CN110800377B - 等离子体处理装置 - Google Patents

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Abstract

等离子体处理装置包括：具有第一输入端子、第二输入端子、第一输出端子和第二输出端子的巴伦；真空容器；被电连接至第一输出端子的第一电极；被电连接至第二输出端子的第二电极；以及被配置为电连接真空容器与地的连接部，该连接部包括电感器。

Description

等离子体处理装置
技术领域
本发明涉及等离子体处理装置。
背景技术
提供有通过在两个电极之间施加高频来产生等离子体并通过等离子体来处理基板的等离子体处理装置。如此的等离子体处理装置可以通过两个电极的面积比和/或偏压来作为蚀刻装置或溅射装置操作。被配置作为溅射装置的等离子体处理装置包括保持标靶的第一电极以及保持基板的第二电极。在第一电极与第二电极之间施加高频，并且在第一电极与第二电极之间(在标靶与基板之间)产生等离子体。当等离子体被产生时，在标靶的表面产生自偏置电压。这导致离子与标靶碰撞，并且构成标靶的材料的粒子会从标靶放出。
专利文献1描述了包括平衡/不平衡转换器的等离子体表面处理装置。该等离子体表面处理装置包括：高频电源、功率放大器、阻抗匹配设备、同轴电缆、真空容器、放电气体混合箱、非接地电极、接地电极以及变压器型平衡/不平衡转换器。放电气体混合箱、非接地电极、接地电极和变压器型平衡/不平衡转换器被布置在真空容器中。非接地电极经由绝缘物支撑材料和放电气体混合箱安装在真空容器中。接地电极支撑基板。此外，接地电极被电连接至真空容器。经由功率放大器、阻抗匹配设备、同轴电缆和变压器型平衡/不平衡转换器在非接地电极与接地电极之间供给高频电源的输出。根据专利文献1，经由被连接至接地电极的真空容器的构件流动的同相电流Ix被变压器型平衡/不平衡转换器阻塞。
虽在专利文献1未进行检讨，但根据本发明者的检讨，同相电流Ix的大小是由平衡/不平衡转换器(以下称为巴伦(balun))的卷线的电抗X与平衡/不平衡转换器的输出侧上的负载的阻抗(电阻成分)Rp之间的比率来决定，即由X/Rp来决定。当X/Rp越高时，平衡/不平衡转换器的输出侧(平衡电路侧)与地之间的隔离性能改进，并且同相电流Ix变得越小。
根据本发明者的检讨，如果在等离子体处理装置中设置等离子体密度变低的条件，例如，如果真空容器中的压力低，如果电极间的距离长，如果电极的面积小，或如果由高频源产生的高频的频率低，那么从巴伦来看电极侧时的负载的阻抗Rp高。因此，如果阻抗Rp高，那么需要增加巴伦的卷线的电抗X以便增加X/Rp来减小同相电流Ix。为此，需要增加卷线的匝数或增加环形芯的尺寸。但是，这增加了巴伦的尺寸。
先前技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009-302566号公报
发明内容
本发明是基于对上述的问题的认识而做出的，并且提供了一种有利于在不增加巴伦的尺寸的情况下减小同相电流的技术。
根据本发明的一个方面，提供了一种等离子体处理装置，其包括：巴伦，包括第一输入端子、第二输入端子、第一输出端子和第二输出端子；真空容器；被电连接至第一输出端子的第一电极；被电连接至第二输出端子的第二电极；以及被配置为电连接真空容器与地的连接部，该连接部包括电感器。
附图说明
图1是示意性地示出根据本发明的第一实施例的等离子体处理装置的布置的电路图。
图2A是示出巴伦的布置的示例的电路图。
图2B是示出巴伦的布置的另一示例的电路图。
图3A是用于说明巴伦和连接部的功能的电路图。
图3B是用于说明巴伦和连接部的功能的电路图。
图4A是用于说明巴伦和连接部的功能的电路图。
图4B是用于说明巴伦和连接部的功能的电路图。
图5A是用于说明巴伦和连接部的功能的电路图。
图5B是用于说明巴伦和连接部的功能的电路图。
图6A是用于说明巴伦和连接部的功能的电路图。
图6B是用于说明巴伦和连接部的功能的电路图。
图7是例示连接部(电感器)对隔离性能的改进的表。
图8是示意性地示出根据本发明的第二实施例的等离子体处理装置的布置的电路图。
图9是示意性地示出根据本发明的第三实施例的等离子体处理装置的布置的电路图。
图10是示意性地示出根据本发明的第四实施例的等离子体处理装置的布置的电路图。
图11是示意性地示出根据本发明的第五实施例的等离子体处理装置的布置的电路图。
图12是示意性地示出根据本发明的第六实施例的等离子体处理装置的布置的电路图。
图13是示意性地示出根据本发明的第七实施例的等离子体处理装置的布置的电路图。
图14是示意性地示出根据本发明的第八实施例的等离子体处理装置的布置的电路图。
图15是示意性地示出根据本发明的第九实施例的等离子体处理装置的布置的电路图。
具体实施方式
以下参照附图借助示例性实施例来描述本发明。
图1示意性地示出根据本发明的第一实施例的等离子体处理装置1的布置。根据第一实施例的等离子体处理装置1可以作为通过溅射在基板112上形成膜的溅射装置操作。等离子体处理装置1包括巴伦(平衡/不平衡转换器)103、真空容器110、第一电极106、第二电极111和连接部150。可替代地，可以理解的是等离子体处理装置1包括巴伦103和主体10，并且主体10包括真空容器110、第一电极106、第二电极111和连接部150。主体10包括第一端子251和第二端子252。第一电极106可以被布置为与真空容器110协作地分离真空空间与外部空间(亦即形成真空隔壁(vacuum partition)的一部分)，或可以被布置在真空容器110中。第二电极111可以被布置为与真空容器110协作地分离真空空间与外部空间(亦即形成真空隔壁的一部分)，或可以被布置在真空容器110中。
真空容器110的至少一部分可以由导体形成。真空容器110可以包括由导体形成的部分。连接部150电连接真空容器110(形成真空容器110的至少一部分的导体)与地。连接部150包括电感器，以改进平衡电路相对于地的隔离性能，换言之，改进在巴伦103的输出侧(第一输出端子211和第二输出端子212的侧)相对于地的隔离性能。巴伦103包括第一输入端子201、第二输入端子202、第一输出端子211和第二输出端子212。
在第一实施例中，第一电极106用作阴极，并保持标靶109。标靶109可以是例如绝缘体材料或导体材料。此外，在第一实施例中，第二电极111用作阳极，并保持基板112。根据第一实施例的等离子体处理装置1可以作为通过溅射标靶109在基板112上形成膜的溅射装置操作。第一电极106被电连接至第一输出端子211，并且第二电极111被电连接至第二输出端子212。当第一电极106与第一输出端子211彼此电连接时，这指示在第一电极106与第一输出端子211之间形成电流路径，使得电流在第一电极106与第一输出端子211之间的流动。类似地，在本说明书中，当a与b电连接时，这指示在a与b之间形成电流路径，使得电流在a与b之间流动。
上述布置可以理解为第一电极106被电连接至第一端子251、第二电极111被电连接至第二端子252、第一端子251被电连接至第一输出端子211并且第二端子252被电连接至第二输出端子212的布置。
在第一实施例中，第一电极106与第一输出端子211(第一端子251)经由阻塞电容器104电连接。阻塞电容器104在第一输出端子211与第一电极106之间(或在第一输出端子211与第二输出端子212之间)阻塞直流电流。这可以在第一电极106产生自偏置电压。取代提供阻塞电容器104的是，阻抗匹配电路102(稍后描述)可以被配置为阻塞在第一输入端子201与第二输入端子202之间流动的直流电流。如果标靶109由绝缘材料制成，则不需要提供阻塞电容器104。
第一电极106和第二电极111与真空容器110(形成真空容器110的至少一部分的导体)绝缘。例如，第一电极106可以经由绝缘体107通过真空容器110来支撑，并且第二电极111可以经由绝缘体108通过真空容器110来支撑。
等离子体处理装置1还可以包括高频电源101和被布置在高频电源101与巴伦103之间的阻抗匹配电路102。高频电源101经由阻抗匹配电路102在巴伦103的第一输入端子201与第二输入端子202之间供给高频(高频电流、高频电压和高频功率)。换言之，高频电源101经由阻抗匹配电路102、巴伦103和阻塞电容器104在第一电极106与第二电极111之间供给高频(高频电流、高频电压和高频功率)。可替代地，高频电源101可以被理解为经由阻抗匹配电路102和巴伦103在主体10的第一端子251与第二端子252之间供给高频。
气体(例如，Ar、Kr或Xe气体)通过设置在真空容器110中的气体供给部(未示出)被供给到真空容器110的内部空间。另外，高频电源101经由阻抗匹配电路102、巴伦103和阻塞电容器104在第一电极106与第二电极111之间供给高频。这在第一电极106与第二电极111之间产生等离子体，并且在标靶109的表面产生自偏置电压，以使得等离子体中的离子与标靶109的表面碰撞，从而从标靶109放出构成标靶109的材料的粒子。然后，粒子在基板112上形成膜。
