CN110729309B - 显示面板及其制备方法以及显示装置 - Google Patents

显示面板及其制备方法以及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110729309B
CN110729309B CN201910923721.2A CN201910923721A CN110729309B CN 110729309 B CN110729309 B CN 110729309B CN 201910923721 A CN201910923721 A CN 201910923721A CN 110729309 B CN110729309 B CN 110729309B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
hole
electrode
gate
film transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910923721.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110729309A (zh
Inventor
李治福
肖军城
艾飞
宋继越
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201910923721.2A priority Critical patent/CN110729309B/zh
Priority to PCT/CN2019/117499 priority patent/WO2021056730A1/zh
Publication of CN110729309A publication Critical patent/CN110729309A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110729309B publication Critical patent/CN110729309B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供了显示面板、显示装置、以及显示面板的制作方法，该显示面板包括：衬底、第一薄膜晶体管层、第一绝缘层、第二薄膜晶体管层、第二绝缘层、器件层、以及多个通孔；第一薄膜晶体管层包括第一源漏极层，第二薄膜晶体管层包括第二栅极层、第二源漏极层，器件层包括像素电极、传感器层、以及金属部，传感器层包括第一电极、第二电极，通孔内设置有导电材料；像素电极依次通过一通孔、第二源漏极层、一通孔与第一源漏极层电性连接，第一电极通过一通孔与第一源漏极层电性连接，第二电极依次通过一通孔、金属部、一通孔、第二源漏极层、一通孔与第二栅极层电性连接。该方案增加了显示面板的开口率，提高了显示面板的光学指纹识别的精度。

Description

显示面板及其制备方法以及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及显示器件的制造，具体涉及显示面板及其制备方法以及显示装置。
背景技术
目前，对于LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)显示屏，由于背光源的光损失以及开口率的大小限制等因素，具体的，所述LCD显示屏中的显示薄膜晶体管器件、传感器薄膜晶体管器件以及光学传感器同层设置，使得光学传感器接收到的光线较少，从而降低了LCD显示屏内部的光学指纹识别的精度。
因此，有必要提供一种可以提高显示面板的光学指纹识别的精度的显示面板及其制备方法以及显示装置。
发明内容
本发明的目的在于提供显示面板、显示装置、以及显示面板的制作方法，通过将第二薄膜晶体管层与第一薄膜晶体管层进行层叠设置，且通过第一通孔、第二通孔、第三通孔、第四通孔、第五通孔、以及第六通孔，将相关的膜层之间电性连接，解决了现有技术中由于光学传感器接收到的光线较少，而造成的LCD显示屏内部的光学指纹识别的精度较低的问题。
本发明实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括：衬底、第一薄膜晶体管层、第一绝缘层、第二薄膜晶体管层、第二绝缘层、器件层、以及多个通孔；
所述第一薄膜晶体管层，设置在所述衬底上，所述第一薄膜晶体管层包括第一源漏极层；
所述第一绝缘层，设置在所述第一薄膜晶体管层上；
所述第二薄膜晶体管层，设置在所述第一绝缘层上，所述第二薄膜晶体管层包括第二栅极层、第二源漏极层；
所述第二绝缘层，设置在所述第二薄膜晶体管层上；
所述器件层，设置在所述第二绝缘层上，所述器件层包括像素电极、传感器层、以及金属部，所述传感器层包括第一电极、第二电极；
所述多个通孔包括第一通孔、第二通孔、第三通孔、第四通孔、第五通孔、以及第六通孔，所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔、所述第四通孔、所述第五通孔、以及所述第六通孔内均设置有导电材料；
所述第一通孔设置在所述第一绝缘层、以及所述第二薄膜晶体管层上，所述第五通孔设置在所述第二绝缘层、以及所述器件层上，所述像素电极通过所述第五通孔与所述第二源漏极层电性连接，所述第二源漏极层通过所述第一通孔与所述第一源漏极层电性连接，使得所述像素电极和所述第一源漏极层电性连接；
所述第二通孔设置在所述第二绝缘层上，所述第一电极通过所述第二通孔与所述第二源漏极层电性连接；
所述第三通孔设置在所述第二薄膜晶体管层上，所述第四通孔设置在所述第二绝缘层上，所述第六通孔设置在所述器件层上，所述第二电极通过所述第六通孔与所述金属部电性连接，所述金属部通过所述第四通孔与所述第二源漏极层电性连接，所述第二源漏极层通过所述第三通孔与所述第二栅极层电性连接，使得所述第二电极和所述第二栅极层电性连接。
在一实施例中，所述第二栅极层包括第二栅极，所述第二源漏极层包括第二源极、第二漏极，所述第二源极、所述第二漏极分别设于所述第二栅极的左/右、右/左两侧；
所述源漏极层还包括第一金属部、第二金属部，所述第一金属部设于所述第二源极远离所述第二栅极的一侧，所述第二金属部设于所述第二漏极远离所述第二栅极的一侧；
所述像素电极通过所述第五通孔与所述第一金属部电性连接，所述第一金属部通过所述第一通孔与所述第一源漏极层电性连接，使得所述像素电极和所述第一源漏极层电性连接。
在一实施例中，所述第一电极通过所述第二通孔与所述第二漏极电性连接。
在一实施例中，所述第二栅极层还包括金属层，所述金属层与所述第二金属部相对设置；
所述第二电极依次通过所述第六通孔、所述第四通孔与所述第二金属部电性连接，所述第二金属部通过所述第三通孔与所述金属层电性连接，使得所述第二电极和所述金属层电性连接。
在一实施例中，所述第二薄膜晶体管层还包括第二有源层，所述第二有源层设于所述第二栅极层上方，所述第二有源层的组成材料包括非晶硅或者铟镓锌氧化物中的一种。
在一实施例中，所述第一薄膜晶体管层还包括第一有源层，所述第一有源层设于所述第一源漏极层下方，所述第一有源层的组成材料包括多晶硅。
本发明实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的任一显示面板。
本发明实施例还提供一种显示面板的制作方法，所述方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成第一薄膜晶体管层，所述第一薄膜晶体管层包括第一源漏极层；
在所述第一薄膜晶体管层上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成第二薄膜晶体管层，所述第二薄膜晶体管层包括第二栅极层、第二源漏极层；
在所述第一绝缘层和所述第二薄膜晶体管层上形成第一通孔，以及在所述第二薄膜晶体管层上形成第三通孔，并且在所述第一通孔、所述第三通孔内均设置导电材料，所述第一通孔用于将所述第二源漏极层与所述第一源漏极层电性连接，所述第三通孔用于将所述第二源漏极层与所述第二栅极层电性连接；
在所述第二薄膜晶体管层上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成第五通孔、第二通孔、以及第四通孔，并且在所述第五通孔、所述第二通孔、以及所述第四通孔内均设置导电材料；
在所述第二绝缘层上形成器件层，所述器件层包括像素电极、传感器层、以及金属部，所述传感器层包括第一电极、第二电极，所述第五通孔用于将所述像素电极与所述第二源漏极层电性连接，所述第二通孔用于将所述第一电极与所述第二源漏极层电性连接，所述第四通孔用于将所述金属部与所述第二源漏极层电性连接；
在所述器件层上形成第六通孔，并且在所述第六通孔内设置导电材料，所述第六通孔将所述第二电极与所述金属部电性连接。
在一实施例中，所述在所述第一绝缘层上形成第二薄膜晶体管层，所述第二薄膜晶体管层包括第二栅极层、第二源漏极层的步骤包括：
在所述第一绝缘层上形成第二栅极层，所述第二栅极层包括第二栅极、金属层；
在所述第一绝缘层以及所述第二栅极层上形成第二栅极绝缘层；
在所述第二栅极绝缘层上形成第二有源层；
在所述第二有源层、所述第二栅极绝缘层上形成第二源漏极层，所述第二源漏极层包括第二源极、第二漏极、第一金属部、以及第二金属部，所述第二源极、所述第二漏极分别设于所述第二栅极的左/右、右/左两侧，所述第一金属部设于所述第二源极远离所述第二栅极的一侧，所述第二金属部设于所述第二漏极远离所述第二栅极的一侧，所述金属层与所述第二金属部相对设置。
在一实施例中，所述在所述第二绝缘层上形成器件层，所述器件层包括像素电极和传感器层，所述传感器层包括第一电极、第二电极的步骤包括：
在所述第二绝缘层上形成所述第一电极；
在所述第二绝缘层、所述第一电极上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成所述像素电极、所述第二电极。
本发明提供了显示面板、显示装置、以及显示面板的制作方法，所述显示面板包括衬底、第一薄膜晶体管层、第一绝缘层、第二薄膜晶体管层、第二绝缘层、器件层、以及多个通孔，所述第二薄膜晶体管层设置在所述第一薄膜晶体管层上，且所述多个通孔将相关的膜层之间进行电性连接，本发明增加了光学传感器接收到的光线，提高了显示面板内部的光学指纹识别的精度。
附图说明
下面通过附图来对本发明进行进一步说明。需要说明的是，下面描述中的附图仅仅是用于解释说明本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的显示面板的剖面示意图。
图2为本发明实施例提供的像素电极的俯视示意图。
图3为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的流程图。
图4为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的第一种场景示意图。
图5为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的第二种场景示意图。
图6为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的第三种场景示意图。
图7为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的第四种场景示意图。
图8为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的第五种场景示意图。
图9为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的第六种场景示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“两侧”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，例如，“上”只是表面在物体上方，具体指代正上方、斜上方、上表面都可以，只要居于物体水平之上即可；“两侧”是指代图中可以体现出的物体的相对的两个位置，所述两个位置可以和物体直接/间接接触，以上方位或位置关系仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
需要注意的是，术语“长度”是中性词，不表示偏向长或短，只是表示存在一个预设值，数值不确定，会根据实际情况而定。
另外，还需要说明的是，附图提供的仅仅是和本发明关系比较密切的结构和/或步骤，省略了一些与发明关系不大的细节，目的在于简化附图，使发明点一目了然，而不是表明实际中装置和/或方法就是和附图一模一样，不作为实际中装置和/或方法的限制。
本发明提供显示装置，所述显示装置包括如图1所示的显示面板。
在一实施例中，如图1所示，所述显示面板00包括：衬底10、第一薄膜晶体管层20、第一绝缘层30、第二薄膜晶体管层40、第二绝缘层50、器件层80以及多个通孔。
其中，所述第一薄膜晶体管层20设置在所述衬底10上，所述第一绝缘层30设置在所述第一薄膜晶体管层20上，所述第二薄膜晶体管层40设置在所述第一绝缘层30上，所述第二绝缘层50设置在所述第二薄膜晶体管层40上，所述传感器层60、所述像素电极70设置在所述第二绝缘层50上。
在一实施例中，所述衬底10包括基板101、设于所述基板101上的遮光层102、以及设于所述基板101和所述遮光层102上的缓冲层103。
其中，所述基板101可以为玻璃基板，所述玻璃基板的组成材料可以包括石英粉、碳酸锶、碳酸钡、硼酸、硼酐、氧化铝、碳酸钙、硝酸钡、氧化镁、氧化锡、氧化锌中的至少一种。
其中，所述遮光层102可以为非透光膜层，所述非透光膜层的组成材料可以包括黑色树脂或者遮光金属等反射率较低的材料，具体的，所述遮光金属可以为Cu、Mo。可以理解的，当所述显示面板00包括背光源时，所述遮光层102可以避免所述背光源的光线照射到第一薄膜晶体管层20上而造成的漏电流问题。
在一实施例中，所述缓冲层103包括依次设于所述基板101和所述遮光层102上的第一缓冲层1031、第二缓冲层1032。
其中，所述第一缓冲层1031的组成材料可以包括氮化硅，所述第二缓冲层1032的组成材料可以包括氧化硅。
在一实施例中，所述第一薄膜晶体管层20包括设于所述衬底10上的第一有源层201、设于所述第一有源层201以及所述衬底10上的第一栅极绝缘层202、设于所述第一栅极绝缘层202上的第一栅极层203、设于所述第一栅极层203以及所述第一栅极绝缘层202上的第一内部绝缘层204、设置在所述第一栅极绝缘层202、第一内部绝缘层204上的两个源漏极通孔205、以及设置在所述第一内部绝缘层204、所述两个源漏极通孔205上的第一源漏极层，所述第一源漏极层包括第一源极206、第一漏极207。
其中，所述第一有源层201的组成材料包括多晶硅。具体的，所述第一有源层201可以采用低温多晶硅技术制成。可以理解的，采用低温多晶硅技术制备所述第一有源层201，可以具备较高的电子迁移率，这样当所述第一薄膜晶体管层20给对应的所述像素电极70充电时，可以产生较大的驱动电流，以提高充电速度。
进一步的，所述第一有源层201的两端可以掺杂一些掺杂物，以分别形成第一源极接触区2011、第一漏极接触区2022，所述第一源极接触区2011用于连接所述第一源极206与所述第一有源层201，所述第一漏极接触区2011用于连接所述第一漏极207与所述第一有源层201，另外的，第一源极接触区2011、所述第一漏极接触区2022还可以用作欧姆接触层，以减少第一有源层201与所述第一源极206/所述第一漏极207之间的接触电阻。
具体的，所述掺杂物可以包括磷离子，可以通过控制所述磷离子的浓度，以形成N+型掺杂或者N-型掺杂；例如，可以在所述第一源极接触区2011/第一漏极接触区2022靠近所述第一有源层201的一侧形成N-型掺杂，在所述第一源极接触区2011/第一漏极接触区2022靠近所述第一有源层201的一侧形成N+型掺杂，所述N-型掺杂可以减小热载流子的冲击，提高所述第一薄膜晶体管层20的稳定性，所述N+型掺杂可以形成欧姆接触层。
其中，所述第一栅极绝缘层202的组成材料可以包括无机介电材料、有机介电材料中的至少一种。具体的，所述无机介电材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一种，所述有机介电材料可以为聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂或压克力系树脂等高分子材料。
其中，所述第一栅极层203的组成材料可以包括金属、金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物等导电材料中的至少一种。具体的，所述金属可以为不限于Cu、Al、Mo、Ti等金属材料。
其中，所述第一内部绝缘层204的组成材料可以参考所述第一栅极绝缘层202的组成材料的相关描述。
其中，所述两个源漏极通孔205分别设于所述第一栅极层203两侧，所述两个源漏极通孔205中设置有导电材料。
其中，所述第一源极206、所述第一漏极207两者之间的相对位置不做限定，图1中以所述第一源极206、所述第一漏极207分别设置在所述第一栅极层203左侧、右侧的所述源漏极通孔205为例，所述第一源极206、所述第一漏极207的组成材料可以参考所述第一栅极层203的组成材料的相关描述；可以理解的，所述两个源漏极通孔205中的导电材料可以与所述第一源极206、所述第一漏极207的组成材料相同，因此，所述两个源漏极通孔205中的导电材料可以分别与所述第一源极206、所述第一漏极207一体制作，例如，如图1所示，所述第一源极206、所述第一漏极207可以分别设于所述两个源漏极通孔205上方，进一步的，所述两个源漏极通孔205中的导电材料、所述第一源极206、以及所述第一漏极207可以同层、同时制备。
在一实施例中，所述第一绝缘层30设于所述第一源极206、所述第一漏极207以及所述第一内部绝缘层204上，其中，所述第一绝缘层30的组成材料可以参考所述第一内部绝缘层204的组成材料的相关描述。
在一实施例中，所述第二薄膜晶体管层40包括设于所述第一绝缘层30上的第二栅极层、设于所述第二栅极层上的第二栅极绝缘层402、设于所述第二栅极绝缘层402上的第二有源层403、以及设于第二栅极绝缘层402、以及所述第二有源层403两端的第二源漏极层，所述第二源漏极层包括第二源极404、第二漏极405。
在一实施例中，所述第二栅极层包括第二栅极4011，所述第二栅极4011与所述第二有源层403相对设置，所述第二源极404、所述第二漏极405分别设于所述第二栅极4011的左、右两侧，所述第二栅极4011用于控制所述第二源极404与所述第二漏极405之间的导通情况，即所述第二栅极4011、第二源极404、以及所述第二漏极405可以构成一完整的薄膜晶体管，其中所述第二栅极4011的组成材料可以参考所述第一栅极层203的组成材料的相关描述。
其中，所述第二栅极绝缘层402的组成材料可以参考所述第一栅极绝缘层202的组成材料的相关描述。
其中，所述第二有源层403的组成材料可以包括非晶硅或者铟镓锌氧化物中的一种。可以理解的，所述采用非晶硅或者铟镓锌氧化物制备所述第二有源层403，可以具备低漏电流，以防止曝光情况下，所述第二薄膜晶体管层40漏电对所述传感器层60的信号造成干扰。
具体的，当所述第二有源层403的组成材料包括所述铟镓锌氧化物时，所述第二有源层403中靠近所述第二源极404、第二漏极405的区域可以不需要掺杂其他物质；当所述第二有源层403的组成材料包括所述非晶硅时，所述第二有源层403中靠近所述第二源极404、第二漏极405的区域可以掺杂一些掺杂物，关于所述掺杂物的组成材料可以参考所述第一有源层201的两端的掺杂物的组成材料的相关描述。
在一实施例中，所述第二源漏极层中的所述第二源极404、第二漏极405分别设于所述第二有源层403的两端，其中，所述第二源极404、第二漏极405两者之间的相对位置不做限定，图1中以所述第二源极404、第二漏极405分别设置在所述第二有源层403左侧、右侧为例，所述第二源极404、第二漏极405的组成材料可以参考所述第一源极206、第一漏极207的相关描述；具体的，所述第二源极404设于所述第二栅极绝缘层402上并从所述第二有源层403的左侧延伸至所述第二有源层403上方一预设位置，所述第二漏极405设于所述第二栅极绝缘层402上并从所述第二有源层403的右侧延伸至所述第二有源层403上方一预设位置。
在一实施例中，所述通孔包括第一通孔406，所述第一通孔406与所述第一源极206相对设置，或者所述第一通孔406与所述第一漏极207相对设置，图1中以所述第一通孔406与所述第一源极206相对设置为例；具体的，所述第一通孔406设置在所述第一绝缘层30、以及所述第二薄膜晶体管层40上，进一步的，如图1所示，所述第一通孔406与所述第一源极206接触设置，且所述第一通孔406贯穿部分所述第一绝缘层30、以及全部所述第二栅极绝缘层402；所述第一通孔406中设置有导电材料。
在一实施例中，所述第二源漏极层还包括第一金属部408，所述第一金属部408设于所述第二源极404远离所述第二栅极4011的一侧，或者所述第一金属部408设于所述第二漏极405远离所述第二栅极4011的一侧，图1中以所述第一金属部408设于所述第二源极404远离所述第二栅极4011的一侧为例；具体的，所述第一金属部408与所述第二源极404同排、且相隔一预设距离设置；可以理解的，所述第一通孔406中的导电材料可以与所述第一金属部408的组成材料相同，因此，所述第一通孔406中的导电材料可以与所述第一金属部408一体制作，例如，如图1所示，所述第一金属部408可以设于所述第一通孔406上方，进一步的，所述第一通孔406中的导电材料、以及所述第一金属部408可以同层、同时制备。
可以理解的，所述第二源漏极层可以通过所述第一通孔406与所述第一源漏极层电性连接；具体的，所述第二源漏极层中的所述第一金属部408可以通过所述第一通孔406与所述第一源漏极层中的所述第一源极206、或者所述第一漏极207电性连接。
在一实施例中，所述第二栅极层还包括金属层4012，所述金属层4012与所述第二栅极4011同层、且相隔一预设距离设置，所述金属层4012设于所述第二栅极4011的任意一侧，图1中以所述金属层4012设于所述第二栅极4011远离所述第一金属部408的一侧为例，其中所述金属层4012的组成材料可以为金属导电材料。
在一实施例中，所述通孔还包括第三通孔407，所述第三通孔407与所述金属层4012相对设置；具体的，所述第三通孔407设置在所述第二薄膜晶体管层40上，进一步的，如图1所示，所述第三通孔407与所述金属层4012接触设置，且所述第三通孔407贯穿部分所述第二栅极绝缘层402；所述第三通孔407中设置有导电材料。
在一实施例中，所述第二源漏极层还包括第二金属部409，所述第二金属部409设于所述第二源极404远离所述第二栅极4011的一侧，或者所述第二金属部409设于所述第二漏极405远离所述第二栅极4011的一侧，图1中以所述第一金属部408设于所述第二漏极405远离所述第二栅极4011的一侧为例；具体的，所述第一金属部408与所述第二漏极405同排、且相隔一预设距离设置；可以理解的，所述第三通孔407中的导电材料可以与所述第二金属部409的组成材料相同，因此，所述第三通孔407中的导电材料可以与所述第二金属部409一体制作，例如，如图1所示，所述第二金属部409可以设于所述第三通孔407上方，进一步的，所述第三通孔407中的导电材料、以及所述第二金属部409可以同层、同时制备。
可以理解的，所述第二源漏极层可以通过所述第三通孔407与所述第二栅极层电性连接；具体的，所述第二源漏极层中的所述第二金属部409可以通过所述第三通孔407与所述第二栅极层中的所述金属层4012电性连接。
可以理解的，所述第二源漏极层中的所述第二源极404、所述第二漏极405、所述第一金属部408、以及所述第二金属部409可以同层、同时制备。
在一实施例中，所述第二绝缘层50包括设于所述第二薄膜晶体管层40上的第一钝化层501、设于所述第一钝化层501上的平坦层502、设于所述平坦层502上的中间层503。
其中，所述第一钝化层501的组成材料可以包括有机绝缘材料、无机绝缘材料中的至少一种。具体的，所述有机绝缘材料可以包括聚酰亚胺、聚酰胺酸、聚酰胺、聚乙烯醇、聚乙烯醇肉桂酸酯、或者其他适合的光刻胶材料中的至少一种。所述无机绝缘材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一种。进一步的，所述第一钝化层501可以采用氮化硅制备。
其中，所述平坦层502的组成材料可以参考所述第一钝化层501的组成材料的相关描述。进一步的，所述平坦层502可以采用光刻胶材料制备。
其中，所述中间层503的组成材料可以参考所述第一钝化层501的组成材料的相关描述。进一步的，所述中间层503可以采用氮化硅制备。
在一实施例中，所述器件层80包括传感器层60、金属部508、触控电极801、以及像素电极70。
需要注意的是，所述传感器层60具有光敏特性，并且具有单向导电性。无光照时，所述传感器层60有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时所述传感器层60相当于截止；当受到光照时，所述传感器层60的饱和反向漏电流大大增加，形成光电流，光电流随入射光强度的变化而变化。
在一实施例中，所述通孔还包括第二通孔505，所述第二通孔505与所述第二源极404相对设置，或者所述第二通孔505与所述第二漏极405相对设置，图1中以所述第二通孔505与所述第二漏极405相对设置为例；具体的，所述第二通孔505设置在所述第一钝化层501、所述平坦层502、所述中间层503上，进一步的，如图1所示，所述第二通孔505与所述第二漏极405接触设置，且所述第二通孔505贯穿部分所述第一钝化层501、全部所述平坦层502、以及全部所述中间层503；所述第二通孔505中设置有导电材料。
在一实施例中，所述传感器层60包括第一电极601，所述第一电极601设于所述中间层503上，所述第一电极601具有一预设长度，其中，所述第一电极601的组成材料可以包括导体材料，具体的，所述导体材料可以包括金属、金属氧化物、导电高分子材料中的至少一种；特别的，所述第一电极601的组成材料也可以包括透明导电材料，具体的，所述透明导电材料可以包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物或铟锗锌氧化物等金属氧化物中的至少一种；可以理解的，所述第二通孔505中的导电材料可以与所述第一电极601的组成材料相同，因此，所述第二通孔505中的导电材料可以与所述第一电极601一体制作，例如，如图1所示，所述第一电极601可以设于所述第二通孔505上方，进一步的，所述第二通孔505中的导电材料、以及所述第一电极601可以同层、同时制备。
可以理解的，所述第一电极601可以通过所述第二通孔505与所述第二源漏极层电性连接；具体的，所述第一电极601可以通过所述第二通孔505与所述第二源漏极层中的所述第二漏极405电性连接。
在一实施例中，所述通孔还包括第四通孔506，所述第四通孔506与所述第二金属部409相对设置；具体的，所述第四通孔506设置在所述第一钝化层501、所述平坦层502、所述中间层503上，进一步的，如图1所示，所述第四通孔506与所述第二金属部409接触设置，且所述第四通孔506贯穿部分所述第一钝化层501、全部所述平坦层502、以及全部所述中间层503；所述第四通孔506中设置有导电材料。
在一实施例中，所述金属部508设于所述中间层503上，所述金属部508与所述第一电极601同排、且相隔一预设距离设置；可以理解的，其中，所述金属部508的组成材料可以为金属导电材料；可以理解的，所述第四通孔506中的导电材料可以与所述金属部508的组成材料相同，因此，所述第四通孔506中的导电材料可以与所述金属部508一体制作，例如，如图1所示，所述金属部508可以设于所述第四通孔506上方，进一步的，所述第四通孔506中的导电材料、以及所述金属部508可以同层、同时制备。
可以理解的，所述金属部508可以通过所述第四通孔506与所述第二源漏极层电性连接；具体的，所述金属部508可以通过所述第四通孔506与所述第二源漏极层中的所述第二金属部409电性连接。
在一实施例中，所述触控电极801设于所述中间层503上，所述触控电极801可以设于所述第一金属部408远离所述第二有源层403的一侧，所述触控电极801的组成材料可以为金属或者非金属的导电材料。
可以理解的，所述触控电极801、所述第一电极601、以及所述金属部508可以同层、同时制备。
在一实施例中，所述器件层80还包括绝缘层802，所述绝缘层802设于所述中间层503、所述第二金属层508、所述第一电极601、以及所述触控电极801上，所述绝缘层802用于绝缘导电材料，所述绝缘层802的组成材料可以参考所述第一钝化层501的组成材料的相关描述。
其中，所述绝缘层802上设置有公共电极通孔8031，所述公共电极通孔8031与所述触控电极801相互接触、且贯穿所述绝缘层802，所述公共电极通孔8031中设置有导电材料。
在一实施例中，所述器件层80还包括至少一条公共电极803，所述至少一条公共电极803之间可以相互电性连接，所述公共电极803设于所述绝缘层802上，所述公共电极803的组成材料可以为金属导电材料；可以理解的，所述公共电极通孔8031中的导电材料可以与一所述公共电极803的组成材料相同，因此，所述公共电极通孔8031中的导电材料可以与所述一公共电极803一体制作，例如，如图1所示，所述一公共电极803可以设于所述公共电极通孔8031上方，进一步的，所述公共电极通孔8031中的的导电材料、以及所述一公共电极803可以同层、同时制备。
在一实施例中，所述器件层80还包括第二钝化层804，所述第二钝化层804设于所述绝缘层802、所述公共电极803上，所述第二钝化层804的组成材料可以参考所述第一钝化层502的组成材料的相关描述。
在一实施例中，所述通孔还包括第五通孔504，所述第五通孔504与所述第一金属部408相对设置；具体的，所述第五通孔504设置在所述第二绝缘层50、以及所述器件层80上，进一步的，如图1所示，所述第五通孔504与所述第一金属部408接触设置，且所述第五通孔504贯穿部分所述第一钝化层501、全部所述平坦层502、全部所述中间层503、全部所述绝缘层802、以及全部所述第二钝化层804；所述第五通孔504中设置有导电材料。
在一实施例中，所述像素电极70设于所述第二钝化层804上，所述像素电极70可以与所述第一薄膜晶体管层20一一对应。如图2所示，一所述像素电极70可以包括多条像素电极部701，所述多条像素电极部701可以沿一预设方向相互平行、且相隔一预设距离设置，可以理解的，如图1中的所述像素电极70可以看作如图2中沿AB方向的截面图，其中所述多条像素电极部701之间是相互连通的，即任一所述像素电极部701的电性情况均相同。可以理解的，所述第五通孔504中的导电材料可以与所述像素电极70的组成材料相同，因此，所述第五通孔504中的导电材料可以与一所述像素电极部701一体制作，例如，如图1所示，所述一像素电极部701可以设于所述第五通孔504上方或者与所述第五通孔504两端接触设置，进一步的，所述第五通孔504中的导电材料、以及所述像素电极部701可以同层、同时制备。
可以理解的，所述像素电极70可以通过所述第五通孔504与所述第二源漏极层电性连接；具体的，所述像素电极70可以通过所述第五通孔504与第二源漏极层中的所述第一金属部408电性连接；结合上述，所述第二源漏极层中的所述第一金属部408可以通过所述第一通孔406与所述第一源漏极层中的所述第一源极206、或者所述第一漏极207电性连接；综合可知，所述像素电极70可以通过上述连接方式和所述第一源漏极层电性连接，其中，所述第一源漏极层可以控制所述对应的像素电极70的电压大小。
在一实施例中，所述器件层80还包括第三钝化层90，所述第三钝化层90设于所述像素电极70、以及所述第二钝化层804上，所述第三钝化层90的组成材料可以参考所述第一钝化层502的组成材料的相关描述。
在一实施例中，所述传感器层60还包括感光器件通孔604，所述感光器件通孔604与所述第一电极601相对设置；具体的，所述感光器件通孔604设置在所述器件层80上，进一步的，如图1所示，所述感光器件通孔604与所述第一电极601接触设置，且所述感光器件通孔604贯穿部分所述绝缘层802、全部所述第二钝化层804、以及全部所述第三钝化层90。
