CN110832399B - 系统、光刻设备和减少衬底支撑件上的氧化或去除衬底支撑件上的氧化物的方法 - Google Patents

Abstract

一种系统，包括：衬底支撑件，所述衬底支撑件配置成保持衬底；导电或半导电元件，所述导电或半导电元件与衬底支撑件接触并覆盖衬底支撑件的至少一部分；和充电装置，所述充电装置配置成相对于衬底支撑件的被导电或半导电元件覆盖的部分向所述导电或半导电元件施加正电位。

Description

系统、光刻设备和减少衬底支撑件上的氧化或去除衬底支撑 件上的氧化物的方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年6月29日提交的欧洲申请17178743.5的优先权，所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本发明涉及一种系统、一种光刻设备和一种用于减少衬底支撑件上的氧化或去除衬底支撑件上的氧化物的方法。

背景技术

光刻设备是一种将期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(也常常被称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。所述辐射的波长决定了在衬底上图案化的最小特征尺寸。当前使用的典型的波长是 365nm(i-线)、248nm、193nm和13.5nm。使用波长在4nm至20nm范围内(例如6.7nm或13.5nm)的极紫外线(EUV)辐射的光刻设备可以被用于在衬底上形成比例如使用193nm波长的辐射的光刻设备更小的特征。

当从图案形成装置转印图案时，衬底被夹持到光刻设备中的衬底台的衬底支撑件上。衬底支撑件通常具有沿第一(z)方向延伸的多个凸起(称为突节)以支撑衬底。与衬底的总面积相比，接触衬底从而支撑衬底的突节的末端表面的总面积很小。因此，随机地位于衬底或衬底支撑件的表面上的污染物颗粒被困在突节和衬底之间的可能性很小。而且，在衬底支撑件的制造中，相较于可将大的表面准确地制成平坦的，可以将突节的顶部更准确地制成共面。

当首先将衬底装载到衬底支撑件上以准备曝光时，衬底由所谓的电子销(e销)支撑，所述e销在多个位置处保持衬底。为了将衬底装载到衬底支撑件上，缩回e销，使得衬底由衬底支撑件的突节支撑。当衬底由e 销保持时，其自身的重量将导致衬底变形，例如，从上方观察时变成凸面。为了将衬底装载到衬底支撑件上，缩回e销，使得衬底由衬底支撑件的突节支撑。当衬底下降到衬底支撑件的突节上时，在接触其它位置(例如，靠近中心处)之前，衬底将接触一些位置(例如，靠近边缘处)。突节和衬底的下表面之间的摩擦可以防止衬底完全松弛成平坦的无应力状态。

突节的末端表面的平坦度(即突节的所有末端表面处于同一平面的接近程度)和突节的末端表面与衬底之间的摩擦系数很重要。这是因为突节的平坦度的任何变化都被传递到衬底的顶部表面，所述顶部表面受到辐照。当下降到突节上时，摩擦系数的任何变化都可能阻止衬底均匀地松弛，从而保留不均匀的残留弯曲或曲率。但是，在多个衬底处理周期之后，突节的高度及其摩擦系数可能会不一致地偏离期望的初始水平。任何这样的偏差都可能导致衬底中的聚焦和/或重叠误差。

通过在末端表面(沿与第一方向正交的方向)上移动处理工具，衬底支撑件被定期地清洁，由此从衬底支撑件去除污染物。WO2016/081951中公开了一种这样的处理工具。然而，这样的机械清洁不能完全恢复平坦度的初始水平和横跨整个衬底的均匀的摩擦系数。另外，处理工具可能会损坏衬底支撑件并干扰光刻设备的生产。

发明内容

例如，期望提供一种改良的系统，以维持突节的末端表面的高平坦度程度和均匀的摩擦系数。

根据本发明的方面，提供了一种系统，包括衬底支撑件、导电或半导电元件和充电装置，所述衬底支撑件配置成保持衬底，所述导电或半导电元件与衬底支撑件接触并覆盖衬底支撑件的至少一部分，所述充电装置配置成相对于衬底支撑件的被导电或半导电元件覆盖的部分向所述导电或半导电元件施加正电位。

根据本发明另一方面，提供了一种光刻设备，包括衬底台、装载装置和充电装置，所述衬底台包括衬底支撑件，所述衬底支撑件配置成保持衬底，所述装载装置配置成将导电或半导电元件装载到所述衬底支撑件上，使得所述导电或半导电元件与衬底支撑件接触并覆盖衬底支撑件的至少一部分，所述充电装置配置成相对于衬底支撑件的被导电或半导电元件覆盖的部分向被所述衬底支撑件接触的导电或半导电元件施加正电位。

根据本发明的另一方面，提供了一种用于减少衬底支撑件上的氧化或去除氧化物的方法，所述方法包括：使衬底支撑件与导电或半导电元件接触，使得所述衬底支撑件的至少一部分被所述导电或半导电元件覆盖；和相对于衬底支撑件的被导电或半导电元件覆盖的部分向导电或半导电元件施加正电位。

附图说明

现在将参考随附示意性附图、仅以示例的方式来描述本发明的实施例，在附图中对应的附图标记指示对应的部件，且在所述附图中：

图1示意性地描绘了一种光刻设备；

图2描绘了衬底支撑件的平面图；

图3示出了衬底支撑件的平坦度测量，其说明了有问题的氧化物生长；

图4示意性地描绘了一种根据实施例的用于防止或减少生产过程期间衬底支撑件上的氧化物生长的系统的截面图；

图5示意性地描绘了用于使用衬底支撑件上的金属层防止或减少衬底支撑件上的氧化物生长的另一实施例的截面图；

图6示意性地描绘了根据实施例的使用伪(dummy，或假)衬底从衬底支撑件去除氧化物的系统的截面图；和

图7示意性地描绘了用于使用机械处理工具从衬底支撑件去除氧化物的另一实施例的截面图。

具体实施方式

在本文中，术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)。

如本文中使用的术语““掩模版”、掩模”或“图案形成装置”可以被宽泛地解释为指可以用于将图案化的横截面赋予入射辐射束的通用图案形成装置，所述图案化的横截面对应于待在衬底的目标部分中产生的图案。在这种内容背景下也可以使用术语“光阀”。除了经典掩模(透射式或反射式；二元式、相移式、混合式等)之外，其它的这种图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。

图1示意性地描绘了一实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：

-可选地，照射系统(照射器)IL，所述照射系统配置成调节辐射束 B(例如UV辐射束或DUV辐射束)；

-支撑结构(例如掩模台)MT，所述支撑结构构造成支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置成根据某些参数准确地定位图案形成装置 MA的第一定位器PM相连；

-支撑台，例如用于支撑一个或更多个传感器的传感器台或者构造成保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的衬底)W的衬底台或晶片台WT，其连接到第二定位装置PW，所述第二定位器配置成根据某些参数准确地定位例如衬底W的台的表面；和

-投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括管芯的一部分、一个或更多个管芯)上。

光刻设备可以属于如下类型，其中衬底W的至少一部分可以被具有相对高折射率的浸没液体覆盖，例如，诸如超纯水(UPW)的水，以便填充投影系统PS与衬底W之间的浸没空间。浸没液体也可以应用于光刻设备中的其它空间，例如，在图案形成装置MA和投影系统PS之间的空间。浸没技术可以用于增加投影系统的数值孔径。本文中使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底W的结构必须浸没在浸没液体中；相反，“浸没”仅意味着在曝光期间浸没液体位于投影系统PS与衬底W之间。从投影系统PS到衬底W的图案化辐射束B的路径完全通过浸没液体。在用于在投影系统PS的最终光学元件和衬底W之间提供浸没液体的布置中，液体限制结构12沿着投影系统PS的最终光学元件和平台或台的面对投影系统 PS的面对表面之间的浸没空间的边界的至少一部分延伸。

在操作中，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束，例如通过束传递系统BD。照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射式、反射式、磁性式、电磁式、静电式和/或其它类型的光学部件，或者它们的任意组合，用以对辐射进行引导、成形和/或控制。照射器IL可以用于调节辐射束B，以在其横截面中、在图案形成装置MA的平面上具有期望的空间和角强度分布。

本文中使用的术语“投影系统”PS应被广义地解释为包括各种类型的投影系统，包括折射式、反射式、反射折射式、变形式、磁性式、电磁式和/或静电式光学系统，或其任意组合，例如对于所使用的曝光辐射和/ 或对于诸如浸没液体的使用或真空的使用之类的其它因素合适的。本文中使用的任何术语“投影透镜”可以被认为与更上位的术语“投影系统”同义。

光刻设备可以属于如下类型：具有两个或更多个支撑台，例如两个或更多个支撑台，或者一个或更多个支撑台与一个或更多个清洁台、传感器台或测量台的组合。例如，光刻设备是一种多平台设备，包括位于投影系统的曝光侧的两个或更多个台，每个台包括和/或保持一个或更多个物体。在示例中，所述台中的一个或更多个台可以保持辐射敏感的衬底。在示例中，所述台中的一个或更多个台可以保持传感器以测量来自投影系统的辐射。在示例中，多平台设备包括配置成保持辐射敏感衬底(即支撑台)的第一台和配置成保持辐射敏感衬底的第二台(下文中通常、但不限于称为测量台、传感器台和/或清洁台)。第二台可以包括和/或可以保持一个或更多个物体而不是辐射敏感衬底。这样的一个或更多个物体可以包括从以下选择的一个或更多个：用于测量来自投影系统的辐射的传感器、一个或更多个对准标记、和/或清洁装置(用于清洁例如液体限制结构)。

在操作时，辐射束B入射到存在于图案形成装置(例如，掩模)MA 上的图案(设计布局)，所述图案形成装置MA被保持于支撑结构(例如，掩模台)MT上，并且由图案形成装置MA图案化。在已横穿图案形成装置MA的情况下，辐射束B传递通过投影系统PS，所述投影系统PS将所述束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉仪装置、线性编码器、2D编码器或电容传感器)，可以准确地移动衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C在被聚焦和对准的位置处定位在辐射束B的路径中。类似地，可以将第一定位器PM和另一位置传感器(图1中未明确描绘)用于相对于辐射束B的路径准确地定位图案形成装置MA。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记 P1、P2对准图案形成装置MA和衬底W。虽然图示的衬底对准标记P1、 P2占据了专用目标部分，但是它们可以位于多个目标部分C之间的空间 (这些公知为划线对准标记)中。

控制器500控制光刻设备的总体操作，且尤其是执行下文进一步所描述的操作过程。控制器500可被实现为合适地编程的通用目的计算机，所述通用目的计算机包括中央处理单元、易失性和非易失性存储装置、一个或更多个输入和输出装置(诸如键盘和屏幕)、一个或更多个网络连接，以及至光刻设备的各个部分的一个或更多个接口。将理解，控制计算机与光刻设备之间的一对一关系并不是必须的。一台计算机可以控制多台光刻设备。多个网络计算机可以用于控制一台光刻设备。控制器500也可以配置成控制光刻单元(lithocell)或簇(cluster)中的一个或更多个相关联的过程装置和衬底处置装置，所述光刻设备构成所述光刻单元或簇的一部分。控制器500也可以被配置成附属于光刻单元或簇的监控系统和/或车间(fab)的总控制系统。

衬底台WT包括衬底支撑件60。衬底支撑件60可使用螺栓或通过真空夹持而固定到衬底台WT。衬底W在曝光期间通常被夹持到衬底支撑件 60。通常使用两种夹持技术。在真空夹持中，建立横跨衬底W的压力差，例如通过将衬底支撑件60与衬底W之间的空间连接到负压，所述负压低于衬底W上方的较高压力。压力差产生将衬底W保持到衬底支撑件60 的力。在静电夹持中，静电力用于在衬底W与衬底支撑件60之间施加力。已知几种不同的布置来实现这一点。在一种布置中，在衬底W的下表面上设置第一电极，在衬底支撑件60的上表面上设置第二电极。在第一电极与第二电极之间建立电位差。在另一种布置中，在衬底支撑件60上设置两个半圆形电极，并且在衬底W上设置导电层。在两个半圆形电极之间施加电位差，使得衬底W上的两个半圆形电极和导电层如同两个串联的电容器那样运转或动作。

为了将衬底W装载到衬底支撑件60上用于曝光，衬底W由衬底处理机器人拾取并降低到一组e销上。e销突出穿过衬底支撑件60。致动所述e销，使得它们可以伸缩。e销可以在其尖端设置有抽吸开口以夹紧衬底W。e销可以包括例如围绕衬底支撑件60的中心间隔开的六个e销。一旦衬底W已经安置在e销上，e销就缩回，使衬底W由衬底支撑件60的突节或突起20支撑。

图2描绘了用于光刻设备的衬底支撑件60的平面图。衬底支撑件60 支撑衬底W。衬底支撑件60包括主体21。主体21具有主体表面22。多个突节或突起20被设置为沿第一(z)方向从主体表面22突出。每个突节20的末端表面与衬底W接合(接触)。突节20的末端表面基本上与支撑平面一致并支撑衬底W。主体21和突节20可以由SiSiC形成，SiSiC 是在硅基质中具有碳化硅(SiC)晶粒的陶瓷材料。可替代地，主体21和突节20可以由SiC形成。

多个通孔89可以形成在主体21中。通孔89允许e销突出穿过衬底支撑件60以接收衬底W。通孔89可以允许衬底W与衬底支撑件60之间的空间被抽空。如果衬底W上方的空间也未被抽空，则衬底W与衬底支撑件60之间的空间的抽空可以提供夹持力。夹持力将衬底W保持在适当位置。如果衬底W上方的空间也被抽空，如在使用EUV辐射的光刻设备中的情况那样，则可以在衬底支撑件60上设置电极以形成静电夹持。

图3是在多次生产周期之后，衬底支撑件60的突节20的末端表面的相对高度的典型绘图。所述绘图示出了突节20的末端表面的高度变化。在x和y方向上绘制了与期望水平的偏差。衬底支撑件60的边缘23处的突节20表现出高度显著增加。与任何生产周期之前的初始平坦度相比，衬底支撑件60的平坦度的程度大大降低。发明人已经发现，突节20高度的这种变化是由衬底支撑件60上的氧化物的形成引起的。

氧化物可能在衬底支撑件60的突节20的末端表面上生长。所述氧化物可以是氧化硅。所述氧化物以不均匀的方式生长。这使得补偿氧化物的生长成为问题。不均匀的氧化物降低了衬底支撑件60的平坦度的程度。此外，如果不均匀的氧化物存在于突节20的末端表面上，则所述不均匀的氧化物会导致突节20的末端表面与衬底之间的摩擦系数变化。因此，当首先将衬底W装载到衬底支撑件60上时，衬底W可能不会均匀地松弛，从而衬底W维持不均匀的残留弯曲。由于氧化物随时间生长，平坦度的程度和摩擦系数的变化随时间变化。与由SiSiC或SiC制成的衬底支撑件60相比，所述氧化物对机械磨损的抵抗力较小，这导致加速磨损并降低衬底支撑件60的平坦度。横跨衬底支撑件60表面的减小的平坦度和不均匀的摩擦系数可能导致由衬底支撑件60保持的衬底W中的聚焦和/ 或重叠误差。

发明人已经首次发现氧化物的生长是电化学诱导的。这是令人惊讶的，因为衬底W或衬底支撑件60没有被有效地充电，并且没有故意提供电解质。然而，发明人已经发现，在生产期间光刻设备中的低的残留水分程度和衬底支撑件60相对于衬底W的较小的正放电效应是造成氧化物生长的原因。例如，水分可能起源于液体限制结构12处理光刻设备的浸没液体。但是，甚至在没有浸没液体的光刻设备中，水分也可能例如以可能在衬底W的装载和卸载期间进入光刻设备的湿空气的形式存在。甚至在真空中发生照射的EUV光刻设备中，这也是可能的。这种水分可以充当实现氧化的电解质。还认为，引起氧化的驱动力可能起源于装载到衬底支撑件60上的衬底W上的残留的负静电荷。例如，在衬底支撑件60上的衬底W的预对准过程期间可以在衬底W中诱导出这样的电荷。

已经基于对在衬底支撑件60上的氧化物生长的机理的新的理解形成了本发明。本发明用于防止或减少在衬底支撑件60上的氧化物生长或用于从衬底支撑件60去除已经生长的氧化物。

发明人进行的实验已经表明，在衬底支撑件60上的氧化物生长受在衬底W与衬底支撑件60之间提供的电场影响。已经表明，在衬底支撑件 60与衬底W之间施加正电压或电位差使得衬底W相对于衬底支撑件60 具有正电位，减小了衬底支撑件60上的氧化物生长的速率，或者同时防止氧化物生长，或者甚至从衬底支撑件60去除氧化物。相反，已经表明，在衬底支撑件60与衬底W之间施加负电压或电位差使得衬底W相对于衬底支撑件60具有负电位，增大了衬底支撑件60上的氧化物生长的速率。本发明人已经开发了利用这种效应的系统。图4至图7示意性地示出了根据本发明的系统的示例性实施例。图4和图5的系统用于减少或防止衬底支撑件60上的氧化物生长。图6和图7的系统用于从衬底支撑件60去除氧化物。

根据本发明的图4至图7的系统中的每个系统包括衬底支撑件60，导电或半导电元件100、200、300、400，和充电装置120。在图4至图7 的系统中的每个系统中，导电或半导电元件100、200、300、400接触衬底支撑件60并覆盖衬底支撑件60的至少一部分。此外，在这些系统的每个系统中，充电装置120相对于衬底支撑件60的被导电或半导电元件100、 200、300、400覆盖的部分向导电或半导电元件100、200、300、400施加正电位。通过使导电或半导电元件100、200、300、400与衬底支撑件60 接触(例如直接物理接触，例如，包括与衬底支撑件60上的任何氧化物接触)，并在导电或半导电元件100、200、300、400与衬底支撑件60之间施加正电位，在导电或半导电元件100、200、300、400与衬底支撑件 60之间形成电场。所述电场的方向是从导电或半导电元件100、200、300、 400到衬底支撑件60。所述电场抵消或阻碍了发明人已经识别的造成衬底支撑件60的氧化的原因的电化学过程，从而保护了衬底支撑件60免受氧化。因此，有效地降低了衬底支撑件60上的氧化物生长的速率，或者同时避免了这样的氧化物生长。抵消电化学氧化过程的电场甚至可能逆转所述过程，以便从衬底支撑件60去除氧化物。

下文中将首先总体描述图4至图7的系统中的每个系统的衬底支撑件 60，导电或半导电元件100、200、300、400和充电装置120的实施例，以及这些部件的相互作用和操作。然后，将描述图4至图7中示意性图示的系统的具体细节。明显的是，图4至图7的具体示例的部件中的每个部件都可以被大体以下文中的段落中描述的实施例替换，并且每个部件都可以大体如以下段落中描述的那样操作。

在图4至图7的每幅图中，衬底支撑件60可以保持衬底W。衬底支撑件60可以是上文描述的光刻设备的部件。导电或半导电元件100、200、 300、400接触衬底支撑件60。导电或半导电元件100、200、300、400可以接触衬底支撑件60的突节20的末端端部表面，或者可以接触衬底支撑件60的主体21的表面。这样，导电或半导电元件100、200、300、400 非常接近衬底支撑件60。这种接近确保了在导电或半导电元件100、200、 300、400与衬底支撑件60之间产生的电场足够强，以抵消衬底支撑件60 的电化学氧化过程。

导电或半导电元件100、200、300、400可以例如是衬底W,100、金属层200、伪衬底300或处理工具400，所述衬底(即，要被处理并开发成产品的衬底)W,100由衬底支撑件60保持并包括用于显影其中的图案的光致抗蚀剂(如图4所示)，所述金属层200被施加到衬底支撑件60的多个突节20从其突出的主体表面22(如图5所示)，所述伪衬底300由衬底支撑件60保持(如图6所示)，所述处理工具400用于机械地清洁所述衬底支撑件60(如图7所示)。导电或半导电元件100、200、300、400 可以可替代地是导电的或半导电的并且接触衬底支撑件60的任何其它元件。

导电或半导电元件100、200、300、400覆盖衬底支撑件60的至少一部分，或衬底支撑件60的表面的一部分。当所述衬底W由衬底支撑件60 保持时，导电或半导电元件100、200、300、400可以覆盖衬底支撑件60 的上表面(即，主体表面22)或上表面的一部分，所述上表面面向衬底W。这确保了在生产期间衬底W的保持衬底支撑件60的部分免受氧化，使得衬底W能够维持平坦状态。导电或半导电元件100、200、300、400在平面上覆盖衬底支撑件60的表面的放置有导电或半导电元件100、200、300、 400的部分。当衬底W被衬底支撑件60保持时，衬底支撑件60的被导电或半导电元件100、200、300、400覆盖的部分可以与衬底支撑件60的被衬底W覆盖的部分重合。这确保了在生产期间保持衬底W的衬底支撑件 60的基本上整个区域或所有区域都被保护免受氧化，或者可以从所有所述区域去除氧化物。因此，通过防止或减少氧化，可以将由衬底支撑件60 保持的衬底W的平坦度最佳地维持在初始期望水平，或者可以通过去除氧化物来提高衬底W的平坦度。导电或半导电元件100、200、300、400 可以覆盖从衬底支撑件60的上表面延伸并在生产期间保持衬底的多个突节20或多个突节20中的每个突节。这确保了可以保护多个突节20免受氧化，或者可以从多个突节20去除氧化物。这是特别期望的，因为在生产期间突节20与衬底W直接接触并保持衬底W，从而突节20的氧化直接影响衬底W的平坦度。

在图4至图7的系统中的每个系统中，充电装置120相对于衬底支撑件60的被导电或半导电元件100、200、300、400覆盖的部分(或整个部分)向导电或半导电元件100、200、300、400施加正电压或电位。衬底支撑件60与导电或半导电元件100、200、300、400之间的电位差产生了电场，所述电场抵消了造成衬底支撑件60的氧化的原因的电化学过程，从而有效地减少或防止氧化，甚至去除已经生长的氧化物。充电装置120 可以相对于衬底支撑件60的多个突节20的末端端部表面向导电或半导电元件100、200、300、400施加正电位。因此，可以有效地防止或减少支撑或保持衬底W并直接影响衬底W的平坦度的突节20末端端部表面的氧化，或者可以从突节的末端端部表面20去除氧化物。在衬底W被衬底支撑件60保持时，充电装置120可以相对于接触衬底W的所有突节的末端端部表面向导电或半导电元件100、200、300、400施加正电位。这确保了通过减少或防止氧化来将由突节20保持的衬底W的平坦度最佳地维持在初始期望水平，或者通过去除氧化物来最佳地恢复这样的初始期望水平。

导电或半导电元件100、200、300、400的电位与衬底支撑件60的电位相比更高或为正的。这可以由充电装置120通过向导电或半导电元件 100、200、300、400供应正电荷(例如通过施加正电压)来实现。另外或可替代地，充电装置120可以通过向衬底支撑件60供应负电荷(例如通过施加负电压)。可以将衬底支撑件60电接地并向导电或半导电元件100、200、300、400施加正电位，使得相对于衬底支撑件60向导电或半导电元件100、200、300、400施加正电位。如果要减小或最小化对衬底支撑件 60的表面上的传感器或其它部件的干扰，则这是有利的。可替代地，可以将导电或半导电元件100、200、300、400电接地，并向衬底支撑件60施加负电位，使得相对于衬底支撑件60向导电或半导电元件100、200、300、 400施加正电位。例如，如果导电或半导电元件100、200、300、400应保持不带电，例如，如果导电或半导电元件100、200、300、400由衬底W 实现并且在所述衬底W上进行抛光处理，则这是有利的。

充电装置120可以包括供电电源或电压源。供电电源允许相对于衬底支撑件60准确且可靠地控制向导电或半导电元件100、200、300、400施加的正电位。供电电源可以经由突出通过衬底支撑件60的通孔89的e销向导电或半导电元件100、200、300、400施加正电位。如果导电或半导电元件100、200、300、400被实现为使用e销91装载到衬底支撑件60 上的衬底W,100或诸如伪衬底300之类的类衬底装置，则这是特别有利的。导电或半导电元件100、200、300、400可以与e销91电接触。供电电源可以经由液体限制结构12或流体处理结构向导电或半导电元件100、200、 300、400施加正电位。导电或半导电元件100、200、300、400可以与液体限制结构12电接触。因此，已经被设置在光刻设备中的部件可以被用于相对于衬底支撑件60向导电或半导电元件100、200、300、400施加正电位。这使得现有的光刻设备中的系统的实施方式简单且具有成本效益。可替代地，供电电源可以嵌入导电或半导电元件100、200、300、400中。这允许所述系统可以独立于或基本上独立于光刻设备或其它装置的电气基础设施使用，使得可以在各种装置中灵活地实施所述系统。充电装置120 也可以是嵌入衬底支撑件60中并向衬底支撑件60施加负偏压的供电电源，从而相对于导电或半导电元件100、200、300、400向衬底支撑件60 施加负电位。供电电源可以通过任何装置或导体电连接到导电或半导电元件100、200、300、400或衬底支撑件60，使得所述导电或半导电元件100、 200、300、400或衬底支撑件60可以被适当地充电。

充电装置120可以可替代地将辐射束B引导到导电或半导电元件 100、200、300、400或衬底支撑件60上，从而利用光电效应对导电或半导电元件100、200、300、400或衬底支撑件60适当地充电。充电装置120 也可以是空气簇射装置，所述空气簇射装置将气流引导到导电或半导电元件100、200、300、400或衬底支撑件60之上，从而从导电或半导电元件100、200、300、400移除电子，或向衬底支撑件60提供电子。这种空气簇射装置是电绝缘的，并且包含使气流预离子化的电离器。电离器可以是电晕电离器，并且可以向电晕施加具有正或负平均电压的DC电压脉冲。因此，离子化气流可以主动向导电或半导电元件100、200、300、400施加正电位，或主动向衬底支撑件60施加负电位。因此，可以在没有物理或电接触的情况下相对于衬底支撑件60向导电或半导电元件100、200、 300、400施加正电位。充电装置120可以是能够相对于衬底支撑件60向导电或半导电元件100、200、300、400施加正电位的任何装置。

在图4至图7的系统中的每个系统中，充电装置120可以施加DC电压。施加DC电压允许连续抑制或减少氧化物的生长，或连续去除氧化物。可替代地，假设施加到导电或半导电元件100、200、300、400的平均电压为正的，则充电装置120可以施加方波、正弦波或锯齿形电压波形或其它电压波形，并具有下文所述的峰值。施加非DC电压可能是有利的，特别是动态地施加，从而抵消驱动衬底支撑件60氧化的任何电场或接地回路。可以将非DC电压选择为与任何这样的电场或接地回路的逆变。

出于防止衬底支撑件60的氧化或降低衬底支撑件60的氧化速率(如图4和图5的实施例)的目的，充电装置120相对于衬底支撑件60向导电或半导电元件100、200、300、400施加正电位。在图4和图5的实施例中的每个实施例中，充电装置120可以向衬底支撑件60连续或半连续地施加在0V至-10V范围内(优选在-0.1V至-1.3V范围内)的负电压，以便相对于衬底支撑件60连续或半连续地向导电或半导电元件100、200、300、400施加在0.1V至10V范围内(优选在1V至5V范围内)的正电位。充电装置120可以可替代地在短时间内(例如不到3秒，或者在0.1 秒至3秒内)向衬底支撑件60施加高达-100V或在-5V至-100V范围内的负电压(从而相对于衬底支撑件60向导电或半导电元件100、200、300、 400施加在5V至100V范围内的正电位)。导电或半导电元件100、200、 300、400可以连接到电接地。可替代地，可以向导电或半导电元件100、 200、300、400施加所述电压范围内的正电压，并且衬底支撑件60连接到地面。

连续地施加低电压或短时间内施加适度的电压，允许本发明在光刻设备的衬底处理周期期间操作或允许在线操作。这是因为低电压不会在生产期间干扰过程参数或传感器测量。因此，本发明的系统可以在光刻设备的衬底处理周期期间操作，从而防止或减少衬底处理周期期间的氧化。衬底支撑件60不必从光刻设备移除。因此，不影响或仅最小程度地影响了光刻设备的生产量。在衬底W的装载和卸载期间，可以向导电或半导电元件100、200、300、400施加正电位，使得不会干扰或仅最小程度地干扰光刻设备的生产。

出于从衬底支撑件60去除氧化物(如图6和图7的实施例)的目的，充电装置120还可以相对于衬底支撑件60向导电或半导电元件100、200、 300、400施加正电位。在图6和图7的实施例中的每个实施例中，充电装置120可以向导电或半导电元件100、200、300、400施加在30V至5000V 范围内的正电压，以便相对于衬底支撑件60向导电或半导电元件100、 200、300、400施加在30V至5000V范围内的正电位。衬底支撑件60连接到电接地。可替代地，可以向衬底支撑件60施加所述电压范围内的负电压，并且导电或半导电元件100、200、300、400连接到地面。

向衬底支撑件60施加在1000V至5000V范围内的高电压加速氧化物的去除。但是，施加这样高的电压优选离线地进行，因此不在光刻设备的衬底处理周期期间，以免干扰过程参数或影响传感器测量。可以在与光刻设备分离的独立的系统中施加高电压，使得在将施加电压以从衬底支撑件 60去除氧化物之前衬底支撑件60被从光刻设备去除。在衬底支撑件60 位于光刻设备内时(例如在用处理工具400对衬底支撑件60进行定期机械清洁的期间)也可以施加高电压。当衬底W没有被衬底支撑件60保持时可以施加在30V至5000V范围内的电压或优选在30V至100V范围内的电压，使得不干扰光刻设备的生产。这样做的优点是：可以在线从衬底支撑件60上去除氧化物，从而减少了光刻设备的停机时间，因为衬底支撑件60不必移除或更换。例如，在衬底W的装载和卸载期间，或者当不旨在用于光刻处理的伪衬底300被衬底支撑件60保持时，或者在利用机械处理工具400进行衬底支撑件的清洁期间，可以施加较高的电压。向伪衬底300或机械处理工具400施加在30V至1000V范围内的电压，或向衬底支撑件60施加在-30至-1000V范围内的电压，或另外优选地从30V 到45V的电压，确保了光刻设备中的传感器不会受到干扰，并降低了损坏光刻设备的传感器和其它部件的风险。

光刻设备可以包括上文描述的且在图4至图7中示意性示出的系统。这样的光刻设备具有衬底台WT和衬底支撑件60。衬底台WT保持衬底支撑件60。充电装置120可以相对于衬底支撑件60的被导电或半导电元件100、200、300、400覆盖的部分周期性地向导电或半导电元件100、200、 300、400施加正电位，以便周期性地操作。充电装置120可以仅在光刻设备的衬底处理周期期间(例如在将衬底W装载到衬底支撑件60上和/或从衬底支撑件60卸载衬底W期间、或在衬底支撑件60的清洁期间)的一个或更多个特定时间操作。这是有利的，因为在这样的特定时间操作充电装置120可以确保不干扰或仅最小程度地干扰光刻设备中的衬底W的光刻处理。

在衬底处理周期期间，充电装置120可以操作多次，并且每次充电装置120操作时可以施加不同的电位。当衬底W被光刻设备处理时充电装置120可以不操作。充电装置120可以每天或每周操作一次，或在预定的 (例如，用户选择的)时间段内操作一次。充电装置120可以配置成以小于衬底W处理频率的频率操作，或者在每个衬底处理周期期间不操作。这样做的优点是：光刻设备的生产量仍然较高，或者对光刻设备的生产量影响最小。

在光刻设备处理一批次衬底时，例如在光刻设备已经处理了至少两个衬底W之后，充电装置120可以操作一次。充电装置120可以仅当在光刻设备中存在预定的衬底时操作。这是有利的，例如，在导电或半导电元件100、200、300、400被实现为不旨在用于光刻处理的伪衬底300并且预定的衬底是伪衬底300的情况下。充电装置120可以仅在图4至图7的实施例中的任一实施例的导电或半导电元件100、200、300、400与衬底支撑件60接触时操作。

图4至图7中的任一副图中的系统可以在用于减少氧化或从衬底支撑件60去除氧化物的方法中使用。这样的方法包括：使衬底支撑件60与导电或半导电元件100、200、300、400接触，使得衬底支撑件60的至少一部分被导电或半导电元件100、200、300、400覆盖。相对于衬底支撑件 60的被导电或半导电元件100、200、300、400覆盖的部分向导电或半导电元件100、200、300、400施加正电位。可以由充电装置120施加正电位。导电或半导电元件100、200、300、400可以被装载到衬底支撑件60 上，使得导电或半导电元件100、200、300、400接触衬底支撑件60。也可以从衬底支撑件60卸载导电或半导电元件100、200、300、400。

图4和5示意性地图示了根据本发明的系统的两个特定示例。可以将图4和图5的系统用于防止或至少减小在衬底支撑件60上的氧化物生长的速率。图4和图5的系统可以在光刻设备内使用。图4和图5的系统可以在光刻设备的衬底处理周期期间在所述光刻设备中在线地使用。

图4示意性地示出了衬底支撑件60。衬底W,100由衬底支撑件60的突节20的末端表面保持。在图4的系统中，衬底W是导电或半导电元件 100、200、300、400的示例。衬底W,100覆盖衬底支撑件60的上表面。衬底W,100由衬底支撑件60的突节20的末端表面保持，使得衬底W,100 覆盖衬底支撑件60的突节20的末端表面。e销91延伸通过衬底支撑件 60的通孔89，并与衬底W,100电接触。e销91是可致动的销或销针的示例，每个e销都通过衬底支撑件60中的孔89突出或伸出。e销91将衬底 W,100连接到电接地。供电电源电连接到衬底支撑件60。供电电源是充电装置120的示例。光刻设备可以包括图4的系统。这样的光刻设备具有衬底台WT，所述衬底台WT包括图4的衬底支撑件60。光刻设备的投影系统PS可以将图案化的辐射束B投影到图4的衬底W,100上。使用图4的系统的方法可以包括：将图案化的辐射束B投影到衬底100上，所述衬底 100是导电或半导电元件100、200、300、400的示例。

供电电源向衬底支撑件60施加负电压，使得供电电源相对于衬底支撑件60的被衬底W,100覆盖的部分向衬底W,100施加正电位。供电电源可以向衬底支撑件60连续地施加从-0.1到-10范围内或优选从-1V到-5V 范围内的负电压。可替代地，供电电源可以在短时间内(例如，不到3秒) 向衬底支撑件60施加从-5V到-100V范围内的负电压。供电电源可以以通常如上文论述的方式施加电压，并施加大体如上文论述的电压范围内的电压。可以在将衬底W,100装载到衬底支撑件60上和/或从衬底支撑件60 卸载衬底W,100期间施加这样的电压。这确保了投影束对衬底W的曝光 100以及曝光期间的传感器测量不会受到干扰。优选地，光刻设备的装载和卸载装置(未示出)将衬底W,100装载到衬底支撑件60上，并从衬底支撑件60卸载衬底W,100。

图5示意性地示出了衬底支撑件60，其中金属层200被施加到衬底支撑件60的主体表面22上，多个突节20从所述主体表面22突出。金属层200是导电或半导电元件100、200、300、400的示例。金属层200放置在衬底支撑件60的突节20之间以覆盖衬底支撑件60的一部分。金属层200覆盖衬底支撑件60的上表面的位于突节20之间的部分。金属层200 电连接至供电电源。供电电源是充电装置120的示例。衬底支撑件60连接到电接地。光刻设备可以包括图5的系统。这样的光刻设备具有衬底台 WT，所述衬底台WT包括图5的衬底支撑件60。光刻设备可以将衬底W 装载到图5的衬底支撑件60的突节20的末端表面上或卸载所述衬底W。

充电装置120(例如，供电电源)向金属层200施加正电压，从而相对于衬底支撑件60的被金属层200覆盖的部分向金属层200施加正电位。金属层200还可以相对于衬底支撑件60的突节20的末端表面具有正电位。供电电源可以向金属层200施加正电压，所述正电压的值如上文中关于图 4的衬底100,W描述的那样。优选地，当衬底W不被包括图5的系统的光刻设备处理时施加这样的电压。供电电源可以在衬底W没有被衬底支撑件60保持时操作。例如，在将衬底W装载到衬底支撑件60上和/或从衬底支撑件60卸载衬底W期间，或在利用处理工具400机械地清洁所述衬底支撑件60期间，供电电源可以向金属层200施加电压。这确保了不会干扰光刻设备的生产。

图6和图7示意性地图示了根据本发明的系统的另外的两个特定实施例。图6和图7的系统可以用于从衬底支撑件60去除氧化物的目的。这是通过逆转驱动衬底支撑件60氧化的机理来完成的。图6和图7的系统可以用在光刻设备内，或者可以是用于从衬底支撑件60去除氧化物的独立系统，所述衬底支撑件60已经从光刻设备移除。

为了加速从图6和图7的衬底支撑件60去除氧化物，可以在衬底支撑件60与导电或半导电元件100、200、300、400之间(有意地)提供电解质140。电解质140可以至少部分地填充在衬底支撑件60与导电或半导电元件100、200、300、400之间的空间，使得电解质140不仅与衬底支撑件60接触还与导电或半导电元件100、200、300、400接触。电解质140 可以设置在被导电或半导电元件100、200、300、400覆盖的空间中。电解质140可以填充位于衬底支撑件60的多个突节20之间的空间。电解质 140可以覆盖衬底支撑件60的上表面，多个突节20从所述上表面突出。电解质140可以填充存在于突节20的末端表面处的SiC颗粒之间的空间，所述SiC颗粒可以与导电或半导电元件100、200、300、400直接接触。电解质140可以是液体或气体。电解质140可以是水、水蒸气或湿空气。电解质140可以可替代地是含HF或KOH的溶液。使用这样的危险物质作为电解液140时应格外小心。在替代实施例中，电解质140可以自然地存在于系统中或在光刻设备中，例如，以围绕系统或光刻设备的湿空气的形式存在。

热调节装置180可以对导电或半导电元件100、200、300、400进行热调节，使得电解质140冷凝在导电或半导电元件100、200、300、400 上。例如，热调节装置180可以是冷却导电或半导电元件100、200、300、 400的冷却装置(可能通过与包括热调节装置180的衬底台WT热接触)，使得湿空气冷凝在导电或半导电元件100、200、300、400的表面上，从而在其上形成水滴(实现电解质140)。冷却装置可以是珀尔贴装置(Peltier device)。冷却装置可以将导电或半导电元件100、200、300、400冷却至等于或低于露点温度的温度。这些水滴可以至少部分地填充位于导电或半导电元件100、200、300、400与衬底支撑件60之间的空间。电解质供应装置160可以可替代地或另外地供应电解质140。电解质供应装置160可以用电解质140至少部分地填充位于导电或半导电元件100、200、300、 400之间的空间。例如，电解质供应装置160可以是海绵或嵌入导电或半导电元件100、200、300、400中的其它供应件。这样做的优点在于：电解质140可以由独立于光刻设备的系统或其中使用所述系统的其它机器来提供。电解质供应装置160可以是可替代地在导电或半导电元件100、200、 300、400的外部。在导电或半导电元件100、200、300、400与衬底支撑件60接触之前，或者在导电或半导电元件100、200、300、400与衬底支撑件60接触时，和在充电装置120相对于衬底支撑件60向导电或半导电元件100、200、300、400施加正电位之前，电解质供应装置160可以供应电解质140。使用图6和图7的系统的方法可以包括：用电解质140至少部分地填充位于衬底支撑件60与导电或半导电元件100、200、300、400 之间的空间，和/或对导电或半导电元件100、200、300、400进行热调节，使得电解质140冷凝在导电或半导电元件100、200、300、400上。

图6示意性地图示了衬底支撑件60。衬底支撑件60保持伪衬底300。伪衬底300是导电或半导电元件100、200、300、400的一个示例。伪衬底300优选地具有与衬底W相同的尺寸，使得所述伪衬底300由衬底支撑件60以与衬底W相同的方式保持。但是，伪衬底300不由光刻设备处理。伪衬底300可以包括或可以不包括用于在其中进行图案显影的光致抗蚀剂。如关于图4的衬底W,100描述的那样，伪衬底300接触衬底支撑件 60的突节20的末端表面，并覆盖衬底支撑件60的主体表面22。电解质 140部分地填充位于衬底支撑件60与伪衬底300之间的空间。电解质140 可以由电解质供应装置160提供，所述电解质供应装置160诸如是海绵或在伪衬底300外部的其它供应件。可替代地，电解质供应装置160可以被嵌入伪衬底300(未示出)中。可替代地或另外地，可以设置热调节装置 180以对伪衬底300进行热调节，使得电解质140冷凝在伪衬底300的表面上。热调节装置180可以在伪衬底300(如图6所示)的外部，或者可以嵌入伪衬底300中。

光刻设备可以包括图6的系统。这样的光刻设备具有衬底台WT和图 6的衬底支撑件60。伪衬底300可以代替衬底W而装载到衬底支撑件60 上。例如，伪衬底300可以被周期性地装载到衬底支撑件60上，例如每天装载一次或在光刻设备处理一批次衬底W(例如至少两个衬底W)时装载一次。

外部供电电源或嵌入式电池向伪衬底300施加正电压或偏压。外部供电电源和嵌入式电池是充电装置120的示例。衬底支撑件60可以被电接地。外部供电电源或其它充电装置120可以仅在伪衬底300被保持在衬底支撑件60上时才施加电压。外部供电电源或其它充电装置120可以在衬底W被保持在衬底支撑件60上时不施加电压。外部供电电源或其它充电装置120可以向伪衬底300施加从30V到至5000V范围内的正电压，或者可以施加大体如上文描述的电压。可以施加正电压，直到已经去除了衬底支撑件60上的所有的或基本上所有的氧化物为止。例如，可以施加正电压达5到180分钟范围的持续时间。所述持续时间可以依赖于衬底支撑件60的氧化程度、伪衬底300被用于从衬底支撑件60去除氧化物的频率、施加到衬底支撑件60的正电压、和存在于系统中的电解质140的类型。

图7示意性地图示了本发明的另外的特定实施例。与图6的系统相比，设置处理工具400代替伪衬底300。处理工具400是导电或半导电元件100、 200、300、400的示例。处理工具400可以用于机械地清洁衬底支撑件60。处理工具400可以是常规的清洁石。所述清洁石可以是花岗岩或其它清洁石。在使用处理工具400清洁衬底支撑件60期间，处理工具400被支撑在突节20的末端表面上。即，处理工具400通过其自身的重量而安置在衬底支撑件60上。这样，处理工具400与衬底支撑件60的突节20中的至少一些突节20的末端表面接触。因此，处理工具400覆盖衬底支撑件 60的一部分。

处理工具400可以例如通过轴的旋转而被布置成围绕垂直于衬底支撑件60的表面的轴线旋转。材料由于处理工具400在突节20的末端表面上的运动而被去除，所述运动主要是由于处理工具400的旋转而引起的。在处理工具400的x和y方向上相对于衬底支撑件60的相对平移运动意味着衬底支撑件60的整个顶部表面能够在处理工具400下方移动，使得所有突节20都能够被清洁。因此，处理工具400可以有效地横跨衬底支撑件60的整个表面移动，以便在不同的时间接触并覆盖衬底支撑件60的不同部分。因此，处理工具400可以从衬底支撑件60的基本上整个表面去除氧化物。

电解质140可以部分地填充位于处理工具400与衬底支撑件60之间的空间。如图7所示，电解质140可以由嵌入处理工具400中的电解质供应装置160提供。可替代地或另外地，在通过嵌入处理工具400中的热调节装置180对处理工具400进行热调节之后，电解质140可以冷凝在处理工具400上。可替代地，如关于图6的伪衬底300描述的那样，电解质供应装置160或热调节装置180可以位于处理工具400的外部。充电装置120 (诸如外部供电电源或嵌入式电池)相对于电接地的衬底支撑件60向处理工具400施加正电压或偏压。可替代地，处理工具400可以接地，并向衬底支撑件60施加负电压或偏压。电压的大小和施加电压的持续时间可以如关于图6的伪衬底300描述的那样。充电装置120可以在处理工具400 对衬底支撑件60进行机械清洁期间施加电压。在处理工具400横跨衬底支撑件60移动时，充电装置120可以连续地向处理工具400施加正电位。可替换地，充电装置120可以周期性地施加正电位，使得在处理工具400 已经移动到新位置时向处理工具400施加正电位。

光刻设备可以包括图7的系统。这样的光刻设备具有衬底台WT和图7的衬底支撑件60。处理工具400可以是光刻设备的一部分。可以使用处理工具400周期性地清洁光刻设备的衬底支撑件60。例如，可以基于衬底 W放置在衬底支撑件60上的时间或放置在衬底支撑件60上的衬底W的数量，根据预定时间表执行衬底支撑件60的清洁。可以通过衬底支撑件60的直接测量或通过在装载到衬底支撑件60的衬底W的水平测量期间周期性地发生清洁和/或由于检测到污染而进行清洁。使用图7的系统提高了处理工具400的清洁效率，因为能够实现机械和电化学去除氧化物和其它污染物。使用图7的系统的方法可以包括：用处理工具400机械地清洁衬底支撑件60，所述处理工具400是导电或半导电元件100、200、300、400的示例。

已经参照图4至图7描述了特定实施例。技术人员将理解，可以适当地组合这些实施例的特征。例如，技术人员将理解，充电装置120相对于衬底支撑件60向导电或半导电元件100、200、300、400施加正电位的方式，正电位被施加的时间，和正电位的值，可以如在整个说明书中描述的那样实施。在图4的系统中，衬底W,100可以通过液体限制结构12而不是电子销91来接地。可以通过嵌入衬底支撑件60中的电极来向衬底支撑件60施加负偏压。另外，衬底支撑件60可以连接到地面或没有部件接地，并且可以通过供电电源经由电子销91或液体限制结构12、或通过辐射束或气流、或以任何其它方式，向衬底W,100施加正电位。类似地，可以以任何这样的方式在图5至图7的系统中向导电或半导电元件100、200、300、 400施加正电位。

虽然本文具体提及的是光刻设备在集成电路的制造中的使用，但是，应理解，本文中描述的光刻设备可以具有其它应用，诸如集成光学系统的制造、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在这种替代应用的内容背景下，本文中使用的任何术语“晶片”或“管芯”可以被认为分别与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文中提及的衬底可以在曝光之前或之后例如在涂覆显影系统或轨道(一种典型地将抗蚀剂层施加到衬底上并且对曝光后的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检查工具中进行处理。在可应用的情况下，可以将本文中的公开内容应用于这种和其它衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得本文使用的术语“衬底”也可以表示已经包含一个或多个已处理层的衬底。

虽然上文已经描述了本发明的具体实施例，但应理解，本发明可以以与所描述的不同的其它方式来实践。

当位于光刻设备的至少一个部件内的一个或更多个计算机处理器读取一个或更多个计算机程序时，本文描述的任何控制器可以每个或组合地操作。控制器可以各自或组合地具有用于接收、处理和发送信号的任何合适的配置。一个或更多个处理器被配置为与至少一个控制器通信。例如，每个控制器可以包括一个或更多个处理器，用于执行包括用于上述方法的机器可读指令的计算机程序。控制器可以包括用于存储这种计算机程序的数据存储介质，和/或用于接收这种介质的硬件。因此，控制器可以根据一个或更多个计算机程序的机器可读指令操作。

上文的描述旨在是示例性的而不是限制性的。因此，本领域的技术人员将理解，在不背离下面阐述的权利要求书的范围的情况下，可以对所描述的发明进行修改。

Claims (16)

1.一种减少衬底支撑件上的氧化或去除衬底支撑件上的氧化物的系统，包括：

衬底支撑件，所述衬底支撑件配置成保持衬底；

导电或半导电元件，所述导电或半导电元件与所述衬底支撑件接触并覆盖所述衬底支撑件的至少一部分；和

充电装置，所述充电装置配置成相对于所述衬底支撑件的被所述导电或半导电元件覆盖的部分向所述导电或半导电元件施加正电位，

其中，所述充电装置配置成仅在将衬底装载到所述衬底支撑件上和卸载所述衬底支撑件上的衬底期间和/或仅在清洁所述衬底支撑件期间施加所述正电位。

2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述衬底支撑件具有主体和从所述主体的主体表面突出的多个突节，每个突节具有配置成与衬底的表面接触从而保持所述衬底的末端端部表面，和

其中，所述充电装置配置成相对于所述衬底支撑件的多个突节的末端端部表面向所述导电或半导电元件施加正电位。

3.根据权利要求1或2所述的系统，其中，所述正电位是在0.1V至10V范围内的连续电压。

4.根据权利要求3所述的系统，其中，所述正电位是在1V至5V范围内的连续电压。

5.根据权利要求1所述的系统，其中，所述衬底支撑件电接地，并且向所述导电或半导电元件施加正电位，或者

其中，所述导电或半导电元件电接地，并且向所述衬底支撑件施加负电位。

6.根据权利要求1所述的系统，包括电解质，

其中，所述电解质至少部分地填充位于所述衬底支撑件与所述导电或半导电元件之间的空间。

7.根据权利要求6所述的系统，还包括电解质供应装置，所述电解质供应装置配置成用所述电解质至少部分地填充所述空间。

8.根据权利要求1所述的系统，还包括热调节装置，所述热调节装置配置成对所述导电或半导电元件进行热调节，使得电解质或所述电解质冷凝在所述导电或半导电元件上。

9.根据权利要求1所述的系统，其中，所述充电装置包括嵌入所述导电或半导电元件中的供电电源，或

其中，所述充电装置包括供电电源，所述供电电源配置成经由可致动的销针向所述导电或半导电元件施加所述正电位，每个销针通过所述衬底支撑件中的孔伸出，或

其中，所述充电装置包括供电电源，所述供电电源配置成经由液体限制结构向所述导电或半导电元件施加所述正电位，所述液体限制结构用于将液体限制在由所述衬底支撑件保持的衬底或所述衬底上，或

其中，所述充电装置包括空气簇射装置和电离器，并且被配置成将离子化的气流引导到所述导电或半导电元件之上。

10.根据权利要求1所述的系统，其中，所述导电或半导电元件包括以下中的任一项：

由所述衬底支撑件保持的衬底，所述衬底包括用于显影其中的图案的光致抗蚀剂，

由所述衬底支撑件保持的伪衬底，

金属层，所述金属层被施加到所述衬底支撑件的主体表面或所述主体表面，多个突节或所述多个突节从所述主体表面突出，和

处理工具，所述处理工具用于机械地清洁所述衬底支撑件。

11.一种光刻设备，包括：

衬底台，所述衬底台包括配置成保持衬底的衬底支撑件，

装载装置，所述装载装置配置成将导电或半导电元件装载到所述衬底支撑件上，使得所述导电或半导电元件与所述衬底支撑件接触并覆盖所述衬底支撑件的至少一部分，

充电装置，所述充电装置配置成相对于所述衬底支撑件的被所述导电或半导电元件覆盖的部分向被所述衬底支撑件接触的导电或半导电元件施加正电位，

其中，所述充电装置配置成仅在将衬底装载到所述衬底支撑件上和卸载所述衬底支撑件上的衬底期间和/或仅在清洁所述衬底支撑件期间施加所述正电位。

12.根据权利要求11所述的光刻设备，其中，所述正电位是在0.1V至10V范围内的连续电压。

13.根据权利要求12所述的光刻设备，其中，所述正电位是在1V至5V范围内的连续电压。

14.根据权利要求11所述的光刻设备，其中，所述充电装置配置成周期性地操作，和/或

在所述光刻设备的衬底处理周期期间的一个特定时间或更多个特定时间操作，和/或

以低于衬底处理频率的频率操作。

15.一种用于减少衬底支撑件上的氧化或去除衬底支撑件上的氧化物的方法，所述方法包括：

使所述衬底支撑件与导电或半导电元件接触，使得所述衬底支撑件的至少一部分被所述导电或半导电元件覆盖，

相对于所述衬底支撑件的被所述导电或半导电元件覆盖的部分向所述导电或半导电元件施加正电位。

16.根据权利要求15所述的方法，还包括：

用电解质至少部分地填充位于所述衬底支撑件与所述导电或半导电元件之间的空间，和/或

对所述导电或半导电元件进行热调节，使得所述电解质冷凝在所述导电或半导电元件上。

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