图2A示出巴伦103的布置的示例。图2A所示的巴伦103包括连接第一输入端子201与第一输出端子211的第一线圈221以及连接第二输入端子202与第二输出端子212的第二线圈222。第一线圈221和第二线圈222是具有相同匝数的线圈，并共享铁芯。
图2B示出巴伦103的布置的另一示例。图2B所示的巴伦103包括连接第一输入端子201与第一输出端子211的第一线圈221以及连接第二输入端子202与第二输出端子212的第二线圈222。图2B所示的巴伦103可以包括通过与第一线圈221共享铁芯而与第一线圈221磁耦合的第三线圈223以及通过与第二线圈222共享铁芯而与第二线圈222磁耦合的第四线圈224。第一输出端子211与第二输出端子212通过由第三线圈223和第四线圈224所形成的串联电路来连接。第一线圈221、第二线圈222、第三线圈223和第四线圈224是具有相同匝数的线圈，并共享铁芯。
将参照图3A、图3B、图4A、图4B、图5A、图5B、图6A、图6B和图7描述巴伦103和连接部150的功能。将流动通过第一输入端子201的电流设为I1，将流动通过第一输出端子211的电流设为I2，将流动通过第二输入端子202的电流设为I2’，并且将电流I2中流至地的电流设为I3。电流I1、I2、I2’、I3为高频电流。当I3＝0时，在巴伦103的输出侧相对于地的隔离性能最高。当I3＝I2时，亦即，当流动通过第一输出端子211的全部电流I2流至地时，在巴伦103的输出侧相对于地的隔离性能最低。表示隔离性能的程度的指标ISO可以由以下的式子给出。在此定义之下，指标ISO的绝对值越大，隔离性能越高。
ISO[dB]＝20log(I3/I2’)
在图3A、图3B、图4A、图4B、图5A、图5B、图6A和图6B中，Rp-jXp(由附图标记160表示)表示在真空容器110的内部空间中产生等离子体的状态下，从第一输出端子211和第二输出端子212的侧来看第一电极106和第二电极111的侧(主体10的侧)时的阻抗(包含阻塞电容器104的电抗)。Rp表示电阻成分，并且-Xp表示电抗成分。并且，在图3A、图3B、图4A、图4B、图5A、图5B、图6A和图6B中，X表示巴伦103的第一线圈221的阻抗的电抗成分(电感成分)。
指示隔离性能的ISO与X/Rp具有相关性。更具体而言，X/Rp越高，ISO的绝对值越大。如果等离子体的阻抗(电阻成分)高，由则Rp高。因此，为了增加X/Rp，需要增加巴伦103的第一线圈221的电抗X。作为实现此目的的方法，提供了增加第一线圈221的匝数的方法和增加巴伦103的环形芯(铁芯)的尺寸的方法。但是，在任一方法中，巴伦103的尺寸都会增加。
在第一实施例中，为了在不增加巴伦103的尺寸的情况下改进隔离性能，可设有电连接真空容器110(形成真空容器110的至少一部分的导体)与地的连接部150。连接部150包括电感器151，并且电感器151抑制交流电流，从而减小同相电流I3。图3A示出连接部150的第一布置示例。
图7例示了由电感器的存在/不存在导致的隔离性能的差异。在图5A和图5B中，“存在电感器”指示图3A所示的第一布置示例中的I1、I2’、I3和ISO。在图5A和5B中，“不存在电感器”指示当没有提供连接部150(没有电感器151)时的I1、I2’、I3和ISO。如果没有提供连接部150(没有电感器151)，那么表示隔离性能的ISO为-8.8dB。另一方面，如果提供了连接部150(电感器151)，那么ISO被改进至-43.1dB。
当在基板112上形成膜时，也会在真空容器110的内表面上形成膜。这改变真空容器110的内表面的状态。若隔离性能低，则被形成在真空容器110的内部空间(第一电极106与第二电极111之间的空间)中的等离子体的电位对真空容器110的内表面的状态敏感。另一方面，若隔离性能高，则被形成在真空容器110的内部空间中的等离子体的电位对真空容器110的内表面的状态不敏感。亦即，若隔离性能高，则可在等离子体处理装置1的长期使用中使等离子体电位稳定。
另一方面，若隔离性能高，则由高频形成的电场集中于第一电极106与第二电极111之间的空间，并且因此可能难以点燃(ignite)等离子体。将参照图3B、图4A和图4B描述的连接部150的第二布置示例、第三布置示例和第四布置示例考虑等离子体的点燃。
图3B示出连接部150的第二布置示例。第二布置示例中的连接部150包括电连接真空容器110(形成真空容器110的至少一部分的导体)与地的电感器151以及可使电感器151的两个端子短路的开关152。开关152可以是例如继电器。等离子体处理装置1可以包括在点燃等离子体时接通开关152和在点燃等离子体后关断开关152的控制器190。
图4A示出连接部150的第三布置示例。第三布置示例中的连接部150包括连接真空容器110(形成真空容器110的至少一部分的导体)与地的电感器151’以及可使电感器151’的两个端子短路的开关152。电感器151’的电感是可变的。开关152可以是例如继电器。等离子体处理装置1可以包括在点燃等离子体时接通开关152和在点燃等离子体后关断开关152的控制器190。此外，控制器190可以通过控制电感器151’的电感的值来控制等离子体的状态。
图4B示出连接部150的第四布置示例。第四布置示例中的连接部150包括连接真空容器110(形成真空容器110的至少一部分的导体)与地的电感器151’。电感器151’的电感是可变的。等离子体处理装置1可以包括使电感器151’的电感在等离子体的点燃后大于在等离子体的点燃前的控制器190。
取代如上述般电连接真空容器110(形成真空容器110的至少一部分的导体)与地的连接部150，可通过提供电连接巴伦103的第二输入端子202与地的连接部155取得同样的效果。此外，可以提供连接部150、155两者。
图5A示出电连接巴伦103的第二输入端子202与地的连接部155的第一布置示例。连接部155包括电感器156。可通过提供第一连接部155来取得高的隔离性能。另一方面，如上述般，若隔离性能高，则由高频形成的电场集中于第一电极106与第二电极111之间的空间，并且因此难以点燃等离子体。将参照图5B、图6A和图6B描述的连接部155的第二布置示例、第三布置示例和第四布置示例考虑等离子体的点燃。
图5B示出连接部155的第二布置示例。第二布置示例中的连接部155包括电连接巴伦103的第二输入端子202与地的电感器156以及可使电感器156的两个端子短路的开关157。开关157可以是例如继电器。等离子体处理装置1可以包括在点燃等离子体时接通开关157和在点燃等离子体后关断开关157的控制器190。
图6A示出连接部155的第三布置示例。第三布置示例中的连接部155包括连接巴伦103的第二输入端子202与地的电感器156’以及可使电感器156’的两个端子短路的开关157。电感器156’的电感是可变的。开关157可以是例如继电器。等离子体处理装置1可以包括在点燃等离子体时接通开关157和在点燃等离子体后关断开关157的控制器190。此外，控制器190可以通过控制电感器156’的电感的值来控制等离子体的状态。
图6B示出连接部155的第四布置示例。第四布置示例中的连接部155包括连接真空容器110(形成真空容器110的至少一部分的导体)与地的电感器156’。电感器156’的电感是可变的。等离子体处理装置1可以包括使电感器156’的电感在等离子体的点燃后大于在等离子体的点燃前的控制器190。
图8示意性地示出根据本发明的第二实施例的等离子体处理装置1的布置。根据第二实施例的等离子体处理装置1可以作为蚀刻基板112的蚀刻装置操作。作为第二实施例未言及的事项可以按照第一实施例。在第二实施例中，第一电极106用作阴极，并保持基板112。在第二实施例中，第二电极111用作阳极。在根据第二实施例的等离子体处理装置1中，第一电极106与第一输出端子211经由阻塞电容器104电连接。在第二实施例中也设有电连接真空容器110(形成真空容器110的至少一部分的导体)与地的连接部150。连接部150例如可具有连接部150的第一至第四布置示例中的一个。
图9示意性地示出根据本发明的第三实施例的等离子体处理装置1的布置。作为第三实施例未言及的事项可以按照第一实施例。根据第一实施例的等离子体处理装置可以作为蚀刻基板112的蚀刻装置操作。第二电极111可以布置为围绕第一电极106的整个周边。第二电极111例如可具有筒形状。第一电极106和第二电极111期望地具有同轴结构。在一个示例中，第一电极106具有以假想轴为中心的圆柱形状，并且第二电极111具有以该假想轴为中心的圆筒形状。
第一电极106和第二电极111的上述布置有利于使第一电极106与第二电极111之间的阻抗降低。这有利于使从巴伦103的输出侧流至地的电流降低，亦即使同相电流I3降低。使同相电流I3降低意味着使真空容器110难以用作阳极。虽然真空容器110的内壁的状态随着基板112的蚀刻而变化，但通过使真空容器110难以用作阳极，可使等离子体电位对真空容器110的内壁的状态不敏感。这有利于在等离子体处理装置1的长期使用中使等离子体电位稳定。从另一角度看，第一电极106与第二电极111之间的阻抗优选地低于第一电极106与真空容器110之间的阻抗。这有利于使同相电流I3降低。
第一电极106与第二电极111之间的距离(间隙的尺寸)优选地等于或短于德拜长度(Debye length)。这有效于抑制等离子体进入第一电极106与第二电极111之间的间隙中。
第三实施例已说明作为蚀刻装置操作的等离子体处理装置1。但是，等离子体处理装置1可以被配置为作为溅射装置操作，该溅射装置通过第一电极106来保持标靶、通过另外设置的基板保持部来保持基板并通过溅射标靶在基板上形成膜。
图10示意性地示出根据本发明的第四实施例的等离子体处理装置1的布置。根据第四实施例的等离子体处理装置1是第三实施例的修改。在第四实施例中，第二电极111包括与第一电极106的上表面和侧表面相对的部分，并被布置为围绕第一电极106的上表面和侧表面。第二电极111中的与第一电极106的侧表面相对的部分(以下称为侧部分)可以具有围绕第一电极106的整个周边的形状，例如筒形状。第一电极106和第二电极111的侧部分期望地具有同轴结构。在一个示例中，第一电极106具有以假想轴为中心的圆柱形状，并且第二电极111的侧部分具有以该假想轴为中心的圆筒形状。
图11示意性地示出根据本发明的第五实施例的等离子体处理装置1的布置。根据第五实施例的等离子体处理装置可以作为通过溅射在基板112上形成膜的溅射装置操作。作为第五实施例未言及的事项可以按照第一实施例。
等离子体处理装置1包括巴伦103、真空容器110、第一电极106、第二电极111、基板保持部132和连接部150。可替代地，可理解为等离子体处理装置1包括巴伦103和主体10，并且主体10包括真空容器110、第一电极106、第二电极111、基板保持部132和连接部150。主体10包括第一端子251和第二端子252。第一电极106可以被布置为与真空容器110协作地分离真空空间与外部空间(亦即形成真空隔壁的一部分)，或可以被布置在真空容器110中。第二电极111可以被布置为与真空容器110协作地分离真空空间与外部空间(亦即形成真空隔壁的一部分)，或可以被布置在真空容器110中。
第一电极106和第二电极111被布置为与基板保持部132(由基板保持部132保持的基板112)的侧上的空间相对。第二电极111可以布置成围绕第一电极106的整个周边。第二电极111可以例如具有筒形状。第一电极106和第二电极111期望地具有同轴结构。在一个示例中，第一电极106具有以假想轴为中心的圆柱形状，并且第二电极111具有以该假想轴为中心的圆筒形状。
第一电极106和第二电极111的上述布置是有利于使第一电极106与第二电极111之间的阻抗降低，这有利于使从巴伦103的输出侧流至地的电流降低，亦即使同相电流I3降低。使同相电流I3降低意味着使真空容器110难以用作阳极。虽然随着膜在基板112上的形成，在真空容器110的内壁上会形成非意图的膜，但通过使真空容器110难以用作阳极，可使等离子体电位对真空容器110的内壁的状态不敏感。这有利于在等离子体处理装置1的长期使用中使等离子体电位稳定。从另一角度看，第一电极106与第二电极111之间的阻抗优选地小于第一电极106与真空容器110之间的阻抗。这有利于使同相电流降低。
第一电极106与第二电极111之间的距离(间隙的尺寸)优选地等于或短于德拜长度。这有效于抑制等离子体进入第一电极106与第二电极111之间的间隙中。
图12示意性地示出根据本发明的第六实施例的等离子体处理装置1的布置。根据第六实施例的等离子体处理装置1可以作为蚀刻基板112的蚀刻装置操作。作为第六实施例未言及的事项可以按照第二实施例。在第六实施例中，设有电连接巴伦103的第二输入端子202与地的连接部155。连接部155例如可具有连接部155的第一至第四布置示例中的一个。
图13示意性地示出根据本发明的第七实施例的等离子体处理装置1的布置。作为第七实施例未言及的事项可以按照第三实施例。根据第七实施例的等离子体处理装置可以作为蚀刻基板112的蚀刻装置操作。在第七实施例中也设有电连接巴伦103的第二输入端子202与地的连接部155。连接部155例如可具有连接部155的第一至第四布置示例中的一个。
图14示意性地示出根据本发明的第八实施例的等离子体处理装置1的布置。作为第八实施例未言及的事项可以按照第四实施例。在第八实施例中也设有电连接巴伦103的第二输入端子202与地的连接部155。连接部155例如可具有连接部155的第一至第四布置示例中的一个。
图15示意性地示出根据本发明的第九实施例的等离子体处理装置1的布置。根据第九实施例的等离子体处理装置可以作为通过溅射在基板112上形成膜的溅射装置操作。作为第九实施例未言及的事项可以按照第五实施例。在第九实施例中也设有电连接巴伦103的第二输入端子202与地的连接部155。连接部155例如可具有连接部155的第一至第四布置示例中的一个。
上述连接部150和155中的每一个可理解为连接真空容器110与巴伦103的第二输入端子202的连接部。在真空容器110与巴伦103的第二输入端子202通过连接部150或155连接的布置中，真空容器110和巴伦103的第二输入端子202中的一个可被接地。
符号说明
1：等离子体处理装置，10：主体，101：高频电源，102：阻抗匹配电路，103：巴伦，104：阻塞电容器，106：第一电极，107、108：绝缘体，109：标靶，110：真空容器，111：第二电极，112：基板，150：连接部，151：电感器，151’：电感器，152：开关，155：连接部，156：电感器，156’：电感器，157：开关，190：控制器，201：第一输入端子，202：第二输入端子，211：第一输出端子，212：第二输出端子，251：第一端子，252：第二端子，221：第一线圈，222：第二线圈，223：第三线圈，224：第四线圈。

Claims (17)

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
巴伦，包括第一输入端子、第二输入端子、第一输出端子和第二输出端子；
真空容器；
第一电极，被电连接至所述第一输出端子；
第二电极，被电连接至所述第二输出端子；以及
连接部，被配置为电连接所述真空容器与地，
所述连接部包括电感器。
2.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
巴伦，包括第一输入端子、第二输入端子、第一输出端子和第二输出端子；
被接地的真空容器；
第一电极，被电连接至所述第一输出端子；
第二电极，被电连接至所述第二输出端子；
高频电源；
阻抗匹配电路，被布置在所述高频电源与所述第一输入端子之间；以及
连接部，被配置为电连接所述第二输入端子与地，
所述连接部包括电感器。
3.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
巴伦，包括第一输入端子、第二输入端子、第一输出端子和第二输出端子；
真空容器；
第一电极，被电连接至所述第一输出端子；
第二电极，被电连接至所述第二输出端子；以及
连接部，被配置为通过接地来电连接所述真空容器与所述第二输入端子，
所述连接部包括电感器。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述连接部还包括被配置为能够使所述电感器的两个端子间短路的开关。
5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述开关包括继电器。
6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括控制器，所述控制器被配置为在点燃等离子体时接通所述开关和在点燃所述等离子体后关断所述开关。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述电感器的电感是可变的。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述电感器的电感是可变的，以及
所述等离子体处理装置还包括控制器，所述控制器被配置为使在等离子体的点燃后的所述电感大于在所述等离子体的点燃前的所述电感。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二电极被布置为围绕所述第一电极的整个周边。
10.根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二电极具有筒形状。
11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极被布置为形成同轴结构。
12.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二电极包括与所述第一电极的上表面和侧表面相对的部分，并且被布置为围绕所述第一电极的所述上表面和所述侧表面。
13.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一电极用作阴极，并且所述第二电极用作阳极。
14.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一输出端子和所述第一电极经由阻塞电容器电连接。
15.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置被配置作为蚀刻装置。
16.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置被配置作为溅射装置。
17.根据权利要求1或3所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：
高频电源；以及
阻抗匹配电路，被布置在所述高频电源与所述巴伦之间。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110800379B (zh) * 2017-06-27 2022-01-18 佳能安内华股份有限公司 等离子体处理装置
WO2019003312A1 (ja) * 2017-06-27 2019-01-03 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
CN110800376B (zh) 2017-06-27 2022-04-01 佳能安内华股份有限公司 等离子体处理装置
EP4017223A1 (en) * 2017-06-27 2022-06-22 Canon Anelva Corporation Plasma processing apparatus
KR102439024B1 (ko) * 2018-06-26 2022-09-02 캐논 아네르바 가부시키가이샤 플라스마 처리 장치, 플라스마 처리 방법, 프로그램, 및 메모리 매체

Family Cites Families (175)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4025339A (en) * 1974-01-18 1977-05-24 Coulter Information Systems, Inc. Electrophotographic film, method of making the same and photoconductive coating used therewith
US4014779A (en) * 1974-11-01 1977-03-29 Coulter Information Systems, Inc. Sputtering apparatus
JPS53141937U (zh) 1977-04-15 1978-11-09
US4170475A (en) * 1977-05-12 1979-10-09 Coulter Information Systems, Inc. High speed electrophotographic method
JPS53141937A (en) 1977-05-18 1978-12-11 Mitsubishi Electric Corp Liquid fuel burner
US4131533A (en) 1977-12-30 1978-12-26 International Business Machines Corporation RF sputtering apparatus having floating anode shield
US4284489A (en) * 1978-09-28 1981-08-18 Coulter Systems Corporation Power transfer network
US4284490A (en) * 1978-09-28 1981-08-18 Coulter Systems Corporation R.F. Sputtering apparatus including multi-network power supply
JPS57106216A (en) 1980-12-24 1982-07-02 Fujitsu Ltd Switched capacitor filter
US4584079A (en) 1983-10-11 1986-04-22 Honeywell Inc. Step shape tailoring by phase angle variation RF bias sputtering
JPH0639693B2 (ja) 1985-12-05 1994-05-25 日電アネルバ株式会社 誘電体バイアススパツタリング装置
US4887005A (en) 1987-09-15 1989-12-12 Rough J Kirkwood H Multiple electrode plasma reactor power distribution system
US5121067A (en) * 1987-10-06 1992-06-09 Board Of Regents Of Leland Stanford University Directional sampling bridge
US4802080A (en) 1988-03-18 1989-01-31 American Telephone And Telegraph Company, At&T Information Systems Power transfer circuit including a sympathetic resonator
US4956582A (en) * 1988-04-19 1990-09-11 The Boeing Company Low temperature plasma generator with minimal RF emissions
US4871421A (en) * 1988-09-15 1989-10-03 Lam Research Corporation Split-phase driver for plasma etch system
JPH02156083A (ja) * 1988-12-09 1990-06-15 Tokuda Seisakusho Ltd スパッタ装置
JPH02156080A (ja) * 1988-12-09 1990-06-15 Tokuda Seisakusho Ltd スパッタ装置
JPH02156081A (ja) * 1988-12-09 1990-06-15 Tokuda Seisakusho Ltd スパッタ装置
JPH02156082A (ja) 1988-12-09 1990-06-15 Tokuda Seisakusho Ltd スパッタ装置
JPH04901A (ja) * 1990-04-18 1992-01-06 Mitsubishi Electric Corp プラズマ装置の高周波給電方法及び装置
JP3016821B2 (ja) 1990-06-15 2000-03-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
US5316645A (en) * 1990-08-07 1994-05-31 Canon Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus
DE4106770C2 (de) 1991-03-04 1996-10-17 Leybold Ag Verrichtung zum reaktiven Beschichten eines Substrats
US5330578A (en) * 1991-03-12 1994-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma treatment apparatus
JPH04317325A (ja) 1991-04-17 1992-11-09 Nec Corp 半導体装置の製造装置
US5415757A (en) * 1991-11-26 1995-05-16 Leybold Aktiengesellschaft Apparatus for coating a substrate with electrically nonconductive coatings
US5286297A (en) 1992-06-24 1994-02-15 Texas Instruments Incorporated Multi-electrode plasma processing apparatus
