KR101442032B1 - 리소그래피 장치 및 액체의 거동을 제어하는 방법 - Google Patents

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로날드 반 데르 함
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Abstract

침지 리소그래피 장치 내의 침지 액체의 거동을 제어하는 전기 습윤의 이용이 개시된다.

Description

리소그래피 장치 및 액체의 거동을 제어하는 방법{Lithographic apparatus and method of controlling the behavior of a liquid}
본 발명은 리소그래피 장치 및 액체의 거동을 제어하는 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하는데 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 1 개 또는 수개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝" - 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행한 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써, 패터닝 디바이스에서 기판으로 패턴을 전사하는 것이 가능하다.
투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 리소그래피 투영 장치 내의 기판을 침지시키는 것이 제안되었다. 상기 액체는 증류수인 것이 바람직하나, 다른 액체들이 사용될 수 있다. 본 발명의 일 실시예는 액체에 대해 설명될 것이다. 하지만, 유체들, 특히 습윤 유체(wetting fluid), 비압축성 유체(incompressible fluid) 및/또는 공기보다 높은 굴절률, 바람직하게는 물보다 높은 굴절률을 갖는 유체들이 적합할 수 있다. 이것의 핵심은, 노광 방사선이 액체 내에서 더 짧은 파장을 가질 것이기 때문에 더 작은 피처들의 이미징을 가능하게 한다는 것이다(또한, 액체의 효과는 시스템의 유효 개구수(NA)를 증가시키는 것으로 간주될 수 있으며, 초점 심도(depth of focus)를 증가시키는 것으로도 간주될 수 있다). 고체 입자(예를 들어, 석영)들이 부유(suspend)되어 있는 물, 또는 나노-입자 부유물들(최대 10 nm의 치수를 갖는 입자들)을 갖는 액체를 포함한 다른 침지 액체들이 제안되었다. 이러한 입자들은 입자들이 부유되어 있는 액체와 유사하거나 동일한 굴절률을 가질 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 침지 액체들은 탄화수소, 수소불화탄소(hydrofluorocarbon) 및 수용액을 포함할 수 있다.
하지만, 기판 또는 기판 및 기판 테이블을 액체 배스(bath of liquid) 내에 담근다는 것(예를 들어, 본 명세서에서 그 전문이 인용참조되는 미국 특허 US 4,509,852 참조)은, 스캐닝 노광시 대량의 액체(large body of liquid)가 가속화된다는 것을 의미한다. 이는 추가 또는 더 강력한 모터들을 필요로 하며, 액체 내의 난류(turbulence)는 바람직하지 않고 예측 불가능한 영향들을 초래할 수 있다.
제시된 해결책들 중 하나는, 액체 공급 시스템이 액체 한정 시스템(liquid confinement system)을 이용하여 기판의 국부화된 영역 및 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이에만 액체를 제공하는 것이다(일반적으로, 기판은 투영 시스템의 최종 요소보다 큰 표면적을 갖는다). 이처럼 배치하기 위해 제안된 한가지 방식이 본 명세서에서 그 전문이 인용참조된 WO 99/49504에 개시된다. 도 2 및 도 3에 예시된 바와 같이, 액체는 1 이상의 유입구(IN)에 의해 기판 상으로, 바람직하게는 최종 요소에 대한 기판의 이동 방향을 따라 공급되고, 투영 시스템 아래를 통과한 이후에 1 이상의 유출구(OUT)에 의해 제거된다. 즉, 기판이 -X 방향으로 요소 밑에서 스캐닝됨에 따라, 액체는 요소의 +X 측에 공급되고 -X 측에서 흡수(taken up)된다. 도 2는 액체가 유입구(IN)를 통해 공급되고, 저압 소스에 연결되어 있는 유출구(OUT)에 의해 요소의 다른 측에서 흡수되는 장치를 개략적으로 도시한다. 도 2의 예시에서, 액체는 최종 요소에 대해 기판의 이동 방향을 따라 공급되지만, 반드시 이와 같을 필요는 없다. 최종 요소 주변에 위치되는 다양한 방위 및 개수의 유입구 및 유출구가 가능하며, 어느 한 쪽에 유출구와 함께 유입구의 4 개의 세트가 최종 요소 주변에 규칙적인 패턴으로 제공되는 일 예시가 도 3에서 설명된다.
국부화된 액체 공급 시스템을 갖는 침지 리소그래피 해결책이 도 4에 도시된다. 투영 시스템(PL)의 양쪽에서 2 개의 홈형 유입구(groove inlet: IN)에 의해 액체가 공급되고, 유입구들(IN)의 반경방향 바깥쪽으로(radially outwardly) 배치된 복수의 개별 유출구들(OUT)에 의해 제거된다. 유입구(IN) 및 유출구(OUT)는 그 중심에 홀(hole)을 갖고, 그것을 통해 투영 빔이 투영되는 플레이트(plate) 내에 배치될 수 있다. 투영 시스템(PS)의 한쪽에서 하나의 홈형 유입구(IN)에 의해 액체가 공급되고, 투영 시스템(PS)의 다른 쪽에서 복수의 개별 유출구(OUT)에 의해 제거된다. 이는 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이에 박막의 액체 흐름을 야기한다. 사용할 유입구(IN) 및 유출구(OUT)의 어떠한 조합을 선택하는가는, 기판(W)의 이동 방향에 의존할 수 있다(유입구(IN) 및 유출구(OUT)의 다른 조합은 비활성적임).
본 명세서에서 그 전문이 인용참조되고 있는 유럽 특허 출원 공개공보 제 EP 1420300호 및 미국 특허 출원 공개공보 제 US 2004-0136494호에는, 트윈(twin) 또는 듀얼(dual) 스테이지 침지 리소그래피 장치의 개념이 개시되어 있다. 이러한 장치에는 기판을 지지하는 2 개의 테이블이 제공된다. 침지 액체가 없는 제 1 위치에서의 테이블을 이용하여 레벨링 측정(leveling measurement)들이 수행되며, 침지 액체가 존재하는 제 2 위치에서의 테이블을 이용하여 노광이 수행된다. 대안적으로, 상기 장치는 노광과 측정 위치들 사이에서 이동가능한 하나의 테이블만을 가질 수 있다.
침지 리소그래피 장치에서는, 침지 액체가 특정 시간에 위치되도록 의도되지 않은 표면 또는 표면의 일부 상으로 침지 액체의 물방울(droplet)들이 의도치않게 전달되거나, 그 위에 남게 될 수 있다. 이는 결함이 있는 기판이 생성되게 할 수 있는 문제점을 야기한다.
예를 들어, 이러한 원치않는 물방울들의 형성을 제거하고, 및/또는 침지 리소그래피 장치의 1 이상의 표면들로부터 침지 액체의 원치않는 물방울들을 제거하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 적어도 주기적으로 침지 액체와 접촉하는 표면; 및 능동적 침지 액체 제어 시스템을 포함하며, 상기 시스템은: 제어될 침지 액체에 전기적으로 연결가능한 제 1 전극, 제어될 상기 침지 액체로부터 전기적으로 격리되고, 상기 표면과 연계된 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 제어된 전압차를 제공하도록 구성된 전압 제어기를 포함하는 침지 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판 테이블 상에 기판을 지지하는 단계; 투영 시스템을 이용하여 상기 기판 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계; 침지 시스템을 이용하여 상기 투영 시스템의 최종 요소와 상기 기판 또는 기판 테이블 사이의 공간에 침지 액체를 공급하는 단계; 제어될 상기 침지 액체에 전기적으로 연결된 제 1 전극, 제어될 상기 침지 액체로부터 전기적으로 격리되고, 상기 표면과 연계된 제 2 전극 사이에 제어된 전압을 인가함으로써, 다음의 표면들 - 상기 투영 시스템의 표면, 상기 기판 테이블의 표면, 및 침지 시스템의 표면 - 로부터 선택된 1 이상의 표면들 상의 침지 액체를 제어하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블 - 상기 기판, 상기 기판 테이블, 또는 상기 기판 및 상기 기판 테이블은 전기 절연 물질 층으로 코팅됨 - ; 상기 기판 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템; 상기 투영 시스템과 상기 기판 또는 기판 테이블 사이의 공간에 액체를 전체적으로 또는 부분적으로 포함하도록 구성된 방벽 부재 - 상기 방벽 부재는, 상기 방벽 부재와 상기 기판 또는 기판 테이블 사이에 이격부(separation)가 존재하며, 상기 액체가 상기 공간 내에 있을 때, 상기 이격부에서 상기 공간을 둘러싼 메니스커스(meniscus)가 상기 액체와 주위 가스 사이에 형성되도록 구성됨; 및 실질적으로 상기 메니스커스의 영역을 향하는 방향으로 상기 기판 테이블과 상기 투영 시스템 간에 상대 이동이 존재하는 때에, 전극과 상기 기판, 상기 기판 테이블, 또는 상기 기판과 상기 기판 테이블 사이에 제어된 전압차를 제공하도록 구성된 전압 제어기를 포함하는 침지 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판 테이블 상에 기판을 지지하는 단계 - 상기 기판, 상기 기판 테이블, 또는 상기 기판 및 상기 기판 테이블이 전기 절연 물질 층으로 코팅됨 -; 투영 시스템을 이용하여 상기 기판 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계; 방벽 부재에 의해 전체적으로 또는 부분적으로 정의된, 상기 투영 시스템과 상기 기판 또는 기판 테이블 사이의 공간에 액체를 공급하는 단계 - 상기 방벽 부재와 상기 기판, 상기 기판 테이블, 또는 상기 기판 및 상기 기판 테이블 사이에 이격부가 존재하고, 상기 이격부에서 상기 공간을 둘러싼 메니스커스가 상기 액체와 주위 가스 사이에 형성되며, 상기 방벽 부재는 상기 메니스커스의 영역에 인접한 상기 액체와 전기 접촉하는 전극을 포함함 -; 및 실질적으로 상기 메니스커스의 영역을 향하는 방향으로 상기 기판 테이블과 상기 투영 시스템 간에 상대 이동이 존재하는 때에, 상기 전극과 상기 기판, 상기 기판 테이블, 또는 상기 기판 및 상기 기판 테이블 사이에 제어된 전압차를 제공하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 침지 액체와 적어도 주기적으로 접촉하는 표면; 및 상기 표면 상에서의 상기 침지 액체의 접촉 각도를 제어하도록 구성된 능동적 침지 액체 제어 시스템을 포함하는 침지 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 침지 리소그래피 장치 내에서 일 표면 상에서의 액체의 거동(behavior)을 제어하는 방법이 제공되고, 상기 표면 상에 상기 액체의 접촉 각도를 제어하는 단계를 포함한다.
이하, 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2 및 도 3은 종래의 리소그래피 투영 장치에서 사용되는 액체 공급 시스템을 도시하는 도면;
도 4는 리소그래피 투영 장치에서 사용하는 또 다른 액체 공급 시스템을 도시하는 도면;
도 5는 리소그래피 투영 장치에서 사용하는 또 다른 액체 공급 시스템을 도시하는 도면;
도 6은 원치않는 물방울들이 형성될 수 있는 통상적인 위치들을 나타내는 예시적인 방벽 부재 및 주위 영역들의 확대 단면도;
도 7은 본 발명의 일 실시예를 통합한 침지 리소그래피 장치의 일 표면의 개략도;
도 8은 침지 리소그래피 장치에 본 발명의 일 실시예를 적용한 도면;
도 9는 침지 리소그래피 장치에 도 8의 실시예를 적용한 상세도;
도 10 및 도 11은 침지 리소그래피 장치가 직면한 문제점을 도시하는 도면;
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 10 및 도 11과 연계하여 설명된 문제점들에 대한 해결책을 도시하는 도면;
도 13 및 도 14는 도 12의 실시예에 따른 침지 리소그래피 장치 내의 침지 후드의 대안적인 구성들을 도시하는 도면;
도 15 및 도 16은 침지 리소그래피 장치에 본 발명의 일 실시예를 적용한 도면; 및
도 17 및 도 18은 도 15 및 도 16에 도시된 바와 같은 본 발명의 일 실시예에 적용한 도면이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는:
방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL);
패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);
기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및
기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 타입들의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 패터닝 디바이스 테이블들)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 패터닝 디바이스(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 (도 1에 명확히 도시되지 않은) 또 다른 위치 센서는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 지지 구조체(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 지지 구조체(MT)는 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들이 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다). 이와 유사하게, 패터닝 디바이스(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 패터닝 디바이스 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다(즉, 단일 정적 노광(single static exposure)). 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다(즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)). 지지 구조체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
침지 리소그래피 장치에서는, 침지 액체가 특정 시간에 위치되도록 의도되지 않은 표면 또는 표면의 일부 상으로 침지 액체의 물방울들이 의도치않게 전달되거나, 그 위에 남게 될 수 있다. 이는 결함이 있는 기판이 생성되게 할 수 있는 문제점을 야기한다.
