CN114725130A - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

显示基板及其制备方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114725130A
CN114725130A CN202210431288.2A CN202210431288A CN114725130A CN 114725130 A CN114725130 A CN 114725130A CN 202210431288 A CN202210431288 A CN 202210431288A CN 114725130 A CN114725130 A CN 114725130A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
protective structure
layer
structure layer
insulating layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210431288.2A
Other languages
English (en)
Inventor
荣孟欣
李梁梁
易小强
杨峰
蔡双双
宋子科
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu CEC Panda Display Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu CEC Panda Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Chengdu CEC Panda Display Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202210431288.2A priority Critical patent/CN114725130A/zh
Publication of CN114725130A publication Critical patent/CN114725130A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295Materials; Compositions; Manufacture processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括:基底;第一金属走线,位于基底的一侧;第一绝缘层,位于第一金属走线的背离基底的一侧;第二金属走线,位于第一绝缘层的背离基底的一侧,第二金属走线的延伸方向与第一金属走线的延伸方向不平行,第二金属走线在基底上的正投影与第一金属走线在基底上的正投影存在第一交叠区域;第二绝缘层,位于第二金属走线的背离基底的一侧;第一保护结构层,位于第二绝缘层的背离基底的一侧,第一保护结构层在基底上的正投影与第一交叠区域至少部分交叠。本公开的技术方案,可以更好地防止水汽及腐蚀元素渗入,提高了产品的信赖性和使用寿命。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
液晶显示面板可以包括相对设置的薄膜晶体管(TFT)基板和彩膜基板。现有技术中,阵列基板的边框区容易出现不良,影响了产品的信赖性和使用寿命。
发明内容
本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。
作为本公开实施例的第一个方面,本公开实施例提供一种显示基板,包括:
基底;
第一金属走线,位于基底的一侧;
第一绝缘层,位于第一金属走线的背离基底的一侧;
第二金属走线,位于第一绝缘层的背离基底的一侧,第二金属走线的延伸方向与第一金属走线的延伸方向不平行,第二金属走线在基底上的正投影与第一金属走线在基底上的正投影存在第一交叠区域;
第二绝缘层,位于第二金属走线的背离基底的一侧;
第一保护结构层,位于第二绝缘层的背离基底的一侧,第一保护结构层在基底上的正投影与第一交叠区域至少部分交叠。
在一些可能的实现方式中,第一保护结构层在基底上的正投影包含第一交叠区域。
在一些可能的实现方式中,第一保护结构层在基底上的正投影的边界与第一交叠区域的边界之间的距离大于2μm。
在一些可能的实现方式中,显示基板包括显示区和位于显示区外围的边框区,第一保护结构层位于边框区,显示基板还包括位于显示区且位于第二绝缘层的背离基底一侧的电极层,第一保护结构层与电极层位于同一层。
在一些可能的实现方式中,还包括第二保护结构层,第二保护结构层位于第二绝缘层的背离基底的一侧,第二保护结构层在基底上的正投影、第一保护结构层在基底上的正投影和第一交叠区域至少部分交叠。
在一些可能的实现方式中,第二保护结构层位于第二绝缘层和第一保护结构层之间,第二保护结构层在基底上的正投影包含第一交叠区域,第一保护结构层在基底上的正投影包含第二保护结构层在基底上的正投影。
在一些可能的实现方式中,
第二保护结构层在基底上的正投影的边界与第一交叠区域的边界之间的距离大于2μm;和/或,
第一保护结构层在基底上的正投影的边界与第二保护结构层在基底上的正投影的边界之间的距离大于2μm。
在一些可能的实现方式中,显示基板还包括:
第三金属走线,与第一金属走线位于同一层;
第四金属走线,与第二金属走线位于同一层;
第一过孔,贯穿第二绝缘层和第一绝缘层,并暴露第三金属走线;
第二过孔,贯穿第二绝缘层并暴露第四金属走线;
连接线,位于第二绝缘层的背离基底的一侧,并通过第一过孔与第三金属走线连接,通过第二过孔与第四金属走线连接;
第三保护结构层,位于第二绝缘层的背离基底的一侧,第三保护结构层在基底上的正投影、连接线在基底上的正投影和第一过孔在基底上的正投影至少部分交叠,第三保护结构层在基底上的正投影、连接线在基底上的正投影和第二过孔在基底上的正投影至少部分交叠。
在一些可能的实现方式中,连接线与第一保护结构层位于同一层。
在一些可能的实现方式中,第三保护结构层位于第二绝缘层和连接线之间,第三保护结构层与第二保护结构层位于同一层。
在一些可能的实现方式中,
第一保护结构层的膜层厚度范围为600埃米~1200埃米;和/或,
第二保护结构层的膜层厚度范围为1000埃米~5000埃米;和/或,
第一保护结构层的材质包括透明导电材料;和/或,
第二保护结构层的材质为金属材料。
在一些可能的实现方式中,还包括位于显示区的薄膜晶体管,薄膜晶体管的有源层的材质包括氧化物。
作为本公开实施例的第一个方面,本公开实施例提供一种显示基板的制备方法,包括:
在基底的一侧形成第一金属走线;
在第一金属走线的背离基底的一侧形成第一绝缘层;
在第一绝缘层的背离基底的一侧形成第二金属走线,第二金属走线的延伸方向与第一金属走线的延伸方向不平行,第二金属走线在基底上的正投影与第一金属走线在基底上的正投影存在第一交叠区域;
在第二金属走线的背离基底的一侧形成第二绝缘层;
在第二绝缘层的背离基底的一侧形成第一保护结构层,第一保护结构层在基底上的正投影与第一交叠区域至少部分交叠。
在一些可能的实现方式中,在第二绝缘层的背离基底的一侧形成第一保护结构层,包括:
在第二绝缘层的背离基底的一侧形成第一保护薄膜;
对第一保护薄膜进行图案化处理,形成第一保护结构层的图案,第一保护结构层的图案在基底上的正投影与第一交叠区域至少部分交叠;
对第一保护结构层的图案进行退火处理,形成第一保护结构层。
作为本公开实施例的第三方面,本公开实施例提供一种显示装置,包括本公开实施例中的显示面板。
本公开实施例的技术方案,第一保护结构层与第二绝缘层可以共同起到防止水汽的作用,更好地防止水汽及腐蚀元素渗入,避免第二金属走线和第一金属走线被水汽腐蚀和烧伤不良,提高了产品的信赖性和使用寿命。
上述概述仅仅是为了说明书的目的,并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外,通过参考附图和以下的详细描述,本公开进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
附图说明
在附图中,除非另外规定,否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解,这些附图仅描绘了根据本公开的一些实施方式,而不应将其视为是对本公开范围的限制。
图1a为一种显示基板的平面示意图;
图1b为图1a中的A-A截面示意图;
图1c为图1a所示显示基板的边框区的另一个截面示意图;
图2为本公开一实施例中显示基板的平面示意图;
图3为图2所示显示基板在一个实施例中的B-B截面示意图;
图4为本公开另一实施例中显示基板的平面示意图;
图5为图4所示显示基板在一个实施例中的B-B截面示意图;
图6为图2所示显示基板的边框区的另一个截面示意图。
附图标记说明:
11、显示区;12、边框区;21、基底;221、第一金属走线;221a、镂空;222、第三金属走线;23、第一绝缘层;241、第二金属走线;242、第四金属走线;25、第二绝缘层;251、第一过孔;252、第二过孔;261、连接线;262、第一保护结构层;262a、第一结构部分;262b、第二结构部分;271、第二保护结构层;272、第三保护结构层。
具体实施方式
在下文中,仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样,在不脱离本公开的精神或范围的情况下,可通过各种不同方式修改所描述的实施例,不同的实施例在不冲突的情况下可以任意结合。因此,附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
图1a为一种显示基板的平面示意图,图1b为图1a中的A-A截面示意图,图1c为图1a所示显示基板的边框区的另一个截面示意图。如图1a和图1b所示,显示基板可以包括显示区11和位于显示区11外围的边框区12。在边框区,显示基板包括基底21、第一金属走线221、第一绝缘层23、第二金属走线241和第二绝缘层25,第一金属走线221位于基底21的一侧,第一绝缘层23位于第一金属走线221背离基底21的一侧,第二金属走线241位于第一绝缘层23的背离基底21的一侧,第二绝缘层25位于第二金属走线241的背离基底21的一侧。其中,第一金属走线221的延伸方向可以为第二方向Y,第二金属走线241的延伸方向可以为第一方向X,第一方向X与第二方向Y不平行,第二金属走线241在基底21上的正投影与第一金属走线221在基底21上的正投影存在第一交叠区域,因此,第二金属走线241可以跨过第一金属走线221,第二金属走线241可以叫做金属跨线。
