CN110709776B - 颗粒去除设备及相关系统 - Google Patents

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Abstract

一种用于从夹具(4)去除颗粒的设备(16)，该设备可布置在夹具附近，并且包括：绝缘部分(18)；支撑部分(20)，绝缘部分的至少一部分或全部被布置在支撑部分上，其中支撑部分被配置使得当电压被施加到设备的支撑部分和/或夹具的电极(8)时，支撑部分充当电极，以允许在设备与夹具之间生成电场，以用于从夹具去除颗粒。

Description

颗粒去除设备及相关系统
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年6月1日提交的欧洲专利申请No.17173872.7的优先权以及于2017年7月24日提交的欧洲专利申请No.17182807.2的优先权，其以全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及一种用于从夹具去除颗粒的设备以及相关的系统和方法。例如，本发明涉及一种用于从光刻设备的夹具去除颗粒的设备。
背景技术
光刻设备是构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可以被用在集成电路(IC)的制造中。例如，光刻设备可以将图案从图案化装置(例如，掩模)投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
由光刻设备用于将图案投影到衬底上的辐射的波长确定了可以在该衬底上形成的特征的最小尺寸。与常规光刻设备(例如，其可以使用具有193nm的波长的电磁辐射)相比，使用EUV辐射(该EUV辐射是具有波长在4nm-20nm范围内的电磁辐射)的光刻设备可以被用于在衬底上形成更小的特征。
静电夹具可以被用在光刻设备中，以分别地将物体(诸如，掩模或衬底)静电地夹持(或保持)到物体支撑件(诸如，支撑结构或衬底台)上。
在物体上可能存在的颗粒可能会移动到静电夹具的表面上，其中颗粒可能会导致静电夹具与物体之间的所谓的粘附效应。例如，这些粘附效应可能会影响光刻设备的套刻控制。
例如，可以通过用清洁产品擦拭静电夹具的表面来从静电夹具的表面手动地去除颗粒。然而，这可能会影响光刻设备的可用性，因为可能会在光刻设备的停机期间去除颗粒，并且手动去除颗粒可能会花费大量时间。
发明内容
根据本发明的第一方面，提供了一种用于从夹具去除颗粒的设备，该设备被布置或可布置在夹具附近并且包括：绝缘部分；以及支撑部分，绝缘部分的至少一部分或全部被布置在支撑部分上，其中支撑部分被配置使得当电压被施加到设备的支撑部分和/或夹具的电极时，支撑部分充当电极以允许在设备与夹具之间生成电场，以用于从夹具去除颗粒。
从夹具去除颗粒可以减少或防止夹具与由夹具保持的物体之间的粘附效应。例如，当设备与光刻设备一起使用或被包括在光刻设备中时，从夹具去除颗粒可以导致光刻设备的改进的套刻控制。该设备的使用还可以避免从夹具手动地去除颗粒。例如，因为在光刻设备的停机期间可以不必去除颗粒，所以这可以导致光刻设备的可用性提高。附加地或备选地，通过为设备提供绝缘部分，可以防止从夹具去除的颗粒返回到夹具。
例如，设备可以被配置使得设备的至少一部分的形状与夹具的一部分的形状互补，以允许减小或最小化设备与夹具之间的距离。通过减小设备与夹具之间的距离，可以增加电场的强度。这可以增加、改善或促进从夹具去除颗粒。
支撑部分可以包括至少一个凹槽或多个凹槽。
例如，当支撑部分包括多个凹槽时，绝缘部分可以在至少两个相邻的凹槽之间延伸。
至少一个凹槽或多个凹槽中的每个凹槽可以被成形，使得例如当设备被移朝向夹具时，夹具的支撑件可以至少部分地可容纳在至少一个凹槽或多个凹槽中的每个凹槽中。
绝缘部分可以被成形或配置使得：例如当电压被施加到设备的支撑部分和/或夹具的电极时，可以在设备与夹具之间生成不均匀的电场。设备与夹具之间的不均匀的电场的生成可以允许去除颗粒(诸如，不带电颗粒)。
绝缘部分可以被成形或配置使得：例如当电压被施加到设备的支撑部分和/或夹具的电极时，在设备与夹具之间生成的电场的至少一部分可以在绝缘部分上的一个或多个点处集中或增加。
设备可以包括多个绝缘部分。每个绝缘部分可以被布置成从支撑部分延伸或突起。
该/每个绝缘部分可以被布置成从第一端到第二端逐渐变细。该/每个绝缘部分的第一端可以被布置在支撑部分处或支撑部分上。第二端可以被布置成使得(例如，在使用中)第二端指向夹具(例如，夹具的表面或上表面)。
该/每个绝缘部分的第二端可以包括尖的或尖锐的部分。
设备的横向延伸或尺寸可以被选择为对应于(例如，基本上对应于)夹具的横向延伸或尺寸。这可以允许从几乎整个夹具(例如，夹具的表面或上表面)去除颗粒。
设备的横向延伸或尺寸可以被选择，使得颗粒从夹具上的预定的区域或空间(例如，夹具的表面)被去除或可去除。这可以允许从夹具(例如，夹具的表面或上表面)局部地去除颗粒。
设备可以被配置为被连接或可连接到控制器。控制器可以被配置为将电压施加到设备的支撑部分和/或夹具的电极。
支撑部分和/或绝缘部分可以被布置成限定连续表面。
例如，当电压被施加到设备的支撑部分和/或夹具的电极时，电压可以被选择使得设备与夹具之间的电场在与夹具与(例如，在夹具的使用中的)物体之间生成的电场的方向相反的方向上延伸。
根据本发明的第二方面，提供一种用于从夹具去除颗粒的系统，该系统包括：根据第一方面的设备；以及被配置为保持物体的夹具。
夹具可以被配置为与光刻设备一起使用，或者夹具可以是光刻设备的一部分或被包括在光刻设备中。
夹具可以是静电夹具或包括静电夹具。
系统可以进一步包括控制器，控制器被配置为向设备的支撑部分和/或夹具的电极施加电压。电压可以被选择使得在设备与夹具之间生成的电场作用在夹具上的颗粒上，例如以导致从夹具去除颗粒。
根据本发明的第三方面，提供了一种从夹具去除颗粒的方法，该方法包括：在夹具附近布置用于从夹具去除颗粒的设备，该设备包括绝缘部分和支撑部分，其中绝缘部分的至少一部分或全部被布置在支撑部分上，其中支撑部分被配置使得当电压被施加到设备的支撑部分和/或夹具的电极时，支撑部分充当电极以允许在设备与夹具之间生成电场，以用于从夹具去除颗粒；以及将电压施加到设备的支撑部分和/或夹具的电极，以在设备与夹具之间生成电场，以用于从夹具去除颗粒。
电压可以被选择，使得颗粒粘附至绝缘部分的至少一部分或全部。
根据第四方面，提供一种光刻设备，该光刻设备包括：照射系统，其被配置为调节辐射束；支撑结构，其被构造为支撑图案化装置，图案化装置能够在辐射束的横截面中向辐射束赋予图案以形成图案化的辐射束；衬底台，其被构造成保持衬底，衬底台包括用于保持衬底的夹具；投影系统，其被配置为将图案化的辐射束投影到衬底上；以及根据第一方面的用于从夹具去除颗粒的设备。
根据本发明的第五方面，提供一种光刻设备，光刻设备包括：照射系统，其被配置为调节辐射束；支撑结构，其被构造为支撑图案化装置，支撑结构包括用于保持图案化装置的夹具，图案化装置能够在辐射束的横截面中向辐射束赋予图案以形成图案化的辐射束；衬底台，其被构造成保持衬底；投影系统，其被配置为将图案化的辐射束投影到衬底上；以及根据第一方面的用于从夹具去除颗粒的设备。
根据本发明的第六方面，提供一种用于从衬底台去除颗粒的设备，该设备可布置在衬底台附近并且包括：绝缘部分；支撑部分，绝缘部分的至少一部分或全部被布置在支撑部分上，其中支撑部分被配置使得当电压被施加到设备的支撑部分和/或衬底台时，支撑部分充当电极以允许在设备与衬底台之间生成电场，以用于从衬底台去除颗粒。
从衬底台去除颗粒减少了污染物的积累。这可以避免衬底边缘成品率的降低，并且可以导致光刻设备的可用性增加。附加地或备选地，通过为设备提供绝缘部分，可以防止从衬底台去除的颗粒返回到衬底台。
设备可以被配置为从衬底台的突节的顶部表面去除颗粒。
