CN111276522A - 显示面板及移动终端 - Google Patents

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CN111276522A CN202010087094.6A CN202010087094A CN111276522A CN 111276522 A CN111276522 A CN 111276522A CN 202010087094 A CN202010087094 A CN 202010087094A CN 111276522 A CN111276522 A CN 111276522A
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Abstract

本揭示提供一种显示面板及移动终端,所述显示面板阵列基板,所述阵列基板包括阵列排布的多个子像素区域,所述子像素区域内设置有子像素驱动电路,相邻所述子像素区域之间形成感光区域;显示器件层,设置于所述阵列基板上;光电流传感器,设置于所述感光区域内,并与所述子像素驱动电路连接;以及第一控制单元,与所述子像素驱动电路连接,利用光电流传感器对显示器件层发光亮度的感测,并将光信号通过子像素驱动电路转变为电信号,再通过第一控制单元对所述电信号进行识别判断,并产生相应的补偿信号对亮度下降部分的显示器件层进行补偿,提升显示器件层的发光亮度,实现显示面板以及移动终端对比度均一化。

Description

显示面板及移动终端
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示终端。
背景技术
有机发光二极管(organic lightemitting diode,OLED)显示面板通过在有机材料中电子空穴的复合过程中发射出的光来显示图像。采用OLED的显示面板是一种新兴的显示器件,由于其制备工艺简单、成本低、响应速度快、易于实现彩色显示和大屏幕显示、功耗低、容易实现和集成电路驱动器的匹配、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄且易于实现柔性显示等优点,使其具有广阔的应用前景。
随着OLED显示面板的使用,有机发光二极管显示器件内金属走线的电阻逐渐增大,有机发光二极管器件内的有机材料也会发生老化,导致有机发光二极管的发光效率以及发光亮度随之降低,发光的颜色也会有所变化,缩短了OLED显示面板的寿命。
综上所述,现有有机发光二极管显示面板在使用过程存在由于电阻的逐渐增大以及有机材料老化导致的发光效率降低、亮度下降的问题。故,有必要提供一种显示面板及显示装置来改善这一缺陷。
发明内容
本揭示实施例提供一种显示面板及移动终端,用于解决现有有机发光二极管显示面板在使用过程存在由于电阻的逐渐增大以及有机材料老化导致的发光效率降低、亮度下降的问题。
本揭示实施例提供一种显示面板,包括:
阵列基板,包括阵列排布的多个子像素区域,所述子像素区域内设置有子像素驱动电路,相邻所述子像素区域之间形成感光区域;
显示器件层,设置于所述阵列基板上;
光电流传感器,设置于所述感光区域内,与所述子像素驱动电路连接,并通过所述子像素驱动电路将所述显示器件层产生的光信号转变为电信号;以及
第一控制单元,与所述子像素驱动电路连接,接收所述电信号并产生相应的补偿信号。
根据本揭示一实施例,所述光电流传感器包括层叠设置的栅极线层、沟道层和源漏电极层,所述沟道层的材料包括金属氧化物。
根据本揭示一实施例,所述金属氧化物的材料包括铟镓锌氧化物、铟镓氧化物、铟锡锌氧化物或铝锌氧化物。
根据本揭示一实施例,所述阵列基板包括衬底基板和设置于所述衬底基板上的缓冲层,所述光电流传感器设置于所述显示器件层与所述缓冲层之间。
根据本揭示一实施例,所述子像素驱动电路包括多个薄膜晶体管,多个所述薄膜晶体管中包括至少一个氧化物薄膜晶体管。
根据本揭示一实施例,所述氧化物薄膜晶体管与所述光电流传感器的结构相同,并与所述光电流传感器同层设置。
根据本揭示一实施例,多个所述薄膜晶体管中包括驱动薄膜晶体管,所述驱动薄膜晶体管设置于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧上,所述驱动薄膜晶体管包括第一沟道层、第一栅极线层和第一源漏电极层,所述第一栅极线层设置于所述第一沟道层远离所述衬底基板的一侧上。
根据本揭示一实施例,所述子像素驱动电路包括七个薄膜晶体管和一个存储电容。
根据本揭示一实施例,所述第一控单元为微处理器或中央处理器。
本揭示实施例还提供一种移动终端,包括如上述的显示面板。
本揭示实施例的有益效果:本揭示实施例提供一种显示面板,通过在相邻子像素区域之间的感光区域设置光电流传感器,利用光电流传感器对显示器件层发光亮度的感测,并将光信号通过子像素驱动电路转变为电信号,再通过第一控制单元对所述电信号进行识别判断,并产生相应的补偿信号对亮度下降部分的显示器件层进行补偿,提升显示器件层的发光亮度,实现显示面板以及移动终端对比度均一化。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是揭示的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本揭示实施例提供的显示面板的截面结构示意图;
图2为本揭示实施例提供的显示面板的平面结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本揭示可用以实施的特定实施例。本揭示所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本揭示,而非用以限制本揭示。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。
下面结合附图和具体实施例对本揭示做进一步的说明。
本揭示实施例提供一种显示面板,下面结合图1至图2进行详细说明。
如图1所示,图1为本揭示实施例提供的显示面板100的截面结构示意图,所述显示面板100包括阵列基板11、显示器件层12、光电流传感器13和第一控制单元(图中未示出),所述子像素驱动电路分别与所述光电流传感器13和所述第一控制单元相连接。
如图2所示,图2为本揭示实施例提供的显示面板100的平面结构示意图,所述阵列基板11包括阵列排布的多个子像素区域A1,所述子像素区域A1内设有子像素驱动电路,相邻所述子像素区域A1之间形成感光区域A2,所述光电流传感器13设置于所述感光区域A2内,每一所述子像素区域A1均对应一个所述光电流传感器13。
优选的,相邻所述子像素区域A1的光电流传感器13可以设置于同一感光区域A2内,并且相邻所述光电流传感器13之间可以设置黑色矩阵,以防进入相邻所述子像素区域A1的光电流传感器13的光线发生串扰,影响感光效果。同样,在一些实施例中,相邻所述子像素区域A1的光电流传感器13也可以设置于不同的感光区域A2内,此处不做限制。
如图1所示,所述阵列基板11包括依次层叠设置的阵列基板111、缓冲层112、第一栅极绝缘层113、第一层间绝缘层114、第二层间绝缘层115、第二栅极绝缘层116和平坦层117。
在本实施例中,所述显示器件层12设置于所述阵列基板11的平坦层117上,所述显示器件层12包括阳极121、像素定义层122、间隔柱123、发光层124和阴极125。所述像素定义层122设置于所述阳极121上,所述像素定义层122上设有过孔,以暴露出位于所述像素定义层122底部的部分阳极121,所述发光层124覆盖所述间隔柱123以及所述像素定义层122,并通过所述过孔与所述阳极121接触,所述阴极125覆盖所述发光层124。
如图1所示,所述光电流传感器13设置于所述显示器件层12与所述缓冲层112之间,所述光电流传感器13包括层叠设置的栅极线层131、沟道层132和源漏电极层133,所述栅极线层131设置于所述阵列基板11的第一层间绝缘层114上,所述沟道层132设置于第二层间绝缘层115上,所述源漏电极层133设置于第二栅极绝缘层116上,并通过贯穿所述第二栅极绝缘层116的过孔与所述沟道层132相连接,所述栅极线层131、沟道层132和源漏电极层133共同构成金属氧化物薄膜晶体管。
具体地,所述沟道层132的材料包括金属氧化物。具体对比度的调节过程为,显示器件层12的发光层124所发出的光线进入光电流传感器13,包含有金属氧化物的沟道层132在光线的照射下,将光电子转变为电流,从而产生反向电流;所述光电流传感器13所产生的反向电流使得子像素驱动电路中的电流发生变化,从而将发光层发出的的光信号转变为相应的电信号;第一控制单元接收所述电信号,将所述电信号转变为相应的发光强度,并将所述发光强度与发光强度的预设值进行对比。若所述发光强度小于预设值,说明显示器件层的亮度下降,所述第一控制单元产生相应的补偿信号,对亮度下降的显示器件层12通过内部电流补偿或者外部电压补偿的方式进行补偿,以增大相应子像素驱动电路的电流,从而提高显示器件层12的发光亮度,使得显示面板100各部分的对比度均相等。在本实施例中,所述内部电流补偿和外部电压补偿方法与现有技术中子像素驱动电路的补偿方法相同,此处不再赘述。
优选的,所述金属氧化物的材料包括铟镓锌氧化物、铟镓氧化物、铟锡锌氧化物或铝锌氧化物。
优选的,所述第一控制单元为微处理器或中央处理器,用于对接收的电信号进行识别处理,判断显示器件层12的发光效率和发光亮度是否下降,并产生相应的补偿信号,对所述子像素驱动电路进行补偿,提升未遮挡区的亮度。
在本揭示实施例中,所述子像素驱动电路为7T1C电路,包括7个薄膜晶体管和1个储存电容,所述7个薄膜晶体管中包括1个驱动薄膜晶体管14和6个开关晶体管15,所述驱动薄膜晶体管14和6个所述开关薄膜晶体管15均为低温多晶硅薄膜晶体管,而作为光电流传感器13的金属氧化物薄膜晶体管也可以并入7T1C子像素驱动电路中,从而形成包含有一个金属氧化物薄膜晶体管的8T1C子像素驱动电路。
当然,在一些实施例中,所述7T1C子像素驱动电路中的6个开关薄膜晶体管15中也可以包括至少一个氧化物薄膜晶体管,采用低温多晶硅薄膜晶体管作为驱动薄膜晶体管,由于低温多晶硅薄膜晶体管的电子迁移率高,可以加快对像素电容的充电速度,同时氧化物薄膜晶体管漏电流(Ioff)小于低温多晶硅薄膜晶体管的漏电流,将氧化物薄膜晶体管作为开关薄膜晶体管,有利于减小子像素驱动电路的漏电流,从而降低子像素驱动电路的功耗。此时,7T1C子像素驱动电路中的低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管构成LTPO结构的子像素驱动电路,再加上光电流传感器13的金属氧化物薄膜晶体管,共同构成8T1C的子像素驱动电路。
如图1所示,所述氧化物薄膜晶体管15与所述光电流传感器13均设置于所述第一层间绝缘层114上,在进行氧化物薄膜晶体管15的制程的同时还可以制作形成光电流传感器13,因此并不会因为增设光电流传感器13而增加生产制程。
在本实施例中,所述驱动薄膜晶体管14设置于所述缓冲层112远离所述衬底基板111的一侧上,所述驱动薄膜晶体管14包括第一沟道层141、第一栅极线层142和第一源漏电极层143,所述第一沟道层141设置于所述缓冲层112上,所述第一栅极线层142设置于所述第一栅极绝缘层113上,并且位于所述第一沟道层141远离所述衬底基板111的一侧上,所述第一源漏电极层143设置于所述第一层间绝缘层114上,并通过贯穿所述第一层间绝缘层114和所述第一栅极绝缘层113的过孔与所述第一沟道层接触。在本实施例中,所述驱动薄膜晶体管14为顶栅结构的薄膜晶体管,当然在其他的一些实施例中,所述驱动薄膜晶体管14也可以是底栅结构的薄膜晶体管,或者双栅结构的薄膜晶体管,此处不做限制。
如图1所示,所述显示面板100还包括封装层15,所述封装层15设置于所述显示器件层12上,所述封装层15包括覆盖于所述阴极125上的第一无机层151、覆盖于所述第一无机层151上的第一有机层152以及覆盖所述第一无机层151和所述第一有机层152的第二无机层153。所述第二无机层153远离所述显示器件层12的一侧设有触控层16,在一些实施例中,所述触控层16也可以设置于所述封装层15与所述显示器件层12之间,此处不做限制。所述触控层16远离所述封装层15的一侧还设有封装盖板17。
优选的,所述光电流传感器13不仅可以用于对显示器件层12发光亮度进行感测,在一些实施例中,所述光电流传感器13还可以取代本实施例中的触控层16,通过定位实现触控的技术效果。当使用者的手指接触显示面板100进行触控时,显示器件层12发出的光线被使用者的手指反射至光电流传感器13的沟道层132上,并产生相应的感应电流,第一控制单元根据不同区域光电流传感器13反馈的感应电流对使用者手指所触控的位置进行定位,并使显示面板100根据使用者的触摸动作做出相应的反应,实现触控的技术效果。
进一步的,所述光电流传感器13可以设置于显示面板100的所有子像素区域A1之间的形成的感光区域A2,因此可以实现显示面板100的全屏触控的技术效果,同样,作为触控感应单元的光电流传感器13可以具备实施例一所具有的感应显示器件层12发光亮度的功能,也可以单独作为触控感应单元设置于显示面板内部,此处不做限制。
更进一步的,所述光电流传感器13还可以具备指纹感应的功能。当使用者的手指接触显示面板100进行触控时,显示器件层12发出的光线被使用者的手指反射至光电流传感器13的沟道层132上,并产生相应的感应电流,第一控制单元对所述电信号进行处理后,可以获得使用者手指的指纹信息,即可实现指纹感应识别的功能。若此光电流传感器13设置于显示面板100的各个感光区域A2内,即可实现显示面板100的全屏指纹识别的技术效果。当然,所述光电流传感器13的指纹识别和触控功能可以同时具备,并且可以同时工作,也可以单独应用于不同的显示面板中,此处不做限制。
在一些实施例中,所述光电流传感器13不仅可以用于感应显示器件层12发出的光线,还可以用于对外部光线进行感应。当显示器件层12的发光层124停止发光时,外界光线可以通过感光区域照射至光电流传感器13的沟道层132,并产生感应电流。若外界物体与显示面板100的距离较远,则外界光线进入光电流传感器13的光量较多,光强较大,产生的感应电流也就越大,反之则越小。第一控制单元根据获得的电信号的大小,判断外界物体与显示面板100距离的大小,使显示面板100做出不同的反应。例如,使用者使用显示面板100进行接听电话时,需要使显示面板100靠近使用者的耳部,因此,无需查看显示面板100的显示内容。此时,与显示面板100的距离较近,进入光电流传感器100的光量较少,第一控制器进行识别判断后,即可发出相应的控制信号,关闭显示面板100的画面。
本揭示实施例的有益效果:本揭示实施例提供一种显示面板,通过在相邻子像素区域之间的感光区域设置光电流传感器,利用光电流传感器对显示器件层发光亮度的感测,并将光信号通过子像素驱动电路转变为电信号,再通过第一控制单元对所述电信号进行识别判断,并产生相应的补偿信号对亮度下降部分的显示器件层进行补偿,提升显示器件层的发光亮度,实现显示面板以及移动终端对比度均一化。
本揭示实施例还提供一种移动终端,包括如上述实施例所提供的显示面板,且能够实现与上述实施例所提供的显示面板相同的技术效果,此处不再赘述。所述移动终端可以为可穿戴设备,如智能手环、智能手表、VR设备等,也可以为可折叠以及可卷曲的有机发光二极管显示装置或者电子书、电子报纸、手机、电视机或电脑等显示设备。
综上所述,虽然本揭示以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本揭示,本领域的普通技术人员,在不脱离本揭示的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本揭示的保护范围以权利要求界定的范围为基准。

Claims (10)

1.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板,包括阵列排布的多个子像素区域,所述子像素区域内设置有子像素驱动电路,相邻所述子像素区域之间形成感光区域;
显示器件层,设置于所述阵列基板上;
光电流传感器,设置于所述感光区域内,与所述子像素驱动电路连接,并通过所述子像素驱动电路将所述显示器件层产生的光信号转变为电信号;以及
第一控制单元,与所述子像素驱动电路连接,接收所述电信号并产生相应的补偿信号。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述光电流传感器包括层叠设置的栅极线层、沟道层和源漏电极层,所述沟道层的材料包括金属氧化物。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述金属氧化物的材料包括铟镓锌氧化物、铟镓氧化物、铟锡锌氧化物或铝锌氧化物。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板包括衬底基板和设置于所述衬底基板上的缓冲层,所述光电流传感器设置于所述显示器件层与所述缓冲层之间。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述子像素驱动电路包括多个薄膜晶体管,多个所述薄膜晶体管中包括至少一个氧化物薄膜晶体管。
6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述氧化物薄膜晶体管与所述光电流传感器的结构相同,并与所述光电流传感器同层设置。
7.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,多个所述薄膜晶体管中包括驱动薄膜晶体管,所述驱动薄膜晶体管设置于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧上,所述驱动薄膜晶体管包括第一沟道层、第一栅极线层和第一源漏电极层,所述第一栅极线层设置于所述第一沟道层远离所述衬底基板的一侧上。
8.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述子像素驱动电路包括七个薄膜晶体管和一个存储电容。
9.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一控制单元为微处理器或中央处理器。
10.一种移动终端,其特征在于,包括如权利要求1至9任一项所述的显示面板。
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