원치않는 침지 액체 물방울들의 존재는 결함을 유발할 수 있는 문제점이 발생할 수 있다. 예를 들어, 원치않는 물방울들이 렌즈 또는 센서 요소 상에 형성되거나 그 위에 남게 되면, 이는 상기 요소의 광학 특성들을 변화시키고, 예를 들어 측정 및/또는 포커싱의 부정확성을 초래할 수 있다.
또한, 원치않는 침지 액체 물방울들이 표면 상에 남게 되면, 물방울들은 증발할 수 있다. 이에 따라, 이 증발은 원치않는 물방울들이 위치된 표면을 포함한 리소그래피 장치의 요소에 열적 부하가 인가되게 할 수 있다. 이 열적 부하는, 예를 들어 상기 요소의 광학 특성을 변화시키고, 및/또는 상기 요소를 제어되지 않는 방식으로 물리적으로 변형시킴으로써, 또 다른 부정확성을 야기할 수 있다.
원치않는 물방울들이 표면 상에 남게 되고 또한 증발함으로써 유도되는 또 다른 문제점은, 일단 액체가 증발했으면, 상기 표면 상에 오염물들이 생길 수 있다는 것이다. 상기 오염물들은 침지 액체 내에 불순물들이 생기게 하거나, 침지 액체 내에 첨가제를 유도하게 되는 결과를 초래할 수 있다.
원치않는 침지 액체 물방울들을 제거하는 가능한 기술은 물방울들이 위치된 표면으로부터 그들을 수동적으로 제거하는 것이다. 이는 상기 표면에 액체-불화성(liquid-phobic) 코팅을 적용함으로써 달성될 수 있다. 대안적으로, 이는 액체-불화성 및 액체-친화성(liquid-philic) 코팅들의 조합을 이용함으로써 달성될 수 있다. 하지만, 원치않는 물방울들을 수동적으로 제거하는 이러한 기술들은 물방울들을 비교적 느리게 제거할 수 있다. 따라서, 앞서 설명된 그들의 존재와 연관된 1 이상의 문제점들이 발생할 수 있다.
원치않는 침지 액체 물방울들을 제거하는 더 빠른 방식은 상기 표면으로부터 물방울들을 날려버리도록 가스 스팀을 이용하는 것이다. 하지만, 이러한 가스 스팀은 물방울들의 부분 증발을 유도할 수 있으며, 이에 따라, 예를 들어 불순물들의 생성 및/또는 열적 부하와 같은 본 명세서에 언급된 1 이상의 연관된 문제점들을 발생시킬 수 있다.
침지 리소그래피 장치, 바람직하게는 그 침지 시스템의 표면으로부터, 침지 액체 물방울들의 상당한 증발을 초래하지 않으면서도 빠르게, 침지 액체의 원치않는 물방울들을 제거하는 것이 바람직하다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, "침지 시스템"은 1 이상의 액체 핸들링 시스템, 기판 테이블(WT) 및 투영 시스템(PS)의 최종 요소를 포함할 수 있다. 이후, 본 발명의 일 실시예가 액체에 대해 설명되지만, 동일한 원리들이 또 다른 유체에 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일 실시예는 1 이상의 유체 물방울들, 액체 물방울들, 고체 입자들이 부유되어 있는 유체 물방울들, 및 고체 입자들이 부유되어 있는 액체 물방울들에 적용될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
물방울이라는 용어는, 예를 들어 그 자신보다 큰 액체의 몸체의 일부분을 형성하지 않는 분산 물방울을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 더욱이, 액체를 통해 액체의 또 다른 몸체에 물방울이 연결되지 않을 수 있다. 또한, 복수의 물방울들의 제어 또는 제거에 적용한 참조들은 단일 물방울의 제어 또는 제거에 동일하게 적용할 수 있으며, 그 반대로도 적용가능하다.
또한, 본 발명의 일 실시예는 리소그래피 장치의 여하한의 구성요소에 적용될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 특히, 이는, 예를 들어 침지 시스템을 포함하는 침지 리소그래피 장치 내의 여하한의 구성요소에 적용될 수 있다. 본 발명의 일 실시예는 원치않는 침지 액체 물방울들이 형성되기 쉬운 표면에 적용될 것이다. 이는, 예를 들어 투영 시스템(PS)의 최종 요소; 기판(W); 기판 테이블(WT); 액체 핸들링 시스템의 방벽 부재(120)와 같은 액체 핸들링 시스템; 및/또는 침지 시스템, 즉 침지 리소그래피 장치에서 침지 액체를 제공, 한정 또는 제어하는 시스템의, 및/또는 그 주변의 표면을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예는 국부화된 액체 공급 시스템(즉, "국부 영역")을 갖는, 또는 "배스(bath)" 및 "전체-습윤(all-wet)" 구성과 같은 비한정적 액체 공급 시스템을 갖는 침지 시스템을 포함할 수 있는 여하한의 형태의 침지 리소그래피 장치에 특히 적용될 수 있다. "배스" 구성에서, 기판은 침지 액체의 배스 내에 완전히 침지된다(즉, 잠긴다). "전체-습윤" 구성에서, 투영 시스템을 향한 기판의 주요 표면이 침지 액체로 완전히 덮인다. 침지 액체는 바람직하게 얇은 필름으로 기판을 덮을 수 있다. 침지 액체는 기판 위에서, 그리고 아마도 기판의 주요 표면을 둘러싸는 기판 테이블 위에서 유동이 자유롭도록 공급될 수 있다.
국부화된 액체 공급 시스템을 갖는 또 다른 침지 리소그래피 장치에서, 공급 시스템은 투영 시스템의 최종 요소와 기판 테이블 사이의 공간 경계부의 전체 또는 일부분을 따라 연장된 방벽 부재(또는 소위 침지 후드)를 갖는다. 이러한 해결책은 도 5에 예시되어 있다. 방벽 부재는 XY 평면에서 투영 시스템에 대해 실질적으로 정지해 있다. 하지만, Z 방향으로(광축 방향으로) 약간의 상대 이동이 있을 수 있다. 방벽 부재와 기판의 표면 사이에 시일이 형성된다.
도 5를 참조하면, 액체가 한정되어 기판 표면과 투영 시스템의 최종 요소 사이의 저수부(reservoir) 또는 침지 공간(11)을 채우도록, 시일 부재(16)는 투영 시스템의 이미지 필드 주위에서 기판에 대해 무접촉 시일을 형성한다. 저수부(11)는 투영 시스템(PL)의 최종 요소 아래에, 그리고 그것을 둘러싸서 위치된 방벽 부재(12)에 의해 형성된다. 투영 시스템 밑의 공간 및 방벽 부재(12) 내의 공간으로 액체가 유입된다. 예를 들어, 액체는 포트(13)를 통해 제공되고 및/또는 제거될 수 있다. 방벽 부재(12)는 투영 시스템의 최종 요소 위로 약간 연장된다. 액체가 상기 최종 요소 위로 상승하여 액체의 버퍼(buffer)가 제공된다. 일 실시예에서, 방벽 부재(12)는, 상단부(upper end)에서 투영 시스템 또는 그 최종 요소의 형상에 꼭 일치하고(conform), 예를 들어 원형일 수 있는 내부 주변부(inner periphery)를 갖는다. 저부에서, 내부 주변부는 이미지 필드의 형상, 예를 들어 직사각형에 꼭 일치하지만, 반드시 이와 같을 필요는 없다.
액체는 방벽 부재(12)의 저부와 기판(W)의 표면 사이에 가스 시일(16)에 의해 저장부 내에 한정된다. 가스 시일은 가스, 예를 들어 공기 또는 합성 공기(synthetic air)에 의해 형성된다. 일 실시예에서는, N2 또는 또 다른 비활성 기체(inert gas)가 압력 하(under pressure)에서 유입구(15)를 통해 방벽 부재(12)와 기판(W) 사이의 갭으로 제공된다. 상기 가스는 제 1 유출구(14)를 통해 배출된다. 가스 유입구(15) 상의 과압력(overpressure), 제 1 유출구(14) 상의 진공 레벨, 및 갭의 지오메트리(geometry)는, 반경방향 안쪽으로 액체를 한정시키는 고속 가스 유동(high-velocity gas flow)이 존재하도록 배치된다. 이러한 시스템은 미국 특허 출원 공개공보 제 US 2004-0207824호에 개시되어 있다.
침지 리소그래피 장치의 또 다른 예시는 도 6에 도시된다. 도 6의 장치는, 예를 들어 침지 액체를 공급하고, 수용하며, 제거하는 액체 핸들링 시스템을 갖는다. 액체 핸들링 시스템은 방벽 부재(120)를 포함할 수 있다. 액체 핸들링 시스템은: (도 6에 도시되지는 않았으나, 도 5의 유입구(13)와 유사한) 액체 공급 시스템; 액체 제거 시스템(18, 181); 및/또는 그 뒤에서 침지 액체의 이동을 방지하는 시일 부재(16) 중 1 이상을 가질 수 있다. 시일 부재(160)는 침지 액체를 일 공간으로 한정하는 역할을 할 수 있다. 도 6에 도시된 것과 같이, 통상적인 국부화된 영역 침지 리소그래피 장치는 침지 액체의 주요 몸체(200)를 수용하는 역할을 할 수 있다.
침지 액체의 원치않는 1 이상의 물방울들이 침지 시스템과 같은 침지 리소그래피 장치의 여하한의 표면 상에 남게 되거나 형성될 수 있다. 도 6은 침지 리소그래피 장치의 주변 외형들 및 침지 시스템의 확대 단면도이다. 도 6은 침지 리소그래피 장치의 도시된 부분의 1 이상의 표면들 상에 형성될 수 있거나 남게 될 수 있는 원치않는 다양한 액체 물방울들의 위치를 도시한다. 간명함을 위해, 침지 시스템 및 주변 외형들을 절반만 도시한 단면이 도시된다. 도 6에 도시된 원치않는 물방울(들)의 위치는 이후에 설명되는 바와 같이, 종래의 침지 리소그래피 장치에서 통상적으로 발견되는 위치이다. 하지만, 침지 리소그래피 장치의 여타의 표면 상에도 원치않는 1 이상의 침지 액체 물방울들이 형성될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
빗금친 영역들은 침지 액체가 위치된 곳을 나타낸다. 침지 액체의 존재가 바람직한 장치의 부분만이 도 6에서 구역(200)으로 도시된다. 상기 구역(200)은 투영 시스템(PS)의 최종 요소, 기판(W)(또는 기판 테이블(WT)), 및 방벽 부재(120)의 표면에 의해 경계 지어진다. 방벽 부재(120)의 저부 표면(121)과 기판(W) 사이에 주요 메니스커스(201)가 생성된다. 액체 에지(202)는 방벽 부재(120)와 투영 시스템(PS)의 최종 요소 사이에 생성된다. 액체 에지(202)는, 예를 들어 표면 장력에 의해 형성될 수 있다.
원치않는 침지 액체 물방울들이 형성될 수 있는 통상적인 영역은 기판(W)을 향해 있는 방벽 부재(120)의 표면(121)이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 방벽 부재(120)에는 기판(W)을 향해 있는 방벽 부재(120)의 표면(121) 내에 형성된 침지 액체 추출 도관(18)이 제공된다. 상기 추출 도관(18)은 침지 리소그래피 장치를 통해 침지 액체의 유동을 제어하는 액체 핸들링 시스템의 일부분이다. 상기 도관(18)은 상이한 외주 위치들에 위치된 수 개의 바늘형(needle-type) 추출 도관들 중 하나이다. 상기 도관들(18)은 영역(200)을 둘러싸도록 위치된다. 상기 도관들은 언더프레셔(underpressure)로 개방되는 유출구(181)를 통해 궁극적으로 침지 액체를 제거하도록 배치된다. 이 시스템은 대부분의 침지 액체가 추출 도관(18)의 유입구를 지나 반경방향으로 유출되지 않는 것을 보장하는데 효과적이다. 하지만, 소량의 침지 액체는 추출 도관(18)을 통해 추출될 수 없으며, 이 액체는 침지 액체가 요구되는 영역(200) 외부에 원치않는 물방울들을 형성할 수 있다. 방벽 부재(120) 상의 이러한 물방울들은 이후 기판 상에 떨어질 수 있으며, 이는 기판(W) 상에 결함들을 유발할 수 있다. 이러한 결함들은 패턴 결함 테스트에서 아크(arc)들과 라인들로 나타내어질 수 있다.
통상적으로, 침지 액체의 원치않는 2차 몸체(secondary body: 101)는 추출 도관(18)의 입구를 바로 지나 형성될 수 있다. 상기 침지 액체의 2차 몸체(101)는 기판(W)을 향해 있는 방벽 부재(120)의 표면(121), 및 기판(W) 및/또는 기판 테이블(WT) 사이에 형성된다. 본 명세서에서 기판(W) 또는 기판 테이블(WT)에 대해 참조가 행해지면, 이는 기판(W) 및 기판 테이블(WT)을 의미할 수 있다. 기판(W) 및 기판 테이블(WT)이 방벽 부재(120) 및 투영 시스템(PS)에 대해 이동함에 따라, 침지 액체의 2차 몸체(101)는 기판(W)에 대해 이동하여, 기판(W) 및/또는 기판 테이블(WT)의 표면 상에 물방울(102)을 형성한다. 이는 원치않는 침지 액체 물방울들(102)의 자국이 기판(W) 및/또는 기판 테이블(WT) 상에 남게 될 수 있음을 의미한다. 또한, 원치않는 1 이상의 물방울들은 방벽 부재의 표면(121) 상에도 형성될 수 있다. 이후, 침지 액체의 2차 몸체(101)로 인한 이러한 물방울들(102)은 기판(W) 및 기판 테이블(WT) 상에 결함들을 유발할 수 있다. 이러한 결함들은 패턴 결함 테스트에서 아크들과 라인들로 나타내어질 수 있다.
추출 도관(18)에 의해 수집되지 않은 액체는 침지 액체의 주요 몸체(200)로부터 더 멀리 이동될 수 있을 것이다. 이를 방지하거나 적어도 이를 감소시키기 위해서, 침지 리소그래피 디바이스는 가스 시일(160)을 가질 수 있다. 도시된 실시예에서, 가스 시일(160)은 가스가 분사되는 침지 시스템 내에 유입구(150)를 갖는 가스-나이프(gas-knife)이다. 가스 나이프(160)로부터의 가스 유동은 기판(W) 쪽으로 지향된다. 가스 나이프(160)는 여하한의 침지 액체가 그 바깥으로 나가는 것을 방지하도록 배치된다. 이상적으로, 가스 나이프(160)는 여하한의 침지 액체가 그 바깥으로 나가는 것을 막는다. 이상적으로, 가스 나이프(160)는 여하한의 침지 액체가 그 바깥으로 나가는 것을 막는다. 도 6의 화살표들(161 및 162)은 가스 유동 경로의 방향을 나타낸다. 궁극적으로, 경로(161)(즉, 침지 액체의 주요 몸체(200)를 향하는 방향)을 따른 가스 유동은 유출구(181)를 통해 나간다. 가스 나이프(160)의 (투영 시스템의 광축에 대해) 반경방향 안쪽으로 방벽 부재(120) 내에 후퇴부(170)가 제공된다. 이 후퇴부(170)는 가스 나이프(160)로부터 반경방향 안쪽으로의 유동 경로(161)를 따라 유동하는 가스 나이프로부터의 가스에 적절한 가스 유출 경로를 제공하기 위함이다.
침지 액체의 원치않는 물방울들은 가스 나이프(160)의 어느 한쪽 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 물방울들은 (투영 시스템의 광축에 대해) 반경방향 안쪽 표면 상에 형성될 수 있다. 물방울들은 가스 나이프(160)의 반경방향 바깥쪽으로 형성될 수 있다. 침지 액체의 원치않는 물방울들은, 예를 들어 가스 나이프로부터의 가스로 인해 가스 나이프(160)의 반경방향 바깥쪽 표면 상에 형성될 수 있으며, 이는 기판 또는 기판 에지 상의 물방울들이 기판(W)을 향해 있는 방벽 부재(120)의 하부 표면(121)과 같은 침지 시스템의 표면 상으로 튀게 한다. 도 6에 도시된 예시에서, 원치않는 침지 액체 물방울들은 가스 나이프(160)의 반경방향 바깥쪽 표면 상에 도시된다.
도시된 예시에서, 원치않는 침지 액체 물방울들은 가스 나이프(160)의 반경방향 안쪽(즉, 침지 액체의 주요 몸체(200)를 향하는 방향) 표면 상에 형성되었다. 도 6의 예시에는 2 개의 물방울들이 도시된다. 하나의 물방울(103)은 가스 유출 경로(161)를 형성하는 후퇴부(170)의 반경방향 안쪽 표면 상에 존재한다. 하나의 물방울(104)은 가스 유출 경로(161)를 형성하는 후퇴부(170)의 반경방향 바깥쪽 표면 상에 존재한다. 물방울들(103 및 104)은, 예를 들어 중력으로 인한 힘 때문에 기판 표면(W) 상으로 떨어지거나 흐르기 쉬우며, 잠재적으로는 상술된 바와 같은 문제점을 유발한다. 가스 나이프(160)의 작동으로부터 재순환 가스 유동을 겪는 여하한의 표면들은, 특히 침지 액체 물방울들이 그 위에 생기기 쉬울 것이다.
기판(W)을 향해 있는 방벽 부재(120)의 표면 상에 형성된 바와 같은 도 6에 도시된 물방울들(102, 103) 이외에도, 원치않는 침지 액체 물방울들은 여타의 위치에 형성될 수 있다. 원치않는 침지 액체 물방울들의 정확한 위치는, 예를 들어 액체 핸들링 시스템의 특정 디자인에 의존할 수 있다. 원치않는 침지 액체 물방울들의 정확한 위치는, 예를 들어 방벽 부재(120), 투영 시스템(PS), 기판(W) 및 기판 테이블(WT)의 특정한 상대 이동에 의존할 수 있다.
원치않는 물방울들은 용접 접합부(welded joint)를 갖는 표면 상에 형성될 수 있다. 이러한 접합부의 표면으로부터 침지 액체를 전부 제거하는 것은 특히 어려울 수 있다.
원치않는 침지 액체 물방울들이 형성될 수 있는 또 다른 영역은 투영 시스템(PS)의 최종 요소와 방벽 부재(120)의 대향 표면들, 예를 들어 기판(W)으로부터 더 멀리 향해 있는 방벽 부재(120)의 표면(122) 상의 영역이다. 상기 표면(122)은 기판(W)과 투영 시스템(PS)의 최종 요소 사이에 위치될 수 있으며, 방벽 부재(120)의 상부 표면(122)이라고 칭해질 수 있다. 이 표면은 원치않는 침지 액체 물방울들이 형성되기가 특히 쉽다. 투영 시스템(PS)의 최종 요소의 하부 표면 또한, 원치않는 침지 액체 물방울들이 그 위에 형성되기가 특히 쉽다.
그 이유는, 스텝핑 및/또는 스캐닝 동작 동안에, 기판 테이블(WT) 및 기판(W)은 투영 시스템(PS), 방벽 부재(120), 및 액체 핸들링 시스템의 다른 부분들에 대해 이동하기 때문이다. 침지 액체 몸체(200)의 모멘텀(momentum)은 액체가 이동하게 하며, 그 상부 메니스커스, 즉 액체 에지(202)는 투영 시스템의 최종 요소의 표면과 방벽 부재(120)의 상부 표면 사이에서 이동한다. 스캔 방향의 방향으로 방벽 부재의 정면에서의 액체 에지의 일부분은 투영 시스템의 광축으로 이동하며; 스캔 방향으로 방벽 부재의 후면에서의 액체 에지의 일부분은 광축으로부터 멀리 이동한다. 다음 스캔 단계에서 스캔 방향이 반전되면, 액체 에지의 각 부분의 이동 방향이 변한다. 그러므로, 연속 스캐닝 동작들을 통해, 액체 에지의 위치가 오실레이션(oscillation)된다. 스캔 동작이 빠르면, 오실레이션이 빠를 수 있으며, 제어되지 않을 수 있다. 따라서, 물방울들은 액체 에지의 이동에 의해 형성될 수 있다. 이 현상은 "슬로싱(sloshing)"이라고 언급된다. 이 상대 동작은 침지 액체의 물방울들이, 예를 들어 투영 시스템(PS)의 최종 요소 및/또는 방벽 부재(120)의 상부 표면(122) 상에 생성될 수 있게 한다. 본 명세서에서 언급되는 바와 같이, 투영 시스템(PS)의 최종 요소는, 예를 들어 소위 WELLE 렌즈와 같은 투영 렌즈일 수 있다. 통상적인 사용 시에, 방벽 부재(120)와 투영 시스템(PS)의 최종 요소 간의 침지 액체의 레벨은 변동될 수 있으며, 침지 액체가 표면으로부터 후퇴할 때마다, 원치않는 물방울들이 남을 수 있다.
대안적으로 또는 추가적으로, 기판 테이블(WT) 및/또는 기판(W)이 방벽 부재(120) 쪽으로 상대 이동한 결과로, 방벽 부재(120)의 표면(122)(즉, 기판(W) 및 기판 테이블(WT)로부터 멀리 향해 있는 표면), 및 투영 시스템(PS)의 최종 요소의 하부 표면(즉, 기판(W) 및/또는 기판 테이블(WT)을 향해 있는 표면) 상에 원치않는 물방울이 형성될 수 있다. 이는, 예를 들어 기판(W) 또는 기판 테이블(WT)의 제어 오차가 생긴 경우에 발생할 수 있다. 이것이 발생되면, 기판(W)으로부터 멀리 향해 있는 방벽 부재(120)의 표면(122)과, 투영 시스템(PS)의 최종 요소의 하부 표면 사이의 영역으로 침지 액체의 주요 몸체(200)가 범람할 수 있다. 이러한 침지 액체의 범람이 철수되면(예를 들어, 기판(W) 및 기판 테이블(WT)이 방벽 부재(120)로부터 멀리 이동하면), 침지 액체의 원치않는 물방울들이 방벽 부재(120)의 표면(122)과 투영 시스템(PS)의 최종 요소의 하부 표면 상에 남게 될 수 있다.
도 6에 도시된 예시에서, 원치않는 일 물방울(105)이 방벽 부재(120)의 상부 표면(122) 상에 도시된다. 원치않는 또 다른 물방울(106)은 투영 시스템(PS)의 항부 표면 상에 도시된다.
이전에 설명된 바와 같이, 원치않는 여하한의 물방울이 표면들 중 하나에 남게 된다면, 이는 증발할 수 있으며, 따라서 가능하게는, 특정 표면에 원치않는 열적 부하를 제공할 수 있다. 투영 시스템(PS)의 최종 요소의 하부 표면 상의 물방울(106)의 경우, 이는, 물방울의 증발에 의해 원치않는 열적 부하가 투영 시스템(PS)의 최종 요소에 적용될 수 있기 때문에, 특히 문제가 될 수 있다. 이는 광학 특성, 및 투영 시스템(PS)의 성능에 영향을 줄 수 있다. 이는, 예를 들어 투영 시스템(PS)의 최종 요소가 렌즈 요소인 경우에 특히 문제가 될 수 있다. 증발 시, 열적 부하는 시간에 따라 변동될 수 있으며, 투영 시스템(PS)의 광학 특성의 예측할 수 없는 변동을 초래할 수 있다. 이러한 광학 특성의 예측할 수 없는 변동을 보상하는 것은 달성이 극히 어려울 수 있다.
방벽 부재(120)의 상부 표면(122) 상의 물방울(105)은, 남겨 두면, 증발할 수 있어, 방벽 부재(120)에 원치않는 열적 부하를 초래한다. 이 원치않는 열적 부하는 방벽 부재(120)의 변형을 유발할 수 있다. 이는, 예를 들어 방벽 부재(120)의 위치설정을 어렵게 할 수도 있다. 이는 침지 액체의 주요 몸체(200)의 광학 특성이 변화되게 할 수도 있다.
또한, 침지 시스템의 여하한의 물방울의 증발은 침지 액체의 주요 몸체(200)를 경계 짓는 다양한 표면들이 냉각되게 할 수 있다. 예를 들어, 투영 시스템(PS)의 최종 요소의 하부 표면, 방벽 부재(120)의 표면, 및/또는 기판 표면 자체가 냉각될 수 있다. 이에 따라, 이는 침지 액체의 주요 몸체(200)가 냉각되게 할 수 있어, 액체의 굴절률을 변화시키는 것과 같이, 침지 액체의 주요 몸체(200)의 광학 특성에 영향을 줄 수 있다.
도 7은 침지 리소그래피 장치의 표면으로부터 침지 액체의 물방울들의 제거를 돕는 본 발명의 일 실시예를 도시한다. 도시된 바와 같이, 표면(20)에는 복수의 전극들(21, 22)이 제공된다. 제 1 타입의 전극들(21)은 상기 표면 상의 침지 액체의 물방울(23)이 상기 제 1 타입의 전극(21)과 직접 접촉할 수 있도록 상기 표면(20) 상에 형성되거나 노출된다. 따라서, 제 1 타입의 전극(21)은 물방울(23)의 침지 액체에 전기적으로 연결될 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, 제 2 타입의 전극들(22)이 상기 표면(20) 상의 전기 절연 층(24) 내에 형성될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 제 2 타입의 전극들(22)은 상기 표면(20) 상에 형성될 수 있으며, 절연 층으로 코팅될 수 있다. 어느 경우에도, 제 2 타입의 전극들(22)은 제 1 타입의 전극들(21)로부터, 또한 상기 표면(20) 상에 형성된 침지 액체의 여하한의 물방울들(23)로부터 전기적으로 격리된다.
전압 제어기(25)가 제공되며, 이는 제 1 타입의 전극들(21)과 제 2 타입의 전극들(22) 사이에 제어된 전압차를 제공할 수 있도록 배치된다. 이러한 전압차가 제공되면, 제 1 타입의 전극(21)과 접촉해 있는 침지 액체의 물방울(23)과, 침지 액체의 물방울(23)에 인접하나 그로부터 전기적으로 격리된 전극(22) 사이에 전압차가 형성될 수 있다. 그 결과로, 침지 액체의 물방울(23)은 전기 습윤 효과(electro wetting effect)를 겪게 된다. 이에 따라, 상기 표면(20)에 대한 침지 액체의 물방울들(23)의 접촉 각도가 감소되며, 물방울(23)은 상기 표면 상에서 더 넓게 퍼지게 된다.
침지 리소그래피 장치 내의 일 표면 상에서의 이러한 시스템 사용의 이점은, 전기 습윤 효과를 겪고, 이에 따라 상기 표면 상에 넓게 퍼진 물방울들이 상기 표면 상에 떨어질 가능성이 적다는 것이다. 이에 따라, 이 시스템은 침지 액체의 물방울이 형성되고, 이후 상기 물방울이, 예를 들어 기판 상으로 떨어질 수 있는 표면에 적용될 수 있다. 상기 표면(20) 상의 침지 액체의 물방울(23)을 넓게 폄으로써, 이는 상기 표면(20)으로부터 침지 액체를 추출하는데 사용될 수 있는 도관(26)의 개구부와 물방울을 접촉하게 할 가능성을 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 도관(26)은 침지 액체가 모세관 작용(capillary action)에 의해 상기 표면(20)으로부터 추출되도록 충분히 작을 수 있다. 또한, 미국 특허 출원 공보 US 2007-0146666호에 개시된 바와 같이, 도관(26)은 침지 액체를 추진시켜 주어진 방향으로 유동하도록 정전기력과 모세관 작용의 조합을 이용할 수 있다. 하지만, 본 발명의 일 실시예와 조합하여 여하한의 형태의 침지 액체 추출이 사용될 수 있다. 앞서 설명된 바와 같이, 물방울들이 상기 표면(20)에 떨어질 가능성을 감소시키는 전기 습윤 효과의 이용은, 도관(26)과 같은 침지 액체 추출 시스템을 사용하지 않거나, 이러한 시스템의 작동시키지 않고, 본 발명의 일 실시예가 사용될 수 있는 충분한 이점을 제공할 수 있다.
상기 표면(20) 상의 전극들(21, 22)의 배치는, 침지 액체의 연속한 막이 상기 표면(20) 상에 형성되는 전기 습윤 효과의 영향 하에서 상기 표면(20) 상의 침지 액체의 복수의 이산 물방울들(23)이 충분히 넓게 퍼지도록 되어 있을 수 있다. 유익하게는, 이는, 예를 들어 도관(26)을 통한 침지 액체의 제거에 용이할 수 있으며, 및/또는 침지 액체가 상기 표면(20)으로부터 떨어질 가능성을 더욱 감소시킬 수 있다.
상기 표면(20)의 크기에 따라, 여하한의 개수의 제 1 타입의 전극들(21), 및 여하한의 개수의 제 2 타입의 전극들(22)이 사용될 수 있다. 마찬가지로, 상기 표면(20) 상의 또는 상기 표면(20)에 인접한 전극들의 여하한의 적절한 구성 또는 배치가 사용될 수 있다. 유익한 배치에서, 제 1 타입의 인접한 전극들(21)의 간격은 상기 간격이 침지 리소그래피 장치의 특정 표면 상에서 문제가 되지 않는다고 고려된 침지 액체의 물방울의 최대 크기에 대응하도록 선택될 수 있다. 따라서, 문제가 될 만큼 물방울이 충분히 크다면, 예를 들어 물방울이 표면으로부터 떨어질 수 있거나 그 증발을 통해 상당한 냉각을 유발할 수 있기 때문에, 이는 제 1 타입의 1 이상의 전극(21)과 전기 접촉하게 될 것이며, 이에 따라 전기 습윤 효과를 가능하게 한다.
본 발명의 일 실시예는 원치않는 침지 액체 물방울이 형성되거나, 위치되거나, 남게 될 수 있는 여하한의 위치에 적용될 수 있다. 예를 들어, 상술된 실시예는 침지 액체의 물방울들이 형성될 수 있는 상술된 모든 표면들에 적용될 수 있다. 예를 들어, 이는 가스 시일(160)의 반경방향 안쪽 표면, 가스 유출 경로(161)를 형성하는 후퇴부(170)의 반경방향 내부 또는 외부 표면 또는 방벽 부재(120)의 저부 표면(121)에 적용될 수 있다. 또한, 상기에 설명된 바와 같은 실시예는 기판 테이블(WT)의 최상부 표면 상에 위치된 표면에도 적용될 수 있다. 이는, 예를 들어 기판(W)의 에지 쪽에 위치된 다이들의 노광 시 기판이 침지 액체에 침지될 때부터 기판과 기판 테이블 사이에 위치될 수 있는 시일 상에, 또는 기판 테이블의 최상부 표면 상에 침지 액체 물방울들이 남게 될 수 있기 때문이다.
상술된 실시예는 "전체-습윤" 침지 리소그래피 장치에서 원치않는 침지 액체 물방울들이 형성될 수 있는 일 표면에 제공될 수 있다. "전체-습윤" 침지 리소그래피 장치는 그 침지 시스템의 액체 공급 시스템에 의해 침지 액체가 한정되지 않는 침지 리소그래피 시스템을 포함한다. 따라서, 적어도 노광을 겪는 기판(W)의 주요 표면 전체가 노광 시 침지 액체에 침지된다. 따라서, 주어진 시간에 노광되지 않는 기판의 영역도 침지 액체에 의해 덮인다. 이는 기판(W)의 타겟부를 둘러싼 영역(즉, 현재 노광되고 있는 기판(W)의 부분)만이 노광 시 침지 액체에 의해 덮이는 상술된 구성과 대조적이다.
다른 실시예들과 관련하여 본 명세서에 설명되는, 원치않는 침지 액체 물방울들이 형성될 수 있는 지점의 예시들은 여전히 "전체-습윤" 침지 리소그래피 장치에 적용가능하다. 또한, "전체-습윤" 침지 리소그래피 장치는 원치않는 침지 액체 물방울들이 형성될 수 있는 다른 표면들에 대해서도 본 명세서에 설명된 실시예들을 이용할 수 있다.
예를 들어, 원치않는 물방울들은 그리드-플레이트(grid-plate), 스커트 및 인코더 헤드(그 모두는 위치설정 시스템에 영향을 줄 수 있음), 및/또는 기판 테이블(WT) 상에 형성될 수 있다. 특히, 기판 테이블(WT)을 참조하면, "전체-습윤" 침지 시스템에서, 기판 에지와 기판 테이블(WT) 간의 갭은 작동 시 침지 액체로 채워진다. 하지만, 침지 액체의 물방울들이 건조 후에도 이 갭내에, 및/또는 기판 에지 상에 남아있는 것이 보통이며, 이는 바람직하지 않다. 기판 테이블(WT) 상에 남아있는 여하한의 물방울들은 후속 기판(W)이 기판 테이블(WT) 상에 적절히 위치되는 것을 방해할 수 있다. 이는 기판(W)의 부정확한 위치설정의 가능성을 증가시킬 수 있다. 더욱이, 후속 기판(W)이 기판 테이블(WT) 상에 위치될 때, 기판 테이블(WT) 상에 남아있는 여하한의 원치않는 침지 액체 물방울들이 기판(W)을 포함한 다른 영역들로 튈 수 있다. 이 원치않는 침지 액체 물방울들이 증발하면, 이들은 상기에 언급된 1 이상의 문제점들을 초래할 수 있다. 예를 들어, 물방울들의 증발은 건조 얼룩들을 남길 수 있고, 오염 입자들을 남길 수 있으며, 및/또는 물방울들이 위치된 표면을 포함한 요소들에 원치않는 열적 부하를 유발할 수 있다.
그러므로, 상기 설명된 실시예는 이러한 원치않는 침지 액체 물방울들을 제어하고 및/또는 그 제거를 돕기 위해 "전체-습윤" 침지 시스템의 표면에 제공될 수 있다. 예를 들어, 상술된 방식으로 기판 테이블(WT)의 베이스 상에, 즉 기판(W)을 향하는 기판 테이블(WT)의 표면 상에 전극들이 제공될 수 있다. 전극들은 기판 테이블(WT)과 기판(W)의 외주 에지 표면 사이의 갭에 제공될 수 있다. 또한, 전극들은 기판 테이블의 에지와 같은 표면 상에 제공될 수도 있다.
이상, 도 7과 관련하여 설명된 실시예는 1 이상의 바늘형 침지 액체 유출구들(18)을 갖는 침지 리소그래피 장치의 표면 상에 형성된 물방울들의 제어를 위해 전기 습윤의 이용에 관한 것이다. 하지만, 본 발명의 일 실시예는 여하한의 타입의 침지 리소그래피 장치와 함께 사용될 수 있다. 특히, 전기 습윤 구성들은 단일-단계(single-phase) 추출 시스템을 갖는 침지 리소그래피 장치에 유익하게 적용될 수 있다. 이는, 예를 들어 도 8에 도시된 바와 같은 마이크로-시브(micro-sieve) 침지 액체 추출 시스템일 수 있다.
도 8에 도시된 구성에서, 액체 추출 시스템은 약간 언더프레셔로 유지되고, 침지 액체가 채워진 챔버(171)를 포함한다. 상기 챔버의 하부 표면은, 예를 들어 직경이 5 내지 50 ㎛ 범위인 복수의 작은 구멍들을 갖는 (마이크로-시브라고도 알려진) 다공성 부재(17)로 형성된다. 상기 챔버의 하부 표면은 액체가 제거되어야할 표면, 예를 들어 기판(W)의 표면 위의 1 mm 미만의 높이에서 유지된다. 예를 들어, 이는 50 내지 300 ㎛ 범위일 수 있다. 다공성 부재(17)는 관통된 플레이트일 수 있거나, 액체가 통과하도록 구성된 여타의 적절한 구조체일 수 있다. 일 실시예에서, 다공성 부재(17)는 적어도 약간은 액체 친화적이며, 부연하면 침지 액체에 대해 90°미만의 접촉 각도를 갖는다. 바람직하게는, 접촉 각도는 60°미만이며, 더 바람직하게는 30°미만이다.
언더프레셔는 다공성 부재(17) 내의 구명들 내에 형성된 메니스커스들은 침지 액체 추출 시스템의 챔버(171) 안으로 가스가 도입되는 것을 방지한다. 하지만, 다공성 부재(17)가 기판(W) 또는 기판 테이블(WT) 상에서 액체와 접촉하는 때에는, 유동을 제한하는 메니스커스가 존재하지 않는다. 따라서, 액체는 침지 액체 추출 시스템의 챔버(171) 안으로 자유롭게 유동할 수 있다. 이러한 디바이스는 가스가 챔버(171) 안으로 도입되지 않으면서 기판(W)의 표면으로부터 액체의 대부분을 제거할 수 있다. 이러한 다공성 부재들의 사용에 관한 더 상세한 사항들은, 예를 들어 유럽 특허 출원 공보 EP 1 628 163호에서 찾을 수 있다.
도 8의 예시에서, 침지 유체 추출 시스템은 방벽 부재(120)의 아랫면의 가장 안쪽 에지 근처의 챔버(171)에 의해 형성된다. 상기 챔버(171)는 침지 액체의 몸체를 수용하는 영역을 둘러싼 연속 대역을 형성할 수 있다. 특히, 이는 고리형 또는 링-형일 수 있다. 또한, 이는 일련의 불연속한 별도의 챔버들로부터 형성될 수 있다. 챔버(171)의 하부 표면은 앞서 설명된 바와 같이 마이크로-시브와 같은 다공성 부재(17)에 의해 형성된다. 링-형 챔버(171)는 상기 챔버로부터 액체를 제거하고, 요구되는 언더프레셔를 유지하도록 적절한 펌프 또는 펌프들에 연결된다. 사용 시, 상기 챔버(171)는 액체로 차 있으나, 간명함을 위해 도 8에는 비어있는 것으로 도시되어 있다.
