CN202996318U - 一种氮化硼-石墨烯复合材料结构 - Google Patents
一种氮化硼-石墨烯复合材料结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN202996318U CN202996318U CN 201120552133 CN201120552133U CN202996318U CN 202996318 U CN202996318 U CN 202996318U CN 201120552133 CN201120552133 CN 201120552133 CN 201120552133 U CN201120552133 U CN 201120552133U CN 202996318 U CN202996318 U CN 202996318U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- boron nitride
- film
- graphene
- graphene film
- composite structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 87
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 48
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 10
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 10
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 80
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 79
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 29
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001800 Shellac Polymers 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000010425 asbestos Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 2
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004579 marble Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 2
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 description 2
- -1 pottery Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052895 riebeckite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- 239000004208 shellac Substances 0.000 description 2
- ZLGIYFNHBLSMPS-ATJNOEHPSA-N shellac Chemical compound OCCCCCC(O)C(O)CCCCCCCC(O)=O.C1C23[C@H](C(O)=O)CCC2[C@](C)(CO)[C@@H]1C(C(O)=O)=C[C@@H]3O ZLGIYFNHBLSMPS-ATJNOEHPSA-N 0.000 description 2
- 229940113147 shellac Drugs 0.000 description 2
- 235000013874 shellac Nutrition 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- PMPQVOIHYGNQJK-UHFFFAOYSA-N BN.BN Chemical compound BN.BN PMPQVOIHYGNQJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000003283 Pachira macrocarpa Nutrition 0.000 description 1
- 241001083492 Trapa Species 0.000 description 1
- 235000014364 Trapa natans Nutrition 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N [3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-ylmethyl)-1-oxa-2,8-diazaspiro[4.5]dec-2-en-8-yl]-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]methanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CC1=NOC2(C1)CCN(CC2)C(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000238 buergerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000026267 regulation of growth Effects 0.000 description 1
- 235000009165 saligot Nutrition 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种氮化硼-石墨烯复合材料结构，其包含两个单层氮化硼膜（8；10）和一个单层或多层石墨烯膜（9），其中所述石墨烯膜（9）位于两个氮化硼膜（8；10）之间。所述复合材料结构能够在不提高载流子密度的前提下，显著提高石墨烯的电导率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种氮化硼-石墨烯复合材料结构。
背景技术
石墨烯具有优异的电学性能，且价廉易得，对环境友好，因此在透明电极领域展示出诱人的前景。然而，石墨烯膜被转移到某些基底（例如，石英、玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）塑料）上后，其电学性能有明显的下降，从而限制了石墨烯膜在某些透明电极（例如，电子纸和发光二极管）中的应用。最近研究表明，将石墨烯放置在六方结构氮化硼（即h-BN）基底上的情况下，其导电性（更具体而言为载流子迁移率）有明显的提高。但这种六方结构氮化硼膜/石墨烯膜复合材料在有些情况下仍不能满足导电性的需求。
实用新型内容
为进一步提高石墨烯的电导率，本实用新型提供了一种氮化硼-石墨烯复合材料结构，其包含两个单层氮化硼膜和一个单层或多层石墨烯膜，其中所述石墨烯膜位于两个氮化硼膜之间。
在一个优选实施方案中，上述氮化硼-石墨烯复合材料结构还包含一个绝缘基底，该绝缘基底贴覆于其中一个氮化硼膜上。
本实用新型的氮化硼-石墨烯复合材料结构能够在不提高载流子密度的前提下，显著提高石墨烯的电导率。
附图说明
本实用新型的上述及其他的方面、优点和特征将通过附图进一步说明，各附图中相同的附图标记代表相同的组成部分。
图1为本实用新型的氮化硼-石墨烯复合材料结构的一个示意图。
图2为本实用新型一个实施方案的石墨烯膜转移的一个流程示意图。
图3为本实用新型一个实施方案的氮化硼-石墨烯复合材料结构的制备过程。
具体实施方式
在本实用新型中，除非另有指明，术语“氮化硼（或氮化硼膜）”是指六方结构氮化硼（或氮化硼膜）。
下文将结合附图对本实用新型作进一步详细说明。但应理解的是，所述附图仅为示例性的，不应解释为限制本实用新型的范围。
本实用新型提供了一种氮化硼-石墨烯复合材料结构，其包含两个单层氮化硼膜和一个单层或多层石墨烯膜，其中所述石墨烯膜位于两个氮化硼膜之间，即该复合材料结构为氮化硼膜/石墨烯膜/氮化硼膜。
所述石墨烯膜为1-20层，优选1-10层，更优选1-5层。
图1展示了本实用新型的氮化硼-石墨烯复合材料结构的一个示意图，其中该结构由两个单层氮化硼膜8和10和一个夹在这两个氮化硼膜之间的单层或多层石墨烯膜9组成。
氮化硼膜8和10可使用镀覆法、化学气相沉积（CVD）法和物理气相沉积（PVD）法（例如溅射法）而制备，但不限于这些方法。优选由CVD法制备。
石墨烯膜9可由微机械分离法、化学剥离法、取向附生法、加热碳化硅（SiC）法、CVD法和还原氧化法制备，但不限于这些方法。优选由CVD法制备。
在一个具体的实施方案中，由CVD法生长石墨烯膜的典型过程如下：将铜箔1在氩气和氢气环境下（其中Ar:约95体积份，H2：约5体积份）1000℃预热处理1.5小时。然后通入甲烷，进行约20分钟的碳分解，从而生长出石墨烯膜。生长过程中第一步将通过气体流量和压力来控制石墨烯的成核密度，第二步再加大气体流量来获得连续均匀的单层石墨烯膜。
在另一个具体的实施方案中，由CVD法生长氮化硼膜的典型过程如下：使用氨基硼烷（aminoborane）作为氮和硼的来源，在1000℃温度下由CVD法在金属箔表面生长出氮化硼膜。
石墨烯膜的层数可通过调节生长温度和气氛浓度来控制，因此可以根 据需要，来生成合适层数的石墨烯膜。
在本实用新型复合材料结构中，氮化硼膜8和10的厚度为0.5-500nm，优选0.5-50nm，更优选0.5-5nm；石墨烯膜9的厚度为0.35-10nm，优选0.35-3nm。更优选0.35-2.1nm。
石墨烯膜和氮化硼膜之间以及多个石墨烯膜之间可以通过压制或抽真空而结合在一起。
所述氮化硼膜和石墨烯膜可为正方形、长方形等任何适宜的形状。并且优选它们的大小与形状是相互匹配的。
优选地，本实用新型的氮化硼-石墨烯复合材料结构还包含一个绝缘基底，该绝缘基底贴覆于其中一个氮化硼膜上。优选地，所述绝缘基底是透明的。
所述绝缘基底可为无机绝缘材料、有机绝缘材料、及由这两种材料经过加工制成的混合绝缘材料。常用的无机绝缘材料有：云母、石棉、大理石、陶瓷、玻璃等。有机绝缘材料有：虫胶、树脂、橡胶等。
对所述绝缘基底的厚度无特别要求，只要其足以支撑所述复合材料结构即可。
在本实用新型的一个实施方案中，所述贴覆可按如下过程进行：将待贴覆的膜放入FeCl3中，膜由于表面张力而平铺于FeCl3的表面，用玻璃基底将其从FeCl3中捞起并使之平整无间隙地紧密贴覆于该基底表面；用同样的方法，可以在贴覆有膜的基底上再贴覆一个或多个膜。
图2为本实用新型一个一个实施方案的石墨烯膜转移的一个流程示意图。
在该实施方案中，在通过气相沉积法生成于铜箔1上的石墨烯膜的一个暴露表面4上涂覆聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）5的保护层，以防止在石墨烯膜转移过程中，铜箔被腐蚀后，石墨烯膜失去支撑而坍塌。用氧进行等离子体刻蚀，除去铜箔上的另一个表面4’的石墨烯膜从而使铜箔1暴露出来，然后在Fe(NO3)3腐蚀溶液6中腐蚀掉铜箔。
在该实施方案中，将转移后的石墨烯膜贴覆于一个基底材料表面，所述贴覆过程如下：
将腐蚀掉铜箔1的PMMA/石墨烯膜清洗后，放入FeCl3溶液中，由于溶液的表面张力，其会张开并平铺于溶液表面，然后将其用所需的基 底材料7从溶液中捞起，石墨烯膜通过范德瓦尔斯力作用而与基底材料7紧密贴覆在一起。
所述铜箔还可用镍、铁、锌、钴等及其任意结合，以及以这些金属为主要成分的合金取代。
涂覆保护层的方法包括旋涂、刮涂、棒涂、浸涂和喷涂等。
所述腐蚀溶液示例性地包括酸、盐的水溶液，所述盐特别是指酸式盐。
所述FeCl3溶液也可用其他任何能使石墨烯膜漂浮的溶液取代，例如用丙酮等有机溶剂，水，硝酸铁等无机溶液取代。
在转移过程中，除PMMA之外也可使用其他合适物质作为膜的保护层，所述其他合适物质主要为有机聚合物，例如聚二甲基硅氧烷。
氮化硼膜的转移和贴覆过程与石墨烯膜类似。
图3展示了本实用新型一个实施方案的氮化硼膜/石墨烯膜/氮化硼膜复合材料结构的一个示例性制备过程：
（1）在一个金属基底上由CVD法生长两个氮化硼膜；
（2）在另一个金属基底上由CVD法生长一个石墨烯膜；
（3）将由CVD法生长出的氮化硼膜和石墨烯膜的金属基底用腐蚀溶液腐蚀掉；
（4）将腐蚀掉金属基底的氮化硼膜转移并贴覆到其他基底上，并将腐蚀掉金属基底的石墨烯膜转移并贴覆到该氮化硼膜上构成其他基底/氮化硼膜/石墨烯膜，其中膜的转移和贴覆可按上述方法进行；
（5）通过普通的微电子制造过程，在石墨烯膜上制造出一定结构，此结构取决于透明电极在不同领域的应用；和
（6）将另外一个氮化硼膜转移并贴覆到来自（5）的其他基底/氮化硼膜/石墨烯膜上构成其他基底/氮化硼膜/石墨烯膜/氮化硼膜复合材料结构。
此处所述其他基底为绝缘基底。优选地，该绝缘基底是透明的。
所述绝缘基底可为无机绝缘材料、有机绝缘材料、及由这两种材料经过加工制成的混合绝缘材料。常用的无机绝缘材料有：云母、石棉、大理石、陶瓷、玻璃等。有机绝缘材料有：虫胶、树脂、橡胶等。
对所述绝缘基底的厚度无特别要求，只要其足以支撑所述复合材料结 构即可。
优选地，在步骤（3）和（4）之间还包括将石墨烯膜图样化的步骤。
所述图样化可采用常规的微电子制造过程进行，例如光刻或刻蚀的方法进行；或使用镂空模板，随后使用氧进行等离子刻蚀。图样结构取决于透明电极在不同领域的应用。
本实用新型的氮化硼膜/石墨烯膜/氮化硼膜复合材料结构能够在不提高载流子密度且不牺牲石墨烯透光率的前提下，显著提高石墨烯的电导率。
实施例
下文将参照具体实施例和比较例对本实用新型进行更详细描述，但本实用新型不限于这些实施例。
实施例1
在铜箔上由文中所述CVD法生长出两个正方形氮化硼膜（厚度均为3nm，边长为5cm）和一个相同形状和大小的单层石墨烯膜（厚度为0.35nm）。在它们各自的一个表面上喷涂PMMA胶并固化，并对另一面用氧进行等离子刻蚀而使铜箔暴露，并浸入盐酸（20重量%）溶液中腐蚀掉铜箔。然后将其中一个氮化硼膜清洗后放入水中，该氮化硼膜由于表面张力而平铺于水的表面，用玻璃基底将其从水中捞起并使之平整无间隙地紧密贴覆于该基底表面；再将单层石墨烯膜清洗后平铺于水的表面，用该贴覆有氮化硼膜的玻璃基底将其从水中捞起并使之紧密贴覆于该氮化硼膜上；采用光刻对该石墨烯膜图样化；然后采用同样的方法将另一个氮化硼膜紧密贴覆于该图样化的石墨烯膜上，从而制得氮化硼膜/石墨烯膜/氮化硼膜复合材料结构。
用SRM-14T非接触式平面电阻测量仪（购自德国NAGY仪器公司）通过平面电阻测量法测定该复合材料结构的平面电阻，结果如下表1所示。
实施例2
按与实施例1相同的方法制备氮化硼膜/石墨烯膜/氮化硼膜复合材料 结构，不同在于，所述氮化硼膜和石墨烯膜的厚度分别为5nm和1nm。
用前述平面电阻测量仪通过平面电阻测量法测定该复合材料结构的平面电阻，结果如下表1所示。
实施例3
按与实施例1相同的方法制备氮化硼膜/石墨烯膜/氮化硼膜复合材料结构，不同在于，所述氮化硼膜和石墨烯膜的厚度分别为0.5nm和3.5nm。
用前述平面电阻测量仪通过平面电阻测量法测定该复合材料结构的平面电阻，结果如下表1所示。
实施例4
按与实施例1相同的方法制备氮化硼膜/石墨烯膜/氮化硼膜复合材料结构，不同在于，所述氮化硼膜和石墨烯膜的厚度分别为50nm和10nm。
用前述平面电阻测量仪通过平面电阻测量法测定该复合材料结构的平面电阻，结果如下表1所示。
实施例5
按与实施例1相同的方法制备氮化硼膜/石墨烯膜/氮化硼膜复合材料结构，不同在于，所述氮化硼膜和石墨烯膜的厚度分别为500nm和2.1nm。
用前述平面电阻测量仪通过平面电阻测量法测定该复合材料结构的平面电阻，结果如下表1所示。
实施例6-8
按与实施例1相同的方法制备氮化硼膜/石墨烯膜/氮化硼膜复合材料结构，不同在于，将六方结构氮化硼膜分别改为菱方结构氮化硼（R-BN）膜、立方结构氮化硼(C-BN)膜和密排六方结构氮化硼(W-BN/纤锌矿氮化硼)膜。
用前述平面电阻测量仪通过平面电阻测量法测定该复合材料结构的平面电阻，结果如下表1所示。
比较例1-8
分别按与实施例1-8相同的方法制备氮化硼膜/石墨烯膜复合材料结 构。用前述平面电阻测量仪通过平面电阻测量法测定该复合材料结构的平面电阻，结果如下表1所示。
表1各实施例中复合材料结构的平面电阻和透光率
| 实施例 | 平面电阻（ohm/sq） | 透光率（%） |
| 实施例1 | 110 | 93 |
| 实施例2 | 30 | 89 |
| 实施例3 | 11 | 73 |
| 实施例4 | 3 | 26 |
| 实施例5 | 21 | 81 |
| 实施例6 | 650 | 93 |
| 实施例7 | 220 | 90 |
| 实施例8 | 913 | 93 |
| 比较例1 | 230 | 94 |
| 比较例2 | 80 | 90 |
| 比较例3 | 27 | 73 |
| 比较例4 | 10 | 28 |
| 比较例5 | 36 | 83 |
| 比较例6 | 690 | 93 |
| 比较例7 | 459 | 91 |
| 比较例8 | 1237 | 94 |
虽然已参照特定实施方案对本实用新型进行了说明，但本领域技术人员应认识到的是，在不偏离本实用新型主旨和范围的情况下，可对所述实施方案进行改变或改进，本实用新型范围通过所附权利要求书限定。
Claims (12)
1.一种氮化硼-石墨烯复合材料结构，其特征在于，其包含两个单层氮化硼膜（8，10）和一个单层或多层石墨烯膜（9），其中所述石墨烯膜（9）位于两个氮化硼膜（8，10）之间。
2.根据权利要求1所述的复合材料结构，其特征在于，所述石墨烯膜（9）的厚度为0.35-10nm，所述氮化硼膜（8，10）的厚度为0.5-500nm。
3.根据权利要求2所述的复合材料结构，其特征在于，所述石墨烯膜（9）的厚度为0.35-3nm。
4.根据权利要求2所述的复合材料结构，其特征在于，所述石墨烯膜（9）的厚度为0.35-2.1nm。
5.根据权利要求2所述的复合材料结构，其特征在于，所述氮化硼膜（8，10）的厚度为0.5-50nm。
6.根据权利要求2所述的复合材料结构，其特征在于，所述氮化硼膜（8，10）的厚度为0.5-5nm。
7.根据权利要求1所述的复合材料结构，其特征在于，所述氮化硼膜（8，10）和石墨烯膜（9）均通过CVD法制备。
8.根据权利要求1所述的复合材料结构，其特征在于，所述氮化硼膜（8，10）和石墨烯膜（9）通过压制或抽真空而结合在一起。
9.根据权利要求1所述的复合材料结构，其特征在于，其还包含一个绝缘基底，该绝缘基底贴覆于其中一个氮化硼膜上。
10.根据权利要求8所述的复合材料结构，其特征在于，所述绝缘基底可为无机绝缘材料或有机绝缘材料。
11.根据权利要求8所述的复合材料结构，其特征在于，所述绝缘基底为透明绝缘基底。
12.根据权利要求1所述的复合材料结构，其特征在于，所述氮化硼膜（8，10）和石墨烯膜（9）的大小与形状相互匹配。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201120552133 CN202996318U (zh) | 2011-12-26 | 2011-12-26 | 一种氮化硼-石墨烯复合材料结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201120552133 CN202996318U (zh) | 2011-12-26 | 2011-12-26 | 一种氮化硼-石墨烯复合材料结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN202996318U true CN202996318U (zh) | 2013-06-12 |
Family
ID=48567464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201120552133 Expired - Lifetime CN202996318U (zh) | 2011-12-26 | 2011-12-26 | 一种氮化硼-石墨烯复合材料结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN202996318U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105405965A (zh) * | 2015-12-09 | 2016-03-16 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种高灵敏度石墨烯磁场传感器及其制备方法 |
| CN109417108A (zh) * | 2016-09-28 | 2019-03-01 | 华为技术有限公司 | 透明电极及其制备方法、显示面板、太阳能电池 |
| CN111849290A (zh) * | 2020-06-05 | 2020-10-30 | 新昌县同生生物技术股份有限公司 | 一种高导热的阻燃性丙烯酸树脂涂料及其制法 |
-
2011
- 2011-12-26 CN CN 201120552133 patent/CN202996318U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105405965A (zh) * | 2015-12-09 | 2016-03-16 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种高灵敏度石墨烯磁场传感器及其制备方法 |
| CN105405965B (zh) * | 2015-12-09 | 2018-09-25 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种高灵敏度石墨烯磁场传感器及其制备方法 |
| CN109417108A (zh) * | 2016-09-28 | 2019-03-01 | 华为技术有限公司 | 透明电极及其制备方法、显示面板、太阳能电池 |
| US11502209B2 (en) | 2016-09-28 | 2022-11-15 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Transparent electrode, transparent electrode production method, display panel, and solar cell |
| CN111849290A (zh) * | 2020-06-05 | 2020-10-30 | 新昌县同生生物技术股份有限公司 | 一种高导热的阻燃性丙烯酸树脂涂料及其制法 |
| CN111849290B (zh) * | 2020-06-05 | 2022-05-17 | 南京中蓝智能科技有限公司 | 一种高导热的阻燃性丙烯酸树脂涂料及其制法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102496668A (zh) | 一种氮化硼-石墨烯复合材料、其制备方法及用途 | |
| US9840024B2 (en) | Method for the fabrication and transfer of graphene | |
| CN103387230B (zh) | 一种石墨烯导电薄膜的制备方法 | |
| CN104495806B (zh) | 一种通过调控结合力转移大面积石墨烯的方法 | |
| CN103028737B (zh) | 制备石墨烯-金属纳米颗粒复合材料的方法 | |
| CN104532206A (zh) | 一种在绝缘衬底上原位生长掺杂石墨烯薄膜的制备方法 | |
| CN103224231A (zh) | 一种石墨烯薄膜的转移方法 | |
| WO2015010344A1 (zh) | 透明导电层、具有该透明导电层的cf基板及其制备方法 | |
| CN104944417A (zh) | 一种石墨烯-氮化硼异质结的制备方法 | |
| CN103922322A (zh) | 一种碳纳米管编织的石墨烯薄膜、制备方法及光伏应用 | |
| CN107635918B (zh) | 石墨烯掺杂方法、石墨烯复合电极制造方法和包含其的石墨烯结构 | |
| CN107188161B (zh) | 石墨烯及其制备方法 | |
| CN109824042B (zh) | 一种调控石墨烯电化学剥离的方法 | |
| CN103625029A (zh) | 一种石墨烯导热器件 | |
| CN202996318U (zh) | 一种氮化硼-石墨烯复合材料结构 | |
| TW201341554A (zh) | 藉由物理氣相沉積法在基板上成長碳薄膜或無機材料薄膜的方法 | |
| CN103943790A (zh) | 一种石墨烯复合柔性透明电极及其制备方法 | |
| CN104015463A (zh) | 一种石墨烯薄膜的转移方法 | |
| CN103345979A (zh) | 一种石墨烯导电薄膜的制备方法 | |
| Kwon et al. | Eco-friendly graphene synthesis on Cu foil electroplated by reusing Cu etchants | |
| CN111091931A (zh) | 一种银纳米线/石墨烯复合薄膜的制备方法 | |
| CN103193396B (zh) | 一种石墨烯与还原氧化石墨烯复合薄膜的制备方法 | |
| CN104451591A (zh) | 一种将金属铜表面cvd的石墨烯向目标衬底表面转移的方法 | |
| CN104485385A (zh) | 一种太阳能电池透明石墨烯薄膜电极的制备方法 | |
| Yang et al. | Growth of ZnO nanorods on fluorine-doped tin oxide substrate without catalyst by radio-frequency magnetron sputtering |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Assignee: 2D Carbon (Changzhou) Tech Co., Ltd. Assignor: Jin Hu Contract record no.: 2012320000423 Denomination of utility model: Boron nitride-graphene composite material, preparation method and purpose thereof Granted publication date: 20130612 License type: Exclusive License Record date: 20120409 |
|
| LICC | Enforcement, change and cancellation of record of contracts on the licence for exploitation of a patent or utility model | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: CHANGZHOU CARBON AGE TECHNOLOGY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: JIN HU Effective date: 20140106 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 201210 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI TO: 213149 CHANGZHOU, JIANGSU PROVINCE |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20140106 Address after: 213149 Jiangsu city of Changzhou province Wujin Dragon Road Economic Development Zone No. 6 Patentee after: CHANGZHOU CARBON TIMES TECHNOLOGY CO., LTD. Address before: Pudong New Area Zhangjiang hi tech park Shanghai City Yifeng road 201210 Lane 55 No. 107 402 Patentee before: Jin Hu |
|
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: 2D CARBON (CHANGZHOU) TECHNOLOGY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: CHANGZHOU CARBON AGE TECHNOLOGY CO., LTD. Effective date: 20140804 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20140804 Address after: 213149 No. 6 Xiangyun Road, Wujin Economic Development Zone, Jiangsu, Changzhou Patentee after: 2D Carbon (Changzhou) Tech Co., Ltd. Address before: 213149 Jiangsu city of Changzhou province Wujin Dragon Road Economic Development Zone No. 6 Patentee before: CHANGZHOU CARBON TIMES TECHNOLOGY CO., LTD. |
|
| EC01 | Cancellation of recordation of patent licensing contract |
Assignee: 2D Carbon (Changzhou) Tech Co., Ltd. Assignor: Jin Hu Contract record no.: 2012320000423 Date of cancellation: 20150514 |
|
| LICC | Enforcement, change and cancellation of record of contracts on the licence for exploitation of a patent or utility model | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee |
Owner name: CHANGZHOU 2D CARBON TECHNOLOGY CO., LTD. Free format text: FORMER NAME: 2D CARBON (CHANGZHOU) TECHNOLOGY CO., LTD. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 213149 No. 6 Xiangyun Road, Wujin Economic Development Zone, Jiangsu, Changzhou Patentee after: 2D CARBON (CHANGZHOU) TECH INC., LTD. Address before: 213149 No. 6 Xiangyun Road, Wujin Economic Development Zone, Jiangsu, Changzhou Patentee before: 2D Carbon (Changzhou) Tech Co., Ltd. |
|
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20130612 |