CN112466916B - 显示面板的屏内传感器件结构及显示装置 - Google Patents

显示面板的屏内传感器件结构及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112466916B
CN112466916B CN202011298874.1A CN202011298874A CN112466916B CN 112466916 B CN112466916 B CN 112466916B CN 202011298874 A CN202011298874 A CN 202011298874A CN 112466916 B CN112466916 B CN 112466916B
Authority
CN
China
Prior art keywords
film transistor
control thin
thin film
layer
sensing device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011298874.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112466916A (zh
Inventor
陆磊
张盛东
王鹏飞
王云萍
廖聪维
周晓梁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Peking University Shenzhen Graduate School
Original Assignee
Peking University Shenzhen Graduate School
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Peking University Shenzhen Graduate School filed Critical Peking University Shenzhen Graduate School
Priority to CN202011298874.1A priority Critical patent/CN112466916B/zh
Publication of CN112466916A publication Critical patent/CN112466916A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112466916B publication Critical patent/CN112466916B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

一种显示面板的屏内传感器件结构及显示装置，包括衬底、以及位于所述衬底上的第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层，第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层不同时形成，也就是将显示器件的控制器件和传感器件的控制器件做在同一衬底上，但两种器件的所对应的控制TFT，即第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层设计在不同层内，使传感器件自身及其控制TFT都有足够版图布置面积，使得更好的发挥应用，同时能够降低工艺复杂性，还能够使得该显示面板的屏内传感器件结构达到更好地实际应用。

Description

显示面板的屏内传感器件结构及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板的屏内传感器件结构及显示装置。
背景技术
基于TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列的平板显示技术是当今显示技术的主流，这主要是因为TFT的加工工艺相对简单，工艺成本低廉，适合于大面积生产。随着TFT平板显示技术的发展，越来越多的显示驱动及其它功能模块可能采用TFT集成电路实现。将行列驱动电路、电源电路、光电传感电路等以TFT为主要元件制作从而集成于显示面板上，能够形成屏上SoP(System on Panel，系统集成)。例如，在显示面板中集成光学传感器以实现光学指纹识别功能。
在传统的显示面板的传感技术中，显示指纹识别的显示面板，多为屏下结构，即显示器件发射光照到指纹，指纹反射光被屏下感光器件识别，显示器件和传感器件需各自加工，之后用OCA胶(Optically Clear Adhesive，光学胶)将显示器件层和传感器件层贴合，工艺复杂且只能用在OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管显示面板)上。现有技术中，提出一种屏内结构的传感器件，其将显示器件和传感器件做在同一衬底上，较传统技术能够适当降低工艺的复杂性，但由于该技术中显示器件和传感器件做在同一衬底上时，显示器件的控制TFT和传感器件的控制TFT位于同一层内，受实际版图布线面积的制约，使得显示器件的控制TFT和传感器件的控制TFT的电路设计受到限制，无法实现应有效果，从而，现有技术中的屏内传感器件因受工艺及布线限制，得不到很好地实际应用。
因此，需要提供一种应用在显示面板中的传感器结构或方法，能够降低工艺复杂性的同时，还能够使得显示器件能够更好地实际应用。
发明内容
本发明提供一种显示面板的屏内传感器件结构，降低其工艺复杂性的同时，降低屏内传感器件因受工艺及布线的限制，使其得到更好的实际应用。
根据第一方面，一种实施例中提供一种显示面板的屏内传感器件结构，包括：衬底；以及位于所述衬底上的第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层，所述第一控制薄膜晶体管层和所述第二控制薄膜晶体管层分别位于不同层，其中，所述第一控制薄膜晶体管层上连接有显示器件，所述第二控制薄膜晶体管层上连接有传感器件；
所述第一控制薄膜晶体管层中具有第一控制薄膜晶体管，所述第一控制薄膜晶体管用于向所述显示器件发送或接收信号；所述第二控制薄膜晶体管层中具有第二控制薄膜晶体管，所述第二控制薄膜晶体管用于向所述传感器件发送或接收信号。
一些实施例中，所述第一控制薄膜晶体管包括设置在所述衬底上的第一有源层，所述第二控制薄膜晶体管包括设置在所述衬底上的第二有源层，所述第一有源层的材料与所述第二有源层的材料不同。
一些实施例中，所述第二有源层的材料为非金属氧化物、非晶硅、石墨烯、二硫化钼或碳纳米管。
一些实施例中，所述第一控制薄膜晶体管中还包括：第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一栅极与所述第一有源层之间具有介质层，所述第一源极或第一漏极上连接金属互联层；
所述第二控制薄膜晶体管中还包括：第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二栅极与所述第二有源层之间具有介质层，所述第二源极或第二漏极上连接金属互联层。
一些实施例中，所述第二栅极为顶栅结构、底栅结构、单栅结构或双栅结构。
一些实施例中，所述第一控制薄膜晶体管层和所述第二控制薄膜晶体管层分别位于所述衬底的两面；
或者，
所述第一控制薄膜晶体管层位于所述衬底的一面上，所述第二控制薄膜晶体管层位于所述第一控制薄膜晶体管层的表面；
或者，
所述第二控制薄膜晶体管层位于所述衬底的一面上，所述第一控制薄膜晶体管层位于所述第二控制薄膜晶体管层的表面。
一些实施例中，所述第一控制薄膜晶体管层和所述第二控制薄膜晶体管层之间具有隔离层。
一些实施例中，所述显示器件为OLED、QLED、Mini-LED、Micro-LED；所述传感器件为光感器件、压感器件或温感器件。
一些实施例中，所述衬底为刚性材料或柔性材料，所述刚性材料包括硅或玻璃；所述柔性材料包括PI或PET。
根据第二方面，一种实施例中提供一种显示装置，包括显示面板，所述显示面板包括衬底、第一控制薄膜晶体管层、显示器件、第二控制薄膜晶体管层以及传感器件；所述第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层位于所述衬底上，且分别位于不同层，所述第一控制薄膜晶体管层与所述显示器件通过金属互联层连接，所述第二控制薄膜晶体管层与所述传感器件通过金属互联层连接，所述第一控制薄膜晶体管层中具有第一控制薄膜晶体管，所述第一控制薄膜晶体管用于向所述显示器件发送或接收第一信号；所述第二控制薄膜晶体管层中具有第二控制薄膜晶体管，所述第二控制薄膜晶体管用于向所述传感器件发送或接收第二信号。
依据上述实施例的一种屏内传感器件结构或显示装置，由于将显示器件和传感器件做在同一衬底上，并将两种器件的所对应的控制TFT，即第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层设计在不同层内，使传感器件自身及其控制TFT都有足够版图布置面积，能够降低工艺复杂性的同时，还能够使得显示器件能够更好地实际应用。
附图说明
图1为现有技术中的屏内传感器件结构示意图；
图2为本发明一种实施例提供的一个像素点的俯视结构示意图；
图3为本发明一种实施例提供的屏内传感器件的剖面结构示意图；
图4为本发明另一种实施例提供的屏内传感器件的剖面结构示意图；
图5为本发明又一种实施例提供的屏内传感器件的剖面结构示意图；
图6为本发明再一种实施例提供的屏内传感器件的剖面结构示意图；
图7为本发明一种实施例提供的显示面板示意图。
衬底100，第一控制薄膜晶体管层200，第二控制薄膜晶体管层300，显示器件210，传感器件310，第一有源层202，第一栅极204，第一源极205，第一漏极206，介质层203，金属互联层500，绝缘层400，扫描线220，数据线230，读取线320，第二有源层301，第二栅极302，第二源极303，第二漏极304，像素结构PIXEL，栅极驱动芯片A，源极驱动芯片B。
具体实施方式
下面通过具体实施方式结合附图对本发明作进一步详细说明。其中不同实施方式中类似元件采用了相关联的类似的元件标号。在以下的实施方式中，很多细节描述是为了使得本申请能被更好的理解。然而，本领域技术人员可以毫不费力的认识到，其中部分特征在不同情况下是可以省略的，或者可以由其他元件、材料、方法所替代。在某些情况下，本申请相关的一些操作并没有在说明书中显示或者描述，这是为了避免本申请的核心部分被过多的描述所淹没，而对于本领域技术人员而言，详细描述这些相关操作并不是必要的，他们根据说明书中的描述以及本领域的一般技术知识即可完整了解相关操作。
另外，说明书中所描述的特点、操作或者特征可以以任意适当的方式结合形成各种实施方式。同时，方法描述中的各步骤或者动作也可以按照本领域技术人员所能显而易见的方式进行顺序调换或调整。因此，说明书和附图中的各种顺序只是为了清楚描述某一个实施例，并不意味着是必须的顺序，除非另有说明其中某个顺序是必须遵循的。
本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。
由背景技术可知，现有技术中的屏内结构的传感器件因受工艺及布线限制，制造工艺复杂，得不到很好地实际应用。
经分析可知，有两个主要问题：一是显示器件的控制薄膜晶体管(TFT)和传感器件的控制TFT在同一层内，受实际版图布线面积制约，传感器面积较小，其控制TFT电路也过于简单，使得信号的读取和放大效果较差。二是传感器件的控制TFT目前采用的低温多晶硅(LTPS)TFT，其较大的漏电流导致传感信号噪声大。这两个问题导致目前屏内传感器件得不到很好地实际应用，如图1所示，图1中显示器件的控制TFT10与传感器件的控制TFT20在同一层内，由于受实际版图布线面积制约，显示器件的控制TFT10与传感器件的控制TFT20的电路只能设计很简单，会使得信号的读取和放大效果较差，其次，由于显示器件的控制TFT10与传感器件的控制TFT20在同一层内，显示器件的控制TFT10的有源层和传感器件的控制TFT20的有源层材料是相同，具有较大的漏电流。
在本发明实施例中，将显示器件和传感器件做在同一背板上，并将两种器件的控制TFT设计在不同层内，使传感器件自身及其控制TFT都有足够版图布置面积，同时还可将传感器件的控制TFT的有源层替换为与显示器件控制TFT的有源层不同的非晶金属氧化物(a-MO)等，能够改善传感器件效果。
图2为本实施例中提供的一个像素点的俯视结构示意图，图3至图6为本发明提供的屏内传感器件的剖面结构示意图。请结合参考图2和图6，本实施例提供一种屏内传感器件结构，用于显示面板，包括衬底100、以及位于所述衬底100上的第一控制薄膜晶体管层200和第二控制薄膜晶体管层300。
所述衬底100可以为刚性材料，也可以为柔性材料。
本实施例中，当所述衬底100为刚性材料时，可以是硅，也可以是玻璃；当所述衬底100为柔性材料时，可以是PI(聚酰亚胺)或PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)。
所述第一控制薄膜晶体管层200和所述第二控制薄膜晶体管层300分别位于不同层，其中，所述第一控制薄膜晶体管层200上连接有显示器件210，所述显示器件用于显示信息，例如显示对应的图像信息。
本实施例中，在所述衬底100上形成好第一控制薄膜晶体管层200之后，再在其上形成所述第二控制薄膜晶体管层300，或者，在所述衬底100上形成好所述第二控制薄膜晶体管层300之后，再在其上形成所述第一控制薄膜晶体管层200，因为，当所述第二控制薄膜晶体管层300和所述第一控制薄膜晶体管层200在同一个衬底上并分开形成在不同的层上时，所述第二控制薄膜晶体管层300和所述第一控制薄膜晶体管层200之间的电路布线空间彼此不受影响，彼此都能够有足够的空间进行布线设计，能够使得整个器件结构的效果更好。
所述第二控制薄膜晶体管层300上连接有传感器件310，所述传感器件310用于感应外部环境信息。例如，传感器件310感应外部的光信息时，所述显示器件210显示对应的图形。
本实施例中，所述第一控制薄膜晶体管层200中具有第一控制薄膜晶体管，所述第一控制薄膜晶体管的个数可以是多个，设计成控制电路器件，所述第一控制薄膜晶体管用于向所述显示器件210发送或接收信号。
本实施例中，所述第一控制薄膜晶体管为显示器件210的控制器件。所述第一控制薄膜晶体管所发送或接收的信号可以是向所述显示器件210施加的驱动信号或显示信号。
所述第一控制薄膜晶体管包括设置在所述衬底100上的第一有源层202，所述第一控制薄膜晶体管中还包括：第一栅极204、第一源极205和第一漏极206，所述第一栅极204与所述第一有源层202之间具有介质层203，所述第一源极205或第一漏极206上连接金属互联层500。
需要说明的是，所述第一源极205和第一漏极206的位置不做限定，当对应位置具有源极功能时，为第一源极205，当对应位置具有漏极功能时，为第一漏极206。所述第一栅极204与所述第一有源层202之间的介质层203为栅介质层，例如可以是二氧化硅，所述第一栅极204、第一源极205和第一漏极206之间均形成有绝缘层400，所述绝缘层400可以是氧化硅或其他介质材料。
所述第一控制薄膜晶体管通过所述金属互联层500与所述显示器件210连接，金属互联层500也形成在绝缘层400中，本实施例中所述第一控制薄膜晶体管中的所述第一漏极206通过所述金属互联层500与所述显示器件210连接。
可以结合参考图2，所述显示器件210(DISLAY)与所述扫描线220以及数据线230连接，具体可以是所述第一控制薄膜晶体管中的所述第一栅极204与扫描线220连接，所述第一源极205或第一漏极206与数据线230连接，所述第一漏极206或第一源极205与像素电极连接。
本实施例中，所述显示器件210为OLED。
在其他实施例中，所述显示器件还可以为QLED、Mini-LED或Micro-LED。
本实施例中，所述第二控制薄膜晶体管层300中具有第二控制薄膜晶体管，所述第二控制薄膜晶体管的个数可以是多个，组成控制电路器件，所述第二控制薄膜晶体管可以向所述传感器件310发送或接收信号。
本实施例中，所述第二控制薄膜晶体管是所述传感器件的控制器件，所述第二控制薄膜晶体管包括设置在所述衬底上的第二有源层301，还包括第二栅极302、第二源极303和第二漏极304，所述第二栅极302与所述第二有源层301之间具有介质层，所述第二源极303或第二漏极304上可以连接金属互联层。
需要说明的是，所述第二源极303和第二漏极304的位置不做限定，当对应位置具有源极作用时，为第二源极303；当对应位置具有漏极作用时，为第二漏极304。所述第二栅极302与所述第二有源层301之间的介质层为栅介质层，可以是二氧化硅。所述第二栅极302、第二源极303和第二漏极304之间均形成有绝缘层400，所述绝缘层400可以是氧化硅。所述第二控制薄膜晶体管通过所述金属互联层500与所述传感器件310连接，金属互联层500也形成在绝缘层400中，本实施例中所述第二控制薄膜晶体管中的所述第二漏极304通过所述金属互联层500与传感器件310连接。
可以结合参考图2，所述传感器件310(SENSE)与所述扫描线220以及读取线320连接，具体可以是所述第二控制薄膜晶体管中的所述第二栅极302与扫描线220连接，所述第二源极303或所述第二漏极304与读取线320连接，所述第二漏极304或所述第二源极303与感应器件310连接。
本实施例中，所述第二栅极302可以为顶栅结构、底栅结构、单栅结构或双栅结构。由于所述第二控制薄膜晶体管的性能对所述传感器件310的传感效果会产生明显的影响，改善所述第二栅极302的结构可以提升所述第二控制薄膜晶体管的性能，从而提升所述传感器件310的传感效果。
可以参考图5，图5所示的结构中，所述第二栅极302为双栅结构，即在所述第二有源层301的上下两侧均设有相互联通的栅极，从而使两栅极在第二有源层301处产生的垂直电场相互抵消，使载流子主要集中在第二有源层301的中间位置，进而能够有效抑制第二有源层301界面处的缺陷。
在一些实施例中，所述第二栅极302还可以为浮栅结构，浮栅结构是由多晶硅构成的独立结构，不与栅极等其他结构电连接；当栅极带电时，由于热电子等的作用，浮栅也会带电并形成电场，从而能够改善所述第二控制薄膜晶体管的导通性能。
本实施例中，所述第一有源层202的材料与所述第二有源层301的材料不同。由于所述第一控制薄膜晶体管层200和所述第二控制薄膜晶体管层300分别位于不同层，因此，所述第一控制薄膜晶体管中的第一有源层202和所述第二控制薄膜晶体管中的第二有源层301可以选用不同的材料，并且可以选取对各自性能有所提升的有源层材料。
经分析可知，连接所述传感器件310的第二控制薄膜晶体管的漏电流越小，其传感噪声就会越小，本实施例中，所述第二有源层301为非金属氧化物(a-MO)时，能够降低第二控制薄膜晶体管的漏电流，改善传感器件310的传感效果。
在其他实施例中，所述第二有源层301的材料还可以为非晶硅、石墨烯、二硫化钼或碳纳米管等。
本实施例中，所述传感器件310为光感器件，例如，所述第二控制薄膜晶体管是连接光感器件的TFT控制器件，当屏幕上光线变化时，可以控制显示面板。
在其他实施例中，所述传感器件310还可以为压感器件或温感器件。
本实施例中，所述第一控制薄膜晶体管层200和所述第二控制薄膜晶体管层300位于所述衬底100的同一面。可以参考图3、图4和图5，所述第一控制薄膜晶体管层200位于所述衬底100的上方，所述第二控制薄膜晶体管层300位于所述第一控制薄膜晶体管层200的上方；可以参考图6，所述第二控制薄膜晶体管层300位于所述衬底100的上方，所述第一控制薄膜晶体管层200位于所述第二控制薄膜晶体管层300的上方。例如，可以是，首先在衬底上形成第一控制薄膜晶体管层200，然后可以在其上沉积绝缘层，然后在绝缘层上形成所述第二控制薄膜晶体管层300；还可以是，首先在衬底上形成第一控制薄膜晶体管层200，在形成第一控制薄膜晶体管层200的源漏极的那一层上直接开始布置形成所述第二控制薄膜晶体管层300。
在一些实施例中，还可以是所述第一控制薄膜晶体管层200和所述第二控制薄膜晶体管层300分别位于所述衬底100的正反两面上，此种结构，可以实现所述传感器件310和所述显示器件210分别在两个面的情况。
请继续参考图3，本实施例中所述第一控制薄膜晶体管层200和所述第二控制薄膜晶体管层300之间具有隔离层201，具体可以是，所述第一控制薄膜晶体管层200位于所述第二控制薄膜晶体管层300的底部，当在所述衬底100上形成好所述第一控制薄膜晶体管层200之后，在所述第一控制薄膜晶体管层200上还形成有所述隔离层201，然后将所述第二控制薄膜晶体管层300形成在所述隔离层201之上。
所述第一控制薄膜晶体管层200和所述第二控制薄膜晶体管层300之间具有隔离层201，还可以是，所述第二控制薄膜晶体管层300位于所述第一控制薄膜晶体管层200的底部或下方，且所述隔离层201位于所述第二控制薄膜晶体管层300和所述第一控制薄膜晶体管层200之间。具体的，可以在所述衬底100的表面上形成第二控制薄膜晶体管层300，然后在第二控制薄膜晶体管层300形成隔离层201，最后在所述隔离层201上形成第一控制薄膜晶体管层200。
需要说明的是，无论所述第一控制薄膜晶体管层200和所述第二控制薄膜晶体管层300的相对位置是怎样的，均通过金属互联层将与之对应的显示器件或传感器件连接即可。
图3为另一个实施例中提供的屏内传感器件的剖面结构示意图，请参考图4，所述第一控制薄膜晶体管层200和所述第二控制薄膜晶体管层300之间没有隔离层，可以理解为，所述第一控制薄膜晶体管层200中的第一栅极204和所述第二控制薄膜晶体管层300中的第二栅极302位于同一层上，具体可以是所述第一控制薄膜晶体管层200和所述第二控制薄膜晶体管层300共用栅极层的情况，可以理解的是，当形成此种屏内传感器件的结构时，可以节约部分工艺，降低器件制作的工艺复杂度，可以提高工艺效率。
请结合参考图6，在一些实施例中，所述第二控制薄膜晶体管层300位于所述第一控制薄膜晶体管层200的下方，所述第二控制薄膜晶体管层300与所述第一控制薄膜晶体管层200之间没有隔离层，所述第二控制薄膜晶体管层300中第二源极和第二漏极所在平面的保护层可以起到所述第二控制薄膜晶体管层300和所述第一控制薄膜晶体管层200之间的隔离作用。
参考图7，本实施例中，还提供一种显示面板，所述显示面板中包括多个像素结构PIXEL，其包括上述中屏内传感器件结构。
所述屏内传感器件结构包括衬底、第一控制薄膜晶体管层、显示器件、第二控制薄膜晶体管层以及传感器件。所述第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层位于所述衬底上，且分别位于不同层，所述第一控制薄膜晶体管层与所述显示器件通过金属互联层连接，所述第二控制薄膜晶体管层与所述传感器件通过金属互联层连接，所述第一控制薄膜晶体管层中具有第一控制薄膜晶体管，所述第一控制薄膜晶体管用于向所述显示器件发送或接收第一信号；所述第二控制薄膜晶体管层中具有第二控制薄膜晶体管，所述第二控制薄膜晶体管用于向所述传感器件发送或接收第二信号。
还包括用于驱动所述像素结构PIXEL中栅极的栅极驱动芯片A，以及用于驱动所述像素结构PIXRL中源极的源极驱动芯片B。另外，还可以包括电源单元，电源单元可以向显示面板供电。可以接收从外部装置发送的驱动电压，并且可以产生并提供用于显示面板、驱动电路等的电压。
本实施例中，由于，将显示器件和传感器件做在同一背板，即同一衬底上，并将两种器件的控制TFT设计在不同层，使传感器件自身及其控制TFT都有足够版图布置面积，提高可实施性，同时还可将传感器件的控制TFT的有源层替换为与显示器件控制TFT的有源层不同的非晶金属氧化物(a-MO)等，改善传感器件效果，从而提高显示面板性能。
以上应用了具体个例对本发明进行阐述，只是用于帮助理解本发明，并不用以限制本发明。对于本发明所属技术领域的技术人员，依据本发明的思想，还可以做出若干简单推演、变形或替换。

Claims (7)

1.一种显示面板的屏内传感器件结构，其特征在于，包括：
衬底；
以及位于所述衬底上的第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层，所述第一控制薄膜晶体管层和所述第二控制薄膜晶体管层分别位于所述衬底的两面，其中，所述第一控制薄膜晶体管层上连接有显示器件，所述显示器件用于显示信息，所述第二控制薄膜晶体管层上连接有传感器件，所述传感器件用于感应外部环境信息；
所述第一控制薄膜晶体管层中具有第一控制薄膜晶体管，所述第一控制薄膜晶体管用于向所述显示器件发送或接收信号；所述第二控制薄膜晶体管层中具有第二控制薄膜晶体管，所述第二控制薄膜晶体管用于向所述传感器件发送或接收信号；所述第一控制薄膜晶体管包括设置在所述衬底上的第一有源层，所述第二控制薄膜晶体管包括设置在所述衬底上的第二有源层，所述第一有源层的材料与所述第二有源层的材料不同，且所述第二有源层的材料为石墨烯、二硫化钼或碳纳米管。
2.如权利要求1所述的屏内传感器件结构，其特征在于，所述第一控制薄膜晶体管中还包括：第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一栅极与所述第一有源层之间具有介质层，所述第一源极或第一漏极上连接金属互联层；
所述第二控制薄膜晶体管中还包括：第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二栅极与所述第二有源层之间具有介质层，所述第二源极或第二漏极上连接金属互联层。
3.如权利要求2所述的屏内传感器件结构，其特征在于，所述第二栅极为顶栅结构、底栅结构、单栅结构或双栅结构。
4.如权利要求1所述的屏内传感器件结构，其特征在于，所述第一控制薄膜晶体管层和所述第二控制薄膜晶体管层之间具有隔离层。
5.如权利要求1所述的屏内传感器件结构，其特征在于，所述显示器件为OLED、QLED、Mini-LED、Micro-LED；所述传感器件为光感器件、压感器件或温感器件。
6.如权利要求1所述的屏内传感器件结构，其特征在于，所述衬底为刚性材料或柔性材料，所述刚性材料包括硅或玻璃；所述柔性材料包括PI或PET。
7.一种显示装置，其特征在于，包括显示面板，所述显示面板包括衬底、第一控制薄膜晶体管层、显示器件、第二控制薄膜晶体管层以及传感器件；
所述第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层位于所述衬底上，所述第一控制薄膜晶体管层和所述第二控制薄膜晶体管层分别位于所述衬底的两面，所述第一控制薄膜晶体管层与所述显示器件通过金属互联层连接，所述第二控制薄膜晶体管层与所述传感器件通过金属互联层连接，所述第一控制薄膜晶体管层中具有第一控制薄膜晶体管，所述第一控制薄膜晶体管用于向所述显示器件发送或接收第一信号；所述第二控制薄膜晶体管层中具有第二控制薄膜晶体管，所述第二控制薄膜晶体管用于向所述传感器件发送或接收第二信号；所述第一控制薄膜晶体管包括设置在所述衬底上的第一有源层，所述第二控制薄膜晶体管包括设置在所述衬底上的第二有源层，所述第一有源层的材料与所述第二有源层的材料不同，且所述第二有源层的材料为石墨烯、二硫化钼或碳纳米管。
CN202011298874.1A 2020-11-19 2020-11-19 显示面板的屏内传感器件结构及显示装置 Active CN112466916B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011298874.1A CN112466916B (zh) 2020-11-19 2020-11-19 显示面板的屏内传感器件结构及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011298874.1A CN112466916B (zh) 2020-11-19 2020-11-19 显示面板的屏内传感器件结构及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112466916A CN112466916A (zh) 2021-03-09
CN112466916B true CN112466916B (zh) 2023-02-07

Family

ID=74836938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011298874.1A Active CN112466916B (zh) 2020-11-19 2020-11-19 显示面板的屏内传感器件结构及显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112466916B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113571532A (zh) * 2021-07-14 2021-10-29 惠州华星光电显示有限公司 Tft背板与led显示面板及其制作方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4997691B2 (ja) * 2004-08-25 2012-08-08 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタパネル及びその製造方法
CN106654067A (zh) * 2017-01-11 2017-05-10 京东方科技集团股份有限公司 触控基板及其制备方法、显示装置
CN110729309B (zh) * 2019-09-27 2022-03-08 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法以及显示装置
CN110808272B (zh) * 2019-11-14 2022-01-18 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN111129091A (zh) * 2019-12-18 2020-05-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、oled触控显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN112466916A (zh) 2021-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11545088B2 (en) Display panel and display device
CN108155195B (zh) 显示设备
US11380257B2 (en) Display panel and display device
KR102676492B1 (ko) 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 표시패널
US10585514B2 (en) Pixel circuit, display panel and driving method thereof
WO2016165189A1 (zh) Tft布局结构
US9881983B2 (en) Organic light-emitting diode display
US20240212603A1 (en) Pixel driving circuit, driving method thereof and display panel
WO2018040492A1 (zh) Amoled显示装置及其阵列基板
US20140085560A1 (en) Display device
KR20200076302A (ko) 표시 패널 및 표시 장치
CN112466916B (zh) 显示面板的屏内传感器件结构及显示装置
CN115000092A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
US20240194134A1 (en) Display Substrate and Preparation Method Thereof, Display Apparatus
CN112599540B (zh) 阵列基板及其制备方法、显示面板
US8248565B2 (en) Active device array substrate
CN112466915A (zh) 显示面板的屏内传感器件结构及显示装置
CN115394201B (zh) 显示面板和显示装置
WO2024007435A1 (zh) 显示面板
CN113450715B (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN113655919A (zh) 内嵌式的oled触控显示面板
CN116544244B (zh) 阵列基板以及显示面板
KR102486147B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 전자장치
WO2024000442A1 (zh) 显示面板及显示装置
US20240231519A9 (en) Display apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant