CN110785023B - 一种刚挠结合电路板的制备方法及其产品 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种刚挠结合电路板的制备方法及其产品，其中制备方法通过在半固化片和刚性电路板进行预先切断，使得在开盖时可以直接在切断处撕开，确保了开盖的顺利，并且避免了现有技术中组合后在控深切割时切割深度控制难度高的问题，大大提高了产品的良率。

Description

一种刚挠结合电路板的制备方法及其产品

技术领域

本发明涉及电路板领域，具体是涉及一种刚挠结合电路板的制备方法及其产品。

背景技术

刚挠结合电路板融合了挠性电路板的挠性与刚性电路板的耐久性，可实现不同条件下的三维立体组装，被广泛应用于工业、高端医疗、军事设备及其它消费类便携电子产品上。

现有的刚挠结合电路板多采用增层的方式形成，即先形成内层软板，之后再在内层软板两侧形成硬板材料，并暴露出部分内层软板，从而形成刚挠结合电路板，其制作步骤如附图1所示，即在挠性电路板10’的刚挠结合区100’的上下表面贴覆半固化片20’(Prepreg，PP片)，然后采用高温压合的方式将硬性板30’粘合在挠性电路板10’上，最后采用控深铣或激光开盖的方式将挠性电路板10’的挠性区101’对应的硬性板30’去除。这种制作方式至少存在以下几个问题：

1、在进行控深铣或激光开盖操作时，控深铣或激光开盖控深难度高；铣的深度过浅则硬性板30’未切透，开盖会有毛刺；而如果铣的深度过深，则会损伤挠性电路板，导致成品率低。

2、半固化片(PP)在层压时，胶会溢出至挠性区101’和挠性区101’对应的硬性板30’粘合，导致开盖困难，容易撕坏挠性电路板10’，导致成品率低。

发明内容

本发明旨在提供一种刚挠结合电路板的制备方法，以解决现有刚挠结合电路板制作时成品率低的问题。

具体方案如下：

一种刚挠结合电路板的制备方法，包括以下步骤：

S1、提供挠性电路板、半固化片和刚性电路板；其中，

所述挠性电路板上被规划出刚挠结合区和挠性区；

所述半固化片包括基材以及位于基材上的胶体，该半固化片上具有沿正对挠性电路板的刚挠结合区和挠性区的分界线设置的第一切缝，该半固化片的基材沿该第一切缝被切断，且该半固化片被第一切缝分成与挠性电路板的刚挠结合区和挠性区相对应的第一区域和第二区域；该半固化片的第二区域具有将该第二区域覆盖的遮蔽膜片；

所述刚性电路板上具有沿正对挠性电路板的刚挠结合区和挠性区的分界线设置的第二切缝，该刚性电路板沿该第二切缝被切断，且该刚性电路板被第二切缝分成与挠性电路板的刚挠结合区和挠性区相对应的第三区域和第四区域；

S2、将上述步骤S1中提供的挠性电路板、半固化片和刚性电路板按照叠层结构进行层叠组合，其中，半固化片的第一区域以及刚性电路板的第三区域与挠性电路板的刚挠结合区对应，半固化片的第二区域以及刚性电路板的第四区域与挠性电路板的挠性区对应；

S3、将上述步骤S2形成的叠层结构进行层压处理，以使刚性电路板的第三区域通过半固化片的第一区域粘接在挠性电路板的刚挠结合区上，刚性电路板的第四区域通过半固化片的第二区域和遮蔽膜片粘接呈一体；

S4、将完成上述步骤S3层压处理后的产品进行后制程处理，以使得刚性电路板上的电路和挠性电路板上的电路导通；

S5、将完成上述步骤S4的产品中的刚性电路板上的第四区域连同半固化片的第二区域以及遮蔽膜片一同去除，即获得刚挠结合电路板。

在一些实施例中，所述遮蔽膜片为胶带，该胶带能够承受步骤S3中层压时的高温。

在一些实施例中，所述步骤S1中位于半固化片上的遮蔽膜片由以下步骤形成：

S11、将超出半固化片第二区域的遮蔽膜片结合在半固化片上；

S12、在对应刚挠结合区和挠性区的分界线处形成第一切缝，该第一切缝将半固化片的基材连同半固化片上的遮蔽膜片一同切断；

S13、将超出半固化片第二区域外的遮蔽膜片沿第一切缝去除，即可获得与半固化片第二区域完全匹配的遮蔽膜片。

在一些实施例中，所述第一切缝由激光切割所形成。

在一些实施例中，所述半固化片的基材为玻纤布。

本发明还提供了一种刚挠结合电路板，该刚挠结合电路板由上任一所述的制备方法所制得。

本发明提供的刚挠结合电路板的制备方法与现有技术相比较具有以下优点：

1、本发明提供的制备方法中，由于半固化片第二区域的基材和刚性电路板的第四区域均已经预先切断，半固化片的第二区域和第一区域之间没有牵扯力，可以在切断处直接撕开，确保了开盖的顺利。

2、由于采用开盖部分在组合前进行前切割的方式，避免了现有技术中组合后在控深切割时切割深度控制难度高的问题，减少产品不良发生，大大提高了产品的良率。

3、半固化片内贴合遮蔽膜片，避免了半固化片胶水在压合时溢出到挠性区内的问题，使得刚挠结合区的边沿更平整，更有利于开盖操作，以确保了开盖的顺利，提高了产品的良率。

附图说明

图1示出了现有技术中的刚挠结合电路板的制作步骤的示意图。

图2a示出了本发明的挠性电路板的示意图。

图2b示出了本发明的半固化片的示意图。

图2c示出了本发明的刚性电路板的示意图。

图3示出了本发明的刚挠结合电路板的层叠结构的示意图。

图4示出了本发明的刚挠结合电路板层压组合后的示意图。

图5示出了本发明的刚挠结合电路板的示意图。

图6示出了本发明的半固化片上的遮蔽膜片的制作步骤的示意图。

具体实施方式

为进一步说明各实施例，本发明提供有附图。这些附图为本发明揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理。配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本发明的优点。图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。

现结合附图和具体实施方式对本发明进一步说明。

本实施例提供了一种刚挠结合电路板的制备方法，参考图2a-图5，该制备方法包括以下步骤：

S1、提供挠性电路板10、半固化片20和刚性电路板30。在本实施例中，以FPC(Flexible Printed Circuit)电路板作为挠性电路板10，PCB(Printed Circuit Board)电路板作为刚性电路板30，半固化片20可以是低流胶半固化片(Low Flow Prepreg)或者不流胶半固化片(No Flow Prepreg)。

其中，参考图2a，挠性电路板10上已完成内层线路和贴膜工序，且该挠性电路板10被规划出刚挠结合区100和挠性区101。

参考图2b，半固化片20由基材以及位于基材上的胶体所形成的片状体，本实施例中的基材选用的是玻纤布，但并不限定于此，具有相同或相似功能的基材也适用于此。但玻纤布在后续操作切断操作时可以具有相对平整的断面，以及易于被切断，有利于后续的层压工序和开盖操作。

半固化片20沿正对挠性电路板10的刚挠结合区100和挠性区101的分界线进行冲切缝工艺，在对应刚挠结合区100和挠性区101的分界线处形成第一切缝201，此时半固化片20的基材沿切缝201被切断，但基材上的胶体相互溶合而使该半固化片20仍然维持整体形状，但切断的基材之间并没有牵扯力，可以沿玻纤的切缝处直接撕开。补充说明的，冲切缝工艺可以采用激光、钢丝锯等方式加工实现。该半固化片20被第一切缝201分成与挠性电路板10的刚挠结合区100相对应的第一区域202以及与挠性电路板10的挠性区101相对应的第二区域203。

半固化片20的第二区域203上具有恰好覆盖该第二区域203的遮蔽膜片21。遮蔽膜片21可承受刚挠结合电路板在高温压合时的温度，其可以采用诸如聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等耐温材料制成的薄膜片。在本实施例中，遮蔽膜片21优选采用高温胶带(例如聚酰亚胺基高温胶带)，其在符合高温遮蔽功能的同时，还能够直接粘合固定在半固化片20上，可以简化操作步骤，从而提高生产效率。

参考图2c，刚性电路板30也沿正对挠性电路板10的刚挠结合区100和挠性区101的分界线进行冲切缝工艺，在对应刚挠结合区100和挠性区101的分界线处形成第二切缝301，此时，对应刚挠结合区100的部分与对应挠性区101 的部分被切断。该刚性电路板30被第二切缝301分成与挠性电路板10的刚挠结合区100相对应的第三区域302以及与挠性电路板10的挠性区101相对应的第四区域303。由于刚性电路板30的是刚性的，该刚性电路板30即使被切断，仍然能够组合拼接成整体形状。另外，在实际生产中，线路板的生产大都是拼板生产的，因而相邻刚性电路板30之间的第三区域302之间是相连的，第二切缝301是在拼板的刚性电路板上进行开窗操作，第四区域303和第三区域302 之间能够依靠两者之间的紧配维持整体形状。补充说明的，冲切缝工艺可以采用激光等方式加工实现。

S2、将上述步骤S1中提供的挠性电路板10、半固化片20和刚性电路板30 按照叠层结构进行层叠组合。参考图3，由于本实施例中的刚挠结合电路板的两面上均具有刚性电路板30，因此，本实施例中自行而上依次形成刚性电路板30- 半固化片20-挠性电路板10-半固化片20-刚性电路板30类似三明治的叠层结构。

S3、将上述步骤S2形成的叠层结构进行层压处理，从而形成如图4所示的叠层结构。参考图4，由于半固化片20的基材沿第一切缝201被切断、以及刚性电路板30沿第二切缝301被切断，因此在层压后，半固化片20上的胶体在层压时的高温下重新熔合固化，从而使得刚性电路板30的第三区域302通过半固化片20的第一区域202粘接在挠性电路板10的刚挠结合区100上，且刚性电路板30的第四区域303通过半固化片20的第二区域203和遮蔽膜片21粘接呈一体。而且由于半固化片20上的遮蔽膜片21所存在的厚度差，使得遮蔽膜片21、刚性电路板30的第四区域303和半固化片20的第二区域203形成断层结构。

在层压的过程中，由于半固化片20在第一切缝201两侧的胶在会在断层处熔为一体，这保证了断层处的密封，可以防止制程药水从切缝进入而污染挠性区101的表面。

另外，遮蔽膜片21在断层处起到了阻胶的作用，可以防止半固化片20第一区域202的胶水溢出，不仅保证了刚性电路板30的第三区域302和挠性电路板10的刚挠结合区100之间的粘接，而且还可以防止半固化片20第一区域202 内的胶水溢出到挠性电路板10的挠性区101内，可确保产品后续开盖操作的顺利。

S4、将完成上述步骤S3层压处理后的产品进行后制程处理，后制程处理可以包括钻孔、沉镀铜、蚀刻线路、阻焊、表面处理等工艺，以使得刚性电路板 30上的电路和挠性电路板10上的电路导通。由于后制程工艺是现有技术，为本领域技术人员所熟知，因此不再进行赘述。

S5、将完成上述步骤S4的产品进行开盖处理，将刚性电路板30的第四区域303连同半固化片20的第二区域203以及遮蔽膜片21一同去除即可获得刚挠结合电路板。

参考图2a-图5，本实施例提供的刚挠结合电路板的制备方法具有以下几个优势：

1、由于半固化片20第二区域203的基材和刚性电路板30的第四区域均已经预先切断，半固化片20的第二区域203和第一区域202之间没有牵扯力，可以在切断处直接撕开，确保了开盖的顺利。

2、由于采用开盖部分在组合前进行前切割的方式，避免了现有技术中组合后在控深切割时切割深度控制难度高的问题，减少产品不良发生，大大提高了产品的良率。

3、半固化片20内贴合遮蔽膜片21，避免了半固化片20胶水在压合时溢出到挠性区内的问题，使得刚挠结合区的边沿更平整，更有利于开盖操作，以确保了开盖的顺利，提高了产品的良率。

在本实施例中，参考图6，位于半固化片20上的遮蔽膜片21可以由以下步骤形成：

S11、将超出半固化片20第二区域203的遮蔽膜片21结合在半固化片20 上。

S12、在对应刚挠结合区100和挠性区101的分界线处形成第一切缝201，该第一切缝201将半固化片20的基材连同半固化片20上的遮蔽膜片21一同切断。

S13、将超出半固化片20第二区域203外的遮蔽膜片21a沿第一切缝201 去除即可获得与半固化片20第二区域203完全匹配的遮蔽膜片21a。

其中第一切缝201优选采用激光切割的方式来实现，激光切割能够具有更小间距的切缝，并且切缝的平整性也更好，有利于后续层压操作时遮蔽膜片21 的阻胶作用，从而最终提高产品的良率。

采用上述的方法可以确保遮蔽膜片21的大小与半固化片20的第二区域203 完全匹配，可以做到理论上不会存有误差，确保了在层压操作时，半固化片20 第一区域内的胶水不会溢出至挠性电路板10的挠性区101内，为后续开盖操作的顺利提供了基础。尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本发明，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本发明做出各种变化，均为本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种刚挠结合电路板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供挠性电路板、半固化片和刚性电路板；其中，

所述挠性电路板上被规划出刚挠结合区和挠性区；

所述半固化片包括基材以及位于基材上的胶体，该半固化片上具有沿正对挠性电路板的刚挠结合区和挠性区的分界线设置的第一切缝，该半固化片的基材沿该第一切缝被切断，且该半固化片被第一切缝分成与挠性电路板的刚挠结合区和挠性区相对应的第一区域和第二区域；该半固化片的第二区域具有将该第二区域覆盖的遮蔽膜片，所述半固化片为低流胶半固化片或者不流胶半固化片；

所述刚性电路板上具有沿正对挠性电路板的刚挠结合区和挠性区的分界线设置的第二切缝，该刚性电路板沿该第二切缝被切断，且该刚性电路板被第二切缝分成与挠性电路板的刚挠结合区和挠性区相对应的第三区域和第四区域；

S2、将上述步骤S1中提供的挠性电路板、半固化片和刚性电路板按照叠层结构进行层叠组合，其中，半固化片的第一区域以及刚性电路板的第三区域与挠性电路板的刚挠结合区对应，半固化片的第二区域以及刚性电路板的第四区域与挠性电路板的挠性区对应；

S3、将上述步骤S2形成的叠层结构进行层压处理，以使刚性电路板的第三区域通过半固化片的第一区域粘接在挠性电路板的刚挠结合区上，刚性电路板的第四区域通过半固化片的第二区域和遮蔽膜片粘接呈一体，且由于半固化片上的遮蔽膜片所存在的厚度差，使得遮蔽膜片、刚性电路板的第四区域和半固化片的第二区域形成断层结构；

S4、将完成上述步骤S3层压处理后的产品进行后制程处理，以使得刚性电路板上的电路和挠性电路板上的电路导通；

S5、将完成上述步骤S4的产品中的刚性电路板上的第四区域连同半固化片的第二区域以及遮蔽膜片一同去除，即获得刚挠结合电路板；

其中，所述步骤S1中位于半固化片上的遮蔽膜片由以下步骤形成：

S11、将超出半固化片第二区域的遮蔽膜片结合在半固化片上；

S12、在对应刚挠结合区和挠性区的分界线处形成第一切缝，该第一切缝将半固化片的基材连同半固化片上的遮蔽膜片一同切断；

S13、将超出半固化片第二区域外的遮蔽膜片沿第一切缝去除，即可获得与半固化片第二区域完全匹配的遮蔽膜片。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述遮蔽膜片为胶带，该胶带能够承受步骤S3中层压时的高温。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述第一切缝由激光切割所形成。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述半固化片的基材为玻纤布。

5.一种刚挠结合电路板，其特征在于：该刚挠结合电路板由权利要求1-4任一所述的制备方法所制得。

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