支撑部分和/或绝缘部分可以被布置成限定连续表面。
绝缘部分和支撑部分可以在突节的区域中具有突出部分。
支撑部分可以是导电板。
绝缘部分可以是聚合物层。
设备可以被配置为被连接到或可连接到控制器。控制器可以被配置为将电压施加到设备的支撑部分和/或衬底台。
根据本发明的第七方面，提供一种用于从衬底台去除颗粒的系统，该系统包括根据第六方面的设备；并且衬底台被构造成保持衬底。
衬底台可以被配置为与光刻设备一起使用，或者衬底台可以是光刻设备的一部分或者被包括在光刻设备中。
系统可以进一步包括控制器，控制器被配置为将电压施加到设备的支撑部分和/或衬底台。电压可以被选择使得在设备和衬底台之间生成的电场作用在衬底台上的颗粒上，以导致从衬底台去除颗粒。
根据本发明的第八方面，提供一种从衬底台去除颗粒的方法，该方法包括：在衬底台附近布置用于从衬底台去除颗粒的设备，该设备包括绝缘部分和支撑部分，其中绝缘部分的至少一部分或全部被布置在支撑部分上，其中支撑部分被配置使得当电压被施加到设备的支撑部分和/或衬底台时，支撑部分充当电极以允许在设备与衬底台之间生成电场，以用于从衬底台去除颗粒；以及将电压施加到设备的支撑部分和/或衬底台，以在设备与衬底台之间生成电场，以用于从衬底台去除颗粒。
电压可以被选择，使得颗粒粘附至绝缘部分的至少一部分或全部。
根据本发明的第九方面，提供一种光刻设备，光刻设备包括：照射系统，其被配置为调节辐射束；支撑结构，其被构造为支撑图案化装置，图案化装置能够在辐射束的横截面中向辐射束赋予图案以形成图案化的辐射束；衬底台，其被构造成保持衬底；投影系统，其被配置为将图案化的辐射束投影到衬底上；以及根据第六方面的用于从衬底台去除颗粒的设备。
上文或下文阐述的本发明的各个方面和特征可以与本发明的各个其它方面和特征相结合，这对于本领域技术人员将是显而易见的。
附图说明
现在将仅通过示例的方式，参考所附的示意图来描述本发明的实施例，其中：
-图1描绘了根据本发明的一个实施例的光刻设备；
-图2示意性地描绘了根据本发明的一个实施例的包括用于从夹具去除颗粒的设备的系统；
-图3A示意性地描绘了图2的系统的夹具的电介质部分上的颗粒；
-图3B和图3C示意性地描绘了作用在图3A的颗粒上的电场，该电场在夹具与图2的设备之间被生成。
-图4A示意性地描绘了根据本发明的另一个实施例的包括用于从夹具去除颗粒的设备的系统；以及
-图4B示意性地描绘了根据本发明的又一个实施例的包括用于从夹具去除颗粒的设备的系统。
-图5A示意性地描绘了根据本发明的一个实施例的包括用于从衬底台去除颗粒的设备的系统。
-图5B示意性地描绘了根据本发明的另一个实施例的包括用于从衬底台去除颗粒的设备的系统。
具体实施方式
尽管在本文中可以具体参考在IC的制造中的光刻设备的使用，但是应当理解，本文所述的光刻设备可以具有其它应用，诸如集成光学系统的制造、用于磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在这种备选的应用的上下文中，本文中对术语“晶片”或“管芯”的任何使用可以分别地被认为与更通用的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文所指的衬底可以在曝光之前或曝光之后在例如轨道(通常将抗蚀剂层施加到衬底并且显影曝光的抗蚀剂的工具)或者量测或检查工具中进行处理。在适用的情况下，本文的公开可以应用于这种或其它衬底处理工具。进一步，例如，衬底可以被处理多次，以便创建多层IC，因此本文中使用的术语衬底还可以指已经包含多个处理的层的衬底。
本文中使用的术语“辐射”和“束”涵盖所有类型的电磁辐射，其包括(例如，具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长的)紫外(UV)辐射和(例如，具有在5nm-20nm的范围内的波长的)极紫外(EUV)辐射以及粒子束(诸如，离子束或电子束)。
本文中使用的术语“图案化装置”应该被广义地解释为是指可以被用于在辐射束的横截面中向辐射束赋予图案以在衬底的目标部分中创建图案的装置。应当注意，向辐射束赋予的图案可以不完全地对应于在衬底的目标部分中的期望的图案。通常，向辐射束赋予的图案将对应于在目标部分(诸如，集成电路)中创建的装置中的特定功能层。
图案化装置可以是透射的或反射的。图案化装置的示例包括掩模和可编程反射镜阵列。掩模在光刻术中是众所周知的，并且包括诸如二进制、交替型相移和衰减相移之类的掩模类型以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的一个示例采用小反射镜的矩阵布置，每个小反射镜可以被单独地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束；以这种方式，反射束被图案化。
支撑结构保持图案化装置。它以取决于图案化装置的方向、光刻设备的设计以及其它条件(诸如，图案化装置是否保持在真空环境中)的方式来保持图案化装置。支撑件可以使用机械夹持、真空或其它夹持技术(例如，在真空条件下的静电夹持)。支撑结构可以是框架或台，例如，根据需要支撑结构可以是固定的或可移动的，并且例如，支撑结构可以确保图案化装置相对于投影系统处于期望的位置。本文对术语“掩模版”或“掩模”的任何使用可以被认为与更通用的术语“图案化装置”同义。
本文中使用的术语“投影系统”应被广义地解释为涵盖各种类型的投影系统，其包括(例如适用于所使用的曝光辐射或者诸如浸液的使用或真空的使用的其它因素的)折射光学系统、反射光学系统和折反射光学系统。本文中术语“投影透镜”的任何使用可以被认为与更通用的术语“投影系统”同义。术语“透镜”在本文中可以用作“投影透镜”的简写。
照射系统还可以包含各种类型的光学部件，其包括用于引导、成形或控制辐射束的折射、反射和折反射光学部件，并且这种部件在下文中还可以统称或单称为“透镜”。
光刻设备可以是具有两个(双台)或更多个衬底台(和/或两个或更多个支撑结构)的类型。在这种“多台”机器中可以并行使用附加台，或者当一个或多个其它台被用于曝光时，可以在一个或多个台上执行准备步骤。
光刻设备还可以是这样的类型，其中衬底被浸入具有相对高的反射率的液体(例如，水)中，以便填充投影系统的最终元件与衬底之间的空间。在本领域中，浸没技术用于增加投影系统的数值孔径是众所周知的。
图1示意性地描绘了根据本发明的特定实施例的光刻设备。该设备包括：
-照射系统IL，其用于调节辐射束PB(例如，UV辐射)。
-支撑结构(例如，掩模台)MT，其用于支撑图案化装置(例如，掩模)MA，并且支撑结构MT被连接到第一定位装置PM以相对于物品PL精确地定位图案化装置；
-衬底台(例如，衬底台)WT，其用于保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并且衬底台WT被连接到第二定位装置PW，以用于相对于物品PL精确地定位衬底；以及
-投影系统(例如，折射投影透镜)PL，其被配置为将由图案化装置MA赋予辐射束PB的图案成像到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个管芯)上。
如这里描绘的，设备是透射型的(例如，采用透射掩模)。备选地，设备可以是反射型的(例如，采用如上所述的反射型掩模或可编程反射镜阵列)。
照射系统IL从辐射源SO接收辐射束。例如，当源是准分子激光器时，源和光刻设备可以是单独的实体。在这种情况下，源不被认为是光刻设备的一部分，并且借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的光束传递系统BD，辐射束从源SO被传递到照射系统IL。在其它情况下，例如当源是汞灯时，源可以是设备的组成部分。如果需要，可以将源SO和照射系统IL以及光束传递系统BD一起称为辐射系统。
照射系统IL可以包括用于调节束的角强度分布的调节装置AM。可以调节照射系统的光瞳面中强度分布的外部和/或内部径向范围(通常分别被称为-外部和-内部)。
此外，照射系统IL通常包括各种其它部件，诸如积分器IN和聚光器CO。照射系统提供经调节的辐射束PB，辐射束PB在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。
辐射束PB入射在图案化装置(例如，掩模)MA上，该图案化装置(例如，掩模)MA被保持在支撑结构MT上。穿过图案化装置MA之后，束PB穿过投影系统PL，该投影系统PL将束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉装置)，衬底台WT可以被精确地移动，例如以便将不同的目标部分C定位在束PB的路径中。类似地，第一定位装置PM和(未在图1中明确地描绘的)另一个位置传感器可以被用于(例如，在从掩模库机械获取之后或在扫描期间)相对于束PB的路径精确地定位图案化装置MA。通常，借助于形成定位装置PM和PW的一部分的长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精细定位)来实现载物台MT和WT的移动。可以使用图案化装置对齐标记M1、M2和衬底对齐标记P1、P2来对齐图案化装置MA和衬底W。在备选的布置(未示出)中，载物台MT、WT的移动可以由平面电动机和编码器系统控制。
例如，所描绘的设备可以在扫描模式下使用，其中当向束PB赋予的图案被投影到目标部分C上时(即，单次动态曝光)，同步地扫描支撑结构MT和衬底台WT。衬底台WT相对于支撑结构MT的速率和方向由投影系统PL的(缩小)放大率和图像反转特性确定。在扫描模式下，曝光场的最大尺寸限制了单次动态曝光中的目标部分(在非扫描方向上)的宽度，而扫描运动的长度决定了目标部分(在扫描方向上)的高度。扫描方向通常被称为光刻设备的y方向。
应当理解，在其它示例中，描绘的设备可以以步进模式使用。在步进模式中，当向辐射束赋予的整个图案同时投影到目标部分C上时(即，单次静态曝光)，图案化装置(例如，掩模台)MT和衬底台WT基本保持静止。然后，衬底台WT在X和/或Y方向上移动，使得不同目标部分C可以被曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的目标部分C的尺寸。
在又一示例中，支撑结构(例如，掩模台)MT基本保持静止，保持可编程的图案化装置，并且当向辐射束赋予的图案被投影到目标部分C上时，衬底台WT被移动或扫描。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在衬底台WT的每一次移动之后或在扫描期间的连续的辐射脉冲之间，可编程的图案化装置按需要进行更新。该操作模式可以容易地被应用于利用可编程图案化装置(诸如，上述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术。
光刻设备可以包括用于保持物体的夹具(诸如，静电夹具)。该物体可以是或包括衬底和/或掩模MA。静电夹具可以是衬底台WT和/或支撑结构MT的一部分，或者被包括在衬底台WT和/或支撑结构MT中。
图2描绘了根据本发明的一个实施例的用于从夹具去除颗粒的系统2。在图2中描绘的实施例中，夹具以光刻设备的静电夹具4的形式被提供。静电夹具4包括电介质部分6和由电介质部分6围绕的电极8。电介质部分6可以包括电介质或绝缘材料，和/或可以被认为是非导电的或绝缘的。静电夹具4包括下部10。下部10可以由绝缘材料形成。电介质部分6和电极8可以被布置在下部10上。静电夹具4可以包括用于保持物体(例如，掩模MA和/或衬底)的多个支撑件12a、12b，在图2中描绘了其中两个支撑件。应当理解，在其它实施例中，夹具可以包括多于或少于两个的支撑件。支撑件12a、12b可以以突节12a、12b的形式被提供。突节12a、12b可以被布置在电介质部分6的上表面6a上。突节12a、12b可以由设置有导电涂层的电介质材料或导电材料形成。突节12a、12b可以被连接到接地。突节12a、12b的上表面可以限定物体被保持在其中的平面14。
静电夹具4的电极8被配置为保持在一电压下，以在静电夹具4和物体之间生成静电力。换句话说，当电压被施加到电极8时，物体可以通过静电夹持力被保持在平面14中。静电或库伦夹持压力(每单位的夹持力)可以根据以下等式与施加的电场强度相关联：
Figure BDA0002293680780000111
其中P是在待夹持的物体上施加的库伦夹持压力，ε0是真空介电常数，并且E是由被夹持的物体所经受的电场强度。在示例中，在电介质包括电介质材料和真空间隙的情况下，可以用反映所涉及的材料和/或介质的组合的术语来代替电场和电介质常数。电场强度E可以被认为通常与向静电夹具4的电极8施加的电压V成比例，与电解质材料和/或介质的相对介电常数成比例，并且与电介质材料和/或介质的厚度(例如，电介质材料的厚度与真空间隙的厚度的和)成反比。
应当理解，本文所述的系统不限于使用图2中描绘的示例性静电夹具，并且可以使用其它静电夹具。例如，在其它实施例中，静电夹具可以以薄膜夹具的形式被提供。薄膜夹具的电介质部分可以由电介质材料(诸如，聚合物)构成。备选地或附加地，在其它实施例中，电介质部分可以被布置在电极上而不是围绕电极，或者电极可以包括彼此间隔开的一个或多个部分。
图2描绘了与用于从夹具去除颗粒的系统一起使用的设备。该设备可以以清洁设备16的形式被提供。图2中描绘的清洁设备还可以称为清洁衬底。清洁设备16可以适合于从静电夹具4去除颗粒。例如，由于向电极8施加的电压，可能将带电颗粒吸引到物体，和/或可能在存在于物体上的颗粒中诱导出电荷。带电颗粒可能从物体移动到静电夹具4的电介质部分6。即使当向静电夹具4施加的电极8的电压已经减小到0V时，带电颗粒也可能保留在静电夹具4的电介质部分6上。
存在于静电夹具4的电介质部分6的上表面6a上的颗粒可能导致夹具4与物体之间的所谓的粘附效应。颗粒可能导致夹具4的电介质部分6的上表面6a上的残留电荷，这可能会导致粘附效应。由于颗粒位于静电夹具4的电介质部分的上表面6a上，因此没有办法使颗粒的电荷从电介质部分6中传导出去。
在示例中，在物体包括衬底的情况下，粘附效应可能会影响在夹具4上布置或加载衬底。静电夹具4的电介质部分6上的带电颗粒可能会作用在衬底上和/或在衬底上施加力。力可能会影响夹具上的衬底的加载/布置。例如，力可能会影响光刻设备的套刻控制。可以将光刻设备的套刻控制视为将投影的图案与衬底上的现有图案对齐的控制。投影的图案与衬底的上现有图案之间的未对齐可能会导致多层装置结构中的短路和/或连接故障。
在使用中，清洁设备16可以被布置在静电夹具4附近。清洁设备16包括绝缘部分18。绝缘部分18可以包括绝缘或电介质材料，诸如玻璃或聚合物。例如，绝缘或电介质材料可以包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)或基于苯并环丁烯(BCB)的聚合物。然而，应当理解，可以使用其它绝缘或电介质材料。清洁设备16包括支撑部分20。在图2中，绝缘部分18被描绘为被布置在支撑部分20上。绝缘部分18被布置为从支撑部分20延伸或突起。
支撑部分20被配置使得当电压被施加到支撑部分20和/或静电夹具4的电极8时，支撑部分充当电极以允许在清洁设备16与静电夹具4之间生成电场，以用于从静电夹具4去除颗粒。例如，当电压被施加到静电夹具4的电极8时，支撑部分20中的电荷可以在支撑部分20中重新分布，因此支撑部分20的一部分具有与向静电夹具4的电极8施加的电压的极性相反的极性。换句话说，支撑部分20可以被认为是至少部分地或完全地极化的。在使用中，具有与向静电夹具4的电极8施加的电压的极性相反的极性的支撑部分20的一部分可以面对或被布置成与静电夹具4的电介质部分6的上表面6a相对。具有与向静电夹具4的电极8施加的电压的极性相反的极性的支撑部分20的一部分可以被认为是支撑部分20的下部20a。向静电夹具4的电极8施加的电压可以被选择，使得颗粒粘附至清洁设备16的绝缘部分18的至少一部分或全部。
图3A示意性地描绘了带电颗粒22与静电夹具4的电介质部分6之间的相互作用。如上所述，带电颗粒22可以从物体移动到静电夹具4的电介质部分6的上表面6a上。带电颗粒22可以诱导静电夹具4的电介质部分6的一部分的极化。例如，如图3A中描述的，颗粒22可以是带负电荷的，并且在电介质部分6的上表面6a上诱导正电荷。这种极化可以导致带电颗粒22粘附到电介质部分6。带电颗粒22到静电夹具4的电介质部分6的粘附可以是由于作用在带电颗粒22与静电夹具4的电介质部分6之间的第一力F1(诸如，范德华力)引起的。作用在带电颗粒22与静电夹具4的电介质部分6之间的第一力F1的方向由图3A中的实线箭头表示。尽管向静电夹具4的电极8施加的电压可以是0V，但是(例如，由于第一力F1)带电颗粒22可能粘附至静电夹具4的电介质部分6。
图3B与图3A相似，但是附加地描绘了静电夹具4的电极8和清洁设备16的支撑部分20的下部20a。在图3B描绘的示例中，例如由于由向静电夹具4的电极8施加的负电压引起的在支撑部分20中的电荷分布，静电夹具4的电极8带负电荷，并且清洁设备16的支撑部分20的下部20a被认为带正电荷。在清洁设备16与静电夹具4之间生成电场E，电场E由虚线箭头表示。由于清洁设备16的支撑部分20的下部20a的正电荷和/或静电夹具4的带负电荷的电极8，第二力F2在与第一力F1相反的方向上作用于带电颗粒22。第二力F2可以被认为是库仑力，库仑力可以被认为在颗粒22与支撑部分的下部20a之间是吸引的，并且在颗粒22与静电夹具4的电极8之间是排斥的。图3B中指示的电场E可以被认为是在与使用静电夹具4中(例如，在物体与静电夹具4之间)可能存在的电场相反的方向上延伸。如图3B中所示，电场方向的反转可能不足以从静电夹具4的电介质部分6的上表面6a去除带电颗粒22。清洁设备16与静电夹具4之间的电场E的强度的增加可以是必须的。
图3C与图3B相似，但是附加地描绘了清洁设备16的绝缘部分18。在图3C中，电场E的强度可以被认为相对于图3B中描绘的电场有所增加。例如，如下所述，可以通过增加施加到静电夹具4的电极8的电压和/或减小清洁设备16与静电夹具4之间的距离D来实现电场的强度的增加。增加的电场强度可以导致作用在带电颗粒22上的第二力F2的增加，这可以导致带电颗粒22向清洁设备16的绝缘部分18移动。
允许从静电夹具4去除颗粒所需的电场的强度可以取决于颗粒的尺寸，诸如颗粒的半径。从静电夹具4去除颗粒所需的电场的强度可以与
Figure BDA0002293680780000141
成比例，其中r是颗粒的半径。换句话说，随着颗粒尺寸的减小，需要增加电场的强度以允许从静电夹具4去除颗粒。
例如，在静电夹具4的使用中，电场E可以包括在物体与静电夹具4之间生成的电场强度的大约1.5倍的强度。例如，电场E可以包括大约1x108V/m至2x108V/m的强度，诸如1.5x108V/m。包括大约1x108V/m至2x108V/m的强度的电场(诸如，1.5x108V/m)足以从静电夹具4去除颗粒。具有上述示例性强度的电场可以(例如，在真空条件下)被使用。向静电夹具4的电极8施加的电压可以被选择，使得清洁设备16与静电夹具4之间的间隙两端的电压为大约1000V至2000V，诸如1500V。通过向静电夹具4的电极8施加大约为清洁设备16与静电夹具4之间的间隙两端的电压的3倍的电压(诸如3000V至6000V)，可以实现静电夹具4与清洁设备16之间的间隙两端的电压。然而，应当理解，在间隙两端实现大约1000V至2000V的电压所需的向静电夹具4的电极8施加的电压可以取决于静电夹具4的布置和/或清洁设备16的布置。例如，在间隙两端实现大约1000V至2000V的电压所需的向静电夹具4的电极8施加的电压可以取决于静电夹具4的电介质部分6的厚度、突节12a、12b的厚度、静电夹具4与清洁设备16之间的距离D和/或清洁设备16的绝缘部分18的厚度。从静电夹具去除颗粒所需的在静电夹具4与清洁设备16之间的间隙两端的电压可以取决于静电夹具4与清洁设备16之间的距离D。在示例中，在静电夹具4与清洁设备16之间的距离D为大约10μm的情况下，在静电夹具4与清洁设备16之间的间隙两端可能需要大约1500V的电压，以允许从静电夹具4去除颗粒。在静电夹具4与清洁设备16之间的间隙两端的大约1500V的电压可以导致具有大约108V/m的强度的电场。在示例中，在静电夹具4与清洁设备16之间的距离D为大约7μm的情况下，在静电夹具4与清洁设备16之间的间隙两端可能需要大约1000V的电压，以允许从静电夹具4去除颗粒。
与在真空条件下使用的电场强度相比，在大气压力下，电场E的强度可能降低。例如，空气可能会分解，例如根据帕申定律，在具有大约4x106V/m至4x107V/m的强度的电场中可能会形成放电或电弧。电场强度可以取决于清洁设备16和静电夹具4之间的距离D。例如，在清洁设备16与静电夹具4之间的距离D为大约10μm处，空气可以在大约4x107V/m的电场的强度处分解。当清洁设备16与静电夹具4之间的距离D为大约10μm时，具有大约4x107V/m或低于4x107V/m的强度的电场可以足以从静电夹具4去除颗粒。当清洁设备16与静电夹具4之间的距离D为大约1mm时，空气可以在大约4x106V/m的电场强度处分解。在这样的距离处，具有大约4x106V/m或低于4x106V/m的电场可以足以从静电夹具4去除颗粒。在大气压力下可以从静电夹具4去除的颗粒可以大约为1μm或大于1μm。这可以是由于从静电夹具4去除颗粒所需的电场的强度与
Figure BDA0002293680780000161
成比例，其中r是颗粒的半径。
在大气压力下，向静电夹具4的电极8施加的电压可以被选择，使得清洁设备16与静电夹具4之间的间隙两端的电压为大约400V至4000V。在示例中，在静电夹具4与清洁设备16之间的距离D为大约10μm的情况下，在静电夹具4与清洁设备16之间的间隙两端可以需要大约400V的电压，以允许从静电夹具4去除颗粒。在示例中，在静电夹具4与清洁设备16之间的距离D为大约1mm的情况下，静电夹具4与清洁设备16之间的间隙两端可以需要大约4000V的电压，以允许从静电夹具4去除颗粒。应当理解，本文描述的示例性系统不限于上述电场的强度和/或间隙两端的电压的使用。例如在其它实施例中，施加到静电夹具的电极的电压可以被选择，使得在清洁设备与静电夹具之间生成的电场足以允许从静电夹具去除颗粒。
应当理解，清洁设备16与静电夹具4之间的间隙的尺寸或延伸可以由清洁设备16与静电夹具4之间的距离D限定或描述。
如上所述，图3C附加地描绘了清洁设备16的绝缘部分18。通过向清洁设备16提供绝缘部分18，可以防止(例如，引起支撑部分20的下部20a的正极性的)颗粒22的电荷的反转。绝缘部分18可以防止从静电夹具4的电介质部分6的上表面6a捕获的颗粒22的放电和/或防止所捕获的颗粒返回到静电夹具4的电介质部分6的上表面6a。
尽管上面将颗粒描述为带负电荷的，但是应当理解，在其它实施例中，(例如，由于在静电夹具的使用期间向静电夹具的电极施加负电压，)颗粒可以是带正电荷的。备选地，颗粒可以不带电荷。施加到静电夹具4的电极8的电压(例如，电压的极性)可以被选择，使得在清洁设备16与静电夹具4之间生成的电场E可以在与静电夹具4的使用中(例如，在物体与静电夹具之间)可以生成的电场相反的方向上延伸。
尽管在图2的实施例中，电压被施加到静电夹具的电极，但是应当理解，在其它实施例中，除将电压施加到静电夹具的电极之外或代替将电压施加到静电夹具的电极，电压可以被施加到清洁设备的支撑部分。可以以与施加到静电夹具的电极的电压相同的方式选择施加到清洁设备的支撑部分的电压。
在图2描绘的实施例中，清洁设备16被配置使得清洁设备16的至少一部分的形状与静电夹具4的一部分的形状互补(或基本上互补)，例如以允许清洁设备16与静电夹具4之间的距离D减小或最小化。如上所述，通过减小清洁设备16和夹具4之间的距离D，可以增加在清洁设备16与静电夹具4之间延伸的电场的强度。除增加施加到例如静电夹具4的电极8的电压之外或代替增加施加到例如静电夹具4的电极8的电压，可以减小距离D以增加在清洁设备16与静电夹具4之间延伸的电场的强度。例如，支撑部分20可以被成形为与静电夹具4的上表面6a和/或电介质部分6的形状互补(或基本上互补)，以允许清洁设备16与静电夹具4之间的距离D被减少或最小化。例如，清洁设备16与静电夹具之间的距离D可以被减少到大约5μm至20μm，诸如10μm。应当理解，在其它实施例中，清洁设备与静电夹具之间的距离可以被改变或减小为大于或小于5μm至20μm。例如，如上所述，在大气压力下，清洁设备与静电夹具之间的距离可以是大约1mm。支撑部分20可以包括多个凹槽20b、20c(在图2中描绘了其中的两个凹槽)。尽管图2描绘了两个凹槽20b、20c，但是应当理解，在其它实施例中，电极可以包括多于或少于两个凹槽。例如，电极的凹槽的数目可以取决于在静电夹具的电介质部分的上表面上存在的突节的数目。
例如，当清洁设备16被朝向静电夹具4(例如，电介质部分6的上表面6a)移动时，每个凹槽20b、20c可以被成形使得静电夹具4的相应的突节12a、12b被至少部分地或完全地容纳在每个凹槽中。当支撑部分20与静电夹具4的突节12a、12b接触时，支撑部分20可以被认为是接地的。应当理解，在其它实施例中，清洁设备的支撑部分可以被连接到接地。
在支撑部分20包括多个凹槽20b、20c的实施例中，绝缘部分18可以被布置成在支撑部分的两个相邻的凹槽之间延伸。
可以根据(例如，在图2中指示的y方向和/或z方向上的)横向延伸或尺寸，选择(例如，在图2中指示的y方向和/或z方向上的)清洁设备16的横向延伸或尺寸。例如，清洁设备16的横向延伸或尺寸可以被选择为对应于(或基本对应于)静电夹具4的横向延伸或尺寸。这可以允许从静电夹具4的电介质部分6的几乎整个上表面6a去除颗粒。然而，应当理解，可能期望从静电夹具的上表面上的预定区域或空间去除颗粒。
图4A描绘了用于从夹具去除颗粒的系统2的另一个示例。图4A中描绘的系统2类似于图2中描绘的系统。然而，支撑部分20和绝缘部分18被布置为各自限定连续表面。应当理解，在其它示例中，支撑部分或绝缘部分中的一者可以限定连续表面，而另一者包括一个或多个凹槽。例如在图4A中指示的在y方向和z方向上的清洁设备16的横向延伸或尺寸小于图2中描绘的清洁设备的横向延伸或尺寸。清洁设备16的横向延伸或尺寸可以被选择，使得颗粒可以从静电夹具4的电介质部分的上表面6a上的预定区域或空间被去除或可去除。例如，清洁设备16的横向延伸或尺寸可以被选择为对应于(或基本上对应于)或小于静电夹具4的两个相邻的突节12a、12b之间的空间或区域。这可以允许减小或最小化清洁设备16与静电夹具之间的距离D，例如以增加清洁设备16与静电夹具4之间的电场的强度。这还可以允许从静电夹具4的电介质部分6的上表面6a局部地去除颗粒。尽管清洁设备16在图4A中被描绘为包括比静电夹具的横向延伸或尺寸小的横向延伸或尺寸，但是应当理解，在其它实施例中，清洁设备的横向延伸或尺寸可以被选择为基本上对应于静电夹具的横向延伸或尺寸。
图4B描绘了用于从夹具去除颗粒的系统的另一个示例。图4A中描绘的系统2类似于图2中描绘的系统。清洁设备16的绝缘部分18可以被成形，使得在清洁设备16与静电夹具4之间生成的电场包括不均匀的电场。绝缘部分18可以被成形，使得在清洁设备16与静电夹具4之间生成的电场在绝缘部分18上的一个或多个点处集中或增加。例如，清洁设备16可以包括多个绝缘部分18a、18b、18c、18d，该多个绝缘部分可以被布置为从电极20延伸。每个绝缘部分18a、18b、18c、18d可以被布置为从第一端到第二端逐渐变细。每个绝缘部分18a、18b、18c、18d的第一端可以被布置在支撑部分20处或支撑部分20上。第二端可以被布置为远离支撑部分20。第二端可以被布置，使得在使用中第二端指向静电夹具4的电介质部分6的上表面6a。
每个绝缘部分18a、18b、18c、18d可以包括尖的或尖锐的部分19a、19b、19c、19d。尖的或尖锐的部分19a、19b、19c、19d可以是每个绝缘部分18a、18b、18c、18d的第二端的一部分，被包含在每个绝缘部分18a、18b、18c、18d的第二端中，或者限定每个绝缘部分18a、18b、18c、18d的第二端。多个绝缘部分18a、18b、18c、18d可以被布置在支撑部分20上，使得在使用中，每个绝缘部分18a、18b、18c、18d的每个尖的或尖锐的部分19a、19b、19c、19d指向静电夹具4的电介质部分6的上表面6a。当在清洁设备16与静电夹具4之间生成电场时，电场可以被认为集中在每个绝缘部分18a-18d的尖的或尖锐的部分19a-19d上。换句话说，生成的电场的强度可以被认为在每个绝缘部分18a-18d的尖的或尖锐的部分19a-19d处增加。如上所述，这可以允许从静电夹具4的电介质部分6的上表面6a去除颗粒。
在图4B中描绘的清洁设备16之间生成的电场可以被认为是不均匀的。清洁设备16与静电夹具4之间的不均匀的电场的生成可以允许去除不带电荷的颗粒。例如，在使用中，不带电荷的颗粒可以被在静电夹具4与物体之间生成的电场吸引。在一些示例中，不带电荷的颗粒可以被在静电夹具4与物体之间生成的电场极化。例如，在静电夹具4与物体之间的电场可以在颗粒中诱导出两个相反的电荷。颗粒的一部分可以带正电荷，而颗粒的另一部分可以带负电荷。这可以导致颗粒与电场对齐。在均匀的电场中，(例如，由于库仑力作用在颗粒的两个部分上)颗粒在静电夹具4上可以是固定的或不运动的，而在不均匀的电场中，颗粒可以被电场的一部分吸引，该电场的一部分具有增加的电场强度。在其它示例中，可以在静电夹具4与物体之间存在或放置包括电荷的颗粒(诸如，预先带电的颗粒)。例如，由于库仑力作用在颗粒上，颗粒可以朝向静电夹具4移动。例如，由于库仑力作用在颗粒上，在不带电荷的颗粒中感应的两个相反电荷的效应通常比朝向静电夹具4移动的预先带电的颗粒的效应弱。
绝缘部分18a-18d可以以从清洁设备的支撑部分20延伸的齿或尖头的形式提供。应当理解，绝缘部分不限于以齿或尖头的形式设置，并且绝缘部分的其它形状可以被用于将生成的电场集中在绝缘部分的一个或多个点处和/或生成不均匀的电场。尽管图4B描绘了四个绝缘部分，但是应当理解，在其它实施例中，多于或少于四个绝缘部分可以被布置在清洁设备的电极上。
在图4A和图4B中，电压可以被施加到支撑部分20，诸如施加到支撑部分20的上部20d。施加到支撑部分20的电压的极性可以相同。例如，当没有电压被施加到静电夹具4的电极8时，施加到支撑部分20的电压可以导致在支撑部分20中的电荷的重新分布。当电压被施加到清洁设备16的支撑部分20并且被施加到静电夹具的电极8时，在支撑部分20中的电荷的重新分布可以增加。这可以导致在清洁设备16与静电夹具14之间延伸的电场的强度增加。例如，当正电压被施加到清洁设备16的支撑部分20和/或静电夹具4的电极8时，支撑部分20的下部20a可以被认为是带负电荷的，并且支撑部分20的上部20d可以被认为是带正电荷的。将理解的是，在负电压被施加到清洁设备的支撑部分和/或静电夹具的电极的实施例中，支撑部分的下部可以被认为是带正电荷的，并且支撑部分的上部可以被认为是带负电荷的。
在图2、图4A和/或图4B中描绘的系统2可以包括(由图2、图4A和图4B中的虚线矩形指示的)控制器23。控制器23可以被配置为将电压施加到静电夹具4的电极8和/或清洁设备16的支撑部分20。控制器23可以包括电压源24。电压源24可以被配置为将电压施加到清洁设备16的支撑部分20。系统2可以包括另外的电压源26，该另外的电压源26被配置为向静电夹具4供应电压。另外的电压源26可以是控制器23的一部分或者被包括在控制器23中。备选地，另外的电压源26可以是另外的控制器的一部分或者被包括在另外的控制器中。备选地，电压源24可以被配置为向清洁设备16的支撑部分20和静电夹具4的电极8施加电压。将理解的是，在其它实施例中，控制器(或者另外的控制器)可以与控制器(或者另外的控制器)分开和/或附加地提供。
在图2、图4A和/或图4B中描绘的绝缘部分18可以包括最小厚度。绝缘部分的最小厚度可以使得防止绝缘部分18的击穿。绝缘部分18可以包括最大厚度。最大厚度可以被选择，使得在清洁设备16与静电夹具4之间生成的电场的强度最大化。例如，与在包括具有等于或小于最大厚度的厚度的绝缘部分的清洁装置16和静电夹具4之间生成的电场的强度相比，绝缘部分18的大于最大厚度的厚度可以导致电场强度的降低。例如，在清洁设备16的操作期间，绝缘部分18的厚度可以被选择为小于清洁设备16与静电夹具4之间的距离D。绝缘部分18的厚度可以被选择在大约100nm至5μm的范围内。
图2、图4A和/或图4B中描绘的支撑部分20可以包括这样选择的材料，使得材料的时间常数小于从静电夹具4去除颗粒所用的时间。材料的时间常数可以被认为是材料对在清洁设备16与静电夹具4之间生成的电场的响应。换句话说，材料的时间常数可以被认为是材料变为至少部分地或完全地极化所需的时间(例如，如上所述，重新分配材料中的电荷所需要的时间)。材料的时间常数可以由材料的电阻率和材料的介电常数的乘积得出。材料可以被选择使得时间常数在小于一秒至大于一天的范围内。例如，材料可以包括等于或小于0.1秒的时间常数。这可以允许支撑部分20的材料被认为是导电的。例如，图2、图4A和/或图4B中描绘的支撑部分可以包括导电材料，诸如金属或半导体材料(例如，硅、氮化镓(GaN)或碳化硅(SiC))。
在使用中，在图2、图4A和/或图4B中描绘的清洁设备16可以被布置在静电夹具4的上表面6a附近。例如，清洁设备16可以相对于静电夹具4被布置，使得绝缘部分18指向静电夹具4(例如，电介质部分6的上表面6a)或朝向静电夹具4延伸。清洁设备16可以相对于静电夹具被布置，使得绝缘部分18和/或支撑部分20沿平行于(或基本上平行于)静电夹具4的电介质部分6的上表面6a的方向延伸。
在使用中，电压可以被施加到静电夹具4的电极8和/或清洁设备16的支撑部分20，以在清洁设备16与静电夹具4之间生成电场。电压可以被选择，使得在清洁设备16与静电夹具4之间生成的电场作用在颗粒上，以导致从静电夹具4的上表面6a去除颗粒。
系统2和/或清洁设备16可以是光刻设备的一部分。然而，将理解的是，在其它实施例中，系统和/或清洁设备可以与光刻设备分开设置。例如，系统和/或清洁设备可以是单独的清洁站的一部分或者被包括在单独的清洁站中。系统和/或设备可以被用于防止颗粒朝向静电夹具4或其它物体移动或传输。这可以防止颗粒进入光刻设备或者减少可以进入光刻设备的颗粒的量。例如，系统和/或设备可以是衬底加载系统的一部分。
支撑部分被描述为被配置为当电压被施加到静电夹具的电极和/或支撑部分时充当电极。如上所述，支撑部分可以包括半导体材料。在该实施例中，当支撑部分被布置在由静电夹具生成的电场(例如，施加到静电夹具的电极的电压)或电压中、或经受该电场或该电压时，支撑部分可以被认为是充当电极。备选地，如上所述，当电压被施加到支撑部分时，支撑部分可以被认为是充当电极，这可能导致支撑部分中的电荷的重新分布。将理解的是，在其它实施例中，除半导体材料之外或代替半导体材料，支撑部分可以包括导电材料。当电压被施加到导电材料时，支撑部分可以充当电极。例如，导电材料可以被布置以在支撑部分中形成电极。在这种实施例中，向静电夹具的电极和/或支撑部分施加的电压(例如，电压的极性)可以被选择，使得在清洁设备与静电夹具之间生成的电场作用在颗粒上，以导致从静电夹具的上表面去除颗粒。
静电夹具上的颗粒可以被预先带电，以促进借助于静电力从静电夹具改善地去除颗粒。这种预先带电可以如下进行：首先，例如正200伏的钳位电压(应小于正或负300伏)被施加到静电夹具而没有物体存在于夹具上。在施加该钳位电压期间，静电夹具和其上的颗粒借助于具有(EUV)辐射的曝光放电。然后，钳位电压被去除，并且颗粒利用负200伏(如果钳位电压为负200伏，则利用正200伏)进行预先带电。
本发明的实施例可以被用在使用EUV辐射或深紫外(DUV)辐射(例如，193nm或248nm)的光刻设备中。静电夹具可以被用在光刻设备LA中，在光刻设备LA中使用真空夹具是不实际的。例如，EUV光刻设备LA的某些区域在真空条件下操作，因此在这些区域中使用真空夹具可能是不实际的。取而代之，可以使用静电夹具。当使用DUV辐射时，光刻设备可以处于(非真空条件)环境下，因此可以使用真空夹具将衬底W保持到衬底台WT。本发明的实施例可以被用于从包括真空夹具的衬底台WT去除污染物。
图5A描绘了根据本发明的一个实施例的用于从衬底台WT去除颗粒的系统30。衬底台WT可以包括用于保持衬底W(未示出)的多个支撑件，在该示例中多个支撑件是突节32。突节32被设置为二维阵列。在图5A中可见十五个突节32。这可以对应于大约150个突节的二维阵列。将理解的是，在其它示例中，衬底台WT可以包括其它数目的突节。突节32被布置在衬底台WT的主体36的上表面34上。突节32可以与衬底台WT的主体36成为一体。突节32的上表面可以限定平面38，衬底W可以被保持在平面38中。
衬底W可以通过真空夹具附接到突节32。即，通过施加提供将衬底W吸引到突节32的力的真空来将衬底W保持到突节32。为此，密封件49被设置在衬底台WT上。将理解的是，本文描述的系统不限于使用真空夹具，并且可以使用其它夹具。
图5A描绘了与系统30一起使用的用于从衬底台WT去除颗粒的设备。设备可以以清洁设备40的形式被提供。在图5A中描绘的清洁设备40还可以被称为清洁衬底。清洁设备40可以适用于从衬底台WT去除颗粒。特别地，清洁设备40可以适用于从衬底台WT的突节32去除颗粒。甚至更特别地，清洁设备40可以适用于从衬底台WT的突节32的顶部表面去除颗粒。
在使用中，清洁设备40可以被布置在衬底台WT附近。清洁设备40包括绝缘部分42。绝缘部分42可以包括绝缘或电介质材料，诸如玻璃或聚合物。绝缘部分42可以包括光致抗蚀剂。
清洁设备40包括支撑部分44。支撑部分44可以是衬底W。支撑部分44可以是导电板，更特别地是裸露的衬底W。在图5A中，绝缘部分42被描绘为被布置在支撑部分44上。绝缘部分42被布置成从支撑部分44延伸或突起。
支撑部分44和绝缘部分42被布置成各自限定基本上连续的表面，除了电连接可以通过的支撑部分44和绝缘部分42中的一者或两者的一部分。在其它示例中，可以没有用于电连接通过的部分，并且支撑部分和/或绝缘部分可以限定整个连续的表面。将理解的是，在其它示例中，支撑部分或绝缘部分中的一者可以限定连续的表面，而另一者包括一个或多个凹槽。
支撑部分40被配置使得：当电压被施加到支撑部分44和/或衬底台WT时，支撑部分44充当电极以允许在清洁设备40与衬底台WT之间生成电场，以用于从衬底台WT去除颗粒。因此，在非导电绝缘部分42两端存在电压差。施加到支撑部分44和/或衬底台WT的电压可以被选择，使得颗粒粘附到清洁设备40的绝缘部分38的至少一部分或全部。
系统30可以包括(在图5A中由矩形指示的)控制器46。在该示例中，控制器46可以被配置为将电压施加到清洁设备40的支撑部分44。控制器46可以包括电压源48。电压源可以是DC。电压源48可以被配置为将电压施加到清洁设备40的支撑部分44。DC电压源48的负极可以被连接到衬底台WT。这可以通过将杆50附接到衬底台WT中的孔52中来实现。DC电压源48的负极与杆50之间的电连接可以穿过支撑部分44和绝缘部分42中的一者或两者的部分。衬底台WT可以接地。在其它示例中，DC电压源48的负极可以被连接到与衬底台WT相同的接地。
在其它示例中，系统30可以包括另外的电压源(未示出)，该另外的电压源被配置为向衬底台WT施加电压。另外的电压源可以是控制器46的一部分或者被包括在控制器46中。备选地，另外的电压源可以是另外的控制器(未示出)的一部分或者被包括在另外的控制器(未示出)中。备选地，电压源48可以被配置为将电压施加到清洁设备40的支撑部分44和衬底台WT。
由于在清洁设备40与衬底台WT之间建立了电场，衬底台WT上的颗粒将获得电荷。如果电场足够强，则来自支撑部分44的静电引力将克服作用在颗粒上的粘附力(和重力)，并且颗粒将变得粘附到绝缘部分42。这类似于以上关于图2至图4描述的方法。
根据颗粒直径和电场的大小，重力、粘附力或静电力中的一个力将在颗粒上占主导地位。在一个示例中，对于颗粒直径为200nm-300nm的颗粒去除，如果1MW/cm的电场被施加，则所得的静电力将克服重力和粘附力。可以使用其它量级的电场。对于颗粒大小减小的颗粒去除，电场可以被增加。也就是说，与较大的颗粒相比，对于较小的颗粒，电场必须较大，以使静电力在较小的颗粒上占主导地位。
绝缘部分42可以具有(即，在x方向上)大约1μm-10μm的厚度。在其它示例中，根据需要，绝缘部分42的厚度可以更小或更大。
图5A的清洁设备可以实现高达10MW/cm的电场。例如，为了实现10MW/cm的电场，可以对10μm的绝缘层42施加10kV的电压差。在其它示例中，实现的电场可以不同于10MW/cm。
系统30通过去除堆积在这里的颗粒来清洁突节30的顶部表面。清洁衬底台WT的其它先前的方法不能充分地清洁衬底台WT。
先前的清洁程序/工具/液体被认为不足以适当地清洁被污染的衬底台WT。手动清洁在达到一定的污染阈值时被执行。以前，在达到手动清洁污染阈值之前，使用原位花岗岩清洁石清洁衬底台WT。这种原位清洁(数分钟)比手动清洁(4小时)更省时，但不够彻底。
使用先前的清洁方法，已经注意到，所使用的新衬底台WT所需的清洁频率随时间增加。这是由于先前的清洁方法(原位和手动)无法彻底地清洁衬底台WT。更特别地，这是因为唯一被主动清洁的表面是突节顶部区域，因为清洁石(在手动清洁过程中也使用)没有达到突节顶部平面以下。污染物(颗粒)可能不能使用这些先前的方法而被去除，而是被位移(例如，到突节之间)。当污染物不是被去除而是位移时，清洁后污染突节顶部的机会增大。然后该突节顶部污染导致焦距斑点(在z方向上的衬底W平面偏离)，这导致衬底W成品率损失。
当颗粒不被去除时，颗粒有机会变得粘附到衬底台WT表面。例如，硅颗粒可以在衬底台WT表面上沉降并且氧化。
图5A的系统30提供了改进的清洁以减少污染物的积累。可以通过系统30去除颗粒。在衬底台WT上边缘上积累的污染物不利地影响衬底边缘的成品率和光刻设备LA的机器正常运行时间。因此，使用图5A的系统30去除污染物(颗粒)可以避免衬底边缘成品率的降低，并且可以导致光刻设备的可用性增加。
系统30可以在粘附到突节30的顶部表面的硬质颗粒(诸如，SiC晶粒或Si颗粒)上特别好地工作。
图5B描绘了用于从衬底台WT去除颗粒的系统54的另一个示例。该系统54与图5A的系统30相同，除了绝缘部分56不限定基本连续的表面。
绝缘部分56具有突出部分58，突出部分58在衬底台WT的突节32的区域中从支撑部分44朝向衬底台WT(x方向)突起。由于突出部分58朝向衬底台WT突出，因此在绝缘部分56中形成了凹槽。尽管一些突出部分58可以使突节32稍微重叠，但是突出部分58具有与在y方向上的突节32的尺寸(宽度)基本相同的在y方向上的尺寸(宽度)。尽管一些突出部分58可以使突节32稍微重叠，但是突出部分58具有与在z方向上的突节32的尺寸(长度)基本相同的在z方向上的尺寸(长度)。通常，突出部分58的区域与突节32的顶部表面的区域相同或相似。
支撑部分44还具有突出部分60，其在衬底台WT的突节32的区域中从支撑部分44(x方向)朝向衬底台WT突起。由于突出部分58朝向衬底台WT突出，这些突出部分60填充了在绝缘部分56中形成的凹槽。因此，支撑部分44与突节32的顶部表面之间的距离(即，绝缘部分56在x方向上的厚度)仍然相等。
由于突出部分58导致的绝缘部分56的新形状减小了绝缘部分56与衬底台WT的主体36之间的电弧(空气的电离)的机会。这是由于绝缘部分56的非突起部分与衬底台WT的主体36之间的距离增加。至少在0.03MW/cm的电场下，空气中的电弧通常会成为一个问题。当将1MW/com的电场施加到绝缘部分56的两端时，朝向衬底台WT的主体36的电场将为0.03MW/cm。减小绝缘部分的厚度可以减小电弧的风险。在其它示例中，可以通过其它方式来减小电弧的风险，例如通过增加绝缘部分56与衬底台WT的主体36之间的距离。
尽管在本文中可以在光刻设备的上下文中具体参考本发明的实施例，但是本发明的实施例可以在其它设备中被使用。本发明的实施例可以形成掩模检查设备、量测设备或者测量或处理物体(诸如，晶片(或其它衬底)或掩模(或其它图案化装置))的任何设备的一部分。这些设备通常可以称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。
术语“EUV辐射”可以被认为包括具有在4nm-20nm范围内(例如，在13nm-14nm范围内)的波长的电磁辐射。EUV辐射可以具有小于10nm的波长(例如，在4nm-10nm的范围内，诸如，6.7nm或6.8nm)。
尽管在本文中可以具体提及在IC的制造中使用光刻设备，但是应当理解，本文所述的光刻设备可以具有其它应用。其它可能的应用包括集成光学系统的制造、用于磁畴存储器的引导及检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。
尽管上面可以已经在光学光刻术的背景下具体参考了本发明的实施例的使用，但是应当理解，本发明可以在其它应用(例如压印光刻术)中使用，并且在上下文允许的情况下不限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案化装置中的形貌限定了在衬底上创建的图案。可以将图案化装置的形貌压入向衬底供应的抗蚀剂层中，然后通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使抗蚀剂固化。在抗蚀剂固化之后，将图案化装置移出抗蚀剂，从而在其中留下图案。
虽然上面已经描述了本发明的特定实施例，但是应当理解，本发明可以不同于所描述的方式来实践。上面的描述旨在是说明性的而不是限制性的。因此，对于本领域的技术人员将显而易见的是，可以在不脱离下面提出的权利要求的范围的情况下，对所描述的本发明进行修改。

Claims (32)

1.一种用于从夹具去除颗粒的设备，所述设备可布置在所述夹具附近，并且包括：
绝缘部分；
支撑部分，所述绝缘部分被布置在所述支撑部分上，其中所述支撑部分被配置使得：当电压被施加到所述设备的所述支撑部分和/或所述夹具的电极时，所述支撑部分充当电极，以允许在所述设备与所述夹具之间生成电场，以用于从所述夹具去除所述颗粒，并且其中所述支撑部分包括多个凹槽，其中所述绝缘部分在至少两个相邻的凹槽之间延伸，
其中所述设备被配置使得所述设备的至少一部分的形状与所述夹具的一部分的形状互补，以允许所述设备与所述夹具之间的距离减小或最小化。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个凹槽中的每个凹槽被成形使得：当所述设备朝向所述夹具移动时，所述夹具的支撑件至少部分地可容纳在所述多个凹槽中的每个凹槽中。
3.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述绝缘部分被成形或被配置使得：当电压被施加到所述设备的所述支撑部分和/或所述夹具的所述电极时，不均匀的电场在所述设备与所述夹具之间被生成。
4.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述绝缘部分被成形或被配置使得：当电压被施加到所述设备的所述支撑部分和/或所述夹具的所述电极时，在所述设备与所述夹具之间生成的电场的至少一部分在所述绝缘部分上的一个或多个点处被集中或增加。
5.根据权利要求1或2所述的设备，其中设备包括多个绝缘部分，每个绝缘部分被布置成从所述支撑部分延伸或突起。
6.根据权利要求5所述的设备，其中所述多个绝缘部分中的每个绝缘部分被布置成从第一端到第二端逐渐变细，所述多个绝缘部分中的每个绝缘部分的所述第一端被布置在所述支撑部分上，所述第二端被布置使得：在使用中，所述第二端指向所述夹具。
7.根据权利要求6所述的设备，其中所述多个绝缘部分中的每个绝缘部分的所述第二端包括尖锐的部分。
8.根据权利要求1、2、6和7中的任一项所述的设备，其中所述设备的横向延伸被选择为基本对应于所述夹具的横向延伸。
9.根据权利要求1、2、6和7中的任一项所述的设备，其中所述设备的横向延伸被选择使得：所述颗粒从所述夹具上的预定区域或空间被去除或可去除。
10.根据权利要求1、2、6和7中的任一项所述的设备，其中所述设备被配置为连接到或可连接到控制器，所述控制器被配置为将电压施加到所述设备的所述支撑部分和/或所述夹具的所述电极。
11.根据权利要求1、2、6和7中的任一项所述的设备，其中当电压被施加到所述设备的所述支撑部分和/或所述夹具的电极时，所述电压被选择使得：所述设备与所述夹具之间的所述电场延伸的方向与所述夹具与在所述夹具中使用的物体之间生成的电场的方向相反。
12.一种用于从夹具去除颗粒的系统，所述系统包括：
根据权利要求1至11中的任一项所述的设备；以及
夹具，被配置为保持物体。
13.根据权利要求12所述的系统，其中所述夹具被配置为用于与光刻设备一起使用，或者所述夹具是所述光刻设备的一部分。
14.根据权利要求12或13所述的系统，其中所述夹具包括静电夹具。
15.根据权利要求12或13所述的系统，进一步包括控制器，所述控制器被配置为向所述设备的所述支撑部分和/或所述夹具的电极施加电压，其中所述电压被选择使得：在所述设备与所述夹具之间生成的所述电场作用在所述夹具上的所述颗粒上，以导致从所述夹具去除所述颗粒。
16.一种从夹具去除颗粒的方法，所述方法包括：
在所述夹具附近布置用于从夹具去除颗粒的设备，所述设备包括绝缘部分和支撑部分，其中所述绝缘部分被布置在所述支撑部分上，其中所述支撑部分被配置使得：当电压被施加到所述设备的所述支撑部分和/或所述夹具的电极时，所述支撑部分充当电极，以允许在所述设备与所述夹具之间生成电场，以用于从所述夹具去除所述颗粒，并且其中所述支撑部分包括多个凹槽，其中所述绝缘部分在至少两个相邻的凹槽之间延伸，其中所述设备被配置使得所述设备的至少一部分的形状与所述夹具的一部分的形状互补，以允许所述设备与所述夹具之间的距离减小或最小化；以及
向所述设备的所述支撑部分和/或所述夹具的电极施加电压，以在所述设备与所述夹具之间生成电场，以用于从所述夹具去除所述颗粒。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述电压被选择使得所述颗粒粘附到所述绝缘部分的至少一部分或全部。
18.一种光刻设备，包括：
照射系统，被配置为调节辐射束；
支撑结构，被构造成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够在其横截面中将所述图案赋予所述辐射束，以形成图案化的辐射束；
衬底台，被构造成保持衬底，所述衬底台包括用于保持所述衬底的夹具；
投影系统，被配置为将所述图案化的辐射束投影到所述衬底上；以及
根据权利要求1至11中的任一项所述的用于从所述夹具去除颗粒的设备。
19.一种光刻设备，包括：
照射系统，被配置为调节辐射束；
支撑结构，被构造为支撑图案形成装置，所述支撑结构包括用于保持所述图案形成装置的夹具，所述图案形成装置能够在其横截面中将图案赋予所述辐射束，以形成图案化的辐射束；
衬底台，被构造成保持衬底；
投影系统，被配置为将所述图案化的辐射束投影到所述衬底上；以及
根据权利要求1至11中任一项所述的用于从所述夹具去除颗粒的设备。
20.一种用于从衬底台去除颗粒的设备，所述设备可布置在所述衬底台附近，并且包括：
绝缘部分；
支撑部分，所述绝缘部分被布置在所述支撑部分上，其中所述支撑部分被配置使得：当电压被施加到所述设备的所述支撑部分和/或所述衬底台时，所述支撑部分充当电极，以允许在所述设备与所述衬底台之间生成电场，以用于从所述衬底台去除颗粒，并且其中所述支撑部分包括多个凹槽，其中所述绝缘部分在至少两个相邻的凹槽之间延伸，
其中所述设备被配置使得所述设备的至少一部分的形状与所述衬底台的一部分的形状互补，以允许所述设备与所述衬底台之间的距离减小或最小化。
21.根据权利要求20所述的设备，其中所述设备被配置为从所述衬底台的突节的顶部表面去除颗粒。
22.根据权利要求21所述的设备，其中所述绝缘部分和所述支撑部分在所述突节的区域中具有突出部分。
23.根据权利要求20至22中的任一项所述的设备，其中所述支撑部分是导电板。
24.根据权利要求20至22中的任一项所述的设备，其中所述绝缘部分是聚合物层。
25.根据权利要求20至22中的任一项所述的设备，其中所述设备被配置为连接到或可连接到控制器，所述控制器被配置为向所述设备的所述支撑部分和/或所述衬底台施加电压。
26.一种用于从衬底台去除颗粒的系统，所述系统包括：
根据权利要求20至25中的任一项所述的设备；以及
衬底台，被构造成保持衬底。
27.根据权利要求26所述的系统，其中所述衬底台被配置为用于与光刻设备一起使用，或者所述衬底台是所述光刻设备的一部分。
28.根据权利要求26至27中的任一项所述的系统，进一步包括控制器，所述控制器被配置为向所述设备的所述支撑部分和/或所述衬底台施加电压，其中所述电压被选择使得：在所述设备与所述衬底台之间生成的所述电场作用在所述衬底台上的所述颗粒上，以导致从所述衬底台去除所述颗粒。
29.一种从衬底台去除颗粒的方法，所述方法包括：
在所述衬底台附近布置用于从衬底台去除颗粒的设备，所述设备包括绝缘部分和支撑部分，其中所述绝缘部分被布置在所述支撑部分上，其中所述支撑部分被配置使得：当电压被施加到所述设备的所述支撑部分和/或所述衬底台时，所述支撑部分充当电极，以允许在所述设备与所述衬底台之间生成电场，以用于从所述衬底台去除所述颗粒，并且其中所述支撑部分包括多个凹槽，其中所述绝缘部分在至少两个相邻的凹槽之间延伸，其中所述设备被配置使得所述设备的至少一部分的形状与所述衬底台的一部分的形状互补，以允许所述设备与所述衬底台之间的距离减小或最小化；以及
向所述设备的所述支撑部分和/或所述衬底台施加电压，以在所述设备与所述衬底台之间生成电场，以用于从所述衬底台去除所述颗粒。
30.根据权利要求29所述的方法，其中所述电压被选择使得所述颗粒粘附至所述绝缘部分的至少一部分或全部。
31.一种光刻设备，包括：
照射系统，被配置为调节辐射束；
支撑结构，被构造为支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够在所述辐射束的横截面中向所述辐射束赋予图案，以形成图案化的辐射束；
衬底台，被构造成保持衬底；
投影系统，被配置为将所述图案化的辐射束投影到所述衬底上；以及
根据权利要求20至25中的任一项所述的用于从所述衬底台去除颗粒的设备。
32.根据权利要求16或17中的任一项所述的方法，其中所述夹具上的所述颗粒在从所述夹具被去除之前被预先带电。
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