JP3742638B2 - エレクトロンフラッド装置及びイオン注入装置 - Google Patents
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Description
図1は、イオン注入装置の一例を模式的に示す図である。このイオン注入装置は、イオン引出アセンブリ100と、イオン質量セレクタ130と、イオンビームIBが通過するチューブ2と、チューブ2内に電子を供給するエレクトロンフラッド装置1と、イオンが注入される基板141を保持する基板ホルダ140とを備える。
図5は、第2実施形態に係るエレクトロンフラッド装置1aを備えたイオン注入装置の一部を模式的に示す断面図である。このイオン注入装置は、図2〜図4に示したエレクトロンフラッド装置1をエレクトロンフラッド装置1aに置き換えたものである。
図6は、第3実施形態に係るエレクトロンフラッド装置1bを備えたイオン注入装置の一部を模式的に示す断面図である。このイオン注入装置は、図2〜図4に示したエレクトロンフラッド装置1をエレクトロンフラッド装置1bに置き換えたものである。
図7は、第4実施形態に係るエレクトロンフラッド装置1cを備えたイオン注入装置の一部を模式的に示す断面図である。このイオン注入装置は、図6に示したエレクトロンフラッド装置1bをエレクトロンフラッド装置1cに置き換えたものである。
Claims (13)
- イオン注入装置において使用され電子を生成するエレクトロンフラッド装置であって、
前記電子を放出するための開口と、不活性ガスを供給するための供給口と、導体から成る第1の部分と、絶縁体から成る第2の部分とを有しており、所定の閉曲線に沿って延びるチャンバと、
前記第1の部分の外側に設けられており、前記所定の前記閉曲線が形成する面に交差する方向に磁場を形成する磁場形成手段と、
前記チャンバ内に設けられた電極と、
を備える、エレクトロンフラッド装置。 - 前記チャンバは、絶縁体を介して前記電極を支持しており、
前記電極は、前記所定の前記閉曲線に沿って延びている、請求項1に記載のエレクトロンフラッド装置。 - イオン注入装置において使用され電子を生成するエレクトロンフラッド装置であって、
前記電子を放出するための開口と、不活性ガスを供給するための供給口と、導体から成る筒状の第1の部分と、前記第1の部分に接続され絶縁体から成る筒状の第2の部分とを有する環状のチャンバと、
前記第1の部分の外側に設けられており、前記環状のチャンバが形成する面に交差する方向に磁場を形成する磁場形成手段と、
前記チャンバ内に設けられた電極と、
を備える、エレクトロンフラッド装置。 - 前記チャンバは、絶縁体を介して前記電極を支持しており、
前記電極は、前記チャンバに沿って延びている、請求項3に記載のエレクトロンフラッド装置。 - 前記電極に電気的に接続されたカソード電源と、
前記磁場形成手段に電気的に接続された高周波電源と、
を更に備える、請求項1〜4のいずれか一項に記載のエレクトロンフラッド装置。 - イオン注入装置において使用され電子を生成するエレクトロンフラッド装置であって、
前記電子を放出するための開口と、不活性ガスを供給するための供給口と、導体から成る第1の部分と、絶縁体から成る第2の部分とを有しており、所定の閉曲線に沿って延びるチャンバと、
前記第1の部分の外側に設けられており、前記所定の前記閉曲線が形成する面に交差する方向に磁場を形成する磁場形成手段と、
前記第1の部分に電気的に接続された端子と、
を備える、エレクトロンフラッド装置。 - イオン注入装置において使用され電子を生成するエレクトロンフラッド装置であって、
前記電子を放出するための開口と、不活性ガスを供給するための供給口と、導体から成る筒状の第1の部分と、前記第1の部分に接続され絶縁体から成る筒状の第2の部分とを有する環状のチャンバと、
前記第1の部分の外側に設けられており、前記環状のチャンバが形成する面に交差する方向に磁場を形成する磁場形成手段と、
前記第1の部分に電気的に接続された端子と、
を備える、エレクトロンフラッド装置。 - 前記端子に電気的に接続されたカソード電源と、
前記磁場形成手段に電気的に接続された高周波電源と、
を更に備える、請求項6又は7に記載のエレクトロンフラッド装置。 - 前記磁場形成手段は、磁性体から成る芯に導線が巻かれたコイルである、請求項1〜8のいずれか一項に記載のエレクトロンフラッド装置。
- 前記チャンバは、絶縁体から成る第3の部分を有する、請求項1〜9のいずれか一項に記載のエレクトロンフラッド装置。
- 請求項1〜10のいずれか一項に記載のエレクトロンフラッド装置と、
イオンビームが通過するチューブと、
を備えたイオン注入装置であって、
前記チューブの側壁は開口を有しており、
該チューブの該開口は前記エレクトロンフラッド装置の前記チャンバの前記開口に連通している、イオン注入装置。 - 前記チャンバは、別の開口を有しており、
前記チューブの前記側壁は、別の開口を有しており、
該チューブの該別の開口は前記チャンバの前記別の開口に連通している、請求項11に記載のイオン注入装置。 - 前記不活性ガスは、希ガス及び窒素ガスのうち少なくとも一つを含む、請求項11又は12に記載のイオン注入装置。
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