일 표면 상에서 제어된 전기 습윤을 이용하여 상기 표면 상의 침지 액체의 물방울들을 제어하는 상술된 실시예는, 도 8에 도시된 액체 추출 시스템을 이용하여, 침지 리소그래피 장치의 여하한의 표면 상에, 특히 침지 시스템 또는 방벽 부재(120)의 여하한의 표면 상에 적용될 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에서, 액체 추출 시스템의 성능을 개선하기 위해 전기 습윤이 이용될 수 있다. 특히, 사용 시, 주어진 사용 주기 이후에는 상술된 바와 같은 다공성 부재가 덜 효과적일 수 있다. 특히, 기판으로부터의 레지스트의 입자들과 같은 유기 데브리(organic debris), 및 기판으로부터의 최상부 코팅부의 파편(flake)들은 다공성 부재의 유효성을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 데브리는 다공성 부재(17)의 챔버(171) 측상에 쌓여, 챔버(171) 내의 액체가 다공성 부재(17)의 표면과 적절히 접촉하는 것을 방해할 수 있다. 결과적으로, 가스가 챔버(171) 내에 도입되는 것을 방지하는 다공성 부재(17)의 구멍들 내에 형성되도록 의도된 메니스커스가 올바르게 형성되지 않을 수 있으며, 가스가 챔버(171) 안으로 도입될 수 있다. 이러한 영향을 제거하기 위해서, 본 발명의 일 실시예가 사용될 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 다공성 부재(17)의 구성을 도시한다. 특히, 전기 습윤 효과를 달성하기 위해, 제 1 및 제 2 전극들(41, 42) 사이에 제어된 전압을 제공하도록 구성된 전압 제어기(40)가 제공된다. 제 1 전극(41)은 상기 챔버(171) 내의 침지 액체와 전기적으로 접촉하도록 배치된다. 바람직하다면, 이러한 복수의 전극들이 제공될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 제 2 전극(42)은 다공성 부재 그 자체 또는 그 일부분에 의해 제공된다. 특히, 도 9에 도시된 예시에서, 다공성 부재는, 예를 들어 스테인리스 스틸(stainless steel)로 형성된 제 2 전극으로서 기능하는 전기 도전성 코어(42), 및 상기 전기 도전성 코어(42) 주위에 형성된 절연성 코팅(43)을 포함한다.
따라서, 제어된 전압이 전압 제어기(40)에 의해 제 1 및 제 2 전극들(41, 42) 사이에 인가될 때, 침지 액체는 다공성 부재(17)의 표면 상에 전기 습윤된다. 이 효과는 다공성 부재를 더 액체 친화적, 바람직하게는 친수성이 되게 하며, 챔버(171) 내의 침지 액체가 다공성 부재(17)에 더 가까운 근접성으로 유지되는 것을 보장하도록 돕는다. 따라서, 다공성 부재(17)의 구멍들 내의 메니스커스들이 더 양호하게 형성될 수 있으며, 이에 따라 챔버(171) 내에 도입되는 가스의 발생을 감소시킬 수 있다. 따라서, 요구에 따라 그 기능을 멈추기 전에는, 이 실시예가 사용되지 않는 경우보다 더 많은 양의 데브리가 다공성 부재(17)의 표면 상에 형성될 수 있다. 그러므로, 이 실시예의 제공은 다공성 부재(17)의 사용가능한 수명을 연장시킬 수 있다.
다공성 부재의 표면은, 예를 들어 적절한 코팅의 사용에 의해 액체 친화적이도록 선택될 수 있다.
다공성 부재(17) 자체를 제 2 전극(42)으로 사용하는 대신에, 절연 물질 층에 의해 침지 액체로부터 격리된 개별 전극들이 다공성 부재(17)의 표면 상에 형성될 수 있다.
상술된 실시예들은 침지 리소그래피 장치 내의 표면 상에 형성된 액체의 물방울들을 제어하여, 예를 들어 물방울들이 표면으로부터 떨어질 가능성을 감소시키고, 상기 표면으로부터 침지 액체의 물방울들의 추출을 용이하게 하며, 및/또는 다공성 부재 상의 침지 액체의 습윤성을 개선시켜 그 사용가능한 수명을 증가시키도록 전기 습윤의 사용에 관한 것이다. 본 발명의 또 다른 실시예는 첫 번째 장소에, 특히 기판 자체 또는 기판 테이블 상에 침지 액체의 물방울들이 형성될 가능성을 감소시키는 전기 습윤을 이용한다.
국부화된 침지 시스템을 포함하는 침지 리소그래피 장치는 도 10에 개략적으로 도시된다. 이는 도 5, 도 6 및 도 8에 도시된 침지 시스템들의 개괄적인 도면이다. 도시된 바와 같이, 침지 액체는 투영 시스템의 표면(51), 방벽 부재(52), 및 기판, 기판 테이블의 표면 또는 그 두 조합일 수 있는 하부 표면(53)에 의해 정의된 공간(50) 내에 한정된다. 또한, 하부 표면(53), 및 상기 하부 표면(53)과 대향하는 방벽 부재(52)의 표면(52a) 사이의 갭 내에 상기 공간(50)을 둘러싼 메니스커스(54)가 형성된다. 상기 메니스커스(54)는 침지 액체와 그를 둘러싼 가스 사이에 형성된다.
도 11에 개략적으로 도시된 바와 같이, 노광 공정 동안에, 기판은 투영 시스템과 방벽 부재(52)에 대해 이동된다. 결과적으로, 도시된 바와 같이, 하부 표면(53)에서의 메니스커스의 접촉 각도는 도 10에 도시된 정적 접촉 각도로부터 변화된다. 특히, 메니스커스(54)의 볼록한 면(54a)에서는 하부 표면(53)에 대한 메니스커스의 접촉 각도가 증가하며, 하부 표면(53)에 대한 메니스커스(54)의 오목한 면(54b)에서는 접촉 각도가 감소한다. 메니스커스의 오목한 면(54b)에서의 접촉 각도가 너무 멀다면, 침지 액체는 손실될 수 있으며, 원치않는 침지 액체 물방울들이 하부 표면(53) 상에, 즉 기판 또는 기판 테이블 상에 남게 되는 결과를 초래한다. 통상적으로, 이는 오목한 면(54b)에서의 접촉 각도가 액체에 대해 주어진 각도 이하로 떨어지지 않는 것이 바람직하다. 예를 들어, 침지 액체로서 물을 사용하는 때에, 그 발생 가능성을 적절히 감소시키기 위해, 이는 20°이하, 30°이하, 40°이하, 또는 50°이하로 떨어지지 않도록 바람직하게 제어된다. 그러므로, 상기 표면 상에서 침지 액체의 정적 접촉 각도를 높이는 하부 표면(53)의 표면에 코팅이 적용될 수 있으며, 오목한 면(54b)에서의 접촉 각도가 너무 내려가지 않으면서, 투영 시스템과 방벽 부재(52)에 대해 기판 및 기판 테이블의 더 높은 속도를 가능하게 한다. 하지만, 하부 표면(53) 상에서 침지 액체의 정적 접촉 각도를 증가시킴에 따른 이점은 제한되는데, 이는 메니스커스의 볼록한 면(54a) 상에서의 접촉 각도가 너무 크다면, 메니스커스가 오버런(overrun)되어, 침지 액체 내에 기포가 들어가기 때문이다. 따라서, 통상적으로, 하부 표면(53)에 대한 볼록한 면(54a) 상에서의 메니스커스의 접촉 각도는 사용되는 액체에 대해 주어진 각도를 초과하지 않도록 보장하는 것이 바람직할 것이다. 예를 들어, 침지 액체로서 물을 사용하는 때에, 접촉 각도는 90°, 80°, 또는 70°를 초과하지 않도록 바람직하게 제어된다. 따라서, 하부 표면(53) 상에서의 침지 액체의 사용가능한 정적 접촉 각도, 및 이에 따른 투영 시스템 및 방벽 부재(52)에 대한 기판 및 기판 테이블의 최대 스캐닝 속도는 제한될 수 있다.
도 12에 도시된 바와 같은 본 발명의 일 실시예는, 더 빠른 스캐닝 속도가 사용될 수 있게 하고, 및/또는 오목한 면에서의 침지 액체의 손실을 감소시킬 수 있으며, 및/또는 볼록한 면에서의 기포 포획을 유발하는 메니스커스의 오버런 가능성을 감소시킬 수 있는 시스템을 제공한다.
도 12에 도시된 바와 같이, 하부 표면(53), 즉 기판 및/또는 기판 테이블과 전기 접촉하는 제 1 전극(61)이 제공된다. 제 2 전극(62)은 볼록한 면 상의 메니스커스 부분(54a)의 영역에서 방벽 부재(52)의 하부 표면(52a)에 제공된다. 도시된 바와 같이, 하부 표면(53)은 절연성 코팅(63)에 의해 침지 액체로부터 전기적으로 격리된다. 제 1 및 제 2 전극들(61, 62) 사이에 제어된 전압을 제공하는 전압 제어기(64)가 제공됨에 따라, 볼록한 면 상의 메니스커스 부분(54a)에 전기 습윤 효과를 유도한다. 결과적으로, 볼록한 면(54a)에서, 하부 표면(53) 상의 침지 액체의 접촉 각도는 제 1 전극(61)과 제 2 전극(62) 간의 전압차의 인가에 의해, 이에 따라 침지 액체에 의해 감소될 수 있다. 그러므로, 이러한 방식으로 접촉 각도가 감소될 수 있으며, 볼록한 면(54a)에서의 결과적인 접촉 각도가 허용할 수 없게 높게 되는 위험성 없이, 예를 들어 침지 액체 내에 기포가 생기는 후속 위험성을 갖는 메니스커스의 오버런을 유도하지 않고, 더 높은 정적 접촉 각도 및 더 높은 속도가 사용될 수 있다. 결과적으로, 더 높은 정적 접촉 각도를 허용함으로써, 오목한 면(54b)에서의 결과적인 접촉 각도가 충분히 높게 유지되어, 오목한 면에서의 침지 액체의 손실 가능성을 감소시키는 것을 보장하도록 도울 수 있다.
기판 및 기판 테이블은 복수의 상이한 방향들로 투영 시스템 및 방벽 부재에 대해 이동될 수 있다. 예를 들어, 상기 장치는 기판이 기판의 주요 표면의 평면에 대해 평행한 여하한의 방향으로 투영 시스템에 대해 이동될 수 있다. 따라서, 도 5, 도 6, 도 8 및 도 10 내지 도 12에 도시된 장치 중 어느 하나에 사용될 수 있는 방벽 부재(70)의 아랫면을 평면도로 도시한 도 13에 도시된 바와 같이, 방벽 부재는 복수의 전극들(71, 72, 73, 74)을 포함할 수 있다. 이러한 시스템에서, 전압 제어기는 방벽 부재(70) 상의 각각의 전극들(71, 72, 73, 74)과, 하부 표면에 전기적으로 연결된 전극 간의 전압차를 독립적으로 제어하도록 구성될 수 있다. 따라서, 기판이 특정 방향으로 방벽 부재(70) 및 투영 시스템에 대해 이동될 때, 전압 제어기는 하부 표면(53)과, 메니스커스의 볼록한 면 및 그에 따른 침지 액체의 그 부분과 관련된 전극 간에 전압차를 제공할 수 있다. 이와 동시에, 하부 표면(53)과 다른 전극들, 및 이에 따른 침지 액체의 대응하는 인접한 부분들 사이에 전압차를 제공하지 않거나, 더 낮은 전압차를 제공한다.
상기 장치는 스캐닝 방향 및/또는 스텝핑 방향과 같이, 투영 시스템 및 방벽 부재에 대해 기판 및 기판 테이블의 특정 중요한 이동 방향에 대해서만 접촉 각도를 제어하도록 구성될 수 있다.
편리한 구성에서, 하부 표면, 즉 기판 및/또는 기판 테이블은 접지에 연결될 수 있으며, 전압 제어기는 하부 표면에 대한 전압차가 요구되지 않는 여하한의 전극들을 접지에 연결시키도록 구성될 수 있다.
전극들(71, 72, 73, 74)은 여하한의 적절한 형상으로 되어 있을 수 있다. 또한, 여하한의 개수의 전극들이 방벽 부재(70)의 표면 상에 제공될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 특히, 4 개, 6 개 또는 8 개의 전극들이 편리하게 제공될 수 있다. 1 이상의 전극들이 볼록한 면 상의 메니스커스에 인접하다면, 전압 제어기는 하부 표면과 1 이상의 전극들 사이에 전압차를 생성할 수 있다. 예를 들어, 비교적 많은 개수의 전극들이 방벽 부재에 제공된다면, 그와 같이 할 수 있다. 또한, 전극들은 서로 전기적으로 격리되어야 한다. 예를 들어, 방벽 부재의 표면은 절연 물질로 코팅될 수 있으며, 전극들은 상기 절연 물질의 표면 상에 형성될 수 있다.
방벽 부재(80)의 상이한 구성은 도 14에 평면도로 도시된다. 도시된 바와 같이, 방벽 부재의 표면 상에 형성된 이산 전극들 대신에, 방벽 부재(80)는 각각이 전극으로서 기능하고, 전기 비-도전성 물질의 섹션들(85, 86, 87, 88)에 의해 서로 전기적으로 격리된 개별 섹션들(81, 82, 83, 84)로 형성될 수 있다.
도 15는, 예를 들어 액체 물방울들의 형성 가능성을 감소시키는데 사용될 수 있는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한다. 특히, 도 10 내지 도 14를 참조하여 상기 설명된 실시예들과 마찬가지로, 도 15에 도시된 실시예는 전기 습윤 효과를 이용하여 투영 시스템의 볼록한 면에서의 침지 액체의 접촉 각도를 감소시키는데 사용될 수 있다. 그러므로, 볼록한 면에서의 결과적인 접촉 각도가 허용할 수 없게 높아지는 위험성 없이, 더 높은 속도 및 더 높은 정적 접촉 각도를 갖는 액체의 조합이 사용될 수 있다. 예를 들어, 허용할 수 없게 높은 접촉 각도를 이용하면, 이후 침지 액체 내에 기포가 생길 위험성을 갖는 메니스커스의 오버런이 야기될 수 있다. 이와 동시에, 오목한 면에서의 접촉 각도는 충분히 높게 유지되어, 오목한 면에서의 침지 액체의 손실 위험성을 감소시키도록 보장될 수 있다.
도 15에 도시된 바와 같이, 기판 테이블(95)의 표면 또는 기판(96)의 표면과 투영 시스템(94) 사이에 침지 액체가 제공된 공간을 부분적으로 정의하는 방벽 부재(93)에 제 1 전극(91)이 제공된다. 제 1 전극(91)은 방벽 부재(93)에 의해 부분적으로 정의된 공간 내의 침지 액체와 전기적으로 접촉하도록 구성된다. 복수의 제 2 전극들(92)이 기판 테이블(95)에 제공되고, 서로로부터 또한 침지 액체로부터 전기적으로 격리된다.
도 15에 도시된 바와 같이, 제 2 전극들(92)은 기판 테이블(95) 표면 상의 전기 절연성 물질 층(95a)에 의해 서로로부터 또한 침지 액체로부터 격리될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 침지 액체로부터의 제 2 전극(92)의 전기적 격리는 기판 테이블(95)의 최상부 상의 기판(96)의 배치에 의해 제공될 수 있다.
도 15에 도시된 바와 같이, 침지 액체와 전기 접촉하는 단일 제 1 전극(91)의 제공으로도 충분할 수 있다. 하지만, 침지 액체와 전기 접촉하는 추가의 제 1 전극들이 제공될 수 있다.
전압 제어기(97)가 제공되며, 제 1 전극(91) 및 제 2 전극들(92)에 연결된다. 전압 제어기(97)는, 침지 액체의 전기 습윤을 제공하기 위해 제 1 전극(91)과 각각의 제 2 전극들(92) 사이에 전위차를 제공할 수 있도록 구성된다. 특히, 전압 제어기(97)는, 각각의 제 2 전극들(92)에 대해, 또는 제 2 전극들(92)의 그룹들에 대해 상이한 전압차를 제공하기 위해, 제 1 전극(91)과 각각의 제 2 전극들(92) 사이에 전압차를 제어할 수 있도록 구성될 수 있다. 전압 제어기는 제 2 전극들(92) 중 어느 것에서, 또한 얼마만큼, 전기 습윤이 제공되는지를 제어하는데 사용될 수 있다.
예를 들어, 전압 제어기(97)는, 기판 테이블(95)이 투영 시스템(94)에 대해 이동될 때, 볼록한 면 상에서, 방벽 부재(93)와 기판(96) 또는 기판 테이블(95) 사이의 침지 액체 주위에 형성된 메니스커스의 영역에서 제 1 전극(91)과 1 이상의 제 2 전극들(92) 사이에 전압차가 생성되도록 구성될 수 있다. 이전의 실시예들과 관련하여 더 상세히 설명된 바와 같이, 볼록한 면 상에서의 전기 습윤의 이용은 투영 시스템(94)에 대한 기판 테이블(95)의 더 높은 이동 속도 및 더 높은 정적 접촉 각도를 갖는 침지 액체의 조합의 사용을 가능하게 한다. 이는 볼록한 면에서의 결과적인 접촉 각도가 허용할 수 없게 높게 되는, 예를 들어 이후 침지 액체 내에 기포가 생기게 하는 위험성을 갖는 메니스커스의 오버번을 야기하는 위험성 없이 달성될 수 있다. 더 높은 정적 접촉 각도를 갖는 침지 액체의 사용을 허용함으로써, 오목한 면에서의 결과적인 접촉 각도가 충분히 높게 유지하여, 오목한 면에서의 침지 액체의 손실 가능성을 감소시키는 것을 보장하도록 도울 수 있다.
복수의 제 2 전극들(92)은 다양하고 상이한 방식들로 배치될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 하지만, 도 16에 도시된 일 예시에서, 제 2 전극들은 복수의 행들과 열들로 기판 테이블(95)의 표면을 덮는 제 2 전극들(92)의 어레이로서 제공될 수 있다.
또한, 전압 제어기(97)에는 제 1 전극(91)과 각각의 제 2 전극들(92) 사이의 전압차를 제어하기 위해 복수의 시스템들 중 어느 하나가 제공될 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
예를 들어, 제 1 전극(91)과 각각의 제 2 전극(92) 사이에 원하는 전압차를 직접적으로 제공하기 위해, 전압 제어기(97)와 각각의 제 2 전극들(92) 사이에 별도의 전압 라인이 제공될 수 있다.
추가적으로 또는 대안적으로, 도 15에 도시된 바와 같이, 각각의 제 2 전극들(92)은, 공통 전압 라인(99)에 연결될 때, 제 1 전극(91)과 제 2 전극(92) 사이에 전압차를 제공하는 상기 공통 전압 라인(99)에 각각의 제 2 전극들(92)을 선택적으로 연결하기 위해, 전압 제어기(97)에 의해 제어되는 스위치(98)와 연계될 수 있다. 별도의 제어 라인이 각각의 스위치들(98)과 제어기(97) 사이에 제공될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 상기 스위치들(98)의 스위칭을 제어하기 위해 매트릭스 어드레싱(matrix addressing)이 사용될 수 있다.
도 15에 도시된 실시예들은 국부화된 액체 공급 시스템을 이용하는 침지 리소그래피의 적용에 관련하여 설명되었지만, 앞서 설명된 바와 같이 비한정적 액체 공급 시스템을 갖는 침지 리소그래피에도 사용될 수 있다. 이러한 구성에서, 도 17에 도시된 바와 같이, 비교적 얇은 층의 침지 액체(130)가 기판(131)의 표면, 및 기판 테이블(132)의 전체 또는 일부분에 걸쳐 유지될 수 있다. 하지만, 도 18에 평면도로 도시된 바와 같이, 기판(131) 또는 기판 테이블(132) 상에 형성된 건조 영역들(133)의 문제점이 존재할 수 있다. 그러므로, 이 실시예의 침지 액체 제어 시스템은 비한정적 액체 공급 시스템을 갖는 침지 리소그래피 시스템을 개선하는데 사용될 수 있다.
특히, 제 1 전극(91), 즉 침지 액체와 전기 접촉하는 전극과, 건조가 발생할 수 있는 영역 내의 기판 테이블 상의 1 이상의 제 2 전극들(92) 사이에 전압차를 제공함으로써, 전기 습윤 효과는 침지 액체의 접촉 각도를 감소시켜, 건조가 발생할 가능성을 감소시킬 수 있다. 실제로, 제 1 전극과 1 이상의 제 2 전극들 간의 전압차의 인가는 기판(131), 기판 테이블(132), 또는 둘 모두의 표면 습윤을 개선한다. 따라서, 전압 제어 시스템은, 건조되기 쉽다고 알려진 기판 및/또는 기판 테이블의 영역에서 제 1 전극과 1 이상의 제 2 전극들 사이에 전압차를 제공하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 전압 제어 시스템에는, 이전에 건조가 발생한 기판 또는 기판 테이블 상의 1 이상의 위치들을 저장한 메모리가 제공될 수 있다.
상술된 본 발명의 각각의 실시예들에서, 절연성 또는 전기적으로 비-도전성 물질을 제공하는 것에 대해 언급되었다. 이러한 물질은 전기 습윤 효과를 도입하기에 충분한 물질에 걸쳐 전압차가 유지될 수 있는 전류의 유동에 대해 충분한 저항을 제공하는 물질일 수 있다. 또한, 상기 물질은 침지 리소그래피 장치에서 사용될 때 여하한의 유해한 영향들을 갖지 않는 물질이어야 한다. 특히, 상기 물질은 침지 액체와 접촉하여 사용될 수 있어야 한다. 바람직하게는, 절연 물질은 충분한 전기 저항을 제공하면서 가능한 한 얇게 만들어져야 한다. 일반적으로, 세라믹 및/또는 중합체가 적절할 수 있다. 절연 물질로 사용하기에 특히 적절한 물질로는 석영 및 실리콘 이산화물을 포함한다. 기판이 절연 층으로 덮이는 것이 바람직한 실시예들에서는, 전기 절연성 최상부 코팅부가 레지스트 상에 형성될 수 있다.
또한, 상술된 본 발명의 각각의 실시예들에 대해, 사용된 침지 액체는 전기 습윤 효과가 요구되고, 격리된 전극에 인접한 침지 액체의 일부분과 침지 액체와 접촉하는 전극 사이에 상당한 전압 강하가 존재하지 않는 충분한 전기 전도성을 가져야 한다. 예를 들어, 수용액이 침지 액체로 사용될 수 있으며, 특히 이산화탄소를 물에 용해하여 형성된 묽은 수용액이 사용될 수 있다. 또 다른 예시로서, 액체는 높은 NA 리소그래피에 적합한 유체일 수 있으며, 예를 들어 유기 유체일 수 있다. 이러한 유체는 생성된 1 이상의 전기장들에 대해 그 자체를 위치시키는 전기 반응 첨가제를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들의 전압 제어기는 전기 습윤 효과를 제공하기 위해 적절한 전극들 사이에 d.c. 전압차를 제공할 수 있다. 대안적으로, 전압 제어기는 이력현상(hysteresis)을 유익하게 감소시킬 수 있는 a.c. 전압차를 제공하여, 전기 습윤 효과의 더 용이한 초기화를 가능하게 할 수 있다. 전압 제어기에 의해 제공된 전압차는 이들, 즉 d.c. 오프셋을 갖는 a.c. 전압차의 조합일 수 있다.
상술된 실시예들 중 몇몇에서, 액체에 노출된 전압은 일 표면 상에 도시되었고, 절연 물질에 의해 덮인 전극은 또 다른 표면 상에 도시되었다. 일 실시예에서, 적절하다면, 전극의 위치들은 상기 표면들 사이에서 전치될 수 있다.
일 실시예에서, 전극들은, 예를 들어 오목한 면 및 볼록한 면에 대해 원하는 접촉 각도들을 제공하도록 일 표면 상의 액체 친화성 또는 액체 불화성 물질과 조합될 수 있다.
작동 시, 일 전극은 연관된 표면이 유효 접촉 각도를 감소시키도록, 즉 더 액체 친화적이 되도록, 예를 들어 완전히 작동할 때 0 도에 도달하도록 유도할 수 있다. 전극이 작동하고 있지 않으면, 연관된 표면은 (예를 들어, 액체 불화적 코팅을 가짐으로써) 그 표면 특성들에 따라 접촉 각도를 갖는다. 완전히 작동할 때, 상기 표면 특성들 및 전극은 연관된 표면의 최대 및 최소 유효 접촉 각도, 즉 연관된 표면의 유효 접촉 각도를 결정할 수 있다. 상기 전극의 작동은, 상기 전극이 작동하지 않을 때에, 또한 완전히 작동할 때에, 연관된 표면이 최소 유효 접촉 각도, 예를 들어 20 도, 10 도 또는 0 도를 달성하게 할 수 있다. 전극의 작동을 제어하는 것은, 연관된 표면의 유효 접촉 각도의 제어를 허용할 수 있다. 상기 전극의 제어는 유효 표면, 예를 들어 그 메니스커스 상에서의 액체의 개선된 제어를 용이하게 할 수 있다.
유효 접촉 각도, 및 유효 표면 상의 액체의 제어 범위를 결정하기 위해서, 연관된 표면은 (전극을 작동시키지 않고) 그 표면 특성들에 따라 특정 접촉 각도를 갖도록 선택될 수 있다. 그러므로, 유효 접촉 각도 범위를 최대화하기 위하여, 상기 표면은 액체 불화적인, 바람직하게는, 예를 들어 180 도에 가까운 매우 액체 불화적인 코팅을 갖는 것이 바람직하다. 상기 전극의 완전 작동은 0 도일 수 있는 최소 접촉 각도를 달성할 것이다. 180 도의 접촉 각도를 갖는 표면 특성들을 갖는 연관된 표면은 유효 접촉 각도의 최대 달성가능한 범위를 가질 수 있다. 몇몇 표면들의 경우, 접촉 각도를 제한하는 것이 바람직할 수 있으며, 예를 들어 일 표면은 그 표면 특성들에 따라 90 도의 접촉 각도를 가질 수 있다. 이러한 표면에 대한 유효 접촉 각도 범위는 0 도 내지 90 도일 수 있다.
액체 불화성 연계 표면과 전기 습윤을 위한 전극의 조합의 사용은, 침지 액체 이동을 제어하거나, 적어도 그 제어를 개선하기 위해 침지 시스템의 표면에 바람직하다. 이러한 표면들은: 센서, 침지 액체와 접촉하는 렌즈의 표면; 기판 테이블(WT) 표면 내의, 예를 들어 기판(W)의 에지와 기판 테이블(WT) 사이의 갭; 및/또는 액체 한정 구조체의 밑면 또는 투영 시스템을 향하는 액체 한정 구조체의 표면과 같은 액체 한정 구조체의 표면을 포함할 수 있다. 액체 한정 구조체의 이러한 표면은 사용 시 침지 액체의 메니스커스와 접촉할 것이다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV)방사선을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절 및 반사 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다. 본 명세서에 언급된 1 이상의 상이한 제어기들은, 1 이상의 컴퓨터 프로그램들이 리소그래피 장치의 1 이상의 구성요소 내에 위치된 1 이상의 컴퓨터 프로세서들에 의해 판독될 때에 작동가능할 수 있다. 1 이상의 프로세서들은 1 이상의 제어기들과 통신하도록 구성되며; 이에 따라, 제어기(들)는 1 이상의 컴퓨터 프로그램들의 기계 판독가능한 명령어들에 따라 작동한다.
본 발명의 1 이상의 실시예는 여하한의 침지 리소그래피 장치, 특히 배타적인 것은 아니지만, 침지 액체가 침수조(submerged bath)의 형태로 제공되는지, 기판의 국부화된 표면적에만 제공되는지, 또는 한정되지 않는지에 따라, 앞서 언급된 타입들에 적용될 수 있다. 비한정된 구성에서, 기판 테이블 및/또는 기판의 덮이지 않은 전체 표면이 실질적으로 잠기도록 기판 테이블 및/또는 기판의 표면 상에 침지 액체가 유동할 수 있다. 이러한 비한정된 침지 시스템에서, 액체 공급 시스템은 침지 액체를 한정하지 않을 수 있거나, 실질적으로 침지 액체를 완전히 한정하지 않고, 침지 액체를 일부분만 한정할 수 있다.
본 명세서에서 고려되는 액체 공급 시스템은 폭넓게 해석되어야 한다. 소정 실시예들에서, 이는 투영 시스템과 기판 및/또는 기판 테이블 사이의 공간에 액체를 제공하는 구조체들의 메커니즘 또는 조합일 수 있다. 이는 1 이상의 구조체, 1 이상의 액체 유입구, 1 이상의 가스 유입구, 1 이상의 가스 유출구 및/또는 공간에 액체를 제공하는 1 이상의 액체 유출구의 조합을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 공간의 표면은 기판 및/또는 기판 테이블의 일부분일 수 있고, 또는 상기 공간의 표면은 기판 및/또는 기판 테이블의 표면을 완전히 덮을 수 있으며, 또는 상기 공간은 기판 및/또는 기판 테이블을 감쌀 수 있다. 액체 공급 시스템은, 선택적으로 위치, 양(quantity), 질, 형상, 유속 또는 액체의 여하한의 다른 특징들을 제어하는 1 이상의 요소들을 더 포함할 수 있다. 침지 시스템은 투영 시스템과 기판 테이블 사이의 공간에 침지 액체를 한정하는 침지 액체 한정 구조체를 포함할 수 있다. 적어도 주기적으로 침지 액체와 접촉하는 표면; 및 능동적 침지 액체 제어 시스템을 포함하는 침지 리소그래피 장치가 제공된다. 상기 능동적 침지 액체 제어 시스템은제 1 전극, 제 2 전극, 및 전압 제어기를 포함한다. 상기 제 1 전극은 상기 표면상에서 제어될 침지 액체에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제 2 전극은 상기 표면과 연계되고, 상기 표면 상에서 침지 액체로부터 전기적으로 격리된다. 상기 전압 제어기는 상기 제 1 및 제 2 전극들 사이에 제어된 전압차를 제공하도록 구성된다.
상기 표면은 추출기의 다공성 부재의 표면일 수 있다. 상기 다공성 부재의 전체 또는 일부분은 제 1 또는 제 2 전극들 중 하나로 사용될 수도 있다. 상기 다공성 부재는: 상기 제 2 전극을 형성하는 전기 도전성 물질로 형성된 코어, 및 전기 절연 물질의 코팅을 포함할 수 있다. 상기 코팅은 석영 또는 실리콘 이산화물로 형성될 수 있다. 상기 제 1 전극은 추출기에 의해 침지 액체가 추출되는 다공성 부재의 측면 상의 침지 액체에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 능동적 침지 액체 제어 시스템은: 복수의 제 1 전극들 및 복수의 제 2 전극들을 포함할 수 있다. 상기 복수의 제 1 전극들은, 상기 표면 상의 침지 액체의 물방울이 상기 제 1 전극들 중 1 이상에 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 표면 상에 배치될 수 있다. 상기 복수의 제 2 전극들은, 상기 표면 상의 침지 액체의 여하한의 물방울들이 상기 제 2 전극들로부터 전기적으로 격리되도록 상기 표면 상에 배치될 수 있다. 상기 복수의 제 2 전극들은 전기 절연 물질에 의해 코팅될 수 있다. 상기 코팅은 석영 또는 실리콘 이산화물로 형성될 수 있다.
상기 장치는 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 전압차를 제공하여, 상기 제 1 전극들 중 하나와 접촉하는 상기 표면 상의 침지 액체의 물방울들의 전기 습윤을 유도함에 따라, 각각의 물방울이 상기 표면 상에 넓게 퍼지도록 구성될 수 있다. 상기 장치는 상기 표면으로부터 액체를 추출하도록 구성된 액체 추출 시스템을 포함할 수 있다.
상기 능동적 침지 액체 제어 시스템은 다음의 표면: 기판 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 침지 리소그래피 장치의 투영 시스템의 표면; 상기 기판을 지지하도록 구성된 기판 테이블의 표면; 및 상기 투영 시스템의 최종 요소와 상기 기판 사이의 공간에 침지 액체를 공급하도록 구성된 침지 시스템의 표면으로부터 선택된 1 이상의 표면 상에 침지 액체를 제어하도록 구성된다.
상기 장치는 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블을 포함할 수 있으며, 상기 기판 테이블은 제 2 전극을 포함한다. 침지 액체와 적어도 주기적으로 접촉하는 상기 표면은 상기 기판 테이블의 표면, 상기 기판이 상기 기판 테이블에 의해 지지될 때의 기판의 표면, 또는 상기 기판 테이블 및 기판 표면들 둘 다일 수 있다. 상기 기판 테이블은 복수의 제 2 전극들을 포함할 수 있다. 상기 제 2 전극들은 서로로부터, 또한 상기 표면 상의 침지 액체로부터 전기적으로 격리될 수 있다. 전압 제어기는 제 1 전극과 각각의 제 2 전극들 사이의 전압차를 독립적으로 제어하도록 구성될 수 있다.
상기 장치는 투영 시스템 및 방벽 부재를 더 포함할 수 있다. 상기 투영 시스템은 기판 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성될 수 있다. 상기 방벽 부재는 상기 투영 시스템과 상기 기판 또는 기판 테이블 사이의 공간에 전체적으로 또는 부분적으로 액체를 수용하도록 구성될 수 있으며, 상기 방벽 부재는 상기 방벽 부재와 상기 기판 또는 기판 테이블 사이에 이격부가 존재하고, 상기 액체가 상기 공간 내에 있을 때, 상기 공간을 둘러싼 메니스커스가 상기 액체와 주위 가스 사이에 형성되도록 구성된다. 상기 전압 제어기는, 상기 기판 테이블과 상기 투영 시스템 사이에서 메니스커스의 영역 쪽으로 상대 이동이 존재할 때, 상기 메니스커스의 영역에 인접한 제 2 전극과 제 1 전극 사이에 전압차가 제공된다.
상기 방벽 부재는 제 1 전극을 포함할 수 있다. 상기 제 1 전극은 상기 투영 시스템과 상기 기판 또는 기판 테이블 사이의 공간 내의 액체에 전기적으로 연결되도록 구성될 수 있다.
상기 장치는, 사용 시, 실질적으로 상기 기판의 전체 주요 면이 침지 액체로 코팅되도록 구성될 수 있다. 상기 전압 제어기는, 건조 영역을 형성할 위험성이 있다고 판단되는, 상기 기판, 상기 기판 테이블, 또는 상기 기판과 상기 기판 테이블 둘 모두의 영역과 연계된 제 2 전극과 제 1 전극 사이에 전압차를 제공하도록 구성될 수 있다.
상기 제 2 전극은 기판 테이블의 표면 상에 또는 그 표면에 존재할 수 있으며, 전기 절연 물질의 코팅으로 코팅된다. 상기 제 2 전극은 상기 제 2 전극들의 어레이의 형태로 되어 있을 수 있고, 각각의 제 2 전극들은 스위치와 연계되며, 상기 스위치는 상기 제 2 전극과 상기 제 1 전극 사이에 전압차를 생성하도록 상기 제 2 전극을 전압원에 연결하도록 구성된다. 상기 전압 제어기는 매트릭스 어드레싱에 의해 상기 제 2 전극들과 연계된 스위치들을 제어하도록 구성된 스위치 제어 시스템을 포함할 수 있다.
상기 침지 액체는 전기 도전성일 수 있다. 상기 침지 액체는 묽은 수용액일 수 있다. 상기 전압 제어기는 상기 제 1 및 제 2 전극들 사이에 a.c. 전압을 제공하도록 구성될 수 있다. 상기 전압 제어기는 상기 제 1 및 제 2 전극들 사이에 d.c. 성분을 제공하도록 구성될 수 있다.
기판 테이블 상에 기판을 지지하는 단계; 투영 시스템을 이용하여 상기 기판 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계; 침지 시스템을 이용하여 상기 투영 시스템의 최종 요소와 상기 기판 또는 기판 테이블 사이의 공간에 침지 액체를 공급하는 단계; 제어될 상기 침지 액체에 전기적으로 연결된 제 1 전극, 제어될 상기 침지 액체로부터 전기적으로 격리되고, 상기 표면과 연계된 제 2 전극 사이에 제어된 전압을 인가함으로써, 다음의 표면들: 상기 투영 시스템의 표면, 상기 기판 테이블의 표면, 및 침지 시스템의 표면으로부터 선택된 1 이상의 표면들 상의 침지 액체를 제어하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.
기판 테이블, 투영 시스템, 방벽 부재 및 전압 제어기를 포함하는 침지 리소그래피 장치가 제공된다. 상기 기판 테이블은 기판을 유지하도록 구성되고, 상기 기판, 상기 기판 테이블, 또는 상기 기판 및 상기 기판 테이블은 전기 절연 물질 층으로 코팅된다. 상기 투영 시스템은 상기 기판 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된다. 상기 방벽 부재는 상기 투영 시스템과 상기 기판 또는 기판 테이블 사이의 공간에 전체적으로 또는 부분적으로 액체를 수용하도록 구성되고, 상기 방벽 부재는 상기 방벽 부재와 상기 기판 또는 기판 테이블 사이에 이격부가 존재하고, 상기 액체가 상기 공간 내에 있을 때, 상기 공간을 둘러싼 메니스커스가 상기 액체와 주위 가스 사이에 형성되도록 구성되고, 상기 방벽 부재는 상기 메니스커스의 영역에 인접한 액체와 전기 접촉하도록 배치된 전극을 포함한다. 상기 전압 제어기는, 실질적으로 메니스커스의 영역을 향하는 방향으로 상기 기판 테이블과 상기 투영 시스템 사이의 상대 이동이 존재할 때, 상기 전극과 상기 기판, 상기 기판 테이블, 또는 상기 기판 및 상기 기판 테이블 사이에 제어된 전압차를 제공하도록 구성된다.
상기 방벽 부재는 각각이 메니스커스의 각각에 영역에 인접한 액체와 전기 접촉하는 복수의 전극들을 포함할 수 있다. 상기 전압 제어기는 각각의 전극들과 상기 기판, 상기 기판 테이블, 또는 상기 기판 및 상기 기판 테이블 사이에 제공된 전압차를 독립적으로 제어하도록 구성될 수 있다. 상기 방벽 부재는 메니스커스 주위에 고르게 분포된 4 개 이상, 6 개 이상, 또는 8 개 이상의 전극들을 포함할 수 있다. 상기 전극들은 액체와 접촉하는 방벽 부재의 표면 상에 존재할 수 있으며, 서로 전기적으로 격리된다. 상기 방벽 부재는 각각의 섹션들이 각각의 전극들로서 기능하는 복수의 섹션들을 포함할 수 있으며, 상기 섹션들은 서로 전기적으로 격리된다.
상기 기판 테이블은 석영 또는 실리콘 산화물로 형성된 층으로 코팅될 수 있다. 상기 기판은 전기적으로 비-도전성 코팅 층으로 코팅될 수 있다.
어느 한 순간에, 상기 전압 제어기는 상기 기판, 상기 기판 테이블, 또는 상기 기판 및 상기 기판 테이블과 최대 1 개의 전극 사이에 전압차를 제공하도록 구성될 수 있다. 상기 전극은 그 순간에 상대 이동이 지향된 메니스커스의 부분에 가장 가깝게 대응하는 메니스커스의 영역에 인접할 수 있다.
어느 한 순간에, 상기 전압 제어기는 상기 기판, 상기 기판 테이블, 또는 상기 기판 및 상기 기판 테이블과 최대 2 개의 전극들 사이에 전압차를 제공하도록 구성될 수 있다. 상기 전극들은 그 순간에 상대 이동이 지향된 메니스커스의 부분에 가장 가깝게 대응하는 메니스커스의 각각의 영역들에 인접할 수 있다.
상기 기판, 상기 기판 테이블, 또는 상기 기판 및 상기 기판 테이블은 접지에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전압 제어기는 각각의 전극과 접지 사이의 전압차를 독립적으로 제어하도록 구성될 수 있다.
상기 전압 제어기는, 일 전극과 상기 기판, 상기 기판 테이블, 또는 상기 기판 및 상기 기판 테이블 사이에 전압차를 제공하지 않는 경우, 상기 전압 제어기가 상기 전극을 접지에 연결하도록 구성될 수 있다.
상기 액체는 전기 도전성일 수 있다. 상기 액체는 묽은 수용액일 수 있다.
상기 전압 제어기는 상기 전극과 상기 액체 사이에 a.c. 전압을 제공하도록 구성될 수 있다. 상기 전압 제어기는 상기 전극과 상기 액체 사이에 d.c. 성분을 제공하도록 구성될 수 있다.
상기 장치는 상기 투영 시스템에 대해 상기 기판 테이블을 이동하도록 구성된 액추에이터 시스템을 포함할 수 있다.
기판 테이블 상에 기판을 지지하는 단계를 포함하고, 상기 기판, 상기 기판 테이블, 또는 상기 기판 및 상기 기판 테이블은 전기 절연 물질 층으로 코팅되며; 투영 시스템을 이용하여 상기 기판 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계; 방벽 부재에 의해 전체적으로 또는 부분적으로 한정된 상기 투영 시스템과 상기 기판 또는 기판 테이블 사이의 공간에 침지 액체를 공급하는 단계를 포함하고, 상기 방벽 부재와 상기 기판, 상기 기판 테이블, 또는 상기 기판 및 상기 기판 테이블 사이에 공간이 존재하며, 상기 공간을 둘러싼 메니스커스가 상기 액체와 주위 가스 사이에 형성되고, 상기 방벽 부재는 상기 메니스커스의 영역에 인접한 상기 액체와 전기 접촉하는 전극을 포함하며; 및 실질적으로 상기 메니스커스의 영역을 향하는 방향으로 상기 기판 테이블과 상기 투영 시스템 사이의 상대 이동이 존재할 때, 상기 전극과 상기 기판, 상기 기판 테이블, 또는 상기 기판 및 상기 기판 테이블 사이에 제어된 전압차를 제공하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.
상기 방법은 상기 투영 시스템에 대해 상기 기판 테이블을 이동시키는 단계를 포함할 수 있다.
적어도 주기적으로 침지 액체와 접촉하는 표면; 및 상기 표면 상의 상기 침지 액체의 접촉 각도를 제어하도록 구성된 능동적 침지 액체 제어 시스템을 포함하는 침지 리소그래피 장치가 제공될 수 있다.
상기 능동적 침지 액체 제어 시스템은 전기 습윤을 이용하여 상기 접촉 각도를 제어하도록 구성된다.
침지 리소그래피 장치 내의 일 표면 상의 액체의 거동을 제어하는 방법이 제공되며, 상기 방법은 상기 표면 상의 상기 액체의 접촉 각도를 제어하는 단계를 포함한다. 상기 접촉 각도는 전기 습윤을 이용하여 제어될 수 있다.
앞선 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면, 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형들이 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.

Claims (15)

  1. 침지 리소그래피 장치에 있어서:
    적어도 주기적으로 침지 액체와 접촉하는 표면 - 상기 표면은, 기판 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 상기 침지 리소그래피 장치의 투영 시스템의 표면; 상기 기판을 지지하도록 구성된 기판 테이블의 표면; 상기 기판 테이블에 의해 지지될 때의 기판의 표면; 및 상기 투영 시스템의 최종 요소와 '상기 기판 또는 기판 테이블' 사이의 공간에 침지 액체를 공급하도록 구성된 침지 시스템의 표면으로부터 선택된 1 이상의 표면임 - ; 및
    상기 표면 상의 상기 침지 액체의 접촉 각도를 제어하도록 구성된 능동적 침지 액체 제어 시스템을 포함하며, 상기 능동적 침지 액체 제어 시스템은:
    상기 표면 상에서 제어될 상기 침지 액체에 전기적으로 연결가능한 제 1 전극, 및
    상기 표면 상의 상기 침지 액체로부터 전기적으로 격리되는 제 2 전극을 포함하고,
    상기 제 1 전극은 상기 침지 시스템에 제공되고, 상기 제 2 전극은 상기 기판 테이블에 제공되는 침지 리소그래피 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 능동적 침지 액체 제어 시스템은 상기 제 1 및 제 2 전극들 사이에 제어된 전압차를 제공하도록 구성된 전압 제어기를 더 포함하는 침지 리소그래피 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 전압 제어기는 상기 제 1 및 제 2 전극들 사이에 a.c. 전압을 제공하도록 구성되는 침지 리소그래피 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 표면은 추출기의 다공성 부재의 표면인 침지 리소그래피 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 다공성 부재의 전체 또는 일부분은 상기 제 1 전극으로서 사용되는 침지 리소그래피 장치.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 능동적 침지 액체 제어 시스템은:
    1 이상의 제 1 전극들 - 상기 제 1 전극들은, 상기 침지 시스템 표면 상의 침지 액체의 메니스커스가 상기 제 1 전극들 중 적어도 하나에 전기적으로 연결될 수 있도록 상기 침지 시스템의 표면 상에 배치됨 - ; 및
    1 이상의 제 2 전극들 - 상기 제 2 전극들은, 상기 침지 시스템의 표면 상의 침지 액체의 메니스커스가 상기 제 2 전극들로부터 전기적으로 격리되도록 상기 기판 테이블의 표면 상 또는 상기 기판 테이블 내에 배치됨 - 을 포함하는 침지 리소그래피 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 전극들과 상기 제 2 전극들 사이에 전압차를 제공하여, 상기 침지 액체의 메니스커스의 볼록한 면(54a) 부분 내에서의 전기 습윤 효과를 유도하여, 상기 볼록한 면에서 상기 기판 테이블의 표면 상의 침지 액체의 접촉 각도가 줄어들 수 있도록 구성되는 침지 리소그래피 장치.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 테이블은 복수의 제 2 전극들을 포함하고, 상기 제 2 전극들은 서로로부터, 또한 상기 표면 상의 상기 침지 액체로부터 전기적으로 격리되며, 전압 제어기는 상기 제 1 전극과 상기 각각의 제 2 전극들 사이의 전압차를 독립적으로 제어하도록 구성되는 침지 리소그래피 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 전극은 상기 기판 테이블의 상기 표면 상에 또는 상기 표면에 존재하고, 전기 절연 물질의 코팅으로 코팅되는 침지 리소그래피 장치.
  14. 제 1 항 내지 제 5 항, 제 12 항 및 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 침지 액체는 전기 도전성인 침지 리소그래피 장치.
  15. 침지 리소그래피 장치 내의 다음의 표면들 - 투영 시스템의 표면, 기판 테이블 또는 기판의 표면, 및 상기 투영 시스템의 최종 요소와 '상기 기판 또는 기판 테이블' 사이의 공간에 침지 액체를 공급하도록 구성된 침지 시스템의 표면 - 으로부터 선택된 1 이상의 표면 상에서 액체의 거동을 제어하는 방법에 있어서,
    상기 침지 시스템을 이용하여, 상기 투영 시스템, 및 상기 기판 또는 기판 테이블 사이의 공간에 침지 액체를 공급하는 단계;
    제어될 상기 침지 액체에 전기적으로 연결된 제 1 전극, 및 제어될 상기 침지 액체로부터 전기적으로 격리된 제 2 전극 사이에 제어된 전압차를 인가함으로써 상기 표면 상의 상기 액체의 접촉 각도를 제어하는 단계를 포함하고,
    상기 제 1 전극은 상기 침지 시스템에 제공되고, 상기 제 2 전극은 상기 기판 테이블에 제공되는 액체의 거동을 제어하는 방법.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5814516B2 (ja) * 2009-06-08 2015-11-17 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ フォトリソグラフィー方法
NL2009139A (en) * 2011-08-05 2013-02-06 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
CN104238274B (zh) * 2013-06-19 2016-12-28 上海微电子装备有限公司 浸没式光刻机浸没流场维持装置及方法
WO2020183660A1 (ja) * 2019-03-13 2020-09-17 株式会社ニコン 液浸部材、液浸露光装置、成膜方法および液浸部材の製造方法
US10959336B2 (en) * 2019-03-28 2021-03-23 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Method of liquid assisted binding

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060053182A (ko) * 2004-08-19 2006-05-19 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
US7050146B2 (en) * 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20060083160A (ko) * 2005-01-14 2006-07-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4283730A (en) * 1979-12-06 1981-08-11 Graf Ronald E Droplet control aspects--ink evaporation reduction; low voltage contact angle control device; droplet trajectory release modes; uses for metallic ink drops in circuit wiring and press printing
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
AU2001280796A1 (en) * 2000-07-25 2002-02-05 The Regents Of The University Of California Electrowetting-driven micropumping
US6949176B2 (en) * 2001-02-28 2005-09-27 Lightwave Microsystems Corporation Microfluidic control using dielectric pumping
EP1429188B1 (en) 2002-11-12 2013-06-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100588124B1 (ko) 2002-11-12 2006-06-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
JP3977324B2 (ja) 2002-11-12 2007-09-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置
EP1420300B1 (en) 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101177331B1 (ko) 2003-04-09 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
JP4656057B2 (ja) * 2003-04-10 2011-03-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子
EP2261741A3 (en) * 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317504B2 (en) 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7125652B2 (en) * 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
KR101941351B1 (ko) * 2003-12-15 2019-01-22 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
JP2006024819A (ja) 2004-07-09 2006-01-26 Renesas Technology Corp 液浸露光装置、及び電子デバイスの製造方法
CN100533662C (zh) 2004-11-01 2009-08-26 株式会社尼康 曝光装置及器件制造方法
US7145630B2 (en) 2004-11-23 2006-12-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060153745A1 (en) * 2005-01-11 2006-07-13 Applera Corporation Fluid processing device for oligonucleotide synthesis and analysis
CN102360170B (zh) 2005-02-10 2014-03-12 Asml荷兰有限公司 浸没液体、曝光装置及曝光方法
JP2006269940A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Canon Inc 露光装置及び露光方法
US7268357B2 (en) * 2005-05-16 2007-09-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography apparatus and method
US7839483B2 (en) 2005-12-28 2010-11-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system
JP2007227580A (ja) 2006-02-23 2007-09-06 Sony Corp 液浸型露光装置および液浸型露光方法
US7903232B2 (en) * 2006-04-12 2011-03-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20080012477A (ko) * 2006-08-03 2008-02-12 주식회사 하이닉스반도체 이멀젼 리소그래피 장치 및 이를 이용한 이멀젼 리소그래피방법
JP5055549B2 (ja) * 2007-03-22 2012-10-24 国立大学法人宇都宮大学 液浸露光装置
JP2009038301A (ja) * 2007-08-03 2009-02-19 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7050146B2 (en) * 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20060053182A (ko) * 2004-08-19 2006-05-19 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
KR20070077165A (ko) * 2004-08-19 2007-07-25 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치
KR20060083160A (ko) * 2005-01-14 2006-07-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법

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