US5698082A (en) * 1993-08-04 1997-12-16 Balzers Und Leybold Method and apparatus for coating substrates in a vacuum chamber, with a system for the detection and suppression of undesirable arcing
JP2642849B2 (ja) 1993-08-24 1997-08-20 株式会社フロンテック 薄膜の製造方法および製造装置
AU2003195A (en) 1994-06-21 1996-01-04 Boc Group, Inc., The Improved power distribution for multiple electrode plasma systems using quarter wavelength transmission lines
US5830331A (en) 1994-09-23 1998-11-03 Seagate Technology, Inc. Apparatus and method for sputtering carbon
DE19537212A1 (de) * 1994-10-06 1996-04-11 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten von Substraten im Vakuum
US5989999A (en) * 1994-11-14 1999-11-23 Applied Materials, Inc. Construction of a tantalum nitride film on a semiconductor wafer
DE4441206C2 (de) * 1994-11-19 1996-09-26 Leybold Ag Einrichtung für die Unterdrückung von Überschlägen in Kathoden-Zerstäubungseinrichtungen
DE69637696D1 (de) 1995-06-05 2008-11-13 Musashino Kikai Co Ltd Leistungsversorgung für multielektroden-entladung
DE19540543A1 (de) 1995-10-31 1997-05-07 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats mit Hilfe des Chemical-Vapor-Deposition-Verfahrens
DE19540794A1 (de) 1995-11-02 1997-05-07 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats von einem elektrisch leitfähigen Target
US5830272A (en) 1995-11-07 1998-11-03 Sputtered Films, Inc. System for and method of providing a controlled deposition on wafers
US6017221A (en) * 1995-12-04 2000-01-25 Flamm; Daniel L. Process depending on plasma discharges sustained by inductive coupling
US6252354B1 (en) * 1996-11-04 2001-06-26 Applied Materials, Inc. RF tuning method for an RF plasma reactor using frequency servoing and power, voltage, current or DI/DT control
US5855969A (en) 1996-06-10 1999-01-05 Infosight Corp. CO2 laser marking of coated surfaces for product identification
DE19651811B4 (de) 1996-12-13 2006-08-31 Unaxis Deutschland Holding Gmbh Vorrichtung zum Belegen eines Substrats mit dünnen Schichten
KR100252210B1 (ko) 1996-12-24 2000-04-15 윤종용 반도체장치 제조용 건식식각장치
JP3598717B2 (ja) * 1997-03-19 2004-12-08 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
DE19713637C2 (de) * 1997-04-02 1999-02-18 Max Planck Gesellschaft Teilchenmanipulierung
GB9714142D0 (en) 1997-07-05 1997-09-10 Surface Tech Sys Ltd An arrangement for the feeding of RF power to one or more antennae
JP3356043B2 (ja) 1997-12-26 2002-12-09 三菱電機株式会社 レーザ加工装置用距離検出器
US6273022B1 (en) 1998-03-14 2001-08-14 Applied Materials, Inc. Distributed inductively-coupled plasma source
JP3148177B2 (ja) 1998-04-27 2001-03-19 ニチメン電子工研株式会社 プラズマ処理装置
JP2000030896A (ja) 1998-07-10 2000-01-28 Anelva Corp プラズマ閉込め装置
US6046641A (en) 1998-07-22 2000-04-04 Eni Technologies, Inc. Parallel HV MOSFET high power stable amplifier
JP3166745B2 (ja) 1998-12-25 2001-05-14 日本電気株式会社 プラズマ処理装置ならびにプラズマ処理方法
US20020022836A1 (en) * 1999-03-05 2002-02-21 Gyrus Medical Limited Electrosurgery system
JP2000294543A (ja) 1999-04-08 2000-10-20 Hitachi Ltd エッチング方法およびエッチング装置ならびに半導体装置の製造方法
KR100880767B1 (ko) * 1999-05-06 2009-02-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
JP2003512526A (ja) 1999-10-15 2003-04-02 アドバンスト・エナジー・インダストリーズ・インコーポレイテッド 複数の電極のスパッタリングシステムにおいて基板にバイアスをかける方法および装置
US6818103B1 (en) * 1999-10-15 2004-11-16 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for substrate biasing in multiple electrode sputtering systems
JP2001122690A (ja) 1999-10-26 2001-05-08 Toyo Kohan Co Ltd マイクロ波プラズマｃｖｄ装置及びダイヤモンド薄膜を形成する方法
JP4727111B2 (ja) 1999-11-16 2011-07-20 ハイドロ−ケベック アーク炉の再点弧を促進する方法および装置
JP4601104B2 (ja) 1999-12-20 2010-12-22 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
JP2003533879A (ja) 2000-05-12 2003-11-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システムにおける電極の厚さを調整する方法
JP4656697B2 (ja) 2000-06-16 2011-03-23 キヤノンアネルバ株式会社 高周波スパッタリング装置
US7294563B2 (en) 2000-08-10 2007-11-13 Applied Materials, Inc. Semiconductor on insulator vertical transistor fabrication and doping process
JP3911555B2 (ja) 2000-08-15 2007-05-09 独立行政法人産業技術総合研究所 シリコン系薄膜の製造法
JP3807598B2 (ja) 2001-07-23 2006-08-09 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
DE10154229B4 (de) 2001-11-07 2004-08-05 Applied Films Gmbh & Co. Kg Einrichtung für die Regelung einer Plasmaimpedanz
JP2003155556A (ja) 2001-11-16 2003-05-30 Canon Inc ウエッジ形状膜の製造法
AU2002354459A1 (en) 2001-12-10 2003-07-09 Tokyo Electron Limited High-frequency power source and its control method, and plasma processor
US7298091B2 (en) * 2002-02-01 2007-11-20 The Regents Of The University Of California Matching network for RF plasma source
US6703080B2 (en) 2002-05-20 2004-03-09 Eni Technology, Inc. Method and apparatus for VHF plasma processing with load mismatch reliability and stability
DE10326135B4 (de) 2002-06-12 2014-12-24 Ulvac, Inc. Entladungsplasma-Bearbeitungsanlage
US7445690B2 (en) 2002-10-07 2008-11-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US7032536B2 (en) 2002-10-11 2006-04-25 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film formation apparatus including engagement members for support during thermal expansion
US7309998B2 (en) 2002-12-02 2007-12-18 Burns Lawrence M Process monitor for monitoring an integrated circuit chip
DE10306347A1 (de) 2003-02-15 2004-08-26 Hüttinger Elektronik GmbH & Co. KG Leistungszufuhrregeleinheit
US6876205B2 (en) 2003-06-06 2005-04-05 Advanced Energy Industries, Inc. Stored energy arc detection and arc reduction circuit
US6972079B2 (en) 2003-06-25 2005-12-06 Advanced Energy Industries Inc. Dual magnetron sputtering apparatus utilizing control means for delivering balanced power
JP3575011B1 (ja) 2003-07-04 2004-10-06 村田 正義 プラズマ表面処理装置およびプラズマ表面処理方法
JP2005130376A (ja) 2003-10-27 2005-05-19 Sony Corp バラン
US7126346B2 (en) * 2003-12-18 2006-10-24 Agilent Technologies, Inc. Method, apparatus, and article of manufacture for manufacturing high frequency balanced circuits
US7241361B2 (en) 2004-02-20 2007-07-10 Fei Company Magnetically enhanced, inductively coupled plasma source for a focused ion beam system
JP4658506B2 (ja) * 2004-03-31 2011-03-23 浩史 滝川 パルスアークプラズマ生成用電源回路及びパルスアークプラズマ処理装置
JP2005303257A (ja) * 2004-10-01 2005-10-27 Masayoshi Murata 高周波プラズマ生成用平衡不平衡変換装置と、該平衡不平衡変換装置により構成されたプラズマ表面処理装置およびプラズマ表面処理方法
JP4909523B2 (ja) 2005-03-30 2012-04-04 株式会社ユーテック スパッタリング装置及びスパッタリング方法
EP1720195B1 (de) * 2005-05-06 2012-12-12 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG Arcunterdrückungsanordnung
JP2006336084A (ja) 2005-06-03 2006-12-14 Canon Inc スパッタ成膜方法
CN2907173Y (zh) * 2006-02-24 2007-05-30 苏州大学 大面积并联高密度感应耦合等离子体源
US7517437B2 (en) 2006-03-29 2009-04-14 Applied Materials, Inc. RF powered target for increasing deposition uniformity in sputtering systems
US8932430B2 (en) 2011-05-06 2015-01-13 Axcelis Technologies, Inc. RF coupled plasma abatement system comprising an integrated power oscillator
WO2008024392A2 (en) 2006-08-22 2008-02-28 Valery Godyak Inductive plasma source with high coupling efficiency
US10083817B1 (en) 2006-08-22 2018-09-25 Valery Godyak Linear remote plasma source
JP4768699B2 (ja) * 2006-11-30 2011-09-07 キヤノンアネルバ株式会社 電力導入装置及び成膜方法
US7777567B2 (en) 2007-01-25 2010-08-17 Mks Instruments, Inc. RF power amplifier stability network
US8450635B2 (en) 2007-03-30 2013-05-28 Lam Research Corporation Method and apparatus for inducing DC voltage on wafer-facing electrode
US20170213734A9 (en) 2007-03-30 2017-07-27 Alexei Marakhtanov Multifrequency capacitively coupled plasma etch chamber
JP2008300322A (ja) 2007-06-04 2008-12-11 Canon Anelva Corp プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、整合器、及び整合器の動作方法
US20090075597A1 (en) 2007-09-18 2009-03-19 Ofir Degani Device, system, and method of low-noise amplifier
TWI440405B (zh) 2007-10-22 2014-06-01 New Power Plasma Co Ltd 電容式耦合電漿反應器
JP2009135448A (ja) 2007-11-01 2009-06-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体基板の作製方法及び半導体装置の作製方法
CN101918044B (zh) * 2007-11-06 2014-08-27 克里奥医药有限公司 微波等离子体灭菌系统及其施放器
JP5371238B2 (ja) 2007-12-20 2013-12-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
CN101478857A (zh) 2008-01-04 2009-07-08 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 等离子体处理装置
JP5294669B2 (ja) 2008-03-25 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2008294465A (ja) * 2008-07-31 2008-12-04 Masayoshi Murata 電流導入端子と、該電流導入端子を備えたプラズマ表面処理装置及びプラズマ表面処理方法
JP2010045664A (ja) 2008-08-14 2010-02-25 Tokyo Electron Ltd マッチング装置、マッチング方法、プラズマ処理装置、及び記憶媒体
JP2008300873A (ja) 2008-08-26 2008-12-11 Masayoshi Murata プラズマ表面処理方法及びプラズマ表面処理装置
US8438990B2 (en) * 2008-09-30 2013-05-14 Applied Materials, Inc. Multi-electrode PECVD source
JP4547711B2 (ja) 2008-10-10 2010-09-22 村田 正義 高周波プラズマｃｖｄ装置及び高周波プラズマｃｖｄ法
JP5305287B2 (ja) 2008-10-30 2013-10-02 芝浦メカトロニクス株式会社 半導体製造装置
JPWO2010055669A1 (ja) 2008-11-12 2012-04-12 株式会社アルバック 電極回路、成膜装置、電極ユニットおよび成膜方法
CN102365906B (zh) 2009-02-13 2016-02-03 应用材料公司 用于等离子体腔室电极的rf总线与rf回流总线
JP2010255061A (ja) * 2009-04-27 2010-11-11 Canon Anelva Corp スパッタリング装置及びスパッタリング処理方法
JP2009302566A (ja) 2009-09-16 2009-12-24 Masayoshi Murata トランス型平衡不平衡変換装置を備えたプラズマ表面処理装置
KR200476124Y1 (ko) 2009-09-29 2015-01-30 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Ｒｆ­전력공급 샤워헤드를 위한 편심 접지 복귀
US8755204B2 (en) 2009-10-21 2014-06-17 Lam Research Corporation RF isolation for power circuitry
US8501631B2 (en) * 2009-11-19 2013-08-06 Lam Research Corporation Plasma processing system control based on RF voltage
EP2326151A1 (fr) 2009-11-24 2011-05-25 AGC Glass Europe Procédé et dispositif de polarisation d'une électrode DBD
JP2011144450A (ja) 2009-12-16 2011-07-28 Canon Anelva Corp スパッタリング装置及びスパッタリング方法
JP5606063B2 (ja) 2009-12-28 2014-10-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
DE102010031568B4 (de) 2010-07-20 2014-12-11 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Arclöschanordnung und Verfahren zum Löschen von Arcs
CN102479657A (zh) * 2010-11-26 2012-05-30 沈阳拓荆科技有限公司 一种多段式匹配器
JP5642531B2 (ja) 2010-12-22 2014-12-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2012142332A (ja) 2010-12-28 2012-07-26 Canon Anelva Corp 電子部品の製造方法
KR20130099151A (ko) 2011-01-12 2013-09-05 니신 일렉트릭 컴패니 리미티드 플라스마 장치
KR101839776B1 (ko) 2011-02-18 2018-03-20 삼성디스플레이 주식회사 플라즈마 처리장치
US10553406B2 (en) 2011-03-30 2020-02-04 Jusung Engineering Co., Ltd. Plasma generating apparatus and substrate processing apparatus
US20130017315A1 (en) 2011-07-15 2013-01-17 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling power distribution in substrate processing systems
JP2013098177A (ja) 2011-10-31 2013-05-20 Semes Co Ltd 基板処理装置及びインピーダンスマッチング方法
CN103091042B (zh) 2011-11-07 2016-11-16 泰州市宏华冶金机械有限公司 重心测量装置及重心测量方法
JP5824072B2 (ja) 2011-12-27 2015-11-25 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置
US9197196B2 (en) * 2012-02-22 2015-11-24 Lam Research Corporation State-based adjustment of power and frequency
US9171699B2 (en) * 2012-02-22 2015-10-27 Lam Research Corporation Impedance-based adjustment of power and frequency
US10157729B2 (en) * 2012-02-22 2018-12-18 Lam Research Corporation Soft pulsing
US10325759B2 (en) * 2012-02-22 2019-06-18 Lam Research Corporation Multiple control modes
WO2013136656A1 (ja) 2012-03-15 2013-09-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
DE102012103938A1 (de) 2012-05-04 2013-11-07 Reinhausen Plasma Gmbh Plasmamodul für eine Plasmaerzeugungsvorrichtung und Plasmaerzeugungsvorrichtung
US20130337657A1 (en) * 2012-06-19 2013-12-19 Plasmasi, Inc. Apparatus and method for forming thin protective and optical layers on substrates
US10526708B2 (en) * 2012-06-19 2020-01-07 Aixtron Se Methods for forming thin protective and optical layers on substrates
CN107195541B (zh) 2012-07-24 2020-07-24 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 永久结合晶圆的方法及装置
JP2014049541A (ja) 2012-08-30 2014-03-17 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 薄膜製造装置及びその電極電圧調整方法
JP2014049667A (ja) 2012-09-03 2014-03-17 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びこれを備えた基板処理装置
US9620337B2 (en) * 2013-01-31 2017-04-11 Lam Research Corporation Determining a malfunctioning device in a plasma system
US9779196B2 (en) * 2013-01-31 2017-10-03 Lam Research Corporation Segmenting a model within a plasma system
KR102168064B1 (ko) 2013-02-20 2020-10-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
CN105190842B (zh) 2013-03-14 2017-07-28 佳能安内华股份有限公司 成膜方法、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件和照明装置
JP2013139642A (ja) * 2013-04-02 2013-07-18 Canon Anelva Corp スパッタ成膜応用のためのプラズマ処理装置
JP6574547B2 (ja) 2013-12-12 2019-09-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
WO2015097942A1 (ja) 2013-12-25 2015-07-02 キヤノンアネルバ株式会社 基板加工方法及び半導体装置の製造方法
US10081869B2 (en) 2014-06-10 2018-09-25 Lam Research Corporation Defect control in RF plasma substrate processing systems using DC bias voltage during movement of substrates
US10410889B2 (en) 2014-07-25 2019-09-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for electrical and magnetic uniformity and skew tuning in plasma processing reactors
CN107430976B (zh) * 2015-01-16 2019-10-11 A·F·塞尔莫 共振的装置、含装置的组及操作方法和等离子体产生设备
GB201502453D0 (en) 2015-02-13 2015-04-01 Spts Technologies Ltd Plasma producing apparatus
US10049862B2 (en) 2015-04-17 2018-08-14 Lam Research Corporation Chamber with vertical support stem for symmetric conductance and RF delivery
US10014084B2 (en) 2015-05-12 2018-07-03 Arc Saw Technologies, Llc Systems and methods for nuclear reactor vessel segmenting
JP6539113B2 (ja) * 2015-05-28 2019-07-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US9960009B2 (en) * 2015-07-17 2018-05-01 Lam Research Corporation Methods and systems for determining a fault in a gas heater channel
JP6678886B2 (ja) 2016-05-26 2020-04-15 株式会社サムソン 給水予熱装置の製造方法
US10403476B2 (en) * 2016-11-09 2019-09-03 Lam Research Corporation Active showerhead
JP2018129224A (ja) 2017-02-09 2018-08-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US10410836B2 (en) * 2017-02-22 2019-09-10 Lam Research Corporation Systems and methods for tuning to reduce reflected power in multiple states
US20180274100A1 (en) 2017-03-24 2018-09-27 Applied Materials, Inc. Alternating between deposition and treatment of diamond-like carbon
GB2562110A (en) 2017-05-05 2018-11-07 Creo Medical Ltd Apparatus for sterilising an instrument channel of a surgical scoping device
TWI750525B (zh) 2017-06-27 2021-12-21 日商佳能安內華股份有限公司 電漿處理裝置
JP6564556B2 (ja) * 2017-06-27 2019-08-21 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
EP4017223A1 (en) * 2017-06-27 2022-06-22 Canon Anelva Corporation Plasma processing apparatus
CN110800376B (zh) * 2017-06-27 2022-04-01 佳能安内华股份有限公司 等离子体处理装置
WO2019003312A1 (ja) 2017-06-27 2019-01-03 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
CN110800379B (zh) * 2017-06-27 2022-01-18 佳能安内华股份有限公司 等离子体处理装置
JP6309683B1 (ja) 2017-10-31 2018-04-11 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
CN112335342B (zh) 2018-06-14 2023-07-14 Mks仪器公司 用于远程等离子源的自由基输出监控器和使用方法
KR102439024B1 (ko) 2018-06-26 2022-09-02 캐논 아네르바 가부시키가이샤 플라스마 처리 장치, 플라스마 처리 방법, 프로그램, 및 메모리 매체
US10354838B1 (en) * 2018-10-10 2019-07-16 Lam Research Corporation RF antenna producing a uniform near-field Poynting vector
US11013075B2 (en) * 2018-12-20 2021-05-18 Nxp Usa, Inc. RF apparatus with arc prevention using non-linear devices
US11232931B2 (en) 2019-10-21 2022-01-25 Mks Instruments, Inc. Intermodulation distortion mitigation using electronic variable capacitor

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