CN102496668A - 一种氮化硼-石墨烯复合材料、其制备方法及用途 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种氮化硼-石墨烯复合材料，其顺序包含氮化硼膜(8)、石墨烯膜(9)和氮化硼膜(10)。该复合材料能够在不提高载流子密度且的前提下，显著提高石墨烯的电导率。此外，本发明还涉及所述复合材料的制备方法及其用于制备透明电极的用途。
Description
技术领域
本发明涉及一种氮化硼-石墨烯复合材料、其制备方法及其用途。
背景技术
石墨烯具有优异的电学性能，且价廉易得，对环境友好，因此在透明电极领域展示出诱人的前景。然而，石墨烯膜被转移到某些基底(例如，石英、玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)塑料)上后，其电学性能有明显的下降，从而限制了石墨烯膜在某些透明电极(例如，电子纸和发光二极管)中的应用。最近研究表明，将石墨烯放置在六方结构氮化硼(h-BN)基底上的情况下，其导电性(更具体而言为载流子迁移率)有明显的提高。但这种六方结构氮化硼膜/石墨烯膜复合材料在有些情况下仍不能满足导电性的需求。
发明内容
为进一步提高石墨烯的电导率，本发明提供了一种氮化硼-石墨烯复合材料，该材料顺序包含氮化硼膜、石墨烯膜和氮化硼膜。
在一个优选实施方案中，上述氮化硼-石墨烯复合材料还包含一个绝缘基底，该绝缘基底贴覆于其中一个氮化硼膜上。
此外，本发明还提供了一种制备氮化硼膜/石墨烯膜/氮化硼膜复合材料的方法，该方法包括以下步骤：
(1)制备两个氮化硼膜；
(2)制备一个石墨烯膜；
(3)将其中一个氮化硼膜转移并贴覆到一个基底上，然后将石墨烯膜转移并贴覆到该氮化硼膜上，构成氮化硼膜/石墨烯膜；和
(4)将另一个氮化硼膜转移并贴覆至(3)中的氮化硼膜/石墨烯膜上。
在一个优选实施方案中，在步骤(3)和(4)之间还包括将石墨烯膜图样化的步骤。
最后，本发明还提供了一种电极，其包含氮化硼膜/石墨烯膜/氮化硼膜复合材料。
本发明的氮化硼-石墨烯复合材料能够在不提高载流子密度的前提下，显著提高石墨烯的电导率。
附图说明
本发明的上述及其他的方面、优点和特征将通过附图进一步说明，各附图中相同的附图标记代表相同的组成部分。
图1为本发明的氮化硼-石墨烯复合材料的一个示意图。
图2为本发明一个实施方案的石墨烯膜转移的一个流程示意图。
图3为本发明一个实施方案的氮化硼-石墨烯复合材料的制备过程。
具体实施方式
在本发明中，除非另有指明，术语“氮化硼(或氮化硼膜)”是指六方结构氮化硼(或氮化硼膜)；术语“石墨烯膜”和“氮化硼膜”均既包括为单层的情况也包括为多层(即为复合层)的情况。
下文将结合附图对本发明作进一步详细说明。但应理解的是，所述附图仅为示例性的，不应解释为限制本发明的范围。
本发明提供了一种氮化硼-石墨烯复合材料，该材料顺序包含氮化硼膜、石墨烯膜和氮化硼膜，即氮化硼膜/石墨烯膜/氮化硼膜。
图1展示了本发明的氮化硼-石墨烯复合材料的一个示意图，其中该结构由两个氮化硼膜8和10和一个夹在这两个氮化硼膜之间的石墨烯膜9组成。
氮化硼膜8和10可使用镀覆法、化学气相沉积(CVD)法和物理气相沉积(PVD)法(例如溅射法)而制备，但不限于这些方法。优选由CVD法制备。
石墨烯膜9可由微机械分离法、化学剥离法、取向附生法、加热碳化硅(SiC)法、CVD法和还原氧化法制备，但不限于这些方法。优选由CVD法制备。
在一个具体的实施方案中，由CVD法生长石墨烯膜的典型过程如下：将铜箔1在氩气和氢气环境下预热处理1000℃预热处理1.5小时。然后通入甲烷，进行约20分钟的碳分解，从而生长出石墨烯膜。生长过程中第一步将通过气体流量和压力来控制石墨烯的成核密度，第二步再加大气体流量来获得连续均匀的单层石墨烯膜。
在另一个具体的实施方案中，由CVD法生长氮化硼膜的典型过程如下：使用氨基硼烷(aminoborane)作为氮和硼的来源，在1000℃温度下由CVD法在金属箔表面生长出氮化硼膜。
通常，随着石墨烯膜9厚度的增加，其导电性提高；而氮化硼膜8和10厚度对导电性基本无影响。石墨烯膜9和氮化硼膜8和10的厚度均可通过调节生长温度和气氛浓度来控制，因此可以根据需要，来生成合适厚度的石墨烯膜9和氮化硼膜8和10。
在本发明复合材料中，氮化硼膜8和10的厚度为0.5-500nm，优选0.5-50nm，更优选0.5-5nm；石墨烯膜9的厚度为0.35-10nm，优选0.35-3nm。更优选0.35-2.1nm。
在石墨烯膜9和氮化硼膜8和10为多层的情况下，其可以可通过压制或抽真空而制备。
所述氮化硼膜8和10和石墨烯膜9可为正方形、长方形等任何适宜的形状。并且优选它们的大小与形状是相互匹配的。
优选地，本发明的氮化硼-石墨烯复合材料还包含一个绝缘基底，该绝缘基底贴覆于其中一个氮化硼膜上。优选地，所述绝缘基底为一个透明基底。
所述绝缘基底可为无机绝缘材料、有机绝缘材料、及由这两种材料经过加工制成的混合绝缘材料。常用的无机绝缘材料有：云母、石棉、大理石、陶瓷、玻璃等。有机绝缘材料有：虫胶、树脂、橡胶等。
对所述绝缘基底的厚度无特别要求，只要其足以支撑所述复合材料即可。
在本发明的一个实施方案中，所述贴覆可按如下过程进行：将待贴覆的膜放入FeCl3中，膜由于表面张力而平铺于FeCl3的表面，用玻璃基底将其从FeCl3中捞起并使之平整无间隙地紧密贴覆于该基底表面；用同样的方法，可以在贴覆有膜的基底上再贴覆一个或多个膜。
此外，本发明还提供了一种制备氮化硼膜/石墨烯膜/氮化硼膜复合材料的方法，该方法包括以下步骤：
(1)制备两个氮化硼膜；
(2)制备一个石墨烯膜；
(3)将其中一个氮化硼膜转移并贴覆到一个基底上，然后将石墨烯膜转移并贴覆到该氮化硼膜上，构成氮化硼膜/石墨烯膜；和
(4)将另一个氮化硼膜转移并贴覆至(3)中的氮化硼膜/石墨烯膜上。
氮化硼膜可使用镀覆法、化学气相沉积(CVD)法和物理气相沉积(PVD)法(例如溅射法)而制备，但不限于这些方法。优选由CVD法制备。
石墨烯膜可由微机械分离法、化学剥离法、取向附生法、加热碳化硅(SiC)法、CVD法和还原氧化法制备，但不限于这些方法。优选由CVD法制备。
在一个具体的实施方案中，所述石墨烯膜和氮化硼膜可由上文所述的CVD法制备。
通常，随着石墨烯膜厚度的增加，其导电性提高；而氮化硼膜厚度对导电性基本无影响。石墨烯膜和氮化硼膜的厚度均可通过调节生长温度和气氛浓度来控制，因此可以根据需要，来生成合适厚度的石墨烯膜和氮化硼膜。
氮化硼膜的厚度优选在0.5-50nm之间，更优选0.5-5nm；石墨烯膜的厚度优选在0.35-10nm之间，更优选0.35-3nm。
在石墨烯膜和氮化硼膜为多层的情况下，其可通过压制或抽真空而制备。
所制备的氮化硼膜和石墨烯膜可为正方形、长方形等任何适宜的形状。并且优选它们的大小与形状是相互匹配的。
图2为本发明一个实施方案的石墨烯膜转移的一个流程示意图。
在该实施方案中，在通过气相沉积法生成于铜箔1上的石墨烯膜的一个暴露表面4上涂覆聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)5的保护层，以防止在石墨烯膜转移过程中，铜箔被腐蚀后，石墨烯膜失去支撑而坍塌。用氧进行等离子体刻蚀，除去铜箔上的另一个表面4’的石墨烯膜从而使铜箔1暴露出来，然后在Fe(NO3)3腐蚀溶液6中腐蚀掉铜箔。
在该实施方案中，将转移后的石墨烯膜贴覆于一个基底材料表面，所述贴覆过程如下：
将腐蚀掉铜箔1的PMMA/石墨烯膜清洗后，放入FeCl3溶液中，由于溶液的表面张力，其会张开并平铺于溶液表面，然后将其用所需的基底材料7从溶液中捞起，石墨烯膜通过范德瓦尔斯力作用而与基底材料7紧密贴覆在一起。
所述铜箔还可用镍、铁、锌、钴等及其任意结合，以及以这些金属为主要成分的合金取代。
涂覆保护层的方法包括旋涂、刮涂、棒涂、浸涂和喷涂等。
所述腐蚀溶液示例性地包括酸、盐的水溶液，所述盐特别是指酸式盐。
所述FeCl3溶液也可用其他任何能使石墨烯膜漂浮的溶液取代，例如用丙酮等有机溶剂，水，硝酸铁等无机溶液取代。
在转移过程中，除PMMA之外也可使用其他合适物质作为膜的保护层，所述其他合适物质主要为有机聚合物，例如聚二甲基硅氧烷。
氮化硼膜的转移和贴覆过程与石墨烯膜类似。
图3展示了本发明一个实施方案的氮化硼膜/石墨烯膜/氮化硼膜复合材料的一个示例性制备过程：
(1)在一个金属基底上由CVD法生长两个氮化硼膜；
(2)在另一个金属基底上由CVD法生长一个石墨烯膜；
(3)将由CVD法生长出的氮化硼膜和石墨烯膜的金属基底用腐蚀溶液腐蚀掉；
(4)将腐蚀掉金属基底的氮化硼膜转移并贴覆到其他基底上，并将腐蚀掉金属基底的石墨烯膜转移并贴覆到该氮化硼膜上构成其他基底/氮化硼膜/石墨烯膜，其中膜的转移和贴覆可按上述方法进行；
(5)通过普通的微电子制造过程，在石墨烯膜上制造出一定结构，此结构取决于透明电极在不同领域的应用；和
(6)将另外一个氮化硼膜转移并贴覆到来自(5)的其他基底/氮化硼膜/石墨烯膜上构成其他基底/氮化硼膜/石墨烯膜/氮化硼膜复合材料。
此处所述其他基底为绝缘基底。优选地，该绝缘基底是透明的。
所述绝缘基底可为无机绝缘材料、有机绝缘材料、及由这两种材料经过加工制成的混合绝缘材料。常用的无机绝缘材料有：云母、石棉、大理石、陶瓷、玻璃等。有机绝缘材料有：虫胶、树脂、橡胶等。
对所述绝缘基底的厚度无特别要求，只要其足以支撑所述复合材料即可。
优选地，在步骤(3)和(4)之间还包括将石墨烯膜图样化的步骤。
所述图样化可采用常规的微电子制造过程进行，例如光刻或刻蚀的方法进行；或使用镂空模板，随后使用氧进行等离子刻蚀。图样结构取决于透明电极在不同领域的应用。
本发明的氮化硼膜/石墨烯膜/氮化硼膜复合材料能够在不提高载流子密度的前提下，显著提高石墨烯的电导率。
最后，本发明还提供了一种电极，其包含氮化硼膜/石墨烯膜/氮化硼膜复合材料。所述电极特别是透明电极。
实施例
下文将参照具体实施例和比较例对本发明进行更详细描述，但本发明不限于这些实施例。
实施例1
在铜箔上由文中所述CVD法生长出两个正方形氮化硼膜(厚度均为3nm，边长为5cm)和一个相同形状和大小的单层石墨烯膜(厚度为0.35nm)。在它们各自的一个表面上喷涂PMMA胶并固化，并对另一面用氧进行等离子刻蚀而使铜箔暴露，并浸入盐酸(20重量％)溶液中腐蚀掉铜箔。然后将其中一个氮化硼膜清洗后放入水中，该氮化硼膜由于表面张力而平铺于水的表面，用玻璃基底将其从水中捞起并使之平整无间隙地紧密贴覆于该基底表面；再将单层石墨烯膜清洗后平铺于水的表面，用该贴覆有氮化硼膜的玻璃基底将其从水中捞起并使之紧密贴覆于该氮化硼膜上；采用光刻对该石墨烯膜图样化；然后采用同样的方法将另一个氮化硼膜紧密贴覆于该图样化的石墨烯膜上，从而制得氮化硼膜/石墨烯膜/氮化硼膜复合材料。
用SRM-14T非接触式平面电阻测量仪(购自德国NAGY仪器公司)通过平面电阻测量法测定该复合材料的平面电阻，结果如下表1所示。
实施例2
按与实施例1相同的方法制备氮化硼膜/石墨烯膜/氮化硼膜复合材料，不同在于，所述氮化硼膜和石墨烯膜的厚度分别为5nm和1nm。
用前述平面电阻测量仪通过平面电阻测量法测定该复合材料的平面电阻，结果如下表1所示。
实施例3
按与实施例1相同的方法制备氮化硼膜/石墨烯膜/氮化硼膜复合材料，不同在于，所述氮化硼膜和石墨烯膜的厚度分别为0.5nm和3.5nm。
用前述平面电阻测量仪通过平面电阻测量法测定该复合材料的平面电阻，结果如下表1所示。
实施例4
按与实施例1相同的方法制备氮化硼膜/石墨烯膜/氮化硼膜复合材料，不同在于，所述氮化硼膜和石墨烯膜的厚度分别为50nm和10nm。
用前述平面电阻测量仪通过平面电阻测量法测定该复合材料的平面电阻，结果如下表1所示。
实施例5
按与实施例1相同的方法制备氮化硼膜/石墨烯膜/氮化硼膜复合材料，不同在于，所述氮化硼膜和石墨烯膜的厚度分别为500nm和2.1nm。
用前述平面电阻测量仪通过平面电阻测量法测定该复合材料的平面电阻，结果如下表1所示。
实施例6-8
按与实施例1相同的方法制备氮化硼膜/石墨烯膜/氮化硼膜复合材料，不同在于，将六方结构氮化硼膜分别改为菱方结构氮化硼(R-BN)膜、立方结构氮化硼(C-BN)膜和密排六方结构氮化硼(W-BN/纤锌矿氮化硼)膜。
用前述平面电阻测量仪通过平面电阻测量法测定该复合材料的平面电阻，结果如下表1所示。
比较例1-8
分别按与实施例1-8相同的方法制备氮化硼膜/石墨烯膜复合材料。用前述平面电阻测量仪通过平面电阻测量法测定该复合材料的平面电阻，结果如下表1所示。
表1各实施例中复合材料的平面电阻和透光率
| 实施例 | 平面电阻(欧姆/平方) | 透光率(％) |
| 实施例1 | 110 | 93 |
| 实施例2 | 30 | 89 |
| 实施例3 | 11 | 73 |
| 实施例4 | 3 | 26 |
| 实施例5 | 21 | 81 |
| 实施例6 | 650 | 93 |
| 实施例7 | 220 | 90 |
| 实施例8 | 913 | 93 |
| 比较例1 | 230 | 94 |
| 比较例2 | 80 | 90 |
| 比较例3 | 27 | 73 |
| 比较例4 | 10 | 28 |
| 比较例5 | 36 | 83 |
| 比较例6 | 690 | 93 |
| 比较例7 | 459 | 91 |
| 比较例8 | 1237 | 94 |
虽然已参照特定实施方案对本发明进行了说明，但本领域技术人员应认识到的是，在不偏离本发明主旨和范围的情况下，可对所述实施方案进行改变或改进，本发明范围通过所附权利要求书限定。
Claims (10)
1.一种氮化硼-石墨烯复合材料，其顺序包含氮化硼膜(8)、石墨烯膜(9)和氮化硼膜(10)。
2.权利要求1的复合材料，其中所述石墨烯膜(9)的厚度为0.35-10nm，优选0.35-3nm，更优选0.35-2.1nm。
3.权利要求1的复合材料，其中所述氮化硼膜(8；10)的厚度为0.5-500nm，优选0.5-50nm，更优选0.5-5nm。
4.权利要求1的复合材料，其中所述氮化硼膜(8；10)和石墨烯膜(9)通过压制或抽真空而结合在一起。
5.权利要求1的复合材料，其还包含一个绝缘基底，该绝缘基底贴覆于其中一个氮化硼膜上，所述绝缘基底为一个透明基底。
6.一种电极，其包含权利要求1-5中任一项的氮化硼-石墨烯复合材料。
7.一种制备顺序包含氮化硼膜(8)、石墨烯膜(9)和氮化硼膜(10)的复合材料的方法，该方法包括以下步骤：
(1)制备两个氮化硼膜(8；10)；
(2)制备一个石墨烯膜(9)；
(3)将其中一个氮化硼膜转移并贴覆到一个基底上，然后将石墨烯膜(9)转移并贴覆到该氮化硼膜上，构成氮化硼膜/石墨烯膜；和
(4)将另一个氮化硼膜转移并贴覆至(3)中的氮化硼膜/石墨烯膜上。
8.权利要求7的方法，其中在步骤(3)和(4)之间还包括将石墨烯膜(9)图样化的步骤。
9.权利要求7的方法，其中所述氮化硼膜(8；10)和石墨烯膜(9)通过CVD法进行。
10.权利要求7的方法，其中在所述转移过程中，使用PMMA作为膜的保护层。
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Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN102496668A (zh) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103570014A (zh) * | 2013-11-15 | 2014-02-12 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 一种石墨烯/氮化硼层状复合材料及其制备方法 |
| CN103569943A (zh) * | 2013-11-05 | 2014-02-12 | 无锡英普林纳米科技有限公司 | 一种耐摩擦的铂/石墨烯复合结构及其制备方法 |
| CN103663416A (zh) * | 2012-09-01 | 2014-03-26 | 董国材 | 一种制备石墨烯和单层六角氮化硼复合材料的方法 |
| CN104966771A (zh) * | 2015-06-13 | 2015-10-07 | 温州生物材料与工程研究所 | 一种石墨烯-氮化硼-氮化镓led芯片及其制作方法 |
| CN105405965A (zh) * | 2015-12-09 | 2016-03-16 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种高灵敏度石墨烯磁场传感器及其制备方法 |
| CN105570560A (zh) * | 2016-03-16 | 2016-05-11 | 刘志光 | 石墨烯增强导热性复合聚烯烃管材 |
| CN106868469A (zh) * | 2017-03-15 | 2017-06-20 | 山东大学 | 一种在硅基上无金属催化剂制备石墨烯的方法 |
| CN108337749A (zh) * | 2018-01-23 | 2018-07-27 | 浙江大学 | 一种耐氧化石墨烯电热复合膜及其制备方法 |
| EP3605155A1 (en) * | 2018-08-02 | 2020-02-05 | Essilor International | Ophthalmic lens comprising a multilayered interferential coating and manufacturing method thereof |
| CN111637801A (zh) * | 2020-05-21 | 2020-09-08 | 西安交通大学 | 一种pmma基石墨烯爆压测试传感器及其制造方法 |
| CN113054129A (zh) * | 2019-12-28 | 2021-06-29 | Tcl集团股份有限公司 | 复合材料及其制备方法、导电电极和发光二极管 |
| US11117801B2 (en) | 2018-04-24 | 2021-09-14 | Imam Abdulrahman Bin Faisal University | Transparent electrode with a composite layer of a graphene layer and nanoparticles |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101859858A (zh) * | 2010-05-07 | 2010-10-13 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 基于石墨烯的透明导电电极及其制法与应用 |
| US20110045282A1 (en) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Jeffry Kelber | Graphene/(multilayer) boron nitride heteroepitaxy for electronic device applications |
-
2011
- 2011-12-26 CN CN201110443957XA patent/CN102496668A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110045282A1 (en) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Jeffry Kelber | Graphene/(multilayer) boron nitride heteroepitaxy for electronic device applications |
| CN101859858A (zh) * | 2010-05-07 | 2010-10-13 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 基于石墨烯的透明导电电极及其制法与应用 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| ASHWIN RAMASUBRAMANIAM ET AL.: "Tunable band gaps in bilayer grapnene-BN heterostructures", 《NANO LETTERS》 * |
| C.R.DEAN ET AL.: "Boron nitride substrates for high-quality grapheme electronics", 《NATURE NANOTECHNOLOGY》 * |
| J. SŁAWIŃSKA ET AL.: "Reversible modifications of linear dispersion: Graphene between boron nitride monolayers", 《PHYSICAL REVIEW B》 * |
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103663416A (zh) * | 2012-09-01 | 2014-03-26 | 董国材 | 一种制备石墨烯和单层六角氮化硼复合材料的方法 |
| CN103663416B (zh) * | 2012-09-01 | 2015-09-09 | 董国材 | 一种制备石墨烯和单层六角氮化硼复合材料的方法 |
| CN103569943A (zh) * | 2013-11-05 | 2014-02-12 | 无锡英普林纳米科技有限公司 | 一种耐摩擦的铂/石墨烯复合结构及其制备方法 |
| CN103569943B (zh) * | 2013-11-05 | 2016-03-30 | 无锡英普林纳米科技有限公司 | 一种耐摩擦的铂/石墨烯复合结构及其制备方法 |
| CN103570014B (zh) * | 2013-11-15 | 2015-07-29 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 一种石墨烯/氮化硼层状复合材料及其制备方法 |
| CN103570014A (zh) * | 2013-11-15 | 2014-02-12 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 一种石墨烯/氮化硼层状复合材料及其制备方法 |
| CN104966771A (zh) * | 2015-06-13 | 2015-10-07 | 温州生物材料与工程研究所 | 一种石墨烯-氮化硼-氮化镓led芯片及其制作方法 |
| CN105405965B (zh) * | 2015-12-09 | 2018-09-25 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种高灵敏度石墨烯磁场传感器及其制备方法 |
| CN105405965A (zh) * | 2015-12-09 | 2016-03-16 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种高灵敏度石墨烯磁场传感器及其制备方法 |
| CN105570560A (zh) * | 2016-03-16 | 2016-05-11 | 刘志光 | 石墨烯增强导热性复合聚烯烃管材 |
| CN105570560B (zh) * | 2016-03-16 | 2019-03-19 | 刘志光 | 石墨烯增强导热性复合聚烯烃管材 |
| CN106868469B (zh) * | 2017-03-15 | 2019-02-26 | 山东大学 | 一种在硅基上无金属催化剂制备石墨烯的方法 |
| CN106868469A (zh) * | 2017-03-15 | 2017-06-20 | 山东大学 | 一种在硅基上无金属催化剂制备石墨烯的方法 |
| CN108337749A (zh) * | 2018-01-23 | 2018-07-27 | 浙江大学 | 一种耐氧化石墨烯电热复合膜及其制备方法 |
| US11117801B2 (en) | 2018-04-24 | 2021-09-14 | Imam Abdulrahman Bin Faisal University | Transparent electrode with a composite layer of a graphene layer and nanoparticles |
| US11384427B2 (en) | 2018-04-24 | 2022-07-12 | Imam Abdulrahman Bin Faisal University | Method for fabricating a transparent electrode |
| US11486036B2 (en) | 2018-04-24 | 2022-11-01 | Imam Abdulrahman Bin Faisal University | Method for making a solar cell having a transparent electrode |
| US11578403B1 (en) | 2018-04-24 | 2023-02-14 | Imam Abdulrahman Bin Faisal University | Solar cell production method for making transparent electrode solar cell |
| US11699767B2 (en) | 2018-04-24 | 2023-07-11 | Imam Abdulrahman Bin Faisal University | Transparent electrode solar cell |
| US11984273B1 (en) | 2018-04-24 | 2024-05-14 | Imam Abdulrahman Bin Faisal University | Solar cell with transparent electrode |
| EP3605155A1 (en) * | 2018-08-02 | 2020-02-05 | Essilor International | Ophthalmic lens comprising a multilayered interferential coating and manufacturing method thereof |
| CN110806647A (zh) * | 2018-08-02 | 2020-02-18 | 依视路国际公司 | 包括多层式干涉涂层的眼科镜片及其制造方法 |
| CN113054129A (zh) * | 2019-12-28 | 2021-06-29 | Tcl集团股份有限公司 | 复合材料及其制备方法、导电电极和发光二极管 |
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