CN110729182A - 一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法及生长结构 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法，包括以下步骤：提供一基板，在该基板上形成具有极性的二维材料层；在二维材料层上形成一层石墨烯层，该石墨烯层为单层结构；在单层的石墨烯层的表面生长氮化物厚膜；通过机械剥离的方式去除基板；通过研磨抛光处理的方式去除二维材料层和石墨烯层，并获得平整的氮化物厚膜，该平整的氮化物厚膜即为自支撑氮化物衬底。该方法可以实现在无缺陷的石墨烯表面生长氮化物厚膜，可以有效降低界面处缺陷，从而提高自支撑氮化物衬底的晶体质量。

Description

一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法及生长结构
技术领域
本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法及生长结构。
背景技术
目前在制作衬底时，一般采用在石墨烯上直接生长氮化物，但是由于石墨烯表面缺乏悬挂键，导致氮化物成核困难。通常，为了促进氮化物成核，通过刻蚀等工艺引入石墨烯表面缺陷。但是石墨烯表面存在的缺陷使得该方法最终形成的氮化物薄膜存在大量晶界、层错、位错等缺陷，一般位错密度大于1×109cm-2，氮化物晶体的质量无法保证。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法及生长结构，该方法可以实现在无缺陷的石墨烯表面生长氮化物厚膜，可以有效降低界面处缺陷，从而提高自支撑氮化物衬底的晶体质量。
为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本发明通过以下技术方案实现：一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法，包括以下步骤：
提供一基板，在该基板上形成具有极性的二维材料层；
在二维材料层上形成一层石墨烯层，该石墨烯层为单层结构；
在单层的石墨烯层的表面生长氮化物厚膜；
通过机械剥离的方式去除基板；
通过研磨抛光处理的方式去除二维材料层和石墨烯层，并获得平整的氮化物厚膜，该平整的氮化物厚膜即为自支撑氮化物衬底。
其中，所述二维材料层为单层或多层结构。
优选的，所述二维材料层的材料为氮化硼、二硫化钼、二硫化钨中的一种。
优选的，所述氮化物厚膜是通过HVPE、MOCVD或MBE工艺形成。
优选的，所述氮化物厚膜的厚度为200～1000微米。
优选的，所述氮化物厚膜的材料选自氮化镓、氮化铝、氮化铟中的一种或两种以上的组合。
优选的，所述氮化物厚膜的位错密度低于105cm-2。
本发明还提供了一种高质量自支撑氮化物衬底的生长结构，包括一基板，该基板上生长有具有极性的二维材料层，该二维材料层上生长有一层石墨烯层，该石墨烯层为单层结构，该单层的石墨烯层的表面生长有氮化物厚膜。
优选的，所述二维材料层为单层或多层结构。
优选的，所述氮化物厚膜的厚度为200～1000微米。
本发明的有益效果是：本发明采用基板作为支撑，然后在二维材料层上形成石墨烯层，且石墨烯层为单层结构，从而利用二维材料极性的特征，与没有极性的单层石墨烯结合，可以改变单层石墨烯表面电偶极矩，增加其表面自由能，实现石墨烯表面真正的范德瓦尔斯外延；该方法不是采用传统的人为刻蚀石墨烯表面以形成缺陷的方法来实现氮化物的生长，而是利用两种不同的二维材料结合，获得三维材料的性质，实现范德瓦尔斯外延的效果，然后再实现氮化物的生长；其中的石墨烯层必须为单层结构，如果为多层，下方的二维材料的极性则无法改变石墨烯表面的电偶极矩。
本发明可以实现在无缺陷的石墨烯表面生长氮化物，可以有效的降低界面处缺陷，提高氮化物晶体质量，从而获得高质量自支撑氮化物衬底。
附图说明
图1为本发明一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法的步骤示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法，包括以下步骤：
提供一基板，在该基板上形成具有极性的二维材料层；
在二维材料层上形成一层石墨烯层，该石墨烯层为单层结构；
在单层的石墨烯层的表面生长氮化物厚膜；
通过机械剥离的方式去除基板；
通过研磨抛光处理的方式去除二维材料层和石墨烯层，并获得平整的氮化物厚膜，该平整的氮化物厚膜即为自支撑氮化物衬底。
其中，所述二维材料层为单层或多层结构。
其中，所述二维材料层的材料为氮化硼、二硫化钼、二硫化钨或其它具有极性的二维材料中的一种。
其中，所述氮化物厚膜是通过外延生长技术形成；该外延生长技术包括H VPE(氢化物气相外延)、MOCVD(金属有机化学气相沉积)或MBE工艺(分子束外延)。
其中，所述氮化物厚膜的厚度为200～1000微米。
其中，所述氮化物厚膜的材料选自氮化镓、氮化铝、氮化铟中的一种或两种以上的组合。
其中，所述氮化物厚膜的位错密度低于105cm-2。
本发明还提供了一种高质量自支撑氮化物衬底的生长结构，该生长结构包括一基板1，该基板1上生长有具有极性的二维材料层2，该二维材料层2上生长有一层石墨烯层3，该石墨烯层3为单层结构，该单层的石墨烯层3的表面生长有氮化物厚膜4。
其中，所述二维材料层2为单层或多层结构。
其中，所述氮化物厚膜4的厚度为200～1000微米。
实施例
如图1所示，该实施例的一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法，包括以下步骤：
步骤一，提供一基板1，在该基板1上形成具有极性的二维材料层2；在该实施例中，该二维材料层2为多层结构；且该二维材料层2为氮化硼层；
步骤二，在氮化硼层上形成一层石墨烯层3，该石墨烯层3为单层结构；
步骤三，在单层的石墨烯层3的表面通过HVPE工艺外延生长氮化物厚膜4；该氮化物厚膜4的厚度为200微米；在本实施例中，该氮化物厚膜为氮化镓膜。
步骤四，通过机械剥离的方式去除基板1；
步骤五，对经过机械剥离后剩余的部分进行研磨抛光处理，以去除二维材料层2和石墨烯层3，并获得平整的氮化物厚膜4，该平整的氮化物厚膜4即为自支撑氮化物衬底。
本发明采用基板作为支撑，然后在二维材料层上形成石墨烯层，且石墨烯层为单层结构，从而利用二维材料极性的特征，与没有极性的单层石墨烯结合，可以改变单层石墨烯表面电偶极矩，增加其表面自由能，实现石墨烯表面真正的范德瓦尔斯外延；该方法不是采用传统的人为刻蚀石墨烯表面以形成缺陷的方法来实现氮化物的生长，而是利用两种不同的二维材料结合，获得三维材料的性质，实现范德瓦尔斯外延的效果，然后再实现氮化物的生长；其中的石墨烯层必须为单层结构，如果为多层，下方的二维材料的极性则无法改变石墨烯表面的电偶极矩。
本发明采用具有极性的二维材料与没有极性的单层石墨烯结合，并配合外延生长技术，可以实现高质量氮化物材料的生长，然后采用机械剥离、研磨抛光的方法，获得表面平整的自支撑氮化物衬底。本发明可以实现在无缺陷的石墨烯表面生长氮化物，可以有效的降低界面处缺陷，所获得的氮化物厚膜的位错密度低于105cm-2，提高氮化物晶体质量，从而获得高质量自支撑氮化物衬底。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基板，在该基板上形成具有极性的二维材料层；
在二维材料层上形成一层石墨烯层，该石墨烯层为单层结构；
在单层的石墨烯层的表面生长氮化物厚膜；
通过机械剥离的方式去除基板；
通过研磨抛光处理的方式去除二维材料层和石墨烯层，并获得平整的氮化物厚膜，该平整的氮化物厚膜即为自支撑氮化物衬底。
2.根据权利要求1所述的一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法，其特征在于，所述二维材料层为单层或多层结构。
3.根据权利要求1所述的一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法，其特征在于，所述二维材料层的材料为氮化硼、二硫化钼、二硫化钨中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法，其特征在于，所述氮化物厚膜是通过HVPE、MOCVD或MBE工艺形成。
5.根据权利要求1所述的一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法，其特征在于，所述氮化物厚膜的厚度为200～1000微米。
6.根据权利要求1所述的一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法，其特征在于，所述氮化物厚膜的材料选自氮化镓、氮化铝、氮化铟中的一种或两种以上的组合。
7.根据权利要求1所述的一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法，其特征在于，所述氮化物厚膜的位错密度低于105cm-2。
8.一种高质量自支撑氮化物衬底的生长结构，其特征在于，包括一基板，该基板上生长有具有极性的二维材料层，该二维材料层上生长有一层石墨烯层，该石墨烯层为单层结构，该单层的石墨烯层的表面生长有氮化物厚膜。
9.根据权利要求8所述的一种高质量自支撑氮化物衬底的生长结构，其特征在于，所述二维材料层为单层或多层结构。
10.根据权利要求8所述的一种高质量自支撑氮化物衬底的生长结构，其特征在于，所述氮化物厚膜的厚度为200～1000微米。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113078054A (zh) * 2021-03-25 2021-07-06 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种电极层的制备方法及半导体结构
CN113421865A (zh) * 2021-06-21 2021-09-21 南通大学 一种氮化镓基器件用散热衬底及其制备方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103985796A (zh) * 2013-02-05 2014-08-13 国际商业机器公司 电子器件
CN106048555A (zh) * 2016-05-30 2016-10-26 中国科学院半导体研究所 利用石墨烯插入层在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法
CN104538526B (zh) * 2014-12-24 2017-05-24 江苏巨晶新材料科技有限公司 一种基于铜衬底的氮化物led外延片结构及其制备方法
CN208256686U (zh) * 2018-04-27 2018-12-18 南京工业大学 一种用于生长半导体材料的衬底结构
CN109250693A (zh) * 2018-10-10 2019-01-22 深圳烯材科技有限公司 一种机械力插层剥离制备无机二维纳米材料的方法
CN109585269A (zh) * 2018-11-09 2019-04-05 北京大学 一种利用二维晶体过渡层制备半导体单晶衬底的方法
CN109841497A (zh) * 2017-11-28 2019-06-04 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种同质外延生长氮化镓的方法、氮化镓材料及应用
WO2019135827A1 (en) * 2018-01-02 2019-07-11 Nanotek Instruments, Inc. Anode particulates or cathode particulates for alkali metal batteries
CN110172732A (zh) * 2019-05-31 2019-08-27 北京大学 利用过渡金属氮化物牺牲层制备氮化物单晶衬底的方法
CN110265356A (zh) * 2019-06-21 2019-09-20 西安电子科技大学 基于石墨烯的氮化镓外延层剥离方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103985796A (zh) * 2013-02-05 2014-08-13 国际商业机器公司 电子器件
CN104538526B (zh) * 2014-12-24 2017-05-24 江苏巨晶新材料科技有限公司 一种基于铜衬底的氮化物led外延片结构及其制备方法
CN106048555A (zh) * 2016-05-30 2016-10-26 中国科学院半导体研究所 利用石墨烯插入层在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法
CN109841497A (zh) * 2017-11-28 2019-06-04 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种同质外延生长氮化镓的方法、氮化镓材料及应用
WO2019135827A1 (en) * 2018-01-02 2019-07-11 Nanotek Instruments, Inc. Anode particulates or cathode particulates for alkali metal batteries
CN208256686U (zh) * 2018-04-27 2018-12-18 南京工业大学 一种用于生长半导体材料的衬底结构
CN109250693A (zh) * 2018-10-10 2019-01-22 深圳烯材科技有限公司 一种机械力插层剥离制备无机二维纳米材料的方法
CN109585269A (zh) * 2018-11-09 2019-04-05 北京大学 一种利用二维晶体过渡层制备半导体单晶衬底的方法
CN110172732A (zh) * 2019-05-31 2019-08-27 北京大学 利用过渡金属氮化物牺牲层制备氮化物单晶衬底的方法
CN110265356A (zh) * 2019-06-21 2019-09-20 西安电子科技大学 基于石墨烯的氮化镓外延层剥离方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
徐昌一: "石墨烯应用于GaN基材料的研究进展 ", 《发光学报》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113078054A (zh) * 2021-03-25 2021-07-06 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种电极层的制备方法及半导体结构
CN113421865A (zh) * 2021-06-21 2021-09-21 南通大学 一种氮化镓基器件用散热衬底及其制备方法

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