CN115427877A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：第一基底；第一电极和第二电极，设置为在第一基底上彼此间隔开；第一绝缘层，设置在第一电极与第二电极之间，并且在厚度方向上不与第一电极和第二电极叠置；以及发光元件，设置在第一绝缘层上，其中，第一绝缘层的两个侧表面与第一电极和第二电极接触。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
公开涉及一种显示装置及其制造方法。
背景技术
随着多媒体技术的发展，显示装置的重要性已经稳步增大。响应于此，已经使用了诸如有机发光显示器(OLED)、液晶显示器(LCD)等各种类型的显示装置。
显示装置是用于显示图像的装置，并且包括诸如有机发光显示面板或液晶显示面板的显示面板。发光显示面板可以包括发光元件，例如，发光二极管(LED)，并且发光二极管的示例包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)和使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。
发明内容
技术问题
公开的方面提供了一种显示装置，其中通过减小其上设置发光元件的电极之间的距离的工艺偏差来改善发光元件的未对准。
公开的方面还提供了一种制造显示装置的方法，其中当形成电极时，防止了由于因不良蚀刻导致的残留层而导致的电极之间的短路，并且可以容易地确保电极之间的间隙的工艺条件。
应当注意的是，公开的方面不限于此，并且根据下面的描述，这里未提及的其它方面对于本领域普通技术人员而言将是明显的。
技术方案
根据公开的实施例，显示装置包括：第一基底；第一电极和第二电极，在第一基底上彼此间隔开；第一绝缘层，设置在第一电极与第二电极之间，并且在厚度方向上不与第一电极和第二电极叠置；以及发光元件，设置在第一绝缘层上，其中，第一绝缘层的两个侧表面与第一电极和第二电极接触。
第一电极和第二电极的与第一绝缘层的侧表面接触的第一部分可以沿着第一绝缘层的厚度方向分别与第一绝缘层的侧表面接触。
第一绝缘层的厚度可以大于第一电极和第二电极中的每个的最大厚度。
第一电极和第二电极中的每个的第一部分的宽度可以小于除第一部分之外的部分的厚度。
第一部分的上表面可以与第一绝缘层的上表面位于同一平面，并且发光元件的两端可以与第一电极和第二电极的第一部分接触。
第一电极和第二电极中的每个与第一绝缘层的侧表面之间的接触表面的高度可以大于第一电极和第二电极中的每个的厚度。
发光元件可以在一个方向上延伸，并且发光元件的长度可以大于第一绝缘层的宽度。
发光元件的一端可以设置在第一电极上，并且另一端设置在第二电极上。
显示装置还可以包括第二绝缘层，第二绝缘层的至少一部分设置在发光元件上，其中，第二绝缘层的宽度可以小于第一绝缘层的宽度。
显示装置还可以包括：第一接触电极，设置在第一电极上并且与发光元件的一端接触；以及第二接触电极，设置在第二电极上并且与发光元件的另一端接触。
显示装置还可以包括设置在第一基底与第一电极之间以及第一基底与第二电极之间的多个第一堤，其中，第一绝缘层可以不与第一堤接触。
根据公开的实施例，显示装置包括：第一基底；第一电极，设置在第一基底上并且在第一方向上延伸；第二电极，在第二方向上与第一电极间隔开并且在第一方向上延伸；第一绝缘层，设置在第一电极与第二电极之间并且在第一方向上延伸；以及多个发光元件，设置在第一绝缘层上并且沿着第一方向布置，其中，第一绝缘层的两个侧表面与第一电极和第二电极接触，发光元件中的每个的一端设置在第一电极上，并且另一端设置在第二电极上。
显示装置还可以包括：第一接触电极，设置在第一电极上并且与发光元件中的每个的一端接触；以及第二接触电极，设置在第二电极上并且与发光元件中的每个的另一端接触，其中，第一接触电极和第二接触电极中的每个的至少一部分可以在厚度方向上与第一绝缘层叠置。
第一电极可以包括：弯曲部分，在与第一方向不同的第二方向上延伸；扩宽部分，在第一方向上延伸并且具有比弯曲部分大的宽度；以及延伸部分，将弯曲部分与扩宽部分连接并且在第一方向上延伸，并且第一绝缘层可以设置在第一电极的扩宽部分与第二电极之间，使得第一绝缘层的一个侧表面与第一电极的扩宽部分接触。
第二电极可以相对于第一绝缘层形成为与第一电极对称的结构，并且第一绝缘层的另一侧表面可以与第二电极的扩宽部分接触。
第一电极的扩宽部分与第二电极的扩宽部分之间的距离可以小于第一电极的连接部分与第二电极的连接部分之间的距离，并且第一电极的弯曲部分与第二电极的弯曲部分之间的最短距离可以大于扩宽部分之间的距离，但小于连接部分之间的距离。
根据公开的实施例，一种制造显示装置的方法，所述方法包括：在目标基底上形成第一绝缘层，并且形成覆盖目标基底和第一绝缘层的电极层；通过部分地去除电极层以使第一绝缘层的上表面暴露而形成通过第一绝缘层彼此间隔开的第一电极和第二电极；以及将多个发光元件放置在第一绝缘层上。
去除电极层的步骤可以包括作为湿蚀刻工艺执行的第一蚀刻工艺和在第一蚀刻工艺之后作为干蚀刻工艺执行的第二蚀刻工艺。
所述方法可以包括在形成第一绝缘层之前在目标基底上形成彼此间隔开的多个第一堤的工艺。
电极层可以形成为覆盖第一堤和第一绝缘层，并且第一电极和第二电极可以设置在第一堤上，但是第一电极和第二电极中的每个的至少一部分可以直接设置在目标基底上。
其它实施例的细节包括在具体实施方式和附图中。
有益效果
在根据实施例的显示装置中，绝缘层设置在多个电极之间，并且发光元件设置在绝缘层上。绝缘层可以确保其中设置发光元件的空间，同时防止电极之间的距离偏离设计值。因此，在显示装置中，发光元件水平地设置在绝缘层和电极上，从而防止与接触电极的不良接触。
另外，在制造显示装置的方法中，在形成电极之前形成绝缘层。因此，可以防止在电极形成工艺中可能发生的由残留层引起的短路和蚀刻剖面的轮廓的缺陷。
根据实施例的效果不受上面例示的内容的限制，并且更多的各种效果包括在本公开中。
附图说明
图1是根据实施例的显示装置的平面图；
图2是根据实施例的显示装置的像素的平面图；
图3是沿着图2的线Q1-Q1'、Q2-Q2'和Q3-Q3'截取的剖视图；
图4是图3的部分QA的放大图；
图5是根据另一实施例的显示装置的局部剖视图；
图6是根据实施例的发光元件的示意图；
图7是示出根据实施例的制造显示装置的工艺的流程图；
图8至图17是示出根据实施例的制造显示装置的工艺的剖视图；
图18是根据另一实施例的显示装置的一部分的剖视图；
图19是根据另一实施例的显示装置的子像素的平面图；
图20是根据另一实施例的显示装置的子像素的平面图；以及
图21是沿着图20的线QB-QB'截取的剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述发明，在附图中示出了发明的优选实施例。然而，发明可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达发明的范围。
还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，它可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在居间层。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的组件。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
在下文中，将参照附图描述实施例。
图1是根据实施例的显示装置的示意性平面图。
在说明书中，“上方”、“顶部”和“上表面”指显示装置10的向上方向(即，第三方向DR3上的一个方向)，“下方”、“底部”和“下表面”指第三方向DR3上的另一方向。另外，“左”、“右”、“上”和“下”指当在平面图中看显示装置10时的方向。例如，“左”指第一方向DR1上的一个方向，“右”指第一方向DR1上的另一方向，“上”指第二方向DR2上的一个方向，“下”指第二方向DR2上的另一方向。
参照图1，显示装置10显示运动图像或静止图像。显示装置10可以指提供显示屏幕的任何电子装置。显示装置10的示例可以包括电视、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网(IoT)装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏控制台、数码相机和摄像机，其全部提供显示屏幕。
显示装置10包括提供显示屏幕的显示面板。显示面板的示例可以包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板和场发射显示面板。下面将描述应用无机发光二极管显示面板作为显示面板的示例的情况，但是公开不限于这种情况，并且只要适用相同的技术精神，也可以应用其它显示面板。
显示装置10的形状可以被各种修改。例如，显示装置10可以具有诸如水平长矩形、竖直长矩形、正方形、具有圆滑的拐角(顶点)的四边形、其它多边形和圆形的各种形状。显示装置10的显示区域DPA的形状也可以类似于显示装置10的整体形状。在图1中，示出了显示装置10和具有水平长矩形形状的显示区域DPA。
显示装置10可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA是可以显示画面的区域，非显示区域NDA是不显示画面的区域。显示区域DPA也可以被称为有效区域，并且非显示区域NDA也可以被称为无效区域。显示区域DPA通常可以占据显示装置10的中心。
显示区域DPA可以包括多个像素PX。像素PX可以在矩阵方向上布置。像素PX中的每个在平面图中可以是矩形或正方形。然而，公开不限于此，并且像素PX中的每个也可以呈具有相对于一方向倾斜的每条边的菱形形状。像素PX可以以条带型或岛型交替布置。另外，像素PX中的每个可以包括发射特定波段的光以显示特定颜色的一个或更多个发光元件30。
非显示区域NDA可以设置在显示区域DPA周围。非显示区域NDA可以完全或部分地围绕显示区域DPA。显示区域DPA可以是矩形的，并且非显示区域NDA可以设置为与显示区域DPA的四条边相邻。非显示区域NDA可以形成显示装置10的边框。在每个非显示区域NDA中，可以设置包括在显示装置10中的布线或电路驱动器，或者可以安装外部装置。
图2是根据实施例的显示装置的像素的平面图。
参照图2，像素PX中的每个可以包括多个子像素PXn(其中，n是1至3的整数)。例如，一个像素PX可以包括第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3。第一子像素PX1可以发射第一颜色的光，第二子像素PX2可以发射第二颜色的光，第三子像素PX3可以发射第三颜色的光。第一颜色可以是蓝色，第二颜色可以是绿色，第三颜色可以是红色。然而，公开不限于此，并且子像素PXn也可以发射相同颜色的光。另外，尽管在图2中一个像素PX包括三个子像素PXn，但是公开不限于此，并且像素PX也可以包括附加的子像素PXn。
显示装置10的每个子像素PXn可以包括发射区域EMA和非发射区域。发射区域EMA可以是其中设置发光元件30以发射特定波段的光的区域。非发射区域可以是其中未设置发光元件30并且因为从发光元件30发射的光没有到达该区域所以没有光从其输出的区域。每个发光元件30的活性层36(见图6)可以在任何合适的方向上发射光，并且光可以朝向发光元件30的两侧发射。发射区域可以包括定位有发光元件30的区域，以及从发光元件30发射的光被输出到与发光元件30相邻的区域的区域。
然而，公开不限于此，并且发射区域还可以包括从发光元件30发射的光在被其它构件反射或折射之后被输出的区域。多个发光元件30可以设置在每个子像素PXn中，并且定位有发光元件30的区域和与该区域相邻的区域可以形成发射区域。
另外，每个子像素PXn可以包括设置在非发射区域中的切口区域CBA。切口区域CBA可以设置在发射区域EMA的在第二方向DR2上的一侧。切口区域CBA可以设置于在第二方向DR2上邻近的子像素PXn的发射区域EMA之间。多个发射区域EMA和多个切口区域CBA可以布置在显示装置10的显示区域DPA中。例如，发射区域EMA和切口区域CBA虽然可以均在第一方向DR1上重复地布置，但是可以在第二方向DR2上交替地布置。另外，切口区域CBA之间在第一方向DR1上的距离可以小于发射区域EMA之间在第一方向DR1上的距离。如稍后将描述的，第二堤45可以设置在切口区域CBA与发射区域EMA之间，并且切口区域CBA与发射区域EMA之间的距离可以根据第二堤45的宽度而变化。由于发光元件30未设置在切口区域CBA中，因此没有光从切口区域CBA发射。然而，设置在每个子像素PXn中的电极21和22的部分可以设置在切口区域CBA中。设置在每个子像素PXn中的电极21和22可以在切口区域CBA中与相邻子像素PXn的电极分离。这将稍后更详细地描述。
图3是沿着图2的线Q1-Q1'、Q2-Q2'和Q3-Q3'截取的剖视图。图3仅示出了图3的第一子像素PX1的剖面，但是相同的图示可以应用于其它像素PX或子像素PXn。图3示出了穿过第一子像素PX1中的发光元件30的一端和另一端的剖面。
结合图2参照图3，显示装置10可以包括第一基底11以及设置在第一基底11上的半导体层、多个导电层和多个绝缘层。
具体地，第一基底11可以是绝缘基底。第一基底11可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料制成。另外，第一基底11可以是刚性基底，但也可以是可以弯曲、折叠、卷曲等的柔性基底。
光阻挡层BML可以设置在第一基底11上。光阻挡层BML与显示装置10的第一晶体管TR1的有源材料层ACT叠置。光阻挡层BML1可以包括光阻挡材料以防止光入射到第一晶体管的有源材料层ACT。例如，光阻挡层BML可以由阻挡光的透射的不透明金属材料制成。然而，公开不限于此。在一些情况下，可以省略光阻挡层BML。
缓冲层12可以设置在具有光阻挡层BML的第一基底11的整个表面上。缓冲层12可以形成在第一基底11上，以保护每个像素PX的第一晶体管TR1免受通过第一基底11引入的湿气的影响(第一基底11易受湿气渗透的影响)并且可以执行表面平坦化功能。缓冲层12可以由交替堆叠的多个无机层组成。例如，缓冲层12可以是其中包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的至少任何一种的无机层交替堆叠的多层。
半导体层设置在缓冲层12上。半导体层可以包括第一晶体管TR1的有源材料层ACT。有源材料层ACT可以与稍后将描述的第一栅极导电层的栅电极GE部分地叠置。
尽管在附图中仅示出了包括在显示装置10的每个子像素PXn中的晶体管之中的第一晶体管TR1，但是公开不限于此。显示装置10可以包括更多的晶体管。例如，通过在每个子像素PXn中除包括第一晶体管TR1之外还包括一个或更多个晶体管，显示装置10可以包括两个或三个晶体管。
在实施例中，半导体层可以包括多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等。多晶硅可以通过使非晶硅结晶来形成。当半导体层包括多晶硅时，有源材料层ACT可以包括掺杂有杂质的多个掺杂区域ACTa和ACTb以及它们之间的沟道区ACTc。
在另一实施例中，半导体层可以包括氧化物半导体。在这种情况下，有源材料层ACT的每个掺杂区域可以是导电区域。氧化物半导体可以为包含铟(In)的氧化物半导体。在一些实施例中，氧化物半导体可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)或氧化铟镓锌锡(IGZTO)。然而，公开不限于此。
第一栅极绝缘层13设置在半导体层和缓冲层12上。第一栅极绝缘层13可以设置在具有半导体层的缓冲层12上。第一栅极绝缘层13可以用作每个晶体管的栅极绝缘膜。第一栅极绝缘层13可以是包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiON)的无机材料的无机层，或者可以具有上面的任何材料堆叠的结构。
第一栅极导电层设置在第一栅极绝缘层13上。第一栅极导电层可以包括第一晶体管TR1的第一栅电极GE1和存储电容器的第一电容电极CSE。第一栅电极GE可以在厚度方向上与有源材料层ACT的沟道区ACTc叠置。第一电容电极CSE可以在厚度方向上与稍后将描述的第一晶体管TR1的第一源/漏电极SD1叠置。在一些实施例中，第一电容电极CSE可以一体地连接到第一栅电极GE，并且一体化层可以部分地包括第一栅电极GE和第一电容电极CSE。第一电容电极CSE可以在厚度方向上与第一源/漏电极SD1叠置，并且它们之间可以形成存储电容器。
第一栅极导电层可以是但不限于由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的任何一种或更多种制成的单层或多层。
第一保护层15设置在第一栅极导电层上。第一保护层15可以覆盖第一栅极导电层以保护第一栅极导电层。第一保护层15可以是包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiON)的无机材料的无机层，或者可以具有上面的任何材料堆叠的结构。
第一数据导电层设置在第一保护层15上。第一数据导电层可以包括第一晶体管TR1的第一源/漏电极SD1和第二源/漏电极SD2以及数据线DTL。
第一晶体管TR1的源/漏电极SD1和SD2可以通过穿透第一层间绝缘层17和第一栅极绝缘层13的接触孔分别与有源材料层ACT的掺杂区域ACTa和ACTb接触。另外，第一晶体管TR1的第二源/漏电极SD2可以通过另一接触孔电连接到光阻挡层BML。
数据线DTL可以将数据信号传输到包括在显示装置10中的其它晶体管(未示出)。尽管未在附图中示出，但是数据线DTL可以连接到其它晶体管的源/漏电极。
第一数据导电层可以是但不限于由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的任何一种或更多种制成的单层或多层。
第一层间绝缘层17设置在第一数据导电层上。第一层间绝缘层17可以用作第一数据导电层与第一数据导电层上的其它层之间的绝缘膜。另外，第一层间绝缘层17可以覆盖第一数据导电层并且保护第一数据导电层。第一层间绝缘层17可以是包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiON)的无机材料的无机层，或者可以具有上面的任何材料堆叠的结构。
第二数据导电层设置在第一层间绝缘层17上。第二数据导电层可以包括第一电压布线VL1、第二电压布线VL2和第一导电图案CDP。供应到第一晶体管TR1的高电位电压(或第一电源电压)可以被施加到第一电压布线VL1，并且供应到第二电极22的低电位电压(或第二电源电压)可以被施加到第二电压布线VL2。另外，在显示装置10的制造工艺期间，使发光元件30对准所需的对准信号可以被传输到第二电压布线VL2。
第一导电图案CDP可以通过形成在第一层间绝缘层17中的接触孔电连接到第一晶体管TR1的第二源/漏电极SD2。第一导电图案CDP还可以与稍后将描述的第一电极21接触，并且第一晶体管TR1可以通过第一导电图案CDP将从第一电压布线VL1接收的第一电源电压传递到第一电极21。尽管在附图中第二数据导电层包括一条第二电压布线VL2和一条第一电压布线VL1，但是公开不限于此。第二数据导电层也可以包括更多的第一电压布线VL1和更多的第二电压布线VL2。
第二数据导电层可以是但不限于由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的任何一种或多种制成的单层或多层。
第一平坦化层19设置在第二数据导电层上。第一平坦化层19可以包括诸如以聚酰亚胺(PI)为例的有机绝缘材料，并且执行表面平坦化功能。
多个第一堤40、多个电极21和22、发光元件30、第二堤45和多个接触电极26和27设置在第一平坦化层19上。另外，多个绝缘层51至54可以进一步设置在第一平坦化层19上。
第一堤40可以直接设置在第一平坦化层19上。第一堤40虽然可以在每个子像素PXn中在第二方向DR2上延伸，但是可以在与子像素PXn之间的边界间隔开的位置处结束，以不延伸到在第二方向DR2上邻近的另一子像素PXn。另外，第一堤40可以间隔开以在第一方向DR1上彼此面对。第一堤40可以彼此间隔开以形成其中发光元件30设置在第一堤40之间的区域。第一堤40可以设置在每个子像素PXn中以在显示装置10的显示区域DPA中形成线性图案。尽管在附图中示出了两个第一堤40，但是公开不限于此。第一堤40的数量可以根据稍后将描述的电极21和22的数量而增加。
第一堤40中的每个的至少一部分可以从第一平坦化层19的上表面突出。第一堤40中的每个的突出部分可以具有倾斜的侧表面，并且从发光元件30发射的光可以朝向第一堤40的倾斜的侧表面行进。设置在第一堤40上的电极21和22可以包括具有高反射率的材料，并且从发光元件30发射的光可以被设置在第一堤40的侧表面上的电极21和22反射，以朝向第一平坦化层19上方行进。也就是说，第一堤40可以提供定位发光元件30的区域，同时用作在向上方向上反射从发光元件30发射的光的反射屏障。第一堤40的侧表面可以以线性形状倾斜。然而，公开不限于此，并且第一堤40的外表面也可以具有弯曲的半圆形或半椭圆形形状。在实施例中，第一堤40可以包括诸如以聚酰亚胺(PI)为例的有机绝缘材料，但公开不限于此。
电极21和22设置在第一堤40和第一平坦化层19上。电极21和22可以包括第一电极21和第二电极22。第一电极21和第二电极22可以在第二方向DR2上延伸，并且可以在第一方向DR1上间隔开以彼此面对。第一电极21和第二电极22可以基本上类似于第一堤40成形，但是它们在第二方向DR2上测量的长度可以大于第一堤40的长度。
第一电极21和第二电极22中的每个可以在每个子像素PXn中在第二方向DR2上延伸，但是可以在每个子像素PXn的切口区域CBA中与另一电极21或22分离。在一些实施例中，切口区域CBA可以设置于在第二方向DR2上邻近的子像素PXn的发射区域EMA之间，并且第一电极21和第二电极22可以在切口区域CBA中与设置于在第二方向DR2上邻近的子像素PXn中的另一第一电极21和另一第二电极22分离。在显示装置10的制造工艺期间，可以通过放置发光元件30并且随后在切口区域CBA中切割电极21和22来形成第一电极21和第二电极22。然而，公开不限于此，并且对于每个子像素PXn，一些电极21和22可以不分离，而是可以延伸超出在第二方向DR2上邻近的子像素PXn，或者可以仅分离第一电极21和第二电极22中的一个。
第一电极21可以通过第一接触孔CT1电连接到第一晶体管TR1，并且第二电极22可以通过第二接触孔CT2电连接到第二电压布线VL2。例如，第一电极21可以与第二堤45的在第一方向DR1上延伸的部分叠置，并且可以通过穿透第一平坦化层19的第一接触孔CT1与第一导电图案CDP接触。第二电极22也可以与第二堤45的在第一方向DR1上延伸的部分叠置，并且可以通过穿透第一平坦化层19的第二接触孔CT2与第二电压布线VL2接触。然而，公开不限于此。在一些实施例中，第一接触孔CT1和第二接触孔CT2可以设置在由第二堤45围绕的发射区域EMA中，以不与第二堤45叠置。
尽管在附图中一个第一电极21和一个第二电极22设置在每个子像素PXn中，但是公开不限于此。在一些实施例中，更多的第一电极21和更多的第二电极22可以设置在每个子像素PXn中。另外，设置在每个子像素PXn中的第一电极21和第二电极22可以不必在一个方向上延伸，并且可以设置为各种合适的结构。例如，第一电极21和第二电极22可以部分地弯曲或弯折，或者第一电极21和第二电极22中的任何一个可以围绕另一电极。第一电极21和第二电极22被设置的结构或形状没有特别限制，只要第一电极21和第二电极22至少部分地间隔开以彼此面对，使得可以在第一电极21与第二电极22之间形成将要定位发光元件30的区域。
第一电极21和第二电极22可以分别设置在第一堤40上。第一电极21和第二电极22可以在第一方向DR1上间隔开以彼此面对，并且发光元件30可以设置在第一电极21与第二电极22之间。设置在第一电极21与第二电极22之间的发光元件30中的每个的至少一端可以电连接到第一电极21和第二电极22。
在一些实施例中，第一电极21和第二电极22可以形成为分别具有比第一堤40大的宽度。例如，第一电极21和第二电极22可以分别覆盖第一堤40的外表面。第一电极21和第二电极22可以分别设置在第一堤40的侧表面上，并且第一电极21与第二电极22之间的距离可以小于第一堤40之间的距离。另外，第一电极21和第二电极22中的每个的至少一部分可以直接设置在第一平坦化层19上。
电极21和22中的每个可以包括具有高反射率的导电材料。例如，电极21和22中的每个可以包括诸如银(Ag)、铜(Cu)或铝(Al)的金属作为具有高反射率的材料，或者可以是包含铝(Al)、镍(Ni)或镧(La)的合金。电极21和22中的每个可以将在从发光元件30发射之后朝向第一堤BNL1的侧表面行进的光朝向每个子像素PXn上方反射。
然而，公开不限于此，并且电极21和22中的每个还可以包括透明导电材料。例如，电极21和22中的每个可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡锌(ITZO)的材料。在一些实施例中，电极21和22中的每个可以具有其中透明导电材料和具有高反射率的金属层均堆叠在一个或更多个层中的结构，或者可以形成为包括透明导电材料和金属层的单层。例如，电极21和22中的每个可以具有ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/IZO或ITO/Ag/ITZO/IZO的堆叠结构。
电极21和22可以电连接到发光元件30，并且预定电压可以被施加到电极21和22使得发光元件30可以发光。例如，电极21和22可以通过稍后将描述的接触电极26和27电连接到发光元件30，并且可以通过接触电极26和27将接收到的电信号传输到发光元件30。
在实施例中，第一电极21和第二电极22中的任何一个可以电连接到发光元件30的阳极，并且另一个可以电连接到发光元件30的阴极。然而，公开不限于此，反之亦然。
另外，电极21和22中的每个可以用于在每个子像素PXn中形成电场，以便使发光元件30对准。发光元件30可以通过形成在第一电极21和第二电极22上的电场布置在第一电极21与第二电极22之间。在实施例中，显示装置10的发光元件30可以通过喷墨工艺喷涂到电极21和22上。当包括发光元件30的墨被喷涂到电极21和22上时，对准信号被传输到电极21和22以产生电场。分散在墨中的发光元件30可以通过由在电极21和22上产生的电场施加的介电泳力在电极21和22上对准。
第二堤45可以设置在第一平坦化层19上。第二堤45可以包括在平面图中在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的部分，并且可以以栅格图案遍及整个显示区域DPA设置。第二堤45可以设置在每个子像素PXn的边界处以使邻近的子像素PXn分离。另外，根据实施例，第二堤45可以形成为具有比第一堤40高的高度。第二堤45可以防止在显示装置10的制造工艺期间的喷墨印刷工艺中墨溢出到相邻的子像素PXn。第二堤45可以使针对不同的子像素PXn的、不同的发光元件30分散在其中的墨分离，以便防止墨彼此混合。
另外，第二堤45可以围绕设置在每个子像素PXn中的发射区域EMA和切口区域CBA以使它们分离。第一电极21和第二电极22可以在第二方向DR2上延伸以穿过第二堤45的在第一方向DR1上延伸的部分。第二堤45的在第二方向DR2上延伸的部分可以在发射区域EMA之间具有比在切口区域CBA之间大的宽度。因此，切口区域CBA之间的距离可以小于发射区域EMA之间的距离。电极21和22中的每个可以与设置在切口区域CBA与发射区域EMA之间的第二堤45叠置，并且接触孔CT1和CT2可以形成在叠置部分中。
第一电极21和第二电极22也可以超出围绕每个子像素PXn的发射区域EMA的第二堤45设置在切口区域CBA中。如上所述，在显示装置10的制造工艺中，第一电极21和第二电极22可以通过切割切口区域CBA中的一部分的工艺而与另一第一电极21和另一第二电极22分离。
与第一堤40同样，第二堤45可以包括聚酰亚胺(PI)，但公开不限于此。
第一绝缘层51设置在第一平坦化层19上。第一绝缘层51可以在发射区域EMA中设置在第一堤40之间或第一电极21与第二电极22之间，并且可以沿着第一电极21和第二电极22延伸的方向(即，第二方向DR2)延伸。设置在每个子像素PXn中的第一绝缘层51可以遍及整个显示区域DPA形成线性图案。第一绝缘层51可以使第一电极21和第二电极22彼此绝缘。另外，第一绝缘层51可以形成其中设置发光元件30的区域，并且可以防止发光元件30的半导体层与电极21和22直接接触，因此防止损坏半导体层。
根据实施例，在显示装置10的制造工艺期间，可以在形成第一电极21和第二电极22的工艺之前执行形成第一绝缘层51的工艺。可以通过部分地去除覆盖第一绝缘层51的电极层MTL(见图10)的工艺来形成第一电极21和第二电极22。因此，第一绝缘层51设置为在厚度方向上不与电极21和22叠置，以不覆盖电极21和22。另外，由于在形成第一绝缘层51之后形成电极21和22，因此可以防止第一电极21和第二电极22由于不完全去除形成电极的材料而短路。此外，可以防止当电极层MTL被蚀刻得超过设计的时具有设置在电极21和22上的两端的发光元件30朝向任何一个电极倾斜。稍后将详细描述第一绝缘层51、电极21和22中的每个以及发光元件30的布置。
发光元件30可以设置在第一绝缘层51上。发光元件30可以沿着电极21和22中的每个延伸的第二方向DR2彼此间隔开，并且可以基本上彼此平行地对准。发光元件30之间的距离没有特别限制。另外，发光元件30可以在一个方向上延伸，并且电极21和22延伸的方向与发光元件30延伸的方向可以基本上彼此垂直。然而，公开不限于此，并且发光元件30也可以在不与电极21和22延伸的方向垂直而是与电极21和22延伸的方向倾斜的方向上延伸。
发光元件30可以包括包含不同的材料以发射不同波段的光的活性层36。显示装置10可以包括发射不同波段的光的发光元件30。例如，第一子像素PX1的每个发光元件30可以包括发射中心波段为第一波长的第一颜色的光的活性层36，第二子像素PX2的每个发光元件30可以包括发射中心波段为第二波长的第二颜色的光的活性层36，并且第三子像素PX3的每个发光元件30可以包括发射中心波段为第三波长的第三颜色的光的活性层36。因此，可以分别从第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3输出第一颜色的光、第二颜色的光和第三颜色的光。然而，公开不限于此。在一些情况下，第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3可以包括相同类型的发光元件30以发射基本上相同颜色的光。
另外，每个发光元件30的两端可以在第一堤40之间分别设置在电极21和22上。例如，每个发光元件30的一端可以设置在第一电极21上，并且另一端可以设置在第二电极22上。发光元件30延伸的长度可以大于第一电极21与第二电极22之间的距离，并且每个发光元件30的两端可以分别设置在第一电极21和第二电极22上。
发光元件30中的每个可以包括在与第一基底11或第一平坦化层19的上表面垂直的方向上定位的多个层。显示装置10的发光元件30延伸的方向可以与第一平坦化层19平行，并且包括在发光元件30中的每个中的半导体层可以沿着与第一平坦化层19的上表面平行的方向顺序地定位。然而，公开不限于此。在一些情况下，当发光元件30中的每个具有不同的结构时，所述多个层可以在与第一平坦化层19垂直的方向上定位。
另外，每个发光元件30的两端可以分别与接触电极26和27接触。根据实施例，绝缘膜38可以不形成在每个发光元件30的在发光元件30延伸的方向上的端表面上，从而使半导体层中的一些暴露。因此，暴露的半导体层可以与接触电极26和27接触。然而，公开不限于此。在一些情况下，可以去除每个发光元件30的绝缘膜38的至少一部分，以使半导体层的两端的侧表面部分地暴露。半导体层的暴露的侧表面可以与接触电极26和27直接接触。
第二绝缘层52可以设置在每个发光元件30的设置在第一电极21与第二电极22之间的部分上。第二绝缘层52可以部分地覆盖发光元件30的外表面。第二绝缘层52虽然可以设置在发光元件30上，但是可以不覆盖每个发光元件30的一端和另一端，使得接触电极26和27可以与每个发光元件30的两端接触。在平面图中，设置在发光元件30上的第二绝缘层52的一部分可以在第一绝缘层51上在第二方向DR2上延伸。例如，第二绝缘层52可以在每个子像素PXn中形成线性形状或岛形状的图案。覆盖发光元件30的外表面的第二绝缘层52可以在显示装置10的制造工艺中锚固发光元件30的同时保护发光元件30。
接触电极26和27以及第三绝缘层53可以设置在第二绝缘层52上。
接触电极26和27可以在一个方向上延伸。接触电极26和27可以与发光元件30以及电极21和22接触。接触电极26和27中的第一接触电极26和第二接触电极27可以分别设置在第一电极21的一部分和第二电极22的一部分上。第一接触电极26可以设置在第一电极21上，第二接触电极27可以设置在第二电极22上，并且第一接触电极26和第二接触电极27中的每个可以在第二方向DR2上延伸。第一接触电极26和第二接触电极27可以在第一方向DR1上彼此间隔开，并且可以在每个子像素PXn的发射区域EMA中形成条带图案。
在一些实施例中，在一个方向上测量的第一接触电极26和第二接触电极27的宽度可以分别等于或小于在该方向上测量的第一电极21和第二电极22的宽度。第一接触电极26和第二接触电极27可以分别与每个发光元件30的一端和另一端接触，并且部分地覆盖第一电极21和第二电极22的上表面。
如上所述，半导体层可以在每个发光元件30的在发光元件30延伸的方向上的两个端表面上被暴露，并且第一接触电极26和第二接触电极27可以在半导体层被暴露的端表面处与每个发光元件30接触。每个发光元件30的一端可以通过第一接触电极26电连接到第一电极21，并且另一端可以通过第二接触电极27电连接到第二电极22。
尽管在附图中一个第一接触电极26和一个第二接触电极27在一个子像素PXn中，但是公开不限于此。第一接触电极26和第二接触电极27的数量可以根据每个子像素PXn中的第一电极21和第二电极22的数量而变化。
第三绝缘层53设置在第一接触电极26上。第三绝缘层53可以使第一接触电极26和第二接触电极27彼此电绝缘。第三绝缘层53虽然可以覆盖第一接触电极26，但是可以不设置在每个发光元件30的另一端上，使得发光元件30可以与第二接触电极27接触。第二绝缘层52的上表面上的第三绝缘层53可以与第一接触电极26和第二绝缘层52部分地接触。第三绝缘层53的在设置第二电极22的方向上的侧表面可以与第二绝缘层52的侧表面对齐。第三绝缘层53也可以设置在非发射区域中，例如，设置在设置于第一平坦化层19上的第一绝缘层51上。然而，公开不限于此。
第二接触电极27设置在第二电极22、第二绝缘层52和第三绝缘层53上。第二接触电极27可以与每个发光元件30的另一端和第二电极22的暴露的上表面接触。每个发光元件30的另一端可以通过第二接触电极27电连接到第二电极22。
第二接触电极27可以部分地与第二绝缘层52、第三绝缘层53、第二电极22和发光元件30接触。由于第二绝缘层52和第三绝缘层53，第一接触电极26和第二接触电极27可以不彼此接触。然而，公开不限于此。在一些情况下，可以省略第三绝缘层53。
接触电极26和27可以包括诸如ITO、IZO、ITZO或铝(Al)的导电材料。例如，接触电极26和27可以包括透明导电材料，并且从发光元件30发射的光可以穿过接触电极26和27以朝向电极21和22行进。电极21和22中的每个可以包括具有高反射率的材料，并且放置在第一堤40的倾斜的侧表面上的电极21和22可以使入射光朝向第一基底11上方反射。然而，公开不限于此。
第四绝缘层54可以设置在第一基底11的整个表面上。第四绝缘层54可以用于保护第一基底11上的构件免受外部环境的影响。
上述第一绝缘层51、第二绝缘层52、第三绝缘层53和第四绝缘层54中的每个可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。在实施例中，第一绝缘层51、第二绝缘层52、第三绝缘层53和第四绝缘层54可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)的无机绝缘材料。可选地，第一绝缘层51、第二绝缘层52、第三绝缘层53和第四绝缘层54可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯撑树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、卡多树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂的有机绝缘材料。然而，公开不限于此。
如上所述，第一绝缘层51可以设置在第一电极21与第二电极22之间。可以在形成第一电极21和第二电极22之前形成第一绝缘层51。根据实施例，第一绝缘层51可以不与电极21和22中的每个叠置，并且第一电极21和第二电极22可以与第一绝缘层51的两个侧表面接触。通过在形成第一绝缘层51之后形成电极21和22，可以防止第一电极21与第二电极22之间的距离偏离设计值。
图4是图3的部分QA的放大视图。
参照图4，第一绝缘层51在第一堤40之间直接设置在第一平坦化层19上。第一电极21和第二电极22也可以部分地直接设置在第一平坦化层19上。例如，第一电极21和第二电极22可以具有比第一堤40大的宽度，并且可以覆盖第一堤40，同时第一电极21和第二电极22中的每个的一部分直接设置在第一平坦化层19上。
如上所述，设置在第一绝缘层51上的每个发光元件30的两端可以分别设置在第一电极21和第二电极22上。第一电极21和第二电极22可以设计为使得它们之间的距离小于每个发光元件30的长度h，并且可以设置在第一平坦化层19或第一堤40上。当第一电极21与第二电极22之间的距离太小时，第一电极21和第二电极22可能由于在蚀刻材料的工艺中不完全去除形成电极21和22的材料产生的残留层而短路。当第一电极21与第二电极22之间的距离太大时，每个发光元件30的任何一端可以设置在第一电极21与第二电极22之间。因此，发光元件30可以在剖面上倾斜。在这种情况下，在后续工艺中形成的接触电极26和27可能与每个发光元件30的端表面不平滑地接触。
具体地，由于第一电极21和第二电极22包括金属材料并且设置在第一堤40上，因此由于由第一堤40形成的台阶，曝光量可能在电极21和22中的每个上的位置之间不同。在这种情况下，在蚀刻之后剩余的电极21和22的剖面可能不平滑，或者第一电极21与第二电极22之间的距离可能偏离设计值。
根据实施例，在显示装置10的制造工艺期间首先形成第一绝缘层51之后，可以形成第一电极21和第二电极22。可以通过形成覆盖第一绝缘层51的电极层并且随后去除电极层以使第一绝缘层51的上表面暴露来形成第一电极21和第二电极22。由于第一绝缘层51包括无机绝缘材料或有机绝缘材料，因此通过蚀刻工艺形成的第一绝缘层51的剖面或侧表面可以是平滑的，并且可以相对容易地根据设计值形成第一绝缘层51的宽度。通过在形成第一绝缘层51之后形成第一电极21和第二电极22，可以根据设计值形成第一电极21与第二电极22之间的距离，从而使工艺偏差最小化。因此，发光元件30可以设置在第一绝缘层51上，使得其两端分别设置在电极21和22上。这可以防止发光元件30与接触电极26和27的不良接触。
在实施例中，第一绝缘层51可以设置在第一电极21与第二电极22之间，并且第一绝缘层51的宽度W1可以等于第一电极21与第二电极22之间的距离。也就是说，第一绝缘层51的两个侧表面SA1和SA2可以分别与第一电极21和第二电极22接触。可以通过形成覆盖第一绝缘层51的电极层并且随后部分地去除电极层来形成第一电极21和第二电极22。例如，在放置电极层以覆盖第一绝缘层51的侧表面和上表面两者之后，可以去除电极层以使第一绝缘层51的上表面暴露。由此形成的第一绝缘层51可以在厚度方向上不与电极21和22中的每个叠置。第一电极21和第二电极22可以与第一绝缘层51的两个侧表面SA1和SA2接触，并且它们之间的距离可以等于第一绝缘层51的宽度W1。
在实施例中，第一绝缘层51的宽度W1虽然可以小于每个发光元件30的长度h，但是可以大于第二绝缘层52的宽度W2。由于第一绝缘层51具有足以允许发光元件30设置在其上但小于每个发光元件30的长度h的宽度W1，因此每个发光元件30的两端可以分别设置在第一电极21和第二电极22上。考虑到电极21和22的设置在两个侧表面SA1和SA2上的厚度以及每个发光元件30的长度h，可以在其中发光元件30可以水平设置的范围内调节第一绝缘层51的宽度W1。
另外，第二绝缘层52具有至少小于每个发光元件30的长度h的宽度W2，以不覆盖每个发光元件30的两端。第一接触电极26和第二接触电极27可以分别与每个发光元件30的两端接触，同时第一接触电极26和第二接触电极27中的每个的至少一部分设置在第二绝缘层52上。然而，第二绝缘层52可以不必具有比第一绝缘层51小的宽度，并且第二绝缘层52的宽度W2可以在其中第二绝缘层52可以执行如上所述的锚固发光元件30的功能的范围内变化。
第一电极21和第二电极22中的每个可以包括与第一绝缘层51接触的第一部分EP。第一绝缘层51可以包括与第一电极21的第一部分EP接触的第一侧表面SA1和与第二电极22的第一部分EP接触的第二侧表面SA2。第一绝缘层51可以包括绝缘材料，并且可以在蚀刻工艺中与第一平坦化层19的上表面垂直形成第一绝缘层51的两个侧表面SA1和SA2。第一电极21和第二电极22中的每个与第一绝缘层51之间的接触表面可以与第一平坦化层19的上表面垂直。
根据实施例，第一电极21和第二电极22中的每个的第一部分EP的宽度WE1可以小于其它部分的厚度WE2。覆盖第一绝缘层51的电极层可以具有基本上均匀的厚度，但是由于由第一绝缘层51形成的台阶，形成在第一绝缘层51的侧表面上的部分可以相对薄。第一电极21和第二电极22中的每个的厚度WE2可以是在除第一部分EP之外的部分中测量的厚度，并且可以在除第一部分EP之外的部分中基本上相同。然而，因为电极21和22的第一部分EP沿着第一绝缘层51的侧表面SA1和SA2形成，因此它们可以具有相对小的宽度WE1。
另外，第一绝缘层51的厚度可以大于在第一电极21和第二电极22中的每个的除第一部分EP1之外的部分中测量的厚度WE2。第一电极21和第二电极22的第一部分EP可以沿着第一绝缘层51的厚度方向与第一绝缘层51的两个侧表面SA1和SA2接触。也就是说，每个第一部分EP的厚度WE3可以与第一绝缘层51的厚度基本上相同。即使第一电极21和第二电极22的厚度小于第一绝缘层51的厚度，也可以在制造工艺期间沿着第一绝缘层51的外表面放置电极层以覆盖两个侧表面SA1和SA2。因此，第一电极21和第二电极22的第一部分EP也可以沿着第一绝缘层51的厚度方向充分地与两个侧表面SA1和SA2接触。另外，第一接触电极26和第二接触电极27可以与每个发光元件30的两个端表面接触，并且还可以与电极21和22的第一部分EP接触。
在实施例中，第一绝缘层51的上表面以及电极21和22的第一部分EP的上表面SE1和SE2可以位于同一平面中。每个发光元件30可以设置在第一绝缘层51上，使得其两端分别位于电极21和22的第一部分EP上。电极21和22的第一部分EP的上表面SE1和SE2可以与每个发光元件30的侧表面接触。然而，如稍后将描述的，每个发光元件30可以包括围绕多个半导体层的外表面的绝缘膜38(见图6)。因此，电极21和22中的每个的第一部分EP可以与每个发光元件30的绝缘膜38直接接触，并且可以不与半导体层接触。
在根据实施例的显示装置10中，其上设置发光元件30的第一绝缘层51形成在第一电极21和第二电极22之前。第一绝缘层51可以设置为不覆盖第一电极21和第二电极22，并且第一电极21与第二电极22之间的距离可以形成为与第一绝缘层51的宽度相同。考虑到每个发光元件30的长度h，可以通过第一绝缘层51的宽度W1来调节电极21与22之间的距离。由于第一绝缘层51包括绝缘材料，因此易于根据设计值形成第一绝缘层51的形状或宽度。因此，可以更容易地调节第一电极21与第二电极22之间的距离，并且可以防止由于形成第一电极21和第二电极22的材料的不良蚀刻而导致的电极21与22之间的短路。因此，在根据实施例的显示装置10中，发光元件30可以水平地设置在第一绝缘层51以及电极21和22上，并且可以使发光元件30的未对准以及发光元件30与接触电极26和27的不良接触最小化。
图5是根据另一实施例的显示装置的局部剖视图。
参照图5，在显示装置10中，可以省略第三绝缘层53。第二接触电极27的一部分可以直接设置在第二绝缘层52上，并且第一接触电极26和第二接触电极27可以在第二绝缘层52上彼此间隔开。根据实施例，即使从显示装置10省略第三绝缘层53，第二绝缘层52也可以包括有机绝缘材料以执行锚固发光元件30的功能。另外，第一接触电极26和第二接触电极27可以通过图案化工艺同时形成。除第三绝缘层53被进一步省略之外，图5的实施例与图3的实施例相同。因此，下面将省略任何冗余描述。
图6是根据实施例的发光元件的示意图。
发光元件30可以是发光二极管。具体地，发光元件30可以是具有微米或纳米的尺寸并且由无机材料制成的无机发光二极管。当在彼此面对的两个电极之间在特定方向上形成电场时，无机发光二极管可以在形成了极性的两个电极之间对准。发光元件30可以通过形成在电极上的电场在两个电极之间对准。
根据实施例的发光元件30可以在一个方向上延伸。发光元件30可以成形为类似棒、线、管等。在实施例中，发光元件30可以成形为圆柱或棒。然而，发光元件30的形状不限于此，并且发光元件30还可以具有包括诸如立方体、长方体或六角棱柱的多边形棱柱以及在一个方向上延伸并且具有部分倾斜的外表面的形状的各种形状。包括在稍后将描述的发光元件30中的多个半导体可以沿着一个方向顺序地布置或堆叠。
发光元件30可以包括掺杂有任何导电类型(例如，p型或n型)的杂质的半导体层。半导体层可以从外部电源接收电信号并且发射特定波段的光。
参照图6，发光元件30可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、活性层36、电极层37和绝缘膜38。
第一半导体层31可以是n型半导体。在示例中，如果发光元件30发射蓝色波段的光，则第一半导体层31可以包括具有化学式AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，包括在第一半导体层31中的半导体材料可以是n型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种或更多种。第一半导体层31可以掺杂有n型掺杂剂，并且n型掺杂剂可以是例如Si、Ge或Sn。在实施例中，第一半导体层31可以是掺杂有n型Si的n-GaN。第一半导体层31的长度可以在但不限于1.5μm至5μm的范围内。
第二半导体层32设置在稍后将描述的活性层36上。第二半导体层32可以是p型半导体。在示例中，如果发光元件30发射蓝色或绿色波段的光，则第二半导体层32可以包括具有化学式AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，包括在第二半导体层32中的半导体材料可以是p型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种或更多种。第二半导体层32可以掺杂有p型掺杂剂，并且p型掺杂剂可以是例如Mg、Zn、Ca、Se或Ba。在实施例中，第二半导体层32可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。第二半导体层32的长度可以在但不限于0.05μm至0.10μm的范围内。
尽管在附图中第一半导体层31和第二半导体层32中的每个由一层组成，但是公开不限于此。根据一些实施例，第一半导体层31和第二半导体层32中的每个可以包括更多层，例如，根据活性层36的材料还可以包括包覆层或拉伸应变势垒减小(TSBR)层。
活性层36设置在第一半导体层31与第二半导体层32之间。活性层36可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当活性层36包括具有多量子阱结构的材料时，它可以具有其中多个量子层和多个阱层交替堆叠的结构。活性层36可以根据通过第一半导体层31和第二半导体层32接收的电信号通过电子-空穴对的结合发光。例如，如果活性层36发射蓝色波段的光，则它可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料。具体地，当活性层36具有其中量子层和阱层交替堆叠的多量子阱结构时，量子层可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料，并且阱层可以包括诸如GaN或AlInN的材料。在实施例中，活性层36可以包括作为量子层的AlGaInN和作为阱层的AlInN，以发射如上所述的中心波段在450nm至495nm的范围内的蓝光。
然而，公开不限于此，并且活性层36也可以具有其中具有大带隙能的半导体材料和具有小带隙能的半导体材料交替堆叠的结构，或者可以根据其发射的光的波段包括不同的3族至5族半导体材料。从活性层36发射的光不限于蓝色波段的光。在一些情况下，活性层36可以发射红色或绿色波段的光。活性层36的长度可以在但不限于0.05μm至0.10μm的范围内。
从活性层36发射的光不仅可以在纵向方向上通过发光元件30的外表面辐射，而且可以通过两个侧表面辐射。从活性层36发射的光的方向不限于一个方向。
电极层37可以是欧姆接触电极。然而，公开不限于此，并且电极层37也可以是肖特基接触电极。发光元件30可以包括至少一个电极层37。尽管在图6中发光元件30包括一个电极层37，但是公开不限于此。在一些情况下，发光元件30可以包括附加的电极层37，或者可以省略电极层37。即使当发光元件30包括不同数量的电极层37或者还包括另一结构时，发光元件30的下面的描述也可以同样适用。
当发光元件30在根据实施例的显示装置10中电连接到电极或接触电极时，电极层37可以减小发光元件30与电极或接触电极之间的电阻。电极层37可以包括导电金属。例如，电极层37可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少任何一种。另外，电极层37可以包括n型或p型掺杂的半导体材料。电极层37可以包括相同的材料或不同的材料，但是公开不限于此。
绝缘膜38围绕上述半导体层和电极层的外表面。在实施例中，绝缘膜38可以围绕至少活性层36的外表面，并且在发光元件30延伸的方向上延伸。绝缘膜38可以保护上述构件。例如，绝缘膜38虽然可以围绕以上构件的侧表面，但是可以在纵向方向上使发光元件30的两端暴露。
在附图中，绝缘膜38在发光元件30的纵向方向上延伸，以从第一半导体层31的侧表面覆盖到电极层37的侧表面。然而，公开不限于此，并且绝缘膜38可以仅覆盖活性层36和一些半导体层的外表面，或者可以仅覆盖电极层37的外表面的一部分以使电极层37的外表面部分地暴露。另外，绝缘膜38的上表面在与发光元件30的至少一端相邻的区域中在剖面中可以是圆滑的(倒圆的)。
绝缘膜38的厚度可以在10nm至1.0μm的范围内，但不限于此。绝缘膜38的厚度可以是例如约40nm。
绝缘膜38可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlN)或氧化铝(Al2O3)的绝缘材料。因此，它可以防止当活性层36与将电信号传输到发光元件30的电极直接接触时可能发生的电短路。另外，由于绝缘膜38保护包括活性层36的发光元件30的外表面，因此可以防止发光效率的降低。
另外，在一些实施例中，可以处理绝缘膜38的外表面。可以将分散在预定墨中的发光元件30喷涂到电极上，随后使发光元件30对准。这里，绝缘膜38的表面可以是疏水的或亲水处理的，使得发光元件30在墨中保持分离而不与其它相邻的发光元件30聚集。
发光元件30的长度h可以在1μm至10μm或2μm至6μm的范围内，并且可以例如在3μm至5μm的范围内。另外，发光元件30的直径可以在30nm至700nm的范围内，并且发光元件30的长宽比(高宽比)可以是1.2至100。然而，公开不限于此，并且包括在显示装置10中的多个发光元件30也可以根据活性层36的组成的差异而具有不同的直径。发光元件30的直径可以是例如约500nm。
现在将进一步参照其它附图描述根据实施例的制造显示装置10的工艺。
图7是示出根据实施例的制造显示装置的工艺的流程图。
参照图7，根据实施例的制造显示装置10的方法可以包括：制备目标基底SUB并且在目标基底SUB上形成第一绝缘层51(操作S100)；在目标基底SUB和第一绝缘层51上形成电极层MTL(见图10)(操作S200)；通过去除电极层MTL的一部分以使第一绝缘层51的上表面暴露而形成多个电极21和22(操作S300)；以及将发光元件30放置在第一绝缘层51上(操作S400)。如上所述，在显示装置10中，在形成电连接到发光元件30的电极21和22之前形成第一绝缘层51。在形成第一绝缘层51之后，形成电极层MTL以覆盖第一绝缘层51，并且通过经由蚀刻工艺去除电极层MTL的一部分来形成彼此间隔开的第一电极21和第二电极22。现在将进一步参照其它附图详细描述制造显示装置10的工艺。
图8至图17是示出制造根据实施例的显示装置的工艺的剖视图。
首先，参照图8，制备其上设置第一绝缘层51以及电极21和22的目标基底SUB。尽管未在附图中示出，但是目标基底SUB可以包括上述第一基底11以及由多个导电层和多个绝缘层组成的电路元件。为了易于描述，目标基底SUB将被示出和描述为包括它们。另外，多个第一堤40可以放置在目标基底SUB上。第一堤40可以彼此间隔开并且可以从目标基底SUB的上表面突出。这与上面所述的相同。然而，在一些实施例中，可以省略第一堤40。
接下来，参照图9，在目标基底SUB上形成第一绝缘层51。可以在第一堤40之间设置第一绝缘层51。可以通过在目标基底SUB和第一堤40上放置包括绝缘材料的层，随后通过蚀刻工艺部分地去除该层来形成第一绝缘层51。在实施例中，可以通过干蚀刻工艺去除绝缘材料来形成第一绝缘层51。当通过干蚀刻工艺形成第一绝缘层51时，可以容易地形成与目标基底SUB的上表面垂直的第一绝缘层51的两个侧表面。与湿蚀刻工艺相比，干蚀刻工艺可以具有较小的、在蚀刻之后剩余的材料的剖面是倾斜的歪斜。在显示装置10的制造工艺中，可以通过经由干蚀刻工艺蚀刻绝缘材料来形成第一绝缘层51，并且可以垂直于目标基底SUB的上表面形成蚀刻之后剩余的第一绝缘层51的侧表面。可选地，在实施例中，第一堤40和第一绝缘层51可以包括相同的材料，因此可以在一个工艺中同时形成。
接下来，参照图10至图12，在目标基底SUB和第一绝缘层51上形成电极层MTL，并且部分地去除电极层MTL以使第一绝缘层51的上表面暴露。可以去除电极层MTL的一部分以形成彼此间隔开的第一电极21和第二电极22。电极层MTL可以放置为覆盖设置在目标基底SUB上的第一堤40和第一绝缘层51。电极层MTL可以具有基本上相同的厚度，但是覆盖第一绝缘层51的侧表面的部分由于由第一绝缘层51形成的台阶而可以相对薄。
在目标基底SUB上形成电极层MTL之后，将光致抗蚀剂PR放置在电极层MTL上，并且去除电极层MTL的一部分以使第一绝缘层51的上表面暴露。放置在电极层MTL上的光致抗蚀剂PR可以与第一堤40叠置，并且可以不与第一绝缘层51叠置。在实施例中，光致抗蚀剂PR可以放置在电极层MTL上以与第一电极21和第二电极22的形状对应。然而，公开不限于此。
接下来，通过经由曝光和显影工艺去除电极层MTL的一部分来形成第一电极21和第二电极22。第一电极21和第二电极22形成为彼此间隔开，同时与第一绝缘层51的两个侧表面接触。如上所述，第一电极21与第二电极22之间的距离可以与第一绝缘层51的宽度相同。当首先形成第一绝缘层51时，与在没有第一绝缘层51的情况下形成第一电极21和第二电极22时相比，电极21与22之间的距离可以形成为类似于设计值。另外，在蚀刻之后剩余的每个电极21或22的剖面是倾斜的歪斜不太可能发生，并且工艺偏差可以是小的。
可以通过干蚀刻工艺或湿蚀刻工艺来执行部分地去除电极层MTL的工艺。在一些实施例中，部分地去除电极层MTL的工艺可以包括执行湿蚀刻工艺随后使用干蚀刻工艺去除残留层。
参照图13和图14，部分地去除电极层MTL的工艺可以包括放置光致抗蚀剂PR随后使用湿蚀刻工艺去除电极层MTL的一部分的第一蚀刻工艺，以及通过使用干蚀刻工艺去除在第一蚀刻工艺之后剩余的电极层MTL的第二蚀刻工艺。
电极层MTL可以包括与电极21和22中的每个相同的材料，并且电极层MTL和第一绝缘层51可以包括不同的材料。由于湿蚀刻工艺对不同材料具有高选择性，因此可以仅部分地去除电极层MTL，而对第一绝缘层51几乎没有损坏。然而，在湿蚀刻工艺的情况下，可能形成其中蚀刻之后剩余的剖面是倾斜的歪斜，或者由于材料的不完全去除而可能剩余残留层。通过随后的干蚀刻工艺，可以去除未被去除的剩余的电极层MTL，或者可以去除在剖面中形成的歪斜。根据实施例，可以在部分地去除电极层MTL的工艺中顺序地执行湿蚀刻工艺和干蚀刻工艺，并且可以在第一绝缘层51的上表面被暴露的同时没有歪斜地形成第一电极21和第二电极22。然而，公开不限于此，并且也可以仅通过干蚀刻工艺或湿蚀刻工艺来执行形成电极层MTL的工艺。
接下来，参照图15和图16，在目标基底SUB上形成第二堤45，并且将发光元件30放置在第一绝缘层51以及电极21和22中的每个上。第二堤45可以围绕其中第一堤40设置在目标基底SUB上的区域。如上所述，第二堤45可以设置在多个子像素PXn之间的每个边界处，并且可以使每个子像素PXn的发射区域EMA与切口区域CBA分离。
在第一绝缘层51上的每个发光元件30的两端可以分别放置在第一电极21和第二电极22上。分散在墨中的发光元件30可以喷涂到目标基底SUB上。在实施例中，可以制备分散在墨中的发光元件30，随后通过使用喷墨印刷装置的印刷工艺将发光元件30喷涂到目标基底SUB上。通过喷墨印刷装置喷涂的墨可以安置在由第二堤45围绕的区域中。第二堤45可以防止墨溢出到其它邻近的子像素PXn。
当喷涂包括发光元件30的墨时，电信号被传输到电极21和22以将发光元件30放置在第一绝缘层51上。当电信号被传输到电极21和22时，可以在电极21和22上产生电场。分散在墨中的发光元件30可以接收由于电场引起的介电泳力，并且施加到发光元件30的介电泳力可以改变发光元件30的方位方向和位置，从而将发光元件30安置在第一绝缘层51上。这里，每个发光元件30的长度h可以大于第一电极21与第二电极22之间的距离，并且每个发光元件30的两端可以分别放置在第一电极21和第二电极22上。具体地，第一电极21与第二电极22之间的距离可以与第一绝缘层51的宽度相同，并且因为在形成第一绝缘层51之后形成电极21和22，所以工艺偏差可以是小的。因此，通过介电泳力放置在第一绝缘层51上的每个发光元件30的两端可以分别精确地放置在第一电极21和第二电极22上，并且可以使发光元件30之间的方位或偏转程度的误差最小化。
接下来，执行切割设置在切口区域CBA中的第一电极21和第二电极22中的每个的一部分的工艺。如上面参照图2所述，第一电极21和第二电极22虽然在一个方向上延伸，但是可以在切口区域CBA中部分地分离。用于使发光元件30对准的电信号可以同时被传输到与子像素PXn连接的电极21和22。当发光元件30放置在第一绝缘层51上时，可以执行用于使每个子像素PXn的电极21和22中的每个分离的切割工艺。
接下来，参照图17，在发光元件30上形成第二绝缘层52、第三绝缘层53、第一接触电极26、第二接触电极27和第四绝缘层54。它们的布置和形状与上述的布置和形状相同。通过以上工艺，可以制造包括发光元件30的显示装置10。
现在将参照其它附图描述显示装置10的其它实施例。
图18是根据另一实施例的显示装置的一部分的剖视图。
参照图18，在根据实施例的显示装置10中，电极21_1和22_1中的每个的第一部分EP的厚度WE3可以小于第一绝缘层51的厚度。虽然发光元件30的两端可以分别设置在电极21_1和22_1上，但是电极21_1和22_1中的每个的第一部分EP可以不与发光元件30接触。
如上所述，可以通过湿蚀刻工艺和干蚀刻工艺执行部分地去除电极层MTL的工艺。在蚀刻工艺之后剩余的电极层MTL可能导致发光元件30的未对准或电极21与22之间的短路。为了防止这种情况，可以执行用于去除电极层MTL的蚀刻工艺作为过蚀刻工艺。在这种情况下，电极层MTL的设置在第一绝缘层51的侧表面上的部分以及设置在第一绝缘层51上的部分可以在一定程度上被去除。因此，电极21_1和22_1中的每个的第一部分EP的厚度WE3可以小于第一绝缘层51的厚度，并且第一部分EP可以不与发光元件30的两端的侧表面接触。然而，发光元件30可以水平地设置在第一绝缘层51上，并且发光元件30的两个端表面可以与第一接触电极26和第二接触电极27平滑地接触。当前实施例与图4的实施例的不同之处在于，第一电极21_1和第二电极22_1的第一部分EP不与发光元件30的两端接触。因此，下面将省略任何冗余描述。
第一电极21和第二电极22可以不必在一个方向上延伸。在一些实施例中，显示装置10的电极21和22中的每个可以包括以变化的宽度延伸的部分和在与以上部分不同的方向上延伸的部分。
图19是根据另一实施例的显示装置的子像素的平面图。
参照图19，根据实施例的显示装置10的电极21_2和22_2可以均包括在第二方向DR2上延伸并且具有比其它部分大的宽度的扩宽部分RE-E、在从第一方向DR1和第二方向DR2倾斜的方向上延伸的弯曲部分RE-B1和RE-B2以及将弯曲部分RE-B1和RE-B2与扩宽部分RE-E连接的连接部分RE-C1和RE-C2。电极21_2和22_2中的每个通常可以在第二方向DR2上延伸，但是可以在一部分中具有较大的宽度，或者可以在从第二方向DR2倾斜的方向上弯曲。第一电极21_2和第二电极22_2可以相对于设置在它们之间的第一绝缘层51设置为对称结构。下面的描述将聚焦于第一电极21_2的形状。
第一电极21_2可以包括具有大于其它部分的宽度的扩宽部分RE-E。扩宽部分RE-E可以在每个子像素PXn的发射区域EMA中设置在每个第一堤40上，并且可以在第二方向DR2上延伸。第一绝缘层51_2可以设置在第一电极21_2的扩宽部分RE-E与第二电极22_2的扩宽部分RE-E之间，并且发光元件30可以设置在第一绝缘层51_2上。第一绝缘层51_2可以与电极21_2和22_2的相应的扩宽部分RE-E接触。另外，第一接触电极26_2和第二接触电极27_2可以分别设置在电极21_2和22_2的扩宽部分RE-E上，并且第一接触电极26_2和第二接触电极27_2的宽度可以小于扩宽部分RE-E的宽度。这与上面描述的相同。
连接部分RE-C1和RE-C2可以在第二方向DR2上分别连接到扩宽部分RE-E中的每个的两侧。第一连接部分RE-C1设置在每个扩宽部分RE-E的在第二方向DR2上的一侧上，并且第二连接部分RE-C2设置在每个扩宽部分RE-E的另一侧上。连接部分RE-C1和RE-C2可以连接到每个扩宽部分RE-E，并且可以跨过每个子像素PXn的发射区域EMA和第二堤45设置。
第一连接部分RE-C1和第二连接部分RE-C2的宽度可以小于每个扩宽部分RE-E的宽度。连接部分RE-C1和RE-C2中的每个的在第二方向DR2上延伸的一侧可以共线地连接到每个扩宽部分RE_E的在第二方向DR2上延伸的一侧。例如，在扩宽部分RE-E的两侧以及连接部分RE-C1和RE-C2的两侧之中，位于发射区域EMA的中心外侧的一侧可以彼此连接。因此，第一电极21_2的扩宽部分RE-E与第二电极22_2的扩宽部分RE-E之间的距离DE1可以小于连接部分RE-C1和RE-C2之间的距离DE2。
弯曲部分RE-B1和RE-B2连接到连接部分RE-C1和RE-C2。弯曲部分RE-B1和RE-B2可以包括第一弯曲部分RE-B1和第二弯曲部分RE-B2，第一弯曲部分RE-B1连接到第一连接部分RE-C1并且跨过第二堤45和切口区域CBA设置，第二弯曲部分RE-B2连接到第二连接部分RE-C2并且跨过第二堤45和另一子像素PXn的切口区域CBA设置。连接到连接部分RE-C1和RE-C2的弯曲部分RE-B1和RE-B2可以在从第二方向DR2倾斜的方向上弯曲，例如，朝向每个子像素PXn的中心弯曲。因此，第一电极21_2的弯曲部分RE-B1和RE-B2与第二电极22_2的弯曲部分RE-B1和RE-B2之间的最短距离DE3可以小于连接部分RE-C1和RE-C2之间的距离DE2。然而，弯曲部分RE-B1和RE-B2之间的最短距离DE3可以大于扩宽部分RE-E之间的距离DE1。
可以在第一连接部分RE-C1与第一弯曲部分RE-B1连接的每个部分处形成相对宽的接触部分RE-P。接触部分RE-P可以与第二堤45叠置，并且可以在接触部分RE-P中形成第一电极21_2的第一接触孔CT1和第二电极22_2的第二接触孔CT2。
另外，可以在第一弯曲部分RE-B1的端部处形成在第一电极21_2与第二电极22_2在切口区域CBA中分离之后剩余的残存部分RE-D。残存部分RE-D可以是在切口区域CBA中切割在第二方向DR2上邻近的子像素PXn的电极21_2和22_2之后剩余的部分。
图19的实施例与图2的实施例的不同之处在于，第一电极21_2和第二电极22_2均包括扩宽部分RE-E、连接部分RE-C1和RE-C2以及弯曲部分RE-B1和RE-B2，并且相对于每个子像素PXn的中心对称地设置。然而，公开不限于此。在一些情况下，第一电极21_2和第二电极22_2可以具有不同的形状。
图20是根据另一实施例的显示装置的子像素的平面图。图21是沿着图20的线QB-QB'截取的剖视图。
参照图20和图21，显示装置10可以在每个子像素PXn中包括多个第一电极21_3和多个第二电极22_3。第一电极21_3可以具有与图19的实施例的形状相同的形状。多个第一电极21_3(例如，两个第一电极21_3)可以相对于每个子像素PXn的中心对称地设置。第二电极22_3可以具有与图2的实施例的形状相同的形状。多个第二电极22_3(例如，两个第二电极22_3)可以设置在第一电极21_3之间。第一电极21_3与第二电极22_3之间的距离可以根据第一电极21_3的一部分而变化。例如，扩宽部分RE-E与第二电极22_3之间的距离DE1可以小于连接部分RE-C1和RE-C2与第二电极22_3之间的距离DE2以及弯曲部分RE-B1和RE-B2与第二电极22_3之间的距离DE3。连接部分RE-C1和RE-C2与第二电极22_3之间的距离DE2可以大于弯曲部分RE-B1和RE-B2与第二电极22_3之间的距离DE3。然而，公开不限于此。由于电极21_3和22_3的形状与上面参照图2和图19描述的形状相同，因此将省略其详细描述。
设置在每个子像素PXn中的第一堤40(41_3和42_3)、第一绝缘层51_3以及接触电极26_3、27_3和28_3的布置和形状可以根据第一电极21_3和第二电极22_3的布置而变化。
第一绝缘层51_3可以设置在每个第一电极21_3的扩宽部分RE-E与第二电极22_3之间，并且第一绝缘层51_3的两个侧表面可以分别与每个第一电极21_3的扩宽部分RE-E和第二电极22_3接触。发光元件30可以具有设置在第一电极21_3的扩宽部分RE-E上的一端和设置在第二电极22_3上的另一端。
第一堤40可以包括具有不同宽度的第一子堤41_3和第二子堤42_3。第一子堤41_3和第二子堤42_3可以均在第二方向DR2上延伸，但是可以具有在第一方向DR1上测量的不同宽度。由于第一子堤41_3具有比第二子堤42_3大的宽度，因此第一子堤41_3中的每个可以与在第一方向DR1上邻近的子像素PXn跨过边界设置。例如，第一子堤41_3可以设置在每个子像素PXn的发射区域EMA中以及子像素PXn之间的边界处。因此，第二堤45_3的在第二方向DR2上延伸的部分可以部分地设置在每个第一子堤41_3上。两个第一子堤41_3可以部分地设置在一个子像素PXn中。一个第二子堤42_3可以设置在第一子堤41_3之间。
第二子堤42_3可以在每个子像素PXn的发射区域EMA的中心在第二方向DR2上延伸。第二子堤42_3可以具有比第一子堤41_3小的宽度，并且可以设置在第一子堤41_3之间并且与第一子堤41_3间隔开。
第一电极21_3的扩宽部分RE-E和第二堤45_4可以设置在第一子堤41_3上。在第一方向DR1上邻近的子像素PXn的第一电极21_3的扩宽部分RE-E可以设置在第一子堤41_3上。也就是说，两个第一电极21_3的扩宽部分RE-E设置在一个第一子堤41_3上。两个第二电极22_3可以设置在第二子堤42_3上。第二电极22_3可以设置在第二子堤42_3的在第二方向DR2上延伸的两侧上，并且可以在第二子堤42_3上彼此间隔开。
第一电极21_3中的任何一个可以包括接触部分RE-P以形成第一接触孔CT1，并且另一第一电极21_3可以不包括接触部分RE-P。类似地，第二电极22_3中的任何一个可以包括接触部分RE-P以形成第二接触孔CT2，并且另一第二电极22_3可以不包括接触部分RE-P。通过接触孔CT1或CT2连接到第一晶体管TR1或第二电压布线VL2的电极21_3和22_3可以从它们接收电信号，并且其它电极21_3和22_3可以通过稍后将描述的接触电极26_3、27_3和28_3接收电信号。
第一绝缘层51_3上的每个发光元件30的两端设置在第一电极21_3的扩宽部分RE-E和第二电极22_3上。在每个发光元件30的两端之中，设置第二半导体层32的一端可以设置在第一电极21_3上。因此，电极21_3与22_3之间的每个第一发光元件30A的设置在每个子像素PXn的中心的左侧上的一端和电极21_3与22_3之间的每个第二发光元件30B的设置在每个子像素PXn的中心的右侧上的一端可以在相反的方向上面对。
包括较大数量的电极21_3和22_3的显示装置10可以包括较大数量的接触电极26_3、27_3和28_3。
在实施例中，接触电极26_3、27_3和28_3可以包括设置在第一电极21_3中的任何一个上的第一接触电极26_3、设置在第二电极22_3中的任何一个上的第二接触电极27_3以及设置在另一第一电极21_3和另一第二电极22_3上并且围绕第二接触电极27_3的第三接触电极28_3。
第一接触电极26_3设置在第一电极21_3中的任何一个上。例如，第一接触电极26_3设置在其上设置每个第一发光元件30A的一端的第一电极21_3的扩宽部分RE-E上。第一接触电极26_3可以与第一电极21_3的扩宽部分RE-E和每个第一发光元件30A的一端接触。第二接触电极27_3设置在第二电极22_3中的任何一个上。例如，第二接触电极27_3设置在其上设置每个第二发光元件30B的另一端的第二电极22_3上。第二接触电极27_3可以与第二电极22_3和每个第二发光元件30B的另一端接触。第一接触电极26_3和第二接触电极27_3可以分别与其中形成第一接触孔CT1和第二接触孔CT2的电极21_3和22_3接触。第一接触电极26_3可以通过第一接触孔CT1与电连接到第一晶体管TR1的第一电极21_3接触，并且第二接触电极27_3可以通过第二接触孔CT2与电连接到第二电压布线VL2的第二电极22_3接触。第一接触电极26_3和第二接触电极27_3可以将从第一晶体管TR1或第二电压布线VL2接收的电信号传递到发光元件30。第一接触电极26_3和第二接触电极27_3与上述那些基本上相同。
其中未形成接触孔CT1和CT2的电极21_3和22_3进一步设置在每个子像素PXn中。因为其中未形成接触孔CT1和CT2的电极21_3和22_3不直接从第一晶体管TR1或第二电压布线VL2接收电信号，所以它们可以基本上处于浮置状态。然而，第三接触电极28_3可以设置在其中未形成接触孔CT1和CT2的电极21_3和22_3上，并且传输到发光元件30的电信号可以流过第三接触电极28_3。
第三接触电极28_3可以设置在其中未形成接触孔CT1和CT2的第一电极21_3和第二电极22_3上，并且可以围绕第二接触电极27_3。第三接触电极28_3可以包括在第二方向DR2上延伸的部分以及将它们连接并且在第一方向DR1上延伸以围绕第二接触电极27_3的部分。第三接触电极28_3的在第二方向DR2上延伸的部分可以分别设置在其中未形成接触孔CT1和CT2的第一电极21_3和第二电极22_3上，并且可以与发光元件30接触。例如，第三接触电极28_3的设置在第二电极22_3上的部分可以与每个第一发光元件30A的另一端接触，并且设置在第一电极21_3上的部分可以与每个第二发光元件30B的一端接触。第三接触电极28_3的在第一方向DR1上延伸的部分可以与其中形成第二接触孔CT2的第二电极22_3叠置，但是可以在它们之间设置另一绝缘层(未示出)，使得它们彼此不直接连接。
从第一接触电极26_3传输到每个第一发光元件30A的一端的电信号被传输到与每个第一发光元件30A的另一端接触的第三接触电极28_3。第三接触电极28_3可以将电信号传输到每个第二发光元件30B的一端，并且电信号可以通过第二接触电极27_3被传输到第二电极22_3。因此，用于发光元件30的光发射的电信号可以仅被传输到一个第一电极21_3和一个第二电极22_3，并且第一发光元件30A和第二发光元件30B可以通过第三接触电极28_3串联连接。
在总结详细描述时，本领域技术人员将理解的是，在基本上不脱离发明的原理的情况下，可以对优选实施例进行许多变化和修改。因此，公开的发明的优选实施例仅用于一般性和描述性意义，而不是为了限制的目的。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基底；
第一电极和第二电极，在所述第一基底上彼此间隔开；
第一绝缘层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且在厚度方向上不与所述第一电极和所述第二电极叠置；以及
发光元件，设置在所述第一绝缘层上，
其中，所述第一绝缘层的两个侧表面与所述第一电极和所述第二电极接触。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极和所述第二电极的与所述第一绝缘层的所述侧表面接触的第一部分沿着所述第一绝缘层的所述厚度方向分别与所述第一绝缘层的所述侧表面接触。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层的厚度大于所述第一电极和所述第二电极中的每个的最大厚度。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一电极和所述第二电极中的每个的所述第一部分的宽度小于除所述第一部分之外的部分的厚度。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一部分的上表面与所述第一绝缘层的上表面位于同一平面，并且
所述发光元件的两端与所述第一电极和所述第二电极的所述第一部分接触。
6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一电极和所述第二电极中的每个与所述第一绝缘层的侧表面之间的接触表面的高度大于所述第一电极和所述第二电极中的每个的厚度。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光元件在一个方向上延伸，并且
所述发光元件的长度大于所述第一绝缘层的宽度。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述发光元件的一端设置在所述第一电极上，并且另一端设置在所述第二电极上。
9.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层的至少一部分设置在所述发光元件上，
其中，所述第二绝缘层的宽度小于所述第一绝缘层的所述宽度。
10.根据权利要求9所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一接触电极，设置在所述第一电极上并且与所述发光元件的一端接触；以及
第二接触电极，设置在所述第二电极上并且与所述发光元件的另一端接触。
11.根据权利要求9所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述第一基底与所述第一电极之间以及所述第一基底与所述第二电极之间的多个第一堤，
其中，所述第一绝缘层不与所述第一堤接触。
12.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基底；
第一电极，设置在所述第一基底上并且在第一方向上延伸；
第二电极，在第二方向上与所述第一电极间隔开并且在所述第一方向上延伸；
第一绝缘层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间并且在所述第一方向上延伸；以及
多个发光元件，设置在所述第一绝缘层上并且沿着所述第一方向布置，
其中，所述第一绝缘层的两个侧表面与所述第一电极和所述第二电极接触，并且
所述发光元件中的每个的一端设置在所述第一电极上，并且另一端设置在所述第二电极上。
13.根据权利要求12所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一接触电极，设置在所述第一电极上并且与所述发光元件中的每个的一端接触；以及
第二接触电极，设置在所述第二电极上并且与所述发光元件中的每个的另一端接触，
其中，所述第一接触电极和所述第二接触电极中的每个的至少一部分在厚度方向上与所述第一绝缘层叠置。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一电极包括：弯曲部分，在与所述第一方向不同的所述第二方向上延伸；
扩宽部分，在所述第一方向上延伸并且具有比所述弯曲部分大的宽度；以及
延伸部分，将所述弯曲部分与所述扩宽部分连接并且在所述第一方向上延伸，并且
所述第一绝缘层设置在所述第一电极的所述扩宽部分与所述第二电极之间，使得所述第一绝缘层的一个侧表面与所述第一电极的所述扩宽部分接触。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第二电极相对于所述第一绝缘层形成为与所述第一电极对称的结构，并且
所述第一绝缘层的另一侧表面与所述第二电极的扩宽部分接触。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一电极的所述扩宽部分与所述第二电极的所述扩宽部分之间的距离小于所述第一电极的所述连接部分与所述第二电极的所述连接部分之间的距离，并且
所述第一电极的所述弯曲部分与所述第二电极的所述弯曲部分之间的最短距离大于所述扩宽部分之间的所述距离，但小于所述连接部分之间的所述距离。
17.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
在目标基底上形成第一绝缘层，并且形成覆盖所述目标基底和所述第一绝缘层的电极层；
通过部分地去除所述电极层以使所述第一绝缘层的上表面暴露而形成通过所述第一绝缘层彼此间隔开的第一电极和第二电极；以及
将多个发光元件放置在所述第一绝缘层上。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，去除所述电极层的步骤包括作为湿蚀刻工艺执行的第一蚀刻工艺和在所述第一蚀刻工艺之后作为干蚀刻工艺执行的第二蚀刻工艺。
19.根据权利要求18所述的方法，所述方法包括在形成所述第一绝缘层之前在所述目标基底上形成彼此间隔开的多个第一堤的工艺。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述电极层形成为覆盖所述第一堤和所述第一绝缘层，并且
所述第一电极和所述第二电极设置在所述第一堤上，但是所述第一电极和所述第二电极中的每个的至少一部分直接设置在所述目标基底上。
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