从图1b可以看出,第二金属走线241上侧仅设置有第二绝缘层25,第二绝缘层2525的材质可以为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种。第二绝缘层25的水汽防护能力较差,水汽入侵后容易造成金属走线腐蚀。尤其在第一金属走线221221和第二金属走线241长期工作的情况下,入侵的水汽容易造成第二金属走线241和第一金属走线221烧伤短接,造成第二金属走线241和第一金属走线221烧伤不良,影响了显示基板的信赖性和使用寿命。
如图1c所示,在边框区12,显示基板还可以包括第三金属走线222、第四金属走线242、第一过孔251、第二过孔252和连接线261。其中,第三金属走线222与第一金属走线221位于同一层,第四金属走线242与第二金属走线241位于同一层。第一过孔251贯穿第二绝缘层25和第一绝缘层23,并暴露第三金属走线222,第二过孔252贯穿第二绝缘层25并暴露第四金属走线242。连接线261位于第二绝缘层25的背离基底21的一侧,并通过第一过孔251与第三金属走线222连接,通过第二过孔252与第四金属走线242连接,从而,连接线261将第三金属走线222和第四金属走线242连接。
如图1c所示,在第一过孔251和第二过孔252位置处,金属走线上方只存在连接线261,第一过孔251和第二过孔252位置的水汽防护能力较差,导致第三金属走线222和第四金属走线242容易被水汽侵蚀,降低显示基板的信赖性。
图2为本公开一实施例中显示基板的平面示意图,图3为图2所示显示基板在一个实施例中的B-B截面示意图。如图2和图3所示,显示基板可以包括基底21、第一金属走线221、第一绝缘层23、第二金属走线241、第二绝缘层25和第一保护结构层262。其中,第一金属走线221位于基底21的一侧,第一绝缘层23位于第一金属走线221的背离基底21的一侧,第二金属走线241位于第一绝缘层23的背离基底21的一侧,第二绝缘层25位于第二金属走线241的背离基底21的一侧,第一保护结构层262位于第二绝缘层25的背离基底21的一侧。
如图2和图3所示,第二金属走线241的延伸方向与第一金属走线221的延伸方向不平行,第二金属走线241在基底21上的正投影与第一金属走线221在基底21上的正投影存在第一交叠区域。第一保护结构层262在基底21上的正投影与第一交叠区域至少部分交叠。
本公开实施例的显示基板,在第二绝缘层25的背离第二金属走线241的一侧设置有第一保护结构层262,第一保护结构层262在基底21上的正投影与第一交叠区域至少部分交叠,从而,第一保护结构层262与第二绝缘层25可以共同起到防止水汽的作用,更好地防止水汽及腐蚀元素渗入,避免第二金属走线241和第一金属走线221被水汽腐蚀和烧伤不良,提高了产品的信赖性和使用寿命。
示例性地,基底21可以为玻璃基底21、柔性基底21等中的一种。第一绝缘层23和第二绝缘层25可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种,可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层23可以称为栅绝缘(GI)层,第二绝缘层25可以称为钝化(PVX)层。
示例性地,第二金属走线241的延伸方向与第一金属走线221的延伸方向可以相互垂直。示例性地,第二金属走线241可以与显示基板的栅驱动电路(GOA电路)的时钟信号(CLK)连接。
在一种实施方式中,如图2所示,第一保护结构层262在基底21上的正投影可以包含第一交叠区域。从而,第一保护结构层262可以对整个第一交叠区域起到保护作用,更好地防止水汽侵入。
在一种实施方式中,如图2所示,第一保护结构层262在基底21上的正投影的边界与第一交叠区域的边界之间的距离d1可以大于2μm。这样的设置,可以降低形成第一保护结构层262的工艺难度,降低成本,并且第一保护结构层262可以更好地覆盖第一交叠区域,防止水汽侵入。
在一种实施方式中,如图2所示,显示基板包括显示区11和位于显示区11外围的边框区12,第一保护结构层262位于边框区12。显示基板还包括位于显示区11且位于第二绝缘层25的背离基底21一侧的电极层,第一保护结构层262与电极层位于同一层。将第一保护结构层262设置为与电极层位于同一层,从而,在形成电极层的同时可以形成第一保护结构层262,不会增加显示基板的工艺步骤,减低成本。
示例性地,显示基板可以包括位于显示区11的薄膜晶体管结构层,薄膜晶体管结构层可以位于基底21的朝向第一金属走线221的一侧。第二绝缘层25位于边框区12和显示区11,第二绝缘层25在显示区11位于薄膜晶体管结构层的背离基底21的一侧。电极层位于显示区11,且位于第二绝缘层25的背离基底21一侧的电极层。示例性地,电极层可以为像素电极。
在一种实施方式中,第一保护结构层262的材质可以包括透明导电材料。示例性地,第一保护结构层262的材质可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌等透明导电材料中的至少一种。
在一种实施方式中,第一保护结构层262的膜层厚度范围可以为600埃米~1200埃米(包括端点值)。示例性地,第一保护结构层262的膜层厚度可以为600埃米~1200埃米中的任意值,例如,第一保护结构层262的膜层厚度可以为600埃米、800埃米、1000埃米或1200埃米。当第一保护结构层262与显示区11的电极层同层设置时,将第一保护结构层262的膜层厚度范围设置为600埃米~1200埃米(包括端点值),不仅可以保证第一保护结构层262防止水汽,而且可以使得电极层具有良好的导电特性和透过率。
示例性地,薄膜晶体管结构层可以包括薄膜晶体管,薄膜晶体管可以包括有源层、栅电极、源电极和漏电极。第一金属走线221可以与栅电极同层设置,第二金属走线241可以与源电极或漏电极同层设置。薄膜晶体管的有源层的材质可以包括氧化物,例如,有源层的材质可以为氧化物,例如有源层可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)等各种材料氧化物材料。在其它实施例中,有源层的材质可以为非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料,在此不作具体限定。
在一种实施方式中,如图2所示,第一金属走线221可以开设镂空221a,镂空221a在基底21上的正投影可以与第二金属走线241在基底21上的正投影存在第二交叠区域。这样的结构,可以减小第一金属走线221与第二金属走线241在基底21上的正投影的交叠面积,减小二者之间的寄生电容,提供显示基板的性能。
示例性地,如图2所示,镂空221a在垂直于第二金属走线241的延伸方向上的尺寸可以大于第二金属走线241的宽度,从而,第一交叠区域可以包括第一子区域和第二子区域,第一子区域和第二子区域在第二金属走线241的延伸方向上分别位于镂空221a的两端。对应地,第一保护结构层262也可以包括第一结构部分262a和第二结构部分262b,第一结构部分262a和第二结构部分262b分别与第一子区域和第二子区域一一对应。
图4为本公开另一实施例中显示基板的平面示意图,图5为图4所示显示基板在一个实施例中的B-B截面示意图。如图4和图5所示,显示基板还可以包括第二保护结构层271,第二保护结构层271可以位于第二绝缘层25的背离基底21的一侧,第二保护结构层271在基底21上的正投影、第一保护结构层262在基底21上的正投影和第一交叠区域至少部分交叠。这样的结构,第二绝缘层25、第一保护结构层262和第二保护结构层271作为叠层的结构,可以进一步防止水汽入侵,进一步避免第二金属走线241和第一金属走线221被水汽腐蚀和烧伤不良,提高了产品的信赖性和使用寿命。
在一种实施方式中,如图5所示,第二保护结构层271位于第二绝缘层25和第一保护结构层262之间,第二保护结构层271在基底21上的正投影包含第一交叠区域,第一保护结构层262在基底21上的正投影包含第二保护结构层271在基底21上的正投影。需要说明的是,“A”包含“B”,可以为“A”的边界与“B”边界重合,或者,“A”的边界位于“B”的边界的外围。
示例性地,如图4所示,第二保护结构层271可以包括两部分,第一保护部分可以与第一结构部分262a相对应,第二保护部分可以与第二结构部分262b相对应。
可以理解的是,在显示基板的显示区11,电极层通常位于上侧,将第二保护结构层271设置为位于第二绝缘层25和第一保护结构层262之间,方便了第一保护结构层262与电极层同层设置,有利于简化显示基板的制程工艺。
另外,如果将第二保护结构层271设置在第一保护结构层262的背离基底21的一侧,也就是说,第二保护结构层271在第一保护结构层262之后形成,那么,在形成第二保护结构层271时存在损伤第一保护结构层262的风险。将第二保护结构层271设置为位于第二绝缘层25和第一保护结构层262之间,使得第一保护结构层262在第二保护结构层271之后形成,可以避免对第一保护结构层262造成损伤。
需要说明的是,在其它实施例中,第二保护结构层271可以设置在第一保护结构层262的背离基底21的一侧。
在一种实施方式中,第二保护结构层271的材质可以为金属材料。例如,第二保护结构层271的材质可以为银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种,或上述金属的合金材料,如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb),可以是单层结构,或者多层复合结构,如Ti/Al/Ti等。
在一种实施方式中,第二保护结构层271的膜层厚度范围为1000埃米~5000埃米(包括端点值)。例如,第二保护结构层271的膜层厚度可以为1000埃米、2000埃米、3000埃米、4000埃米或5000埃米。第二保护结构层271的膜层厚度的具体数值可以根据需要设置。
通过增加设置第二保护结构层271,在水汽渗透第一保护结构层262时,水汽会优先与第二保护结构层271反应,延长了水汽侵蚀第二金属走线241和第一金属走线221的时间,进一步提高了产品信赖性和使用寿命。
在一种实施方式中,如图4和图5所示,第二保护结构层271在基底21上的正投影的边界与第一交叠区域的边界之间的距离d2大于2μm。
在一种实施方式中,如图4和图5所示,第一保护结构层262在基底21上的正投影的边界与第二保护结构层271在基底21上的正投影的边界之间的距离d3大于2μm。
将d2设置为大于2μm,将d3设置为大于2μm,可以降低形成第二保护结构层271和第一保护结构层262的工艺难度,降低成本,并且,第二保护结构层271可以更好地覆盖第一交叠区域,第一保护结构层262可以更好地覆盖第二保护结构层271,防止水汽侵入。
需要说明的是,在显示区11,栅电极所在的金属层可以为第一金属层,源电极和漏电极所在的金属层可以为第二金属层,在存在第三金属层的情况下,第二保护结构层271可以与显示区11的第三金属层位于同一层,进一步降低制程工艺。
图6为图2所示显示基板的边框区的另一个截面示意图。在一种实施方式中,显示基板还可以包括第三金属走线222、第四金属走线242、第一过孔251、第二过孔252、连接线261和第三保护结构层272。其中,第三金属走线222与第一金属走线221位于同一层,第四金属走线242与第二金属走线241位于同一层。第一过孔251贯穿第二绝缘层25和第一绝缘层23,并暴露第三金属走线222,第二过孔252贯穿第二绝缘层25并暴露第四金属走线242。连接线261位于第二绝缘层25的背离基底21的一侧,并通过第二过孔252与第四金属走线242连接,通过第一过孔251与第三金属走线222连接,从而,连接线261将第三金属走线222和第四金属走线242连接。第三保护结构层272位于第二绝缘层25的背离基底21的一侧。第三保护结构层272在基底21上的正投影、连接线261在基底21上的正投影和第一过孔251在基底21上的正投影至少部分交叠;第三保护结构层272在基底21上的正投影、连接线261在基底21上的正投影和第一过孔251在基底21上的正投影至少部分交叠。
通过设置第三保护结构层272,使得第三金属走线222上方和第四金属走线242上方不仅有连接线261,而且还有第三保护结构层272,从而,连接线261和第三保护结构层272可以共同防止水汽侵入第三金属走线222和第四金属走线242,提升第一过孔251和第二过孔252位置的水汽防护能力。
在一种实施方式中,连接线261可以与第一保护结构层262位于同一层。这样可以进一步简化制程工艺,降低成本。
在一种实施方式中,第三保护结构层272可以位于第二绝缘层25和连接线261之间,第三保护结构层272可以与第二保护结构层271位于同一层。
在一种实施方式中,第三保护结构层272在基底21上的正投影包含第一过孔251在基底21上的正投影,第三保护结构层272在基底21上的正投影包含第二过孔252在基底21上的正投影。从而,第三保护结构层272可以完全覆盖被第一过孔251暴露的第三金属走线222,并可以完全覆盖被第二过孔252暴露的第四金属走线242,进一步防止水汽侵入第三金属走线222和第四金属走线242。
在一种实施方式中,第三保护结构层272的材质可以与连接线261的材质不相同。第三保护结构层272的材质可以为金属材料。从而,可以降低第三金属走线222和第四金属走线242之间的连接电阻,提升显示基板的性能。
示例性地,第三保护结构层272的材质可以为银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种,或上述金属的合金材料,如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb),可以是单层结构,或者多层复合结构,如Ti/Al/Ti等。
本公开实施例还提供一种显示基板的制备方法,可以包括:在基底的一侧形成第一金属走线;在第一金属走线的背离基底的一侧形成第一绝缘层;在第一绝缘层的背离基底的一侧形成第二金属走线,第二金属走线的延伸方向与第一金属走线的延伸方向不平行,第二金属走线在基底上的正投影与第一金属走线在基底上的正投影存在第一交叠区域;在第二金属走线的背离基底的一侧形成第二绝缘层;在第二绝缘层的背离基底的一侧形成第一保护结构层,第一保护结构层在基底上的正投影与第一交叠区域至少部分交叠。
可以以图2和图3所示实施例详细说明显示基板的制备方法。
在基底21的一侧形成第一金属走线221。该步骤可以包括:在基底21的一侧形成第一金属薄膜,对第一金属薄膜进行图案化处理来形成第一金属走线221,如图3所示。
在第一金属走线221的背离基底21的一侧形成第一绝缘层23,如图3所示。
在第一绝缘层23的背离基底21的一侧形成第二金属走线241。该步骤可以包括:在第一绝缘层23的背离基底21的一侧形成第二金属薄膜,对第二金属薄膜进行图案化处理来形成第二金属走线241,如图2和图3所示,第二金属走线241的延伸方向与第一金属走线221的延伸方向不平行,第二金属走线241在基底21上的正投影与第一金属走线221在基底21上的正投影存在第一交叠区域。
在第二金属走线241的背离基底21的一侧形成第二绝缘层25,如图3所示。
在第二绝缘层25的背离基底21的一侧形成第一保护结构层262。如图3所示,该步骤可以包括:在第二绝缘层25的背离基底21的一侧形成第一保护薄膜;对第一保护薄膜进行图案化处理,形成第一保护结构层262的图案,第一保护结构层262的图案在基底21上的正投影与第一交叠区域至少部分交叠;对第一保护结构层262的图案进行退火处理,形成第一保护结构层262。
第一保护薄膜由小颗粒组成,薄膜中存在很多孔洞和间隙。通过对第一保护结构层262的图案进行退火处理,可以提升薄膜致密度,使得薄膜的均一性更稳定,从而可以提升第一保护图案的水汽防护能力。示例性地,退火温度可以为220℃~300℃(包括端点值)。
可以理解的是,本文中所说的“图案化”,当图案化的材质为无机材质或金属时,“图案化”包括涂覆光刻胶、掩膜曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等工艺,当图案化的材质为有机材质时,“图案化”包括掩模曝光、显影等工艺,本文中所说的蒸镀、沉积、涂覆、涂布等均是相关技术中成熟的制备工艺。
基于前述实施例的发明构思,本公开实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为液晶显示装置。显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在本说明书的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本公开和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本公开的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本公开的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本公开中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接,还可以是通信;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本公开中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
上文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本公开的不同结构。为了简化本公开,上文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本公开。此外,本公开可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
以上,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到其各种变化或替换,这些都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种显示基板,其特征在于,包括:
基底;
第一金属走线,位于所述基底的一侧;
第一绝缘层,位于所述第一金属走线的背离所述基底的一侧;
第二金属走线,位于所述第一绝缘层的背离所述基底的一侧,所述第二金属走线的延伸方向与所述第一金属走线的延伸方向不平行,所述第二金属走线在所述基底上的正投影与所述第一金属走线在所述基底上的正投影存在第一交叠区域;
第二绝缘层,位于所述第二金属走线的背离所述基底的一侧;
第一保护结构层,位于所述第二绝缘层的背离所述基底的一侧,所述第一保护结构层在所述基底上的正投影与所述第一交叠区域至少部分交叠。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一保护结构层在所述基底上的正投影包含所述第一交叠区域。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第一保护结构层在所述基底上的正投影的边界与所述第一交叠区域的边界之间的距离大于2μm。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板包括显示区和位于所述显示区外围的边框区,所述第一保护结构层位于所述边框区,显示基板还包括位于所述显示区且位于所述第二绝缘层的背离所述基底一侧的电极层,所述第一保护结构层与所述电极层位于同一层。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的显示基板,其特征在于,还包括第二保护结构层,所述第二保护结构层位于所述第二绝缘层的背离所述基底的一侧,所述第二保护结构层在所述基底上的正投影、所述第一保护结构层在所述基底上的正投影和所述第一交叠区域至少部分交叠。
6.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,所述第二保护结构层位于所述第二绝缘层和所述第一保护结构层之间,所述第二保护结构层在所述基底上的正投影包含所述第一交叠区域,所述第一保护结构层在所述基底上的正投影包含所述第二保护结构层在所述基底上的正投影。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,
所述第二保护结构层在所述基底上的正投影的边界与所述第一交叠区域的边界之间的距离大于2μm;和/或,
所述第一保护结构层在所述基底上的正投影的边界与所述第二保护结构层在所述基底上的正投影的边界之间的距离大于2μm。
8.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,还包括:
第三金属走线,与所述第一金属走线位于同一层;
第四金属走线,与所述第二金属走线位于同一层;
第一过孔,贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层,并暴露所述第三金属走线;
第二过孔,贯穿所述第二绝缘层并暴露所述第四金属走线;
连接线,位于所述第二绝缘层的背离所述基底的一侧,并通过所述第一过孔与所述第三金属走线连接,通过所述第二过孔与所述第四金属走线连接;
第三保护结构层,位于所述第二绝缘层的背离所述基底的一侧,所述第三保护结构层在所述基底上的正投影、所述连接线在所述基底上的正投影和所述第一过孔在所述基底上的正投影至少部分交叠,所述第三保护结构层在所述基底上的正投影、所述连接线在所述基底上的正投影和所述第二过孔在所述基底上的正投影至少部分交叠。
9.根据权利要求8所述显示基板,其特征在于,所述连接线与所述第一保护结构层位于同一层。
10.根据权利要求8所述的显示基板,其特征在于,所述第三保护结构层位于所述第二绝缘层和所述连接线之间,所述第三保护结构层与所述第二保护结构层位于同一层。
11.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,
所述第一保护结构层的膜层厚度范围为600埃米~1200埃米;和/或,
所述第二保护结构层的膜层厚度范围为1000埃米~5000埃米;和/或,
所述第一保护结构层的材质包括透明导电材料;和/或,
所述第二保护结构层的材质为金属材料。
12.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,还包括位于所述显示区的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的有源层的材质包括氧化物。
13.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
在基底的一侧形成第一金属走线;
在所述第一金属走线的背离所述基底的一侧形成第一绝缘层;
在所述第一绝缘层的背离所述基底的一侧形成第二金属走线,所述第二金属走线的延伸方向与所述第一金属走线的延伸方向不平行,所述第二金属走线在所述基底上的正投影与所述第一金属走线在所述基底上的正投影存在第一交叠区域;
在所述第二金属走线的背离所述基底的一侧形成第二绝缘层;
在所述第二绝缘层的背离所述基底的一侧形成第一保护结构层,所述第一保护结构层在所述基底上的正投影与所述第一交叠区域至少部分交叠。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,在所述第二绝缘层的背离所述基底的一侧形成第一保护结构层,包括:
在所述第二绝缘层的背离所述基底的一侧形成第一保护薄膜;
对第一保护薄膜进行图案化处理,形成所述第一保护结构层的图案,所述第一保护结构层的图案在所述基底上的正投影与所述第一交叠区域至少部分交叠;
对所述第一保护结构层的图案进行退火处理,形成所述第一保护结构层。
15.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-12中任一项所述的显示基板。
CN202210431288.2A 2022-04-22 2022-04-22 显示基板及其制备方法、显示装置 Pending CN114725130A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210431288.2A CN114725130A (zh) 2022-04-22 2022-04-22 显示基板及其制备方法、显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210431288.2A CN114725130A (zh) 2022-04-22 2022-04-22 显示基板及其制备方法、显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114725130A true CN114725130A (zh) 2022-07-08

Family

ID=82245666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210431288.2A Pending CN114725130A (zh) 2022-04-22 2022-04-22 显示基板及其制备方法、显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114725130A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115830995A (zh) * 2022-12-29 2023-03-21 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115830995A (zh) * 2022-12-29 2023-03-21 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7749824B2 (en) Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
US7435629B2 (en) Thin film transistor array panel and a manufacturing method thereof
US7479416B2 (en) Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
US7172913B2 (en) Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
CN108428730B (zh) Oled显示基板及其制作方法、显示装置
KR20080109998A (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
US20060278877A1 (en) Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same
CN111403337A (zh) 阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法
US20070082434A1 (en) Manufacturing of thin film transistor array panel
CN104620389A (zh) 半导体装置及其制造方法
CN212010934U (zh) 阵列基板及显示面板
US7501297B2 (en) Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
JP2006191013A (ja) 薄膜トランジスタ基板、その製造方法及び液晶表示装置
KR20030016051A (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
EP2983204B1 (en) Display device and method for manufacturing the same
CN114725130A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
US7541225B2 (en) Method of manufacturing a thin film transistor array panel that includes using chemical mechanical polishing of a conductive film to form a pixel electrode connected to a drain electrode
JP2014195074A (ja) 薄膜トランジスタ表示板およびその製造方法
CN112635534A (zh) 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法
KR101085450B1 (ko) 박막트랜지스터 기판과 그 제조방법
US20070080350A1 (en) Panel for flexible display device and manufacturing method thereof
US20220399416A1 (en) Display substrate, display substrate motherboard and manufacturing method therefor, and display device
US7846784B2 (en) Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
TWI445176B (zh) 薄膜電晶體陣列面板及其製造方法
JP2005026690A (ja) 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination