CN111830743B - 一种阵列基板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种阵列基板及其制备方法，阵列基板包括基板；感光单元，设置于基板上，感光单元包括存储电容、开关薄膜晶体管、及位于存储电容和开关薄膜晶体管之间的感光传感器；其中，感光传感器为感光二级管结构。本申请通过将阵列基板中的感光传感器采用感光二极管结构，包括非晶硅层和空穴传输层，能够更加有效控制p区功函数，提高光生电荷的收集效率；同时可以在大尺寸设备上实现光传感器集成、提高设备灵敏度以及降低制造成本的效果。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。
背景技术
液晶显示技术经过数十年的发展，已经十分成熟。在未来的发展中，光传感器集成是液晶显示技术发展的重要方向。通过在显示屏内集成光传感器，显示屏的应用场景将得到进一步扩展，例如指纹识别、掌纹识别、体感识别、激光交互等功能均可以通过光传感器得以实现。
目前，如何提高光传感器的灵敏度以及提高光传感器与大尺寸显示工艺兼容性，成为了液晶显示技术发展的重要方向。
发明内容
本申请提供了一种阵列基板及其制备方法，用以能够有效控制p区功函数，提高光生电荷的收集效率。
为了实现上述效果，本申请提供的技术方案如下：
一种阵列基板，包括：
基板；
感光单元，设置于所述基板上，所述感光单元包括存储电容、开关薄膜晶体管、及位于所述存储电容和所述开关薄膜晶体管之间的感光传感器；
其中，所述感光传感器为感光二级管结构。
本申请的阵列基板中，所述阵列基板还包括：
第一电极层，设置于所述基板上，所述第一电极层包括间隔设置的第一电极、第二电极以及第三电极；
栅极绝缘层，设置于所述第一电极层上；
半导体层，设置于所述栅极绝缘层上，所述半导体层包括第一半导体层和第二半导体层；所述第一半导体层设置于所述第一电极和所述第三电极上；所述第二半导体层设置于所述第二电极上；
第二电极层，设置于所述第一半导体层上，所述第二电极层包括第四电极、源极以及漏极；所述第四电极位于所述第一电极上；所述源极和所述漏极位于所述第三电极上；
绝缘层，设置于所述半导体层上；
空穴传输层，设置于所述第二半导体层上；
透明电极层，设置于所述绝缘层上，所述透明电极层包括第一透明电极和第二透明电极；所述第一透明电极与所述第一电极相连接；所述第二透明电极与所述第二电极以及所述漏极相连接。
本申请的阵列基板中，所述栅极绝缘层和所述绝缘层上开设有将所述第二电极部分暴露的开孔，所述第二半导体层通过所述开孔与所述第二电极相接触。
本申请的阵列基板中，所述存储电容包括层叠设置的所述第一电极、所述第一半导体层以及所述第四电极。
本申请的阵列基板中，所述感光传感器包括层叠设置的所述第二电极、所述第二半导体层、所述空穴传输层以及所述第一透明电极；其中，所述第二半导体层为多层结构，包括层叠设置的N型重掺杂非晶硅层和非晶硅层。
本申请的阵列基板中，所述空穴传输层的材料包括钼钽氧化物；其中，钽原子和钼原子比为0-50％；氧原子与金属原子比为0-90％。
本申请的阵列基板中，所述开关薄膜晶体管包括所述第三电极、所述第一半导体层、所述源极和所述漏极。
本申请的阵列基板中，所述开关薄膜晶体管的第三电极接入扫描信号，源极接入读出信号，漏极接入所述感光传感器的第二电极和所述存储电容的第四电极；
所述存储电容的第一电极接入低电位电源和所述感光传感器的第一透明电极，所述存储电容的第四电极接入所述开关薄膜晶体管的漏极和所述感光传感器的第二电极。
本申请还提供一种阵列基板的制备方法，所述制备方法包括：
步骤S10：在基板上形成第一金属层，对所述第一金属层图案化处理，形成第一电极层，所述第一电极层包括间隔设置的第一电极、第二电极以及第三电极；
步骤S20：在所述第一电极层上形成栅极绝缘层、第一半导体层以及第二金属层，对所述第二金属层和所述第一半导体层图案化处理，形成第二电极层，所述第二电极层包括第四电极、源极以及漏极；所述第四电极位于所述第一电极上；所述源极和所述漏极位于所述第三电极上；
步骤S30：在所述第四电极、所述源极以及所述漏极上形成第一绝缘层，对所述第一绝缘层和所述栅极绝缘层图案化处理，形成将所述第二电极部分暴露的开孔；
步骤S40：在所述第二电极暴露的部分上形成第二半导体层；
步骤S50：在所述第一绝缘层和所述第二半导体层上形成第二绝缘层，对所述第二绝缘层、所述第一绝缘层以及所述栅极绝缘层图案化处理，形成位于所述第一电极上的过孔、位于所述第二电极上的过孔、位于所述漏极上的过孔、以及将所述第二半导体层部分暴露的开孔；
步骤S60：在所述第二半导体层暴露的部分上形成空穴传输层；
步骤S70：在所述第二绝缘层和所述空穴传输层上形成透明电极层，对所述透明电极层图案化处理，形成第一透明电极和第二透明电极；所述第一透明电极通过过孔与所述第一电极相连接；所述第二透明电极通过过孔与所述第二电极以及所述漏极相连接。
申请的制备方法中，所述第二半导体层为多层结构，包括层叠设置的N型重掺杂非晶硅层和非晶硅层。
有益效果：本申请通过将阵列基板中的感光传感器采用感光二极管结构，包括非晶硅层和空穴传输层，能够更加有效控制p区功函数，提高光生电荷的收集效率；同时可以在大尺寸设备上实现光传感器集成、提高设备灵敏度以及降低制造成本的效果。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其他有益效果显而易见。
图1为本申请实施例所提供的阵列基板的结构示意图；
图2为本申请实施例所提供的阵列基板的制备方法的步骤流程图；
图3A～图3G为本申请实施例所提供的阵列基板的制备过程中的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
现有技术中，如何提高光传感器的灵敏度以及提高光传感器与大尺寸显示工艺兼容性，成为了液晶显示技术发展的重要方向。基于此，本申请提供了一种阵列基板及其制备方法，能够实现上述效果。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
实施例一
请参阅图1，本申请实施例所提供的阵列基板的结构示意图。
在本实施例中，所述阵列基板包括基板10；设置在基板10上的感光单元，所述感光单元包括存储电容1100、开关薄膜晶体管1300、及位于所述存储电容1100和所述开关薄膜晶体管1300之间的感光传感器1200。
所述阵列基板还包括依次层叠设置于所述基板10上的第一电极层20，栅极绝缘层30、半导体层40、第二电极层50、绝缘层60、空穴传输层70以及透明电极层80。
在本实施例中，所述基板10为PI基板，主要为聚醯亚胺，PI材料可以有效的提高透光率。
在本实施例中，所述第一电极层20包括间隔设置的第一电极21、第二电极22以及第三电极23。
所述第一电极层20的材料包括铜、铝、银等金属。
所述第一电极层20厚度的范围为500A-10000A。
所述第一电极层20还包括位于所述第一电极21上方的第一阻挡层、位于所述第二电极22上方的第二阻挡层、以及位于所述第三电极23上方的第三阻挡层。
所述第一阻挡层、所述第二阻挡层以及所述第三阻挡层的材料包括钼、钛以及钼钛合金等金属。
所述第一阻挡层、所述第二阻挡层以及所述第三阻挡层的厚度范围为50A-1000A。
在本实施例中，所述半导体层40包括第一半导体层41和第二半导体层42。
所述第一半导体层41设置于所述第一电极21和所述第三电极23上方。
所述第二半导体层42设置于所述第二电极22上方。
所述第一半导体层41为多层结构，包括层叠设置的第一非晶硅层411和第一N型重掺杂非晶硅层412。
所述第二半导体层42为多层结构，包括层叠设置的第二N型重掺杂非晶硅层421和第二非晶硅层422。
在本实施例中，所述第二电极层50包括第四电极51、源极52以及漏极53。
所述第四电极51位于所述第一电极21上方；所述源极52和所述漏极53位于所述第三电极23上方。
所述第二电极层50的材料包括铜、铝、银等金属。
所述第二电极层50厚度的范围为500A-10000A。
所述第二电极层50还包括位于所述第四电极51上方的第四阻挡层、位于所述源极52上方的第五阻挡层、以及位于所述漏极53上方的第六阻挡层。
所述第四阻挡层、所述第五阻挡层以及所述第六阻挡层的材料包括钼、钛以及钼钛合金等金属。
所述第四阻挡层、所述第五阻挡层以及所述第六阻挡层的厚度范围为50A-1000A。
在本实施例中，所述绝缘层60包括层叠设置于所述半导体层40上方的第一绝缘层61和第二绝缘层62。
在本实施例中，所述栅极绝缘层30、所述第一绝缘层61以及所述第二绝缘层62上开设有将所述第二电极22部分暴露的开孔，所述第二半导体层42通过所述开孔与所述第二电极22相接触。
在本实施例中，所述空穴传输层70设置于所述第二半导体层42上方。
所述第一绝缘层61以及所述第二绝缘层62上开设有将所述第二半导体层42部分暴露的开孔，所述空穴传输层70通过所述开孔与所述第二半导体层42相接触。
在本实施例中，所述透明电极层80包括第一透明电极81和第二透明电极82。
所述透明电极层80的材料包括但不限于铟锡氧化物和铟锌氧化物。
在本实施例中，所述第一电极21、所述第二电极22以及所述漏极53上开设有过孔；所述第一透明电极81通过所述过孔与所述第一电极21相连接；所述第二透明电极82通过所述过孔与所述第二电极22以及所述漏极53相连接。
在本实施例中，所述存储电容1100包括层叠设置的所述第一电极21、所述第一半导体层41以及所述第四电极51。
其中，所述存储电容1100的两极板为所述第一电极21和所述第四电极51；两极板间的绝缘介质层包括但不限于第一绝缘层61、第一非晶硅层411以及第一N型重掺杂非晶硅层412。
在本实施例中，所述感光传感器1200包括层叠设置的所述第二电极22、所述第二半导体层42、所述空穴传输层70以及所述第一透明电极81。
所述空穴传输层70的材料包括钼钽氧化物。
其中，钽原子和钼原子比为0-50％。
氧原子与金属原子比为0-90％。
在本实施例中，所述开关薄膜晶体管1300包括所述第三电极23、所述第一半导体层41、所述源极52和所述漏极53。
其中，所述开关薄膜晶体管1300的第三电极23接入扫描信号，源极52接入读出信号，漏极53接入所述感光传感器1200的第二电极22和所述存储电容1100的第四电极51。
所述存储电容1100的第一电极21接入低电位电源和所述感光传感器1200的第一透明电极81，所述存储电容1100的第四电51极接入所述开关薄膜晶体管1300的漏极53和所述感光传感器1200的第二电极22。
在本实施例中，所述存储电容1100、所述开关薄膜晶体管1300以及感光传感器1200通过所述透明电极80相连接。
在本实施例中，所述阵列基板还包括与所述基板10相对设置的保护盖板110。
在本实施例中，所述基板10面向所述保护盖板110的一侧设有隔垫物90，所述隔垫物90支撑所述基板10和所述保护盖板110。
所述隔垫物90在所述基板10上的投影与各个膜层之间不重叠。
在本实施例中，所述保护盖板110面向所述基板10的一侧设有遮光层100。
所述遮光层100与所述开关薄膜晶体管1300相对应，且所述第三电极23在所述基板10上的投影位于所述遮光层100内。
所述遮光层100在所述基板10上的投影与所述第二电极22不重叠。
本实施例通过将阵列基板中的感光传感器1200采用感光二极管结构，包括非晶硅层422和空穴传输层70，能够更加有效控制p区功函数，提高光生电荷的收集效率；同时可以在大尺寸设备上实现光传感器集成、提高设备灵敏度以及降低制造成本的效果。
实施例二
请参阅图2，本申请实施例所提供的阵列基板的制备方法的步骤流程图。
在本实施例中，所述阵列基板的制备方法包括：
步骤S10：提供一基板10，在所述基板10上形成第一金属层，对所述第一金属层图案化处理，形成第一电极层20，所述第一电极层包20括间隔设置的第一电极21、第二电极22以及第三电极23，如图3A所示。
所述基板10为PI基板，主要为聚醯亚胺，PI材料可以有效的提高透光率。
所述第一电极层20的材料包括铜、铝、银等金属。
所述第一电极层20厚度的范围为500A-10000A。
在所述步骤S10中，还包括在所述第一电极21上方沉积第一阻挡层；在所述第二电极22上方沉积第二阻挡层；在所述第三电极23上方沉积第三阻挡层。
所述第一阻挡层、所述第二阻挡层以及所述第三阻挡层的材料包括钼、钛以及钼钛合金等金属。
所述第一阻挡层、所述第二阻挡层以及所述第三阻挡层的厚度范围为50A-1000A。
步骤S20：在所述第一电极层20上形成栅极绝缘层30、第一半导体层41以及第二金属层，对所述第二金属层和所述第一半导体层41图案化处理，形成第二电极层50，所述第二电极层50包括第四电极51、源极52以及漏极53；所述第四电极51位于所述第一电极21上；所述源极52和所述漏极53位于所述第三电极23上，如图3B所示。
所述第二电极层50的材料包括铜、铝、银等金属。
所述第二电极层50厚度的范围为500A-10000A。
在所述步骤S20中，还包括在所述第四电极51上方沉积第四阻挡层；在所述源极52上方沉积第五阻挡层；在所述漏极53上沉积第六阻挡层。
所述第四阻挡层、所述第五阻挡层以及所述第六阻挡层的材料包括钼、钛以及钼钛合金等金属。
所述第四阻挡层、所述第五阻挡层以及所述第六阻挡层的厚度范围为50A-1000A。
所述第一半导体层41为多层结构，包括层叠设置的第一非晶硅层411和第一N型重掺杂非晶硅层412。
在本实施例中，所述栅极绝缘层30、所述第一非晶硅层411以及所述第一N型重掺杂非晶硅层沉积的方法包括但不限于化学气相沉积。
所述第二金属层沉积的方法包括但不限于物理气相沉积。
步骤S30：在所述第四电极51、所述源极52以及所述漏极53上形成第一绝缘层61，对所述第一绝缘层61和所述栅极绝缘层30图案化处理，形成将所述第二电极22部分暴露的开孔，如图3C所示。
在本实施例中，所述第一绝缘层61沉积的方法包括但不限于化学气相沉积。
步骤S40：在所述第二电极22暴露的部分上形成第二半导体层42，如图3D所示。
所述第二半导体层42为多层结构，包括层叠设置的第二N型重掺杂非晶硅层421和第二非晶硅层422。
在本实施例中，所述第二N型重掺杂非晶硅421和所述第二非晶硅层422沉积的方法包括但不限于化学气相沉积，所采用的工艺气体包括但不限于磷化氢、硅烷、氢气、氮气、氩气以及氦气。
步骤S50：在所述第一绝缘层61和所述第二半导体层42上形成第二绝缘层62，对所述第二绝缘层62、所述第一绝缘层61以及所述栅极绝缘层30图案化处理，形成位于所述第一电极21上的过孔、位于所述第二电极22上的过孔、位于所述漏极53上的过孔、以及将所述第二半导体层42部分暴露的开孔，如图3E所示。
在本实施例中，所述第二绝缘层62沉积的方法包括但不限于化学气相沉积。
步骤S60：在所述第二半导体层42暴露的部分上形成空穴传输层70，如图3F所示。
在本实施例中，所述空穴传输层70沉积的方法包括但不限于物理气相沉积。
所述空穴传输层70的材料包括钼钽氧化物。
其中，钽原子和钼原子比为0-50％；氧原子与金属原子比为0-90％。
步骤S70：在所述第二绝缘层62和所述空穴传输层70上形成透明电极层80，对所述透明电极层80图案化处理，形成第一透明电极81和第二透明电极82；所述第一透明电极80通过所述过孔与所述第一电极21相连接；所述第二透明电极82通过所述过孔与所述第二电极22以及所述漏极53相连接，如图3G所示。
在本实施例中，所述透明电极层80沉积的方法包括但不限于物理气相沉积。
所述透明电极层80的材料包括但不限于铟锡氧化物和铟锌氧化物。
在本实施例中，所述制备方法还包括步骤S80：在所述基板上形成隔垫物90。
所述隔垫物90在所述基板10上的投影与各个膜层之间不重叠。
步骤S90：在所述隔垫物90远离所述基板10的一侧形成保护盖板110。
所述保护盖板110与所述基板10相对设置。
在步骤S90之前，还包括在所述保护盖板100上形成遮光层100。
所述遮光层100位于所述保护盖板100和所述基板10之间。
所述第三电极23在所述基板10上的投影位于所述遮光层100内。
所述遮光层100在所述基板10上的投影与所述第二电极22不重叠。
在本实施例中，所述阵列基板包括设置在所述基板10上的感光单元，所述感光单元包括存储电容1100、开关薄膜晶体管1300、及位于所述存储电容1100和所述开关薄膜晶体管1200之间的感光传感器1200。
其中，所述存储电容1100包括层叠设置的所述第一电极21、所述第一半导体层41以及所述第四电极51。
所述存储电容1100的两极板为所述第一电极21和所述第四电极52。
所述开关薄膜晶体管1300包括所述第三电极23、所述第一半导体层41、所述源极52和所述漏极53。
在本实施例中，所述感光传感器1200包括层叠设置的所述第二电极22、所述第二半导体层42、所述空穴传输层70以及所述第一透明电极81。
本实施例通过将阵列基板中的感光传感器采用感光二极管结构，能够更加有效控制p区功函数，提高光生电荷的收集效率；同时可以在大尺寸设备上实现光传感器集成、提高设备灵敏度以及降低制造成本的效果。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (9)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
感光单元，设置于所述基板上，所述感光单元包括存储电容、开关薄膜晶体管、及位于所述存储电容和所述开关薄膜晶体管之间的感光传感器；其中，所述感光传感器为感光二极管结构；
第一电极层，设置于所述基板上，所述第一电极层包括间隔设置的第一电极、第二电极以及第三电极；
栅极绝缘层，设置于所述第一电极层上方；
半导体层，设置于所述栅极绝缘层上方，所述半导体层包括第一半导体层和第二半导体层；所述第一半导体层设置于所述第一电极和所述第三电极上方；所述第二半导体层设置于所述第二电极上方；
第二电极层，设置于所述第一半导体层上方，所述第二电极层包括第四电极、源极以及漏极；所述第四电极位于所述第一电极上方；所述源极和所述漏极位于所述第三电极上方；
绝缘层，设置于所述半导体层上方；
空穴传输层，设置于所述第二半导体层上方；
透明电极层，设置于所述绝缘层上方，所述透明电极层包括第一透明电极和第二透明电极；所述第一透明电极与所述第一电极相连接；所述第二透明电极与所述第二电极以及所述漏极相连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层和所述绝缘层上开设有将所述第二电极部分暴露的开孔，所述第二半导体层通过所述开孔与所述第二电极相接触。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述存储电容包括层叠设置的所述第一电极、所述第一半导体层以及所述第四电极。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述感光传感器包括层叠设置的所述第二电极、所述第二半导体层、所述空穴传输层以及所述第一透明电极；其中，所述第二半导体层为多层结构，包括层叠设置的N型重掺杂非晶硅层和非晶硅层。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述空穴传输层的材料包括钼钽氧化物；其中，钽原子和钼原子比为0-50％；氧原子与金属原子比为0-90％。
6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述开关薄膜晶体管包括所述第三电极、所述第一半导体层、所述源极和所述漏极。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述开关薄膜晶体管的第三电极接入扫描信号，源极接入读出信号，漏极接入所述感光传感器的第二电极和所述存储电容的第四电极；
所述存储电容的第一电极接入低电位电源和所述感光传感器的第一透明电极，所述存储电容的第四电极接入所述开关薄膜晶体管的漏极和所述感光传感器的第二电极。
8.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
步骤S10：在基板上形成第一金属层，对所述第一金属层图案化处理，形成第一电极层，所述第一电极层包括间隔设置的第一电极、第二电极以及第三电极；
步骤S20：在所述第一电极层上形成栅极绝缘层、第一半导体层以及第二金属层，对所述第二金属层和所述第一半导体层图案化处理，形成第二电极层，所述第二电极层包括第四电极、源极以及漏极；所述第四电极位于所述第一电极上；所述源极和所述漏极位于所述第三电极上；
步骤S30：在所述第四电极、所述源极以及所述漏极上形成第一绝缘层，对所述第一绝缘层和所述栅极绝缘层图案化处理，形成将所述第二电极层部分暴露的开孔；
步骤S40：在所述第二电极层暴露的部分上形成第二半导体层；
步骤S50：在所述第一绝缘层和所述第二半导体层上形成第二绝缘层，对所述第二绝缘层、所述第一绝缘层以及所述栅极绝缘层图案化处理，形成位于所述第一电极上的过孔、位于所述第二电极上的过孔、位于所述漏极上的过孔、以及将所述第二半导体层部分暴露的开孔；
步骤S60：在所述第二半导体层暴露的部分上形成空穴传输层；
步骤S70：在所述第二绝缘层和所述空穴传输层上形成透明电极层，对所述透明电极层图案化处理，形成第一透明电极和第二透明电极；所述第一透明电极通过过孔与所述第一电极相连接；所述第二透明电极通过过孔与所述第二电极以及所述漏极相连接。
9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第二半导体层为多层结构，包括层叠设置的N型重掺杂非晶硅层和非晶硅层。
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