TW201906498A - 電漿處理裝置 - Google Patents
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 10
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
- H01J37/32183—Matching circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/3255—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32577—Electrical connecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/42—Networks for transforming balanced signals into unbalanced signals and vice versa, e.g. baluns
- H03H7/425—Balance-balance networks
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
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- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/327—Arrangements for generating the plasma
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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Abstract
電漿處理裝置是具備: 具有第1輸入端子、第2輸入端子、第1輸出端子及第2輸出端子的巴倫; 真空容器; 被電性連接至前述第1輸出端子的第1電極; 被電性連接至前述第2輸出端子的第2電極;及 電性連接前述真空容器與接地的連接部, 前述連接部,係包含電感器。
Description
本發明是有關電漿處理裝置。
有藉由在2個的電極之間施加高頻來產生電漿,藉由電漿來處理基板的電漿處理裝置。如此的電漿處理裝置是可藉由2個的電極的面積比及/或偏壓來作為濺射裝置動作,或作為蝕刻裝置動作。構成為濺射裝置的電漿處理裝置是具有:保持標靶的第1電極,及保持基板的第2電極,在第1電極與第2電極之間施加高頻,在第1電極與第2電極之間(標靶與基板之間)產生電漿。藉由電漿的生成,在標靶的表面產生自偏置電壓,藉此離子會衝突於標靶,構成此的材料的粒子會從標靶放出。
在專利文獻1是記載有具備平衡不平衡變換器的電漿表面處理裝置。此電漿表面處理裝置是具備:高頻電源、電力放大器、阻抗匹配器、同軸電纜、真空容器、放電氣體混合箱、非接地電極、接地電極、及變壓器型平衡不平衡變器。放電氣體混合箱、非接地電極、接地電極及變壓器型平衡不平衡變換器是被配置於真空容器之中。非接地電極是經由絕緣物支撐材及放電氣體混合箱來配置於真空容器。接地電極是支撐基板。並且,接地電極是被電性連接至真空容器。高頻電源的輸出是經由電力放大器、阻抗匹配器、同軸電纜及變壓器型平衡不平衡變換器來供給至非接地電極與接地電極之間。若根據專利文獻1,則經由被連接至接地電極的真空容器的構件來流動的同相電流Ix是藉由變壓器型平衡不平衡變換器所遮斷。
雖在專利文獻1未被檢討,但若根據本發明者的檢討,則同相電流Ix的大小是以平衡不平衡變換器(以下稱為巴倫)的捲線的電抗X與平衡不平衡變換器的輸出側的負荷的阻抗(電阻成分)Rp的比,亦即X/Rp來決定。X/Rp越大,平衡不平衡變換器的輸出側(平衡電路側)與接地的隔離性能越提升,同相電流Ix會變小。
若根據本發明者的檢討,則在電漿處理裝置設定有電漿密度變低的條件時,例如,真空容器內的壓力低時,電極間的距離大時,電極的面積小時,高頻源產生的高頻的頻率低時等,從巴倫來看電極的側的負荷的阻抗Rp會變大。因此,阻抗Rp大時,為了縮小同相電流Ix,擴大X/Rp,需要擴大巴倫的捲線的電抗X。為此,須增加捲線的捲數,或擴大環形鐵芯,但這招致巴倫的大型化。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2009-302566號公報
本發明是根據上述的課題認識所研發者,提供一種不使巴倫大型化,為了減低同相電流而有利的技術。
本發明之形態係有關電漿處理裝置,前述電漿處理裝置,係具備: 具有第1輸入端子、第2輸入端子、第1輸出端子及第2輸出端子的巴倫; 真空容器; 被電性連接至前述第1輸出端子的第1電極; 被電性連接至前述第2輸出端子的第2電極;及 電性連接前述真空容器與接地的連接部, 前述連接部,係包含電感器。
以下,一邊參照附圖,一邊經由其舉例表示的實施形態來說明本發明。
在圖1中模式性地表示本發明的第1實施形態的電漿處理裝置1的構成。第1實施形態的電漿處理裝置1是可作為藉由濺射來將膜形成於基板112的濺射裝置動作。電漿處理裝置1是具備:巴倫(平衡不平衡變換器)103、真空容器110、第1電極106、第2電極111及連接部150。或,亦可理解為電漿處理裝置1是具備巴倫103及本體10,本體10具備:真空容器110、第1電極106、第2電極111及連接部150。本體10是具有第1端子251及第2端子252。第1電極106是亦可配置成為與真空容器110一起分離真空空間與外部空間(亦即構成真空隔壁的一部分),或亦可配置於真空容器110之中。第2電極111是亦可配置成為與真空容器110一起分離真空空間與外部空間(亦即構成真空隔壁的一部分),或亦可配置於真空容器110之中。
真空容器110的至少一部分是可以導體所構成。真空容器110是可包含以導體所構成的部分。連接部150是電性連接真空容器110(構成真空容器110的至少一部分的導體)與接地。連接部150是包含電感器,使平衡電路對於接地的隔離性能,換言之,巴倫103對於接地的輸出(第1輸出端子211、第2輸出端子212)側的隔離性能提升。巴倫103是具有:第1輸入端子201、第2輸入端子202、第1輸出端子211及第2輸出端子212。
在第1實施形態中,第1電極106是陰極,保持標靶109。標靶109是例如可為絕緣體材料或導電體材料。並且,在第1實施形態中,第2電極111是陽極,保持基板112。第1實施形態的電漿處理裝置1是可作為藉由標靶109的濺射來將膜形成於基板112的濺射裝置動作。 第1電極106是被電性連接至第1輸出端子211,第2電極111是被電性連接至第2輸出端子212。第1電極106與第1輸出端子211被電性連接是意思以電流能流動於第1電極106與第1輸出端子211之間的方式,在第1電極106與第1輸出端子211之間構成有電流路徑。同樣,在此說明書中,a與b被電性連接是意思以電流能流動於a與b之間的方式,在a與b之間構成有電流路徑。
上述的構成亦可理解為第1電極106被電性連接至第1端子251,第2電極111被電性連接至第2端子252,第1端子251被電性連接至第1輸出端子211,第2端子252被電性連接至第2輸出端子212的構成。
在第1實施形態中,第1電極106與第1輸出端子211(第1端子251)會經由阻塞電容器104來電性連接。阻塞電容器104是遮斷流動於第1輸出端子211與第1電極106之間(或第1輸出端子211與第2輸出端子212之間)的直流電流。藉此,可在第1電極106產生自偏置電壓。亦可取代阻塞電容器104,而構成為後述的阻抗匹配電路102會遮斷流動於第1輸入端子201與第2輸入端子202之間的直流電流。當標靶109為絕緣材料時,亦可不設阻塞電容器104。
第1電極106及第2電極111是與真空容器110(構成真空容器110的至少一部分的導體)絕緣。例如,第1電極106是可隔著絕緣體107來藉由真空容器110所支撐,第2電極111是可隔著絕緣體108來藉由真空容器110所支撐。
電漿處理裝置1是可更具備:高頻電源101、及被配置於高頻電源101與巴倫103之間的阻抗匹配電路102。高頻電源101是經由阻抗匹配電路102來供給高頻(高頻電流、高頻電壓、高頻電力)至巴倫103的第1輸入端子201與第2輸入端子202之間。換言之,高頻電源101是經由阻抗匹配電路102、巴倫103及阻塞電容器104來供給高頻(高頻電流、高頻電壓、高頻電力)至第1電極106與第2電極111之間。或,高頻電源101是亦可理解為經由阻抗匹配電路102及巴倫103來供給高頻至本體10的第1端子251與第2端子252之間。
在真空容器110的內部空間是經由被設在真空容器110之未圖示的氣體供給部來供給氣體(例如Ar、Kr或Xe氣體)。並且,在第1電極106與第2電極111之間是經由阻抗匹配電路102、巴倫103及阻塞電容器104來藉由高頻電源101供給高頻。藉此,在第1電極106與第2電極111之間產生電漿,在標靶109的表面產生自偏置電壓,電漿中的離子會衝突於標靶109的表面,從標靶109放出構成那個的材料的粒子。然後,藉由此粒子來形成膜於基板112上。
在圖2A是表示巴倫103的一構成例。被表示於圖2A的巴倫103是具有連接第1輸入端子201與第1輸出端子211的第1線圈221、及連接第2輸入端子202與第2輸出端子212的第2線圈222。第1線圈221及第2線圈222是同一捲數的線圈,共有鐵芯。
在圖2B是表示巴倫103的其他的構成例。被表示於圖2B的巴倫103是具有:連接第1輸入端子201與第1輸出端子211的第1線圈221、及連接第2輸入端子202與第2輸出端子212的第2線圈222。並且,被表示於圖2B的巴倫103是可更具有:與第1線圈221共有鐵芯而與第1線圈221磁性結合的第3線圈223、及與第2線圈222共有鐵芯而與第2線圈222磁性結合的第4線圈224。第1輸出端子211與第2輸出端子212是藉由由第3線圈223及第4線圈224所成的串聯電路來連接。第1線圈221、第2線圈222、第3線圈223及第4線圈224是具有同一捲數的線圈,共有鐵芯。
一邊參照圖3A、3B、4A、4B、5A、5B、6A、6B及圖7,一邊說明巴倫103及連接部150的機能。將流動於第1輸入端子201的電流設為I1,將流動於第1輸出端子211的電流設為I2,將流動於第2輸入端子202的電流設為I2’,且將電流I2之中流至接地的電流設為I3。I1、I2、I2’、I3為高頻電流。I3=0時,巴倫103對於接地的輸出側的隔離性能為最佳。I3=I2,亦即,流動於第1輸出端子211的電流I2的全部對於接地流動時,巴倫103對於接地的輸出側的隔離性能為最差。 表示如此的隔離性能的程度的指標ISO是可賦予以下的式子。在此定義之下,ISO的値的絕對値較大,隔離性能較佳。
ISO[dB]=20log(I3/I2’) 在圖3A、3B、4A、4B、5A、5B、6A及6B中,Rp-jXp(以符號160所示)是表示在真空容器110的內部空間產生電漿的狀態下,從第1輸出端子211及第2輸出端子212的側來看第1電極106及第2電極111的側(本體10的側)時的阻抗(包含阻塞電容器104的電抗)。Rp是表示電阻成分,-Xp是表示電抗成分。並且,在圖3A、3B、4A、4B、5A、5B、6A及6B中,X是表示巴倫103的第1線圈221的阻抗的電抗成分(電感成分)。
表示隔離性能的ISO是對於X/Rp具有相關性。具體而言,X/Rp越大,ISO的値的絕對値越大。電漿的阻抗(電阻成分)高時,由於Rp變大,因此為了擴大X/Rp,而須擴大巴倫103的第1線圈221的電抗X。該方法是有增加第1線圈221的捲數的方法、及擴大巴倫103的環形鐵芯(鐵芯)的方法。但,在任一方法中皆巴倫103會大型化。
於是,在第1實施形態中,為了不使巴倫103大型化,使隔離性能提升,可設有電性連接真空容器110 (構成真空容器110的至少一部分的導體)與接地之連接部150。連接部150是包含電感器151,由於交流電流會藉由電感器151來抑制,因此同相電流I3會被減低。在圖3A是表示連接部150的第1構成例。
在圖7中,舉例表示電感器的有無所產生的隔離性能的不同。在圖5A、5B中,「有電感器」是表示圖3A所示的第1構成例的I1、I2’、I3、ISO。並且,在圖5A、5B中,「無電感器」是表示無連接部150(電感器151)時的I1、I2’、I3、ISO。無連接部150(電感器151)時,表示隔離性能的ISO為-8.8dB,相對的,有連接部150(電感器151)時,ISO會提升至-43.1dB。
膜對於基板112的形成時,在真空容器110的內面也會形成有膜。藉此,真空容器110的內面的狀態會變化。若隔離性能低,則被形成於真空容器110的內部空間(第1電極106與第2電極111之間的空間)的電漿的電位會對於真空容器110的內面的狀態形成敏感。另一方面,若隔離性能高,則被形成於真空容器110的內部空間的電漿的電位會對於真空容器110的內面的狀態形成鈍感。亦即,若隔離性能高,則在電漿處理裝置1的長期間的使用中可使電漿電位安定。
另一方面,若隔離性能高,則由於藉由高頻所形成的電場會集中於第1電極106與第2電極111之間的空間,因此有難點燃電漿的情況。參照圖3B、4A、4B說明的連接部150的第2構成例、第3構成例、第4構成例是考慮電漿的點燃者。
在圖3B是表示連接部150的第2構成例。第2構成例的連接部150是包含:電性連接真空容器110(構成真空容器110的至少一部分的導體)與接地的電感器151、及可使電感器151的2個端子間短路的開關152。開關152是例如可為繼電器。電漿處理裝置1是亦可具備:在點燃電漿時使開關152形成導通狀態,在電漿點燃後使開關152形成非導通狀態的控制器190。
在圖4A是表示連接部150的第3構成例。第3構成例的連接部150是包含:連接真空容器110(構成真空容器110的至少一部分的導體)與接地的電感器151’、及可使電感器151’的2個端子間短路的開關152。電感器151’的電感是可變。開關152是例如可為繼電器。電漿處理裝置1是亦可具備:在點燃電漿時使開關152形成導通狀態,在電漿點燃後使開關152形成非導通狀態的控制器190。並且,控制器190是可藉由控制電感器151’的電感的値來控制電漿的狀態。
在圖4B是表示連接部150的第4構成例。第4構成例的連接部150是包含連接真空容器110(構成真空容器110的至少一部分的導體)與接地的電感器151’。電感器151’的電感是可變。電漿處理裝置1是可具備:在電漿的點燃後比電漿的點燃前更擴大電感器151’的電感的控制器190。
取代如上述般電性連接真空容器110(構成真空容器110的至少一部分的導體)與接地之連接部150,而設置電性連接巴倫103的第2輸入端子202與接地之連接部155也可取得同樣的效果。更亦可設有連接部150、155的雙方。
在圖5A是表示電性連接巴倫103的第2輸入端子202與接地之連接部155的第1構成例。連接部155是包含電感器156。可藉由設置第1連接部155來取得高的隔離性能。另一方面,如上述般,若隔離性能高,則由於藉由高頻所形成的電場會集中於第1電極106與第2電極111之間的空間,因此有難點燃電漿的情況。參照圖5B、6A、6B說明的連接部155的第2構成例、第3構成例、第4構成例是考慮電漿的點燃者。
在圖5B是表示連接部155的第2構成例。第2構成例的連接部155是包含:電性連接巴倫103的第2輸入端子202與接地的電感器156、及可使電感器156的2個端子間短路的開關157。開關157是例如可為繼電器。電漿處理裝置1是亦可具備:在點燃電漿時使開關157形成導通狀態,在電漿點燃後使開關157形成非導通狀態的控制器190。
在圖6A是表示連接部155的第3構成例。第3構成例的連接部155是包含:連接巴倫103的第2輸入端子202與接地的電感器156’、及可使電感器156’的2個端子間短路的開關157。電感器156’的電感是可變。開關157是例如可為繼電器。電漿處理裝置1是亦可具備:在點燃電漿時使開關157形成導通狀態,在電漿點燃後使開關157形成非導通狀態的控制器190。並且,控制器190是可藉由控制電感器156’的電感的値來控制電漿的狀態。
在圖6B是表示連接部155的第4構成例。第4構成例的連接部155是包含連接真空容器110(構成真空容器110的至少一部分的導體)與接地的電感器156’。電感器156’的電感是可變。電漿處理裝置1是可具備:在電漿的點燃後比電漿的點燃前更擴大電感器156’的電感的控制器190。
在圖8是模式性地表示本發明的第2實施形態的電漿處理裝置1的構成。第2實施形態的電漿處理裝置1是可作為蝕刻基板112的蝕刻裝置動作。作為第2實施形態未言及的事項是可按照第1實施形態。在第2實施形態中,第1電極106是陰極,保持基板112。並且,在第2實施形態中,第2電極111是陽極。在第2實施形態的電漿處理裝置1中,第1電極106與第1輸出端子211會經由阻塞電容器104來電性連接。在第2實施形態中也設有電性連接真空容器110(構成真空容器110的至少一部分的導體)與接地之連接部150。連接部150是例如可具有連接部150的第1~第4構成例的任一的構成。
在圖9是模式性地表示本發明的第3實施形態的電漿處理裝置1的構成。作為第3實施形態未言及的事項是可按照第1實施形態。第1實施形態的電漿處理裝置是可作為蝕刻基板112的蝕刻裝置動作。第2電極111是可配置成為將第1電極106遍及全周長而包圍。第2電極111是例如可具有筒形狀。最好第1電極106及第2電極111是具有同軸構造。在一例中,第1電極106是具有以假想軸作為中心的圓柱形狀,第2電極111是具有以該假想軸作為中心的圓筒形狀。
上述般的第1電極106及第2電極111的構成是有利於為了使第1電極106與第2電極111之間的阻抗降低,這是有利於為了使從巴倫103的輸出側流至接地的電流,亦即同相電流I3降低。使同相電流I3降低,是意思使真空容器110難作為陽極機能。真空容器110的內壁的狀態會隨著基板112的蝕刻而變化,但藉由使真空容器110難作為陽極機能,可使電漿電位對於真空容器110的內壁的狀態形成鈍感。這有利於為了在電漿處理裝置1的長期間的使用中使電漿電位安定。在其他的觀點中,第1電極106與第2電極111之間的阻抗是比第1電極106與真空容器110之間的阻抗小為理想。這是有利於為了使上述的同相電流I3降低。
第1電極106與第2電極111的距離(間隙的大小)是德拜長度以下為理想。這有效於為了抑制電漿進入至第1電極106與第2電極111的間隙。
在第3實施形態中,說明有關作為蝕刻裝置動作的電漿處理裝置1,但電漿處理裝置1是亦可構成為藉由第1電極106來保持標靶,藉由另外設置的基板保持部來保持基板,作為藉由標靶的濺射來將膜形成於基板的濺射裝置動作。
在圖10是模式性地表示本發明的第4實施形態的電漿處理裝置1的構成。第4實施形態的電漿處理裝置1是第3實施形態的變形例。在第4實施形態中,第2電極111是包含對向於第1電極106的表面及側面的部分,被配置成為包圍第1電極106的該表面及該側面。第2電極111之中對向於第1電極106的側面的部分(以下稱為側方部分)是可具有將第1電極106遍及全周長而包圍的形狀,例如筒形狀。最好第1電極106及第2電極111的側方部分是具有同軸構造。在一例中,第1電極106是具有以假想軸作為中心的圓柱形狀,第2電極111的側方部分是具有以該假想軸作為中心的圓筒形狀。
在圖11是模式性地表示本發明的第5實施形態的電漿處理裝置1的構成。第5實施形態的電漿處理裝置是可作為藉由濺射來將膜形成於基板112的濺射裝置動作。作為第5實施形態未言及的事項是可按照第1實施形態。 電漿處理裝置1是具備:巴倫103、真空容器110、第1電極106、第2電極111、基板保持部132及連接部150。或,亦可理解為電漿處理裝置1是具備巴倫103及本體10,本體10具備:真空容器110、第1電極106、第2電極111、基板保持部132及連接部150。本體10是具有第1端子251及第2端子252。第1電極106是亦可配置成為與真空容器110一起分離真空空間與外部空間(亦即構成真空隔壁的一部分),或亦可配置於真空容器110之中。第2電極111是亦可配置成為與真空容器110一起分離真空空間與外部空間(亦即構成真空隔壁的一部分),或亦可配置於真空容器110之中。
第1電極106及第2電極111是被配置成為對向於基板保持部132(藉由基板保持部132所保持的基板112)的側的空間。第2電極111是可被配置成為將第1電極106遍及全周長而包圍。第2電極111是可例如具有筒形狀。第1電極106及第2電極111是最好具有同軸構造。在一例中,第1電極106是具有以假想軸作為中心的圓柱形狀,第2電極111是具有以該假想軸作為中心的圓筒形狀。
上述般的第1電極106及第2電極111的構成是有利於為了使第1電極106與第2電極111之間的阻抗降低,這是有利於為了使從巴倫103的輸出側流至接地的電流,亦即同相電流I3降低。使同相電流I3降低,是意思使真空容器110難作為陽極機能。在真空容器110的內壁是隨著往基板112的膜的形成而會形成有非意圖的膜,但藉由使真空容器110難作為陽極機能,可使電漿電位對於真空容器110的內壁的狀態形成鈍感。這有利於為了在電漿處理裝置1的長期間的使用中使電漿電位安定。在其他的觀點中,第1電極106與第2電極111之間的阻抗是比第1電極106與真空容器110之間的阻抗小為理想。這是有利於為了使上述的同相電流降低。
第1電極106與第2電極111的距離(間隙的大小)是德拜長度以下為理想。這有效於為了抑制電漿進入至第1電極106與第2電極111的間隙。
在圖12是模式性地表示本發明的第6實施形態的電漿處理裝置1的構成。第6實施形態的電漿處理裝置1是可作為蝕刻基板112的蝕刻裝置動作。作為第6實施形態未言及的事項是可按照第2實施形態。在第6實施形態中,設有電性連接巴倫103的第2輸入端子202與接地之連接部155。連接部155是例如可具有連接部155的第1~第4構成例的任一的構成。
在圖13是模式性地表示本發明的第7實施形態的電漿處理裝置1的構成。作為第7實施形態未言及的事項是可按照第3實施形態。第7實施形態的電漿處理裝置是可作為蝕刻基板112的蝕刻裝置動作。在第7實施形態中也設有電性連接巴倫103的第2輸入端子202與接地之連接部155。連接部155是例如可具有連接部155的第1~第4構成例的任一的構成。
在圖14是模式性地表示本發明的第8實施形態的電漿處理裝置1的構成。作為第8實施形態未言及的事項是可按照第4實施形態。在第8實施形態中也設有電性連接巴倫103的第2輸入端子202與接地之連接部155。連接部155是例如可具有連接部155的第1~第4構成例的任一的構成。
在圖15是模式性地表示本發明的第9實施形態的電漿處理裝置1的構成。第9實施形態的電漿處理裝置是可作為藉由濺射來將膜形成於基板112的濺射裝置動作。作為第9實施形態未言及的事項是可按照第5實施形態。在第9實施形態中也設有電性連接巴倫103的第2輸入端子202與接地之連接部155。連接部155是例如可具有連接部155的第1~第4構成例的任一的構成。
上述的連接部150、155是亦可理解為連接真空容器110與巴倫103的第2輸入端子202的連接部。在真空容器110與巴倫103的第2輸入端子202藉由連接部150或155來連接的構成中,真空容器110及巴倫103的第2輸入端子202的任一方可被接地。
1‧‧‧電漿處理裝置
10‧‧‧本體
101‧‧‧高頻電源
102‧‧‧阻抗匹配電路
103‧‧‧巴倫
104‧‧‧阻塞電容器
106‧‧‧第1電極
107、108‧‧‧絕緣體
109‧‧‧標靶
110‧‧‧真空容器
111‧‧‧第2電極
112‧‧‧基板
150‧‧‧連接部
151‧‧‧電感器
151’‧‧‧電感器
152‧‧‧開關
155‧‧‧連接部
156‧‧‧電感器
156’‧‧‧電感器
157‧‧‧開關
190‧‧‧控制器
201‧‧‧第1輸入端子
202‧‧‧第2輸入端子
211‧‧‧第1輸出端子
212‧‧‧第2輸出端子
251‧‧‧第1端子
252‧‧‧第2端子
221‧‧‧第1線圈
222‧‧‧第2線圈
223‧‧‧第3線圈
224‧‧‧第4線圈
圖1是模式性地表示本發明的第1實施形態的電漿處理裝置的構成的圖。 圖2A是表示巴倫的構成例的圖。 圖2B是表示巴倫的其他的構成例的圖。 圖3A是說明巴倫及連接部的機能的圖。 圖3B是說明巴倫及連接部的機能的圖。 圖4A是說明巴倫及連接部的機能的圖。 圖4B是說明巴倫及連接部的機能的圖。 圖5A是說明巴倫及連接部的機能的圖。 圖5B是說明巴倫及連接部的機能的圖。 圖6A是說明巴倫及連接部的機能的圖。 圖6B是說明巴倫及連接部的機能的圖。 圖7是舉例表示藉由連接部(電感器)之隔離性能的提升的圖。 圖8是模式性地表示本發明的第2實施形態的電漿處理裝置的構成的圖。 圖9是模式性地表示本發明的第3實施形態的電漿處理裝置的構成的圖。 圖10是模式性地表示本發明的第4實施形態的電漿處理裝置的構成的圖。 圖11是模式性地表示本發明的第5實施形態的電漿處理裝置的構成的圖。 圖12是模式性地表示本發明的第6實施形態的電漿處理裝置的構成的圖。 圖13是模式性地表示本發明的第7實施形態的電漿處理裝置的構成的圖。 圖14是模式性地表示本發明的第8實施形態的電漿處理裝置的構成的圖。 圖15是模式性地表示本發明的第9實施形態的電漿處理裝置的構成的圖。
Claims (17)
- 一種電漿處理裝置,其特徵係具備: 具有第1輸入端子、第2輸入端子、第1輸出端子及第2輸出端子的巴倫; 真空容器; 被電性連接至前述第1輸出端子的第1電極; 被電性連接至前述第2輸出端子的第2電極;及 電性連接前述真空容器與接地的連接部, 前述連接部,係包含電感器。
- 一種電漿處理裝置,其特徵係具備: 具有第1輸入端子、第2輸入端子、第1輸出端子及第2輸出端子的巴倫; 被接地的真空容器; 被電性連接至前述第1輸出端子的第1電極; 被電性連接至前述第2輸出端子的第2電極;及 電性連接前述第2輸入端子與接地的連接部, 前述連接部,係包含電感器。
- 一種電漿處理裝置,其特徵係具備: 具有第1輸入端子、第2輸入端子、第1輸出端子及第2輸出端子的巴倫; 真空容器; 被電性連接至前述第1輸出端子的第1電極; 被電性連接至前述第2輸出端子的第2電極;及 電性連接前述真空容器與前述第2輸入端子的連接部, 前述連接部,係包含電感器。
- 如申請專利範圍第3項之電漿處理裝置,其中,前述連接部,係更包含可將前述電感器的2個的端子間短路的開關。
- 如申請專利範圍第4項之電漿處理裝置,其中,前述開關,係包含繼電器。
- 如申請專利範圍第4項之電漿處理裝置,其中,更具備:在點燃電漿時使前述開關形成導通狀態,在電漿點燃後使前述開關形成非導通狀態的控制器。
- 如申請專利範圍第3項之電漿處理裝置,其中,前述電感器的電感為可變。
- 如申請專利範圍第3項之電漿處理裝置,其中,前述電感器的電感為可變, 前述電漿處理裝置,係更具備:在電漿的點燃後比電漿的點燃前更擴大前述電感的控制器。
- 如申請專利範圍第3項之電漿處理裝置,其中,前述第2電極,係被配置成為將前述第1電極遍及全周長而包圍。
- 如申請專利範圍第9項之電漿處理裝置,其中,前述第2電極,係具有筒形狀。
- 如申請專利範圍第10項之電漿處理裝置,其中,前述第1電極及前述第2電極,係被配置成為構成同軸構造。
- 如申請專利範圍第3項之電漿處理裝置,其中,前述第2電極,係包含對向於前述第1電極的表面及側面的部分,被配置成為包圍前述第1電極的前述表面及前述側面。
- 如申請專利範圍第3項之電漿處理裝置,其中,前述第1電極為陰極,前述第2電極為陽極。
- 如申請專利範圍第3項之電漿處理裝置,其中,前述第1輸出端子與前述第1電極係經由阻塞電容器來電性連接。
- 如申請專利範圍第3項之電漿處理裝置,其中,作為蝕刻裝置來構成。
- 如申請專利範圍第3項之電漿處理裝置,其中,作為濺射裝置來構成。
- 如申請專利範圍第3項之電漿處理裝置,其中,更具備: 高頻電源;及 被配置於前述高頻電源與前述巴倫之間的阻抗匹配電路。
Applications Claiming Priority (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
??PCT/JP2017/023611 | 2017-06-27 | ||
WOPCT/JP2017/023603 | 2017-06-27 | ||
WOPCT/JP2017/023611 | 2017-06-27 | ||
??PCT/JP2017/023603 | 2017-06-27 | ||
PCT/JP2017/023603 WO2019003309A1 (ja) | 2017-06-27 | 2017-06-27 | プラズマ処理装置 |
PCT/JP2017/023611 WO2019003312A1 (ja) | 2017-06-27 | 2017-06-27 | プラズマ処理装置 |
JP2018-017554 | 2018-02-02 | ||
JP2018017554 | 2018-02-02 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201906498A true TW201906498A (zh) | 2019-02-01 |
TWI693860B TWI693860B (zh) | 2020-05-11 |
Family
ID=64741653
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107121814A TWI693860B (zh) | 2017-06-27 | 2018-06-26 | 電漿處理裝置 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11569070B2 (zh) |
EP (2) | EP3648552B1 (zh) |
JP (1) | JP6457707B1 (zh) |
KR (1) | KR102257134B1 (zh) |
CN (1) | CN110800377B (zh) |
PL (1) | PL3648552T3 (zh) |
SG (1) | SG11201912569UA (zh) |
TW (1) | TWI693860B (zh) |
WO (1) | WO2019004188A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3648552B1 (en) * | 2017-06-27 | 2022-04-13 | Canon Anelva Corporation | Plasma treatment device |
CN114666965A (zh) | 2017-06-27 | 2022-06-24 | 佳能安内华股份有限公司 | 等离子体处理装置 |
PL3648550T3 (pl) * | 2017-06-27 | 2021-11-22 | Canon Anelva Corporation | Urządzenie do przetwarzania plazmowego |
PL3648554T3 (pl) * | 2017-06-27 | 2021-11-22 | Canon Anelva Corporation | Urządzenie do przetwarzania plazmowego |
WO2020003557A1 (ja) * | 2018-06-26 | 2020-01-02 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、プログラムおよびメモリ媒体 |
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JPH02156082A (ja) | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Tokuda Seisakusho Ltd | スパッタ装置 |
JPH02156081A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Tokuda Seisakusho Ltd | スパッタ装置 |
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TWI750525B (zh) | 2017-06-27 | 2021-12-21 | 日商佳能安內華股份有限公司 | 電漿處理裝置 |
EP3648552B1 (en) * | 2017-06-27 | 2022-04-13 | Canon Anelva Corporation | Plasma treatment device |
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JP6309683B1 (ja) | 2017-10-31 | 2018-04-11 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP7301075B2 (ja) | 2018-06-14 | 2023-06-30 | エムケーエス インストゥルメンツ,インコーポレイテッド | リモートプラズマ源用のラジカル出力モニタ及びその使用方法 |
WO2020003557A1 (ja) | 2018-06-26 | 2020-01-02 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、プログラムおよびメモリ媒体 |
US10354838B1 (en) * | 2018-10-10 | 2019-07-16 | Lam Research Corporation | RF antenna producing a uniform near-field Poynting vector |
US11013075B2 (en) * | 2018-12-20 | 2021-05-18 | Nxp Usa, Inc. | RF apparatus with arc prevention using non-linear devices |
US11232931B2 (en) | 2019-10-21 | 2022-01-25 | Mks Instruments, Inc. | Intermodulation distortion mitigation using electronic variable capacitor |
-
2018
- 2018-06-26 EP EP18823303.5A patent/EP3648552B1/en active Active
- 2018-06-26 EP EP22156258.0A patent/EP4017223A1/en active Pending
- 2018-06-26 CN CN201880042465.XA patent/CN110800377B/zh active Active
- 2018-06-26 SG SG11201912569UA patent/SG11201912569UA/en unknown
- 2018-06-26 KR KR1020207001397A patent/KR102257134B1/ko active IP Right Grant
- 2018-06-26 JP JP2018554799A patent/JP6457707B1/ja active Active
- 2018-06-26 WO PCT/JP2018/024150 patent/WO2019004188A1/ja unknown
- 2018-06-26 TW TW107121814A patent/TWI693860B/zh active
- 2018-06-26 PL PL18823303T patent/PL3648552T3/pl unknown
-
2019
- 2019-12-19 US US16/720,154 patent/US11569070B2/en active Active
-
2021
- 2021-10-28 US US17/452,640 patent/US11756773B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110800377B (zh) | 2022-04-29 |
KR102257134B1 (ko) | 2021-05-26 |
US11569070B2 (en) | 2023-01-31 |
US20220051878A1 (en) | 2022-02-17 |
EP3648552A4 (en) | 2020-11-25 |
US11756773B2 (en) | 2023-09-12 |
SG11201912569UA (en) | 2020-01-30 |
JPWO2019004188A1 (ja) | 2019-06-27 |
EP4017223A1 (en) | 2022-06-22 |
JP6457707B1 (ja) | 2019-01-23 |
EP3648552B1 (en) | 2022-04-13 |
EP3648552A1 (en) | 2020-05-06 |
PL3648552T3 (pl) | 2022-06-13 |
CN110800377A (zh) | 2020-02-14 |
TWI693860B (zh) | 2020-05-11 |
US20200126766A1 (en) | 2020-04-23 |
WO2019004188A1 (ja) | 2019-01-03 |
KR20200018658A (ko) | 2020-02-19 |
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