在一实施例中，所述传感器层60还包括感光器件层602，所述感光器件层602设置在所述感光器件通孔604中，具体的，如图1所示，所述感光器件层602填满所述感光器件通孔604，所述感光器件层602可以包括依次设于所述第一电极601上的电子传输层6021、感光层6022、空穴传输层6023。
具体的，所述感光层6022的组成材料可以包括硅氧化物、非晶硅中的至少一种，但本发明不以此为限，只要是照光后可产生光电流的材料皆可作为所述感光层6022的组成材料。
在一实施例中，所述通孔还包括第六通孔901，所述第六通孔901与所述第二金属层508相对设置；具体的，所述第六通孔901设置在所述器件层80上，进一步的，如图1所示，所述第六通孔901与所述第二金属层508接触设置，且所述第六通孔901贯穿部分所述绝缘层802、全部所述第二钝化层804、以及全部所述第三钝化层90；所述第六通孔901中设置有导电材料。
在一实施例中，所述传感器层60还包括第二电极603，所述第二电极603设于所述感光器件层602、以及所述第三钝化层90上，所述第二电极603可以与所述第一电极601一一对应；其中，所述第二电极603的组成材料可以包括透明导电材料，具体的，所述透明导电材料可以包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物或铟锗锌氧化物等金属氧化物中的至少一种。可以理解的，所述第六通孔901中的导电材料可以与所述第二电极603的组成材料相同，因此，所述第六通孔901中的导电材料可以与所述第二电极603一体制作，例如，如图1所示，所述第二电极603可以设于所述第六通孔901上方或者与所述第六通孔901两端接触设置，进一步的，所述第六通孔901中的导电材料、以及所述第二电极603可以同层、同时制备。
可以理解的，所述第二电极603通过所述第六通孔901与所述金属部508电性连接；结合上述，所述金属部508可以通过所述第四通孔506与所述第二源漏极层中的所述第二金属部409电性连接；综合可知，所述第二电极603可以通过上述连接方式和所述第二金属部409电性连接。
综上所述，所述第二电极603与所述第二金属部409电性连接，以及所述第一电极601与所述第二漏极405电性连接，即所述第二漏极405、所述金属层4012可以构成一存储电容。
具体的，曝光阶段，所述感光器件层602产生的光电流通过所述第一电极601、第二电极603向所述存储电容上下两侧充电，曝光结束，所述存储电容转移出自身所带电荷；进一步的，所述第二栅极4011中的开关信号可以控制曝光时间，曝光阶段，所述第二栅极4011中的开关信号使得所述第二薄膜晶体管层40关闭，曝光结束，所述存储电容转移出自身所带电荷，形成电流，并且所述第二栅极4011中的开关信号使得所述开关晶体管第二薄膜晶体管层40打开，所述第二源极403以读取所述感光器件层602产生的光电流对应的电信号，再经过后续的信号转化，以进行指纹识别。
可以理解的，所述图1示例为LCD显示面板的实施例，实际上本发明中的显示面板还可以为OLED或者其他显示面板，只要其中的所述第二薄膜晶体管层40与所述第一薄膜晶体管层20采用如上所述的层叠设置方式，均属于本发明的保护范围。
本发明还提供显示面板的制作方法，所述方法包括如图3所示的步骤，所述步骤S10-S90对应如图4-5所示的场景示意图。
参考图3以及图4，具体如下：
S10，提供一衬底10。
在一实施例中，所述衬底10包括基板101、设于所述基板101上的遮光层102、以及设于所述基板101和所述遮光层102上的缓冲层103。
在一实施例中，所述缓冲层103包括依次设于所述基板101和所述遮光层102上的第一缓冲层1031、第二缓冲层1032。
其中，所述基板101、所述遮光层102、所述第一缓冲层1031、以及所述第二缓冲层1032可以参考上述显示面板中的相关描述。
S20，在所述衬底10上形成第一薄膜晶体管层20，所述第一薄膜晶体管层20包括第一源漏极层。
在一实施例中，所述第一薄膜晶体管层20包括设于所述衬底10上的第一有源层201、设于所述第一有源层201以及所述衬底10上的第一栅极绝缘层202、设于所述第一栅极绝缘层202上的第一栅极层203、设于所述第一栅极层203以及所述第一栅极绝缘层202上的第一内部绝缘层204、设置在所述第一栅极绝缘层202、第一内部绝缘层204上的两个源漏极通孔205、以及设置在所述第一内部绝缘层204、所述两个源漏极通孔205上的第一源漏极层，所述第一源漏极层包括第一源极206、第一漏极207。
其中，所述第一有源层201、所述第一栅极绝缘层202、所述第一栅极层203、所述第一内部绝缘层204、所述两个源漏极通孔205、所述第一源极206、以及所述第一漏极207可以参考上述显示面板中的相关描述。
S30，在所述第一薄膜晶体管层20上形成第一绝缘层30。
在一实施例中，所述第一绝缘层30设于所述第一源极206、所述第一漏极207以及所述第一内部绝缘层204上，其中，所述第一绝缘层30的组成材料可以参考上述显示面板中的所述第一内部绝缘层204的组成材料的相关描述。
S40，在所述第一绝缘层30上形成第二薄膜晶体管层40，所述第二薄膜晶体管层40包括第二栅极层、第二源漏极层。
在一实施例中，所述第二薄膜晶体管层40包括设于所述第一绝缘层30上的第二栅极层、设于所述第二栅极层上的第二栅极绝缘层402、设于所述第二栅极绝缘层402上的第二有源层403。
需要注意的是，后续步骤S50中的所述第一通孔406设置在所述第一绝缘层30和所述第二薄膜晶体管层40中的第二栅极绝缘层402上，所述第三通孔407设置在所述第二薄膜晶体管层40中的第二栅极绝缘层402上，因此所述步骤S40应该理解为：在述第一绝缘层30上形成第二栅极层、以及在所述第二栅极层上形成第二有源层403。
因此，所述步骤S40可以包括如下步骤，对应如图6所示的场景示意图。
S401，在所述第一绝缘层30上形成第二栅极层，所述第二栅极层包括第二栅极4011、金属层4012。
其中，所述金属层4012与所述第二栅极4011同层、且相隔一预设距离设置，所述第二栅极4011、所述金属层4012可以参考上述显示面板中的相关描述。
S402，在所述第一绝缘层30以及所述第二栅极层上形成第二栅极绝缘层402。
其中，所述第二栅极绝缘层402可以参考上述显示面板中的相关描述。
S403，在所述第二栅极绝缘层402上形成第二有源层403。
其中，所述第二有源层403与所述第二栅极4011相对设置，所述第二有源层403可以参考上述显示面板中的相关描述。
S50，在所述第一绝缘层30和所述第二薄膜晶体管层40上形成第一通孔406，以及在所述第二薄膜晶体管层40上形成第三通孔407，并且在所述第一通孔406、所述第三通孔407内均设置导电材料，所述第一通孔406用于将所述第二源漏极层与所述第一源漏极层电性连接，所述第三通孔407用于将所述第二源漏极层与所述第二栅极层电性连接。
在一实施例中，所述第一通孔406与所述第一源极206相对设置，或者所述第一通孔406与所述第一漏极207相对设置，图4中以所述第一通孔406与所述第一源极206相对设置为例，所述第一通孔406可以参考上述显示面板中的相关描述。
在一实施例中，所述第三通孔407与所述金属层4012相对设置，所述第三通孔407可以参考上述显示面板中的相关描述。
可以理解的，所述第二薄膜晶体管层40还包括设于第二栅极绝缘层402、以及所述第二有源层403两端的第二源漏极层，所述第二源漏极层包括第二源极404、第二漏极405。即在所述步骤S50之后，所述步骤S40中还可以包括如下步骤：
S404，在所述第二有源层403、所述第二栅极绝缘层402上形成第二源漏极层，所述第二源漏极层包括第二源极404、第二漏极405、第一金属部408、以及第二金属部409，所述第二源极404、所述第二漏极405分别设于所述第二栅极4011的左/右、右/左两侧，所述第一金属部408设于所述第二源极404远离所述第二栅极4011的一侧，所述第二金属部409设于所述第二漏极405远离所述第二栅极4011的一侧，所述金属层4012与所述第二金属部409相对设置。
其中，所述第二源极404、所述第二漏极405、所述第一金属部408、以及所述第二金属部409可以参考上述显示面板中的相关描述。
S60，在所述第二薄膜晶体管层40上形成第二绝缘层50。
在一实施例中，所述第二绝缘层50包括设于所述第二薄膜晶体管层40上的第一钝化层501、设于所述第一钝化层501上的平坦层502、设于所述平坦层502上的中间层503。
其中，所述第一钝化层501、所述平坦层502、以及所述中间层503可以参考上述显示面板中的相关描述。
参考图3以及图5，具体如下：
S70，在所述第二绝缘层50上形成第五通孔504、第二通孔505、以及第四通孔506，并且在所述第五通孔504、所述第二通孔505、以及所述第四通孔506内均设置导电材料。
在一实施例中，所述第五通孔504与所述第一金属部408相对设置，所述第二通孔505与所述第二源极404相对设置，所述第四通孔506与所述第二金属部409相对设置。
其中，所述第五通孔504、所述第二通孔505、以及所述第四通孔506可以参考上述显示面板中的相关描述。
S80，在所述第二绝缘层50上形成器件层80，所述器件层80包括像素电极70、传感器层60、以及金属部508，所述传感器层60包括第一电极601、第二电极603，所述第五通孔504用于将所述像素电极70与所述第二源漏极层电性连接，所述第二通孔505用于将所述第一电极601与所述第二源漏极层电性连接，所述第四通孔506用于将所述金属部508与所述第二源漏极层电性连接。
其中，所述步骤S80可以包括如下步骤，对应如图7所示的场景示意图。
S801，在所述第二绝缘层50上形成所述第一电极601。
在一实施例中，所述第一电极601设于所述中间层503上，所述第一电极601可以参考上述显示面板中的相关描述。
在一实施例中，所述金属部508设于所述中间层503上，所述金属部508与所述第一电极601同排、且相隔一预设距离设置，所述金属部508可以参考上述显示面板中的相关描述。
在一实施例中，所述器件层80还包括触控电极801，所述触控电极801设于所述中间层503上，所述触控电极801可以设于所述第一金属部408远离所述第二有源层403的一侧，所述触控电极801可以参考上述显示面板中的相关描述。
可以理解的，所述第一电极601、所述金属部508、所述触控电极801可以同时、且同层制备。
S802，在所述第二绝缘层50、所述第一电极601上形成绝缘层802。
在一实施例中，所述绝缘层802设于所述中间层503、所述第二金属层508、所述第一电极601、以及所述触控电极801上，所述绝缘层802可以参考上述显示面板中的相关描述。
在一实施例中，所述绝缘层802上设置有公共电极通孔8031，所述公共电极803可以参考上述显示面板中的相关描述。
在一实施例中，所述绝缘层802上与所述金属部508相对的位置上设置有第一子通孔9011，所述第一子通孔9011与所述金属部508接触设置、且贯穿所述绝缘层802。
在一实施例中，所述绝缘层802上与所述第一电极601相对的位置上设置有第一感光器件通孔6041，所述第一感光器件通孔6041与所述第一电极601接触设置、且贯穿所述绝缘层802。
S803，在所述绝缘层802上形成所述像素电极70、所述第二电极603。
具体的，所述步骤S803可以包括如下步骤，对应如图8-9所示的场景示意图。
请参考如图8所示的场景示意图，具体如下：
S8031，在所述绝缘层802上形成公共电极803。
其中，所述公共电极803可以通过所述公共电极通孔8031与所述触控电极801电性连接，所述公共电极803可以参考上述显示面板中的相关描述。
S8032，在所述绝缘层802、所述公共电极803上形成第二钝化层804。
在一实施例中，所述第二钝化层804设于所述绝缘层802、所述公共电极803上，所述第二钝化层804可以参考上述显示面板中的相关描述。
在一实施例中，所述第二钝化层804上与所述第一感光器件通孔6041相对位置设置有第二感光器件通孔6042，所述第二感光器件通孔6042与所述第一感光器件通孔6041接触设置、且贯穿所述第二钝化层804。
在一实施例中，所述第二钝化层804上与所述第一子通孔9011相对位置设置有第二子通孔9012，所述第二子通孔9012与所述第一子通孔9011接触设置、且贯穿所述第二钝化层804。
在一实施例中，所述第五通孔504除了，还设置在所述器件层80中的所述绝缘层802、以及所述第二钝化层804上，所述第五通孔504可以参考上述显示面板中的相关描述。
请参考如图9所示的场景示意图，具体如下：
S8033，在所述第二钝化层804上形成所述像素电极70。
在一实施例中，所述像素电极70可以与所述第一薄膜晶体管层20一一对应，一所述像素电极70可以包括多条像素电极部701，所述像素电极70、以及所述像素电极部701可以参考上述显示面板中的相关描述。
需要注意的是，后续步骤S90中的形成所述第六通孔901的步骤是在制备所述第二电极603之前进行的，因此所述S8033步骤之后可以进行所述步骤S90。
S90，在所述器件层80上形成第六通孔901，并且在所述第六通孔901内设置导电材料，所述第六通孔901将所述第二电极603与所述金属部508电性连接。
具体的，在所述第二钝化层804、所述像素电极70上形成第三钝化层90，以及对所述第三钝化层90进行图案化处理，形成所述第六通孔901，并且在所述第六通孔901内设置导电材料。
在一实施例中，所述第三钝化层90设于所述像素电极70、以及所述第二钝化层804上，所述第三钝化层90可以参考上述显示面板中的相关描述。
具体的，所述第三钝化层90上与所述第二感光器件通孔6042相对位置设置有第三感光器件通孔6043，所述第三感光器件通孔6043与所述第二感光器件通孔6042接触设置、且贯穿所述第三钝化层90，所述第一感光器件通孔6041、所述第二感光器件通孔6042、所述第三感光器件通孔6043共同构成感光器件通孔604。
其中，所述感光器件通孔604与所述第一电极601相对设置，所述感光器件通孔604可以参考上述显示面板中的相关描述。
具体的，所述第三钝化层90上与所述第二子通孔9012相对位置设置有第三子通孔9013，所述第三子通孔9013与所述第二子通孔9012接触设置、且贯穿所述第三钝化层90，所述第一子通孔9011、所述第二子通孔9012、所述第三子通孔9013共同构成所述第六通孔901。
其中，所述第六通孔901与所述第二金属层508相对设置，所述第六通孔901可以参考上述显示面板中的相关描述。
可以理解的，所述传感器层60还包括设于所述第一电极601上的感光器件层602、以及设于所述所述感光器件层602上的所述第二电极603。即在所述步骤S50之后，所述步骤S803中还可以包括如下步骤：
S8034，在所述感光器件通孔604中形成所述感光器件层602，以及在所述感光器件层602、所述第三钝化层90上、所述第六通孔901中形成所述第二电极603。
在一实施例中，所述感光器件层602可以包括依次设于所述第一电极601上的电子传输层6021、感光层6022、空穴传输层6023，所述感光器件层602可以参考上述显示面板中的相关描述。
在一实施例中，所述第二电极603可以与所述第一电极601一一对应，所述第二电极603可以参考上述显示面板中的相关描述。
本发明提供了显示面板、显示装置、以及显示面板的制作方法，所述显示面板包括衬底、第一薄膜晶体管层、第一绝缘层、第二薄膜晶体管层、第二绝缘层、器件层、以及多个通孔，所述第二薄膜晶体管层设置在所述第一薄膜晶体管层上，且所述多个通孔将相关的膜层之间进行电性连接，本发明增加了光学传感器接收到的光线，提高了显示面板内部的光学指纹识别的精度。
以上对本发明实施例所提供的显示面板和显示装置的结构、以及显示面板的制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：衬底、第一薄膜晶体管层、第一绝缘层、第二薄膜晶体管层、第二绝缘层、器件层、以及多个通孔；
所述第一薄膜晶体管层，设置在所述衬底上，所述第一薄膜晶体管层包括第一源漏极层；
所述第一绝缘层，设置在所述第一薄膜晶体管层上；
所述第二薄膜晶体管层，设置在所述第一绝缘层上，所述第二薄膜晶体管层包括第二栅极层、第二源漏极层，所述第二薄膜晶体管层与所述第一薄膜晶体管层层叠设置；
所述第二绝缘层，设置在所述第二薄膜晶体管层上；
所述器件层，设置在所述第二绝缘层上，所述器件层包括像素电极、传感器层、以及金属部，所述传感器层包括第一电极、第二电极；
所述多个通孔包括第一通孔、第二通孔、第三通孔、第四通孔、第五通孔、以及第六通孔，所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔、所述第四通孔、所述第五通孔、以及所述第六通孔内均设置有导电材料；
所述第一通孔设置在所述第一绝缘层、以及所述第二薄膜晶体管层上，所述第五通孔设置在所述第二绝缘层、以及所述器件层上，所述像素电极通过所述第五通孔与所述第二源漏极层电性连接，所述第二源漏极层通过所述第一通孔与所述第一源漏极层电性连接，使得所述像素电极和所述第一源漏极层电性连接；
所述第二通孔设置在所述第二绝缘层上，所述第一电极通过所述第二通孔与所述第二源漏极层电性连接；
所述第三通孔设置在所述第二薄膜晶体管层上，所述第四通孔设置在所述第二绝缘层上，所述第六通孔设置在所述器件层上，所述第二电极通过所述第六通孔与所述金属部电性连接，所述金属部通过所述第四通孔与所述第二源漏极层电性连接，所述第二源漏极层通过所述第三通孔与所述第二栅极层电性连接，使得所述第二电极和所述第二栅极层电性连接；
所述第二栅极层包括第二栅极，所述第二源漏极层包括第二源极、第二漏极，所述第二源极、所述第二漏极分别设于所述第二栅极的左/右、右/左两侧；
所述源漏极层还包括第一金属部、第二金属部，所述第一金属部设于所述第二源极远离所述第二栅极的一侧，所述第二金属部设于所述第二漏极远离所述第二栅极的一侧；
所述像素电极通过所述第五通孔与所述第一金属部电性连接，所述第一金属部通过所述第一通孔与所述第一源漏极层电性连接，使得所述像素电极和所述第一源漏极层电性连接。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极通过所述第二通孔与所述第二漏极电性连接。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二栅极层还包括金属层，所述金属层与所述第二金属部相对设置；
所述第二电极依次通过所述第六通孔、所述第四通孔与所述第二金属部电性连接，所述第二金属部通过所述第三通孔与所述金属层电性连接，使得所述第二电极和所述金属层电性连接。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管层还包括第二有源层，所述第二有源层设于所述第二栅极层上方，所述第二有源层的组成材料包括非晶硅或者铟镓锌氧化物中的一种。
5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管层还包括第一有源层，所述第一有源层设于所述第一源漏极层下方，所述第一有源层的组成材料包括多晶硅。
6.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至5任一项所述的显示面板。
7.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成第一薄膜晶体管层，所述第一薄膜晶体管层包括第一源漏极层；
在所述第一薄膜晶体管层上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成第二薄膜晶体管层，所述第二薄膜晶体管层包括第二栅极层、第二源漏极层，所述第二薄膜晶体管层与所述第一薄膜晶体管层层叠设置；
在所述第一绝缘层和所述第二薄膜晶体管层上形成第一通孔，以及在所述第二薄膜晶体管层上形成第三通孔，并且在所述第一通孔、所述第三通孔内均设置导电材料，所述第一通孔用于将所述第二源漏极层与所述第一源漏极层电性连接，所述第三通孔用于将所述第二源漏极层与所述第二栅极层电性连接；
在所述第二薄膜晶体管层上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成第五通孔、第二通孔、以及第四通孔，并且在所述第五通孔、所述第二通孔、以及所述第四通孔内均设置导电材料；
在所述第二绝缘层上形成器件层，所述器件层包括像素电极、传感器层、以及金属部，所述传感器层包括第一电极、第二电极，所述第五通孔用于将所述像素电极与所述第二源漏极层电性连接，所述第二通孔用于将所述第一电极与所述第二源漏极层电性连接，所述第四通孔用于将所述金属部与所述第二源漏极层电性连接；
在所述器件层上形成第六通孔，并且在所述第六通孔内设置导电材料，所述第六通孔将所述第二电极与所述金属部电性连接。
8.如权利要求7所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层上形成第二薄膜晶体管层，所述第二薄膜晶体管层包括第二栅极层、第二源漏极层的步骤包括：
在所述第一绝缘层上形成第二栅极层，所述第二栅极层包括第二栅极、金属层；
在所述第一绝缘层以及所述第二栅极层上形成第二栅极绝缘层；
在所述第二栅极绝缘层上形成第二有源层；
在所述第二有源层、所述第二栅极绝缘层上形成第二源漏极层，所述第二源漏极层包括第二源极、第二漏极、第一金属部、以及第二金属部，所述第二源极、所述第二漏极分别设于所述第二栅极的左/右、右/左两侧，所述第一金属部设于所述第二源极远离所述第二栅极的一侧，所述第二金属部设于所述第二漏极远离所述第二栅极的一侧，所述金属层与所述第二金属部相对设置。
9.如权利要求8所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述第二绝缘层上形成器件层，所述器件层包括像素电极和传感器层，所述传感器层包括第一电极、第二电极的步骤包括：
在所述第二绝缘层上形成所述第一电极；
在所述第二绝缘层、所述第一电极上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成所述像素电极、所述第二电极。
CN201910923721.2A 2019-09-27 2019-09-27 显示面板及其制备方法以及显示装置 Active CN110729309B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910923721.2A CN110729309B (zh) 2019-09-27 2019-09-27 显示面板及其制备方法以及显示装置
PCT/CN2019/117499 WO2021056730A1 (zh) 2019-09-27 2019-11-12 显示面板及其制备方法以及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910923721.2A CN110729309B (zh) 2019-09-27 2019-09-27 显示面板及其制备方法以及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110729309A CN110729309A (zh) 2020-01-24
CN110729309B true CN110729309B (zh) 2022-03-08

Family

ID=69218506

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910923721.2A Active CN110729309B (zh) 2019-09-27 2019-09-27 显示面板及其制备方法以及显示装置

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN110729309B (zh)
WO (1) WO2021056730A1 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111508986A (zh) * 2020-04-29 2020-08-07 Tcl华星光电技术有限公司 一种传感器及其制作方法以及光电转换装置
CN111508987A (zh) * 2020-04-29 2020-08-07 Tcl华星光电技术有限公司 一种传感器及其制作方法以及光电转换装置
CN111627962B (zh) * 2020-05-19 2024-05-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、显示装置以及显示面板的制作方法
CN111830743B (zh) * 2020-07-10 2023-03-31 Tcl华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法
CN111898517A (zh) * 2020-07-28 2020-11-06 北海惠科光电技术有限公司 光学指纹传感器及其制备方法、及显示装置
CN112289834A (zh) * 2020-10-22 2021-01-29 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN112466916B (zh) * 2020-11-19 2023-02-07 北京大学深圳研究生院 显示面板的屏内传感器件结构及显示装置
CN112768496B (zh) * 2021-01-06 2022-09-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
CN112748598A (zh) * 2021-01-08 2021-05-04 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板、显示面板以及显示装置
CN112928134B (zh) * 2021-02-03 2022-09-09 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板和显示面板
CN112987357A (zh) * 2021-02-04 2021-06-18 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法
WO2023024038A1 (zh) * 2021-08-26 2023-03-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板及显示装置
WO2023050115A1 (zh) * 2021-09-29 2023-04-06 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106971172A (zh) * 2017-04-13 2017-07-21 京东方科技集团股份有限公司 一种指纹识别检测电路、触摸屏及显示装置
CN108258024A (zh) * 2018-01-29 2018-07-06 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN109858443A (zh) * 2019-01-31 2019-06-07 厦门天马微电子有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI604357B (zh) * 2015-10-26 2017-11-01 瑞鼎科技股份有限公司 電容式壓力感測觸控面板
CN105487717A (zh) * 2016-01-19 2016-04-13 深圳市华星光电技术有限公司 触摸面板以及其制造方法
JP2018074076A (ja) * 2016-11-02 2018-05-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN107193144A (zh) * 2017-04-26 2017-09-22 武汉华星光电技术有限公司 Ltps阵列基板及其制作方法
KR102417112B1 (ko) * 2017-09-28 2022-07-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN109300915B (zh) * 2018-09-30 2020-09-04 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106971172A (zh) * 2017-04-13 2017-07-21 京东方科技集团股份有限公司 一种指纹识别检测电路、触摸屏及显示装置
CN108258024A (zh) * 2018-01-29 2018-07-06 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN109858443A (zh) * 2019-01-31 2019-06-07 厦门天马微电子有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110729309A (zh) 2020-01-24
WO2021056730A1 (zh) 2021-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110729309B (zh) 显示面板及其制备方法以及显示装置
CN109273498B (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置
US11101304B2 (en) Diode and fabrication method thereof, array substrate and display panel
US20090278121A1 (en) System for displaying images and fabrication method thereof
US20110147757A1 (en) Array substrate of display device
US10347683B2 (en) Photo detector device
US11183610B2 (en) Photoelectric detector, preparation method thereof, display panel and display device
US10615188B2 (en) Array substrate and manufacturing method thereof
KR20150056052A (ko) 박막 트랜지스터 구동 백 플레이트 및 그 제조방법
KR20080056648A (ko) 고감도 광 센서 소자 및 그를 이용한 광 센서 장치
US20230154949A1 (en) Array substrate and display panel
CN109887965B (zh) 显示模组及其制造方法、显示装置
WO2019238026A1 (zh) 光学传感器件及其制作方法、显示器件
CN111968994B (zh) 阵列基板及其制备方法
KR100684675B1 (ko) 광 센서 및 디스플레이
CN108279028A (zh) 光电检测结构及其制作方法、光电检测装置
CN111106152A (zh) 显示面板及移动终端
CN111129051B (zh) 平板探测器像素结构及其制备方法
US6646308B2 (en) Flat panel display device
JP2010251496A (ja) イメージセンサー
CN105633095A (zh) 一种阵列基板及显示面板
US11569406B2 (en) Pin device and manufacturing method thereof, photosensitive device and display device
US20230019866A1 (en) Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display panel
CN113629084B (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
CN112666734B (zh) 液晶显示面板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant