CN106048555A - 利用石墨烯插入层在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法 - Google Patents
利用石墨烯插入层在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106048555A CN106048555A CN201610370844.4A CN201610370844A CN106048555A CN 106048555 A CN106048555 A CN 106048555A CN 201610370844 A CN201610370844 A CN 201610370844A CN 106048555 A CN106048555 A CN 106048555A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- glass substrate
- thin film
- aln
- extension
- graphene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 87
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 58
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 41
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000003780 insertion Methods 0.000 title abstract 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 title abstract 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- -1 graphite Alkene Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种利用石墨烯插入层在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法及该方法制成的AlN薄膜外延结构。所述方法包括：S1、在一临时衬底上生长单层石墨烯；S2、将所述临时衬底上的生长的单层石墨烯转移到所述玻璃衬底上；S3、在表面具有单层石墨烯的玻璃衬底上生长AlN薄膜。本发明利用石墨烯作为插入层，可以解决外延薄膜和非晶玻璃衬底晶格不匹配问题，为AlN外延提供模版，改善了在非晶衬底上外延AlN的薄膜质量。
Description
技术领域
本发明属于光电材料沉积领域，尤其涉及一种利用石墨烯插入层在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法，以提高在玻璃衬底上外延AlN薄膜的晶体质量。本发明也涉及使用该方法制成的AlN薄膜外延结构。
背景技术
当前，在全球气候变暖、环境污染问题严重的背景下，节约能源、减少污染排放是全人类面临的挑战。LED作为新一代固态光源，具有耗电量低、节能、环保、寿命长、高亮度、稳定性好的特点，是未来照明发展的方向。
目前，蓝宝石是用于LED外延的主要衬底，但是其价格昂贵，不能够大面积制备。而玻璃衬底价格低廉，可以大面积制备，而且透光、稳定，可以进行剥离转移，因此具有很大的研究价值。
玻璃属于非晶材料，同氮化物纤锌矿结构无法匹配，因此直接在玻璃上难以形成平坦的单晶薄膜。如果能够实现在玻璃衬底上高质量AlN的外延，那么就可以在此基础上外延高质量GaN基LED，对于降低LED制作成本，制备大面积LED具有重要意义。
发明内容
本发明旨在解决如何高质量地在玻璃衬底上外延AlN薄膜的问题。
为此，本发明提出一种在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法，包括如下步骤：
S1、在一临时衬底上生长单层石墨烯；
S2、将所述临时衬底上的生长的单层石墨烯转移到所述玻璃衬底上；
S3、在表面具有单层石墨烯的玻璃衬底上生长AlN薄膜。
根据本发明的具体实施方式，所述临时衬底为金属衬底；
根据本发明的具体实施方式，所述金属衬底为Cu箔。
根据本发明的具体实施方式，所述步骤S2包括：
S21、将所述单层石墨烯下方的临时衬底去除；
S22、将去除了临时衬底的单层石墨烯贴附在玻璃衬底上。
根据本发明的具体实施方式，所述临时衬底为金属衬底，所述步骤S21通过化学方法腐蚀去除所述金属衬底。
根据本发明的具体实施方式，所述金属衬底为Cu箔，所述步骤S21通过FeCl3溶液腐蚀去除所述Cu箔。
根据本发明的具体实施方式，所述玻璃衬底为石英玻璃。
根据本发明的具体实施方式，所述AlN薄膜包括AlN缓冲层和在AlN缓冲层之上的高温AlN层。
同时，本发明也提出一种AlN薄膜外延结构，其由上述在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法制成。
相比现有的技术，本发明利用石墨烯作为插入层，可以解决外延薄膜和非晶玻璃衬底晶格不匹配问题，为AlN外延提供模版，改善了在非晶衬底上外延AlN的薄膜质量。
附图说明
图1为本发明的在玻璃衬底上外延AlN的结构示意图；
图2为对比例和本发明的实施例的外延生长的AlN的X射线衍射(XRD)2R图谱；
图3为对比例外延生长的AlN的XRD摇摆曲线图谱；
图4为本发明的实施例的外延生长的AlN的XRD摇摆曲线图谱。
具体实施方式
为了克服现有技术的不足，本发明提出了一种利用石墨烯插入层来提高AlN薄膜质量的方法。其主要特点是利用转移石墨烯来作为生长模版，克服非晶玻璃衬底同AlN的失配，改善AlN的晶体质量。
图1为本发明的玻璃衬底上外延AlN的结构示意图。如图1所示，本发明的玻璃衬底和AlN层之前具有一个单层石墨烯层。
本发明的方案的主要步骤包括：
S1、在一临时衬底上生长单层石墨烯。
所述临时衬底可以是金属构成，例如Cu箔。可以采用现有的工艺来生长单层石墨烯，例如利用化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)技术。
S2、将所述临时衬底上的生长的单层石墨烯转移到所述玻璃衬底上。
本发明优选采用软化点较高的石英玻璃衬底。例如，作为具体实施例，可以采用直径为2英寸、厚度在300～500μm的石英玻璃圆片。石英玻璃圆片的表面需要进行单面抛光，表面粗糙度＜10nm。
在转移单层石墨烯之前，通常需要对玻璃衬底进行清洗。作为具体的实施方式，可以将玻璃衬底依次用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗10分钟，然后在超净间用氮气吹干。
作为一种优选方案，所述步骤S2的转移步骤具体包括如下步骤：
S21、将所述单层石墨烯下方的临时衬底去除。
当临时衬底为金属材料时，可以通过化学方法腐蚀去除。
S22、将去除了临时衬底的单层石墨烯贴附在玻璃衬底上。
作为一个实施例，步骤S2例如可以以如下方式进行。
1)配制百分比浓度为25％的FeCl3溶液，将其盛满于直径为20cm的平底洁净玻璃盘中，静置20min；
2)截取2cm×2cm的使用CVD生长了单层石墨烯的Cu箔片，将其展平后轻轻放在玻璃盘的FeCl3溶液表面，使其漂浮，静置2小时直到Cu箔被完全腐蚀干净，而单层石墨烯漂浮于液面；
3)用玻璃衬底小心的托起漂浮于FeCl3溶液表面的单层石墨烯薄膜，放在已经静置的洁净清水表面，清洗残留的Cu屑；
4)用玻璃衬底托起清洗干净的石墨烯薄膜，放在干净环境中自然晾干，最后，使石墨烯紧紧贴在玻璃衬底表面。
S3、在表面具有单层石墨烯的玻璃衬底上生长AlN薄膜。
该步骤可采用常规的生长AlN薄膜的工艺。
例如，作为一种实施方式，采用金属有机化学气相沉积(metal-organic chemicalvapor deposition。MOCVD)系统，将反应室抽真空，向反应室内通入氢气携带的三甲基铝(TMAl)、氨气，控制气体总压强和基底加热温度，生长AlN薄膜。
作为一种优选方案，所述步骤S3中生长室抽真空至8.0×10-4pa，生长温度750℃，TMAl流量为6sccm，NH3流量1000sccm，气体总压强为50Torr，生长低温AlN缓冲层80nm。
作为一种优选方案，所述步骤S3中生长高温AlN 300nm，生长温度1200℃，TMAl流量为50sccm，NH3流量1000sccm，气体总压强为50Torr。
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。
对比例
作为对比例，未使用石墨烯插入层，直接外延AlN薄膜，用作对比样品。
1)对玻璃衬底进行清洗，分别用丙酮、乙醇、去离子水超声10min，然后用氮气进行吹干，放入生长室。
2)采用用金属有机化学气相沉积(metal-organic chemical vapor deposition。MOCVD)系统，将反应室抽真空，向反应室内通入氢气携带的三甲基铝(TMAl)、氨气，控制气体总压强和基底加热温度，生长AlN薄膜。
所述步骤2)中生长室抽真空至8.0×10-4pa，生长温度750℃，TMAl流量为6sccm，NH3流量1000sccm，气体总压强为50Torr，生长低温AlN缓冲层80nm。接着，生长高温AlN300nm，生长温度1200℃，TMAl流量为50sccm，NH3流量1000sccm，气体总压强为50Torr。
实施例
1)对玻璃衬底进行清洗，分别用丙酮、乙醇、去离子水超声10min，然后用氮气进行吹干，放入氮气柜中以待下一步转移石墨烯。该实施例选中采用石英玻璃衬底，直径2英寸，厚度在300～500μm；对石英玻璃表面进行单面抛光，表面粗糙度＜10nm。
2.1)配制百分比浓度为25％的FeCl3溶液，将其盛满于直径在20cm的平底洁净玻璃盘中，静置20min；
2.2)截取2X2cm用CVD生长有石墨烯的Cu箔片，展平，轻轻放在溶液上，使其漂浮于表面，静置2h直到Cu箔被完全腐蚀干净，而石墨烯漂浮于液面；
2.3)用玻璃衬底小心的托起漂浮于液面的石墨烯薄膜，放在已经静置的洁净清水表面，清洗残留的Cu屑；
2.4)用玻璃衬底托起清洗干净的石墨烯薄膜，放在干净环境中自然晾干，最后石墨烯紧紧贴在玻璃衬底表面。
3)生长室抽真空至8.0×10-4pa，生长温度750℃，TMAl流量为6sccm，NH3流量1000sccm，气体总压强为50Torr，生长低温AlN缓冲层20nm。接着，生长高温AlN 300nm，生长温度1200℃，TMAl流量为50sccm，NH3流量1000sccm，气体总压强为50Torr。
对比例和本发明的实施例均完成后，进行X射线衍射图谱测试以表征晶体质量。
图2为对比例和本发明的实施例的外延生长的AlN的X射线衍射(XRD)2θ图谱。如图2所示，利用石墨烯插入层外延得到的AlN薄膜具有(0002)择优取向，而且(1-101)峰远远小于直接在玻璃衬底上外延的AlN，可见石墨烯插入层提高了AlN的晶体质量。
图3和图4分别为对比例和本发明的实施例的外延生长的AlN的XRD摇摆曲线图谱。如图3和图4所示，直接在玻璃衬底上生长AlN薄膜(0002)方向的半高宽为16.12°，而利用石墨烯插入层得到的AlN薄膜(0002)方向半高宽为4.76°。
测试结果表明利用石墨烯作为插入层可以克服非晶玻璃同AlN之间存在的失配，改善AlN晶体质量。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法，包括如下步骤：
S1、在一临时衬底上生长单层石墨烯；
S2、将所述临时衬底上的生长的单层石墨烯转移到所述玻璃衬底上；
S3、在表面具有单层石墨烯的玻璃衬底上生长AlN薄膜。
2.如权利要求1所述的在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法，其特征在于，所述临时衬底为金属衬底。
3.如权利要求2所述的在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法，其特征在于，所述金属衬底为Cu箔。
4.如权利要求1所述的在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法，其特征在于，所述步骤S2包括：
S21、将所述单层石墨烯下方的临时衬底去除；
S22、将去除了临时衬底的单层石墨烯贴附在玻璃衬底上。
5.如权利要求4所述的在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法，其特征在于，所述临时衬底为金属衬底，所述步骤S21通过化学方法腐蚀去除所述金属衬底。
6.如权利要求5所述的在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法，其特征在于，所述金属衬底为Cu箔，所述步骤S21通过FeCl3溶液腐蚀去除所述Cu箔。
7.如权利要求1～6中任一项所述的在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法，其特征在于，所述玻璃衬底为石英玻璃。
8.如权利要求1～6中任一项所述的在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法，其特征在于，所述AlN薄膜包括AlN缓冲层和在AlN缓冲层之上的高温AlN层。
9.一种AlN薄膜外延结构，其特征在于，由权利要求1～6中任一项所述的在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法制成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610370844.4A CN106048555A (zh) | 2016-05-30 | 2016-05-30 | 利用石墨烯插入层在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610370844.4A CN106048555A (zh) | 2016-05-30 | 2016-05-30 | 利用石墨烯插入层在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106048555A true CN106048555A (zh) | 2016-10-26 |
Family
ID=57173208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610370844.4A Pending CN106048555A (zh) | 2016-05-30 | 2016-05-30 | 利用石墨烯插入层在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106048555A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107689323A (zh) * | 2017-08-11 | 2018-02-13 | 北京大学 | 一种适用于ⅲ族氮化物外延生长的石墨烯蓝宝石衬底 |
| CN109585270A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-04-05 | 中国科学院半导体研究所 | 基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构 |
| CN110729182A (zh) * | 2019-10-08 | 2020-01-24 | 苏州纳维科技有限公司 | 一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法及生长结构 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102201503A (zh) * | 2011-03-30 | 2011-09-28 | 苏州纳维科技有限公司 | 一种iii族氮化物衬底的生长方法、衬底以及led |
| CN102769081A (zh) * | 2011-05-03 | 2012-11-07 | 山东华光光电子有限公司 | 一种以石墨烯作为缓冲层外延GaN的结构及其制备方法 |
| CN104409319A (zh) * | 2014-10-27 | 2015-03-11 | 苏州新纳晶光电有限公司 | 一种石墨烯基底上生长高质量GaN缓冲层的制备方法 |
| CN105296924A (zh) * | 2015-11-18 | 2016-02-03 | 清华大学 | 高c轴取向氮化铝薄膜及其制备方法与应用 |
-
2016
- 2016-05-30 CN CN201610370844.4A patent/CN106048555A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102201503A (zh) * | 2011-03-30 | 2011-09-28 | 苏州纳维科技有限公司 | 一种iii族氮化物衬底的生长方法、衬底以及led |
| CN102769081A (zh) * | 2011-05-03 | 2012-11-07 | 山东华光光电子有限公司 | 一种以石墨烯作为缓冲层外延GaN的结构及其制备方法 |
| CN104409319A (zh) * | 2014-10-27 | 2015-03-11 | 苏州新纳晶光电有限公司 | 一种石墨烯基底上生长高质量GaN缓冲层的制备方法 |
| CN105296924A (zh) * | 2015-11-18 | 2016-02-03 | 清华大学 | 高c轴取向氮化铝薄膜及其制备方法与应用 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107689323A (zh) * | 2017-08-11 | 2018-02-13 | 北京大学 | 一种适用于ⅲ族氮化物外延生长的石墨烯蓝宝石衬底 |
| CN109585270A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-04-05 | 中国科学院半导体研究所 | 基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构 |
| CN110729182A (zh) * | 2019-10-08 | 2020-01-24 | 苏州纳维科技有限公司 | 一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法及生长结构 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102945898B (zh) | 生长在金属Ag衬底上的AlN薄膜及其制备方法、应用 | |
| CN105914139B (zh) | 一种石墨烯上自组织成核外延GaN材料的方法 | |
| CN103022295B (zh) | 一种生长在Si衬底上的AlN薄膜及其制备方法和应用 | |
| CN104037284A (zh) | 一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用 | |
| CN108206130B (zh) | 生长在铝箔衬底上的氮化铟纳米柱外延片及其制备方法 | |
| CN105731825B (zh) | 一种利用石墨烯玻璃低成本大面积制备氮化铝薄膜的方法 | |
| CN106048555A (zh) | 利用石墨烯插入层在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法 | |
| CN102945899A (zh) | 生长在金属Ag衬底上的GaN单晶薄膜及其制备方法、应用 | |
| CN109285758A (zh) | 在图形衬底上生长氮化物薄膜的方法 | |
| CN103227194B (zh) | 一种大尺寸石墨烯堆叠结构晶圆及其制备方法 | |
| CN108807625A (zh) | 一种AlN缓冲层结构及其制备方法 | |
| CN101519799B (zh) | 一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN厚膜的方法 | |
| CN109037371A (zh) | 生长在Al衬底上的(In)GaN纳米柱及其制备方法与应用 | |
| CN103132047B (zh) | 一种激光辅助无损转移化学气相沉积石墨烯的方法 | |
| CN106206888B (zh) | 生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN量子阱及其制备方法 | |
| CN203910838U (zh) | 一种生长在Si衬底上的GaN薄膜 | |
| CN109306466A (zh) | 半导体材料的制备方法 | |
| CN109003883A (zh) | 生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制备方法 | |
| CN101928933A (zh) | 一种制备碳化硅薄膜的方法 | |
| CN208570525U (zh) | 生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱 | |
| CN202996318U (zh) | 一种氮化硼-石墨烯复合材料结构 | |
| Zhang et al. | High weight-specific power density of thin-film amorphous silicon solar cells on graphene papers | |
| CN100435279C (zh) | 一种大面积自支撑宽禁带半导体材料的制作方法 | |
| CN103556217A (zh) | 一种制备1至5层单晶石墨烯的方法 | |
| CN110289207B (zh) | 在基于图形化蓝宝石衬底的石墨烯上生长氮化镓的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20161026 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |