沿着图2的线Q4-Q4'截取的剖视图。
图5是沿着图2的线Q5-Q5'截取的剖视图。
图6是示出图5的区“A”的放大视图。
图7是示出根据本公开的实施方式的第一图案的立体图。
图8是示出根据本公开的实施方式的发光元件的视图。
图9是根据本公开的实施方式的显示装置的部分的剖视图。
图10是示出根据本公开的实施方式的显示装置的像素的平面图。
图11是沿着图10的线Q6-Q6'截取的剖视图。
图12是图11的区“B”的放大视图。
图13是示出根据本公开的实施方式的显示装置的像素的平面图。
图14是沿着图13的线Q7-Q7'截取的剖视图。
图15是示出图13的第一图案和发光元件的视图。
图16至图22是示出根据本公开的实施方式的制造显示装置的一些工艺步骤的剖视图。
图23是示意性地示出电场的强度的分布的视图。
图24是示出电场的强度的绝对值的曲线图。
图25和图26是示出根据本公开的实施方式的制造显示装置的一些工艺步骤的剖视图。
图27是示出根据本公开的实施方式的显示装置的子像素的平面图。
图28是沿着图27的线Q8-Q8'截取的剖视图。
具体实施方式
现在将参考附图在本文中更全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的一些实施方式。然而，本发明可以以不同的形式来体现，并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域的技术人员完全传达本发明的范围。
还应理解，当层被称为“在另一层或衬底上”时，该层可直接在该另一层或衬底上，或者还可存在一个或多个居间的层。在说明书全文中，相同的附图标记表示相同的部件。
应当理解，虽然本文中可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不背离本发明的教导的情况下，以下讨论的第一元件可被称为第二元件。类似地，第二元件也可被称为第一元件。
本公开的各种实施方式的特征中的每个可部分地或整体地组合或彼此组合。每个实施方式可彼此独立地实现，或者可关联地一起实现。
为易于说明，可在本文中使用诸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”、“底部”、“顶部”等空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一(些)元件或特征的关系。应当理解，除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在包括装置在使用或操作中的不同定向。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随之被定向在该其它元件或特征“上方”或“之上”。因此，术语“下方”可包含上方和下方两种定向。装置可被另外地定向(例如，旋转90度或处于其它定向)，并且应相应地解释本文中使用的空间相对描述语。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域中的普通技术人员通常理解的相同的含义。还应当理解的是，诸如在常用字典中定义的那些术语应被解释为具有与其在相关领域和/或本公开的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地如此定义，否则不应以理想化或过于形式化的含义进行解释。
在本文中，将参考附图描述本公开的一些实施方式。
图1是示出根据本公开的实施方式的显示装置的平面图。
参考图1，显示装置10可显示运动图像或静止图像。显示装置10可指提供显示屏的任何电子装置。例如，显示装置10可包括电视机、膝上型计算机、监视器、电子广告牌、物联网装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示装置、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏控制台、数码相机、摄像机等。
显示装置10可包括用于提供显示屏的显示面板。显示面板的示例可包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板、场发射显示面板等。在以下描述中，无机发光二极管显示面板被用作显示面板的示例，但本公开不限于此。可采用任何其它显示面板，只要可同等地应用本公开的技术思想即可。
显示装置10的形状可以以各种方式修改。例如，显示装置10可具有诸如具有圆化拐角(顶点)的四边形、正方形、具有较长横向侧的矩形、具有较长垂直侧的矩形、其它多边形、圆形等形状中的任何形状。显示装置10的显示区域DPA的形状也可与显示装置10的整体形状相似。图1示出了具有具备较长的水平侧的矩形的形状的显示装置10和显示区域DPA。
显示装置10可包括显示区域DPA和非显示区域NDA。在显示区域DPA中，可显示图像。在非显示区域NDA中，不显示图像。显示区域DPA可被称为有效区域，而非显示区域NDA还可被称为非有效区域。在实施方式中，显示区域DPA通常可占据显示装置10的中央的大部分。
显示区域DPA可包括多个像素PX。多个像素PX可以布置成矩阵。当从顶部观察时，每个像素PX的形状可以是但不限于矩形或正方形。在实施方式中，每个像素PX可具有菱形形状，该菱形形状具有相对于一个方向倾斜的侧。在实施方式中，像素PX可以以条纹或PenTile图案交替地布置。像素PX中的每个可包括发射特定波长带的光以表达颜色的至少一个发光元件30。
非显示区域NDA可设置在显示区域DPA周围。非显示区域NDA可完全或部分地围绕显示区域DPA。在实施方式中，显示区域DPA可具有矩形形状，并且非显示区域NDA可设置成与显示区域DPA的四个侧相邻。非显示区域NDA可形成显示装置10的边框。在非显示区域NDA中可设置有包括在显示装置10中的线或电路驱动器，或者可安装外部装置。
图2是示出根据本公开的实施方式的显示装置的像素的平面图。
参考图2，在实施方式中，多个像素PX中的每个可包括多个子像素PXn，其中n是1与3之间的整数。例如，像素PX可包括第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3。第一子像素PX1可发射第一颜色的光，第二子像素PX2可发射第二颜色的光，以及第三子像素PX3可发射第三颜色的光。在实施方式中，第一颜色可以是蓝色，第二颜色可以是绿色，以及第三颜色可以是红色。然而，应当理解，本公开不限于此。所有子像素PXn可发射相同颜色的光。虽然图2中所示的示例中像素PX包括三个子像素PXn，但本公开不限于此。像素PX可包括多于两个子像素PXn。
显示装置10的子像素PXn中的每个可包括发射区域EMA和非发射区域(未示出)。在发射区域EMA中，发光元件30可设置成发射特定波长的光。在非发射区域中，没有设置发光元件30，并且从发光元件30发射的光不到达，并且因此，没有光从非发射区域出射。发射区域EMA可包括其中设置有发光元件30的区域，并且可包括与发光元件30相邻的、从发光元件30发射的光从其出射的区域。
然而，应当理解，本公开不限于此。发射区域EMA还可包括其中从发光元件30发射的光被其它元件反射或折射以出射的区域。多个发光元件30可设置在子像素PXn中的每个中，并且发射区域EMA可包括设置发光元件30的区域和相邻区域。
子像素PXn中的每个还可包括设置在非发射区域中的切割区域CBA。切割区域CBA可设置在发射区域EMA的第二方向DR2上的侧上。切割区域CBA可设置在第二方向DR2上的邻近的子像素PXn的发射区域EMA之间。在显示装置10的显示区域DPA中，可布置多个发射区域EMA和切割区域CBA。例如，多个发射区域EMA和切割区域CBA可在第一方向DR1上重复地布置，并且可在第二方向DR2上交替地布置。此外，切割区域CBA之间在第一方向DR1上的间隔可小于发射区域EMA之间在第一方向DR1上的间隔。第二堤部45可设置在切割区域CBA与发射区域EMA之间，并且切割区域CBA与发射区域EMA之间的距离可根据第二堤部45的宽度而变化。虽然发光元件30不设置在切割区域CBA中，并且因此没有光从切割区域CBA出射，但是设置在子像素PXn中的每个中的电极21和22的部分可设置在切割区域CBA处。针对子像素PXn中的每个设置的电极21和22可在切割区域CBA中彼此分开设置。
图3是沿着图2的线Q1-Q1'、Q2-Q2'和Q3-Q3'截取的剖视图。图4是沿着图2的线Q4-Q4'截取的剖视图。图5是沿着图2的线Q5-Q5'截取的剖视图。图6是示出图5的区“A”的放大视图。图7是示出根据本公开的实施方式的第一图案的立体图。
虽然图3仅示出了图2的第一子像素PX1的剖面，但是该描述可同等地应用于其它像素PX或子像素PXn。图3示出了穿过设置在第一子像素PX1中的发光元件30的第一端部至第二端部的剖面。图4示出了穿过设置在第一子像素PX1中的第一图案70的剖面。
结合图2来参考图3至图5，显示装置10可包括第一衬底11、设置在第一衬底11上的半导体层、多个导电层和多个绝缘层。
第一衬底11可以是绝缘衬底。第一衬底11可由诸如玻璃、石英和聚合物树脂中的任一种的绝缘材料制成。第一衬底11可以是刚性衬底或者可被弯曲、折叠或卷曲的柔性衬底。
挡光层BML可设置在第一衬底11上。挡光层BML可与显示装置10的第一晶体管TR1的有源层ACT重叠。挡光层BML可包括阻挡光的材料，并且因此可防止或基本上防止光进入第一晶体管TR1的有源层ACT。例如，挡光层BML可由阻挡光透射的不透明金属材料形成。然而，应当理解，本公开不限于此。在一些实施方式中，可省略挡光层BML。
在实施方式中，缓冲层12可完全设置在其上设置有挡光层BML的第一衬底11上。缓冲层12可形成在第一衬底11上，以保护像素PX的第一晶体管TR1免受渗透通过第一衬底11(第一衬底11易被湿气渗透)的湿气的影响，并且还可提供平坦的表面。在实施方式中，缓冲层12可由交替地彼此堆叠的多个无机层形成。例如，缓冲层12可由多个层构成，其中包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和硅氮氧化物(SiON)中的至少一个的无机层交替地彼此堆叠。
半导体层设置在缓冲层12上。半导体层可包括第一晶体管TR1的有源层ACT。半导体层可设置成与将在稍后描述的第一栅极导电层的栅电极GE等部分地重叠。
虽然附图中仅描绘了包括在显示装置10的子像素PXn中的晶体管中的第一晶体管TR1，但本公开不限于此。显示装置10可包括更大数量的晶体管。例如，除了第一晶体管TR1之外，显示装置10可在子像素PXn中的每个中包括多于一个晶体管，例如，两个晶体管或三个晶体管。
根据本公开的实施方式，半导体层可包括多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等。当半导体层包括氧化物半导体时，每个有源层ACT可包括多个导电区ACT_a和ACT_b以及在导电区ACT_a和ACT_b之间的沟道区ACT_c。氧化物半导体可以是包含铟(In)的氧化物半导体。在一些实施方式中，氧化物半导体可以是铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓氧化物(IGO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO)等。
在其它实施方式中，半导体层可包括多晶硅。多晶硅可通过使非晶硅结晶而形成，并且在这种情况下，有源层ACT的导电区可以是掺杂有杂质的掺杂区。
第一栅极绝缘层13设置在半导体层和缓冲层12上。第一栅极绝缘层13可设置在其上设置有半导体层的缓冲层12上。第一栅极绝缘层13可用作薄膜晶体管中的每个的栅极绝缘体。第一栅极绝缘层13可由包括诸如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和硅氮氧化物(SiON)的无机材料的无机层形成，或者可由该材料的叠层形成。
第一栅极导电层设置在第一栅极绝缘层13上。第一栅极导电层可包括第一晶体管TR1的栅电极GE和存储电容器的第一电容器电极CSE。栅电极GE可设置成使得栅电极GE在厚度方向上与有源层ACT的沟道区ACT_c重叠。第一电容器电极CSE可设置成使得第一电容器电极CSE在厚度方向上与稍后描述的第一晶体管TR1的第二源/漏电极SD2重叠。在一些实施方式中，第一电容器电极CSE可连接到栅电极GE并与栅电极GE集成，并且集成的层可部分地包括栅电极GE和第一电容器电极CSE。第一电容器电极CSE可设置成使得第一电容器电极CSE在厚度方向上与第二源/漏电极SD2重叠，并且第一电容器电极CSE与第二源/漏电极SD2之间可形成存储电容器。
第一栅极导电层可由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)或其合金的单层或多层构成。然而，应当理解，本公开不限于此。
第一保护层15设置在第一栅极导电层上。第一保护层15可设置成覆盖并保护第一栅极导电层。第一保护层15可由包括诸如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和硅氮氧化物(SiON)中的任一种的无机材料的无机层形成，或者可由该材料的叠层形成。
第一数据导电层设置在第一保护层15上。第一数据导电层可包括数据线DTL以及第一晶体管TR1的第一源/漏电极SD1和第二源/漏电极SD2。
第一晶体管TR1的源/漏电极SD1和SD2可通过穿过第一层间电介质层17和第一栅极绝缘层13的接触孔分别与有源层ACT的掺杂区ACT_a和ACT_b接触。此外，第一晶体管TR1的第二源/漏电极SD2可通过另一接触孔电连接到挡光层BML。
数据线DTL可将数据信号施加到包括在显示装置10中的另一晶体管(未示出)。虽然附图中未示出，但是数据线DTL可连接到另一晶体管的源/漏电极，以传送从数据线DTL施加的信号。
第一数据导电层可由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)或其合金的单层或多层构成。然而，应当理解，本公开不限于此。
第一层间电介质层17设置在第一数据导电层上。第一层间电介质层17可用作第一数据导电层与设置在第一数据导电层上的其它层之间的绝缘层。此外，第一层间电介质层17可覆盖并保护第一数据导电层。第一层间电介质层17可由包括诸如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和硅氮氧化物(SiON)中的任一种的无机材料的无机层形成，或者可由这些材料的叠层形成。
第二数据导电层设置在第一层间电介质层17上。第二数据导电层可包括第一电压线VL1、第二电压线VL2和第一导电图案CDP。可将高电平电压(或第一电源电压)施加到第一电压线VL1以供应到第一晶体管TR1，以及可将低电平电压(或第二电源电压)施加到第二电压线VL2以供应到第二电极22。此外，可将用于在制造显示装置10的工艺期间用于对准发光元件30的对准信号施加到第二电压线VL2。
第一导电图案CDP可通过形成在第一层间电介质层17中的接触孔电连接到第一晶体管TR1的第二源/漏电极SD2。第一导电图案CDP还可与将在稍后描述的第一电极21接触。第一晶体管TR1可通过第一导电图案CDP将从第一电压线VL1施加的第一电源电压传送到第一电极21。虽然附图中所示的示例中第二数据导电层包括一个第二电压线VL2和一个第一电压线VL1，但本公开不限于此。第二数据导电层可包括多于一个的第一电压线VL1和第二电压线VL2。
第二数据导电层可由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)或其合金的单层或多层构成。然而，应当理解，本公开不限于此。
第一平坦化层19设置在第二数据导电层上。第一平坦化层19可包括有机绝缘材料(例如，诸如聚酰亚胺(PI)的有机材料)，以提供平坦表面。
在第一平坦化层19上，设置有第一图案70、发光元件30、第二堤部45、多个第一堤部40、多个电极21和22以及多个接触电极26和27。此外，还可在第一平坦化层19上设置多个绝缘层51、52、53和54。
多个第一堤部40可直接设置在第一平坦化层19上。多个第一堤部40可在子像素PXn中的每个内在第二方向DR2上延伸，并且可不延伸到在第二方向DR2上相邻的子像素PXn。第一堤部40可设置在发射区域EMA中。此外，第一堤部40在第一方向DR1上彼此间隔开，并且可形成其间设置发光元件30的区域。多个第一堤部40可设置在子像素PXn中的每个中，以在显示装置10的显示区域DPA中形成线形图案。虽然附图中示出了两个第一堤部40，但本公开不限于此。根据以下将要描述的电极21和22的数量，还可设置多于两个第一堤部40。
第一堤部40可具有至少部分地从第一平坦化层19的上表面突出的结构。第一堤部40中的每个的突出部分可具有倾斜的侧表面，并且从发光元件30发射的光可朝第一堤部40中的每个的倾斜的侧表面行进。设置在第一堤部40上的电极21和22可包括具有高反射率的材料，并且从发光元件30发射的光可被设置在第一堤部40的侧表面上的电极21和22反射回，使得光可朝第一平坦化层19的上侧出射。即，第一堤部40可提供设置发光元件30的区域，并且还可用作将从发光元件30发射的光朝上侧反射的反射分隔壁。第一堤部40的侧表面可以以线形形状倾斜，但本公开不限于此。第一堤部40可具有具备曲形外表面的半圆形或半椭圆形形状。根据本公开的实施方式，第一堤部40可包括但不限于诸如聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料。
电极21和22设置在第一堤部40和第一平坦化层19上。电极21和22可包括第一电极21和第二电极22。电极21和22可在第二方向DR2上延伸，并且可在第一方向DR1上彼此间隔开。
第一电极21和第二电极22可在子像素PXn中的每个中在第二方向DR2上延伸，并且可在切割区域CBA中与其它电极21和22间隔开。在一些实施方式中，切割区域CBA可设置在第二方向DR2上的邻近的子像素PXn的发射区域EMA之间，并且第一电极21和第二电极22可在切割区域CBA中与设置在第二方向DR2上的相邻的子像素PXn中的另一第一电极21和第二电极22分开。然而，应当理解，本公开不限于此。针对子像素PXn中的每个，一些电极21和22可不被分开，而是可在第二方向DR2上延伸并设置成跨过相邻的子像素PXn。在实施方式中，第一电极21和第二电极22中的仅一个可被分开。
第一电极21可通过第一接触孔CT1电连接到第一晶体管TR1，以及第二电极22可通过第二接触孔CT2电连接到第二电压线VL2。例如，第一电极21的在第二堤部45下方在第一方向DR1上延伸的部分可通过穿透第一平坦化层19的第一接触孔CT1与第一导电图案CDP接触。第二电极22的在第二堤部45下方在第一方向DR1上延伸的部分可通过穿透第一平坦化层19的第二接触孔CT2与第二电压线VL2接触。然而，应当理解，本公开不限于此。根据本公开的一些实施方式，第一接触孔CT1和第二接触孔CT2可形成在由第二堤部45围绕的发射区域EMA中，以不与第二堤部45重叠。
虽然附图中在每个子像素PXn中设置有一个第一电极21和一个第二电极22，但本公开不限于此。在一些实施方式中，在每个子像素PXn中可设置有更大数量的第一电极21和第二电极22。此外，设置在子像素PXn中的每个中的第一电极21和第二电极22可不必具有在一个方向上延伸的形状，但可具有各种结构中的任一种。例如，第一电极21和第二电极22可具有部分曲形或弯曲的形状，并且一个电极可设置成围绕另一电极。
第一电极21和第二电极22可分别设置在第一堤部40上。根据本公开的一些实施方式，第一电极21和第二电极22中的每个可具有比第一堤部40的宽度大的宽度。例如，第一电极21和第二电极22可设置成覆盖第一堤部40的外表面。第一电极21和第二电极22可分别设置在第一堤部40的侧表面上，并且第一电极21与第二电极22之间的距离可小于第一堤部40之间的距离。在实施方式中，第一电极21和第二电极22的至少部分可直接设置在第一平坦化层19上，以位于同一平面上。
电极21和22中的每个可包括具有高反射率的导电材料。例如，电极21和22中的每个可包括诸如银(Ag)、铜(Cu)和铝(Al)中的任一种的金属作为具有高反射率的材料，并且可以是包括铝(Al)、镍(Ni)、镧(La)等的合金。电极21和22中的每个可朝子像素PXn中的每个的上侧反射从发光元件30发射并且朝第一堤部40的侧表面行进的光。
然而，应当理解，本公开不限于此。电极21和22中的每个还可包括透明导电材料。例如，电极21和22中的每个可包括诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)和铟锡锌氧化物(ITZO)中的任一种的材料。在一些实施方式中，电极21和22中的每个可具有其中堆叠有透明导电材料层和具有高反射率的金属层中的一个或多个层的结构，或者可由其单层制成。例如，电极21和22中的每个可具有诸如ITO/银(Ag)/ITO、ITO/Ag/IZO或ITO/Ag/ITZO/IZO的叠层结构。
电极21和22可电连接到发光元件30，并且可施加电压(例如，预定电压)，使得发光元件30可发射光。例如，多个电极21和22可通过将在稍后描述的接触电极26和27电连接到发光元件30，并且可通过接触电极26和27将施加到电极21和22的电信号传送到发光元件30。
根据本公开的实施方式，第一电极21和第二电极22中的一个可电连接到发光元件30的阳电极，而另一个可电连接到发光元件30的阴电极。然而，应当理解，本公开不限于此。
此外，电极21和22可用于在子像素PXn内形成电场，以对准发光元件30。发光元件30可通过形成在第一电极21和第二电极22上的电场设置在第一电极21与第二电极22之间。根据本公开的实施方式，显示装置10的发光元件30可经由喷墨印刷工艺喷涂在电极21和22上。当将包含发光元件30的油墨的液滴喷射到电极21和22上时，将对准信号施加到电极21和22以产生电场。分散在油墨中的发光元件30可通过接收由在电极21和22之上产生的电场的电泳力而在电极21和22上对准。
第一绝缘层51设置在第一平坦化层19上。第一绝缘层51可设置成覆盖设置在第一平坦化层19上的第一堤部40、第一电极21和第二电极22，使得第一电极21和第二电极22中的每个的上表面的部分被暴露。换言之，第一绝缘层51可基本上完全形成在第一平坦化层19上，并且可包括部分地暴露第一电极21和第二电极22的开口。
在实施方式中，第一绝缘层51可具有台阶，使得上表面的部分在第一电极21与第二电极22之间凹入。因为第一绝缘层51设置成覆盖设置在第一堤部40之间的第一电极21和第二电极22，所以第一绝缘层51的上表面可沿着布置第一电极21和第二电极22的第一方向DR1具有水平差。
第一绝缘层51可保护第一电极21和第二电极22并且使它们彼此绝缘。此外，第一绝缘层51可防止或基本上防止设置在第一绝缘层51上的发光元件30与其它元件接触并被损坏。
根据本公开的实施方式，显示装置10可包括设置在第一堤部40之间的多个第一图案70。多个第一图案70可设置在第一绝缘层51上。在实施方式中，多个第一图案70可具有比第一堤部40的厚度小的厚度，并且可在第二方向DR2上彼此间隔开。在实施方式中，第一图案70的宽度可大于第一堤部40之间的距离，并且可小于将在稍后描述的第二堤部45之间的距离。在实施方式中，第一图案70可与第二堤部45间隔开。在实施方式中，第一图案70可具有梯形剖面。第一图案70的剖面形状可与通过图案化有机材料获得的剖面形状相似。然而，应当理解，本公开不限于此。
如上所述，第一堤部40可形成其间设置发光元件30的区域。在制造显示装置10的工艺期间，可将设置在油墨中的发光元件30喷射到将在稍后描述的电极21和22上，并且可通过在电极21和22之上产生的电场而布置在电极21和22上。设置在子像素PXn中的每个中的第一堤部40具有从第一平坦化层19的上表面突出的形状，以将子像素PXn之间的内部区域与外部区域区分开。因此，可引导发光元件30，使得发光元件30布置在第一堤部40之间。
类似地，布置在第一堤部40之间的多个第一图案70可在第一堤部40之间的设置发光元件30的区域中形成水平差。第一堤部40之间的区域可被划分为设置第一图案70的区域以及在第二方向DR2上彼此间隔开的第一图案70之间的区域。发光元件30可被引导以设置在第一图案70之间。因此，发光元件30可设置在第一堤部40之间的特定区域中，并且发光元件30的两个端部或相对的端部可分别适当地放置在电极21和22上。
此外，因为第一图案70具有特定厚度(例如，预定厚度)，因此当为了对准发光元件30而产生电场时，电场的强度在第一图案70之上是弱的，这将在稍后描述。因此，发光元件30可被引导到第一堤部40之间的电场的强度相对大的区域并且布置在这些区域中。因此，发光元件30可布置在第一堤部40之间，并且发光元件30的两个端部可分别适当地放置在电极21和22上。稍后将参考其它附图更详细地描述第一图案70。
第二堤部45可设置在第一绝缘层51上。在实施方式中，当从顶部观察时，第二堤部45可以以点阵图案设置在显示区域DPA的整个区域中，显示区域DPA包括在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的部分。第二堤部45可沿着子像素PXn中的每个的边界设置，以将相邻的子像素PXn彼此区分开。
此外，第二堤部45可设置成围绕设置在子像素PXn中的每个中的发射区域EMA和切割区域CBA，以将发射区域EMA和切割区域CBA区分开。第一电极21和第二电极22可在第二方向DR2上延伸，并且可设置成跨过第二堤部45的在第一方向DR1上延伸的部分。在实施方式中，第二堤部45的在第二方向DR2上延伸的部分可在发射区域EMA之间具有比在切割区域CBA之间更大的宽度。因此，切割区域CBA之间的距离可小于发射区域EMA之间的距离。
根据本公开的实施方式，第二堤部45可具有比第一堤部40的高度大的高度。第二堤部45可防止或基本上防止在制造显示装置10的工艺的喷墨印刷工艺期间油墨溢出到相邻的子像素PXn中。第二堤部45可将不同的子像素PXn彼此分开，使得其中分散有不同发光元件30的油墨不被混合。如第一堤部40那样，第二堤部45可包括但不限于聚酰亚胺(PI)。
发光元件30可设置在第一绝缘层51上。发光元件30可在电极21和22延伸的第二方向DR2上彼此间隔开，并且可基本上彼此平行地对准。发光元件30之间的间隔不受特别限制。发光元件30可具有在一方向上延伸的形状。电极21和22延伸的方向可与发光元件30延伸的方向基本上垂直。然而，应当理解，本公开不限于此。例如，发光元件30可相对于电极21和22延伸的方向倾斜地定向，而不是与电极21和22延伸的方向垂直。
发光元件30可包括发光层36(参考图8)，发光层36包括不同的材料以向外部发射不同波长带的光。显示装置10可包括发射不同波长的光的发光元件30。因此，第一颜色、第二颜色和第三颜色的光可分别从第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3出射。然而，应当理解，本公开不限于此。在一些实现方式中，子像素PXn可包括相同种类的发光元件30，并且可发射基本上相同颜色的光。
发光元件30的相对的端部可在第一堤部40之间分别设置在电极21和22上。例如，发光元件30中的每个的第一端部可位于第一电极21上，并且发光元件30中的每个的第二端部可位于第二电极22上。在实施方式中，发光元件30的长度可大于第一电极21与第二电极22之间的距离，并且发光元件30的相对的端部可分别设置在第一电极21和第二电极22上。
根据本公开的实施方式，发光元件30可设置在第一图案70中的相邻的第一图案70之间。例如，发光元件30可设置在没有设置第一图案70的区域中。然而，应当理解，本公开不限于此。例如，发光元件30中的一些可与第一图案70接触，或者可设置在第一图案70上。第一绝缘层51可设置在第一堤部40之间以及第一电极21与第二电极22之间，并且第一图案70可设置在第一绝缘层51上。设置在第一绝缘层51上的发光元件30可在第一图案70之间设置在具有低高度的第一绝缘层51上。在实施方式中，一个发光元件30可对准并设置在第一图案70之间。对准的发光元件30的纵向方向可布置在第一方向DR1上，并且与第一图案70延伸的方向平行。
在实施方式中，显示装置10的发光元件30可布置成平行于第一平坦化层19延伸。包括在发光元件30中的半导体层可在与第一平坦化层19的上表面平行的方向上依次设置。然而，应当理解，本公开不限于此。在一些实现方式中，当发光元件30具有不同的结构时，包括在发光元件30中的多个层可在与第一平坦化层19垂直的方向上设置。
发光元件30中的每个的端部可分别与接触电极26和27接触。根据本公开的实施方式，因为在延伸方向的侧上的端部表面处没有形成绝缘膜38(参考图8)，所以发光元件30中的每个的半导体层或电极层的部分被暴露，并且该半导体层的暴露部分可与接触电极26和27接触。然而，应当理解，本公开不限于此。在一些实现方式中，去除发光元件30的绝缘膜38的至少部分，使得发光元件30的半导体层的侧表面可被部分地暴露。该半导体层的暴露侧表面可与接触电极26和27直接接触。
第二绝缘层52可部分地设置在发光元件30上。例如，第二绝缘层52可设置成部分地围绕发光元件30的外表面，使得发光元件30的相对的端部不被覆盖。接触电极26和27可与发光元件30的未被第二绝缘层52覆盖的相对的端部接触，这将在稍后描述。当从顶部观察时，第二绝缘层52的设置在发光元件30上的部分可在第一绝缘层51上在第二方向DR2上延伸，从而在子像素PXn中的每个中形成线形或岛状图案。第二绝缘层52可在制造显示装置10的工艺期间保护发光元件30并固定发光元件30。
多个接触电极26和27以及第三绝缘层53可设置在第二绝缘层52上。
多个接触电极26和27可具有在一方向上延伸的形状。第一接触电极26和第二接触电极27可分别设置在第一电极21的部分和第二电极22的部分上。第一接触电极26可设置在第一电极21上，第二接触电极27可设置在第二电极22上，并且第一接触电极26和第二接触电极27中的每个可具有在第二方向DR2上延伸的形状。第一接触电极26和第二接触电极27可在第一方向DR1上彼此间隔开并且彼此面对，并且可在每个子像素PXn的发射区域EMA内部形成条纹图案。第一接触电极26和第二接触电极27设置成覆盖第一图案70，以沿着由第一接触电极26和第二接触电极27下方的第一图案70形成的水平差设置在设置发光元件30的第一堤部40之间。
在一些实施方式中，第一接触电极26和第二接触电极27在一方向上测量的宽度可分别等于或小于第一电极21和第二电极22在该方向上测量的宽度。第一接触电极26和第二接触电极27可分别与发光元件30的相对的端部接触，并且可分别覆盖第一电极21和第二电极22的上表面的部分。
接触电极26和27可分别与发光元件30以及电极21和22接触。发光元件30的半导体层在延伸方向的侧上暴露在发光元件30的相对的端部表面处，并且第一接触电极26和第二接触电极27可在发光元件30的半导体层被暴露的暴露端部表面处与发光元件30接触。发光元件30中的每个的第一端部可通过第一接触电极26电连接到第一电极21，并且发光元件30中的每个的第二端部可通过第二接触电极27电连接到第二电极22。
虽然附图中在一个子像素PXn中设置有一个第一接触电极26和一个第二接触电极27，但本公开不限于此。第一接触电极26和第二接触电极27的数量可根据设置在子像素PXn中的每个中的第一电极21和第二电极22的数量而变化。
第三绝缘层53设置在第一接触电极26上。第三绝缘层53可将第一接触电极26与第二接触电极27电绝缘。第三绝缘层53设置成覆盖第一接触电极26，并且可不设置在发光元件30的第二端部上，使得发光元件30与第二接触电极27接触。第三绝缘层53可在第二绝缘层52的上表面上与第一接触电极26和第二绝缘层52中的每个的部分接触。第三绝缘层53的在设置第二电极22的侧上的侧表面可与第二绝缘层52的侧表面对准。此外，第三绝缘层53也可例如在设置于第一平坦化层19上的第一绝缘层51上设置在非发射区域中。然而，应当理解，本公开不限于此。
第二接触电极27设置在第二电极22、第二绝缘层52和第三绝缘层53上。第二接触电极27可与发光元件30的第二端部以及第二电极22的暴露的上表面接触。发光元件30的第二端部可通过第二接触电极27电连接到第二电极22。
第二接触电极27可与第二绝缘层52、第三绝缘层53、第二电极22和发光元件30部分地接触。通过第二绝缘层52和第三绝缘层53，第一接触电极26和第二接触电极27可不彼此接触。然而，应当理解，本公开不限于此。在一些实施方式中，可省略第三绝缘层53。
接触电极26和27可包括导电材料。例如，接触电极26和27可包括ITO、IZO、ITZO、铝(Al)等中的任一种。例如，接触电极26和27可包括透明导电材料，并且从发光元件30发射的光可透过接触电极26和27以朝电极21和22行进。然而，应当理解，本公开不限于此。
在实施方式中，第四绝缘层54可完全设置在第一衬底11上。第四绝缘层54可用于保护设置在第一衬底11上的元件免受外部环境的影响。
以上描述的第一绝缘层51、第二绝缘层52、第三绝缘层53和第四绝缘层54中的每个可包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。根据本公开的实施方式，第一绝缘层51、第二绝缘层52、第三绝缘层53和第四绝缘层54可包括诸如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氧化物(Al2O3)和铝氮化物(AlN)中的任一种的无机绝缘材料。在实施方式中，第一绝缘层51、第二绝缘层52、第三绝缘层53和第四绝缘层54可包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、Cardo树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂等作为有机绝缘材料。然而，应当理解，本公开不限于此。
参考图4至图7，根据实施方式的第一图案70在第二方向DR2上在第二堤部45之间彼此间隔开。在制造显示装置10的工艺期间，在形成第一绝缘层51和第二堤部45之后，执行将包含发光元件30的油墨喷射到每个子像素PXn上的工艺。分散在油墨中的发光元件30被喷射到电极21和22上，并且发光元件30的相对的端部分别放置在电极21和22上，同时发光元件30的位置和定向通过形成在电极21和22之上的电场而改变。
分散在油墨中的发光元件30可随机地定位在由第二堤部45围绕的发射区域EMA内，并且也可坐落于除了第一堤部40之间之外的区域中。坐落于除了第一堤部40之间之外的区域中的发光元件30的相对的端部可能无法电连接到电极21和22，而可能在制造工艺期间丢失。当大量的发光元件30丢失时，需要喷射大量的油墨以满足每个子像素PXn所需的发光元件30的数量。因此，可能降低工艺产率。
因为第一堤部40具有从第一平坦化层19突出的形状，所以它可区分不同位置的发射区域EMA，并且可引导发光元件30，使得大量发光元件30位于由第一堤部40形成的空间中。类似地，第一图案70形成为从第一绝缘层51的上表面突出，以区分第二堤部45之间的不同位置的区域。设置第一图案70的区域可以是较高的位置，并且当分散在油墨中的发光元件30的位置被电场改变时，分散在油墨中的发光元件30可被朝第一图案70之间的空间引导。例如，如图5中所示，第一图案70可相对于第一绝缘层51的上表面设置成高于第一绝缘层51，并且没有设置第一图案70的区域(即，第一图案70之间的区域)可低于设置第一图案70的区域。分散在油墨中的发光元件30中的大部分可被引导以在较低位置处坐落于第一绝缘层51上。特别地，当发光元件30放置在第一图案70上时，因为第一图案70之间的区域中电场的强度更大，所以发光元件30可从第一图案70上的区域移动到第一图案70之间的区域，并且在第一图案70之间的区域中对准。
根据本公开的实施方式，与第一堤部40类似，第一图案70可引导发光元件30以将发光元件30定位在每个子像素PXn的发射区域EMA中的预期位置处，使得可在第一堤部40之间设置大量的发光元件30。因此，可减少在制造显示装置10的工艺期间丢失的发光元件30的数量，并且可将发光元件30的两个端部在第一堤部40之间分别放置在电极21和22上，使得可防止接触电极26和27与发光元件30之间的接触故障。
第一图案70可具有足以引导发光元件30以通过水平差将发光元件30设置在第一图案70之间的厚度。根据本公开的实施方式，第一图案70的高度H1可大于发光元件30的直径D1。因为第一图案70的高度H1大于发光元件30的直径D1，所以在第一图案70之上产生的电场的强度可变得小于在第一图案70之间发光元件30所坐落于的第一绝缘层51之上产生的电场的强度。因此，发光元件30可移动到电场的强度较大的侧，并且因此可在电极21和22之间对准。根据本公开的实施方式，第一图案70的高度H1可大于发光元件30的直径D1，例如，大于0.5μm。此外，第一图案70的高度H1可小于第二堤部45的高度。油墨可喷射到第一图案70上，以在由第二堤部45分隔的区域中均匀地散布。由于第一图案70的高度H1小于第二堤部45的高度，因此发光元件30可均匀地散布。
此外，第一图案70的间距P1可大于第一图案70之间的距离P2。第一图案70的间距P1是包括第一图案70之间的距离P2的距离，并且可大于第一图案70之间的距离P2。在实施方式中，第一图案70的间距P1可等于或小于5μm。发光元件30可被对准，使得它们通过作用在彼此上的排斥力而以一定的距离彼此间隔开。在实施方式中，由于排斥力而彼此间隔开的发光元件30之间的距离可以是近似5μm。由于第一图案70的间距P1等于或小于5μm，所以可防止当第一图案70的间距P1大于5μm时设置在第一图案70之间的多个发光元件30粘在一起并造成短路。根据本公开的实施方式，第一图案70之间的距离P2可大于0.5μm且小于4μm。
此外，根据本公开的实施方式，第一图案70的宽度W1可大于发光元件30的直径D1，并且可小于第一图案70的间距P1。第一图案70的宽度W1可在第一图案70的间距P1内调整。第一图案70的间距P1可在以上描述的范围内，使得一个发光元件30可在第一图案70之间对准。第一图案70之间的距离P2和第一图案70的宽度W1可包括在第一图案70的间距P1中。因此，如果第一图案70的宽度W1增加，则第一图案70之间的距离P2可减小，反之，如果第一图案70之间的距离P2增加，则第一图案70的宽度W1可减小。根据本公开的实施方式，由于第一图案70的间距P1等于或小于5μm且第一图案70之间的距离P2大于0.5μm且小于4μm，因此第一图案70的宽度W1可大于1μm且小于4.5μm。当第一图案70的宽度W1大于1μm时，发光元件30可在第一图案70之间的距离P2内旋转和对准，并且，当第一图案70的宽度W1小于4.5μm时，发光元件30可很好地坐落于第一图案70之间的距离P2内。
应当注意，第一图案70的宽度W1和高度H1不限于以上描述的那些，并且可随着发光元件30的直径D1和/或长度的改变而调整。
根据本公开的实施方式，显示装置10可包括在第二堤部45之间布置在一方向上的多个第一图案70。多个第一图案70可在制造工艺期间引导发光元件30，使得发光元件30中的大部分在预期位置处对准，并且可减少在每个子像素PXn中丢失的发光元件30的数量。
图8是示出根据本公开的实施方式的发光元件的视图。
发光元件30可以是发光二极管。在实施方式中，发光元件30可具有微米或纳米的尺寸，并且可以是由无机材料制成的无机发光二极管。当通过在彼此面对的两个电极之间在特定方向上形成电场而产生极性时，无机发光二极管可在该两个电极之间对准。发光元件30可通过在该两个电极之上形成的电场对准在该两个电极之间。
根据实施方式的发光元件30可具有在第一方向DR1上延伸的形状。发光元件30可具有棒、线、管等的形状。在实施方式中，发光元件30可具有圆柱形或棒状形状。然而，应当理解，发光元件30的形状不限于此。发光元件30可具有各种形状(包括诸如立方体、长方体和六边形柱的多边形柱形状，或者在一方向上延伸、具有部分地倾斜的外表面的形状)中的任一种。将在稍后描述的包括在发光元件30中的多个半导体层可具有沿着第一方向DR1依次布置或堆叠的结构。
发光元件30可包括掺杂有导电型(例如，p型或n型)的杂质的半导体层。半导体层可通过传输从外部电力源施加的电信号来发射特定波长带的光。
如图8中所示，发光元件30可包括第一半导体层31、第二半导体层32、发光层36、电极层37和绝缘膜38。
在实施方式中，第一半导体层31可以是n型半导体。例如，当发光元件30发射蓝色波长带的光时，第一半导体层31可包括具有以下化学式的半导体材料：AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。例如，第一半导体层31可以是n型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。第一半导体层31可掺杂有n型掺杂剂，并且n型掺杂剂可以是例如Si、Ge、Se、Sn等。根据本公开的实施方式，第一半导体层31可以是掺杂有n型Si的n-GaN。第一半导体层31的长度可在1.5μm至5μm的范围内，但不限于此。
第二半导体层32设置在将在稍后描述的发光层36上。在实施方式中，第二半导体层32可以是p型半导体。例如，当发光元件30发射蓝色或绿色波长带的光时，第二半导体层32可包括具有以下化学式的半导体材料：AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。例如，第二半导体层32可以是p型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。第二半导体层32可掺杂有p型掺杂剂，并且p型掺杂剂可以是例如Mg、Zn、Ca、Ba等。根据本公开的实施方式，第二半导体层32可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。第二半导体层32的长度可在0.05μm至0.10μm的范围内，但不限于此。
虽然附图中第一半导体层31和第二半导体层32中的每个被实现为单层，但本公开不限于此。根据本公开的一些实施方式，取决于发光层36的材料，第一半导体层31和第二半导体层32还可包括更大数量的层，例如包覆层或拉伸应变势垒减小(TSBR)层。
发光层36设置在第一半导体层31与第二半导体层32之间。发光层36可包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当发光层36包括具有多量子阱结构的材料时，该结构可包括交替地堆叠在彼此上的量子层和阱层。响应于通过第一半导体层31和第二半导体层32施加的电信号，发光层36可随着电子空穴对在发光层36中结合而发射光。例如，当发光层36发射蓝色波长带的光时，发光层36可包括诸如AlGaN和AlGaInN的材料。在实施方式中，当发光层36具有其中量子层和阱层交替地堆叠在彼此上的多量子阱结构时，量子层可包括AlGaN或AlGaInN，并且阱层可包括诸如GaN和AlGaN的材料。在实施方式中，发光层36包括AlGaInN作为量子层以及AlInN作为阱层，并且如上所述，发光层36可发射具有450nm到495nm的中央波长带的蓝光。
然而，应当理解，本公开不限于此。发光层36可具有这样的结构，其中具有大带隙能量的半导体材料和具有小带隙能量的半导体材料交替地堆叠在彼此上，并且可取决于发射的光的波长范围而包括其它第III族至第V族半导体材料。因此，从发光层36发射的光不限于蓝色波长带的光。在一些实现方式中，发光层36可发射红色或绿色波长带的光。发光层36的长度可在0.05μm至0.10μm的范围内，但不限于此。
从发光层36发射的光不仅可通过发光元件30在纵向方向上的外表面出射，而且可通过端部表面出射。从发光层36发射的光传播的方向不限于一个方向。
电极层37可以是欧姆接触电极。然而，应当理解，本公开不限于此。电极层37可以是肖特基接触电极。发光元件30可包括至少一个电极层37。虽然图8中所示的示例中发光元件30包括一个电极层37，但本公开不限于此。在一些实施方式中，发光元件30可包括更大数量的电极层37，或者可省略电极层37。即使电极层37的数量不同或发光元件30还包括其它结构，也可同等地应用以下对发光元件30的描述。
根据本公开的实施方式，当发光元件30电连接到显示装置10中的电极或接触电极时，电极层37可减小发光元件30与电极或接触电极之间的电阻。电极层37可包括具有导电性的金属。例如，电极层37可包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)和铟锡锌氧化物(ITZO)中的至少一种。此外，电极层37可包括掺杂有n型或p型杂质的半导体材料。电极层37可包括相同的材料或者可包括不同的材料。然而，应当理解，本公开不限于此。
绝缘膜38设置成围绕以上描述的多个半导体层和电极层的外表面。根据本公开的实施方式，绝缘膜38可设置成至少围绕发光层36的外表面，并且可在发光元件30延伸的方向上延伸。绝缘膜38可保护以上描述的元件。例如，绝缘膜38可形成为围绕元件的侧表面，并且发光元件30在纵向方向上的两个端部可被暴露。
虽然附图中所示的示例中绝缘膜38在发光元件30的纵向方向上延伸以从第一半导体层31到电极层37覆盖发光元件30的侧表面，但本公开不限于此。例如，绝缘膜38可仅覆盖包括发光层36的半导体层的部分的外表面，或者可仅覆盖电极层37的外表面的部分以部分地暴露电极层37的外表面。在实施方式中，绝缘膜38的与发光元件30的至少一个端部相邻的上表面的部分在剖面中可以是圆形的。
绝缘膜38的厚度可在10nm至1.0μm的范围内，但不限于此。在实施方式中，绝缘膜38的厚度可以是近似40nm。
绝缘膜38可包括具有绝缘性质的材料中的任一种，诸如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氮化物(AlN)和铝氧化物(Al2O3)。因此，可防止或基本上防止当发光层36与电极(电信号通过该电极传输到发光元件30)接触时可能发生的电短路。此外，由于绝缘膜38保护包括发光层36的发光元件30的外表面，因此可防止或基本上防止发光效率的降低。
此外，在一些实施方式中，绝缘膜38的外表面可经受表面处理。发光元件30可分散在油墨中，并且油墨的液滴可喷射到电极上。在这种情况下，可对绝缘膜38进行表面处理，使得绝缘膜38变成疏水的或亲水的，以保持分散在油墨中的发光元件30不彼此聚集。
在实施方式中，发光元件30的长度h可在1μm至10μm或者2μm至6μm的范围内，并且在实施方式中，近似为3μm至5μm。此外，发光元件30的直径可在30nm至700nm的范围内，并且发光元件30的纵横比可在1.2至100的范围内。然而，应当理解，本公开不限于此。取决于发光层36的组成差异，包括在显示装置10中的多个发光元件30可具有不同的直径。在实施方式中，发光元件30的直径可以是近似500nm。
图9是根据本公开的实施方式的显示装置的部分的剖视图。
与图5类似，图9是穿过第一图案70和发光元件30的剖视图，其示出了其中发光元件30设置在第一图案70之间的结构。除了第一图案70的剖面形状不同之外，图9的实施方式与图5的上述实施方式基本上相同，并且因此，将省略冗余描述。
参考图9，与以上描述的图5不同，第一图案70可具有矩形或正方形剖面形状。在要对准发光元件30时产生电场，这将在稍后描述，并且电场的强度与发光元件30上的第一图案70的厚度成比例地减小。当第一图案70的剖面形状形成为矩形或正方形形状时，跨过不同位置的第一图案70在垂直方向上的高度可以是均匀的或基本上均匀的。即，因为第一图案70的剖面形状形成为矩形或正方形，所以可使在第一图案70之上产生的电场的强度均匀或基本上均匀，使得可引导发光元件30以使发光元件30坐落于第一图案70之间而不是第一图案70上。
图10是示出根据本公开的实施方式的显示装置的像素的平面图。图11是沿着图10的线Q6-Q6'截取的剖视图。图12是图11的区“B”的放大视图。
除了第一图案70中的每个被划分为多个子图案之外，图10至图12的实施方式与图2至图7的上述实施方式基本上相同，并且因此，将省略冗余描述。
参考图10至图12，根据实施方式的第一图案70可包括第一子图案72和第二子图案74。第一子图案72和第二子图案74可设置在第一绝缘层51上。第一子图案72和第二子图案74可具有比第二堤部45的厚度小的厚度，并且可在第二方向DR2上彼此间隔开。第一子图案72和第二子图案74可与第二堤部45间隔开。在实施方式中，第一子图案72和第二子图案74中的每个可具有梯形剖面。第一子图案72和第二子图案74的剖面形状可与通过图案化有机材料获得的剖面形状相似。然而，应当理解，本公开不限于此。
根据本公开的实施方式，与第一堤部40类似，包括第一子图案72和第二子图案74的第一图案70可引导发光元件30以将发光元件30定位在每个子像素PXn的发射区域EMA中的预期位置处，使得可在第一堤部40之间设置更大数量的发光元件30。第一子图案72和第二子图案74可通过将图2至图7中所示的第一图案70中的每个划分为两个来形成。
第一子图案72和第二子图案74可具有这样的厚度，使得发光元件30可由于水平差而在第一子图案72与第二子图案74之间被引导。根据本公开的实施方式，第一子图案72和第二子图案74中的每个的高度可等于以上描述的图2至图7中所示的第一图案70的高度。然而，应当理解，本公开不限于此。在实施方式中，第一子图案72和第二子图案74可具有不同的高度。
在实施方式中，第一子图案72和第二子图案74中的每个的高度H2可大于发光元件30的直径D1。因为第一子图案72和第二子图案74的高度H2大于发光元件30的直径D1，所以在第一子图案72和第二子图案74之上产生的电场的强度可变得小于在第一图案70之间发光元件30所坐落于的第一绝缘层51之上产生的电场的强度。因此，发光元件30可移动到电场的强度较大处的侧，并且因此可在电极21和22之间对准。根据本公开的实施方式，第一子图案72和第二子图案74中的每个的高度H2可大于发光元件30的直径D1，例如，大于0.5μm。此外，第一子图案72和第二子图案74中的每个的高度H2可小于第二堤部45的高度。可将其中分散有发光元件30的油墨喷射到包括第一子图案72和第二子图案74的第一图案70上，以在由第二堤部45分隔的区域内均匀地散布。因为第一子图案72和第二子图案74中的每个的高度H2小于第二堤部45，所以油墨可均匀地散布。
此外，可使包括第一子图案72和第二子图案74的第一图案70的间距P3大于第一图案70之间的距离P4。在实施方式中，包括第一子图案72和第二子图案74的第一图案70的间距P3可等于或小于5μm。发光元件30可对准，以通过作用在彼此上的排斥力而以一定的距离彼此间隔开。在实施方式中，由于排斥力而彼此间隔开的发光元件30之间的距离可以是约5μm。由于第一图案70的间距P3等于或小于5μm，所以可防止当第一图案70的间距P3大于5μm时设置在第一图案70之间的多个发光元件30粘在一起并造成短路。根据本公开的实施方式，包括第一子图案72和第二子图案74的第一图案70之间的距离P4可大于0.5μm且小于4μm。
此外，根据本公开的实施方式，包括第一子图案72和第二子图案74的第一图案70的宽度W2可与第一子图案72的宽度和第二子图案74的宽度以及第一子图案72与第二子图案74之间的距离P5之和相等。第一子图案72和第二子图案74中的每个的宽度可小于包括第一子图案72和第二子图案74的第一图案70的宽度，使得第一子图案72和第二子图案74可彼此间隔开。因此，第一子图案72和第二子图案74的宽度之和可由于第一子图案72与第二子图案74之间的距离P5而小于第一图案70的宽度。根据本公开的实施方式，第一子图案72与第二子图案74之间的距离P5可小于发光元件30的直径D1，并且可小于0.5μm。
包括第一子图案72和第二子图案74的第一图案70的宽度W2可大于发光元件30的直径D1并且可小于第一图案70的间距P3。根据本公开的实施方式，由于包括第一子图案72和第二子图案74的第一图案70的间距P3等于或小于5μm，并且第一图案70之间的距离P4大于0.5μm且小于4μm，因此第一图案70的宽度W2可大于1μm且小于4.5μm。当第一图案70的宽度W2大于1μm时，发光元件30可在第一图案70之间的距离P4内旋转和对准，并且当第一图案70的宽度W2小于4.5μm时，发光元件30可很好地坐落于第一图案70之间的距离P4内。
应当注意，包括第一子图案72和第二子图案74的第一图案70的宽度W2和高度H2不限于以上描述的那些，而是可随着发光元件30的直径D1和/或长度的改变而调整。
根据实施方式的显示装置10可包括在第二堤部45之间布置在一方向上的包括第一子图案72和第二子图案74的第一图案70。即使第一图案70被划分为第一子图案72和第二子图案74，第一子图案72与第二子图案74之间的距离也是窄的。因此，可减小在第一子图案72和第二子图案74之上产生的电场的强度。因此，包括第一子图案72和第二子图案74的第一图案70可在制造工艺期间引导发光元件30中的大部分在第一图案70之间对准，并且可减少在每个子像素PXn中丢失的发光元件30的数量。
虽然图10至图12中所示的示例中第一图案70被划分为两个子图案72和74，但本公开不限于此。例如，第一图案70可被划分为三个或更多个子图案，只要宽度基本上等于图2至图7中不被划分成子图案的第一图案70的宽度即可。
图13是示出根据本公开的另一实施方式的显示装置的像素的平面图。图14是沿着图13的线Q7-Q7'截取的剖视图。图15是示出图13的第一图案和发光元件的视图。
除了第一图案70设置在第一堤部40之间之外，图13至图15的实施方式与图2至图7的上述实施方式基本上相同，并且因此，将省略冗余描述。
参考图13至图15，显示装置10可包括设置在第一堤部40之间的多个第一图案70。多个第一图案70可在第一堤部40之间在第二方向DR2上彼此间隔开。此外，第一图案70的宽度可小于第一堤部40之间的距离，并且可与第一堤部40间隔开。第一图案70可不与第一堤部40重叠。
设置在油墨中的发光元件30可被喷射到将在稍后描述的电极21和22上，并且可通过在电极21和22之上产生的电场布置在电极21和22上。基本上由第一堤部40产生的电场的强度在第一堤部40之间可以是最大的。发光元件30被朝电场的强度较大处的区域引导。因此，在实施方式中，第一图案70可布置在第一堤部40之间以引导发光元件30的对准。
在实施方式中，第一图案70在第一方向DR1上的长度L1可大于设置在第一图案70上的第二绝缘层52在第一方向DR1上的宽度。此外，第一图案70在第一方向DR1上的长度L1可大于发光元件30的长度h。因为第一图案70在第一方向DR1上的长度L1大于发光元件30的长度h，所以发光元件30可容易地在第一堤部40之间在第一方向DR1上对准。即，可防止或基本上防止发光元件30不在第一方向DR1上对准而是倾斜对准。
根据本公开的实施方式，显示装置10可包括在第一堤部40之间布置在一方向上的多个第一图案70。多个第一图案70可在制造工艺期间引导发光元件30，使得发光元件30中的大部分在预期位置处对准，并且可减少在每个子像素PXn中丢失的发光元件30的数量。
在本文中，将参考其它附图来描述根据本公开的实施方式的制造显示装置10的工艺步骤或任务。在本文中，将作为示例描述制造根据图2至图7中所示的实施方式的显示装置10的方法。
图16至图22、图25和图26是示出根据本公开的实施方式的制造显示装置的工艺步骤中的一些的剖视图。图23是示意性地示出电场的强度的分布的视图。图24是示出电场的强度的绝对值的曲线图。
首先参考图16，制备目标衬底SUB。虽然在附图中未示出，但是目标衬底SUB可包括以上描述的第一衬底11，并且可包括由多个导电层和多个绝缘层组成的电路元件。在以下描述中，为了便于说明，将描述包括这种元件和层的目标衬底SUB。
随后，在目标衬底SUB上形成彼此间隔开的多个第一堤部40。第一堤部40可具有从目标衬底SUB的上表面突出的形状。以上已经提供了其描述。
随后，参考图17，在目标衬底SUB上在第一堤部40上形成第一电极层21'和第二电极层22'。第一电极层21'和第二电极层22'在第二方向DR2上延伸并且在第一方向DR1上彼此间隔开。在制造显示装置10的工艺步骤期间，第一电极层21'和第二电极层22'可在第二方向DR2上延伸，并且可设置在其它子像素PXn中。在随后的工艺期间设置发光元件30之后，第一电极层21'和第二电极层22'在子像素PXn中的每个的切割区域CBA处分开，使得可形成第一电极21和第二电极22。
随后，形成覆盖第一电极层21'和第二电极层22'的第一绝缘材料层51'。在实施方式中，第一绝缘材料层51'可设置在整个目标衬底SUB上，并且可覆盖电极层21'和22'。第一绝缘材料层51'可在随后的工艺期间被部分地去除，以暴露电极层21'和22'的上表面，使得可形成第一绝缘层51。
随后，参考图18，形成多个第一图案70。第一图案70可在第一方向DR1上延伸并且可在第二方向DR2上彼此间隔开。第一图案70可在第一堤部40之间或者在第一电极层21'与第二电极层22'之间在第二方向DR2上彼此间隔开。设置第一图案70的区域和没有设置第一图案70的区域可形成在第一堤部40之间。这些区域可具有不同的高度。第一图案70可形成在第一绝缘材料层51'上并且可覆盖第一堤部40以及第一电极层21'和第二电极层22'。
参考图19和图20，在第一绝缘材料层51'上形成第二堤部45，以围绕每个子像素PXn的发射区域EMA和切割区域CBA。第二堤部45设置成围绕子像素PXn中的每个，以将它们彼此区分开，并且还将发射区域EMA与切割区域CBA区分开。以上已经提供了其描述。
图21是示出其中没有设置第一图案70而是将发光元件30设置在第二堤部45之间的区域的剖视图。图22是示出穿过第一图案70和发光元件30的剖面的视图。
参考图21，将多个发光元件30设置在第一堤部40之间。发光元件30可设置在第一绝缘材料层51'上，使得发光元件30的相对的端部分别设置在第一电极层21'和第二电极层22'上。发光元件30可分散在油墨200中并且可喷射到目标衬底SUB上。在实施方式中，发光元件30可被制备为将它们分散在包含溶剂的油墨200中，并且可经由使用喷墨印刷设备的印刷工艺被喷涂到目标衬底SUB上。从喷墨印刷设备喷射的油墨可沉积在由第二堤部45围绕的区域中。第二堤部45可防止或基本上防止油墨溢出到其它邻近的子像素PXn。
当喷射包含发光元件30的油墨200时，将电信号AC施加到电极层21'和22'，使得多个发光元件30设置在第一绝缘材料层51'上。当电信号AC被施加到电极层21'和22'时，可在电极层21'和22'之上产生电场(由电场线EL表示)。分散在油墨200中的发光元件30可因电场而受到介电泳力，并且因此，受到介电泳力的发光元件30可坐落于第一绝缘材料层51'上，同时发光元件30的定向和位置被改变。
参考图22，发光元件30可设置在第一图案70之间。第一图案70可将发光元件30引导到这样的位置，使得发光元件30的相对的端部可分别放置在电极层21'和22'上，并且由于由第一图案70形成的水平差，发光元件30中的大部分可设置在较低的位置处。
图23示出了图22中所示的结构中产生的电场的分布。图24示出了图22中所示的结构中产生的电场的强度的绝对值。图23和图24可直接与图22的结构对应。
参考图23和图24，当在包含发光元件30的油墨200已经被喷射之后产生电场时，电场的强度在设置第一图案70的区域处较弱，而电场的强度在第一图案70之间的区域中较大。因此，可将发光元件30引导到第一图案70之间的具有较大电场的强度的区域并在该区域中对准。当产生电场时，放置在第一图案70上的发光元件30移动到第一图案70之间的具有较大电场的强度的区域。因此，发光元件30可不设置在第一图案70上。
参考图25，在发光元件30已经被对准之后，去除第一绝缘材料层51'的部分，使得第一电极层21'和第二电极层22'的上表面暴露，从而形成第一绝缘层51。第一绝缘层51可包括暴露电极层21'和22'的部分的开口OP。电极层21'和22'的通过开口OP暴露的上表面可与稍后描述的接触电极26和27接触。
随后，参考图26，执行切割第一电极层21'和第二电极层22'的设置在切割区域CBA(参见图19)中的部分的工艺，以形成第一电极21和第二电极22。随后，在发光元件30上形成第二绝缘层52、第三绝缘层53以及接触电极26和27。用于对准发光元件30的电信号可通过连接到多个子像素PXn的电极层21和22施加。应当注意，为了驱动显示装置10，电极层21'和22'可在切割区域CBA处彼此分开以形成电极21和22，并且电极21和22中的每个可通过设置在子像素PXn的每个中的晶体管单独驱动。
随后，形成覆盖设置在目标衬底SUB上的元件的第四绝缘层54，从而制造显示装置10。
图27是示出根据本公开的实施方式的显示装置的子像素的平面图。图28是沿着图27的线Q8-Q8'截取的剖视图。
参考图27和图28，显示装置可在子像素PXn中的每个中包括多个第一电极21_10和多个第二电极22_10。第一电极21_10(例如，两个第一电极21_10)可相对于子像素PXn的中央对称地设置。第二电极22_10可具有与图2的实施方式中相同的形状，并且多个第二电极22_10(例如，两个第二电极22_10)可设置在第一电极21_10之间。第一电极21_10和第二电极22_10之间的距离可沿着第一电极21_10变化。例如，扩展部分RE-E与第二电极22_10之间的距离DE1可小于连接部分RE-C1和RE-C2与第二电极22_10之间的距离DE2以及弯曲部分RE-B1和RE-B2与第二电极22_10之间的距离DE3。连接部分RE-C1和RE-C2与第二电极22_10之间的距离DE2可大于弯曲部分RE-B1和RE-B2与第二电极22_10之间的距离DE3。然而，应当理解，本公开不限于此。电极21_10和22_10中的每个的形状可与以上参考图2所描述的相同或基本上相同，并且因此，将省略冗余描述。
设置在每个子像素PXn中的子堤部41_10、42_10、第一绝缘层51_10以及接触电极26_10、27_10和28_10的布置和形状可根据第一电极21_10和第二电极22_10的布置而改变。
第一绝缘层51_10设置在第一电极21_10的扩展部分RE-E与第二电极22_10之间，并且第一绝缘层51_10的两个侧表面可分别与第一电极21_10和第二电极22_10接触。发光元件30的第一端部可设置在第一电极21_10的扩展部分RE-E上，并且其第二端部可设置在第二电极22_10上。
第一堤部40可包括具有不同宽度的第一子堤部41_10和第二子堤部42_10。第一子堤部41_10和第二子堤部42_10可在第二方向DR2上延伸，并且可具有在第一方向DR1上测量的不同宽度。因为第一子堤部41_10具有比第二子堤部42_10大的宽度，所以第一子堤部41_10可设置成在第一方向DR1上跨过相邻的子像素PXn的边界。例如，第一子堤部41_10可设置在发射区域EMA之间的边界处，包括子像素PXn的发射区域EMA。因此，第二堤部45_10的在第二方向DR2上延伸的部分的部分可设置在第一子堤部41_10上。两个第一子堤部41_10可部分地设置在一个子像素PXn中。一个第二子堤部42_10可设置在第一子堤部41_10之间。
第二子堤部42_10可在第二方向DR2上从子像素PXn的发射区域EMA的中央延伸。在实施方式中，第二子堤部42_10可具有比第一子堤部41_10的宽度小的宽度，并且可设置在第一子堤部41_10之间，使得其与第一子堤部41_10间隔开。
第一电极21_10的扩展部分RE-E和第二堤部45_10可设置在第一子堤部41_10上。在第一方向DR1上相邻的子像素PXn的第一电极21_10的扩展部分RE-E可设置在第一子堤部41_10上。即，两个第一电极21_10的扩展部分RE-E设置在一个第一子堤部41_10上。两个第二电极22_10可设置在第二子堤部42_10上。第二电极22_10可设置在第二子堤部42_10的第一方向DR1上的两侧上，并且可在第二子堤部42_10上彼此间隔开。
第一电极21_10中的一个可包括接触部分RE-P以形成第一接触孔CT1，而第一电极21_10中的另一个可不具有接触部分RE-P。类似地，第二电极22_10中的一个可包括接触部分RE-P以形成第二接触孔CT2，并且第二电极22_10中的另一个可不具有接触部分RE-P。通过接触孔CT1和CT2连接到第一晶体管TR1或第二电压线VL2的电极21_10和22_10可从第一晶体管TR1或第二电压线VL2接收电信号，并且其它电极21_10和22_10可通过将在稍后描述的接触电极26_10、27_10和28_10接收电信号。
发光元件30可设置在第一绝缘层51_10上，使得发光元件30的相对的端部分别放置在第一电极21_10的扩展部分RE-E和第二电极22_10上。发光元件30的相对的端部中第二半导体层32(参见图8)所位于的一个端部可设置在第一电极21_10上。因此，设置在子像素PXn的中央的左侧上的电极21_10和22_10之间的发光元件30的第一端部与设置在子像素PXn的中央的右侧上的电极21_10和22_10之间的发光元件30的第一端部可面对相反的方向。
因为显示装置包括更大数量的电极21_10和22_10，所以它可包括更大数量的接触电极26_10、27_10和28_10。
根据本公开的实施方式，接触电极26_10、27_10和28_10可包括设置在第一电极21_10中的一个上的第一接触电极26_10、设置在第二电极22_10中的一个上的第二接触电极27_10以及设置在第一电极21_10中的另一个和第二电极22_10中的另一个上并围绕第二接触电极27_10的第三接触电极28_10。第一接触电极26_10设置在第一电极21_10中的一个上。例如，第一接触电极26_10设置在其上设置发光元件30的第一端部的第一电极21_10的扩展部分RE-E上。第一接触电极26_10可与第一电极21_10的扩展部分RE-E以及发光元件30的第一端部接触。第二接触电极27_10设置在第二电极22_10中的一个上。例如，第二接触电极27_10设置在其上设置发光元件30的第二端部的第二电极22_10上。第二接触电极27_10可与第二电极22_10以及发光元件30的第二端部接触。
第一接触电极26_10和第二接触电极27_10可分别与其中形成有第一接触孔CT1和第二接触孔CT2的电极21_10和22_10接触。第一接触电极26_10可与通过第一接触孔CT1电连接到第一晶体管TR1的第一电极21_10接触，以及第二接触电极27_10可与通过第二接触孔CT2电连接到第二电压线VL2的第二电极22_10接触。第一接触电极26_10和第二接触电极27_10可将从第一晶体管TR1或第二电压线VL2施加的电信号传输到发光元件30。第一接触电极26_10和第二接触电极27_10可与以上描述的那些基本上相同。
在每个子像素PXn中还设置有其中没有形成接触孔CT1和CT2的电极21_10和22_10。这些电极21_10和22_10可基本上是浮置的，即，没有电信号从第一晶体管TR1或第二电压线VL2直接施加到这些电极21_10和22_10。第三接触电极28_10可设置在其上没有形成接触孔CT1和CT2的电极21_10和22_10上方，并且传输到发光元件30的电信号可流过第三接触电极28_10。
第三接触电极28_10可设置在没有形成接触孔CT1和CT2的第一电极21_10和第二电极22_10上，并且可设置成围绕第二接触电极27_10。第三接触电极28_10可包括在第二方向DR2上延伸的部分和在第一方向DR1上延伸的部分以连接第一电极21_10和第二电极22_10，并且可围绕第二接触电极27_10。第三接触电极28_10的在第二方向DR2上延伸的部分可分别设置在没有形成接触孔CT1和CT2的第一电极21_10和第二电极22_10上，并且可与发光元件30接触。例如，第三接触电极28_10的设置在第二电极22_10上的部分可与左侧上的发光元件30的第二端部接触，以及第三接触电极28_10的设置在第一电极21_10上的部分可与右侧上的发光元件30的第一端部接触。第三接触电极28_10的在第一方向DR1上延伸的部分可与形成有第二接触孔CT2的第二电极22_10重叠，但是在第三接触电极28_10和第二电极22_10之间可存在另一绝缘层(未示出)，使得它们可不彼此直接连接。
从第一接触电极26_10传输到左侧上的发光元件30的第一端部的电信号被传输到与左侧上的发光元件30的第二端部接触的第三接触电极28_10。第三接触电极28_10可将电信号传输到右侧上的发光元件30的第一端部，该电信号可通过第二接触电极27_10被传输到第二电极22_10。以这种方式，用于发光元件30的光发射的电信号可传输到仅一个第一电极21_10和一个第二电极22_10，并且设置在左侧上的发光元件30和设置在右侧上的发光元件30可通过第三接触电极28_10串联连接。
根据本公开的实施方式，第一图案70_10可在第一绝缘层51_10上在第一方向DR1上延伸且可在第二方向DR2上彼此间隔开。可在第一图案70_10中的每两个之间设置并对准一个发光元件30。第一图案70_10可在制造工艺期间引导发光元件30中的大部分以将发光元件30中的该大部分对准在预期位置处，并且可减少在每个子像素PXn中丢失的发光元件30的数量。
在结束详细描述时，本领域的技术人员将理解，在基本上不背离本发明的原理的情况下，可对所描述的实施方式作出许多变化和修改。因此，所公开的本发明的实施方式以一般性和描述性意义使用，而不是出于限制的目的。

Claims (20)

1.显示装置，包括：
多个第一堤部，彼此间隔开并且在第一衬底上在第一方向上延伸；
第一电极和第二电极，在所述第一方向上延伸，并且位于所述多个第一堤部中的不同的第一堤部上以彼此间隔开；
第一绝缘层，覆盖所述第一电极、所述第二电极和所述多个第一堤部；
多个第一图案，彼此间隔开并且在所述第一绝缘层上在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；以及
多个发光元件，在所述多个第一图案中的相邻的第一图案之间，其中，所述发光元件的相对的端部在所述第一绝缘层上分别布置在所述第一电极和所述第二电极上，
其中，所述第一图案的高度大于所述发光元件的直径。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一图案与所述第一堤部重叠且与所述第一堤部垂直地相交。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个发光元件中的一个发光元件布置在所述多个第一图案中的每两个第一图案之间，以及
其中，所述发光元件的纵向方向与所述第一图案延伸的方向平行。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一图案的间距大于所述第一图案之间的距离。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一图案之间的所述距离大于0.5μm且小于4μm。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一图案的宽度大于1μm且小于4.5μm。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一图案的剖面是梯形、正方形和矩形中的任一种。
8.根据权利要求1所述的显示装置，还包括第二堤部，所述第二堤部围绕所述多个发光元件、所述第一电极、所述第二电极和所述多个第一堤部，并限定发射区域。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一图案不与所述第二堤部重叠。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一图案的高度大于0.5μm且小于所述第二堤部的高度。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一图案包括在所述第二方向上延伸且在所述第一方向上彼此间隔开的第一子图案和第二子图案。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一子图案与所述第二子图案之间的距离小于所述发光元件的所述直径。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一图案位于所述多个第一堤部之间且不与所述多个第一堤部重叠。
14.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
第一接触电极，在所述第一电极上并且与所述多个发光元件中的每个的所述相对的端部中的第一端部接触；以及
第二接触电极，在所述第二电极上并且与所述多个发光元件中的每个的所述相对的端部中的第二端部接触。
15.显示装置，包括：
多个第一堤部，彼此间隔开并且在第一衬底上在第一方向上延伸；
第一电极和第二电极，在所述第一方向上延伸，并且位于所述多个第一堤部中的不同的第一堤部上以彼此间隔开；
第一绝缘层，覆盖所述第一电极、所述第二电极和所述多个第一堤部；
多个第一图案，彼此间隔开并且在所述第一绝缘层上在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；以及
多个发光元件，在所述多个第一图案中的相邻的第一图案之间，其中，所述发光元件的相对的端部在所述第一绝缘层上分别布置在所述第一电极和所述第二电极上，
其中，所述第一图案的宽度大于所述发光元件的直径且小于所述第一图案的间距。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一图案的宽度大于1μm且小于4.5μm。
17.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一图案的所述间距大于所述第一图案之间的距离且小于5μm。
18.根据权利要求15所述的显示装置，还包括第二堤部，所述第二堤部围绕所述多个发光元件、所述第一电极、所述第二电极和所述多个第一堤部，并限定发射区域，
其中，所述第一图案不与所述第二堤部重叠。
19.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一图案包括在所述第二方向上延伸且在所述第一方向上彼此间隔开的第一子图案和第二子图案。
20.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一图案位于所述多个第一堤部之间且不与所述多个第一堤部重叠。
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