CN112289834A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了显示面板及其制作方法，该显示面板包括：衬底；设于衬底上的薄膜晶体管层，薄膜晶体管层包括设于衬底上的栅极层、设于栅极层上的绝缘层、设于绝缘层上的有源层以及源漏极层，源漏极层包括源极和漏极，源极和漏极分别与有源层的两侧接触设置，源极和漏极还设于绝缘层上；第一电极，第一电极和源漏极层同层设置，第一电极设于源极远离漏极的一侧，或者第一电极设于漏极远离源极的一侧。该方案可以减少光罩的种类和数量，以及减少制程的工序和原料，减少了显示面板制作的时间和成本。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及显示器件的制造，具体涉及显示面板及其制备方法。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板采用自主发光技术进行画面显示，具有响应速度快、对比度高、视角广等优点。
目前，制作OLED显示面板时，需要先制备TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)器件，再在TFT器件上方单独制备OLED器件的阳极。其中，TFT器件包括多层不同材料的膜层，需要较多种的光罩和工序来制备，而且单独制备OLED器件的阳极也需要新的光罩和新的工序，导致光罩种类和数量的需求、以及制程的工序和原料的需求都较高，造成OLED显示面板制作的时间和成本较高。
因此，有必要提供可以降低显示面板制作的时间和成本的显示面板及其制备方法。
发明内容
本发明的目的在于提供显示面板及其制备方法，通过将所述栅极层设于所述衬底上制作底栅结构的薄膜晶体管，以及将所述第一电极和所述源漏极层同层设置，解决了现有技术中OLED显示面板制作的时间和成本较高的问题。
本发明实施例提供显示面板，所述显示面板包括：
衬底；
薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层设于所述衬底上，所述薄膜晶体管层包括：
栅极层，所述栅极层设于所述衬底上；
绝缘层，所述绝缘层设于所述栅极层上；
有源层，所述有源层设于所述绝缘层上；
源漏极层，所述源漏极层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述有源层的两侧接触设置，所述源极和所述漏极还设于所述绝缘层上；
第一电极，所述第一电极和所述源漏极层同层设置，所述第一电极设于所述源极远离所述漏极的一侧，或者所述第一电极设于所述漏极远离所述源极的一侧。
在一实施例中，当所述第一电极设于所述源极远离所述漏极的一侧时，所述第一电极和所述源极一体成型；当所述第一电极设于所述漏极远离所述源极的一侧时，所述第一电极和所述漏极一体成型。
在一实施例中，当所述第一电极和所述源极或者和所述漏极一体成型时，所述第一电极和所述源漏极层均为单层膜层，所述单层膜层的组成材料包括铝、铜或者氧化铟锡。
在一实施例中，当所述第一电极和所述源极或者和所述漏极一体成型时，所述第一电极和所述源漏极层均为复合膜层，所述复合膜层包括钼/铝/钼层、铝/钼层、铝/氧化铟锡层、钼/铜层、钼钛合金/铜层、铜/氧化铟锡层中的一种。
在一实施例中，当所述第一电极设于所述源极远离所述漏极的一侧时，所述第一电极和所述源极之间具有间隙；当所述第一电极设于所述漏极远离所述源极的一侧时，所述第一电极和所述漏极之间具有间隙。
在一实施例中，当所述第一电极和所述源漏极层之间具有间隙时，所述第一电极的组成材料和所述源漏极层的组成材料不相同或者相同。
在一实施例中，所述显示面板还包括：
钝化层，所述钝化层设于所述薄膜晶体管层和所述第一电极上；
通孔，所述通孔设于所述钝化层上，所述通孔与所述第一电极相对设置；
发光层，所述发光层设于所述通孔中，所述发光层和所述第一电极电性连接。
在一实施例中，所述显示面板还包括：
第二电极，所述第二电极设于所述发光层上，所述第二电极和所述发光层电性连接，所述第二电极和所述第一电极之间具有电压差，使得所述发光层发光。
本发明实施例还提供显示面板的制作方法，所述方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成薄膜晶体管层和第一电极，所述薄膜晶体管层包括栅极层、绝缘层、有源层和源漏极层，所述栅极层设于所述衬底上，所述绝缘层设于所述栅极层上，所述有源层设于所述绝缘层上，所述源漏极层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别和所述有源层的两侧接触设置，所述源极和所述漏极还设于所述绝缘层上，所述第一电极和所述源漏极层同层设置，所述第一电极设于所述源极远离所述漏极的一侧，或者所述第一电极设于所述漏极远离所述源极的一侧。
在一实施例中，所述在所述衬底上形成薄膜晶体管层和第一电极，所述薄膜晶体管层包括栅极层、绝缘层、有源层和源漏极层，所述栅极层设于所述衬底上，所述绝缘层设于所述栅极层上，所述有源层设于所述绝缘层上，所述源漏极层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别和所述有源层的两侧接触设置，所述源极和所述漏极还设于所述绝缘层上，所述第一电极和所述源漏极层同层设置，所述第一电极设于所述源极远离所述漏极的一侧，或者所述第一电极设于所述漏极远离所述源极的一侧的步骤之后，包括：
在所述薄膜晶体管层和所述第一电极上形成钝化层；
在所述钝化层上形成通孔，所述通孔与所述第一电极相对设置；
在所述通孔中形成发光层，所述发光层和所述第一电极电性连接。
本发明提供了显示面板及其制作方法，所述显示面板包括：衬底；设于所述衬底上的薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括设于所述衬底上的栅极层、设于所述栅极层上的绝缘层、设于所述绝缘层上的有源层以及源漏极层，所述源漏极层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述有源层的两侧接触设置，所述源极和所述漏极还设于绝缘层上；第一电极，所述第一电极和所述源漏极层同层设置，所述第一电极设于所述源极远离所述漏极的一侧，或者所述第一电极设于所述漏极远离所述源极的一侧。本发明通过将所述栅极层设于所述衬底上制作底栅结构的薄膜晶体管，以及将所述第一电极和所述源漏极层同层设置，减少了光罩的种类和数量，以及减少了制程的工序和原料，减少了显示面板制作的时间和成本。
附图说明
下面通过附图来对本发明进行进一步说明。需要说明的是，下面描述中的附图仅仅是用于解释说明本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的剖面示意图。
图2为本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面示意图。
图3为本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面示意图。
图4为本发明实施例提供的再一种显示面板的剖面示意图。
图5为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程图。
图6为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“两侧”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，例如，“上”只是表面在物体上方，具体指代正上方、斜上方、上表面都可以，只要居于物体水平之上即可；“两侧”是指代图中可以体现出的物体的相对的两个位置，所述两个位置可以和物体直接/间接接触，以上方位或位置关系仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
需要注意的是，术语“宽度”是中性词，不表示偏向长或短，只是表示存在一个预设值，数值不确定，会根据实际情况而定。
另外，还需要说明的是，附图提供的仅仅是和本发明关系比较密切的结构和步骤，省略了一些与发明关系不大的细节，目的在于简化附图，使发明点一目了然，而不是表明实际中装置和方法就是和附图一模一样，不作为实际中装置和方法的限制。
本发明提供显示面板，所述显示面板包括但不限于以下实施例以及以下实施例的组合。
在一实施例中，如图1-2所示，所述显示面板00包括：衬底10；薄膜晶体管层20，所述薄膜晶体管层20设于所述衬底10上，所述薄膜晶体管层20包括：栅极层201，所述栅极层201设于所述衬底10上；绝缘层202，所述绝缘层202设于所述栅极层201上；有源层203，所述有源层203设于所述绝缘层202上；源漏极层204，所述源漏极层204包括漏极2041和源极2042，所述漏极2041和所述源极2042分别与所述有源层203的两侧接触设置，所述漏极2041和所述源极2042还设于所述绝缘层202上；第一电极30，所述第一电极30和所述源漏极层204同层设置，所述第一电极30设于所述漏极2041远离所述源极2042的一侧，或者所述第一电极30设于所述源极2042远离所述漏极2041的一侧。
其中，所述衬底10可以为刚性衬底或者柔性衬底，所述刚性衬底可以为玻璃或者硅片，所述刚性衬底的组成材料可以包括石英粉、碳酸锶、碳酸钡、硼酸、硼酐、氧化铝、碳酸钙、硝酸钡、氧化镁、氧化锡、氧化锌中的至少一种，所述柔性衬底可以为聚合物材料衬底、金属箔片衬底、超薄玻璃衬底、聚合物/无机物衬底或者聚合物/有机物/无机物衬底，其中所述聚合物材料可以包括聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺中的至少一种。
其中，所述栅极层201的组成材料可以包括金属、金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物等导电材料中的至少一种，其中所述金属可以为不限于铜、铝、钼、钛等金属材料。具体的，所述栅极层201可以为单层膜层或者复合膜层，当所述栅极层201为单层膜层时，所述栅极层201可以为但不限于钼层、铝层、铜层、钛层，当所述栅极层201为复合膜层时，所述栅极层201可以为但不限于钼/铝/钼层、铝/钼层、钼/铜层、钼钛合金/铜层。其中，所述栅极层201的厚度不小于500埃、且不大于10000埃。
其中，所述绝缘层202的组成材料可以包括无机介电材料、有机介电材料中的至少一种，其中所述无机介电材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一种，其中所述有机介电材料可以为聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂或压克力系树脂等高分子材料。具体的，所述绝缘层202可以为单层膜层或者双层膜层，当所述绝缘层202为单层膜层时，所述绝缘层202可以为但不限于氧化硅层、氮化硅层，当所述绝缘层202为双层膜层时，所述绝缘层202可以为氧化硅/氮化硅层。其中，所述绝缘层202的厚度不小于1000埃、且不大于5000埃。
其中，所述有源层203的组成材料可以包括铟镓锌氧化物、氧化铟锡锌、铟镓锌锡氧化物中的一种。具体的，当所述有源层203的组成材料包括铟镓锌氧化物时，所述有源层203中靠近所述源极2042、所述漏极2041的区域可以不需要掺杂其他物质；当所述有源层203的组成材料包括非晶硅时，所述有源层203中靠近所述源极2042、所述漏极2041的区域可以掺杂一些掺杂物，具体的，所述掺杂物可以包括磷离子，可以通过控制所述磷离子的浓度，以形成N+型掺杂或者N-型掺杂；例如，可以在所述源极2042和所述漏极2041靠近所述有源层203的一侧形成N-型掺杂和/或N+型掺杂，所述N-型掺杂可以减小热载流子的冲击，提高所述薄膜晶体管层20的稳定性，所述N+型掺杂可以形成欧姆接触层，以减少所述源极2042、所述漏极2041分别和所述有源层203之间的接触电阻。其中，所述有源层203的厚度不小于100埃、且不大于1000埃。
需要注意的是，本实施例中采用将所述栅极层201设于所述衬底10上制作底栅结构的薄膜晶体管20，可以使得所述源漏极层204和所述有源层203接触设置，而避免在所述有源层203和所述源漏极层204之间设置绝缘层，以及在所述绝缘层中设置两个通孔，以通过所述两个通孔将所述源漏极层204和有源层203电性连接，故本实施例节省了制程的工序和原料。
在一实施例中，所述有源层203可以采用铟镓锌氧化物制备，使得所述有源层203具有高迁移率，由于采用铟镓锌氧化物制备的所述有源层203对于工艺和环境非常敏感，所述有源层203远离所述绝缘层202的一侧中未与所述源极2042、所述漏极2041对应的区域可以设置刻蚀阻挡层以对所述有源层203进行保护，防止氢离子进入至所述有源层203中未与所述源极2042、所述漏极2041对应的区域。具体的，所述有源层203和所述栅极层201相对设置，进一步的，所述有源层203的宽度可以不大于所述栅极层201的宽度，避免来自所述栅极层201一侧的光线照射至所述有源层203，以至于影响所述有源层203的电性。
具体的，可以根据所述第一电极30与所述源漏极层204的电性连接需求来设置所述第一电极30的位置，此处以所述第一电极30设于所述源极2042远离所述漏极2041的一侧为例进行说明。例如当所述第一电极30需要与所述源极2042电性连接时，所述第一电极30可以设于所述源极2042远离所述漏极2041的一侧以便于与所述源极2042电性连接；相反的，当所述第一电极30需要与所述漏极2041电性连接时，所述第一电极30可以设于所述漏极2041远离所述源极2042的一侧以便于与所述漏极2041电性连接。
具体的，当所述显示面板00为液晶显示面板时，所述第一电极30可以为像素电极，根据所述液晶显示面板中液晶分子的性质，例如需要将液晶分子两端的电压设置为正电压或者负电压，可以将所述第一电极30与所述漏极2041或者所述源极2042电性连接；当所述显示面板00为OLED显示面板时，所述第一电极30可以为阳极，由于阳极呈正电压状态，可以将所述第一电极30与所述漏极2041电性连接以获取正电压。
可以理解的，由于所述第一电极30和所述源漏极层204同层制备，即制作完所述有源层203后，可以采用相同或者不同的材料、相同或者不同的光罩在所述有源层203上形成所述源漏极层204和所述第一电极30，即本实施例可以避免在所述源漏极层204上制作绝缘层，以及在所述绝缘层中设置通孔，并通过所述通孔将所述第一电极30和所述源漏极层204电性连接，故本实施例节省了制程的工序和原料。
需要注意的是，所述源极2042和所述漏极2041的组成材料相同，且所述源极2042和所述漏极2041同时制备。其中，所述第一电极30和所述源漏极层204的厚度不小于500埃、且不大于10000埃。
在一实施例中，如图1所示，当所述第一电极30设于所述源极2042远离所述漏极2041的一侧时，所述第一电极30和所述源极2042之间具有间隙，其中，所述第一电极30和所述源极2042之间可以通过导线电性连接；又如，当所述第一电极30设于所述漏极2041远离所述源极2042的一侧时，所述第一电极30和所述漏极2041之间具有间隙，其中，所述第一电极30和所述漏极2041之间可以通过导线电性连接。
可以理解的，如图1所示，当所述第一电极30设于所述源极2042远离所述漏极2041的一侧时，由于所述第一电极30和所述源极2042之间具有间隙，即所述第一电极30和所述源极2042可以不同时或者同时制备，对应的，所述第一电极30的组成材料和所述源漏极层2042的组成材料不相同或者相同，此处以所述第一电极30的组成材料和所述源漏极层2042的组成材料不相同为例进行说明。当所述第一电极30用作像素电极时，所述第一电极30的组成材料可以为但不限于氧化铟锡；当所述第一电极30用作阳极时，所述第一电极30的组成材料可以包括但不限于氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、金单质、银单质、铂单质、硅单质中的至少一种。并且，所述源漏极层2042为单层膜层或者复合膜层，当所述所述源漏极层2042为单层膜层时，所述源漏极层2042可以为但不限于钼层、铝层、铜层、钛层、氧化铟锡层，当所述源漏极层2042为复合膜层时，所述源漏极层2042可以为但不限于钼/铝/钼层、铝/钼层、钼/铜层、钼钛合金/铜层。
在一实施例中，如图2所示，当所述第一电极30设于所述源极2042远离所述漏极2041的一侧时，所述第一电极30和所述源极2042一体成型，此时所述第一电极30和所述源极2042即直接接触设置以实现电性连接；又如，当所述第一电极30设于所述漏极2041远离所述源极2042的一侧时，所述第一电极30和所述漏极2041一体成型，此时所述第一电极30和所述漏极2041即直接接触设置以实现电性连接。
可以理解的，如图2所示，当所述第一电极30设于所述源极2042远离所述漏极2041的一侧时，由于所述第一电极30和所述源极2042一体成型，即所述第一电极30和所述源极2042采用相同的材料同时制备。进一步的，所述第一电极30和所述源漏极层204可以均为单层膜层，所述单层膜层的组成材料包括铝、铜或者氧化铟锡；或者，所述第一电极30和所述源漏极层204也可以均为复合膜层，所述复合膜层包括钼/铝/钼层、铝/钼层、铝/氧化铟锡层、钼/铜层、钼钛合金/铜层、铜/氧化铟锡层中的一种。
需要注意的是，如图1-2所示，当所述第一电极30和所述源极2042采用相同的材料同时制备时，可以通过同一光罩制作所述第一电极30和所述源漏极层2042，具体的，所述光罩可以包括第一图案和第二图案，所述第一图案可以和所述第一电极30的图案一致，以形成所述第一电极30，所述第二图案可以和所述源漏极层2042的图案一致，以形成所述源漏极层2042，避免使用不同的光罩分别制作所述第一电极30和源漏极层2042，减少了光罩的种类和数量。
可以理解的，通过将所述栅极层201设于所述衬底10上制作底栅结构的薄膜晶体管20，以及将所述第一电极30和所述源漏极层204同层设置，两者相结合，从制作所述栅极层201至所述第一电极30可以仅需要3-4张光罩以及3-4道黄光制程，极大地减少了光罩的种类和数量，同时，也减少了制程的工序、原料和时间。
在一实施例中，如图3所示，当所述显示面板00为OLED显示面板时，所述显示面板00还包括：钝化层40，所述钝化层40设于所述薄膜晶体管层20和所述第一电极30上；通孔401，所述通孔401设于所述钝化层40上，所述通孔401与所述第一电极30相对设置；发光层50，所述发光层50设于所述通孔401中，所述发光层50和所述第一电极30电性连接。
其中，所述钝化层40的组成材料可以包括有机绝缘材料、无机绝缘材料中的至少一种。具体的，所述有机绝缘材料可以包括聚酰亚胺、聚酰胺酸、聚酰胺、聚乙烯醇、聚乙烯醇肉桂酸酯、或者其他适合的光刻胶材料中的至少一种。所述无机绝缘材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一种。进一步的，所述钝化层40可以采用氮化硅制备。
其中，所述通孔401的宽度可以不小于所述第一电极30的宽度，使得所述发光层50和所述第一电极30完全接触，避免所述发光层50超过所述第一电极30两侧，从而造成材料的浪费。
其中，所述发光层50具有良好的电子传输性能、良好的空穴传输性能、良好的热稳定性以及良好的成膜性。具体的，所述发光层50的组成材料可以为高分子聚合物或者小分子有机化合物，所述小分子有机化合物可以为有机染料或者配合物发光材料。具体的，所述发光层50的组成材料包括客体材料和主体材料，所述客体材料用于发射光线，所述主体材料用于和所述客体材料之间进行能量传递。其中所述客体材料可以为磷光客体材料或者荧光客体材料，所述磷光客体材料的三线态能量小于所述主体材料的三线态能量，使得猝灭常数小，降低磷光客体材料的浓度猝灭和三线态-三线态湮灭效应，提高所述发光层50的发光效率。
在一实施例中，如图4所示，所述显示面板00还包括：第二电极60，所述第二电极60设于所述发光层50上，所述第二电极60和所述发光层50电性连接，所述第二电极60和所述第一电极30之间具有电压差，使得所述发光层50发光。
其中，所述第二电极60可以为阴极，所述第二电极60的组成材料可以为金属单质或者合金材料，所述金属单质可以包括但不限于银单质、铝单质、锂单质、镁单质、铟单质，所述合金材料可以包括但不限于银镁合金、铝锂合金。
可以理解的，所述第二电极60呈负电压状态，即呈负电压状态的所述第二电极60和呈正电压状态的所述第一电极30之间具有电压差，即所述发光层50中的电子和空穴会移动，形成电流，同时也会发光。进一步的，所述第二电极60也可以设于所述发光层50和所述钝化层40上，从而形成连续的膜层，这样不仅可以简化所述第二电极60的制程，而且也可以确保每一个第二电极60的上方均设有所述第二电极60，增加所述发光层50发光的可靠性。
本发明提供显示面板的制作方法，所述显示面板的制作方法包括但不限于以下实施例以及以下实施例的组合。
在一实施例中，如图5所示，所述方法包括但不限于如下步骤。
S10，提供一衬底。
其中，所述衬底可以为刚性衬底或者柔性衬底，所述刚性衬底可以为玻璃或者硅片，所述刚性衬底的组成材料可以包括石英粉、碳酸锶、碳酸钡、硼酸、硼酐、氧化铝、碳酸钙、硝酸钡、氧化镁、氧化锡、氧化锌中的至少一种，所述柔性衬底可以为聚合物材料衬底、金属箔片衬底、超薄玻璃衬底、聚合物/无机物衬底或者聚合物/有机物/无机物衬底，其中所述聚合物材料可以包括聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺中的至少一种。
可以理解的，当所述衬底为刚性衬底时，所述步骤S10还包括清洗所述衬底。
S20，在所述衬底上形成薄膜晶体管层和第一电极，所述薄膜晶体管层包括栅极层、绝缘层、有源层和源漏极层，所述栅极层设于所述衬底上，所述绝缘层设于所述栅极层上，所述有源层设于所述绝缘层上，所述源漏极层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别和所述有源层的两侧接触设置，所述源极和所述漏极还设于所述绝缘层上，所述第一电极和所述源漏极层同层设置，所述第一电极设于所述源极远离所述漏极的一侧，或者所述第一电极设于所述漏极远离所述源极的一侧。
其中，所述栅极层的组成材料可以包括金属、金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物等导电材料中的至少一种，其中所述金属可以为不限于铜、铝、钼、钛等金属材料。具体的，所述栅极层可以为单层膜层或者复合膜层，当所述栅极层为单层膜层时，所述栅极层可以为但不限于钼层、铝层、铜层、钛层，当所述栅极层为复合膜层时，所述栅极层可以为但不限于钼/铝/钼层、铝/钼层、钼/铜层、钼钛合金/铜层。其中，所述栅极层的厚度不小于500埃、且不大于10000埃。
其中，所述绝缘层的组成材料可以包括无机介电材料、有机介电材料中的至少一种，其中所述无机介电材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一种，其中所述有机介电材料可以为聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂或压克力系树脂等高分子材料。具体的，所述绝缘层可以为单层膜层或者双层膜层，当所述绝缘层为单层膜层时，所述绝缘层可以为但不限于氧化硅层、氮化硅层，当所述绝缘层为双层膜层时，所述绝缘层可以为氧化硅/氮化硅层。其中，所述绝缘层的厚度不小于1000埃、且不大于5000埃。
其中，所述有源层的组成材料可以包括铟镓锌氧化物、氧化铟锡锌、铟镓锌锡氧化物中的一种。具体的，当所述有源层的组成材料包括铟镓锌氧化物时，所述有源层中靠近所述源极、所述漏极的区域可以不需要掺杂其他物质；当所述有源层的组成材料包括非晶硅时，所述有源层中靠近所述源极、所述漏极的区域可以掺杂一些掺杂物，具体的，所述掺杂物可以包括磷离子，可以通过控制所述磷离子的浓度，以形成N+型掺杂或者N-型掺杂；例如，可以在所述源极和所述漏极靠近所述有源层的一侧形成N-型掺杂和/或N+型掺杂，所述N-型掺杂可以减小热载流子的冲击，提高所述薄膜晶体管层的稳定性，所述N+型掺杂可以形成欧姆接触层，以减少所述源极、所述漏极分别和所述有源层之间的接触电阻。其中，所述有源层的厚度不小于100埃、且不大于1000埃。关于所述有源层的其他性质可以参考上文的相关描述。
需要注意的是，本实施例中采用将所述栅极层设于所述衬底上制作底栅结构的薄膜晶体管，可以使得所述源漏极层和所述有源层接触设置，而避免在所述有源层和所述源漏极层之间设置绝缘层，以及在所述绝缘层中设置两个通孔，以通过所述两个通孔将所述源漏极层和有源层电性连接，故本实施例节省了制程的工序和原料。
可以理解的，由于所述第一电极和所述源极同层制备，即制作完所述有源层后，可以采用相同或者不同的材料、相同或者不同的光罩在所述有源层上形成所述源漏极层和所述第一电极，即本实施例可以避免在所述源漏极层上制作绝缘层，以及在所述绝缘层中设置通孔，并通过所述通孔将所述第一电极和所述源漏极层电性连接，故本实施例节省了制程的工序和原料。
需要注意的是，所述源极和所述漏极的组成材料相同，且所述源极和所述漏极同时制备。其中，所述第一电极和所述源漏极层的厚度不小于500埃、且不大于10000埃。
在一实施例中，当所述第一电极设于所述源极远离所述漏极的一侧时，所述第一电极和所述源极之间具有间隙，其中，所述第一电极和所述源极之间可以通过导线电性连接；又如，当所述第一电极设于所述漏极远离所述源极的一侧时，所述第一电极和所述漏极之间具有间隙。进一步的，所述第一电极和所述源极之间可以通过导线电性连接，其中，所述第一电极和所述漏极之间可以通过导线电性连接。
可以理解的，当所述第一电极设于所述源极远离所述漏极的一侧时，由于所述第一电极和所述源极之间具有间隙，即所述第一电极和所述源极可以不同时或者同时制备，对应的，所述第一电极的组成材料和所述源漏极层的组成材料不相同或者相同，此处以所述第一电极的组成材料和所述源漏极层的组成材料不相同为例进行说明。当所述第一电极用作像素电极时，所述第一电极的组成材料可以为但不限于氧化铟锡；当所述第一电极用作阳极时，所述第一电极的组成材料可以包括但不限于氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、金单质、银单质、铂单质、硅单质中的至少一种。并且，所述源漏极层为单层膜层或者复合膜层，当所述所述源漏极层为单层膜层时，所述源漏极层可以为但不限于钼层、铝层、铜层、钛层、氧化铟锡层，当所述源漏极层为复合膜层时，所述源漏极层可以为但不限于钼/铝/钼层、铝/钼层、钼/铜层、钼钛合金/铜层。
在一实施例中，当所述第一电极设于所述源极远离所述漏极的一侧时，所述第一电极和所述源极一体成型，此时所述第一电极和所述源极即直接接触设置以实现电性连接；当所述第一电极设于所述漏极远离所述源极的一侧时，所述第一电极和所述漏极一体成型，此时所述第一电极和所述漏极即直接接触设置以实现电性连接。
可以理解的，当所述第一电极设于所述源极远离所述漏极的一侧时，由于所述第一电极和所述源极一体成型，即所述第一电极和所述源极可以采用相同的材料同时制备。进一步的，当所述第一电极和所述源极或者和所述漏极一体成型时，所述第一电极和所述源漏极层可以均为单层膜层，所述单层膜层的组成材料包括铝、铜或者氧化铟锡；或者，所述第一电极和所述源漏极层也可以均为复合膜层，所述复合膜层包括钼/铝/钼层、铝/钼层、铝/氧化铟锡层、钼/铜层、钼钛合金/铜层、铜/氧化铟锡层中的一种。
需要注意的是，当所述第一电极和所述源极采用相同的材料同时制备时，可以通过同一光罩制作所述第一电极和所述源漏极层，具体的，所述光罩可以包括第一图案和第二图案，所述第一图案可以和所述第一电极的图案一致，以形成所述第一电极，所述第二图案可以和所述源漏极层的图案一致，以形成所述源漏极层，避免使用不同的光罩分别制作所述第一电极和源漏极层，减少了光罩的种类和数量。
可以理解的，通过将所述栅极层设于所述衬底上制作底栅结构的薄膜晶体管，以及将所述第一电极和所述源漏极层同层设置，两者相结合，从制作所述栅极层至所述第一电极可以仅需要3-4张光罩以及3-4道黄光制程，极大地减少了光罩的种类和数量，同时，也减少了制程的工序、原料和时间。
在一实施例中，如图6所示，所述步骤S20包括但不限于如下步骤。
S201，在所述薄膜晶体管层和所述第一电极上形成钝化层。
其中，所述钝化层的组成材料可以包括有机绝缘材料、无机绝缘材料中的至少一种。具体的，所述有机绝缘材料可以包括聚酰亚胺、聚酰胺酸、聚酰胺、聚乙烯醇、聚乙烯醇肉桂酸酯、或者其他适合的光刻胶材料中的至少一种。所述无机绝缘材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一种。进一步的，所述钝化层可以采用氮化硅制备。
S202，在所述钝化层上形成通孔，所述通孔与所述第一电极相对设置。
其中，所述通孔的宽度可以不小于所述第一电极的宽度，使得所述发光层和所述第一电极完全接触，避免所述发光层超过所述第一电极两侧，从而造成材料的浪费。
S203，在所述通孔中形成发光层，所述发光层和所述第一电极电性连接。
其中，所述发光层具有良好的电子传输性能、良好的空穴传输性能、良好的热稳定性以及良好的成膜性。具体的，所述发光层的组成材料可以为高分子聚合物或者小分子有机化合物，所述小分子有机化合物可以为有机染料或者配合物发光材料。具体的，所述发光层的组成材料包括客体材料和主体材料，所述客体材料用于发射光线，所述主体材料用于和所述客体材料之间进行能量传递。其中所述客体材料可以为磷光客体材料或者荧光客体材料，所述磷光客体材料的三线态能量小于所述主体材料的三线态能量，使得猝灭常数小，降低磷光客体材料的浓度猝灭和三线态-三线态湮灭效应，提高所述发光层的发光效率。
在一实施例中，所述步骤S203之后，还可以包括但不限于如下步骤。
在所述发光层上形成第二电极，所述第二电极和所述发光层电性连接，所述第二电极和所述第一电极之间具有电压差，使得所述发光层发光。
其中，所述第二电极可以为阴极，所述第二电极的组成材料可以为金属单质或者合金材料，所述金属单质可以包括但不限于银单质、铝单质、锂单质、镁单质、铟单质，所述合金材料可以包括但不限于银镁合金、铝锂合金。
可以理解的，所述第二电极呈负电压状态，即呈负电压状态的所述第二电极和呈正电压状态的所述第一电极之间具有电压差，即所述发光层中的电子和空穴会移动，形成电流，同时也会发光。进一步的，所述第二电极也可以设于所述发光层和所述钝化层上，从而形成连续的膜层，这样不仅可以简化所述第二电极的制程，而且也可以确保每一个第二电极的上方均设有所述第二电极，增加所述发光层发光的可靠性。
本发明提供了显示面板及其制作方法，所述显示面板包括：衬底；设于所述衬底上的薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括设于所述衬底上的栅极层、设于所述栅极层上的绝缘层、设于所述绝缘层上的有源层以及源漏极层，所述源漏极层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述有源层的两侧接触设置，所述源极和所述漏极还设于绝缘层上；第一电极，所述第一电极和所述源漏极层同层设置，所述第一电极设于所述源极远离所述漏极的一侧，或者所述第一电极设于所述漏极远离所述源极的一侧。本发明通过将所述栅极层设于所述衬底上制作底栅结构的薄膜晶体管，以及将所述第一电极和所述源漏极层同层设置，减少了光罩的种类和数量，以及减少了制程的工序和原料，减少了显示面板制作的时间和成本。
以上对本发明实施例所提供的显示面板及其制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
衬底；
薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层设于所述衬底上，所述薄膜晶体管层包括：
栅极层，所述栅极层设于所述衬底上；
绝缘层，所述绝缘层设于所述栅极层上；
有源层，所述有源层设于所述绝缘层上；
源漏极层，所述源漏极层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述有源层的两侧接触设置，所述源极和所述漏极还设于所述绝缘层上；
第一电极，所述第一电极和所述源漏极层同层设置，所述第一电极设于所述源极远离所述漏极的一侧，或者所述第一电极设于所述漏极远离所述源极的一侧。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，当所述第一电极设于所述源极远离所述漏极的一侧时，所述第一电极和所述源极一体成型；当所述第一电极设于所述漏极远离所述源极的一侧时，所述第一电极和所述漏极一体成型。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，当所述第一电极和所述源极或者和所述漏极一体成型时，所述第一电极和所述源漏极层均为单层膜层，所述单层膜层的组成材料包括铝、铜或者氧化铟锡。
4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，当所述第一电极和所述源极或者和所述漏极一体成型时，所述第一电极和所述源漏极层均为复合膜层，所述复合膜层包括钼/铝/钼层、铝/钼层、铝/氧化铟锡层、钼/铜层、钼钛合金/铜层、铜/氧化铟锡层中的一种。
5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，当所述第一电极设于所述源极远离所述漏极的一侧时，所述第一电极和所述源极之间具有间隙；当所述第一电极设于所述漏极远离所述源极的一侧时，所述第一电极和所述漏极之间具有间隙。
6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，当所述第一电极和所述源漏极层之间具有间隙时，所述第一电极的组成材料和所述源漏极层的组成材料不相同或者相同。
7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
钝化层，所述钝化层设于所述薄膜晶体管层和所述第一电极上；
通孔，所述通孔设于所述钝化层上，所述通孔与所述第一电极相对设置；
发光层，所述发光层设于所述通孔中，所述发光层和所述第一电极电性连接。
8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
第二电极，所述第二电极设于所述发光层上，所述第二电极和所述发光层电性连接，所述第二电极和所述第一电极之间具有电压差，使得所述发光层发光。
9.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成薄膜晶体管层和第一电极，所述薄膜晶体管层包括栅极层、绝缘层、有源层和源漏极层，所述栅极层设于所述衬底上，所述绝缘层设于所述栅极层上，所述有源层设于所述绝缘层上，所述源漏极层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别和所述有源层的两侧接触设置，所述源极和所述漏极还设于所述绝缘层上，所述第一电极和所述源漏极层同层设置，所述第一电极设于所述源极远离所述漏极的一侧，或者所述第一电极设于所述漏极远离所述源极的一侧。
10.如权利要求9所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成薄膜晶体管层和第一电极，所述薄膜晶体管层包括栅极层、绝缘层、有源层和源漏极层，所述栅极层设于所述衬底上，所述绝缘层设于所述栅极层上，所述有源层设于所述绝缘层上，所述源漏极层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别和所述有源层的两侧接触设置，所述源极和所述漏极还设于所述绝缘层上，所述第一电极和所述源漏极层同层设置，所述第一电极设于所述源极远离所述漏极的一侧，或者所述第一电极设于所述漏极远离所述源极的一侧的步骤之后，包括：
在所述薄膜晶体管层和所述第一电极上形成钝化层；
在所述钝化层上形成通孔，所述通孔与所述第一电极相对设置；
在所述通孔中形成发光层，所述发光层和所述第一电极电性连接。
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