CN106971172A - 一种指纹识别检测电路、触摸屏及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种指纹识别检测电路、触摸屏及显示装置，该指纹识别检测电路包括：光敏二极管、第一开关晶体管、第二开关晶体管和电压跟随晶体管；其中，第一开关晶体管为金属氧化物晶体管，第二开关晶体管和电压跟随晶体管均为低温多晶硅晶体管。本发明通过采用第一开关晶体管为金属氧化物晶体管，这样第一开关晶体管的漏电流较小，即使在光强非常弱的情况下，也能检测到光电流，从而提高指纹识别检测电路的检测精度。

Description

一种指纹识别检测电路、触摸屏及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种指纹识别检测电路、触摸屏及显示装置。

背景技术

目前的指纹识别器件主要有电容式、超声波式，但它们共同的缺陷是传感器感应距离比较短，严重限制了指纹识别器件的结构和性能，影响了它们在移动终端产品中的广泛应用。

而光学式指纹识别器件具有长距离可感应的优势，但由于光学式的传感器对高分辨率的要求，传感器只能做的比较小，由于光信号量通常与传感器的面积成正比，那么检测到的光信号量就会变得比较微弱。因此，通常采用主动式检测电路来进行指纹识别检测。

现有的主动式指纹识别检测电路，如图1所示，包括第一开关晶体管M1、第二开关晶体管M2、电压跟随晶体管M0和光敏二极管D0；由于使用主动式指纹识别检测电路检测指纹的光信号时，首先需要电压跟随晶体管M0的跟随效果要理想，其次第二开关晶体管M2的跨压要小，才能使得指纹识别检测电路的输出较为理想，就需要上述晶体管具有较大的迁移率，因此现有的主动式指纹识别检测电路中，第一开关晶体管M1、第二开关晶体管M2和电压跟随晶体管M0均为低温多晶硅晶体管。当光照射光敏二极管D0时，第一节点A的电位会由于光电流的积累逐渐降低。但是当在非常弱的光照情况下时，产生的光电流也较弱，由于第一开关晶体管M1为低温多晶硅晶体管，第一节点A的电位会通过第一开关晶体管M1在不断漏电，造成第一节点A的信号无法累积，从而造成检测电路不能进行指纹识别。

发明内容

本发明实施例提供一种指纹识别检测电路、触摸屏及显示装置，即使在光强非常弱的情况下，也能检测到光电流，从而可以提高指纹识别的检测精度。

因此，本发明实施例提供了一种指纹识别检测电路，包括：光敏二极管、第一开关晶体管、第二开关晶体管和电压跟随晶体管；其中，

所述第一开关晶体管，其栅极与复位控制端相连，第一极与第一参考电压端相连，第二极与第一节点相连；

所述第二开关晶体管，其栅极与所述指纹识别检测电路的扫描信号端相连，第一极与所述电压跟随晶体管的第二极相连，第二极与所述指纹识别检测电路的信号输出端相连；

所述电压跟随晶体管，其栅极与所述第一节点相连，第一极与第二参考电压端相连；

所述光敏二极管，其阳极与第三参考电压端相连，阴极与所述第一节点相连；

所述第一开关晶体管为金属氧化物晶体管，所述第二开关晶体管和所述电压跟随晶体管均为低温多晶硅晶体管。

较佳地，在本发明实施例提供的上述指纹识别检测电路中，所述第二开关晶体管和所述电压跟随晶体管具有相同功能的膜层同层设置。

较佳地，在本发明实施例提供的上述指纹识别检测电路中，所述第二开关晶体管的第一极与所述电压跟随晶体管的第二极由同一电极形成。

较佳地，在本发明实施例提供的上述指纹识别检测电路中，所述第一开关晶体管的栅极与所述第二开关晶体管的栅极同层设置；和/或

所述第一开关晶体管的第一极与所述第二开关晶体管的第一极同层设置。

较佳地，在本发明实施例提供的上述指纹识别检测电路中，所述第一开关晶体管位于所述第二开关晶体管的上方或下方。

较佳地，在本发明实施例提供的上述指纹识别检测电路中，还包括：第三开关晶体管；其中，

所述第三开关晶体管为金属氧化物晶体管；

所述第三开关晶体管，其栅极与补偿信号端相连，第一极与所述第一开关晶体管的第二极相连，第二极与所述第一节点相连，且所述第三开关晶体管的第一极与第二极相连；

所述复位控制端的电位与所述补偿信号端的电位相反。

较佳地，在本发明实施例提供的上述指纹识别检测电路中，所述第一开关晶体管的宽长比与所述第三开关晶体管的宽长比之间的比值为2:1。

较佳地，在本发明实施例提供的上述指纹识别检测电路中，还包括位于所述复位控制端与所述补偿信号端之间的反相器。

较佳地，在本发明实施例提供的上述指纹识别检测电路中，所述第一开关晶体管和所述第三开关晶体管具有相同功能的膜层同层设置。

较佳地，在本发明实施例提供的上述指纹识别检测电路中，所述第一参考电压端与所述第二参考电压端为同一电压端。

相应地，本发明实施例还提供了一种触摸屏，包括本发明实施例提供的上述任一种指纹识别检测电路，以及与各行所述指纹识别检测电路的复位控制端相连的第一扫描线，与各行所述指纹识别检测电路的扫描信号端相连的第二扫描线，与各列所述指纹识别检测电路的信号输出端相连的读取线。

较佳地，在本发明实施例提供的上述触摸屏中，还包括：电流源和信号处理电路；其中，

所述电流源的第一端通过所述读取线与所述指纹识别检测电路的信号输出端相连以及与所述信号处理电路相连，所述电流源的第二端与第四参考电压端相连；

所述信号处理电路用于根据所述指纹识别检测电路的信号输出端输出的信号进行指纹识别。

相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述任一种触摸屏。

本发明实施例提供的指纹识别检测电路、触摸屏及显示装置，该指纹识别检测电路包括：光敏二极管、第一开关晶体管、第二开关晶体管和电压跟随晶体管；其中，第一开关晶体管，其栅极与复位控制端相连，第一极与第一参考电压端相连，第二极与第一节点相连；第二开关晶体管，其栅极与指纹识别检测电路的扫描信号端相连，第一极与电压跟随晶体管的第二极相连，第二极与指纹识别检测电路的信号输出端相连；电压跟随晶体管，其栅极与第一节点相连，第一极与第二参考电压端相连；光敏二极管，其阳极与第三参考电压端相连，阴极与第一节点相连；第一开关晶体管为金属氧化物晶体管，第二开关晶体管和电压跟随晶体管均为低温多晶硅晶体管。本发明通过采用第一开关晶体管为金属氧化物晶体管，这样第一开关晶体管的漏电流较小，即使在光强非常弱的情况下，也能检测到光电流，从而提高指纹识别检测电路的检测精度。

附图说明

图1为现有的指纹识别检测电路的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的指纹识别检测电路的结构示意图之一；

图3a为图1的指纹识别检测电路的第一节点A的电位的信号仿真图；

图3b为图2的指纹识别检测电路的第一节点A的电位的信号仿真图；

图3c为图1和图2的第一节点A的电位在复位以后随时间的变化的仿真图；

图4为本发明实施例提供的指纹识别检测电路的结构示意图之二；

图5为本发明实施例提供的指纹识别检测电路的结构示意图之三；

图6为本发明实施例提供的指纹识别检测电路的结构示意图之四；

图7为本发明实施例提供的指纹识别检测电路的结构示意图之五；

图8为本发明实施例提供的指纹识别检测电路的结构示意图之六；

图9为本发明实施例提供的指纹识别检测电路的结构示意图之七；

图10为本发明实施例提供的指纹识别检测电路的结构示意图之八；

图11为本发明实施例提供的触摸屏的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本发明实施例提供的指纹识别检测电路、触摸屏及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。

附图中各层薄膜厚度和形状不反映指纹识别检测电路的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

发明实施例提供了一种指纹识别检测电路，如图2所示，包括：光敏二极管D0、第一开关晶体管M1、第二开关晶体管M2和电压跟随晶体管M0；其中，

第一开关晶体管M1，其栅极与复位控制端Reset相连，第一极与第一参考电压端Vref1相连，第二极与第一节点A相连；

第二开关晶体管M2，其栅极与指纹识别检测电路的扫描信号端Scan相连，第一极与电压跟随晶体管M0的第二极相连，第二极与指纹识别检测电路的信号输出端Output相连；

电压跟随晶体管M0，其栅极与第一节点A相连，第一极与第二参考电压端Vref2相连；

光敏二极管D0，其阳极与第三参考电压端Vref3相连，阴极与第一节点A相连；

第一开关晶体管M1为金属氧化物晶体管，第二开关晶体管M2和电压跟随晶体管M0均为低温多晶硅晶体管。

本发明实施例提供的指纹识别检测电路包括：光敏二极管、第一开关晶体管、第二开关晶体管和电压跟随晶体管；其中，第一开关晶体管，其栅极与复位控制端相连，第一极与第一参考电压端相连，第二极与第一节点相连；第二开关晶体管，其栅极与指纹识别检测电路的扫描信号端相连，第一极与电压跟随晶体管的第二极相连，第二极与指纹识别检测电路的信号输出端相连；电压跟随晶体管，其栅极与第一节点相连，第一极与第二参考电压端相连；光敏二极管，其阳极与第三参考电压端相连，阴极与第一节点相连；第一开关晶体管为金属氧化物晶体管，第二开关晶体管和电压跟随晶体管均为低温多晶硅晶体管。本发明通过采用第一开关晶体管为金属氧化物晶体管，这样第一开关晶体管的漏电流较小，即使在光强非常弱的情况下，也能检测到光电流，从而提高指纹识别检测电路的检测精度。

具体实施时，在本发明实施例提供的指纹识别检测电路中，第二开关晶体管和电压跟随晶体管的有源层的材料均为低温多晶硅材料，第一开关晶体管的有源层的材料为金属氧化物材料。

需要说明的是，本发明实施例提供的指纹识别检测电路既可以检测指纹识别，也可以检测掌纹识别，在此不作限定。

通过仿真模拟，将本发明实施例提供的指纹识别检测电路与图1的现有的指纹识别检测电路进行比较，第一节点A的电位在复位以后随时间的变化的仿真结果如图3c所示。在产生光电流为0.1pA的弱光条件下：图1的指纹识别检测电路的第一节点A的电位随时间的变化的仿真结果如图3a所示；本发明实施例提供的指纹识别检测电路的第一节点A的电位随时间的变化的仿真结果如图3b所示。由仿真图可以得出，现有的指纹识别检测电路，由于第一开关晶体管M1为低温多晶硅晶体管，有较大的漏电流，因此在光电流非常弱的情况下，随着时间的增加，第一节点A的电位有逐渐上升的趋势，这是由于第一节点A的电位通过第一开关晶体管M1在不断的漏电，漏电量大于光电流的产生，因此在弱光条件下，现有的指纹识别检测电路的第一节点A的电位主要由第一开关晶体管M1的漏电流决定，无法进行指纹识别。而本发明实施例提供的指纹识别检测电路，由于第一开关晶体管M1为金属氧化物晶体管，漏电流比较小，因此随着时间的增加，第一节点A的电位逐渐降低，即第一节点A的电位主要由光电流决定，因此本发明实施例提供的指纹识别检测电路即使在光强非常弱的情况下，也能检测到光电流，从而可以进行指纹识别。

具体实施时，在本发明实施例提供的上述指纹识别检测电路中，低温多晶硅晶体管均为顶栅型结构，即第二开关晶体管和电压跟随晶体管均为顶栅型结构。

具体实施时，在本发明实施例提供的上述指纹识别检测电路中，金属氧化物晶体管为顶栅型结构或底栅型结构，即第一开关晶体管为顶栅型结构或底栅型结构，在此不作限定。

具体实施时，在本发明实施例提供的上述指纹识别检测电路中，第一极为漏电极，第二极为源电极；或者第一极为源电极，第二极为漏电极，在此不作限定。

具体实施时，在本发明实施例提供的上述指纹识别检测电路中，如图4所示，第二开关晶体管M2和电压跟随晶体管M0具有相同功能的膜层同层设置，例如晶体管一般包括栅电极层、有源层、源漏电极层等，因此可以将第二开关晶体管M2和电压跟随晶体管M0的栅电极层同层设置，将第二开关晶体管M2和电压跟随晶体管M0的有源层同层设置，以及将第二开关晶体管M2和电压跟随晶体管M0的源漏电极层同层设置等，这样可以通过一次构图工艺形成第二开关晶体管和电压跟随晶体管具有相同功能的膜层的图形，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。

具体实施时，为了减少制作指纹识别检测电路的空间面积，如图4所示，在本发明实施例提供的上述指纹识别检测电路中，第二开关晶体管M2的第一极与电压跟随晶体管M0的第二极由同一电极形成，即一个电极既连接第二开关晶体管M2的有源层，又连接电压跟随晶体管M0的有源层。

具体实施时，为了减少制作工艺和降低制作成本，在本发明实施例提供的上述指纹识别检测电路中，如图4所示，第一开关晶体管M1的栅极与第二开关晶体管M2的栅极同层设置。

具体实施时，为了减少制作工艺和降低制作成本，在本发明实施例提供的上述指纹识别检测电路中，如图4所示，第一开关晶体管M1的第一极与第二开关晶体管M2的第一极同层设置。

较佳地，具体实施时，为了减少制作工艺和降低制作成本，在本发明实施例提供的上述指纹识别检测电路中，如图4所示，第一开关晶体管M1的栅极与第二开关晶体管M2的栅极同层设置，第一开关晶体管M1的第一极与第二开关晶体管M2的第一极同层设置。

具体实施时，图4以第一开关晶体管M1为底栅型结构为例，该指纹识别检测电路的工艺制作流程如下：

(1)在基板1上通过一次构图工艺形成第二开关晶体管M2和电压跟随晶体管M0的有源层2的图形；

(2)在有源层2的上方形成栅绝缘层3的图形；

(3)在栅绝缘层3的上方通过一次构图工艺形成第一开关晶体管M1、第二开关晶体管M2和电压跟随晶体管M0的栅电极层4的图形；

(4)在栅电极层4的上方形成层间介质层5的图形；

(5)在层间介质层5的上方形成第一开关晶体管M1的有源层2的图形；

(6)在层间介质层5的上方通过一次构图工艺分别形成第一开关晶体管M1、第二开关晶体管M2和电压跟随晶体管M0的源电极层6的图形以及第一开关晶体管M1、第二开关晶体管M2和电压跟随晶体管M0的漏电极层7的图形；

(7)在第一开关晶体管M1、第二开关晶体管M2和电压跟随晶体管M0的源电极层6和漏电极层7的上方形成平坦绝缘层8的图形。

通过上述方法制得的第一开关晶体管M1、第二开关晶体管M2和电压跟随晶体管M0是一个水平放置的结构。该方法虽然可以减少制作工艺和降低制作成本，但是上述三个晶体管水平放置的结构会大大增加指纹识别检测电路的空间面积，不利于形成高像素的触摸屏。

较佳地，具体实施时，在本发明实施例提供的上述指纹识别检测电路中，如图5所示，第一开关晶体管M1位于第二开关晶体管M2的上方或下方，这样可以减小指纹识别检测电路的制作空间。

图5以第一开关晶体管M1为底栅型结构为例，并且以第一开关晶体管M1位于第二开关晶体管M2的上方为例，该指纹识别检测电路的工艺制作流程如下：

(1)在基板1上通过一次构图工艺形成第二开关晶体管M2和电压跟随晶体管M0的有源层2的图形；

(2)在有源层2的上方形成栅绝缘层3的图形；

(3)在栅绝缘层3的上方通过一次构图工艺形成第二开关晶体管M2和电压跟随晶体管M0的栅电极层4的图形；

(4)在栅电极层4的上方形成层间介质层5的图形；

(5)在层间介质层5的上方通过一次构图工艺分别形成第二开关晶体管M2和电压跟随晶体管M0的源电极层6的图形以及第二开关晶体管M2和电压跟随晶体管M0的漏电极层7的图形；

(6)在第二开关晶体管M2和电压跟随晶体管M0的源电极层6和漏电极层7的上方形成平坦绝缘层8的图形；

(7)在平坦绝缘层8的上方形成第一开关晶体管M1的栅电极层4的图形；

(8)在栅电极层4的上方形成第一开关晶体管M1的栅绝缘层3的图形；

(9)在栅绝缘层3的上方形成第一开关晶体管M1的有源层2的图形；

(10)在有源层2的上方通过一次构图工艺分别形成第一开关晶体管M1的源电极层6和漏电极层7的图形；

(11)在第一开关晶体管M1的源电极层6和漏电极层7的上方形成平坦绝缘层8的图形。

通过上述方法制得的第一开关晶体管M1、第二开关晶体管M2和电压跟随晶体管M0是一垂直结构，这样可以减少电路制作的空间面积。

具体实施时，在本发明实施例提供的上述指纹识别检测电路中，第一开关晶体管M1也可以为顶栅型结构，如图6所示，具体的顶栅型结构的工艺制作流程与现有的相同，在此不做详述。

具体实施时，采用金属氧化物晶体管作为第一开关晶体管可以避免漏电造成第一节点A的电位无法积累而不能进行指纹识别的检测，但是由于金属氧化物晶体管的栅极接的是时钟信号，且需要较高的驱动电压才能开启，这样会给指纹识别检测电路带来较大的噪声，即在第一节点A处产生噪声，影响指纹识别检测电路的检测精度。因此，在本发明实施例提供的上述指纹识别检测电路中，如图7所示，还包括：第三开关晶体管M3；其中，

第三开关晶体管M3为金属氧化物晶体管，可以避免从第三开关晶体管M3漏电而影响指纹的识别；

第三开关晶体管M3，其栅极与补偿信号端CS相连，第一极与第一开关晶体管M1的第二极相连，第二极与第一节点A相连，且第三开关晶体管M3的第一极与第二极相连；

复位控制端Reset的电位与补偿信号端CS的电位相反，这样通过合理设置第一开关晶体管的宽长比与第三开关晶体管的宽长比之间的比值，就可以将由第一开关晶体管M1产生的噪声消除。

具体实施时，在本发明实施例提供的上述指纹识别检测电路中，第一开关晶体管的宽长比与第三开关晶体管的宽长比之间的比值为2:1。

对于第一开关晶体管M1，当其复位控制端Reset的时钟下降沿到来时，此时第一开关晶体管M1会产生由于时钟馈通(clock feedthrough)引起的ΔVc₁的噪声和由于电荷注入(charge injection)引起的ΔVg₁的噪声，即此时产生的噪声位ΔVc₁+ΔVg₁；而对于第三开关晶体管M3，由于其补偿信号端CS的电位与第一开关晶体管M1的复位控制端Reset的电位相反，因此此时第三开关晶体管M3的补偿信号端CS的时钟为上升沿，又由于第三开关晶体管M3的第一极与第二极相连，因此第三开关晶体管M3产生的噪声为其自身产生的噪声叠加第一开关晶体管M1产生的噪声，即为-2ΔVc₂-2ΔVg₂，由于第一开关晶体管M1的宽长比与第三开关晶体管M3的宽长比之间的比值为2:1，因此ΔVc₁＝2ΔVc₂，ΔVg₁＝2ΔVg₂，则在第一节点A处的总噪声就为ΔVc₁+ΔVg₁+(-2ΔVc₂-2ΔVg₂)＝0，即可以将第一开关晶体管M1和第三开关晶体管M3产生的噪声抵消，从而可以提高在弱光电流下指纹识别的检测精度。

具体实施时，在本发明实施例提供的上述指纹识别检测电路中，如图8所示，还包括位于复位控制端Reset与补偿信号端CS之间的反相器001。这样只需在第一开关晶体管M1的栅极接一个复位控制端Reset，复位控制端Reset的时钟信号经过反相器001后变为电位相反的时钟信号输入到第三开关晶体管M3的栅极，因此不需要额外增加一个与复位控制端Reset输入的信号相反的补偿信号，可以降低成本。

具体实施时，在本发明实施例提供的上述指纹识别检测电路中，如图9所示，第一开关晶体管M1和第三开关晶体管M3具有相同功能的膜层同层设置，例如晶体管一般包括栅电极层、有源层、源漏电极层等，因此可以将第二开关晶体管M2和电压跟随晶体管M0的栅电极层同层设置，将第二开关晶体管M2和电压跟随晶体管M0的有源层同层设置，以及将第二开关晶体管M2和电压跟随晶体管M0的源漏电极层同层设置等，具体制作过程与现有的相同，在此不作详述。这样可以通过一次构图工艺形成第一开关晶体管M1和第三开关晶体管M3具有相同功能的膜层的图形，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率；并且本发明使用的是堆叠的方式制备第一开关晶体管M1、第二开关晶体管M2和电压跟随晶体管M0，因此增加的第三开关晶体管M3和第一开关晶体管M1制备在同层不会增加电路制作的空间面积。

具体实施时，在本发明实施例提供的上述指纹识别检测电路中，如图10所示，第一参考电压端Vref1与第二参考电压端Vref2为同一电压端，这样可以减少一个参考电压端的设置，从而降低成本。

具体实施时，在本发明实施例提供的上述指纹识别检测电路中，所有晶体管均为N型晶体管或均为P型晶体管，在此不作限定。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种触摸屏，如图11所示，包括本发明实施例提供上述任一种指纹识别检测电路002，以及与各行指纹识别检测电路002的复位控制端相连的第一扫描线Scan1，与各行指纹识别检测电路002的扫描信号端相连的第二扫描线Scan2，与各列指纹识别检测电路的信号输出端相连的读取线Readout。

具体实施时，在本发明实施例提供的上述触摸屏中，如图11所示，与各行指纹识别检测电路002对应连接的第一扫描线Scan1和第二扫描线Scan2分别位于该行指纹识别检测电路002的两侧。其中，第一扫描线Scan1位于指纹识别检测电路002的上方，第二扫描线Scan2位于指纹识别检测电路002的下方；或者，第一扫描线Scan1位于指纹识别检测电路002的下方，第二扫描线Scan2位于指纹识别检测电路002的上方，在此不作限定。

进一步地，在具体实施时，当第一扫描线Scan1位于第n行指纹识别检测电路002的上方，第二扫描线Scan2位于第n-1行指纹识别检测电路002的下方时，第n行指纹识别检测电路002对应的第一扫描线Scan1和第n-1行指纹识别检测电路002对应的第二扫描线Scan2可以为同一扫描线。

具体实施时，在本发明实施例提供的上述触摸屏中，一般沿行方向还包括栅线以及沿列方向还包括数据线Data，第一扫描线Scan1和第二扫描线Scan2与栅线的延伸方向相同，读取线Readout与数据线Data的延伸方向相同。

具体实施时，在本发明实施例提供的上述触摸屏中，第一扫描线与栅线同层设置，第二扫描线与栅线同层设置，在此不作限定。

具体实施时，在本发明实施例提供的上述触摸屏中，读取线与数据线同层设置，在此不作限定。

具体实施时，在本发明实施例提供的上述触摸屏中，栅线可以复用为第一扫描线，以及栅线也可以复用为第二扫描线，在此不作限定。

具体实施时，在本发明实施例提供的上述触摸屏中，如图11所示，还包括：电流源Iin和信号处理电路003；其中，

电流源Iin的第一端通过读取线Readout与指纹识别检测电路002的信号输出端相连以及与信号处理电路003相连，电流源Iin的第二端与第四参考电压端Vref4相连；

信号处理电路003用于根据指纹识别检测电路002的信号输出端输出的信号进行指纹识别。

具体实施时，在本发明实施例提供的上述触摸屏中，每一条读取线可以均与一个信号处理电路对应，也可以多条读取线与一个信号处理电路对应，在此不作限定。

具体实施时，在本发明实施例提供的上述触摸屏中，还包括黑矩阵层，本发明实施例提供的指纹识别检测电路中除了光敏二极管外，第一开关晶体管、第二开关晶体管、电压跟随晶体管和第三开关晶体管均设置在黑矩阵层的下方。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供上述任一种触摸屏。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。该显示装置的实施可以参见上述触摸屏的实施例，重复之处不再赘述。

本发明实施例提供的指纹识别检测电路、触摸屏及显示装置，该指纹识别检测电路包括：光敏二极管、第一开关晶体管、第二开关晶体管和电压跟随晶体管；其中，第一开关晶体管，其栅极与复位控制端相连，第一极与第一参考电压端相连，第二极与第一节点相连；第二开关晶体管，其栅极与指纹识别检测电路的扫描信号端相连，第一极与电压跟随晶体管的第二极相连，第二极与指纹识别检测电路的信号输出端相连；电压跟随晶体管，其栅极与第一节点相连，第一极与第二参考电压端相连；光敏二极管，其阳极与第三参考电压端相连，阴极与第一节点相连；第一开关晶体管为金属氧化物晶体管，第二开关晶体管和电压跟随晶体管均为低温多晶硅晶体管。本发明通过采用第一开关晶体管为金属氧化物晶体管，这样第一开关晶体管的漏电流较小，即使在光强非常弱的情况下，也能检测到光电流，从而提高指纹识别检测电路的检测精度。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (13)

1.一种指纹识别检测电路，其特征在于，包括：光敏二极管、第一开关晶体管、第二开关晶体管和电压跟随晶体管；其中，

所述第一开关晶体管，其栅极与复位控制端相连，第一极与第一参考电压端相连，第二极与第一节点相连；

所述第二开关晶体管，其栅极与所述指纹识别检测电路的扫描信号端相连，第一极与所述电压跟随晶体管的第二极相连，第二极与所述指纹识别检测电路的信号输出端相连；

所述电压跟随晶体管，其栅极与所述第一节点相连，第一极与第二参考电压端相连；

所述光敏二极管，其阳极与第三参考电压端相连，阴极与所述第一节点相连；

所述第一开关晶体管为金属氧化物晶体管，所述第二开关晶体管和所述电压跟随晶体管均为低温多晶硅晶体管。

2.如权利要求1所述的指纹识别检测电路，其特征在于，所述第二开关晶体管和所述电压跟随晶体管具有相同功能的膜层同层设置。

3.如权利要求2所述的指纹识别检测电路，其特征在于，所述第二开关晶体管的第一极与所述电压跟随晶体管的第二极由同一电极形成。

4.如权利要求2所述的指纹识别检测电路，其特征在于，所述第一开关晶体管的栅极与所述第二开关晶体管的栅极同层设置；和/或

所述第一开关晶体管的第一极与所述第二开关晶体管的第一极同层设置。

5.如权利要求2所述的指纹识别检测电路，其特征在于，所述第一开关晶体管位于所述第二开关晶体管的上方或下方。

6.如权利要求1-5任一项所述的指纹识别检测电路，其特征在于，还包括：第三开关晶体管；其中，

所述第三开关晶体管为金属氧化物晶体管；

所述第三开关晶体管，其栅极与补偿信号端相连，第一极与所述第一开关晶体管的第二极相连，第二极与所述第一节点相连，且所述第三开关晶体管的第一极与第二极相连；

所述复位控制端的电位与所述补偿信号端的电位相反。

7.如权利要求6所述的指纹识别检测电路，其特征在于，所述第一开关晶体管的宽长比与所述第三开关晶体管的宽长比之间的比值为2:1。

8.如权利要求6所述的指纹识别检测电路，其特征在于，还包括位于所述复位控制端与所述补偿信号端之间的反相器。

9.如权利要求6所述的指纹识别检测电路，其特征在于，所述第一开关晶体管和所述第三开关晶体管具有相同功能的膜层同层设置。

10.如权利要求1-5任一项所述的指纹识别检测电路，其特征在于，所述第一参考电压端与所述第二参考电压端为同一电压端。

11.一种触摸屏，其特征在于，包括如权利要求1-10任一项所述的指纹识别检测电路，以及与各行所述指纹识别检测电路的复位控制端相连的第一扫描线，与各行所述指纹识别检测电路的扫描信号端相连的第二扫描线，与各列所述指纹识别检测电路的信号输出端相连的读取线。

12.如权利要求11所述的触摸屏，其特征在于，还包括：电流源和信号处理电路；其中，

所述电流源的第一端通过所述读取线与所述指纹识别检测电路的信号输出端相连以及与所述信号处理电路相连，所述电流源的第二端与第四参考电压端相连；

所述信号处理电路用于根据所述指纹识别检测电路的信号输出端输出的信号进行指纹识别。

13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求11或12所述的触摸屏。