CN111106152A - 显示面板及移动终端 - Google Patents

Abstract

本揭示提供一种显示面板及移动终端，所述显示面板阵列基板，所述阵列基板包括阵列排布的多个子像素区域，所述子像素区域内设置有子像素驱动电路，相邻所述子像素区域之间形成感光区域；光电流传感器，所述光电流传感器设置于所述感光区域内，并与所述子像素驱动电路连接；显示器件层，设置于所述阵列基板和所述光电流传感器上；以及第一控制器，所述第一控制器与所述子像素驱动电路连接，利用光电流传感器对进入感光区域的外界光线亮度进行检测，将光信号转变为电信号，再通过第一控制器根据电信号识别遮挡区和未遮挡区，并对未遮挡区的子像素区域进行补偿，提升未遮挡区的亮度，实现显示面板以及移动终端遮挡区和未遮挡区对比度均一化。

Description

显示面板及移动终端

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及移动终端。

背景技术

当在户外使用移动终端时，若外界光线太强，在移动终端自身的亮度调节有限的情况下，需要用手或其他物体对外界光线进行遮挡，以提高被遮挡区的移动终端画面显示的对比度，从而看清被遮挡区的移动终端所显示的内容。

如图1所示，图1为本揭示提供的遮挡示意图，由于使用者的手或其他物体只能遮挡照射移动终端的部分外界光线①，使得移动终端存在未遮挡区A和遮挡区B，在外界光线①照射的情况下，进入遮挡区B的外界光线①的量小于未遮挡区A的量，使得遮挡区B的亮度大于未遮挡区A的亮度，因此遮挡区B的对比度要大于未遮挡区A的对比度，移动终端未遮挡区A画面的光线②和遮挡区B画面的光线②’射入人眼，并能够被人眼感知到未遮挡区A和遮挡区B亮度不均的问题。

综上所述，现有移动终端存在外界光照条件下，遮挡区和未遮挡区对比度不均一的问题。故，有必要提供一种显示面板及移动终端来改善这一缺陷。

发明内容

本揭示实施例提供一种显示面板及移动终端，用于解决现有移动终端在光照条件下，遮挡区和未遮挡区对比度不均一的问题。

本揭示实施例提供一种显示面板，包括：

阵列基板，包括阵列排布的多个子像素区域，所述子像素区域内设置有子像素驱动电路，相邻所述子像素区域之间形成感光区域；

光电流传感器，设置于所述感光区域内，并与所述子像素驱动电路连接；

显示器件层，设置于所述阵列基板和所述光电流传感器上；以及

第一控制器，所述第一控制器与所述子像素驱动电路连接。

根据本揭示一实施例，所述光电流传感器包括层叠设置的栅极线层、沟道层和源漏电极层，所述沟道层的材料包括金属氧化物。

根据本揭示一实施例，所述金属氧化物的材料包括铟镓锌氧化物、铟镓氧化物、铟锡锌氧化物或铝锌氧化物。

根据本揭示一实施例，所述阵列基板包括衬底基板和设置于所述衬底基板上的缓冲层，所述光电流传感器设置于所述显示器件层与所述缓冲层之间。

根据本揭示一实施例，所述子像素驱动电路包括多个薄膜晶体管，多个所述薄膜晶体管中包括至少一个氧化物薄膜晶体管。

根据本揭示一实施例，所述氧化物薄膜晶体管与所述光电流传感器的结构相同，并与所述光电流传感器同层设置。

根据本揭示一实施例，多个所述薄膜晶体管中包括驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管设置于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧上，所述驱动薄膜晶体管包括第一沟道层、第一栅极线层和第一源漏电极层，所述第一栅极线层设置于所述第一沟道层远离所述衬底基板的一侧上。

根据本揭示一实施例，所述子像素驱动电路包括七个薄膜晶体管和一个储存电容。

根据本揭示一实施例，所述第一控制器为微处理器或中央处理器。

本揭示实施例还提供一种移动终端，包括如上述的显示面板。

本揭示实施例的有益效果：本揭示实施例提供一种显示面板，通过在相邻子像素区域之间的感光区域设置光电流传感器，利用不同感光区域的光电流传感器对不同区域的进入感光区域的外界光线亮度进行检测，并将光信号通过子像素驱动电路转变为电信号，再通过第一控制器根据不同子像素区域的电信号识别遮挡区和未遮挡区，并对未遮挡区的子像素区域进行补偿，提升未遮挡区的亮度，实现显示面板以及移动终端遮挡区和未遮挡区对比度均一化。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是揭示的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本揭示提供的遮挡示意图；

图2为本揭示实施例提供的显示面板的截面结构示意图；

图3为本揭示实施例提供的显示面板的平面结构示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本揭示可用以实施的特定实施例。本揭示所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本揭示，而非用以限制本揭示。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。

下面结合附图和具体实施例对本揭示做进一步的说明：

本揭示实施例提供一种显示面板，下面结合图1至图3进行详细说明。

如图2所示，图2为本揭示实施例提供的显示面板100的截面结构示意图，所述显示面板100包括阵列基板11、显示器件层12、光电流传感器13和第一控制器(图中未示出)，所述子像素驱动电路分别与所述光电流传感器13和所述第一控制器相连接。

如图3所示，图3为本揭示实施例提供的显示面板100的平面结构示意图，所述阵列基板11包括阵列排布的多个子像素区域A1，所述子像素区域A1内设有子像素驱动电路，相邻所述子像素区域A1之间形成感光区域A2，所述光电流传感器13设置于所述感光区域A2内，每一所述子像素区域A1均对应一个所述光电流传感器13。

优选的，相邻所述子像素区域A1的光电流传感器13可以设置于同一感光区域A2内，并且相邻所述光电流传感器13之间可以设置黑色矩阵，以防进入相邻所述子像素区域A1的光电流传感器13的光线发生串扰，影响感光效果。同样，在一些实施例中，相邻所述子像素区域A1的光电流传感器13也可以设置于不同的感光区域A2内，此处不做限制。

如图2所示，所述阵列基板11包括依次层叠设置的阵列基板111、缓冲层112、第一栅极绝缘层113、第一层间绝缘层114、第二层间绝缘层115、第二栅极绝缘层116和平坦层117。

在本实施例中，所述显示器件层12设置于所述阵列基板11和光电流传感器13上，所述显示器件层12包括阳极121、像素定义层122、间隔柱123、发光层124和阴极125。所述像素定义层122设置于所述阳极121上，所述像素定义层122上设有过孔，以暴露出位于所述像素定义层122底部的部分阳极121，所述发光层124覆盖所述间隔柱123以及所述像素定义层122，并通过所述过孔与所述阳极121接触，所述阴极125覆盖所述发光层124。

如图2所示，所述光电流传感器13设置于所述显示器件层12与所述缓冲层112之间，所述光电流传感器13包括层叠设置的栅极线层131、沟道层132和源漏电极层133，所述栅极线层131设置于所述阵列基板11的第一层间绝缘层114上，所述沟道层132设置于第二层间绝缘层115上，所述源漏电极层133设置于第二栅极绝缘层116上，并通过贯穿所述第二栅极绝缘层116的过孔与所述沟道层132相连接，所述栅极线层131、沟道层132和源漏电极层133共同构成金属氧化物薄膜晶体管。

具体地，所述沟道层132的材料包括金属氧化物。具体对比度的调节过程为，外界光线通过感光区域上方的膜层进入光电流传感器13，包含有金属氧化物的沟道层132在外界光线的照射下，将光电子转变为电流，从而产生反向电流；所述光电流传感器13所产生的反向电流使得子像素驱动电路中的电流发生变化，从而将外界光线的光信号转变为相应的电信号；第一控制器接收所述电信号，并根据不同区域子像素驱动电路中电流变化大小的情况，识别出如图1所示的被物体遮挡外界光线的遮挡区B以及未被遮挡的未遮挡区A，然后产生相应的控制信号，对未遮挡区A的子像素驱动电路通过内部电流补偿或者外部电压补偿的方式进行补偿，以增大未遮挡区A的子像素驱动电路的电流，从而提高未遮挡区A的亮度，使得遮挡区B和未遮挡区A的对比度相等，达到显示面板100在有遮挡的情况下，未遮挡区A和遮挡区B对比度均一化的显示效果。在本实施例中，所述内部电流补偿和外部电压补偿方法与现有技术中子像素驱动电路的补偿方法相同，此处不再赘述。

优选的，所述金属氧化物的材料包括铟镓锌氧化物、铟镓氧化物、铟锡锌氧化物或铝锌氧化物。

优选的，所述第一控制器为微处理器或中央处理器，用于对接收的电信号进行识别处理，判断未遮挡区A和遮挡区B，并产生相应的控制信号，对所述子像素驱动电路进行补偿，提升未遮挡区的亮度。

在本揭示实施例中，所述子像素驱动电路为7T1C电路，包括7个薄膜晶体管和1个储存电容，所述7个薄膜晶体管中包括1个驱动薄膜晶体管14和6个开关晶体管15，所述驱动薄膜晶体管14和6个所述开关薄膜晶体管15均为低温多晶硅薄膜晶体管，而作为光电流传感器13的金属氧化物薄膜晶体管也可以并入7T1C子像素驱动电路中，从而形成包含有一个金属氧化物薄膜晶体管的8T1C子像素驱动电路。

当然，在一些实施例中，所述7T1C子像素驱动电路中的6个开关薄膜晶体管15中也可以包括至少一个氧化物薄膜晶体管，采用低温多晶硅薄膜晶体管作为驱动薄膜晶体管，由于低温多晶硅薄膜晶体管的电子迁移率高，可以加快对像素电容的充电速度，同时氧化物薄膜晶体管漏电流(Ioff)小于低温多晶硅薄膜晶体管的漏电流，将氧化物薄膜晶体管作为开关薄膜晶体管，有利于减小子像素驱动电路的漏电流，从而降低子像素驱动电路的功耗。此时，7T1C子像素驱动电路中的低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管构成LTPO结构的子像素驱动电路，再加上光电流传感器13的金属氧化物薄膜晶体管，共同构成8T1C的子像素驱动电路。

如图2所示，所述氧化物薄膜晶体管15与所述光电流传感器13均设置于所述第一层间绝缘层114上，在进行氧化物薄膜晶体管15的制程的同时还可以制作形成光电流传感器13，因此并不会因为增设光电流传感器13而增加生产制程。

在本实施例中，所述驱动薄膜晶体管14设置于所述缓冲层112远离所述衬底基板111的一侧上，所述驱动薄膜晶体管14包括第一沟道层141、第一栅极线层142和第一源漏电极层143，所述第一沟道层141设置于所述缓冲层112上，所述第一栅极线层142设置于所述第一栅极绝缘层113上，并且位于所述第一沟道层141远离所述衬底基板111的一侧上，所述第一源漏电极层143设置于所述第一层间绝缘层114上，并通过贯穿所述第一层间绝缘层114和所述第一栅极绝缘层113的过孔与所述第一沟道层接触。在本实施例中，所述驱动薄膜晶体管14为顶栅结构的薄膜晶体管，当然在其他的一些实施例中，所述驱动薄膜晶体管14也可以是底栅结构的薄膜晶体管，或者双栅结构的薄膜晶体管，此处不做限制。

如图1所示，所述显示面板100还包括封装层15，所述封装层15设置于所述显示器件层12上，所述封装层15包括覆盖于所述阴极125上的第一无机层151、覆盖于所述第一无机层151上的第一有机层152以及覆盖所述第一无机层151和所述第一有机层152的第二无机层153。所述第二无机层153远离所述显示器件层12的一侧设有触控层16，在一些实施例中，所述触控层16也可以设置于所述封装层15与所述显示器件层12之间，此处不做限制。所述触控层16远离所述封装层15的一侧还设有封装盖板17。

本揭示实施例的有益效果：本揭示实施例提供一种显示面板，通过在相邻子像素区域之间的感光区域设置光电流传感器，利用不同感光区域的光电流传感器对不同区域的进入感光区域的外界光线亮度进行检测，并将光信号通过子像素驱动电路转变为电信号，再通过第一控制器根据不同子像素区域的电信号识别遮挡区和未遮挡区，并对未遮挡区的子像素区域进行补偿，提升未遮挡区的亮度，实现显示面板以及移动终端遮挡区和未遮挡区对比度均一化。

本揭示实施例还提供一种移动终端，包括如上述实施例所提供的显示面板，且能够实现与上述实施例所提供的显示面板相同的技术效果，此处不再赘述。所述移动终端可以为可穿戴设备，如智能手环、智能手表、VR设备等，也可以为可折叠以及可卷曲的有机发光二极管显示装置或者电子书、电子报纸、手机、电视机或电脑等显示设备。

综上所述，虽然本揭示以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本揭示，本领域的普通技术人员，在不脱离本揭示的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本揭示的保护范围以权利要求界定的范围为基准。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

阵列基板，包括阵列排布的多个子像素区域，所述子像素区域内设置有子像素驱动电路，相邻所述子像素区域之间形成感光区域；

光电流传感器，设置于所述感光区域内，并与所述子像素驱动电路连接；

显示器件层，设置于所述阵列基板和所述光电流传感器上；以及

第一控制器，所述第一控制器与所述子像素驱动电路连接。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述光电流传感器包括层叠设置的栅极线层、沟道层和源漏电极层，所述沟道层的材料包括金属氧化物。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述金属氧化物的材料包括铟镓锌氧化物、铟镓氧化物、铟锡锌氧化物或铝锌氧化物。

4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板和设置于所述衬底基板上的缓冲层，所述光电流传感器设置于所述显示器件层与所述缓冲层之间。

5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述子像素驱动电路包括多个薄膜晶体管，多个所述薄膜晶体管中包括至少一个氧化物薄膜晶体管。

6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述氧化物薄膜晶体管与所述光电流传感器的结构相同，并与所述光电流传感器同层设置。

7.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，多个所述薄膜晶体管中包括驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管设置于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧上，所述驱动薄膜晶体管包括第一沟道层、第一栅极线层和第一源漏电极层，所述第一栅极线层设置于所述第一沟道层远离所述衬底基板的一侧上。

8.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述子像素驱动电路包括七个薄膜晶体管和一个储存电容。

9.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一控制器为微处理器或中央处理器。

10.一种移动终端，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的显示面板。

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